JP2001237488A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2001237488A JP2001237488A JP2000046177A JP2000046177A JP2001237488A JP 2001237488 A JP2001237488 A JP 2001237488A JP 2000046177 A JP2000046177 A JP 2000046177A JP 2000046177 A JP2000046177 A JP 2000046177A JP 2001237488 A JP2001237488 A JP 2001237488A
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- semiconductor laser
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- semiconductor
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Links
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Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外域の光励起の面発光型半導体レーザ装置
において、高出力かつ高効率なまで基本横モード発振す
ること、および直接変調を可能にする。 【解決手段】 半導体レーザ素子22を励起光源とし、面
発光型半導体素子39のＳｉＯ2（厚さがλ／４ｎSiO2）/
ＺｒＯ2(厚さがλ／４ｎZrO2)分布反射膜37側が取り付
けられたヒートシンク42と、集光レンズ41と、外部ミラ
ー46とを備えている。外部ミラー46の凹面と面発光型半
導体素子39のＳｉＯ2（厚さがλ／４ｎS iO2）/ＺｒＯ
2(厚さがλ／４ｎZrO2)分布反射膜37により共振器が構
成されており、共振器内には波長変換素子43と偏光素子
44とエタロン45が挿入されている。半導体レーザ素子22
から発せられた400nm帯の励起光は面発光型半導体素子3
9に吸収されて600〜700ｎｍの光が発せられ、該光は波
長変換素子43により紫外域のレーザ光に波長変換され
る。
において、高出力かつ高効率なまで基本横モード発振す
ること、および直接変調を可能にする。 【解決手段】 半導体レーザ素子22を励起光源とし、面
発光型半導体素子39のＳｉＯ2（厚さがλ／４ｎSiO2）/
ＺｒＯ2(厚さがλ／４ｎZrO2)分布反射膜37側が取り付
けられたヒートシンク42と、集光レンズ41と、外部ミラ
ー46とを備えている。外部ミラー46の凹面と面発光型半
導体素子39のＳｉＯ2（厚さがλ／４ｎS iO2）/ＺｒＯ
2(厚さがλ／４ｎZrO2)分布反射膜37により共振器が構
成されており、共振器内には波長変換素子43と偏光素子
44とエタロン45が挿入されている。半導体レーザ素子22
から発せられた400nm帯の励起光は面発光型半導体素子3
9に吸収されて600〜700ｎｍの光が発せられ、該光は波
長変換素子43により紫外域のレーザ光に波長変換され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザー装
置に関し、特に面発光型の半導体素子を半導体レーザ素
子により励起してレーザ光を得る構成の半導体レーザ装
置に関するものである。
置に関し、特に面発光型の半導体素子を半導体レーザ素
子により励起してレーザ光を得る構成の半導体レーザ装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、４１０ｎｍ帯の短波長半導体
レーザとして、1998年発行のJpn.J.Appl.phys.Lett.,Vo
l.3.pp.1020において、中村氏らによって、ＩｎＧａＮ/
ＧａＮ/ＡｌＧａＮ−Based Laser Diodes Grown on Ｇ
ａＮ Substrateが紹介されている。この半導体レーザは
サファイア基板上にＧａＮを形成後、ＳｉＯ2をマスク
として選択成長を利用して形成し、ＳｉＯ2の上部まで
サファイア基板を除去して残ったＧａＮを基板として、
該基板上にｎ−ＧａＮバッファ層、ｎ−ＩｎＧａＮクラ
ック防止層、ＡｌＧａＮ/ｎ−ＧａＮ変調ドープ超格子
クラッド層、ｎ−ＧａＮ光導波層、アンドープＩｎＧａ
Ｎ/ｎ−ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層、ｐ−ＡｌＧａ
Ｎキャリアブロック層、ｐ−ＧａＮ光導波層、ＡｌＧａ
Ｎ/ｐ−ＧａＮ変調ドープ超格子クラッド層、ｐ−Ｇａ
Ｎコンタクト層からなる構成である。しかしながら、ス
トライプ幅は２μ程度と狭いため、この半導体レーザで
は１００ｍＷ程度の光出力しか得られていない。
レーザとして、1998年発行のJpn.J.Appl.phys.Lett.,Vo
l.3.pp.1020において、中村氏らによって、ＩｎＧａＮ/
ＧａＮ/ＡｌＧａＮ−Based Laser Diodes Grown on Ｇ
ａＮ Substrateが紹介されている。この半導体レーザは
サファイア基板上にＧａＮを形成後、ＳｉＯ2をマスク
として選択成長を利用して形成し、ＳｉＯ2の上部まで
サファイア基板を除去して残ったＧａＮを基板として、
該基板上にｎ−ＧａＮバッファ層、ｎ−ＩｎＧａＮクラ
ック防止層、ＡｌＧａＮ/ｎ−ＧａＮ変調ドープ超格子
クラッド層、ｎ−ＧａＮ光導波層、アンドープＩｎＧａ
Ｎ/ｎ−ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層、ｐ−ＡｌＧａ
Ｎキャリアブロック層、ｐ−ＧａＮ光導波層、ＡｌＧａ
Ｎ/ｐ−ＧａＮ変調ドープ超格子クラッド層、ｐ−Ｇａ
Ｎコンタクト層からなる構成である。しかしながら、ス
トライプ幅は２μ程度と狭いため、この半導体レーザで
は１００ｍＷ程度の光出力しか得られていない。
【０００３】また、米国特許第5627853号においては、
半導体レーザ励起による面発光レーザが記載されてい
る。しかしながらＳＨＧによる短波長化について記載が
あるが、紫外レーザの発生について記載されていない。
半導体レーザ励起による面発光レーザが記載されてい
る。しかしながらＳＨＧによる短波長化について記載が
あるが、紫外レーザの発生について記載されていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来技
術では、面発光レーザを用いた紫外領域のＳＨＧによる
高効率な波長変換レーザは未だ提案されていない。一
方、固体レーザにて、４００ｎｍを切るパルス駆動のＴ
ＨＧによる紫外レーザはすでに実用化されているが、Ｔ
ＨＧにてＣＷ発振光を得るには、ＴＨＧでは効率が悪
く、実用的でないという問題がある。さらに、ＴＨＧの
ＣＷモードでの高効率発振は、基本波のＳＨＧ光を共振
させなければならず、また、その場合、共振器の温調精
度が０．０１℃以下と非常に厳しく実用的でなかった。
さらに、別の方法として、Ｃｒ：ＬｉＳＡＦやＣｒ：Ｌ
ｉＣＡＦ結晶の発振ビームのＳＨＧによって、４００ｎ
ｍを切る紫外レーザを得る方法が考えられるが、発振ビ
ームの再吸収があるため、７００〜８００ｎｍの波長帯
にて効率良く発振することは困難であった。
術では、面発光レーザを用いた紫外領域のＳＨＧによる
高効率な波長変換レーザは未だ提案されていない。一
方、固体レーザにて、４００ｎｍを切るパルス駆動のＴ
ＨＧによる紫外レーザはすでに実用化されているが、Ｔ
ＨＧにてＣＷ発振光を得るには、ＴＨＧでは効率が悪
く、実用的でないという問題がある。さらに、ＴＨＧの
ＣＷモードでの高効率発振は、基本波のＳＨＧ光を共振
させなければならず、また、その場合、共振器の温調精
度が０．０１℃以下と非常に厳しく実用的でなかった。
さらに、別の方法として、Ｃｒ：ＬｉＳＡＦやＣｒ：Ｌ
ｉＣＡＦ結晶の発振ビームのＳＨＧによって、４００ｎ
ｍを切る紫外レーザを得る方法が考えられるが、発振ビ
ームの再吸収があるため、７００〜８００ｎｍの波長帯
にて効率良く発振することは困難であった。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みて、紫外域の半導
体レーザ装置であって、高効率で、かつ高出力まで基本
モード発振する半導体レーザ装置を提供することを目的
とするものである。
体レーザ装置であって、高効率で、かつ高出力まで基本
モード発振する半導体レーザ装置を提供することを目的
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、ＧａＮ系の半導体を活性層とした半導体レーザ素
子と、該半導体レーザ素子により励起される、ＩｎＧａ
ＡｌＰ系またはＩｎＧａＰ系の半導体を活性層とした面
発光型半導体素子と、該励起により得られた光を波長変
換して、紫外域のレーザ光を出力する波長変換手段とか
らなることを特徴とするものである。
置は、ＧａＮ系の半導体を活性層とした半導体レーザ素
子と、該半導体レーザ素子により励起される、ＩｎＧａ
ＡｌＰ系またはＩｎＧａＰ系の半導体を活性層とした面
発光型半導体素子と、該励起により得られた光を波長変
換して、紫外域のレーザ光を出力する波長変換手段とか
らなることを特徴とするものである。
【０００７】また、半導体レーザ素子の活性層は、Ｉｎ
ＧａＮあるいはＧａＮであってもよい。
ＧａＮあるいはＧａＮであってもよい。
【０００８】また、半導体レーザ素子の活性層は、Ｇａ
ＮＡｓあるいはＩｎＧａＮＡｓであってもよい。
ＮＡｓあるいはＩｎＧａＮＡｓであってもよい。
【０００９】また、本発明の別の半導体レーザ装置は、
ＧａＮ系の半導体を活性層とした半導体レーザ素子と、
該半導体レーザ素子により励起される、ＧａＮ系の半導
体を活性層とした面発光型半導体素子と、該励起により
得られた光を波長変換して、紫外域のレーザ光を出力す
る波長変換手段とからなることを特徴とするものであ
る。
ＧａＮ系の半導体を活性層とした半導体レーザ素子と、
該半導体レーザ素子により励起される、ＧａＮ系の半導
体を活性層とした面発光型半導体素子と、該励起により
得られた光を波長変換して、紫外域のレーザ光を出力す
る波長変換手段とからなることを特徴とするものであ
る。
【００１０】上記半導体レーザ素子の活性層は、ＩｎＧ
ａＮ、ＧａＮ、ＧａＮＡｓまたはＩｎＧａＮＡｓのいす
れかであってもよい。
ａＮ、ＧａＮ、ＧａＮＡｓまたはＩｎＧａＮＡｓのいす
れかであってもよい。
【００１１】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置によれば、Ｇ
ａＮ系の半導体を活性層とした半導体レーザ素子と、該
半導体レーザ素子により励起される、ＩｎＧａＡｌＰ系
またはＩｎＧａＰ系の半導体を活性層とした面発光型半
導体素子と、該励起により得られた光を波長変換して、
紫外域のレーザ光を出力する波長変換手段とからなるこ
とによって、半導体レーザ素子から発振された４００ｎ
ｍ帯のレーザ光が面発光型半導体素子に吸収されて、面
発光型半導体素子から６００〜７００ｎｍの光が発せら
れ、この光が波長変換されて紫外域のレーザ光を得るこ
とができる。
ａＮ系の半導体を活性層とした半導体レーザ素子と、該
半導体レーザ素子により励起される、ＩｎＧａＡｌＰ系
またはＩｎＧａＰ系の半導体を活性層とした面発光型半
導体素子と、該励起により得られた光を波長変換して、
紫外域のレーザ光を出力する波長変換手段とからなるこ
とによって、半導体レーザ素子から発振された４００ｎ
ｍ帯のレーザ光が面発光型半導体素子に吸収されて、面
発光型半導体素子から６００〜７００ｎｍの光が発せら
れ、この光が波長変換されて紫外域のレーザ光を得るこ
とができる。
【００１２】また、本発明の別の半導体レーザ装置によ
れば、ＧａＮ系の半導体を活性層とした半導体レーザ素
子と、該半導体レーザ素子により励起される、ＧａＮ系
の半導体を活性層とした面発光型半導体素子と、該励起
により得られた光を波長変換して、紫外域のレーザ光を
出力する波長変換手段とからなることによって、ＧａＮ
系の半導体レーザ素子からの３８０ｎｍ帯の励起光によ
りＧａＮ系の半導体を活性層とした面発光型半導体素子
が励起され、該面発光型半導体素子から発せられる４０
０〜５６０ｎｍの光が波長変換されて極短波長の紫外域
のレーザ光を得ることができる。
れば、ＧａＮ系の半導体を活性層とした半導体レーザ素
子と、該半導体レーザ素子により励起される、ＧａＮ系
の半導体を活性層とした面発光型半導体素子と、該励起
により得られた光を波長変換して、紫外域のレーザ光を
出力する波長変換手段とからなることによって、ＧａＮ
系の半導体レーザ素子からの３８０ｎｍ帯の励起光によ
りＧａＮ系の半導体を活性層とした面発光型半導体素子
が励起され、該面発光型半導体素子から発せられる４０
０〜５６０ｎｍの光が波長変換されて極短波長の紫外域
のレーザ光を得ることができる。
【００１３】また、本発明の半導体レーザ装置は、光励
起によりレーザ発振するものであり、電流注入型の半導
体レーザ装置に比べて、ドーピングされた不純物等が電
流による発熱によって拡散するということがないため、
ショートによる経時劣化が無いので信頼性を向上させる
ことができる。さらに、不純物拡散によってコンタクト
抵抗が上昇することがないので、しきい値電流を低減で
き高効率化を実現できる。
起によりレーザ発振するものであり、電流注入型の半導
体レーザ装置に比べて、ドーピングされた不純物等が電
流による発熱によって拡散するということがないため、
ショートによる経時劣化が無いので信頼性を向上させる
ことができる。さらに、不純物拡散によってコンタクト
抵抗が上昇することがないので、しきい値電流を低減で
き高効率化を実現できる。
【００１４】また、面発光型半導体素子の発光面積が広
いため、電流注入型の半導体レーザ装置に比べ、光密度
が低いので高出力まで基本モード発振が可能である。ま
た、光密度の増大による端面劣化を抑制することができ
るので長寿命化が可能である。
いため、電流注入型の半導体レーザ装置に比べ、光密度
が低いので高出力まで基本モード発振が可能である。ま
た、光密度の増大による端面劣化を抑制することができ
るので長寿命化が可能である。
【００１５】また、半導体レーザ素子を電気的に変調す
ることにより、直接変調が可能である。
ることにより、直接変調が可能である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
【００１７】本発明の第１の実施の形態による半導体レ
ーザ装置について説明する。この半導体レーザ装置にお
ける励起用の４００ｎｍ帯の半導体レーザの断面図を図
１に示し、面発光型半導体素子の断面図を図２に示し、
この半導体レーザ装置の概略構成図を図３に示す。まず
励起用の半導体レーザ素子について説明する。1998年発
行のJpn.J.Appl.phys.Lett.,Vol.3.pp.1020に記載され
ている方法によりｎ−ＧａＮ（０００１）基板を形成す
る。次に、図１に示すように、有機金属気相成長法によ
りｎ−ＧａＮ基板11上に、ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／Ｇａ
Ｎ超格子クラッド層12（0＜z1＜1）、ｎあるいはｉ−Ｇ
ａＮ光導波層13、Ｉｎz2Ｇａ1-z2Ｎ／Ｉｎz3Ｇａ1-z3Ｎ
多重量子井戸活性層14（0＜z2＜z3＜0.2）、ｐ−ＧａＡ
ｌＮキャリアブロッキング層15、ｎあるいはｉ−ＧａＮ
光導波層16、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／ＧａＮ超格子クラ
ッド層17、ｐ−ＧａＮコンタクト層18を形成する。絶縁
膜19を形成し、通常のリソグラフィプロセスにより、幅
１００μｍ程度のストライプの領域を除去し、ｐ側電極
20を形成する。その後、基板の研磨を行ってｎ側電極21
を形成する。へき開により共振器を形成後、高反射コー
トと低反射コートを行い、チップ化して半導体レーザ素
子22を完成させる。
ーザ装置について説明する。この半導体レーザ装置にお
ける励起用の４００ｎｍ帯の半導体レーザの断面図を図
１に示し、面発光型半導体素子の断面図を図２に示し、
この半導体レーザ装置の概略構成図を図３に示す。まず
励起用の半導体レーザ素子について説明する。1998年発
行のJpn.J.Appl.phys.Lett.,Vol.3.pp.1020に記載され
ている方法によりｎ−ＧａＮ（０００１）基板を形成す
る。次に、図１に示すように、有機金属気相成長法によ
りｎ−ＧａＮ基板11上に、ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／Ｇａ
Ｎ超格子クラッド層12（0＜z1＜1）、ｎあるいはｉ−Ｇ
ａＮ光導波層13、Ｉｎz2Ｇａ1-z2Ｎ／Ｉｎz3Ｇａ1-z3Ｎ
多重量子井戸活性層14（0＜z2＜z3＜0.2）、ｐ−ＧａＡ
ｌＮキャリアブロッキング層15、ｎあるいはｉ−ＧａＮ
光導波層16、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／ＧａＮ超格子クラ
ッド層17、ｐ−ＧａＮコンタクト層18を形成する。絶縁
膜19を形成し、通常のリソグラフィプロセスにより、幅
１００μｍ程度のストライプの領域を除去し、ｐ側電極
20を形成する。その後、基板の研磨を行ってｎ側電極21
を形成する。へき開により共振器を形成後、高反射コー
トと低反射コートを行い、チップ化して半導体レーザ素
子22を完成させる。
【００１８】次に面発光型半導体素子について説明す
る。ここで、λは光励起により発振する波長であり、ｎ
InAlP、ｎInGaAlP、ｎSiO2、ｎZrO2はそれぞれＩｎＡｌ
Ｐ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２の発振波長で
の屈折率である。図２に示すように、有機金属気相成長
法により、ＧａＡｓ基板31上にＩｎ0.5（Ｇａ1-ｘ5Ａｌ
ｘ5）0.5Ｐクラッド層32(0＜x5＜1)、Ｉｎ0.5（Ｇａ
1-ｘ2Ａｌｘ2）0.5Ｐ下部光閉じ込め層33、Ｉｎ0.5（Ｇ
ａ1-ｘ3Ａｌｘ3）0.5Ｐ／Ｉｎ0.5（Ｇａ1-ｘ4Ａｌｘ 4）
0.5Ｐ多重量子井戸活性層34（0＜x3＜x1≦x2およびx3＜
x5＜1、0≦x4＜x3）、Ｉｎ0.5（Ｇａ1-ｘ2Ａｌｘ2）0.5
Ｐ上部光閉じ込め層35、２ペアのＩｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ（厚
さがλ／４ｎInAlP）／Ｉｎ0.5(Ｇａ1-x1Ａｌx1)0.5Ｐ
(厚さがλ／４ｎInGaP)分布反射膜36を積層する。な
お、この分布反射膜36は形成しなくてもよい。その後、
電子ビーム蒸着法により、ＳｉＯ2（厚さがλ／４ｎ
SiO2）/ＺｒＯ2(厚さがλ／４ｎZrO2)分布反射膜37を積
層する。その後に基板の研磨を行い、硫酸系エッチャン
トで発光領域のＧａＡｓ基板を除去する。このとき、エ
ッチングは自動的にＩｎ0.5（Ｇａ1-ｘ5Ａｌｘ5）0.5Ｐ
クラッド層32が露出して停止する。この後、ＺｒＯ
2（厚さがλ／４ｎZrO2）無反射コート38を形成し、へ
き開によりチップ化して面発光型半導体素子39を完成さ
せる。
る。ここで、λは光励起により発振する波長であり、ｎ
InAlP、ｎInGaAlP、ｎSiO2、ｎZrO2はそれぞれＩｎＡｌ
Ｐ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２の発振波長で
の屈折率である。図２に示すように、有機金属気相成長
法により、ＧａＡｓ基板31上にＩｎ0.5（Ｇａ1-ｘ5Ａｌ
ｘ5）0.5Ｐクラッド層32(0＜x5＜1)、Ｉｎ0.5（Ｇａ
1-ｘ2Ａｌｘ2）0.5Ｐ下部光閉じ込め層33、Ｉｎ0.5（Ｇ
ａ1-ｘ3Ａｌｘ3）0.5Ｐ／Ｉｎ0.5（Ｇａ1-ｘ4Ａｌｘ 4）
0.5Ｐ多重量子井戸活性層34（0＜x3＜x1≦x2およびx3＜
x5＜1、0≦x4＜x3）、Ｉｎ0.5（Ｇａ1-ｘ2Ａｌｘ2）0.5
Ｐ上部光閉じ込め層35、２ペアのＩｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ（厚
さがλ／４ｎInAlP）／Ｉｎ0.5(Ｇａ1-x1Ａｌx1)0.5Ｐ
(厚さがλ／４ｎInGaP)分布反射膜36を積層する。な
お、この分布反射膜36は形成しなくてもよい。その後、
電子ビーム蒸着法により、ＳｉＯ2（厚さがλ／４ｎ
SiO2）/ＺｒＯ2(厚さがλ／４ｎZrO2)分布反射膜37を積
層する。その後に基板の研磨を行い、硫酸系エッチャン
トで発光領域のＧａＡｓ基板を除去する。このとき、エ
ッチングは自動的にＩｎ0.5（Ｇａ1-ｘ5Ａｌｘ5）0.5Ｐ
クラッド層32が露出して停止する。この後、ＺｒＯ
2（厚さがλ／４ｎZrO2）無反射コート38を形成し、へ
き開によりチップ化して面発光型半導体素子39を完成さ
せる。
【００１９】この面発光型半導体素子39の発する光の波
長λは、Ｉｎ0.5（Ｇａ1-ｘ4Ａｌｘ 4）0.5Ｐ多重量子井
戸活性層34により、６００＜λ＜７００（ｎｍ）の範囲
までの制御が可能である。 次に、半導体レーザ装置に
ついて説明する。本実施の形態の半導体レーザ装置は、
図３に示すように、上記半導体レーザ素子22を励起光源
に備え、上記面発光型半導体素子39のＳｉＯ2（厚さが
λ／４ｎSiO2）/ＺｒＯ 2(厚さがλ／４ｎZrO2)分布反射
膜37側が取り付けられたヒートシンク42と、集光レンズ
41と、外部ミラー46とを備えている。外部ミラー46の凹
面と面発光型半導体素子39のＳｉＯ2（厚さがλ／４ｎ
SiO2）/ＺｒＯ2(厚さがλ／４ｎZrO2)分布反射膜37によ
り共振器（共振器長Ｌ）が構成されており、共振器内に
は波長変換素子43（例えば、β-ＢａＢＯ3結晶からなる
もの）と、エタロン45が挿入されている。
長λは、Ｉｎ0.5（Ｇａ1-ｘ4Ａｌｘ 4）0.5Ｐ多重量子井
戸活性層34により、６００＜λ＜７００（ｎｍ）の範囲
までの制御が可能である。 次に、半導体レーザ装置に
ついて説明する。本実施の形態の半導体レーザ装置は、
図３に示すように、上記半導体レーザ素子22を励起光源
に備え、上記面発光型半導体素子39のＳｉＯ2（厚さが
λ／４ｎSiO2）/ＺｒＯ 2(厚さがλ／４ｎZrO2)分布反射
膜37側が取り付けられたヒートシンク42と、集光レンズ
41と、外部ミラー46とを備えている。外部ミラー46の凹
面と面発光型半導体素子39のＳｉＯ2（厚さがλ／４ｎ
SiO2）/ＺｒＯ2(厚さがλ／４ｎZrO2)分布反射膜37によ
り共振器（共振器長Ｌ）が構成されており、共振器内に
は波長変換素子43（例えば、β-ＢａＢＯ3結晶からなる
もの）と、エタロン45が挿入されている。
【００２０】半導体レーザ素子21からの発振波長４００
ｎｍ帯の励起光47は、集光レンズ41により面発光型半導
体素子39に集光され、面発光型半導体素子39の活性層34
により効率よく吸収され、面発光型半導体素子39から発
せられた６８０ｎｍの光は波長変換素子43により波長変
換されて、外部ミラー46から３４０ｎｍのレーザ光が出
力される。共振器内にエタロン45が挿入されていること
により、波長変換ビームの縦モード競合によるノイズを
抑制することができる。エタロンの替わりにリオフィル
ター、あるいはエタロンとリオフィルターを複数挿入し
てもよい。
ｎｍ帯の励起光47は、集光レンズ41により面発光型半導
体素子39に集光され、面発光型半導体素子39の活性層34
により効率よく吸収され、面発光型半導体素子39から発
せられた６８０ｎｍの光は波長変換素子43により波長変
換されて、外部ミラー46から３４０ｎｍのレーザ光が出
力される。共振器内にエタロン45が挿入されていること
により、波長変換ビームの縦モード競合によるノイズを
抑制することができる。エタロンの替わりにリオフィル
ター、あるいはエタロンとリオフィルターを複数挿入し
てもよい。
【００２１】また、共振器内に偏光制御素子44、例えば
ブリュースター板等を挿入して偏光を制御してもよい。
ブリュースター板等を挿入して偏光を制御してもよい。
【００２２】本実施の形態に示すように、励起光源には
ブロードエリア型半導体レーザ素子を用いることができ
るので高出力化、例えば１Ｗ〜１０Ｗ以上が可能であ
る。従って、得られる発振出力も数１００ｍＷ〜数Ｗ以
上の高出力が可能となる。
ブロードエリア型半導体レーザ素子を用いることができ
るので高出力化、例えば１Ｗ〜１０Ｗ以上が可能であ
る。従って、得られる発振出力も数１００ｍＷ〜数Ｗ以
上の高出力が可能となる。
【００２３】また、本発明の半導体レーザ装置は、光励
起によりレーザ発振するものであり、電流注入型の半導
体レーザ装置に比べて、電流注入による発熱が低減で
き、半導体レーザ装置の長寿命化を実現できる。
起によりレーザ発振するものであり、電流注入型の半導
体レーザ装置に比べて、電流注入による発熱が低減で
き、半導体レーザ装置の長寿命化を実現できる。
【００２４】また、面発光型半導体素子の発光面積が広
いので、光密度の低減が図られ、長寿命化および高出力
化が可能である。
いので、光密度の低減が図られ、長寿命化および高出力
化が可能である。
【００２５】さらには、外部ミラーによって横モードを
制御できるので、サイドローブが発生しにくい。万一サ
イドローブが発生しても、ピンホールなどを共振器内に
挿入することで抑制できるという利点がある。
制御できるので、サイドローブが発生しにくい。万一サ
イドローブが発生しても、ピンホールなどを共振器内に
挿入することで抑制できるという利点がある。
【００２６】次に、第２の実施の形態による半導体レー
ザ装置と、その半導体レーザ装置を構成する面発光型半
導体素子について説明し、その面発光型半導体素子の断
面図を図４に示す。本発明の半導体レーザ装置は上記第
１の実施の形態の半導体レーザ装置と、面発光型半導体
素子以外は同様の構成であるため図は省略する。以下に
示すλは光励起により発振する波長であり、ｎInAlP、
ｎInGaAlP、ｎZrO2はそれぞれＩｎＡｌＰ、ＩｎＧａＡ
ｌＰ、ＺｒＯ２の発振波長での屈折率である。図４に示
すように、ＧａＡｓ基板51上に30ペアのＩｎ0.5（Ｇａ
1-x1Ａｌx1）0.5Ｐ（厚さがλ／４ｎInGaAlP）／Ｉｎ
0.5Ａｌ0.5Ｐ(厚さがλ／４ｎInAlP)分布反射膜52、Ｉ
ｎ0.5（Ｇａ1-ｘ5Ａｌｘ5）0.5Ｐクラッド層53、Ｉｎ
0.5（Ｇａ1-ｘ2Ａｌｘ2）0.5Ｐ下部光閉じ込め層54、Ｉ
ｎ0.5（Ｇａ1-ｘ3Ａｌｘ3）0.5Ｐ／Ｉｎ0. 5（Ｇａ1-ｘ4
Ａｌｘ4）0.5Ｐ多重量子井戸活性層55（0≦x3＜x1≦x2
およびx3＜x5＜1、0≦x4＜x3）、Ｉｎ0.5（Ｇａ1-ｘ2Ａ
ｌｘ2）0.5Ｐ上部光閉じ込め層56、Ｉｎ0.5（Ｇａ1-ｘ5
Ａｌｘ5）0.5Ｐクラッド層57、ＺｒＯ2(厚さがλ／４ｎ
ZrO2)分布反射膜58を積層し、面発光型半導体素子59を
作製する。
ザ装置と、その半導体レーザ装置を構成する面発光型半
導体素子について説明し、その面発光型半導体素子の断
面図を図４に示す。本発明の半導体レーザ装置は上記第
１の実施の形態の半導体レーザ装置と、面発光型半導体
素子以外は同様の構成であるため図は省略する。以下に
示すλは光励起により発振する波長であり、ｎInAlP、
ｎInGaAlP、ｎZrO2はそれぞれＩｎＡｌＰ、ＩｎＧａＡ
ｌＰ、ＺｒＯ２の発振波長での屈折率である。図４に示
すように、ＧａＡｓ基板51上に30ペアのＩｎ0.5（Ｇａ
1-x1Ａｌx1）0.5Ｐ（厚さがλ／４ｎInGaAlP）／Ｉｎ
0.5Ａｌ0.5Ｐ(厚さがλ／４ｎInAlP)分布反射膜52、Ｉ
ｎ0.5（Ｇａ1-ｘ5Ａｌｘ5）0.5Ｐクラッド層53、Ｉｎ
0.5（Ｇａ1-ｘ2Ａｌｘ2）0.5Ｐ下部光閉じ込め層54、Ｉ
ｎ0.5（Ｇａ1-ｘ3Ａｌｘ3）0.5Ｐ／Ｉｎ0. 5（Ｇａ1-ｘ4
Ａｌｘ4）0.5Ｐ多重量子井戸活性層55（0≦x3＜x1≦x2
およびx3＜x5＜1、0≦x4＜x3）、Ｉｎ0.5（Ｇａ1-ｘ2Ａ
ｌｘ2）0.5Ｐ上部光閉じ込め層56、Ｉｎ0.5（Ｇａ1-ｘ5
Ａｌｘ5）0.5Ｐクラッド層57、ＺｒＯ2(厚さがλ／４ｎ
ZrO2)分布反射膜58を積層し、面発光型半導体素子59を
作製する。
【００２７】上記のように作製された面発光型半導体素
子59を第１の実施の形態の半導体レーザ装置を参照にし
て、ＧａＡｓ基板51側をヒートシンクに取り付け、半導
体レーザ装置を構成する。上記面発光型半導体素子59の
Ｉｎ0.5（Ｇａ1-x1Ａｌx1）0 .5Ｐ（厚さがλ／４ｎ
InGaAlP）／Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ｐ(厚さがλ／４ｎInAlP)分
布反射膜52がミラーの役割をしている。本発明の半導体
レーザ装置は、第１の実施の形態と同様に、４００ｎｍ
帯の半導体レーザ素子22を励起光源とし、該励起光源に
より面発光型半導体素子59が励起され、面発光型半導体
素子59から発せられる６００〜７００ｎｍの光が波長変
換されて、３００〜３５０ｎｍのレーザ光が発振する。
子59を第１の実施の形態の半導体レーザ装置を参照にし
て、ＧａＡｓ基板51側をヒートシンクに取り付け、半導
体レーザ装置を構成する。上記面発光型半導体素子59の
Ｉｎ0.5（Ｇａ1-x1Ａｌx1）0 .5Ｐ（厚さがλ／４ｎ
InGaAlP）／Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ｐ(厚さがλ／４ｎInAlP)分
布反射膜52がミラーの役割をしている。本発明の半導体
レーザ装置は、第１の実施の形態と同様に、４００ｎｍ
帯の半導体レーザ素子22を励起光源とし、該励起光源に
より面発光型半導体素子59が励起され、面発光型半導体
素子59から発せられる６００〜７００ｎｍの光が波長変
換されて、３００〜３５０ｎｍのレーザ光が発振する。
【００２８】次に、本発明の第３の実施の形態による半
導体レーザ装置について説明する。その半導体レーザ装
置の励起光源として発振波長が３８０ｎｍ帯の半導体レ
ーザ素子の断面図を図５に示し、面発光型半導体素子の
断面図を図６に示し、半導体レーザ装置の概略構成図を
図７に示す。まず、半導体レーザ素子について説明す
る。図５に示すように、有機金属気相成長法により、ｎ
−ＧａＮ（０００１）基板61上に、ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1
Ｎ／ＧａＮ超格子クラッド層62（0＜z1＜1）、ｎあるい
はｉ−ＧａＮ光導波層63、Ｉｎz2Ｇａ1-z2Ｎ／Ｉｎz3Ｇ
ａ1-z3Ｎ多重量子井戸活性層64（0＜z2＜z3＜0.5）、ｐ
−Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎキャリアブロッキング層65、ｎある
いはｉ−ＧａＮ光導波層66、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／Ｇ
ａＮ超格子クラッド層67、ｐ−ＧａＮコンタクト層68を
形成する。絶縁膜69を形成し、通常のリソグラフィープ
ロセスにより、１００μｍ程度のストライプの領域を除
去し、ｐ側電極70を形成する。その後、基板の研磨を行
い、ｎ側電極71を形成し、へき開により共振器を形成
後、高反射コートと低反射コートを形成し、チップ化し
て半導体レーザ素子72を作製する。
導体レーザ装置について説明する。その半導体レーザ装
置の励起光源として発振波長が３８０ｎｍ帯の半導体レ
ーザ素子の断面図を図５に示し、面発光型半導体素子の
断面図を図６に示し、半導体レーザ装置の概略構成図を
図７に示す。まず、半導体レーザ素子について説明す
る。図５に示すように、有機金属気相成長法により、ｎ
−ＧａＮ（０００１）基板61上に、ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1
Ｎ／ＧａＮ超格子クラッド層62（0＜z1＜1）、ｎあるい
はｉ−ＧａＮ光導波層63、Ｉｎz2Ｇａ1-z2Ｎ／Ｉｎz3Ｇ
ａ1-z3Ｎ多重量子井戸活性層64（0＜z2＜z3＜0.5）、ｐ
−Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎキャリアブロッキング層65、ｎある
いはｉ−ＧａＮ光導波層66、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／Ｇ
ａＮ超格子クラッド層67、ｐ−ＧａＮコンタクト層68を
形成する。絶縁膜69を形成し、通常のリソグラフィープ
ロセスにより、１００μｍ程度のストライプの領域を除
去し、ｐ側電極70を形成する。その後、基板の研磨を行
い、ｎ側電極71を形成し、へき開により共振器を形成
後、高反射コートと低反射コートを形成し、チップ化し
て半導体レーザ素子72を作製する。
【００２９】次に、面発光型半導体素子について説明す
る。以下に示す、λは光励起により発振する波長であ
り、ｎAlN、ｎGaN、ｎwg、ｎSiO2、ｎZrO2はそれぞれＡ
ｌＮ、ＧａＮ、光閉じ込め層、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２の発
振波長での屈折率である。図６に示すように、有機金属
気相成長法によりＧａＮ（０００１）基板81上に２０ペ
アのＧａＮ（λ／４ｎＧａＮ）／ＡｌＮ（λ／４ｎ
ＡｌＮ）反射膜82、ＧａＮ光閉じ込め層83、Ｉｎx2Ｇａ
1-x2Ｎ／Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ多重量子井戸活性層（0＜x2
＜x3＜0.5）84、ＧａＮ光閉じ込め層85、ＡｌＧａＮキ
ャリア閉じ込め層86を積層する。その後、電子ビーム蒸
着法等により、ＳｉＯ2（厚さ：λ／４ｎＳｉＯ2）／Ｚ
ｒＯ2（厚さ：λ／４ｎＺｒＯ2）分布反射膜87を積層す
る。その後、基板の研磨を行いＺｒＯ２（厚さ：λ／４
ｎＺｒＯ２）無反射コートを行い、へき開によりチップ
化して面発光型半導体素子88を作製する。
る。以下に示す、λは光励起により発振する波長であ
り、ｎAlN、ｎGaN、ｎwg、ｎSiO2、ｎZrO2はそれぞれＡ
ｌＮ、ＧａＮ、光閉じ込め層、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２の発
振波長での屈折率である。図６に示すように、有機金属
気相成長法によりＧａＮ（０００１）基板81上に２０ペ
アのＧａＮ（λ／４ｎＧａＮ）／ＡｌＮ（λ／４ｎ
ＡｌＮ）反射膜82、ＧａＮ光閉じ込め層83、Ｉｎx2Ｇａ
1-x2Ｎ／Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ多重量子井戸活性層（0＜x2
＜x3＜0.5）84、ＧａＮ光閉じ込め層85、ＡｌＧａＮキ
ャリア閉じ込め層86を積層する。その後、電子ビーム蒸
着法等により、ＳｉＯ2（厚さ：λ／４ｎＳｉＯ2）／Ｚ
ｒＯ2（厚さ：λ／４ｎＺｒＯ2）分布反射膜87を積層す
る。その後、基板の研磨を行いＺｒＯ２（厚さ：λ／４
ｎＺｒＯ２）無反射コートを行い、へき開によりチップ
化して面発光型半導体素子88を作製する。
【００３０】この面発光型半導体素子88の発する光の波
長λに関しては、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ／Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ
多重量子井戸活性層84（0＜x2＜x3＜0.5）より、４００
＜λ＜５６０（ｎｍ）の範囲までの制御が可能である。
長λに関しては、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ／Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ
多重量子井戸活性層84（0＜x2＜x3＜0.5）より、４００
＜λ＜５６０（ｎｍ）の範囲までの制御が可能である。
【００３１】次に、半導体レーザ装置について説明す
る。図７に示すように、上記半導体レーザ素子72を励起
光源に用い、上記面発光型半導体素子88のＧａＮ基板81
側を取り付けられたヒートシンク92と、集光レンズ91
と、外部ミラー96を備えている。外部ミラー96の凹面と
面発光型半導体素子88の２０ペアのＧａＮ（λ／４ｎ
Ｇａ Ｎ）／ＡｌＮ（λ／４ｎＡｌＮ）反射膜82とにより
共振器（共振器長Ｌ）が構成されており、共振器内に波
長変換素子93（例えば、β-ＢａＢＯ3結晶からなるも
の）と、さらに単一縦モードを得るために共振器内部に
波長選択素子95（例えばリオフィルターもしくはエタロ
ンもしくはこれらを複数）が挿入されている。また、波
長変換を効率良く行うために共振器内において,ブリュ
ースター板等による偏光制御素子94を挿入してもよい。
る。図７に示すように、上記半導体レーザ素子72を励起
光源に用い、上記面発光型半導体素子88のＧａＮ基板81
側を取り付けられたヒートシンク92と、集光レンズ91
と、外部ミラー96を備えている。外部ミラー96の凹面と
面発光型半導体素子88の２０ペアのＧａＮ（λ／４ｎ
Ｇａ Ｎ）／ＡｌＮ（λ／４ｎＡｌＮ）反射膜82とにより
共振器（共振器長Ｌ）が構成されており、共振器内に波
長変換素子93（例えば、β-ＢａＢＯ3結晶からなるも
の）と、さらに単一縦モードを得るために共振器内部に
波長選択素子95（例えばリオフィルターもしくはエタロ
ンもしくはこれらを複数）が挿入されている。また、波
長変換を効率良く行うために共振器内において,ブリュ
ースター板等による偏光制御素子94を挿入してもよい。
【００３２】半導体レーザ素子72からの３８０ｎｍ帯の
励起光97は集光レンズ91により面発光型半導体素子88に
集光され、面発光型半導体素子88の量子井戸活性層によ
り効率よく吸収されて４００〜５６０ｎｍの光が発せら
れ、その光は波長変換素子により第２高調波に変換され
る。面発光型半導体素子88の発する基本波の波長λFMに
関しては、前述したように、４００＜λFM＜５６０（ｎ
ｍ）の範囲で可能であるので、この半導体レーザ装置の
発振する第２高調波の波長λSHGに関しても、２００＜
λSHG＜２８０（ｎｍ）の極短波長の発振が可能であ
る。
励起光97は集光レンズ91により面発光型半導体素子88に
集光され、面発光型半導体素子88の量子井戸活性層によ
り効率よく吸収されて４００〜５６０ｎｍの光が発せら
れ、その光は波長変換素子により第２高調波に変換され
る。面発光型半導体素子88の発する基本波の波長λFMに
関しては、前述したように、４００＜λFM＜５６０（ｎ
ｍ）の範囲で可能であるので、この半導体レーザ装置の
発振する第２高調波の波長λSHGに関しても、２００＜
λSHG＜２８０（ｎｍ）の極短波長の発振が可能であ
る。
【００３３】本発明の半導体レーザ装置は、面発光型半
導体素子88のＧａＮ基板81は励起光に対して透明である
ことから、面発光型半導体素子88を端面励起することに
より、レーザ発振を得る。また、ＧａＮ基板81は熱伝導
係数も大きいことから、図に示すようなヒートシンク92
を構成することにより、放熱が容易であるので、高品位
なビームを得ることができる。
導体素子88のＧａＮ基板81は励起光に対して透明である
ことから、面発光型半導体素子88を端面励起することに
より、レーザ発振を得る。また、ＧａＮ基板81は熱伝導
係数も大きいことから、図に示すようなヒートシンク92
を構成することにより、放熱が容易であるので、高品位
なビームを得ることができる。
【００３４】本実施の形態による半導体レーザ装置は、
第１およびは第２の実施の形態と同様、励起用半導体レ
ーザ素子を直接変調することによって、変調が可能とな
る。
第１およびは第２の実施の形態と同様、励起用半導体レ
ーザ素子を直接変調することによって、変調が可能とな
る。
【００３５】また、上記２つの実施の形態において、励
起用の半導体レーザー素子は、ブロードエリア型の半導
体レーザ素子を用いたが、これに限らず他の半導体レー
ザ素子やテーパー構造で高密度の集光が可能なＭＯＰＡ
やα−ＤＦＢレーザーでもよい。
起用の半導体レーザー素子は、ブロードエリア型の半導
体レーザ素子を用いたが、これに限らず他の半導体レー
ザ素子やテーパー構造で高密度の集光が可能なＭＯＰＡ
やα−ＤＦＢレーザーでもよい。
【００３６】上記実施の形態では、面発光型半導体素子
から発せられる光を第２高調波に変換して紫外域のレー
ザ光を得る構成について説明したが、面発光型半導体素
子から発せられる光と、外部から与えられる光源との和
周波光によって紫外域のレーザ光が得られる構成であっ
てもよい。
から発せられる光を第２高調波に変換して紫外域のレー
ザ光を得る構成について説明したが、面発光型半導体素
子から発せられる光と、外部から与えられる光源との和
周波光によって紫外域のレーザ光が得られる構成であっ
てもよい。
【００３７】また、本発明の半導体レーザ装置はＱスイ
ッチ素子を共振器内に挿入し、Ｑスイッチ動作をさせる
か、あるいは励起用の半導体レーザ素子をパルス駆動
し、本レーザをパルス駆動させてもよい。特に、励起用
ＩｎＧａＮ系半導体レーザは他の半導体レーザよりも高
いＣＯＤを有することから、パルス駆動するのには、最
適な励起光源である。
ッチ素子を共振器内に挿入し、Ｑスイッチ動作をさせる
か、あるいは励起用の半導体レーザ素子をパルス駆動
し、本レーザをパルス駆動させてもよい。特に、励起用
ＩｎＧａＮ系半導体レーザは他の半導体レーザよりも高
いＣＯＤを有することから、パルス駆動するのには、最
適な励起光源である。
【００３８】また、波長変換素子としてはβ−ＢａＢＯ
3だけでなく、ＬＢＯ、ＧｄＹＣＯＢ、ＧｄＣＯＢ、ド
メイン反転ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3結晶等を用いることが
できる。
3だけでなく、ＬＢＯ、ＧｄＹＣＯＢ、ＧｄＣＯＢ、ド
メイン反転ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3結晶等を用いることが
できる。
【００３９】なお、本発明の半導体レーザ素子は、高速
な情報・画像処理及び通信、計測、医療、印刷の分野で
の光源として応用可能である。
な情報・画像処理及び通信、計測、医療、印刷の分野で
の光源として応用可能である。
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
装置を構成する半導体レーザ素子を示す断面図
装置を構成する半導体レーザ素子を示す断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
【図３】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
装置を示す概略構成図
装置を示す概略構成図
【図４】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
【図５】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ
装置を構成する半導体レーザ素子を示す断面図
装置を構成する半導体レーザ素子を示す断面図
【図６】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
【図７】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ
装置を示す概略構成図
装置を示す概略構成図
22 半導体レーザ素子 39 面発光型半導体素子 41 集光レンズ 42 ヒートシンク 43 波長変換素子 44 偏光素子 45 エタロン 46 外部ミラー 47 励起光
Claims (5)
- 【請求項１】 ＧａＮ系の半導体を活性層とした半導体
レーザ素子と、該半導体レーザ素子により励起される、
ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＰ系の半導体を活性層
とした面発光型半導体素子と、該励起により得られた光
を波長変換して、紫外域のレーザ光を出力する波長変換
手段とからなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記半導体レーザ素子の活性層が、Ｉｎ
ＧａＮあるいはＧａＮであることを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記半導体レーザ素子の活性層が、Ｇａ
ＮＡｓあるいはＩｎＧａＮＡｓであることを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 ＧａＮ系の半導体を活性層とした半導体
レーザ素子と、該半導体レーザ素子により励起される、
ＧａＮ系の半導体を活性層とした面発光型半導体素子
と、該励起により得られた光を波長変換して、紫外域の
レーザ光を出力する波長変換手段とからなることを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記半導体レーザ素子の活性層が、Ｉｎ
ＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＮＡｓまたはＩｎＧａＮＡｓから
なることを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000046177A JP2001237488A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 半導体レーザ装置 |
| US09/656,700 US6693941B1 (en) | 1999-09-10 | 2000-09-07 | Semiconductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000046177A JP2001237488A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237488A true JP2001237488A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18568647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000046177A Pending JP2001237488A (ja) | 1999-09-10 | 2000-02-23 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001237488A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003249694A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光装置およびそれを用いた照明装置 |
| JP2004207724A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ヴァーティカルエミッション型半導体レーザー |
| JP2006313900A (ja) * | 2005-05-07 | 2006-11-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 外部共振器型の面発光レーザ |
| JP2007123927A (ja) * | 2006-12-18 | 2007-05-17 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光装置およびそれを用いた照明装置 |
| JP2009071337A (ja) * | 2008-12-29 | 2009-04-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置およびそれを用いた照明装置 |
| JP2011511444A (ja) * | 2008-01-31 | 2011-04-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 面発光型半導体レーザー |
-
2000
- 2000-02-23 JP JP2000046177A patent/JP2001237488A/ja active Pending
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| JP2009071337A (ja) * | 2008-12-29 | 2009-04-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置およびそれを用いた照明装置 |
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