JP4309106B2

JP4309106B2 - ＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法

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Publication number: JP4309106B2
Application number: JP2002240116A
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Inventors: 士郎酒井; 憲二山下
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Publication date: 2009-08-05
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法に関し、特に発光スペクトルの調整に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＧａＮ系化合物半導体を用いた発光装置（ＬＥＤや半導体レーザ）が知られている。波長３６０〜６００ｎｍ帯で発光するＬＥＤは、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮを発光層として用いる場合が多い。Ｉｎ_xＧａ_1-xＮを発光層として用いた場合、組成ｘを変化させることで発光波長は３６０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で変化する。すなわち、ｘ＝０の場合は発光波長３６０ｎｍであり、ｘを増大させるほど長波長側にシフトする。３６０ｎｍ〜６００ｎｍの波長帯で発光するＬＥＤは、表示用や照明用など多くの用途が考えられている。表示用の光源として考えた場合、原理的には光の３原色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を混ぜることで任意の色を表現できるので光源のスペクトルとしてはＲ、Ｇ、Ｂの３つの波長を有していれば足り、全ての視感度領域の波長を有する必要はない。しかしながら、より自然に近い色や、白色あるいは液晶ディスプレイのバックライトとして自然な色を表現するためには、光源の波長分布はできるだけ広く、望ましくは全ての視感度領域をカバーできる方がよい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような観点から、本願出願人は先に特願２００２−１０４８２１にて広い半値幅を有するＬＥＤを提案した。この技術においては、基板上にＧａＮ系化合物半導体を形成する際に、面内で温度分布を生じさせながら形成することで発光層に面内組成分布を生じさせる。発光層としてのＩｎＧａＮやＡｌＩｎＧａＮを形成する際、その組成は温度変化に対して高感度に変化し、組成変化は発光波長の変化を生じさせる。したがって、同一デバイス内で意図的に面内温度分布を生じさせることで発光波長を広範囲に変化させることができ、組成の異なる領域を同時に駆動することで多数の発光ピーク波長が互いに重畳された広帯域スペクトル特性を得ることができる。
【０００４】
ところで、一般に半導体ｐｎ接合ＬＥＤの動作電圧はその材料のバンドギャップエネルギでほぼ決定され、バンドギャップエネルギが小さい材料ほど動作電圧は低くなる。発光スペクトルもバンドギャップエネルギで決定されるので、赤色ＬＥＤの動作電圧は青色ＬＥＤの動作電圧よりも小さくなる。したがって、面内組成分布によりバンドギャップエネルギが面内で変動している領域にわたって電極（透明電極）を形成し駆動した場合、バンドギャップエネルギが小さい領域に流れる電流密度が相対的に大きくなってしまう。このため、発光スペクトルを高精度に調整するためには、電極形成面内での組成変動の程度を高精度に調整する必要が生じるが、製造工程が複雑化するため容易ではない。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、発光スペクトルが広く、あるいは、発光スペクトルを所望の値に設定することができる発光装置の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置を製造する方法であって、（ａ）絶縁透明基板面内で周期的に温度分布を生じさせるステップと、（ｂ）前記面内の温度分布のピッチよりも小さいピッチで前記基板上にモノリシックに複数のＩｎＧａＮ系発光素子を形成するステップと、（ｃ）前記複数のＩｎＧａＮ系発光素子を直列接続するステップを有することを特徴とする。
【００１７】
このように、本発明では単に温度分布を形成して発光層を成長させるのではなく、温度分布を形成して発光スペクトルを広帯域化するとともに、複数の発光素子をモノリシックに形成して互いに直列接続する。直列接続することで各発光素子に流れる電流は同一となり、バンドギャップエネルギに高低が生じていてもフラットな発光スペクトルが得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。
【００１９】
図１には、本実施形態においてＧａＮ系化合物半導体としてのＬＥＤ１の基本構成が示されている。ＬＥＤ１は、基板１０上に順次ＧａＮ層１２、Ｓｉドープのｎ型ＧａＮ層１４、ＩｎＧａＮ発光層１６、ＡｌＧａＮ層１８、ｐ型ＧａＮ層２０が積層され、ｐ型ＧａＮ層２０に接してｐ型電極２２、ｎ型ＧａＮ層１４に接してｎ型電極２４が形成される構成である。
【００２０】
図１に示されたＬＥＤは以下のプロセスにより作製される。すなわち、まず、ＭＯＣＶＤ装置にてサファイアｃ面基板を水素雰囲気中で１１００℃、１０分間熱処理する。そして、温度を５００℃まで降温させ、シランガスとアンモニアガスを１００秒間供給して不連続なＳｉＮ膜を基板１０上に形成する。なお、このプロセスはデバイス中の転位密度を低減させるためのものであり、図ではＳｉＮ膜は省略している。次に、同一温度でトリメチルガリウム及びアンモニアガスを供給してＧａＮ層を２０ｎｍ厚成長させる。温度を１０５０℃に昇温し、再びトリメチルガリウム及びアンモニアガスを供給してアンドープＧａＮ（ｕ−ＧａＮ）層１２及びＳｉドープのｎ型ＧａＮ層１４を各２μｍ厚成長させる。その後、温度を７００℃程度まで降温してＩｎＧａＮ発光層１６を２ｎｍ厚成長させる。目標組成はｘ＝０．１５、すなわちＩｎ_0.15Ｇａ_0.85Ｎである。発光層１６成長後、温度を１０００℃まで昇温してＡｌＧａＮ正孔注入層１８を成長させ、さらにｐ型ＧａＮ層２０を成長させる。
【００２１】
ｐ型ＧａＮ層２０を成長させた後、ウエハをＭＯＣＶＤ装置から取り出し、Ｎｉ１０ｎｍ厚、Ａｕ１０ｎｍ厚を順次真空蒸着で成長層表面に形成する。５％の酸素を含む窒素ガス雰囲気中で５２０℃熱処理することで金属膜はｐ型透明電極２２となる。透明電極形成後、全面にフォトレジストを塗布し、ｎ型電極形成のためのエッチングをフォトレジストをマスクとして行う。エッチング深さは、例えば６００ｎｍ程度である。エッチングで露出したｎ型ＧａＮ層１４上にＴｉ５ｎｍ厚、Ａｌ５ｎｍ厚を形成し、窒素ガス雰囲気中で４５０℃３０分間熱処理してｎ型電極２４を形成する。最後に、基板１０の裏面を１００μｍまで研磨してチップを切り出し、マウントすることでＬＥＤ１が得られる。
【００２２】
Ｉｎ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ発光層１６の発光ピーク波長は４５０ｎｍ、発光スペクトルの半値幅は約１５〜２０ｎｍである。発光ピーク波長は、ＩｎＧａＮの成長温度に敏感で、例えば成長温度が１０℃異なると発光ピーク波長は２０ｎｍ以上変化する。これは、ＩｎＧａＮの成長温度がＩｎＮの蒸発温度（約５００℃）より高いので、Ｉｎ_XＧａ_1-xＮの組成ｘが、ＩｎＮの蒸発率とＩｎＧａＮの供給率とのバランスで決定されるからである。具体的には、温度が高いと、ＩｎＮが蒸発してＩｎ組成ｘは低下し、組成ｘの低下に伴い発光波長が短波長側にシフトする。
【００２３】
また、温度が低いと、ＩｎＮの蒸発が抑制され、Ｉｎ組成ｘが増大して発光波長が長波長側にシフトする。
【００２４】
このことは、同一ウエハ面内において温度分布が存在すると、その温度分布に起因して発光ピーク波長が変化することを意味し、逆に、ウエハ面内で意図的に温度分布を生ぜしめることで異なる発光ピーク波長を有する領域を形成できることを意味する。すなわち、温度分布を形成することで複数の発光波長ピークを任意に形成できる。このような原理に基づき、ウエハ内において意図的に温度分布を形成し、これにより発光層１６の組成に分布を生ぜしめて発光ピーク波長を変化させ半値幅を増大させる。
【００２５】
図２には、面内温度分布を生成するための一つの方法が示されている。基板１０の裏面側、すなわちＧａＮ層が形成される表面と反対側に不連続的に膜を形成する。膜は、例えばＧａＮの成長温度よりも高い融点を有し、かつ、アンモニアなどの原料ガスと反応しないＴｉ等を用いることができる。膜の材料としては金属ではなく、半導体あるいは絶縁体を用いることも可能である。図２においては基板１０のある領域にＴｉ膜９が形成されている。サファイア基板１０は絶縁体で透明であり、基板１０の加熱は、ヒータ加熱された基板フォルダに基板１０を接触させて行われる。基板１０の裏面にＴｉ膜９を形成すると、基板フォルダからの放射熱はこのＴｉ膜９により吸収されて基板１０に伝達され、また、基板フォルダとの熱的接触状態が変化することでＴｉ膜９が形成された領域と形成されていない領域とで熱伝導に差が生じ、結果として基板１０に面内温度分布が生じる。従って、Ｔｉ膜９が形成された基板１０を用いて図１に示されるようなＬＥＤ１を形成すると、Ｔｉ膜９が形成された領域と形成されていない領域においてＩｎＧａＮ発光層１６のＩｎ組成ｘに分布が生じ、発光ピーク波長が異なる領域を同一基板１０上に生成できる。
【００２６】
なお、温度分布が生じるとＩｎＧａＮの成長温度分布が生じ、これにより組成だけでなくＩｎＧａＮ層１６の厚さも変化する。ＩｎＧａＮの発光ピーク波長はその厚さにも依存するため、厳密には、温度分布により組成分布及び層厚分布が生じ、これにより発光ピーク波長がシフトすると云うこともできよう。
【００２７】
図３には、このようにして面内組成分布が生じた発光装置の平面図が示されている。発光装置のサイズは３００×２００μｍ²である。図において、斜線部分が基板１０の裏面にＴｉ膜９を形成した領域である。ｐ型透明電極２２及びｎ型電極２４は、基板１０の裏面にＴｉ膜９が形成された領域と形成されていない領域にわたって共通形成される。ｐ型透明電極２２の一部（Ｔｉ膜９が形成された領域と形成されていない領域の境界）にワイヤボンディング用のＡｕパッド２６が形成される。両領域の面積比ｒをｒ＝（Ｔｉ形成領域面積／Ｔｉ非形成領域面積）とし、面積比ｒを変化させると発光スペクトルが変化する。２０ｍＡの電流を流したとき、４８２ｎｍと４９９ｎｍに２つのピークを持つスペクトルが得られる。
【００２８】
図４には、ｒ＝１の時の発光スペクトルが示されている。ｒ＝１の時、ピーク強度の比（４８３ｎｍ／５０５ｎｍ）は約１．４である。４８３ｎｍと５０５ｎｍの間では両方のピークの裾が重なるため、４６０〜５２０ｎｍの広帯域にわたって発光スペクトルを有する光が得られる。
【００２９】
一方、既に述べたように、面内で組成変化、すなわちバンドギャップエネルギ変化が生じている領域にわたって透明電極２２、２４を形成することで、バンドギャップエネルギが小さい領域に流れる電流密度が相対的に大きくなってしまう。従って、広い発光スペクトルを有し、かつ所望の強度分布を有する発光スペクトルを得るためには、このようにバンドギャップエネルギが面内で分布していてもほぼ同一の電流密度で駆動できるような構成とすることが必要である。そこで、基板１０面内で温度分布を生じさせてＩｎＧａＮ発光層１６を形成するとともに、基板１０上にモノリシックに複数のＬＥＤ１を形成し、これら複数のＬＥＤ１を直列接続する。モノリシックに形成された複数のＬＥＤ１を直列接続することで、各ＬＥＤ１に供給される電流密度が同一となり、これにより半値幅が約３０ｎｍ以上と広く、所望の発光スペクトルで発光する発光デバイスが得られる。
【００３０】
なお、基板１０に面内温度分布を形成するためには、図２に示されるようにＴｉ膜９を不連続的に基板１０の裏面に形成する他、図５に示されるように基板１０の裏面に不連続的に溝８を形成することによっても達成できる。溝８は、例えば所定の幅及び所定のピッチでストライプ状に形成される。溝８は、ダイヤモンド粒を埋め込んだブレードによりウエハを切断する装置を用いて形成できる。溝８の幅はブレードの厚さで決定され、例えば２００μｍとする。基板１０の裏面に溝８を形成して凹凸を形成することで熱伝導に分布が生じ、これによりＩｎＧａＮの組成分布が生じて発光ピーク波長がシフトする。
【００３１】
さらに、基板１０の裏面に溝８を形成するだけでなく、溝８内に（溝８の底に）Ｔｉ膜９を形成して面内温度分布を生成することもできる。本願出願人は、図６に示されるように溝８を形成し、さらに溝８内にＴｉ膜９を形成することで、より一層効果的に面内温度分布を形成して大きな組成変化を起こさせることができることを確認している。
【００３２】
図７には、基板１０上にモノリシックに形成された２個のＬＥＤ１を互いに直列接続する場合の構成が示されている。なお、図において、ＬＥＤ１の構成は説明の都合上簡略化して示されている。すなわち、図７において、各ＬＥＤ１は、基板１０上にｎ型ＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層２０、ｐ電極２２、ｎ電極２４を有して構成されている。実際には、図１に示されるようにＩｎＧａＮ発光層１６を有することは云うまでもない。２つのＬＥＤ１は、絶縁基板である基板１０により互いに分離される。ＬＥＤ１同士の分離は、フォトレジストや反応性イオンエッチング、ウエットエッチングを併用することでＬＥＤ１以外の領域を基板１０に達するまでエッチング除去することで達成される。ＬＥＤ１同士はｐ電極２２及びｎ電極２４をエアブリッジ配線２８で接続される。エアブリッジ配線２８を用いることで素子表面に絶縁膜を塗布し、この上に電極を形成してｐ電極２２とｎ電極２４とを電気的に接続する場合に比べ、エッチング溝に沿って電極を配置する必要がなくなるため、配線切れ、あるいは絶縁膜からｎ型ＧａＮ層１４やｐ型ＧａＮ層２０へ絶縁体材料を構成する元素が熱拡散してＬＥＤ１を劣化させる問題を回避できる。エアブリッジ配線２８は、ＬＥＤ１間のみならずＬＥＤ１と図示しない駆動電極との間の接続にも使用される。エアブリッジ配線２８は、例えば以下のようにして形成される。すなわち、全面に２μｍの厚さのフォトレジストを塗布し、エアブリッジ配線の形状に穴を開けた後にポストベークする。その上に、真空蒸着でＴｉを１０ｎｍ、Ａｕを１０ｎｍこの順序で蒸着する。さらにその上の全面に２μｍ厚さでフォトレジストを再度塗布し、エアブリッジ配線を形成する部分のみに穴を開ける。次いで、ＴｉとＡｕを電極として電解液中でイオンプレーティング（メッキ）により電極全面に３〜５μｍの厚さのＡｕを付着させる。その後、試料をアセトンに浸し、超音波洗浄によりフォトレジストを溶解除去してエアブリッジ配線２８が完成する。
【００３３】
図８には、図６に示される方法で面内温度分布を生成しＩｎＧａＮ発光層１６のＩｎ組成に分布を生じさせた場合の組成分布と、図７に示されるように基板１０上に複数のＬＥＤ１をモノリシックに形成してエアブリッジ配線２８で直列接続した場合のピッチの関係が示されている。図において、グラフＡは基板ウエハ面内位置に対するＩｎ組成分布を示すものである。図６に示されるように溝８及びＴｉ膜９を周期的に基板１０の裏面に形成することで、Ｉｎ組成も周期的に変動する。組成分布のピッチよりも基板１０上にモノリシックに形成される複数のＬＥＤ１のピッチを小さく設定する。ＬＥＤ１の形成ピッチを小さく設定することで各ＬＥＤ１からの発光ピーク波長が組成分布を反映して異なるものとなり、しかも各ＬＥＤ１に流れる電流が均一であるから、フラットな広帯域発光スペクトルを得ることができる。ＬＥＤ１は基板１０上にモノリシックに複数形成され直列接続されるが、一次元的に形成するのではなく二次元的に形成することも可能である。二次元的に形成する場合も、組成分布のピッチよりも各ＬＥＤ１の形成ピッチを小さくすることで、ブロードな発光スペクトルを設定できる。
【００３４】
次に、ＬＥＤ１を複数個二次元アレイ状に形成した発光装置について説明する。図９には、基板１０の裏面に溝８及びＴｉ膜９が周期的に形成された平面図が示されている。溝８は、例えば２００μｍ幅、５００μｍピッチで形成される。このようにして周期的に溝８及びその溝８内にＴｉ膜９を形成した上で基板１０を加熱しつつ基板ウエハ上に複数のＬＥＤ１をモノリシックに形成していく。
【００３５】
図１０には、４０個のＬＥＤ１が二次元アレイ状に配列した平面図が示されており、図１１には図１０の回路図、図１２にはその等価回路図が示されている。合計４０個のＬＥＤ１はそれぞれ２０個ずつ２組に分けられ、エアブリッジ配線２８によって直列接続されて２つのＬＥＤ列３０を形成している。これら２つのＬＥＤ列３０は、２個の電極３２に互いに逆極性となるように並列接続される。
【００３６】
２０個のＬＥＤ１を直列接続し、１個のＬＥＤ１当たりの駆動電圧を５Ｖとすると、全体として１００Ｖの駆動電圧となる。これは、商用電源で駆動できるレベルである。ＬＥＤ列３０を２個電極３２に逆極性で配列接続しているので、交流電圧（例えば商用の１００Ｖ、６０Ｈｚ）を印加すると各ＬＥＤ列３０が交互に発光する。このため発光効率を向上できるとともに放熱特性も向上する。
【００３７】
なお、ＬＥＤ１を二次元アレイ状に配置した場合、これを直列接続するためにはエアブリッジ配線２８に交差部分３４が必然的に生じる。エアブリッジ配線２８は図７に示されるようにサファイア基板１０等に接着しておらず、サファイア基板１０から離れて空中を通過するので交差部分３４においてエアブリッジ配線２８同士が接触して短絡する事態を回避できる。エアブリッジ配線２８とする利点の一つがここにある。以下に実施例を示す。
【００３８】
【実施例】
厚さ３３０μｍのサファイアｃ面基板の裏面全面にフォトレジストを塗布し、ダイアモンドブレードで幅２００μｍ、ピッチ５００μｍ、深さ１５０μｍの溝を形成した。この面全体にＴｉを真空蒸着で形成し、アセトンの中に浸けるとフォトレジストが溶け、基板裏面の溝の底にＴｉ膜が形成された構造ができた。その後、ＭＯＣＶＤ法にて基板表面にＬＥＤ構造を成長させ、ピッチ１２０μｍ、２０個のＬＥＤを直列に接続したものを並列に接続し、合計４０個のＬＥＤアレイ（チップ）を作製した。全体の大きさは約１ｍｍ×１ｍｍである。このＬＥＤアレイにＤＣ２０ｍＡを流したときの電圧は約７０Ｖ、積分球で測定した発光出力は約６０ｍＷであった。ＤＣ駆動したときは、直列接続された２０個のＬＥＤが交互に点灯するのが確認できた。ＡＣ駆動した場合、４０個全てのＬＥＤが発光した。顕微鏡で発光を観察すると、各チップ毎に発光色が異なることが確認された。発光スペクトルは波長４７０ｎｍ〜４９０ｎｍまでほぼフラットな強度を保ち、半値幅は約４６０ｎｍ〜５１０ｎｍまでの５０ｎｍであった。肉眼には青緑色に見えた。
【００３９】
また、ＩｎＧａＮ発光層の成長条件を変え、平均Ｉｎ組成を大きくすると波長は長波長側にシフトした。特に、成長温度（基板ホルダ温度）を６５０℃程度まで下げ、各原料ガスの流量と成長圧力を調整するとウエハ面内でＰＬ（フォトルミネセンス）ピーク波長が４７０ｎｍから５８０ｎｍまで変化した。変化の周期は、基板裏面に形成した溝の周期５００μｍと一致していた。このウエハを用いて１ｍｍ角の２０個＋２０個のＬＥＤアレイを作製してその発光を観察した。発光色は肉眼には白色に見えた。
【００４０】
さらに、５００μｍ×５００μｍサイズで２０個のＬＥＤを直列に接続した発光装置では、発光装置の形成位置により同じ白色であってもその色合いは微妙に違って見えた。これは、図１３に示されるように、ウエハから５００μｍ×５００μｍの発光装置（チップ）１００を切り出す際に、ウエハの場所によって発光装置（２０個のＬＥＤを含む）内に形成された各波長帯のＬＥＤ個数が変化するためである。すなわち、あるチップは短波長側のＬＥＤの個数が相対的に多くなり、別の場所のチップは長波長側のＬＥＤの個数が相対的に多くなる。このことは、同一のウエハから、異なる発光スペクトルを有するチップを作製できることを意味する。
【００４１】
このように、本実施形態における発光装置は、ＬＥＤのピッチを十分小さくすることで、半値幅が５０ｎｍ以上でフラットな発光スペクトルを有することができ、Ｉｎ組成を調整することで肉眼で白色に見える発光スペクトルが得られる。一般に、白色のＬＥＤを作製するための方法として、（１）Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のＬＥＤを用いる、（２）青色ＬＥＤの上にＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系の蛍光体を載せて黄色を発光せしめ、蛍光体を通過した青と混ぜることで白色を出す、（３）紫外線ＬＥＤにより３原色を発光する蛍光体を励起して白色を出す、（４）ＬＥＤの活性層に発光色の異なる発光層を重ね、単一のｐｎ接合から全ての発光層に電流注入を行う、等の方法がある。（１）の方法は、３種類のＬＥＤと電源が必要であり、（２）の方法は、互いに補色関係にある２原色により白色を作っているのでその色合いの調整ができないという問題がある。特に、青＋黄色の場合は、赤成分を含まないので暖かみのある色合いが出せない。（３）の方法は原理的に電圧損失が発生し、電力効率が他の方法よりも悪くなる問題がある。また、全ての色を蛍光体で出すので、エネルギ効率がほとんど蛍光体で決定され、励起する紫外線の波長によっては励起効率が悪くなる。また、蛍光体の効率に温度依存性があり、その依存性が色により異なるので周囲温度が変化すると色合いが変化する問題もある。（４）の方法は、ｐｎ接合の境界面に複数の層を挟み、それらの発光色を変えるというものであるが、ｐｎ接合に印加する電圧により各層に注入されるキャリア数が変わるので、印加電圧により色が変化してしまう問題がある。また、印加電圧は波長の最も短い層に合わせて決定されるので、電圧損失が生じ、エネルギ効率が悪くなる問題がある。さらに、色合いを調整するのは各発光層の膜厚、組成、層数など多数のパラメータにより決定されるので、再現性を確保するのが困難である。
【００４２】
これに対し、本実施形態の発光装置では、このような問題を生じることなく白色を得ることができる。また、ウエハ面内の組成分布を大きくすれば色合いをさらに自然な色に近づけることが可能である。また、各ＬＥＤはそれぞれ最適な電圧で動作しているため、電圧損失も発生しない。
【００４３】
なお、（２）の方法に関しては、従来では青色ＬＥＤを用いて蛍光体を励起させ、青色と黄色を混合して白色を出しているが、本実施形態の発光装置では上述したように波長４７０ｎｍ〜４９０ｎｍまでほぼフラットな強度を保ち、半値幅が約４６０ｎｍ〜５１０ｎｍまでの５０ｎｍの青緑色の光を発光することができるため、これを一次光源として用いて（２）の方法を採用することで、色合いの調整が可能となる効果も奏する。すなわち、本実施形態の発光装置上にＹＡＧ系の蛍光体を載せ、発光装置からの青緑色の光によりＹＡＧ系蛍光体を励起させる。
【００４４】
より具体的には、ＬＥＤチップを被覆する樹脂モールド中にＹＡＧ系蛍光体を含有させる。ＹＡＧ系蛍光体を用いた白色ＬＥＤは公知であり、例えば特開平１１−２４３２３２号公報に開示されている。光源として、青色ＬＥＤの代わりに本実施形態の発光装置を用いればよい。青緑色の一次光と蛍光体からの二次光との混合により従来にはない色合いを作成できる。
【００４５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく種々の変更が可能である。
【００４６】
例えば、本実施形態では発光層としてＩｎＧａＮを用いたが、ＡｌＩｎＧａＮを用いることもでき、一般式ではＡｌ_yＩｎ_xＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）と表現できる。
【００４７】
また、本実施形態において、同一ウエハ内においてチップを切り出す位置によりそのチップ内に存在する各波長帯域のＬＥＤの個数に相違が生じているが、同一ウエハ内にモノリシックに複数のＬＥＤを形成する際に、より意図的に組成分布に対して不均一にＬＥＤを形成することも可能である。例えば、組成分布は図９に示されるように周期的に形成しつつ、ＬＥＤの形成密度（ＬＥＤ個数）をウエハ位置によって変化させる（ある位置では高密度に形成し、別の位置では低密度に形成する）、あるいはＬＥＤの面積をウエハ位置によって変化させる（ある位置では大面積で形成し、別の位置では小面積で形成する）。これによりチップを切り出すウエハ位置により発光スペクトルが変化する。ＬＥＤ密度（個数）や面積は、組成分布のピッチに応じて設定する。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、発光スペクトルが広く、あるいは、発光スペクトルを所望の値に設定することができる発光装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＬＥＤの基本構成図である。
【図２】温度分布形成説明図である。
【図３】ＬＥＤの平面図である。
【図４】図３の発光スペクトル説明図である。
【図５】他の温度分布形成説明図である。
【図６】さらに他の温度分布形成説明図である。
【図７】ＬＥＤの直列接続説明図である。
【図８】ＬＥＤアレイのピッチと組成分布との関係を示す説明図である。
【図９】溝の形成ピッチを示す説明図である。
【図１０】二次元ＬＥＤアレイの配置説明図である。
【図１１】図１０の回路図である。
【図１２】図１０の等価回路図である。
【図１３】ウエハ内の形成位置説明図である。
【符号の説明】
１０基板（ウエハ）、１２ｕ−ＧａＮ層、１４ｎ型ＧａＮ層、１６ＩｎＧａＮ発光層、１８ＡｌＧａＮ層、２０ｐ−ＧａＮ層、２２ｐ−電極、２４ｎ−電極。

Claims

ＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置を製造する方法であって、
（ａ）絶縁透明基板面内で周期的に温度分布を生じさせるステップと、
（ｂ）前記面内の温度分布のピッチよりも小さいピッチで前記基板上にモノリシックに複数のＩｎＧａＮ系発光素子を形成するステップと、
（ｃ）前記複数のＩｎＧａＮ系発光素子を直列接続するステップ、
を有することを特徴とするＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法。
請求項１記載の方法において、
前記（ａ）ステップは、
（ａ１）前記基板の裏面に周期的に溝を形成するステップと、
（ａ２）前記溝内に膜を形成するステップと、
（ａ３）前記基板の裏面側から加熱するステップ
を有することを特徴とするＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法。
請求項２記載の方法において、
前記膜はチタン膜であることを特徴とするＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法。
請求項１記載の方法において、
前記（ｂ）ステップは、
（ｂ１）前記基板上に複数のｎ型ＧａＮ系層を形成するステップと、
（ｂ２）前記ｎ型ＧａＮ系層上にＡｌ_yＩｎ_xＧａ_1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）発光層を形成するステップと、
（ｂ３）前記発光層上にｐ型ＧａＮ系層を形成するステップと、
（ｂ４）前記ｎ型ＧａＮ系層及びｐ型ＧａＮ系層にそれぞれｎ電極及びｐ電極を接続するステップ
を有し、複数の前記発光素子がモノリシックに直列接続されることを特徴とするＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法。
請求項４記載の方法において、
前記（ｂ）ステップにおいて前記基板上に形成される複数の前記発光素子の密度を変化させることを特徴とするＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法。
請求項４記載の方法において、
前記（ｂ）ステップにおいて前記基板上に形成される前記発光素子の面積を変化させることを特徴とするＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法。
請求項４記載の方法において、さらに、
（ｄ）前記発光素子を所定数毎に切り出して発光チップを形成するステップ
を有することを特徴とするＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法。
請求項７記載の方法において、
前記温度分布を調整することにより発光チップの発光スペクトルの半値幅を３０ｎｍ以上とすることを特徴とするＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法。