JPH11204880A - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
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- JPH11204880A JPH11204880A JP636898A JP636898A JPH11204880A JP H11204880 A JPH11204880 A JP H11204880A JP 636898 A JP636898 A JP 636898A JP 636898 A JP636898 A JP 636898A JP H11204880 A JPH11204880 A JP H11204880A
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長４５０ｎｍ以上の青色領域や緑色領域の
レーザービームを、効率良く高出力で発生可能な半導体
レーザーを得る。 【解決手段】 半導体レーザーの活性層を、Ｉｎ1-YＧ
ａYＮZＡｓ1-Zからなる量子井戸活性層15とする。
レーザービームを、効率良く高出力で発生可能な半導体
レーザーを得る。 【解決手段】 半導体レーザーの活性層を、Ｉｎ1-YＧ
ａYＮZＡｓ1-Zからなる量子井戸活性層15とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザーに関
し、特に詳細には、青、緑の波長領域の光が得られる半
導体レーザーに関するものである。
し、特に詳細には、青、緑の波長領域の光が得られる半
導体レーザーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、青色に近い光を発する半導体レー
ザーとして、例えば電子情報通信学会技報，TECHNICAL
REPORT OF IEICE OPB 96-144,LQE96-142(1997-01)に示
されるように、ＩｎＧａＮ活性層を有するものが知られ
ている。
ザーとして、例えば電子情報通信学会技報，TECHNICAL
REPORT OF IEICE OPB 96-144,LQE96-142(1997-01)に示
されるように、ＩｎＧａＮ活性層を有するものが知られ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体レー
ザーをカラー画像記録装置の書込み光源等として用いる
場合は、緑色領域の光や、波長４５０ｎｍ以上の青色領
域の光を発するものが必要となるが、上記のＩｎＧａＮ
活性層を有する半導体レーザーでは、現在のところ、こ
れらの波長領域よりも短波長側の光しか得ることができ
ない。
ザーをカラー画像記録装置の書込み光源等として用いる
場合は、緑色領域の光や、波長４５０ｎｍ以上の青色領
域の光を発するものが必要となるが、上記のＩｎＧａＮ
活性層を有する半導体レーザーでは、現在のところ、こ
れらの波長領域よりも短波長側の光しか得ることができ
ない。
【０００４】このＩｎＧａＮ活性層を有する半導体レー
ザーにおいて、Ｉｎの量を増やせば発振波長が長波長化
するが、そのようにすると活性層の結晶性が悪化して、
発振効率が低下してしまう。
ザーにおいて、Ｉｎの量を増やせば発振波長が長波長化
するが、そのようにすると活性層の結晶性が悪化して、
発振効率が低下してしまう。
【０００５】またこのＩｎＧａＮ活性層を有する半導体
レーザーでは、ホールの有効質量が大きいため、しきい
値電流密度が大きくなり、そのために素子特性が悪化す
るという問題も認められている。
レーザーでは、ホールの有効質量が大きいため、しきい
値電流密度が大きくなり、そのために素子特性が悪化す
るという問題も認められている。
【０００６】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、波長４５０ｎｍ以上の青色領域や緑色領域のレ
ーザービームを、効率良く高出力で発生可能な半導体レ
ーザーを提供することを目的とする。
であり、波長４５０ｎｍ以上の青色領域や緑色領域のレ
ーザービームを、効率良く高出力で発生可能な半導体レ
ーザーを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による１つの半導
体レーザーは、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Zからなる量子井
戸活性層を有することを特徴とするものである。
体レーザーは、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Zからなる量子井
戸活性層を有することを特徴とするものである。
【０００８】また本発明による別の半導体レーザーは、
Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z／ＧａＮからなる多重量子井戸
活性層を有することを特徴とするものである。
Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z／ＧａＮからなる多重量子井戸
活性層を有することを特徴とするものである。
【０００９】また本発明によるさらに別の半導体レーザ
ーは、Ｉｎ1-Y1ＧａY1ＮZ1Ａｓ1-Z1／Ｉｎ1-Y2ＧａY2Ｎ
Z2Ａｓ1-Z2からなる多重量子井戸活性層を有することを
特徴とするものである。
ーは、Ｉｎ1-Y1ＧａY1ＮZ1Ａｓ1-Z1／Ｉｎ1-Y2ＧａY2Ｎ
Z2Ａｓ1-Z2からなる多重量子井戸活性層を有することを
特徴とするものである。
【００１０】また本発明によるさらに別の半導体レーザ
ーは、Ｉｎ1-Y1ＧａY1ＮZＡｓ1-Z／Ｉｎ1-Y2ＧａY2Ｎか
らなる多重量子井戸活性層を有することを特徴とするも
のである。
ーは、Ｉｎ1-Y1ＧａY1ＮZＡｓ1-Z／Ｉｎ1-Y2ＧａY2Ｎか
らなる多重量子井戸活性層を有することを特徴とするも
のである。
【００１１】なお上記構成の各半導体レーザーにおい
て、基板としてＧａＮ基板が用いられる場合、クラッド
層は、ＧａＮに格子整合するＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＡｌ
Ｎ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａＮ／ＡｌＧ
ａＮＡｓ超格子クラッドとしたり、あるいはＧａＮに格
子整合するＩｎＧａＡｌＮまたはＡｌＧａＮＡｓ格子整
合クラッドとしたり、さらには、ｎ−ＡｌＧａＮ／ノン
ドープＩｎＧａＮの変調ドープ層クラッドとするのが好
ましい。
て、基板としてＧａＮ基板が用いられる場合、クラッド
層は、ＧａＮに格子整合するＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＡｌ
Ｎ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａＮ／ＡｌＧ
ａＮＡｓ超格子クラッドとしたり、あるいはＧａＮに格
子整合するＩｎＧａＡｌＮまたはＡｌＧａＮＡｓ格子整
合クラッドとしたり、さらには、ｎ−ＡｌＧａＮ／ノン
ドープＩｎＧａＮの変調ドープ層クラッドとするのが好
ましい。
【００１２】一方、上記構成の各半導体レーザーにおい
て、光導波層は、ＧａＮに格子整合するＡｌＧａＮ／Ｉ
ｎＧａＡｌＮ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａ
Ｎ／ＡｌＧａＮＡｓ超格子光導波層としたり、あるいは
ＧａＮまたはＩｎＧａＡｌＮ光導波層とするのが望まし
い。
て、光導波層は、ＧａＮに格子整合するＡｌＧａＮ／Ｉ
ｎＧａＡｌＮ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａ
Ｎ／ＡｌＧａＮＡｓ超格子光導波層としたり、あるいは
ＧａＮまたはＩｎＧａＡｌＮ光導波層とするのが望まし
い。
【００１３】
【発明の効果】本発明による各半導体レーザーは、上に
述べた通りの活性層を有することにより、波長が４５０
ｎｍ以上の青色領域や緑色領域のレーザービームを、効
率良く高出力で発生できるものとなる。
述べた通りの活性層を有することにより、波長が４５０
ｎｍ以上の青色領域や緑色領域のレーザービームを、効
率良く高出力で発生できるものとなる。
【００１４】すなわち本発明による各半導体レーザー
は、従来のＩｎＧａＮ活性層を有する半導体レーザーと
比べると、活性層にＡｓを僅かに含ませることにより、
いわゆるボーイング効果により発振波長が長波長化さ
れ、４５０ｎｍ以上の波長領域のレーザービームを発生
できるものとなる。
は、従来のＩｎＧａＮ活性層を有する半導体レーザーと
比べると、活性層にＡｓを僅かに含ませることにより、
いわゆるボーイング効果により発振波長が長波長化さ
れ、４５０ｎｍ以上の波長領域のレーザービームを発生
できるものとなる。
【００１５】したがって本発明の各半導体レーザーによ
れば、カラー画像記録装置の書込み光として好適な波長
４７０ｎｍの純粋な青色の光や、波長５３０ｎｍの純粋
な緑色の光を得ることも可能となる。
れば、カラー画像記録装置の書込み光として好適な波長
４７０ｎｍの純粋な青色の光や、波長５３０ｎｍの純粋
な緑色の光を得ることも可能となる。
【００１６】また本発明による各半導体レーザーは、Ｉ
ｎＧａＮ活性層を有する半導体レーザーと比べると、Ｇ
ａＮ光導波層に対して格子不整合量を小さくすることが
できる。
ｎＧａＮ活性層を有する半導体レーザーと比べると、Ｇ
ａＮ光導波層に対して格子不整合量を小さくすることが
できる。
【００１７】さらに、本発明による各半導体レーザーは
活性層にＡｓを僅かに含ませることにより、価電子帯で
のスピン軌道相互作用を大きくすることができ、正孔
（ホール）の有効質量を低減させることが可能になる。
その結果、しきい値電流密度を低下させることができ、
素子特性が向上する。
活性層にＡｓを僅かに含ませることにより、価電子帯で
のスピン軌道相互作用を大きくすることができ、正孔
（ホール）の有効質量を低減させることが可能になる。
その結果、しきい値電流密度を低下させることができ、
素子特性が向上する。
【００１８】また本発明の半導体レーザーにおいて、特
に基板としてＧａＮ基板が用いられ、クラッド層が、Ｇ
ａＮに格子整合するＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＡｌＮ、Ａｌ
ＧａＮ／ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮＡｓ
超格子クラッドとされたり、あるいはＧａＮに格子整合
するＩｎＧａＡｌＮまたはＡｌＧａＮＡｓ格子整合クラ
ッドとされる場合は、このクラッド層をより厚く形成可
能で、光の閉じ込めを改善でき、かつ活性層の結晶性も
向上する。
に基板としてＧａＮ基板が用いられ、クラッド層が、Ｇ
ａＮに格子整合するＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＡｌＮ、Ａｌ
ＧａＮ／ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮＡｓ
超格子クラッドとされたり、あるいはＧａＮに格子整合
するＩｎＧａＡｌＮまたはＡｌＧａＮＡｓ格子整合クラ
ッドとされる場合は、このクラッド層をより厚く形成可
能で、光の閉じ込めを改善でき、かつ活性層の結晶性も
向上する。
【００１９】さらに、基板としてＧａＮ基板が用いら
れ、クラッド層がｎ−ＡｌＧａＮ／ノンドープＩｎＧａ
Ｎの変調ドープ層から形成される場合も、ドナーの活性
化率を高め、それにより上述と同様の効果を得ることが
できる。
れ、クラッド層がｎ−ＡｌＧａＮ／ノンドープＩｎＧａ
Ｎの変調ドープ層から形成される場合も、ドナーの活性
化率を高め、それにより上述と同様の効果を得ることが
できる。
【００２０】一方、本発明の半導体レーザーにおいて、
光導波層がＩｎＧａＡｌＮから形成された場合は、Ｉｎ
の導入によってクラッド層とのエネルギーギャップΔＥ
ｇを大きくすることができる。
光導波層がＩｎＧａＡｌＮから形成された場合は、Ｉｎ
の導入によってクラッド層とのエネルギーギャップΔＥ
ｇを大きくすることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００２２】＜第１実施形態＞図１は、本発明の第１実
施形態による半導体レーザーの側断面形状を示すもので
ある。この半導体レーザーは、サファィア基板10の上
に、ＧａＮバッファー層11、ｎ−ＧａＮコンタクト層1
2、ｎ−ＡｌXＧａ1-XＮ（0.01＜Ｘ＜0.5）クラッド層1
3、ｎ−ＧａＮ光導波層14、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多
重量子井戸活性層15、ｐ−ＧａＮ光導波層16、ｐ−Ａｌ
XＧａ1-XＮ（0.01＜Ｘ＜0.5）クラッド層17、およびｐ
−ＧａＮコンタクト層18が順次積層されてなる。
施形態による半導体レーザーの側断面形状を示すもので
ある。この半導体レーザーは、サファィア基板10の上
に、ＧａＮバッファー層11、ｎ−ＧａＮコンタクト層1
2、ｎ−ＡｌXＧａ1-XＮ（0.01＜Ｘ＜0.5）クラッド層1
3、ｎ−ＧａＮ光導波層14、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多
重量子井戸活性層15、ｐ−ＧａＮ光導波層16、ｐ−Ａｌ
XＧａ1-XＮ（0.01＜Ｘ＜0.5）クラッド層17、およびｐ
−ＧａＮコンタクト層18が順次積層されてなる。
【００２３】また上記ｎ−ＧａＮコンタクト層12の上に
はｎ−電極20が、ｐ−ＧａＮコンタクト層18の上にはｐ
−電極21がそれぞれ形成されている。なおｐ−電極21と
ｐ−ＧａＮコンタクト層18との間の一部を遮断する状態
にして、電流注入領域を規定する絶縁膜22が形成されて
いる。
はｎ−電極20が、ｐ−ＧａＮコンタクト層18の上にはｐ
−電極21がそれぞれ形成されている。なおｐ−電極21と
ｐ−ＧａＮコンタクト層18との間の一部を遮断する状態
にして、電流注入領域を規定する絶縁膜22が形成されて
いる。
【００２４】この半導体レーザーにおいては、活性層と
して、Ａｓを含むＩｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子井戸
活性層15が適用されているので、前述した理由によりこ
の活性層15から、４５０ｎｍ以上の波長領域のレーザー
ビームを発生可能となる。そしてＡｓの組成量を適宜設
定することにより、カラー画像記録装置の書込み光等と
して好適な波長４７０ｎｍの純粋な青色のレーザービー
ムや、波長５３０ｎｍの純粋な緑色のレーザービームを
得ることができる。
して、Ａｓを含むＩｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子井戸
活性層15が適用されているので、前述した理由によりこ
の活性層15から、４５０ｎｍ以上の波長領域のレーザー
ビームを発生可能となる。そしてＡｓの組成量を適宜設
定することにより、カラー画像記録装置の書込み光等と
して好適な波長４７０ｎｍの純粋な青色のレーザービー
ムや、波長５３０ｎｍの純粋な緑色のレーザービームを
得ることができる。
【００２５】なお、上記Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量
子井戸活性層15に代えて、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z／Ｇ
ａＮ多重量子井戸活性層や、Ｉｎ1-Y1ＧａY1ＮZ1Ａｓ
1-Z1／Ｉｎ1-Y2ＧａY2ＮZ2Ａｓ1-Z2多重量子井戸活性層
や、さらにはＩｎ1-Y1ＧａY1ＮZＡｓ1-Z／Ｉｎ1-Y2Ｇａ
Y2Ｎ多重量子井戸活性層を形成してもよく、それらの場
合でも同様の効果を得ることができる。
子井戸活性層15に代えて、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z／Ｇ
ａＮ多重量子井戸活性層や、Ｉｎ1-Y1ＧａY1ＮZ1Ａｓ
1-Z1／Ｉｎ1-Y2ＧａY2ＮZ2Ａｓ1-Z2多重量子井戸活性層
や、さらにはＩｎ1-Y1ＧａY1ＮZＡｓ1-Z／Ｉｎ1-Y2Ｇａ
Y2Ｎ多重量子井戸活性層を形成してもよく、それらの場
合でも同様の効果を得ることができる。
【００２６】＜第２実施形態＞図２は、本発明の第２実
施形態による半導体レーザーの側断面形状を示すもので
ある。この半導体レーザーは、サファィア基板10の上
に、ＧａＮ／ＡｌＮ交互バッファー層30、ＳｉＯ2マス
ク31を含むｎ−ＧａＮコンタクト層32、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9
Ｎクラック防止層33、ｎ−ＡｌXＧａ1-XＮ／ＧａＮ（0.
01＜Ｘ＜0.5）変調ドープ歪超格子クラッド層34、ｎ−
ＧａＮ光導波層35、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子井
戸活性層36、ｐ−ＧａＮ光導波層37、ｐ−ＡｌXＧａ1-X
Ｎ／ＧａＮ（0.01＜Ｘ＜0.5）変調ドープ歪超格子クラ
ッド層38、およびｐ−ＧａＮコンタクト層39が順次積層
されてなる。
施形態による半導体レーザーの側断面形状を示すもので
ある。この半導体レーザーは、サファィア基板10の上
に、ＧａＮ／ＡｌＮ交互バッファー層30、ＳｉＯ2マス
ク31を含むｎ−ＧａＮコンタクト層32、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9
Ｎクラック防止層33、ｎ−ＡｌXＧａ1-XＮ／ＧａＮ（0.
01＜Ｘ＜0.5）変調ドープ歪超格子クラッド層34、ｎ−
ＧａＮ光導波層35、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子井
戸活性層36、ｐ−ＧａＮ光導波層37、ｐ−ＡｌXＧａ1-X
Ｎ／ＧａＮ（0.01＜Ｘ＜0.5）変調ドープ歪超格子クラ
ッド層38、およびｐ−ＧａＮコンタクト層39が順次積層
されてなる。
【００２７】また上記コンタクト層32の上にはｎ−電極
20が、ｐ−ＧａＮコンタクト層39の上にはｐ−電極21が
それぞれ形成されている。なおｐ−電極21とｐ−ＧａＮ
コンタクト層39との間の一部を遮断する状態にして、電
流注入領域を規定する絶縁膜22が形成されている。
20が、ｐ−ＧａＮコンタクト層39の上にはｐ−電極21が
それぞれ形成されている。なおｐ−電極21とｐ−ＧａＮ
コンタクト層39との間の一部を遮断する状態にして、電
流注入領域を規定する絶縁膜22が形成されている。
【００２８】この半導体レーザーにおいても、活性層と
して、Ａｓを含むＩｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子井戸
活性層36が適用されているので、４５０ｎｍ以上の波長
領域のレーザービームを発生可能となる。そしてＡｓの
組成量を適宜設定することにより、波長４７０ｎｍの純
粋な青色のレーザービームや、波長５３０ｎｍの純粋な
緑色のレーザービームを得ることができる。
して、Ａｓを含むＩｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子井戸
活性層36が適用されているので、４５０ｎｍ以上の波長
領域のレーザービームを発生可能となる。そしてＡｓの
組成量を適宜設定することにより、波長４７０ｎｍの純
粋な青色のレーザービームや、波長５３０ｎｍの純粋な
緑色のレーザービームを得ることができる。
【００２９】また、これは前述の第１実施形態でも同じ
であるが、サファィア基板10に代えて、ＧａＮ基板やＳ
ｉＣ基板等を用いることも可能である。
であるが、サファィア基板10に代えて、ＧａＮ基板やＳ
ｉＣ基板等を用いることも可能である。
【００３０】＜第３実施形態＞図３は、本発明の第３実
施形態による半導体レーザーの側断面形状を示すもので
ある。この半導体レーザーは、図２の半導体レーザーに
おいて、サファィア基板10に代えてＳｉＣ基板40を用い
た形のものである。
施形態による半導体レーザーの側断面形状を示すもので
ある。この半導体レーザーは、図２の半導体レーザーに
おいて、サファィア基板10に代えてＳｉＣ基板40を用い
た形のものである。
【００３１】この第３実施形態の半導体レーザーにおい
ては、導電性かつ高熱伝導性を有するＳｉＣ基板40を用
いたことにより、ｎ−電極20をこのＳｉＣ基板40の裏側
に形成することが可能となっている。その結果、j-down
構造をとることができ、かつ熱伝導性も高いことから高
出力化することが可能となる。
ては、導電性かつ高熱伝導性を有するＳｉＣ基板40を用
いたことにより、ｎ−電極20をこのＳｉＣ基板40の裏側
に形成することが可能となっている。その結果、j-down
構造をとることができ、かつ熱伝導性も高いことから高
出力化することが可能となる。
【００３２】＜第４実施形態＞図４は、本発明の第４実
施形態による半導体レーザーの平面形状を示すものであ
る。また図５は、この半導体レーザーを図４中のＡ−Ｂ
線に沿った部分で切断して示す側断面図である。
施形態による半導体レーザーの平面形状を示すものであ
る。また図５は、この半導体レーザーを図４中のＡ−Ｂ
線に沿った部分で切断して示す側断面図である。
【００３３】この半導体レーザーの層構成は、図１に示
したものと比べると、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子
井戸活性層15に代えてＩｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z／ＧａＮ
多重量子井戸活性層55が用いられている以外は、基本的
に同様である。
したものと比べると、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子
井戸活性層15に代えてＩｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z／ＧａＮ
多重量子井戸活性層55が用いられている以外は、基本的
に同様である。
【００３４】そして図４に示されている通り、素子の両
端面にはそれぞれＡＲ（無反射）コート60、ＨＲ（高反
射）コート61が施され、また電流注入領域62はテーパ状
に形成されて、アンステーブル共振器構造が実現されて
いる。
端面にはそれぞれＡＲ（無反射）コート60、ＨＲ（高反
射）コート61が施され、また電流注入領域62はテーパ状
に形成されて、アンステーブル共振器構造が実現されて
いる。
【００３５】なお、上記ＨＲコート61の代わりにＡＲコ
ートを施すことにより、光増幅器を構成することも可能
である。
ートを施すことにより、光増幅器を構成することも可能
である。
【００３６】＜第５実施形態＞図６は、本発明の第５実
施形態による半導体レーザーの平面形状を示すものであ
る。また図７は、この半導体レーザーを図６中のＣ−Ｄ
線に沿った部分で切断して示す側断面図である。
施形態による半導体レーザーの平面形状を示すものであ
る。また図７は、この半導体レーザーを図６中のＣ−Ｄ
線に沿った部分で切断して示す側断面図である。
【００３７】この半導体レーザーの層構成は、図１に示
したものと比べると、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子
井戸活性層15に代えてＩｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z／ＧａＮ
多重量子井戸活性層55が用いられている以外は、基本的
に同様である。
したものと比べると、Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子
井戸活性層15に代えてＩｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z／ＧａＮ
多重量子井戸活性層55が用いられている以外は、基本的
に同様である。
【００３８】そして図６に示されている通り、素子の両
端面にはそれぞれＡＲ（無反射）コート60、ＨＲ（高反
射）コート61が施され、また電流注入領域62はテーパ状
に形成されて、アンステーブル共振器構造が実現されて
いる。特にこの場合は、上記テーパ状の電流注入領域62
に連続させて、素子一端側に基本横モード制御領域63が
形成されている。
端面にはそれぞれＡＲ（無反射）コート60、ＨＲ（高反
射）コート61が施され、また電流注入領域62はテーパ状
に形成されて、アンステーブル共振器構造が実現されて
いる。特にこの場合は、上記テーパ状の電流注入領域62
に連続させて、素子一端側に基本横モード制御領域63が
形成されている。
【００３９】なおこの場合も、上記ＨＲコート61の代わ
りにＡＲコートを施すことにより、光増幅器を構成する
ことができる。
りにＡＲコートを施すことにより、光増幅器を構成する
ことができる。
【００４０】また図７中のｄの厚みは、高次横モード発
振せずに、基本横モード発振のみが許容される値に設定
される。
振せずに、基本横モード発振のみが許容される値に設定
される。
【００４１】また、ｎとｐは反転してもよい。この点
は、既に説明したその他の実施形態においても同様であ
る。
は、既に説明したその他の実施形態においても同様であ
る。
【図１】本発明の第１実施形態による半導体レーザーを
示す側断面図
示す側断面図
【図２】本発明の第２実施形態による半導体レーザーを
示す側断面図
示す側断面図
【図３】本発明の第３実施形態による半導体レーザーを
示す側断面図
示す側断面図
【図４】本発明の第４実施形態による半導体レーザーを
示す平面図
示す平面図
【図５】図４の半導体レーザーの側断面図
【図６】本発明の第５実施形態による半導体レーザーを
示す平面図
示す平面図
【図７】図６の半導体レーザーの側断面図
10 サファィア基板 11 ＧａＮバッファー層 12 ｎ−ＧａＮコンタクト層 13 ｎ−ＡｌXＧａ1-XＮクラッド層 14 ｎ−ＧａＮ光導波層 15 Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子井戸活性層 16 ｐ−ＧａＮ光導波層 17 ｐ−ＡｌXＧａ1-XＮクラッド層 18 ｐ−ＧａＮコンタクト層 20 ｎ−電極 21 ｐ−電極 22 絶縁膜 30 ＧａＮ／ＡｌＮ交互バッファー層 31 ＳｉＯ2マスク 32 ｎ−ＧａＮコンタクト層 33 Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎクラック防止層 34 ｎ−ＡｌXＧａ1-XＮ／ＧａＮ変調ドープ歪超格子
クラッド層 35 ｎ−ＧａＮ光導波層 36 Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子井戸活性層 37 ｐ−ＧａＮ光導波層 38 ｐ−ＡｌXＧａ1-XＮ／ＧａＮ変調ドープ歪超格子
クラッド層 39 ｐ−ＧａＮコンタクト層 40 ＳｉＣ基板 60 ＡＲ（無反射）コート 61 ＨＲ（高反射）コート 62 電流注入領域 63 基本横モード制御領域
クラッド層 35 ｎ−ＧａＮ光導波層 36 Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z多重量子井戸活性層 37 ｐ−ＧａＮ光導波層 38 ｐ−ＡｌXＧａ1-XＮ／ＧａＮ変調ドープ歪超格子
クラッド層 39 ｐ−ＧａＮコンタクト層 40 ＳｉＣ基板 60 ＡＲ（無反射）コート 61 ＨＲ（高反射）コート 62 電流注入領域 63 基本横モード制御領域
Claims (10)
- 【請求項１】 Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Zからなる量子井
戸活性層を有することを特徴とする半導体レーザー。 - 【請求項２】 Ｉｎ1-YＧａYＮZＡｓ1-Z／ＧａＮからな
る多重量子井戸活性層を有することを特徴とする半導体
レーザー。 - 【請求項３】 Ｉｎ1-Y1ＧａY1ＮZ1Ａｓ1-Z1／Ｉｎ1-Y2
ＧａY2ＮZ2Ａｓ1-Z2からなる多重量子井戸活性層を有す
ることを特徴とする半導体レーザー。 - 【請求項４】 Ｉｎ1-Y1ＧａY1ＮZＡｓ1-Z／Ｉｎ1-Y2Ｇ
ａY2Ｎからなる多重量子井戸活性層を有することを特徴
とする半導体レーザー。 - 【請求項５】 発振波長が４５０ｎｍ以上であることを
特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の半導体レ
ーザー。 - 【請求項６】 基板としてＧａＮ基板が用いられ、クラ
ッド層が、ＧａＮに格子整合するＡｌＧａＮ／ＩｎＧａ
ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａＮ／Ａ
ｌＧａＮＡｓ超格子クラッドからなることを特徴とする
請求項１から５いずれか１項記載の半導体レーザー。 - 【請求項７】 基板としてＧａＮ基板が用いられ、クラ
ッド層が、ＧａＮに格子整合するＩｎＧａＡｌＮまたは
ＡｌＧａＮＡｓ格子整合クラッドからなることを特徴と
する請求項１から５いずれか１項記載の半導体レーザ
ー。 - 【請求項８】 基板としてＧａＮ基板が用いられ、クラ
ッド層が、ｎ−ＡｌＧａＮ／ノンドープＩｎＧａＮの変
調ドープ層から形成されていることを特徴とする請求項
１から５いずれか１項記載の半導体レーザー。 - 【請求項９】 光導波層が、ＧａＮに格子整合するＡｌ
ＧａＮ／ＩｎＧａＡｌＮ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮまた
はＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮＡｓ超格子光導波層であるこ
とを特徴とする請求項１から８いずれか１項記載の半導
体レーザー。 - 【請求項１０】 光導波層が、ＧａＮまたはＩｎＧａＡ
ｌＮ光導波層であることを特徴とする請求項１から８い
ずれか１項記載の半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP636898A JPH11204880A (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP636898A JPH11204880A (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 半導体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204880A true JPH11204880A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11636435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP636898A Withdrawn JPH11204880A (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204880A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002025746A1 (fr) * | 2000-09-21 | 2002-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Element emetteur de lumiere a semiconducteur de nitrure et dispositif optique contenant cet element |
| WO2002039555A1 (fr) * | 2000-11-10 | 2002-05-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Element lumineux semi-conducteur nitrure et dispositif optique equipe de cet element |
| JP2002232084A (ja) * | 2001-02-07 | 2002-08-16 | Sony Corp | 化合物半導体光学装置およびその製造方法 |
| JP2005012178A (ja) * | 2003-05-22 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
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| JPWO2018003335A1 (ja) * | 2016-06-30 | 2019-04-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム |
-
1998
- 1998-01-16 JP JP636898A patent/JPH11204880A/ja not_active Withdrawn
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| JPWO2018180952A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2020-02-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光装置 |
| US11309688B2 (en) | 2017-03-29 | 2022-04-19 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device |
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