JPH08195522A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH08195522A JPH08195522A JP29621094A JP29621094A JPH08195522A JP H08195522 A JPH08195522 A JP H08195522A JP 29621094 A JP29621094 A JP 29621094A JP 29621094 A JP29621094 A JP 29621094A JP H08195522 A JPH08195522 A JP H08195522A
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32358—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers containing very small amounts, usually less than 1%, of an additional III or V compound to decrease the bandgap strongly in a non-linear way by the bowing effect
- H01S5/32366—(In)GaAs with small amount of N
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ΔＥｃが十分に大きい材料系を使
用する事により、環境温度が変化しても特性がほとんど
変化しないの光通信用半導体レーザを提供することを目
的とする。 【構成】 ｎ−ＧａＰ基板１、ｎ−ＧａＰクラッド層
２、光ガイド層３、５及びＧａＮＡｓ量子井戸層４から
構成される単一量子井戸活性層６、ｐ−ＧａＰクラッド
層７により構成されている。 【効果】 本発明により、２５℃から８５℃の範囲にお
けるＴoが１００Kを越える高温動作特性の優れた光通信
用半導体レーザを提供することができる。
用する事により、環境温度が変化しても特性がほとんど
変化しないの光通信用半導体レーザを提供することを目
的とする。 【構成】 ｎ−ＧａＰ基板１、ｎ−ＧａＰクラッド層
２、光ガイド層３、５及びＧａＮＡｓ量子井戸層４から
構成される単一量子井戸活性層６、ｐ−ＧａＰクラッド
層７により構成されている。 【効果】 本発明により、２５℃から８５℃の範囲にお
けるＴoが１００Kを越える高温動作特性の優れた光通信
用半導体レーザを提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザに係り、特
に、光通信システムにおける光源に関する。
に、光通信システムにおける光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムでは、光ファイバーの特
性から発光波長が１．３μm帯または１．５５μm帯の光
源が主として使用されている。それらの波長帯で実用化
されている半導体レーザは、ＩｎＰ基板上に作製された
ものであり、材料にＩｎＧａＡｓＰ混晶半導体が用いら
れている。それは、屈折率導波型構造及び量子井戸構造
の採用により、非常に高性能となっている。しかし、一
方で環境温度によりその特性が大きく変化する欠点を持
っている。
性から発光波長が１．３μm帯または１．５５μm帯の光
源が主として使用されている。それらの波長帯で実用化
されている半導体レーザは、ＩｎＰ基板上に作製された
ものであり、材料にＩｎＧａＡｓＰ混晶半導体が用いら
れている。それは、屈折率導波型構造及び量子井戸構造
の採用により、非常に高性能となっている。しかし、一
方で環境温度によりその特性が大きく変化する欠点を持
っている。
【０００３】その対策として、半導体レーザと温度を一
定に保つ装置を組み合わせて使用している。しかし、こ
の方法では光通信用モジュールが大掛かりとなり、消費
電力も大きく、価格も高くなる。
定に保つ装置を組み合わせて使用している。しかし、こ
の方法では光通信用モジュールが大掛かりとなり、消費
電力も大きく、価格も高くなる。
【０００４】最近、ＡｌＧａＩｎＡｓ混晶半導体を用い
ることにより高温温度特性を改善した光通信用半導体レ
ーザが、ＺａｈらによりＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＱｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ， Ｖｏ
ｌ． ３０， ｐｐ． ５１１−５２３， １９９４に
報告された。環境温度が変化しても特性があまり変化し
ないので、温度を一定に保つ装置と組み合わせなくても
使用できると記載されている。
ることにより高温温度特性を改善した光通信用半導体レ
ーザが、ＺａｈらによりＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＱｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ， Ｖｏ
ｌ． ３０， ｐｐ． ５１１−５２３， １９９４に
報告された。環境温度が変化しても特性があまり変化し
ないので、温度を一定に保つ装置と組み合わせなくても
使用できると記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザの特性が
環境温度により大きく変化する主原因は、発光に寄与す
る電子の閉じ込めエネルギーが不十分な為である。伝導
帯のバンド不連続（ΔＥｃ）即ち電子の閉じ込めエネル
ギーが小さいと、電子を発光部分に注入しても一部の電
子が熱エネルギーにより発光部分から閉じ止め部分に溢
れだし発光に寄与しなくなる。この発光に寄与しない電
子の割合が環境温度により大きく変化するので、半導体
レーザの特性も環境温度により大きく変化する。
環境温度により大きく変化する主原因は、発光に寄与す
る電子の閉じ込めエネルギーが不十分な為である。伝導
帯のバンド不連続（ΔＥｃ）即ち電子の閉じ込めエネル
ギーが小さいと、電子を発光部分に注入しても一部の電
子が熱エネルギーにより発光部分から閉じ止め部分に溢
れだし発光に寄与しなくなる。この発光に寄与しない電
子の割合が環境温度により大きく変化するので、半導体
レーザの特性も環境温度により大きく変化する。
【０００６】上記のＩｎＧａＡｓＰ系半導体レーザでは
ΔＥｃが約１００ｍｅＶしかなく温度特性を示すＴｏが
５０Ｋ程度しかない。上記のＡｌＧａＩｎＡｓ系半導体
レーザではΔＥｃが約１５０ｍｅＶになりＴｏが８０Ｋ
程度まで改善されている。しかし、この改善されたＴｏ
も１５０Ｋ以上のＴｏを有するＧａＡｓ基板上半導体レ
ーザに比較すると不十分であり、更なる温度特性の改善
が望まれている。
ΔＥｃが約１００ｍｅＶしかなく温度特性を示すＴｏが
５０Ｋ程度しかない。上記のＡｌＧａＩｎＡｓ系半導体
レーザではΔＥｃが約１５０ｍｅＶになりＴｏが８０Ｋ
程度まで改善されている。しかし、この改善されたＴｏ
も１５０Ｋ以上のＴｏを有するＧａＡｓ基板上半導体レ
ーザに比較すると不十分であり、更なる温度特性の改善
が望まれている。
【０００７】本発明の目的は、ΔＥｃが十分に大きい材
料系を使用する事により、環境温度が変化しても特性が
ほとんど変化しないの半導体レーザを提供することであ
る。特に、２５℃から８５℃の範囲におけるＴoが１０
０Kを越える高温動作特性の優れた光通信用半導体レー
ザを提供することである。
料系を使用する事により、環境温度が変化しても特性が
ほとんど変化しないの半導体レーザを提供することであ
る。特に、２５℃から８５℃の範囲におけるＴoが１０
０Kを越える高温動作特性の優れた光通信用半導体レー
ザを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、光を発生す
る活性層と光を閉じ込めるクラッド層と発生した光から
レーザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザ
において、電子を活性層または活性層内の量子井戸層に
閉じ込めるエネルギー（ΔＥｃ）を２００ｍｅＶ以上に
することにより達成される。
る活性層と光を閉じ込めるクラッド層と発生した光から
レーザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザ
において、電子を活性層または活性層内の量子井戸層に
閉じ込めるエネルギー（ΔＥｃ）を２００ｍｅＶ以上に
することにより達成される。
【０００９】詳言すれば、基板結晶にＧａＰまたはＳｉ
を用い、クラッド層にＧａＰ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ
Ｐ、ＧａＩｎＮＰ及びＡｌＧａＰの群の中から選ばれる
ワイドギャップ半導体を用い、活性層の少なくとも一部
にＮを含むナロウギャップIII-V族半導体を用いること
により達成される。上記Ｎを含むIII-V族半導体は、Ｇ
ａＮＡｓ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓＰ、及びＧａＩｎＮＰ
の群の中から選ばれることが好ましい。上記活性層は、
井戸層にＧａＮＡｓを、障壁層にＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ
Ｐ、ＧａＩｎＮＰ及びＳｉの群の中から選ばれる一つを
用いた量子井戸構造であることが好ましい。上記半導体
レーザには光ガイド層を設けることが望ましく、上記光
ガイド層は、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓＰ、ＧａＩｎＮＰ及
びＳｉの群の中から選ばれる一つであるか、又はＧａＮ
ＰとＧａＮＡｓが交互に積層された超格子であることが
好ましい。
を用い、クラッド層にＧａＰ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ
Ｐ、ＧａＩｎＮＰ及びＡｌＧａＰの群の中から選ばれる
ワイドギャップ半導体を用い、活性層の少なくとも一部
にＮを含むナロウギャップIII-V族半導体を用いること
により達成される。上記Ｎを含むIII-V族半導体は、Ｇ
ａＮＡｓ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓＰ、及びＧａＩｎＮＰ
の群の中から選ばれることが好ましい。上記活性層は、
井戸層にＧａＮＡｓを、障壁層にＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ
Ｐ、ＧａＩｎＮＰ及びＳｉの群の中から選ばれる一つを
用いた量子井戸構造であることが好ましい。上記半導体
レーザには光ガイド層を設けることが望ましく、上記光
ガイド層は、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓＰ、ＧａＩｎＮＰ及
びＳｉの群の中から選ばれる一つであるか、又はＧａＮ
ＰとＧａＮＡｓが交互に積層された超格子であることが
好ましい。
【００１０】また、上記目的は、ＧａＡｓ基板上に光を
発生する活性層と光を閉じ込めるクラッド層と発生した
光からレーザ光を得るための共振器構造を有する半導体
レーザにおいて、上記活性層の少なくとも一部にＮを含
むIII-V族半導体を用いることによっても達成される。
上記Ｎを含むIII-V族半導体は、ＩｎＧａＮＡｓ、Ｇａ
ＮＡｓおよびＧａＮＡｓＳｂの群の中から選ばれること
が好ましく、Ｎ組成は０．５以下であることが好まし
い。更に、式Δａ／ａ＝［｛（Ｎを含むIII-V族半導体
の格子定数）−（ＧａＡｓの格子定数）｝／（ＧａＡｓ
の格子定数）］×１００（％）で定義される値が、−
０．５％から＋１．５％の間であることが好ましい。上
記活性層では、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、
及びＩｎＧａＡｓＰの群の中から選ばれる一つ、もしく
はその群の中から選ばれる二つで構成される超格子が、
Ｎを含むIII-V族半導体と組合わされることが好まし
い。上記クラッド層としては、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡ
ｌＰ、及びＡｌＧａＡｓの群の中から選ばれる一つが用
いられることが好ましい。
発生する活性層と光を閉じ込めるクラッド層と発生した
光からレーザ光を得るための共振器構造を有する半導体
レーザにおいて、上記活性層の少なくとも一部にＮを含
むIII-V族半導体を用いることによっても達成される。
上記Ｎを含むIII-V族半導体は、ＩｎＧａＮＡｓ、Ｇａ
ＮＡｓおよびＧａＮＡｓＳｂの群の中から選ばれること
が好ましく、Ｎ組成は０．５以下であることが好まし
い。更に、式Δａ／ａ＝［｛（Ｎを含むIII-V族半導体
の格子定数）−（ＧａＡｓの格子定数）｝／（ＧａＡｓ
の格子定数）］×１００（％）で定義される値が、−
０．５％から＋１．５％の間であることが好ましい。上
記活性層では、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、
及びＩｎＧａＡｓＰの群の中から選ばれる一つ、もしく
はその群の中から選ばれる二つで構成される超格子が、
Ｎを含むIII-V族半導体と組合わされることが好まし
い。上記クラッド層としては、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡ
ｌＰ、及びＡｌＧａＡｓの群の中から選ばれる一つが用
いられることが好ましい。
【００１１】上記半導体レーザの構造として、共振器方
向に沿ってストライプ状に他の部分よりも屈折率の高い
領域を領域を有する屈折率導波型が望ましい。
向に沿ってストライプ状に他の部分よりも屈折率の高い
領域を領域を有する屈折率導波型が望ましい。
【００１２】上記半導体レーザは、ＯＭＶＰＥ法、ガス
ソースＭＢＥ法、またはＣＢＥ法により作製できる。
ソースＭＢＥ法、またはＣＢＥ法により作製できる。
【００１３】上記半導体レーザは、光通信システムの光
源として使用されることが望ましい。レーザ光の波長は
１．２μmより長波長であることが好ましく、特に１．
３μm帯または１．５５μm帯であることが好ましい。
源として使用されることが望ましい。レーザ光の波長は
１．２μmより長波長であることが好ましく、特に１．
３μm帯または１．５５μm帯であることが好ましい。
【００１４】
【作用】以下、本発明の作用について説明する。現在の
高性能な光通信用半導体レーザでは量子井戸構造の採用
が必須となっている。従来材料系と本発明の材料系で作
製した単一量子井戸構造のエネルギー準位の例を図２に
示す。図２（ａ）の量子井戸構造は、井戸層にＩｎＧａ
ＡｓＰ、障壁層にはクラッド層と同じＩｎＰを用いてＩ
ｎＰ基板上に作製される。他方図２（ｂ）の量子井戸構
造は、井戸層にＧａＮＡｓ、障壁層にはクラッド層と同
じＧａＰを用いてＧａＰ基板上に作製される。ここで
は、井戸層の膜厚を７ｎｍとし、量子準位間での発光が
波長１．３μｍとなる様に井戸層の混晶組成を選んだ。
尚、ＧａＮＡｓは圧縮応力下にあるが、その厚さは臨界
膜以下なので結晶欠陥は発生しない。
高性能な光通信用半導体レーザでは量子井戸構造の採用
が必須となっている。従来材料系と本発明の材料系で作
製した単一量子井戸構造のエネルギー準位の例を図２に
示す。図２（ａ）の量子井戸構造は、井戸層にＩｎＧａ
ＡｓＰ、障壁層にはクラッド層と同じＩｎＰを用いてＩ
ｎＰ基板上に作製される。他方図２（ｂ）の量子井戸構
造は、井戸層にＧａＮＡｓ、障壁層にはクラッド層と同
じＧａＰを用いてＧａＰ基板上に作製される。ここで
は、井戸層の膜厚を７ｎｍとし、量子準位間での発光が
波長１．３μｍとなる様に井戸層の混晶組成を選んだ。
尚、ＧａＮＡｓは圧縮応力下にあるが、その厚さは臨界
膜以下なので結晶欠陥は発生しない。
【００１５】従来材料のＩｎＧａＡｓＰ系では、もとも
とバルクのΔＥｃが１５０ｍｅＶと小さい。量子構造で
は電子の準位が上昇するので実質的ΔＥｃが１２６ｍｅ
Ｖと更に小さくなる事が図２（ａ）より分かる。量子井
戸半導体レーザでは、量子井戸層の層厚が非常に薄いた
め井戸層だけではレーザ光を十分に閉じ込めることが出
来なく、光ガイド層を別に設けなければならない。（ク
ラッド層に隣接する障壁層の厚さを増大させてレーザ光
を閉じ込めることも可能であるが、この障壁層は光ガイ
ド層に他ならない。）障壁層のバンドギャップは光ガイ
ド層のバンドギャップと同等かそれ以下でなければなら
ないので、障壁層のバンドギャップはクラッド層のバン
ドギャップよりもかなり小さく設定せざるをえない。従
って、ΔＥｃはさらに小さくなり、上述したようにＩｎ
ＧａＡｓＰ系では１００ｍｅＶ程度まで低下してしま
う。
とバルクのΔＥｃが１５０ｍｅＶと小さい。量子構造で
は電子の準位が上昇するので実質的ΔＥｃが１２６ｍｅ
Ｖと更に小さくなる事が図２（ａ）より分かる。量子井
戸半導体レーザでは、量子井戸層の層厚が非常に薄いた
め井戸層だけではレーザ光を十分に閉じ込めることが出
来なく、光ガイド層を別に設けなければならない。（ク
ラッド層に隣接する障壁層の厚さを増大させてレーザ光
を閉じ込めることも可能であるが、この障壁層は光ガイ
ド層に他ならない。）障壁層のバンドギャップは光ガイ
ド層のバンドギャップと同等かそれ以下でなければなら
ないので、障壁層のバンドギャップはクラッド層のバン
ドギャップよりもかなり小さく設定せざるをえない。従
って、ΔＥｃはさらに小さくなり、上述したようにＩｎ
ＧａＡｓＰ系では１００ｍｅＶ程度まで低下してしま
う。
【００１６】一方、図２（ｂ）のＧａＰとＧａＮＡｓの
組み合わせは、量子井戸構造でも実質的ΔＥｃが１００
０ｍｅＶ以上になる。たとえ、障壁層のバンドギャップ
をＧａＰとＧａＮＡｓの中間値としても、ΔＥｃは５０
０ｍｅＶ以上になる。
組み合わせは、量子井戸構造でも実質的ΔＥｃが１００
０ｍｅＶ以上になる。たとえ、障壁層のバンドギャップ
をＧａＰとＧａＮＡｓの中間値としても、ΔＥｃは５０
０ｍｅＶ以上になる。
【００１７】ここまでの説明では、電子の閉じ込めにつ
いてのみ議論してきたが、半導体レーザでは正孔の閉じ
込めも重要である。しかし、従来材料系でも本発明の材
料系でも正孔の閉じ込めは十分であり、価電子帯のバン
ド不連続（ΔＥｖ）は半導体レーザの特性にほとんど影
響しないることが図２より分かる。従って、今後も電子
の閉じ込めについてのみ議論する。
いてのみ議論してきたが、半導体レーザでは正孔の閉じ
込めも重要である。しかし、従来材料系でも本発明の材
料系でも正孔の閉じ込めは十分であり、価電子帯のバン
ド不連続（ΔＥｖ）は半導体レーザの特性にほとんど影
響しないることが図２より分かる。従って、今後も電子
の閉じ込めについてのみ議論する。
【００１８】上述のとおり、ΔＥｃの不足は半導体レー
ザの温度特性を悪化させる。図３に、ΔＥｃとＴｏの関
係を示す。同図より、ΔＥｃが３００ｍｅＶ以上のと
き、Ｔｏの値が飽和し、電子を完全に閉じ込める事が可
能になることが分かる。その場合、１８０Ｋ程度のＴｏ
が期待できる。本発明の材料系ではΔＥｃが２００ｍｅ
Ｖ以上になるので、１００Ｋ以上のＴｏが十分期待でき
る。一方、図３より、従来材料のＩｎＧａＡｓＰ系及び
ＡｌＧａＩｎＡｓ系では、１００Ｋ以上のＴｏは期待で
きないことも分かる。
ザの温度特性を悪化させる。図３に、ΔＥｃとＴｏの関
係を示す。同図より、ΔＥｃが３００ｍｅＶ以上のと
き、Ｔｏの値が飽和し、電子を完全に閉じ込める事が可
能になることが分かる。その場合、１８０Ｋ程度のＴｏ
が期待できる。本発明の材料系ではΔＥｃが２００ｍｅ
Ｖ以上になるので、１００Ｋ以上のＴｏが十分期待でき
る。一方、図３より、従来材料のＩｎＧａＡｓＰ系及び
ＡｌＧａＩｎＡｓ系では、１００Ｋ以上のＴｏは期待で
きないことも分かる。
【００１９】本発明でこの様にΔＥｃを大きくできるの
は、材料にワイドギャップＩＩＩ−Ｖ半導体とナロウギ
ャップN系V族混晶とを組み合わせたからである。陰元素
がＮと他のV族元素の混合よりなるＮ系Ｖ族混晶のバン
ドギャップの非線形因子は非常に大きく、同じ格子定数
を有する従来のＩＩＩ−Ｖ半導体とに比べて非常に小さ
なバンドギャップになる。本発明の活性層のバンドギャ
ップは、０から２．０ｅＶまでの非常に大きな範囲を占
める。従って、発光波長は０．６μｍ以上の長波長を全
てカバーする。１．１μｍ以下の波長域ではＧａＡｓ基
板上の半導体レーザの温度特性が良い為、本発明は１．
２μｍ以上の長波長域の半導体レーザに於て効果が大き
い。即ち、本発明は、１．３μm帯及び１．５５μm帯ま
たはそれ以上の超長波帯に於て効果が大きい。
は、材料にワイドギャップＩＩＩ−Ｖ半導体とナロウギ
ャップN系V族混晶とを組み合わせたからである。陰元素
がＮと他のV族元素の混合よりなるＮ系Ｖ族混晶のバン
ドギャップの非線形因子は非常に大きく、同じ格子定数
を有する従来のＩＩＩ−Ｖ半導体とに比べて非常に小さ
なバンドギャップになる。本発明の活性層のバンドギャ
ップは、０から２．０ｅＶまでの非常に大きな範囲を占
める。従って、発光波長は０．６μｍ以上の長波長を全
てカバーする。１．１μｍ以下の波長域ではＧａＡｓ基
板上の半導体レーザの温度特性が良い為、本発明は１．
２μｍ以上の長波長域の半導体レーザに於て効果が大き
い。即ち、本発明は、１．３μm帯及び１．５５μm帯ま
たはそれ以上の超長波帯に於て効果が大きい。
【００２０】本発明では、ワイドギャップIII-V半導体
を用いる事から、格子定数の小さいＧａＰ、Ｓｉまたは
ＧａＡｓを基板結晶として用いる事が望ましい。 特
に、ＧａＡｓを基板結晶として用いる場合は、活性層の
材料としてＩｎＧａＮＡｓを用いる事ができ基板結晶と
の格子不整合度を少なくできる。図４に、Ｉｎ（ｘ）Ｇ
ａ（１−ｘ）Ｎ（ｙ）Ａｓ（１−ｙ）における混晶組成
と格子歪およびバンドギャップの関係を表す。
を用いる事から、格子定数の小さいＧａＰ、Ｓｉまたは
ＧａＡｓを基板結晶として用いる事が望ましい。 特
に、ＧａＡｓを基板結晶として用いる場合は、活性層の
材料としてＩｎＧａＮＡｓを用いる事ができ基板結晶と
の格子不整合度を少なくできる。図４に、Ｉｎ（ｘ）Ｇ
ａ（１−ｘ）Ｎ（ｙ）Ａｓ（１−ｙ）における混晶組成
と格子歪およびバンドギャップの関係を表す。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１及び図５〜１０
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００２２】［実施例１］第１の実施例は、本発明をｎ
型ＧａＰ基板上１．３μｍ帯逆メサ構造屈折率導波型半
導体レーザに適用したものである。以下、図１を用いて
説明する。図１（ａ）は、断面構造を、図１（ｂ）は活
性層の拡大図を示している。次に、素子の作製方法につ
いて述べる。ｎ型（１００）ＧａＰ基板１上に、ｎ−Ｇ
ａＰクラッド層（ｄ（層厚）＝１μｍ、Ｅｇ（バンドギ
ャップ）＝２．２ｅＶ）２、３ｎｍ厚のＧａ ＮＰと１
ｎｍ厚のＧａＮＡｓを交互に２５回積層した応力補償型
超格子光ガイド層（ｄ＝１００ｎｍ、Ｅｇ＝１．８ｅ
Ｖ）３及び５とＧａＮＡｓ井戸層（ｄ＝７ｎｍ、Ｅｇ＝
０．８ｅＶ）４から構成される歪量子井戸活性層６、ｐ
−ＧａＰクラッド層（ｄ＝２μｍ、Ｅｇ＝２．２ｅＶ）
７、ｐ−ＧａＰキャップ層８をＣＢＥ法により順次形成
する。ｎ型ドーパントとしてはＳｉを、ｐ型ドーパント
としてはＣを用いた。本量子井戸活性層のΔＥｃは約６
００ｍｅＶである。次に、酸化膜をマスクにホトエッチ
ング工程により、図１（ａ）に示すようなリッジを形成
する。このときのエッチングはウエット、ＲＩＥ、ＲＩ
ＢＥ、イオンミリング等、方法を問わない。エッチング
はｐ−ＧａＰクラッド層７の途中で止まるようにする。
このときのリッジ幅は１〜１５μmとする。次に、エッ
チングマスクとして用いた酸化膜を選択成長のマスクと
して、図１に示すようにｎ−ＧａＰ電流狭窄層９をＣＢ
Ｅ法により形成する。その後成長炉からウエファを取り
だし、エッチングにより選択成長マスクとして用いた酸
化膜を除去する。その後、ｐ−ＧａＰコンタクト層１０
をＣＢＥ法により形成する。ｐ側電極１１、ｎ側電極１
２を形成した後、劈開法により共振器長約９００μmの
レーザ素子を得た。この後、素子の前面にλ／４（λ：
発振波長）の厚みのＳｉＯ２による低反射膜を、素子の
後面にＳｉＯ２とａ−Ｓｉからなる４層膜による高反射
膜を形成した。その後、素子を接合面を下にして、ヒー
トシンク上にボンディングした。試作した素子はリッジ
幅３μmの素子で、しきい値電流約１０ｍＡで室温連続
発振し、その発振波長は約１．３μmであった。また、
２５℃から８５℃の範囲におけるＴoは１８０Kであっ
た。
型ＧａＰ基板上１．３μｍ帯逆メサ構造屈折率導波型半
導体レーザに適用したものである。以下、図１を用いて
説明する。図１（ａ）は、断面構造を、図１（ｂ）は活
性層の拡大図を示している。次に、素子の作製方法につ
いて述べる。ｎ型（１００）ＧａＰ基板１上に、ｎ−Ｇ
ａＰクラッド層（ｄ（層厚）＝１μｍ、Ｅｇ（バンドギ
ャップ）＝２．２ｅＶ）２、３ｎｍ厚のＧａ ＮＰと１
ｎｍ厚のＧａＮＡｓを交互に２５回積層した応力補償型
超格子光ガイド層（ｄ＝１００ｎｍ、Ｅｇ＝１．８ｅ
Ｖ）３及び５とＧａＮＡｓ井戸層（ｄ＝７ｎｍ、Ｅｇ＝
０．８ｅＶ）４から構成される歪量子井戸活性層６、ｐ
−ＧａＰクラッド層（ｄ＝２μｍ、Ｅｇ＝２．２ｅＶ）
７、ｐ−ＧａＰキャップ層８をＣＢＥ法により順次形成
する。ｎ型ドーパントとしてはＳｉを、ｐ型ドーパント
としてはＣを用いた。本量子井戸活性層のΔＥｃは約６
００ｍｅＶである。次に、酸化膜をマスクにホトエッチ
ング工程により、図１（ａ）に示すようなリッジを形成
する。このときのエッチングはウエット、ＲＩＥ、ＲＩ
ＢＥ、イオンミリング等、方法を問わない。エッチング
はｐ−ＧａＰクラッド層７の途中で止まるようにする。
このときのリッジ幅は１〜１５μmとする。次に、エッ
チングマスクとして用いた酸化膜を選択成長のマスクと
して、図１に示すようにｎ−ＧａＰ電流狭窄層９をＣＢ
Ｅ法により形成する。その後成長炉からウエファを取り
だし、エッチングにより選択成長マスクとして用いた酸
化膜を除去する。その後、ｐ−ＧａＰコンタクト層１０
をＣＢＥ法により形成する。ｐ側電極１１、ｎ側電極１
２を形成した後、劈開法により共振器長約９００μmの
レーザ素子を得た。この後、素子の前面にλ／４（λ：
発振波長）の厚みのＳｉＯ２による低反射膜を、素子の
後面にＳｉＯ２とａ−Ｓｉからなる４層膜による高反射
膜を形成した。その後、素子を接合面を下にして、ヒー
トシンク上にボンディングした。試作した素子はリッジ
幅３μmの素子で、しきい値電流約１０ｍＡで室温連続
発振し、その発振波長は約１．３μmであった。また、
２５℃から８５℃の範囲におけるＴoは１８０Kであっ
た。
【００２３】なお、上述した超格子光ガイド層をＧａＮ
ＰＡｓ４元混晶層としてもよい。
ＰＡｓ４元混晶層としてもよい。
【００２４】［実施例２］第２の実施例は、本発明をｎ
型Ｓｉ基板上１．５５μｍ帯順メサ構造屈折率導波型半
導体レーザに適用したものである。以下、図５を用いて
説明する。図５（ａ）は、断面構造を、図５（ｂ）は活
性層の拡大図を示している。次に、素子作製方法につい
て述べる。ｎ型（５１１）Ｓｉ基板１３上に、Ｓｉバッ
ファ層１４、Ｓｉ基板に格子整合したｎ−ＧａＮＰクラ
ッド層（ｄ＝２μｍ、Ｅｇ＝１．９ｅＶ）１５、Ｓｉ障
壁層（ｄ＝１０ｎｍ、Ｅｇ＝１．１ｅＶ）１７、１９、
２１及び２３とＧａＮＡｓ井戸層（ｄ＝７ｎｍ、Ｅｇ＝
０．７ｅＶ）１８、２０及び２２、及びＧａＩｎＮＰ光
ガイド層（ｄ＝４０ｎｍ、Ｅｇ＝１．５ｅＶ）１６及び
２４とから構成される歪多重量子井戸活性層２５、Ｓｉ
基板に格子整合したｐ−ＧａＮＰクラッド層（ｄ＝２μ
ｍ、Ｅｇ＝１．９ｅＶ）２６、ｐ−ＧａＰキャップ層２
７をガスソースＭＢＥ法により順次形成する。ｎ型ドー
パントとしてはＳｉを、ｐ型ドーパントとしてはＢｅを
用いた。本量子井戸活性層のΔＥｃは約２００ｍｅＶで
ある。次に、酸化膜をマスクにホトエッチング工程によ
り、図５（ａ）に示すようなリッジを形成する。このと
きのエッチングはウエット、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ、イオン
ミリング等、方法を問わない。このときのリッジ幅は１
〜１５μmとする。次に、エッチングマスクとして用い
た酸化膜を除去した後に、ＳｉＯ２酸化膜の電流狭窄層
２８を形成する。その後、ｐ側電極１１、ｎ側電極１２
を形成した後、劈開法により共振器長約９００μmのレ
ーザ素子を得た。この後、素子の前面にλ／４（λ：発
振波長）の厚みのＡｌ２Ｏ３（アルミナ）による低反射
膜を、素子の後面にＳｉＯ２とａ−Ｓｉからなる４層膜
による高反射膜を形成した。その後、素子を接合面を上
にして、ヒートシンク上にボンディングした。試作した
素子はリッジ幅３μmの素子で、しきい値電流約１０ｍ
Ａで室温連続発振し、その発振波長は約１．５５μmで
あった。また、２５℃から８５℃の範囲におけるＴoは
１３０Kであった。
型Ｓｉ基板上１．５５μｍ帯順メサ構造屈折率導波型半
導体レーザに適用したものである。以下、図５を用いて
説明する。図５（ａ）は、断面構造を、図５（ｂ）は活
性層の拡大図を示している。次に、素子作製方法につい
て述べる。ｎ型（５１１）Ｓｉ基板１３上に、Ｓｉバッ
ファ層１４、Ｓｉ基板に格子整合したｎ−ＧａＮＰクラ
ッド層（ｄ＝２μｍ、Ｅｇ＝１．９ｅＶ）１５、Ｓｉ障
壁層（ｄ＝１０ｎｍ、Ｅｇ＝１．１ｅＶ）１７、１９、
２１及び２３とＧａＮＡｓ井戸層（ｄ＝７ｎｍ、Ｅｇ＝
０．７ｅＶ）１８、２０及び２２、及びＧａＩｎＮＰ光
ガイド層（ｄ＝４０ｎｍ、Ｅｇ＝１．５ｅＶ）１６及び
２４とから構成される歪多重量子井戸活性層２５、Ｓｉ
基板に格子整合したｐ−ＧａＮＰクラッド層（ｄ＝２μ
ｍ、Ｅｇ＝１．９ｅＶ）２６、ｐ−ＧａＰキャップ層２
７をガスソースＭＢＥ法により順次形成する。ｎ型ドー
パントとしてはＳｉを、ｐ型ドーパントとしてはＢｅを
用いた。本量子井戸活性層のΔＥｃは約２００ｍｅＶで
ある。次に、酸化膜をマスクにホトエッチング工程によ
り、図５（ａ）に示すようなリッジを形成する。このと
きのエッチングはウエット、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ、イオン
ミリング等、方法を問わない。このときのリッジ幅は１
〜１５μmとする。次に、エッチングマスクとして用い
た酸化膜を除去した後に、ＳｉＯ２酸化膜の電流狭窄層
２８を形成する。その後、ｐ側電極１１、ｎ側電極１２
を形成した後、劈開法により共振器長約９００μmのレ
ーザ素子を得た。この後、素子の前面にλ／４（λ：発
振波長）の厚みのＡｌ２Ｏ３（アルミナ）による低反射
膜を、素子の後面にＳｉＯ２とａ−Ｓｉからなる４層膜
による高反射膜を形成した。その後、素子を接合面を上
にして、ヒートシンク上にボンディングした。試作した
素子はリッジ幅３μmの素子で、しきい値電流約１０ｍ
Ａで室温連続発振し、その発振波長は約１．５５μmで
あった。また、２５℃から８５℃の範囲におけるＴoは
１３０Kであった。
【００２５】［実施例３］第３の実施例は、本発明をｐ
型Ｓｉ基板上１．３μｍ帯分布帰還型半導体レーザに適
用したものである。
型Ｓｉ基板上１．３μｍ帯分布帰還型半導体レーザに適
用したものである。
【００２６】以下、図６を用いて説明する。図６（ａ）
は、断面構造を、図６（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線光軸
方向断面図を示している。次に、素子作製方法について
述べる。ｐ型（１１１）Ｓｉ基板２９上に、ｐ−ＧａＮ
Ｐクラッド層（ｄ＝２μｍ、Ｅｇ＝１．９ｅＶ）３０を
ＣＢＥ法により成長した後、回折格子３１を形成する。
その後、ｐ−ＧａＩｎＮＰ光ガイド層（ｄ＝１００ｎ
ｍ、Ｅｇ＝１．６ｅＶ）３１、ＧａＮＡｓ歪量子井戸活
性層（ｄ＝７ｎｍ、Ｅｇ＝０．８ｅＶ）３３、ｎ−Ｇａ
ＮＰクラッド層（ｄ＝０．４μｍ、Ｅｇ＝１．９ｅＶ）
３４を、ＯＭＶＰＥ法により順次形成する。ｎ型ドーパ
ントとしてはＳｅを、ｐ型ドーパントとしてはＺｎを用
いた。本量子井戸活性層のΔＥｃは約５００ｍｅＶであ
る。
は、断面構造を、図６（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線光軸
方向断面図を示している。次に、素子作製方法について
述べる。ｐ型（１１１）Ｓｉ基板２９上に、ｐ−ＧａＮ
Ｐクラッド層（ｄ＝２μｍ、Ｅｇ＝１．９ｅＶ）３０を
ＣＢＥ法により成長した後、回折格子３１を形成する。
その後、ｐ−ＧａＩｎＮＰ光ガイド層（ｄ＝１００ｎ
ｍ、Ｅｇ＝１．６ｅＶ）３１、ＧａＮＡｓ歪量子井戸活
性層（ｄ＝７ｎｍ、Ｅｇ＝０．８ｅＶ）３３、ｎ−Ｇａ
ＮＰクラッド層（ｄ＝０．４μｍ、Ｅｇ＝１．９ｅＶ）
３４を、ＯＭＶＰＥ法により順次形成する。ｎ型ドーパ
ントとしてはＳｅを、ｐ型ドーパントとしてはＺｎを用
いた。本量子井戸活性層のΔＥｃは約５００ｍｅＶであ
る。
【００２７】ＣＶＤ法によりＳiＯ2 膜を被着しホトリ
ソ工程を経た後、ＳiＯ2 膜をマスクとしてウェットエ
ッチングにより図中に示されるような変曲点の無い滑ら
かな側面を有するメサストライプを形成する。また活性
層幅は１．３〜１．８μｍ、メサ深さは２.５〜３．７
μｍである。次に、ＳiＯ2膜を被着したまま、ＯＭＶＰ
Ｅ法により、メサストライプの側面をｐ−ＧａＮＰ埋込
層(層厚０.５〜１μｍ)３５、ｎ−ＧａＮＰ埋込層(層厚
０.５〜１μｍ)３６、ｐ−ＧａＮＰ埋込層(層厚１〜３
μｍ)３７、ｎ−ＧａＮＰ層(層厚０.５μｍ)３８で埋め
込む。以上のようにして埋め込んだ構造においては、リ
−ク電流の要因であるｎ-ｎ接続の無い理想的なブロッ
ク層構造となる。また、ｎ−ＧａＮＰ層３８はｐ-ｎ接
合と再成長界面を分離するために設けたもので、本発明
においては特に挿入を限定されるものでは無い。
ソ工程を経た後、ＳiＯ2 膜をマスクとしてウェットエ
ッチングにより図中に示されるような変曲点の無い滑ら
かな側面を有するメサストライプを形成する。また活性
層幅は１．３〜１．８μｍ、メサ深さは２.５〜３．７
μｍである。次に、ＳiＯ2膜を被着したまま、ＯＭＶＰ
Ｅ法により、メサストライプの側面をｐ−ＧａＮＰ埋込
層(層厚０.５〜１μｍ)３５、ｎ−ＧａＮＰ埋込層(層厚
０.５〜１μｍ)３６、ｐ−ＧａＮＰ埋込層(層厚１〜３
μｍ)３７、ｎ−ＧａＮＰ層(層厚０.５μｍ)３８で埋め
込む。以上のようにして埋め込んだ構造においては、リ
−ク電流の要因であるｎ-ｎ接続の無い理想的なブロッ
ク層構造となる。また、ｎ−ＧａＮＰ層３８はｐ-ｎ接
合と再成長界面を分離するために設けたもので、本発明
においては特に挿入を限定されるものでは無い。
【００２８】次に、ＳiＯ2膜を除去した後、ＯＭＶＰＥ
成長法によりｎ−ＧａＮＰ平坦化層(層厚２μｍ)３９、
ｎ−ＧａＰキャップ層(層厚０．３μｍ)４０で平坦に埋
め込む。ＳｉＮｘの電流狭窄層４１形成した後、ｎ電極
１２、ｐ電極１１を蒸着により形成し素子化を行った。
その後、共振器長１５０〜４００μｍに劈開し、前端面
に反射率１％の低反射率膜、後端面に反射率８０％の高
反射率膜を施した。
成長法によりｎ−ＧａＮＰ平坦化層(層厚２μｍ)３９、
ｎ−ＧａＰキャップ層(層厚０．３μｍ)４０で平坦に埋
め込む。ＳｉＮｘの電流狭窄層４１形成した後、ｎ電極
１２、ｐ電極１１を蒸着により形成し素子化を行った。
その後、共振器長１５０〜４００μｍに劈開し、前端面
に反射率１％の低反射率膜、後端面に反射率８０％の高
反射率膜を施した。
【００２９】その後、素子を接合面を上にして、ヒート
シンク上にボンディングした。試作した素子は、しきい
値電流約１０ｍＡで室温連続発振し、その発振波長は約
１．３μmであった。また、２５℃から８５℃の範囲に
おけるＴoは１５０Kであった。
シンク上にボンディングした。試作した素子は、しきい
値電流約１０ｍＡで室温連続発振し、その発振波長は約
１．３μmであった。また、２５℃から８５℃の範囲に
おけるＴoは１５０Kであった。
【００３０】［実施例４］第４の実施例は、本発明をｎ
型ＧａＡｓ基板上１．３μｍ帯利得導波型半導体レーザ
に適用したものである。以下、図７を用いて説明する。
図７（ａ）は、断面構造を、図７（ｂ）は活性層の拡大
図を示している。次に、素子の作製方法について述べ
る。ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ＧａＡｓバッファ層
１０２、ｎ−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓクラッ
ド層１０３、Ａｌ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ障壁層
（層厚１００ｎｍ）１１０及び１１２とＩｎ（０．０
８）Ｇａ（０．９２）Ｎ（０．０３）Ａｓ（０．９７）
井戸層（層厚１０ｎｍ）１１１から構成される無歪単一
量子井戸活性層１０４、ｐ−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．
６）Ａｓクラッド層１０５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１
０６を、ガスソースＭＢＥ法により順次形成する。ｎ型
ドーパントとしてはＳｉを、ｐ型ドーパントとしてはＢ
ｅを用いた。次に、図７（ａ）に示すようにＳｉＮｘ窒
化膜を堆積し、電流狭窄層１０７を形成する。ｐ側電極
１０８、ｎ側電極１０９を形成した後、劈開法により共
振器長約４００μmのレーザ素子を得た。この後、素子
の前面にλ／４（λ：発振波長）の厚みのＳｉＯ２によ
る低反射膜を、素子の後面にＳｉＯ２とａ−Ｓｉからな
る４層膜による高反射膜を形成した。その後、素子を接
合面を下にして、ヒートシンク上にボンディングした。
試作した素子はストライプ幅５μmの素子で、しきい値
電流約５０ｍＡで室温連続発振し、その発振波長は約
１．３μmであった。また、２５℃から８５℃の範囲に
おけるＴoは１４０Kであった。
型ＧａＡｓ基板上１．３μｍ帯利得導波型半導体レーザ
に適用したものである。以下、図７を用いて説明する。
図７（ａ）は、断面構造を、図７（ｂ）は活性層の拡大
図を示している。次に、素子の作製方法について述べ
る。ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ＧａＡｓバッファ層
１０２、ｎ−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓクラッ
ド層１０３、Ａｌ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ障壁層
（層厚１００ｎｍ）１１０及び１１２とＩｎ（０．０
８）Ｇａ（０．９２）Ｎ（０．０３）Ａｓ（０．９７）
井戸層（層厚１０ｎｍ）１１１から構成される無歪単一
量子井戸活性層１０４、ｐ−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．
６）Ａｓクラッド層１０５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１
０６を、ガスソースＭＢＥ法により順次形成する。ｎ型
ドーパントとしてはＳｉを、ｐ型ドーパントとしてはＢ
ｅを用いた。次に、図７（ａ）に示すようにＳｉＮｘ窒
化膜を堆積し、電流狭窄層１０７を形成する。ｐ側電極
１０８、ｎ側電極１０９を形成した後、劈開法により共
振器長約４００μmのレーザ素子を得た。この後、素子
の前面にλ／４（λ：発振波長）の厚みのＳｉＯ２によ
る低反射膜を、素子の後面にＳｉＯ２とａ−Ｓｉからな
る４層膜による高反射膜を形成した。その後、素子を接
合面を下にして、ヒートシンク上にボンディングした。
試作した素子はストライプ幅５μmの素子で、しきい値
電流約５０ｍＡで室温連続発振し、その発振波長は約
１．３μmであった。また、２５℃から８５℃の範囲に
おけるＴoは１４０Kであった。
【００３１】［実施例５］第５の実施例は、本発明をｎ
型ＧａＡｓ基板上１．３μｍ帯逆メサ構造屈折率導波型
半導体レーザに適用したものである。以下、図８を用い
て説明する。図８（ａ）は、断面構造を、図８（ｂ）は
活性層の拡大図を示している。次に、素子の作製方法に
ついて述べる。ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ＧａＡｓ
バッファ層１０２、ＧａＡｓ基板に格子整合したｎ−Ｉ
ｎＧａＰクラッド層１２１、１ｎｍ厚のＩｎＧａＰと１
ｎｍ厚のＧａＡｓを交互に５０回積層した超格子障壁層
（層厚１００ｎｍ）１２８及び１３０とＩｎ（０．２
０）Ｇａ（０．８０）Ｎ（０．０２）Ａｓ（０．９８）
井戸層（層厚７ｎｍ）１２９から構成される歪量子井戸
活性層１２２、ＧａＡｓ基板に格子整合したｐ−ＩｎＧ
ａＰクラッド層１２３、ｐ−ＧａＡｓ光導波路層１２
４、ＧａＡｓに格子整合したｐ−ＩｎＧａＰクラッド層
１２５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１２６をＯＭＶＰＥ法
により順次形成する。この時の、ＩｎＧａＮＡｓ歪量子
井戸層の歪量は＋１％である。ｎ型ドーパントとしては
Ｓｅを、ｐ型ドーパントとしてはＺｎを用いた。次に、
酸化膜をマスクにホトエッチング工程により、図８
（ａ）に示すようなリッジを形成する。このときのエッ
チングはウエット、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ、イオンミリング
等、方法を問わない。エッチングはｐ−ＧａＡｓ光導波
路層１２４を完全に除去し、且つ歪量子井戸活性層１２
２に達しないようにｐ−ＩｎＧａＰクラッド層１２３の
途中で止まるようにする。このときのリッジ幅は１〜１
５μmとする。次に、エッチングマスクとして用いた酸
化膜を選択成長のマスクとして、図８に示すようにｎ−
ＩｎＧａＰ電流狭窄層１２７をＯＭＶＰＥ法により選択
成長する。その後成長炉からウエファを取りだし、エッ
チングにより選択成長マスクとして用いた酸化膜を除去
する。その後、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０６をＯＭ
ＶＰＥ法により形成する。ｐ側電極１０８、ｎ側電極１
０９を形成した後、劈開法により共振器長約９００μm
のレーザ素子を得た。この後、素子の前面にλ／４
（λ：発振波長）の厚みのＳｉＯ２による低反射膜を、
素子の後面にＳｉＯ２とａ−Ｓｉからなる４層膜による
高反射膜を形成した。その後、素子を接合面を下にし
て、ヒートシンク上にボンディングした。試作した素子
はリッジ幅３μmの素子で、しきい値電流約１０ｍＡで
室温連続発振し、その発振波長は約１．３μmであっ
た。また、２５℃から８５℃の範囲におけるＴoは１５
０Kであった。
型ＧａＡｓ基板上１．３μｍ帯逆メサ構造屈折率導波型
半導体レーザに適用したものである。以下、図８を用い
て説明する。図８（ａ）は、断面構造を、図８（ｂ）は
活性層の拡大図を示している。次に、素子の作製方法に
ついて述べる。ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ＧａＡｓ
バッファ層１０２、ＧａＡｓ基板に格子整合したｎ−Ｉ
ｎＧａＰクラッド層１２１、１ｎｍ厚のＩｎＧａＰと１
ｎｍ厚のＧａＡｓを交互に５０回積層した超格子障壁層
（層厚１００ｎｍ）１２８及び１３０とＩｎ（０．２
０）Ｇａ（０．８０）Ｎ（０．０２）Ａｓ（０．９８）
井戸層（層厚７ｎｍ）１２９から構成される歪量子井戸
活性層１２２、ＧａＡｓ基板に格子整合したｐ−ＩｎＧ
ａＰクラッド層１２３、ｐ−ＧａＡｓ光導波路層１２
４、ＧａＡｓに格子整合したｐ−ＩｎＧａＰクラッド層
１２５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１２６をＯＭＶＰＥ法
により順次形成する。この時の、ＩｎＧａＮＡｓ歪量子
井戸層の歪量は＋１％である。ｎ型ドーパントとしては
Ｓｅを、ｐ型ドーパントとしてはＺｎを用いた。次に、
酸化膜をマスクにホトエッチング工程により、図８
（ａ）に示すようなリッジを形成する。このときのエッ
チングはウエット、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ、イオンミリング
等、方法を問わない。エッチングはｐ−ＧａＡｓ光導波
路層１２４を完全に除去し、且つ歪量子井戸活性層１２
２に達しないようにｐ−ＩｎＧａＰクラッド層１２３の
途中で止まるようにする。このときのリッジ幅は１〜１
５μmとする。次に、エッチングマスクとして用いた酸
化膜を選択成長のマスクとして、図８に示すようにｎ−
ＩｎＧａＰ電流狭窄層１２７をＯＭＶＰＥ法により選択
成長する。その後成長炉からウエファを取りだし、エッ
チングにより選択成長マスクとして用いた酸化膜を除去
する。その後、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０６をＯＭ
ＶＰＥ法により形成する。ｐ側電極１０８、ｎ側電極１
０９を形成した後、劈開法により共振器長約９００μm
のレーザ素子を得た。この後、素子の前面にλ／４
（λ：発振波長）の厚みのＳｉＯ２による低反射膜を、
素子の後面にＳｉＯ２とａ−Ｓｉからなる４層膜による
高反射膜を形成した。その後、素子を接合面を下にし
て、ヒートシンク上にボンディングした。試作した素子
はリッジ幅３μmの素子で、しきい値電流約１０ｍＡで
室温連続発振し、その発振波長は約１．３μmであっ
た。また、２５℃から８５℃の範囲におけるＴoは１５
０Kであった。
【００３２】なお、上述した超格子障壁層をＩｎＧａＡ
ｓＰ４元混晶層としてもよい。更に、ＩｎＧａＰクラッ
ド層をＩｎＧａＡｌＰクラッド層としてもよい。
ｓＰ４元混晶層としてもよい。更に、ＩｎＧａＰクラッ
ド層をＩｎＧａＡｌＰクラッド層としてもよい。
【００３３】［実施例６］第６の実施例は、本発明をｎ
型ＧａＡｓ基板上１．５５μｍ帯順メサ構造屈折率導波
型半導体レーザに適用したものである。以下、図９を用
いて説明する。図９（ａ）は、断面構造を、図９（ｂ）
は活性層の拡大図を示している。次に、素子作製方法に
ついて述べる。ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ＧａＡｓ
バッファ層１０２、ＧａＡｓ基板に格子整合したｎ−Ｉ
ｎＧａＰクラッド層１２１、ＧａＡｓ障壁層（層厚１０
ｎｍ）１３２、１３４、１３６及び１３８とＩｎ（０．
１５）Ｇａ（０．８５）Ｎ（０．０３）Ａｓ（０．９
７）井戸層（層厚７ｎｍ）１３３、１３５及び１３７、
及びＡｌ（０．１）Ｇａ（０．９）Ａｓ光ガイド層（層
厚４０ｎｍ）１３１及び１３９とから構成される歪多重
量子井戸活性層１３０、ＧａＡｓ基板に格子整合したｐ
−ＩｎＧａＰクラッド層１２３、ｐ−ＧａＡｓキャップ
層１０６をＣＢＥ法により順次形成する。この時の、Ｉ
ｎＧａＮＡｓ歪量子井戸層の歪量は＋０．５％である。
ｎ型ドーパントとしてはＳｉを、ｐ型ドーパントとして
はＣを用いた。次に、酸化膜をマスクにホトエッチング
工程により、図９（ａ）に示すようなリッジを形成す
る。このときのエッチングはウエット、ＲＩＥ、ＲＩＢ
Ｅ、イオンミリング等、方法を問わない。このときのリ
ッジ幅は１〜１５μmとする。次に、エッチングマスク
として用いた酸化膜を除去した後に、ＳｉＯ２酸化膜の
電流狭窄層１０７を形成する。その後、ｐ側電極１０
８、ｎ側電極１０９を形成した後、劈開法により共振器
長約９００μmのレーザ素子を得た。この後、素子の前
面にλ／４（λ：発振波長）の厚みのＡｌ２Ｏ３（アル
ミナ）による低反射膜を、素子の後面にＳｉＯ２とａ−
Ｓｉからなる４層膜による高反射膜を形成した。その
後、素子を接合面を上にして、ヒートシンク上にボンデ
ィングした。試作した素子はリッジ幅３μmの素子で、
しきい値電流約１０ｍＡで室温連続発振し、その発振波
長は約１．５５μmであった。また、２５℃から８５℃
の範囲におけるＴoは１５０Kであった。
型ＧａＡｓ基板上１．５５μｍ帯順メサ構造屈折率導波
型半導体レーザに適用したものである。以下、図９を用
いて説明する。図９（ａ）は、断面構造を、図９（ｂ）
は活性層の拡大図を示している。次に、素子作製方法に
ついて述べる。ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ＧａＡｓ
バッファ層１０２、ＧａＡｓ基板に格子整合したｎ−Ｉ
ｎＧａＰクラッド層１２１、ＧａＡｓ障壁層（層厚１０
ｎｍ）１３２、１３４、１３６及び１３８とＩｎ（０．
１５）Ｇａ（０．８５）Ｎ（０．０３）Ａｓ（０．９
７）井戸層（層厚７ｎｍ）１３３、１３５及び１３７、
及びＡｌ（０．１）Ｇａ（０．９）Ａｓ光ガイド層（層
厚４０ｎｍ）１３１及び１３９とから構成される歪多重
量子井戸活性層１３０、ＧａＡｓ基板に格子整合したｐ
−ＩｎＧａＰクラッド層１２３、ｐ−ＧａＡｓキャップ
層１０６をＣＢＥ法により順次形成する。この時の、Ｉ
ｎＧａＮＡｓ歪量子井戸層の歪量は＋０．５％である。
ｎ型ドーパントとしてはＳｉを、ｐ型ドーパントとして
はＣを用いた。次に、酸化膜をマスクにホトエッチング
工程により、図９（ａ）に示すようなリッジを形成す
る。このときのエッチングはウエット、ＲＩＥ、ＲＩＢ
Ｅ、イオンミリング等、方法を問わない。このときのリ
ッジ幅は１〜１５μmとする。次に、エッチングマスク
として用いた酸化膜を除去した後に、ＳｉＯ２酸化膜の
電流狭窄層１０７を形成する。その後、ｐ側電極１０
８、ｎ側電極１０９を形成した後、劈開法により共振器
長約９００μmのレーザ素子を得た。この後、素子の前
面にλ／４（λ：発振波長）の厚みのＡｌ２Ｏ３（アル
ミナ）による低反射膜を、素子の後面にＳｉＯ２とａ−
Ｓｉからなる４層膜による高反射膜を形成した。その
後、素子を接合面を上にして、ヒートシンク上にボンデ
ィングした。試作した素子はリッジ幅３μmの素子で、
しきい値電流約１０ｍＡで室温連続発振し、その発振波
長は約１．５５μmであった。また、２５℃から８５℃
の範囲におけるＴoは１５０Kであった。
【００３４】なお、上述した実施例の光ガイド層の組成
を連続的もしくは段階的に変化させたＧＲＩＮ（Ｇｒａ
ｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ）構造としてもよい。
を連続的もしくは段階的に変化させたＧＲＩＮ（Ｇｒａ
ｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ）構造としてもよい。
【００３５】［実施例７］第７の実施例は、本発明をｐ
型ＧａＡｓ基板上１．３μｍ帯分布帰還型半導体レーザ
に適用したものである。以下、図１０を用いて説明す
る。図１０（ａ）は、断面構造を、図１０（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線光軸方向断面図を示している。次
に、素子作製方法について述べる。ｐ−ＧａＡｓ基板１
４１上に、ｐ−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓクラ
ッド層（層厚１．５μｍ)１４２をＣＢＥ法により成長
した後、回折格子１４３を形成する。その後、ｐ−Ａｌ
（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ光ガイド層（層厚１００
ｎｍ）１４４、ＧａＮ（０．０３）Ａｓ（０．８２）Ｓ
ｂ（０．１５）無歪活性層（層厚５０ｎｍ）１４５、ｎ
−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓクラッド層（層厚
０．４μｍ）１４６を、ＣＢＥ法により順次形成する。
型ＧａＡｓ基板上１．３μｍ帯分布帰還型半導体レーザ
に適用したものである。以下、図１０を用いて説明す
る。図１０（ａ）は、断面構造を、図１０（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線光軸方向断面図を示している。次
に、素子作製方法について述べる。ｐ−ＧａＡｓ基板１
４１上に、ｐ−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓクラ
ッド層（層厚１．５μｍ)１４２をＣＢＥ法により成長
した後、回折格子１４３を形成する。その後、ｐ−Ａｌ
（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ光ガイド層（層厚１００
ｎｍ）１４４、ＧａＮ（０．０３）Ａｓ（０．８２）Ｓ
ｂ（０．１５）無歪活性層（層厚５０ｎｍ）１４５、ｎ
−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓクラッド層（層厚
０．４μｍ）１４６を、ＣＢＥ法により順次形成する。
【００３６】ＣＶＤ法によりＳiＯ2 膜を被着しホトリ
ソ工程を経た後、ＳiＯ2 膜をマスクとしてウェットエ
ッチングにより図中に示されるような変曲点の無い滑ら
かな側面を有するメサストライプを形成する。また活性
層幅は１．３〜１．８μｍ、メサ深さは２.５〜３．７
μｍである。次に、ＳiＯ2膜を被着したまま、ＯＭＶＰ
Ｅ法により、メサストライプの側面をｐ−Ａｌ（０．
４）Ｇａ（０．６）Ａｓ埋込層１４７(層厚０.５〜１μ
ｍ)、ｎ−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓ埋込層１
４８(層厚０.５〜１μｍ)、ｐ−Ａｌ（０．４）Ｇａ
（０．６）Ａｓ埋込層１４９(層厚１〜３μｍ)、ｎ−Ａ
ｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓ層１５０(層厚０.５μ
ｍ)で埋め込む。以上のようにして埋め込んだ構造にお
いては、リ−ク電流の要因であるｎ-ｎ接続の無い理想
的なブロック層構造となる。また、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層
１５０はｐ-ｎ接合と再成長界面を分離するために設け
たもので、本発明においては特に挿入を限定されるもの
では無い。
ソ工程を経た後、ＳiＯ2 膜をマスクとしてウェットエ
ッチングにより図中に示されるような変曲点の無い滑ら
かな側面を有するメサストライプを形成する。また活性
層幅は１．３〜１．８μｍ、メサ深さは２.５〜３．７
μｍである。次に、ＳiＯ2膜を被着したまま、ＯＭＶＰ
Ｅ法により、メサストライプの側面をｐ−Ａｌ（０．
４）Ｇａ（０．６）Ａｓ埋込層１４７(層厚０.５〜１μ
ｍ)、ｎ−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓ埋込層１
４８(層厚０.５〜１μｍ)、ｐ−Ａｌ（０．４）Ｇａ
（０．６）Ａｓ埋込層１４９(層厚１〜３μｍ)、ｎ−Ａ
ｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓ層１５０(層厚０.５μ
ｍ)で埋め込む。以上のようにして埋め込んだ構造にお
いては、リ−ク電流の要因であるｎ-ｎ接続の無い理想
的なブロック層構造となる。また、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層
１５０はｐ-ｎ接合と再成長界面を分離するために設け
たもので、本発明においては特に挿入を限定されるもの
では無い。
【００３７】次に、ＳiＯ2膜を除去した後、ＯＭＶＰＥ
成長法によりｎ−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓ平
坦化層１５１(層厚２μｍ)、ｎ−ＧａＡｓキャップ層１
５２(層厚０．３μｍ)で平坦に埋め込む。ＳiＯ2の電流
狭窄層１０７形成した後、ｎ電極１０９、ｐ電極１０８
を蒸着により形成し素子化を行った。その後、共振器長
１５０〜４００μｍに劈開し、前端面に反射率１％の低
反射率膜、後端面に反射率８０％の高反射率膜を施し
た。
成長法によりｎ−Ａｌ（０．４）Ｇａ（０．６）Ａｓ平
坦化層１５１(層厚２μｍ)、ｎ−ＧａＡｓキャップ層１
５２(層厚０．３μｍ)で平坦に埋め込む。ＳiＯ2の電流
狭窄層１０７形成した後、ｎ電極１０９、ｐ電極１０８
を蒸着により形成し素子化を行った。その後、共振器長
１５０〜４００μｍに劈開し、前端面に反射率１％の低
反射率膜、後端面に反射率８０％の高反射率膜を施し
た。
【００３８】その後、素子を接合面を上にして、ヒート
シンク上にボンディングした。試作した素子は、しきい
値電流約１０ｍＡで室温連続発振し、その発振波長は約
１．３μmであった。また、２５℃から８５℃の範囲に
おけるＴoは１２０Kであった。
シンク上にボンディングした。試作した素子は、しきい
値電流約１０ｍＡで室温連続発振し、その発振波長は約
１．３μmであった。また、２５℃から８５℃の範囲に
おけるＴoは１２０Kであった。
【００３９】上記実施例１から７より、本発明は半導体
レーザの構造、基板の面方位、基板の伝導型、ドーパン
トの元素、及び結晶成長の方法に依存しないことが分か
る。
レーザの構造、基板の面方位、基板の伝導型、ドーパン
トの元素、及び結晶成長の方法に依存しないことが分か
る。
【００４０】
【発明の効果】本発明により、２５℃から８５℃の範囲
におけるＴoが１００Kを越える高温動作特性の非常に優
れた光通信用半導体レーザを提供することができた。
におけるＴoが１００Kを越える高温動作特性の非常に優
れた光通信用半導体レーザを提供することができた。
【図１】本発明による第１の実施例を示した図。
【図２】従来材料と本発明の材料のバンドラインナップ
を表した図。
を表した図。
【図３】ΔＥｃとＴｏの関係を示した図。
【図４】Ｉｎ（ｘ）Ｇａ（１−ｘ）Ｎ（ｙ）Ａｓ（１−
ｙ）における混晶組成と格子歪およびバンドギャップの
関係を表した図。
ｙ）における混晶組成と格子歪およびバンドギャップの
関係を表した図。
【図５】本発明による第２の実施例を示した図。
【図６】本発明による第３の実施例を示した図。
【図７】本発明による第４の実施例を示した図。
【図８】本発明による第５の実施例を示した図。
【図９】本発明による第６の実施例を示した図。
【図１０】本発明による第７の実施例を示した図。
１ ｎ−ＧａＰ基板 ２ ｎ−ＧａＰクラッド層 ３、５ 光ガイド層 ４ ＧａＮＡｓ井戸層 ６ 単一量子井戸活性層 ７ ｐ−ＧａＰクラッド層 ８ ｐ−ＧａＰキャップ層 ９ ｎ−ＧａＰ電流狭窄層 １０ ｐ−ＧａＰコンタクト層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐川 みすず 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (26)
- 【請求項１】ＧａＰまたはＳｉ基板上に光を発生する活
性層と光を閉じ込めるクラッド層と発生した光からレー
ザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザにお
いて、温度特性を示すＴｏが１００K以上であることを
特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】ＧａＰまたはＳｉ基板上に光を発生する活
性層と光を閉じ込めるクラッド層と発生した光からレー
ザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザにお
いて、活性層が量子井戸構造であり、電子を井戸層に閉
じ込めるエネルギー（ΔＥｃ）が２００ｍｅＶ以上であ
ることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】ＧａＰまたはＳｉ基板上に光を発生する活
性層と光を閉じ込めるクラッド層と発生した光からレー
ザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザにお
いて、共振器方向に沿ってストライプ状に他の部分より
も屈折率の高い領域を領域を有し、尚且つ上記活性層の
少なくとも一部にＮを含むIII-V族混晶半導体が用いら
れていることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項４】請求項１から３のいずれか一に記載されて
いる半導体レーザにおいて、レーザ光の波長が１．２μ
mより長波長であることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項５】請求項１から３のいずれか一に記載されて
いる半導体レーザにおいて、レーザ光の波長が１．３μ
m帯または１．５５μm帯にあることを特徴とする半導体
レーザ。 - 【請求項６】請求項３から５のいずれか一に記載されて
いる半導体レーザにおいて、上記Ｎを含むIII-V族混晶
半導体が、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓＰ、及び
ＧａＩｎＮＰの群の中から選ばれる一つであることを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項７】請求項３から６のいずれか一に記載されて
いる半導体レーザにおいて、活性層が量子井戸構造であ
り、井戸層にＧａＮＡｓが、障壁層にＧａＮＰ、ＧａＮ
ＡｓＰ、ＧａＩｎＮＰ及びＳｉの群の中から選ばれる少
なくとも一つが用いられていることを特徴とする半導体
レーザ。 - 【請求項８】請求項１から７のいずれか一に記載されて
いる半導体レーザにおいて、クラッド層にＧａＰ、Ｇａ
ＮＰ、ＧａＮＡｓＰ、ＧａＩｎＮＰ及びＡｌＧａＰの群
の中から選ばれる一つが用いられていることを特徴とす
る半導体レーザ。 - 【請求項９】請求項１から８のいずれか一に記載されて
いる半導体レーザにおいて、光ガイド層を有しているこ
とを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項１０】請求項９に記載されている半導体レーザ
において、上記光ガイド層に、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ
Ｐ、ＧａＩｎＮＰ及びＳｉの群の中から選ばれる一つが
用いられていることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項１１】請求項９に記載されている半導体レーザ
において、上記光ガイド層が、ＧａＮＰとＧａＮＡｓが
交互に積層された超格子であることを特徴とする半導体
レーザ。 - 【請求項１２】ＧａＡｓ基板上に光を発生する活性層と
光を閉じ込めるクラッド層と発生した光からレーザ光を
得るための共振器構造を有する半導体レーザにおいて、
上記共振器構造が上記基板上にエピタキシャル成長によ
り形成されており、レーザ光の波長が１．２μmから
１．６μmまでの範囲にあることを特徴とする半導体レ
ーザ。 - 【請求項１３】請求項１２に記載されている半導体レー
ザにおいて、レーザ光の波長が１．３μm帯または１．
５５μm帯にあることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項１４】ＧａＡｓ基板上に光を発生する活性層と
光を閉じ込めるクラッド層と発生した光からレーザ光を
得るための共振器構造を有する半導体レーザにおいて、
上記活性層の少なくとも一部にＮを含むIII-V族半導体
が用いられていることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項１５】請求項１４に記載されている半導体レー
ザにおいて、レーザ光の波長が１．２μmよりも長波長
であることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項１６】請求項１４に記載されている半導体レー
ザにおいて、レーザ光の波長が１．３μm帯または１．
５５μm帯にあることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項１７】請求項１２から１６のいずれか一に記載
されている半導体レーザにおいて、温度特性を示すＴｏ
が１００K以上であることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項１８】請求項１２から１６のいずれか一に記載
されている半導体レーザにおいて、電子を閉じ込めるエ
ネルギー（ΔＥｃ）が２００ｍｅＶ以上であることを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項１９】請求項１４から１８のいずれか一に記載
されている半導体レーザにおいて、上記Ｎを含むIII-V
族半導体が、ＩｎＧａＮＡｓ、ＧａＮＡｓおよびＧａＮ
ＡｓＳｂの群の中から選ばれる一つであることを特徴と
する半導体レーザ。 - 【請求項２０】請求項１４から１９のいずれか一に記載
されている半導体レーザにおいて、上記Ｎを含むIII-V
族半導体のＮ組成が０．５以下であることを特徴とする
半導体レーザ。 - 【請求項２１】請求項１２から２０のいずれか一に記載
されている半導体レーザにおいて、式Δａ／ａ＝
［｛（Ｎを含むIII-V族半導体の格子定数）−（ＧａＡ
ｓの格子定数）｝／（ＧａＡｓの格子定数）］ ×１０
０（％）で定義される値が、−０．５％から＋１．５％
の間であることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２２】請求項１２から２１のいずれか一に記載
されている半導体レーザにおいて、上記活性層の少なく
とも一部に、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、及
びＩｎＧａＡｓＰの群の中から選ばれる一つが用いられ
ていることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２３】請求項１２から２２のいずれか一に記載
されている半導体レーザにおいて、上記活性層の少なく
とも一部に、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、及
びＩｎＧａＡｓＰの群の中から選ばれる二つで構成され
る超格子が用いられていることを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項２４】請求項１２から２３のいずれか一に記載
されている半導体レーザにおいて、上記クラッド層に、
ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｌＰ、及びＡｌＧａＡｓの群の
中から選ばれる一つが用いられていることを特徴とする
半導体レーザ。 - 【請求項２５】請求項１から２４のいずれか一に記載さ
れている半導体レーザが、ＯＭＶＰＥ法、ガスソースＭ
ＢＥ法、またはＣＢＥ法により作製されることを特徴と
する半導体レーザ。 - 【請求項２６】請求項１から２５のいずれか一に記載さ
れている半導体レーザにおいて、光通信システムの光源
として使用されることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29621094A JPH08195522A (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-30 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-281674 | 1994-11-16 | ||
| JP28167494 | 1994-11-16 | ||
| JP29621094A JPH08195522A (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-30 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195522A true JPH08195522A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=26554277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29621094A Pending JPH08195522A (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-30 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08195522A (ja) |
Cited By (20)
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| JP2006245595A (ja) * | 1996-08-27 | 2006-09-14 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
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-
1994
- 1994-11-30 JP JP29621094A patent/JPH08195522A/ja active Pending
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