JP2003249694A - 発光装置およびそれを用いた照明装置 - Google Patents
発光装置およびそれを用いた照明装置Info
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Abstract
するよう構成された発光装置を改善し、色調の変化が抑
制された該発光装置、およびそれを用いた照明装置を提
供すること。 【解決手段】 GaN系LED1と、該LED1から発
せられる光L1で励起され蛍光(可視光)L2を発する
蛍光体2とを組み合わせ、該蛍光L2を出力光とする発
光装置を構成する。このとき、該LED1に注入される
駆動電流量を、単位発光面積当たり0.1(A/c
m2)から70.0(A/cm2)まで変化させたとき
に、出力光の色度の変化量が、x−y色度図上において
0.05以内となるように、LED1と蛍光体2とを選
択し、組み合わせる。LED1に高効率InGaN系紫
外LEDを用い、蛍光体には白色蛍光体を用いることに
よって、色調変化が抑制された白色照明器具が得られ
る。
Description
(LED)と、該LEDから発せられる光で励起されて
蛍光を発する蛍光体との組合せで構成され、出力光とし
て可視光を発する発光装置に関するものである。
列し、カラー画像表示装置、電飾、信号灯、照明装置な
どを構成することが従来行われている。該光源として
は、LEDや半導体レーザ(LD)などの半導体発光素
子(以下、単に発光素子ともいう)を単独で用いたもの
や、発光素子と蛍光体とを組合せたものが用いられてい
る。該蛍光体は、発光素子からの光で励起され、種々の
波長の蛍光を発するように選択されている。
組合せたもの、特に白色光を出力するよう構成された所
謂白色LEDは、照明器具としては重要である。従来の
白色LEDとしては、先ず、青色LEDと黄色蛍光体と
を組み合わせたものが挙げられる。この白色LEDの構
成は、黄色蛍光体(青色光で励起され黄色光を発する蛍
光体)を分散させた第1の樹脂によって青色LEDチッ
プを覆い、さらにそれを第2の透明樹脂で砲弾型などに
モールドしたものである。このような構成によって、蛍
光体に吸収されず第1および第2の樹脂領域を通過する
青色光と、その補色関係にある蛍光体からの黄色光とが
混ざり合い、白色光が出力されているように見える。た
だし、このような白色光は、光の3原色を完全には含ん
でいないために色純度も演色性も悪い。
るLED光源と、白色蛍光体とを組み合わせ、色純度も
演色性も良好な白色光を発生させる試みもなされてい
る。白色蛍光体は、LED光源からの主発光に励起され
て3原色(赤色、緑色、青色の3波長)の蛍光を発する
蛍光体成分を含むものである。3原色光の混合による白
色光は、演色性が高く、好ましい照明用光源となり得
る。
に、LEDと蛍光体とを組み合わせた従来の発光装置を
本発明者等が詳細に検討したところ、いずれの装置も、
LEDへの通電量を増大させると色調(色バランス)が
大きく変化するものであることが分った。
せた白色発光可能な装置(所謂、白色LED)の場合、
白色光に含まれる黄色光(青色光が蛍光体で変換された
もの)と、青色光(蛍光体を透過したもの)との割合
が、青色LEDの発光出力に大きく依存して変化する。
しかも、その青色LEDの発光出力は、注入電流の増加
に伴い外部量子効率が低下するために、注入電流に比例
して増加せず、従来の定格電流(例えば、350μm×
350μmのLEDチップでは通常20mAとされる)
を越えた辺りから飽和傾向を示す。該定格電流近傍の通
電でもLEDチップの温度上昇が起こっており、第一に
は蛍光体の温度上昇により変換効率が低下する、第二に
は青色発光波長が長波長シフトし、蛍光体の励起効率が
変化するといった現象が起こっている。該定格電流を越
えた電流を流すと、この傾向は一層強くなり、このよう
な白色LEDでは、青色LEDへの注入電流の増加に伴
って、色調が変化する。
を組合せた白色LEDの場合、赤色光、緑色光、青色光
の蛍光だけによって白色を構成しており、LED光源の
光を直接には出力させないので、上記白色LEDで述べ
たようなLED発光と蛍光体発光との色バランスが崩れ
ることによる色調の変化は抑えることができる。しか
し、従来の出力の低い近紫外LEDや、変換効率の低い
蛍光体を使っている場合には、通電によるLED光源の
温度上昇の影響で、下記の現象が生じ、やはり色調が変
化する。第一に、LED光源−の温度上昇のために該光
源の発光波長が変化し、これによって各色の蛍光体毎の
変換効率も独自に変化し、結果、色調が変化する。第二
に、LED光源の温度上昇のために蛍光体の温度が変化
し、これによって各色の蛍光体の変換効率も独自に変化
し、結果、色調が変化する。
蛍光体とを組み合わせた発光装置のみならず、LDと蛍
光体とを組み合わせた発光装置においても同様に発生す
る問題である。従って、本発明の課題は、上記問題を改
善し、発光素子と蛍光体とを組合わせて可視光を出力す
るよう構成された発光装置を改善し、色調の変化が抑制
された該発光装置、およびそれを用いた照明装置を提供
することにある。
するものである。 (1)GaN系発光素子と、該発光素子から発せられる
光で励起され可視光を発する蛍光体とが組み合され、該
蛍光を出力光とする発光装置であって、前記GaN系発
光素子はGaN系発光ダイオードであり、該発光ダイオ
ードに注入される駆動電流量を、単位発光面積当たり
0.1(A/cm2)から70.0(A/cm2)まで変
化させたときに、出力光の色度の変化量が、x−y色度
図上において0.05以内であることを特徴とする発光
装置。
nGaN系材料からなる発光層を含んで構成された発光
部を有するものであって、該発光部の構造は、単一量子
井戸構造、多重量子井戸構造、またはダブルヘテロ構造
であり、発光ピーク波長は430nm以下であり、ベア
チップ状態において単位発光面積当たり30(A/cm
2)の駆動電流を注入した時に5%以上の外部量子効率
を有するものである、上記(1)記載の発光装置。
発光と共に、それとは異なる波長のフォトルミネッセン
ス光を発するように構成されており、該フォトルミネッ
センス光が上記蛍光と共に出力されるものである、上記
(1)記載の発光装置。
ら発せられる光で励起され可視光を発する蛍光体とが組
み合され、該蛍光を出力光とする発光装置であって、前
記GaN系発光素子は、発光ピーク波長360nm〜4
30nm、全発光エネルギーの外部量子効率が10%以
上のGaN系半導体レーザであり、該半導体レーザのレ
ーザ出力を発振閾値電流通電時のレーザ出力から該レー
ザ出力の10倍のレーザ出力まで変化させたときに、出
力光の色度の変化量が、x−y色度図上において0.0
5以内であることを特徴とする発光装置。
InAGa1-AN(0<A≦1)井戸層とGaN系障壁層
とからなる多重量子井戸構造であって、発光ピーク波長
が360nm〜430nmとなるようにInAGa1-AN
井戸層の組成比Aが決定されている、上記(1)〜
(4)のいずれかに記載の発光装置。
が、表面に凹凸が加工された結晶基板上に、GaN系半
導体からなる低温バッファ層を介してまたは直接的に、
GaN系結晶層が該凹凸を覆ってラテラル成長またはフ
ァセット成長しており、該GaN系結晶の上に発光部が
形成された構造を有するものである、上記(1)〜
(5)のいずれかに記載の発光装置。
から発せられる光の波長から波長800nmまでの波長
範囲内に、発光強度のピークを1つ以上有する光であ
る、請求項(1)〜(6)のいずれかに記載の発光装
置。
色光からなる3原色光を含んでなる白色光である、上記
(7)記載の発光装置。
光体、及び青色蛍光体の混合物からなる白色蛍光体であ
って、前記赤色蛍光体が、〔Ln2O2S:Eu(Ln=
Y,La,Gd,Lu,Sc)〕、及び〔(Zna,C
d1-a)S:Ag,Cl、(0.5>a>0.2)〕から選ばれ
る1種類以上の蛍光体を含むものであり、前記緑色蛍光
体が、〔(Zna,Cd1-a)S:Cu,Al、(1≧a
>0.6)〕、〔(Zna,Cd1-a)S:Au,Al、
(1≧a>0.6)〕、〔(Zna,Cd1-a)S:Ag,C
l、(1≧a>0.6)〕、及び〔(Ba,Sr)MgA
l10O17:Eu,Mn〕から選ばれる1種類以上の蛍光
体を含むものであり、前記青色蛍光体が、〔(Sr,C
a,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu〕と、
〔(Ba,Sr)MgAl10O17:Eu,Mn〕とを含
むものである、上記(1)〜(8)のいずれかに記載の
発光装置。
記載の発光装置が複数集合した構成を有する照明装置。
子と蛍光体とを含んで構成されるが、以下の説明では、
GaN系LEDを発光素子の例とし、本発明を具体的に
説明する。図1の構成例では、GaN系LED1と、蛍
光体2とを組み合わせて当該発光装置を構成している。
蛍光体2は、GaN系LED1から発せられる光L1で
励起され、蛍光(可視光)L2を発するように形成され
ており、該蛍光L2が当該発光装置の出力光となってい
る。
lCN(0≦A≦1、0≦B≦1、0≦C≦1、A+B
+C=1)で示される化合物半導体であって、例えば、
AlN、GaN、AlGaN、InGaNなどが重要な
化合物として挙げられる。
該発光装置の重要な特徴は、図2のx−y色度図に示す
ように、該GaN系LEDに注入される駆動電流量を、
単位発光面積当たり0.1A/cm2から70A/cm2
まで変化させたときに、出力光の色度の変化量(該x−
y色度図上における点m1から点m2までの変化量Δ
m)が0.05以内、より好ましくは0.03以内とな
るように構成されていることである。この条件を満たす
ようにGaN系LEDと蛍光体とを選択し組み合わせる
ことによって、駆動電流を増加させても、色調の変化が
抑制される。
を(x1,y1)、点m2の座標を(x2,y2)とし
て、(x2−x1)2+(y2−y1)2の平方根によっ
て与えられる。また、本発明で用いるx−y色度図は、
CIE1931xyz表色系(JISZ8701)で規
定されるものである。
変化を与えた場合、出力光の色度の変化量は、本発明が
規定する上記値0.05を上回る。例えば、青色LED
と黄色蛍光体とによって構成された発光装置では0.0
54であり、紫外LEDと白色蛍光体を用いた従来品で
も0.052となっており、色度の変化についての規定
は考慮されていない。
に注入される駆動電流量は、LEDの形状寸法などに依
って異なることのないよう、〔単位発光面積当たりの電
流量A/cm2)にて規定する。発光面積とは、発光層
の横方向の実効的な総面積を意味するが、近似的には、
p電極がp層のほぼ前面を覆っている場合にはp層の面
積で代用しても良い。また、p電極がp層の一部分しか
覆ってない場合には、実質的には電極直下しか発光しな
いために、電極面積を発光面積として代用してもよい。
例えば、図3に示すような、サファイア基板上に形成さ
れたGaN系発光ダイオードの素子構造において、素子
外形を(350μm×350μm)〜(5mm×5m
m)程度の方形とした場合、発光面積は、n型電極形成
のためのエッチングによって減少し7×10-4cm2〜
0.24cm2程度となる。この中から、例えば、発光
面積7.2×10-4cm2のものを用いた場合、上記色
度の変化量を評価するために注入される駆動電流量の変
化は、0.072mAから50mAまでとなる。
定条件としては、周囲の温度として〔15〜35℃〕、
実装状態として〔発光効率を高めるためにはフリップチ
ップ実装が好ましいが、標準的にはGaN系発光層を上
側とする所謂pサイドアップのダイボンディング〕、封
止(第二のモールド樹脂)材料として〔エポキシ系樹
脂〕、蛍光体の塗布方法として〔適正な配合比率で混合
した蛍光体を含んだシリコン樹脂によって、実装した発
光素子をコーティング(モールド)する〕、などが挙げ
られる。
は、用いられるGaN系LED、蛍光体、およびそれら
の組み合わせ方が重要である。先ず、GaN系LEDに
ついては、発光ピーク波長、発光出力、外部量子効率に
ついて、それぞれ以下のような制限が必要である。
光体の励起効率、延いては蛍光体の励起光から蛍光への
変換効率と関係する重要な要素であり、450nm以下
が好ましく、360nm〜430nmがより好ましい。
また、特に好ましい発光ピーク波長の例として、380
nmが挙げられる。これは、InGaNを発光層に用い
たLEDにおいて、発光効率が高く、かつ一般的に蛍光
体の励起効率が高い波長域からである。
について測定される値)、外部量子効率は、通電に伴う
LEDの温度上昇を抑制する上で重要な要素である。通
電によって注入された電力は、最終的に光に変換される
か、熱に変換される。従って、外部量子効率が低い素子
ほど熱に変換される割合が大きく、素子の温度上昇が大
きくなり、蛍光体の変換効率を低下させたり、発光素子
および蛍光体の劣化の原因となる。
プ状態において単位発光面積当たり30(A/cm2)
の駆動電流を注入した時に、5%以上の外部量子効率を
有するものが好ましく、7%以上がより好ましい。色度
の変化量の評価で述べたと同様に、該発光出力は、周囲
温度15℃から35℃の測定環境で、所謂pサイドアッ
プで基板側を下に、銀ペーストあるいは共晶系の合金を
接合用金属材料として用い、例えばTO18缶として知
られている金属ステムに実装して被験サンプルとし、こ
れをそのまま積分球の中に挿入し、全発光強度を計測す
る標準的な計測システムにて全発光出力として測定す
る。
部量子効率は計測できる。素子の形状、実装方式によっ
て発光出力は大きく異なるが、ここでは上記の評価方法
を標準のベアチップ状態での測定方法とする。外部量子
効率ηeは、ηe=PO/(IF・Eg)によって算出され
る。PO〔W〕は全発光出力、IF〔A〕は通電量であ
る。Eg〔eV〕は発光ピーク波長λp〔μm〕をエネル
ギー値に換算した値であり、Eg=1.2398/λ pで
算出される。
率として、5%以上、特に好ましい値として7%以上を
推奨する。例えば、図3に示す素子構造において、素子
外形を(350μm×350μm)〜(5mm×5m
m)程度の方形とした場合、発光面積は7×10-4cm
2〜0.24cm2程度となる。この中から、例えば、発
光面積7.2×10-4cm2、発光ピーク波長380n
mのLED素子を用いた場合では、20mA通電時に
3.3mW(外部量子効率5%)以上の発光出力である
ことが好ましく、4.6mW(外部量子効率7%)以上
がより好ましい。
を上記のように限定することによって、従来の発光装置
よりも、LEDの温度上昇が抑制される。そのために、
該LED自体の発光波長の変化も抑制されて、波長面で
の各蛍光体の変換効率の変化も少なくなる。また、それ
と同時に、加熱による蛍光体の温度上昇が軽減されて、
各蛍光体の変換効率の変化も少なくなる。これらが、色
調変化の抑制に寄与する。
子効率の条件を満たすGaN系LEDとしては、図3に
示すように、InGaN系材料からなる発光層を含んで
構成された発光部13を有するものが挙げられる。発光
部は、例えば(n型クラッド層/量子井戸構造/p型ク
ラッド層)など、電流注入によって光を発生し得るよう
にp型層とn型層とを有して構成され、発光に係る層
(発光層)を持つ。発光層は、量子井戸構造における井
戸層である。好ましい発光部の構造としては、単一量子
井戸(SQW)構造、多重量子井戸(MQW)構造、ま
たはダブルヘテロ(DH)構造が挙げられ、なかでもM
QW構造が、高出力、高効率の点で特に好ましい。
イア基板10上に、GaN系低温成長バッファ層10b
を介して、順に、n型コンタクト層11、発光部13
(n型クラッド層12/MQW/p型クラッド層1
4)、p型コンタクト層15が気相成長によって積層さ
れ、各コンタクト層に、n−電極P1、p−電極P2が
設けられている。また、図3(b)では、さらに、サフ
ァイア基板の上面に、後述のLEPS法を実施するため
の凹凸Sが加えられている。
は、上記したGaN系のなかでも、In組成、Ga組成
を必須に含む化合物半導体であって、InAGa1-AN
(0<A<1)で示されるものの他、これにさらにAl
組成が加えられたものであってもよい。InAGa1-AN
の組成は、上記発光ピーク波長が得られるように決定す
ればよいが、InAGa1-AN(0.005≦A≦0.2
2、このときの発光波長360nm〜430nm)は、
出力が大きく好ましい材料である。
nm〜430nmとなるように決定されたInAGa1-A
Nを井戸層とするMQW構造のLED(InGaN紫外
LED)が、当該発光装置には最も好ましいLEDであ
る。さらに、InAGa1-ANを井戸層とするMQW構造
のなかでも、InAGa1-AN井戸層とGaN障壁層とか
らなるMQW構造は、高出力、高効率が得られる構造で
ある。
抑制するために、蛍光体からの蛍光を用いることが基本
である。しかし、GaN系LEDから主発光以外にフォ
トルミネッセンス光(PL光)をも発する構成とし、そ
のPL光を上記蛍光と共に出力させて、蛍光のバランス
を補正してもよい。そのようなPL光を発生させるに
は、GaN系LEDの素子構造内に、主発光を受けて目
的のPL光を発するように組成を決定したGaN系結晶
層を加えればよい。
子としてGaN系LDを用いることも可能である。その
場合は、該LDの条件として、発光ピーク波長360n
m〜430nm、外部量子効率10%以上のものを用い
る。また、LDを用いる場合には、該LDのレーザ出力
を、発振閾値電流通電時のレーザ出力から該レーザ出力
の10倍のレーザ出力まで変化させたときに、出力光の
色度の変化量が、x−y色度図上において0.05以内
となるものが本発明による発光装置である。
結晶層の成長方法としては、HVPE法、MOVPE
法、MBE法などが挙げられる。厚膜を作製する場合は
HVPE法が好ましいが、薄膜を形成する場合はMOV
PE法やMBE法が好ましい。
て用いられる結晶基板は、GaN系結晶が成長可能なも
のであればよい。好ましい結晶基板としては、例えば、
サファイア(C面、A面、R面)、SiC(6H、4
H、3C)、GaN、AlN、Si、スピネル、Zn
O、GaAs、NGOなどが挙げられる。また、これら
の結晶を表層として有する基材であってもよい。なお、
基板の面方位は特に限定されなく、更にジャスト基板で
も良いしオフ角を付与した基板であっても良い。
構造を成長させるに際しては、必要に応じてバッファ層
を介在させてよい。好ましいバッファ層としては、Ga
N、AlN、InNなどによるGaN系低温成長バッフ
ァ層が挙げられる。
効率化のために、結晶基板上に成長するGaN系結晶層
の転位密度を低減させる構造を適宜導入してよい。転位
密度低減のための構造としては、例えば次のものが挙げ
られる。 (い)従来公知の選択成長法(ELO法)を実施し得る
ように、結晶基板上にマスク層(SiO2などが用いら
れる)をストライプパターンなどとして形成した構造。 (ろ)GaN系結晶がラテラル成長やファセット成長を
し得るように、結晶基板上に、ドット状、ストライプ状
の凹凸加工を施した構造。 これらの構造とバッファ層とは、適宜組合せてよい。
も、上記(ろ)は、マスク層を用いない好ましい構造で
あって、GaN系LEDのさらなる高出力化・高効率化
に寄与し、より好ましい発光装置を得ることができる。
以下、上記(ろ)の転位密度低減化構造について説明す
る。
は、例えば、通常のフォトリソグラフイ技術を用いて、
目的の凹凸の態様に応じてパターン化し、RIE技術等
を使ってエッチング加工を施して目的の凹凸を得る方法
などが例示される。
(または凸部)が配列されたパターン、直線状または曲
線状の凹溝(または凸尾根)が一定間隔・不定の間隔で
配列された、ストライプ状や同心状のパターンなどが挙
げられる。凸尾根が格子状に交差したパターンは、ドッ
ト状(角穴状)の凹部が規則的に配列されたパターンと
みることができる。また、凹凸の断面形状は、矩形(台
形を含む)波状、三角波状、サインカーブ状などが挙げ
られる。
凹溝(または凸尾根)が一定間隔で配列された、ストラ
イプ状の凹凸パターン(断面矩形波状)は、その作製工
程を簡略化できると共に、パターンの作製が容易であり
好ましい。
で成長するGaN系結晶にとって〈1−100〉方向と
した場合、図4(a)に示すように、凸部の上部から成
長を開始したGaN系結晶11aは、横方向に高速成長
し、図4(b)に示すように、凹部を空洞として残した
状態でGaN系結晶層11bとなりやすい。このような
〈1−100〉方向の凹凸を用いた手法は、LEPS法
(Lateral Epitaxy onthe Patterned Substrate)とも
呼ばれる。ただし、ファセット面が形成されやすい成長
条件を選ぶ事により、下記の〈11−20〉方向の場合
と同様の効果を得ることができる。
GaN系結晶にとって〈11−20〉方向とした場合、
横方向成長が抑制され、{1−101}面などの斜めフ
ァセットが形成され易くなり、図5(a)に示すよう
に、先ず、断面三角形を呈した稜線状の結晶11aに成
長し、図5(b)に示すように、凹部に空洞を残さずG
aN系結晶層11bとなりやすい。この結果、基板側か
らC軸方向に伝搬した転位がこのファセット面で横方向
に曲げられ、上方に伝搬し難くなり、低転位密度領域を
形成できる点で特に好ましい。このような〈11−2
0〉方向の凹凸を用いた手法は、上記LEPS法に対し
て、ファセットLEPS法とも呼ぶことができる。
する場合の好ましい寸法は次のとおりである。凹溝の幅
W1は、1μm〜20μm、特に2μm〜20μmが好
ましい。凸部の幅W2は、1μm〜20μm、特に1μ
m〜10μmが好ましい。凹凸の振幅(凹溝の深さ)d
は、0.2μm以上の深さがあれば良い。これらの寸法
やそこから計算されるピッチ等は、他の断面形状の凹凸
においても同様である。
て、発光層で発生した光をより多く外部に取り出すため
の種々の構造(電極構造、反射層構造、上下を逆に実装
し得るフリップチップ構造など)などを適宜設けること
が好ましい。
光であればよく、励起光源であるGaN系LEDの発光
ピーク波長(450nm以下、360nm〜430n
m)から800nmまでの波長範囲内に、発光強度のピ
ークを1つ以上有する光であればよい。なかでも、照明
用途として白色光は有用であり、しかも、良好な演色性
であるためには、赤色光、緑色光、青色光からなる3原
色光を必須に含んで作り出される白色光(RGB白色光
ともいう)であることが好ましい。
Dによって励起され、上記可視光を発する材料を用いれ
ばよい。白色光を発生させ得る蛍光体(赤色蛍光体、緑
色蛍光体、及び青色蛍光体の混合物からなる白色蛍光
体)としては、公知の材料を用いてよいが、色調変化の
少ない発光装置を構成するための好ましい白色蛍光体と
しては、赤色蛍光体として、〔Ln2O2S:Eu(Ln
=Y,La,Gd,Lu,Sc)〕、及び〔(Zn a,
Cd1-a)S:Ag,Cl、(0.5>a>0.2)〕から選ば
れる1種類以上の蛍光体を含み、緑色蛍光体として、
〔(Zna,Cd1-a)S:Cu,Al、(1≧a>0.
6)〕、〔(Zna,Cd1-a)S:Au,Al、(1≧
a>0.6)〕、〔(Zna,Cd1-a)S:Ag,Cl、
(1≧a>0.6)〕、及び〔(Ba,Sr)MgAl10
O17:Eu,Mn〕から選ばれる1種類以上の蛍光体を
含み、青色蛍光体として、〔(Sr,Ca,Ba,M
g)10(PO4)6Cl2:Eu〕および〔(Ba,S
r)MgAl10O17:Eu,Mn〕を含むものが挙げら
れる。
質そのものであって、実際に蛍光体として当該発光素子
と組み合わせて発光装置を構成する場合には、塗布可能
な蛍光塗料や、組立て可能な蛍光体部品などとするのが
好ましい態様である。そのために、該蛍光体の材料に対
して、種々の基材との混ぜ合わせ、化合、基板への担
持、固化など、種々の加工を施してもよい。発光素子と
蛍光体とを組み合わせて1つの発光装置とするための結
合方法、結合構造自体は、公知技術を参照してもよい。
機、表示装置、電飾などであってもよいが、色調の変化
が抑制された特徴が最も顕著となるのは、RGB白色光
を出力光として当該発光装置を構成し、これを複数集合
させた照明装置である。
色調の変化が抑制された白色LEDを実際に製作した。
InGaN紫外LEDの主な仕様は次のとおりである。 発光ピーク波長:380nm。 発光部の構造:In0.03Ga0.97N井戸層/GaN障壁
層を6ペア積層したMQW構造。 転位密度低減化の手法:ファセットLEPS法。 ベアチップの外形:350μm×350μm方形。 実装方式:フリップチップ ベアチップ状態での発光出力:通電電流20mAにおい
て7.8mW(樹脂モールドして12.5mW)。
ァイア基板上にフォトレジストによるストライプ状のパ
ターニングを行い、RIE装置で1.5μmの深さまで
断面方形となるようエッチングし、表面がストライプ状
パターンの凹凸となった基板を得た。該パターンの仕様
は、凸部幅3μm、周期6μm、ストライプの長手方向
は、基板上に成長するGaN系結晶にとって〈11−2
0〉方向とした。
の有機金属気相成長装置(MOVPE)に基板を装着
し、窒素ガス主成分雰囲気下で1100℃まで昇温し、
サーマルクリーニングを行った。温度を500℃まで下
げ、III族原料としてトリメチルガリウム(以下TM
G)を、N原料としてアンモニアを流し、厚さ30nm
のGaN低温成長バッファ層を成長させた。
(TMG、アンモニア)、ドーパント(シラン)を流
し、n型GaN層(コンタクト層)を成長させた。この
ときのGaN層の成長は、Tadatomoらによって開示され
た文献Jpn. J. Appl. Phys. 40・〔2001〕・L583. に示
すように、凸部の上面、凹部の底面から、断面山形でフ
ァセット面を含む尾根状の結晶として発生した後、凹部
内に空洞を形成することなく、全体を埋め込む成長であ
った。
め込み層を成長し、続いて、n型AlGaNクラッド
層、InGaN発光層(MQW構造)、p型AlGaN
クラッド層、p型GaNコンタクト層を順に形成し、発
光波長380nmの紫外LED用エピ基板とし、さら
に、n型コンタクト層を表出させるためのエッチング加
工、電極形成、350μm×350μmのチップへと素
子分離を行い、ベアチップ状態のInGaN紫外LED
を得た。
に、サファイア基板側を上面に、所謂フリップチップ型
実装を行った。該紫外LEDの搭載されたSiサブマウ
ントをリードフレームのカップ内に固着した。この状態
のLEDチップの全発光出力を積分球で測定した所、2
0mA通電時で7.8mWを観測した。尚、このままエ
ポキシ樹脂でモールドしたLEDランプで同様の測定を
行い、全発光出力12.5mWを観測した。この発光素
子の発光面積は7.18×10-4cm2であった。この
発光効率は、単位発光面積当たりの電流量27.9(A
/cm2)における外部量子効率12%に相当する。
尚、この発光素子は、少なくとも50mAの通電にも発
光出力が飽和することなく、通電量に比例した発光出力
が得られた。
して、BaMgAl10O17:Eu,Mnを主成分とする
蛍光体を用い、緑〜黄色光を出力する蛍光体の材料とし
て、Y2SiO5:Ceと、Tb(Y、Gd)Al5O12:
(Ce、Tb)とを主成分とする蛍光体を用い、赤色光
を出力する蛍光体の材料として、Ln2O2S:Eu(L
n=Y、La、Gd、Lu、Sc)を主成分とする蛍光
体を用いた。これら各色の蛍光体を配合し、熱硬化型シ
リコン系樹脂に分散させて、白色蛍光体とした。
された紫外LEDを覆うように、上記の白色蛍光体を塗
布した。該蛍光体の塗布厚さは約100μmである。該
厚みは、白色蛍光体の含有量に依存してその最適値は変
化する。シリコン樹脂が十分固化してから、エポキシ樹
脂を使って砲弾型のモールドを行い、本発明の発光装置
(白色LEDランプ)に仕上げた。
Dの駆動電流量を0.072mAから50mAまで変化
(単位発光面積当たり0.1(A/cm2)から70
(A/cm2)までの変化に相当)させたときの出力光
の色度は、図2に示すように、x−y色度図の色度座標
上で、点m1(x=0.3、y=0.34)から点m2
(x=0.28、y=0.32)まで変化した。このと
きの2点間の変化量Δmは、約0.028であり、本発
明による色調変化の規定を満たすものであった。
調は変化し難い発光装置を提供でき、これによって、演
色性の良好な白色光を安定して発する好ましい照明装置
を提供できるようになった。
ハッチングは、領域を区別する目的で施している。他の
図も同様である。
するx−y色度図である。
LEDの素子構造の一例を示す図である。
位密度を低減させるために、結晶基板に設けられる凹凸
構造、およびGaN系結晶の成長の様子を示す模式図で
ある。同図の例では、凹凸は、紙面に垂直に延びる凹溝
・凸稜によるストライプ状のパターンであって、該紙面
に垂直な方向が、成長するGaN系結晶の〈1−10
0〉方向である。
N系結晶層の転位密度を低減させるために、結晶基板に
設けられる凹凸構造、およびGaN系結晶の成長の様子
を示す模式図である。同図の例では、凹溝・凸稜の長手
方向(紙面に垂直な方向)が、成長するGaN系結晶の
〈11−20〉方向である。
めの図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 GaN系発光素子と、該発光素子から発
せられる光で励起され可視光を発する蛍光体とが組み合
され、該蛍光を出力光とする発光装置であって、 前記GaN系発光素子はGaN系発光ダイオードであ
り、該発光ダイオードに注入される駆動電流量を、単位
発光面積当たり0.1(A/cm2)から70.0(A
/cm2)まで変化させたときに、 出力光の色度の変化量が、x−y色度図上において0.
05以内であることを特徴とする発光装置。 - 【請求項2】 上記GaN系発光ダイオードが、InG
aN系材料からなる発光層を含んで構成された発光部を
有するものであって、該発光部の構造は、単一量子井戸
構造、多重量子井戸構造、またはダブルヘテロ構造であ
り、発光ピーク波長は430nm以下であり、ベアチッ
プ状態において単位発光面積当たり30(A/cm2)
の駆動電流を注入した時に5%以上の外部量子効率を有
するものである、請求項1記載の発光装置。 - 【請求項3】 上記GaN系発光ダイオードが、主発光
と共に、それとは異なる波長のフォトルミネッセンス光
を発するように構成されており、該フォトルミネッセン
ス光が上記蛍光と共に出力されるものである、請求項1
記載の発光装置。 - 【請求項4】 GaN系発光素子と、該発光素子から
発せられる光で励起され可視光を発する蛍光体とが組み
合され、該蛍光を出力光とする発光装置であって、 前記GaN系発光素子は、発光ピーク波長360nm〜
430nm、全発光エネルギーの外部量子効率が10%
以上のGaN系半導体レーザであり、該半導体レーザの
レーザ出力を発振閾値電流通電時のレーザ出力から該レ
ーザ出力の10倍のレーザ出力まで変化させたときに、 出力光の色度の変化量が、x−y色度図上において0.
05以内であることを特徴とする発光装置。 - 【請求項5】 上記GaN系発光素子の発光部が、In
AGa1-AN(0<A≦1)井戸層とGaN系障壁層とか
らなる多重量子井戸構造であって、発光ピーク波長が3
60nm〜430nmとなるようにInAGa1-AN井戸
層の組成比Aが決定されている、請求項1〜4のいずれ
かに記載の発光装置。 - 【請求項6】 上記GaN系発光素子の素子構造が、表
面に凹凸が加工された結晶基板上に、GaN系半導体か
らなる低温バッファ層を介してまたは直接的に、GaN
系結晶層が該凹凸を覆ってラテラル成長またはファセッ
ト成長しており、該GaN系結晶の上に発光部が形成さ
れた構造を有するものである、請求項1〜5のいずれか
に記載の発光装置。 - 【請求項7】 上記可視光が、上記発光ダイオードから
発せられる光の波長から波長800nmまでの波長範囲
内に、発光強度のピークを1つ以上有する光である、請
求項1〜6のいずれかに記載の発光装置。 - 【請求項8】 上記可視光が、赤色光、緑色光、青色光
からなる3原色光を含んでなる白色光である、請求項7
記載の発光装置。 - 【請求項9】 上記蛍光体が、赤色蛍光体、緑色蛍光
体、及び青色蛍光体の混合物からなる白色蛍光体であっ
て、 前記赤色蛍光体が、〔Ln2O2S:Eu(Ln=Y,L
a,Gd,Lu,Sc)〕、及び〔(Zna,Cd1-a)
S:Ag,Cl、(0.5>a>0.2)〕から選ばれる1種
類以上の蛍光体を含むものであり、 前記緑色蛍光体が、〔(Zna,Cd1-a)S:Cu,A
l、(1≧a>0.6)〕、〔(Zna,Cd1-a)S:A
u,Al、(1≧a>0.6)〕、〔(Zna,Cd1-a)
S:Ag,Cl、(1≧a>0.6)〕、及び〔(Ba,
Sr)MgAl10O17:Eu,Mn〕から選ばれる1種
類以上の蛍光体を含むものであり、 前記青色蛍光体が、〔(Sr,Ca,Ba,Mg)
10(PO4)6Cl2:Eu〕と、〔(Ba,Sr)Mg
Al10O17:Eu,Mn〕とを含むものである、請求項
1〜8のいずれかに記載の発光装置。 - 【請求項10】 請求項1〜9のいずれかに記載の発光
装置が複数集合した構成を有する照明装置。
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