JP2006229066A - 半導体発光素子およびその製造方法、並びに光学モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Ga1-x Inx Ny As1-y-z Sbz 混晶(0≦<x<1、0<y<1、0≦z<1、0<y+z<1)よりなる井戸層14Aと、GaNv As1-v 混晶(0≦v<1)よりなる障壁層14Bとを積層した活性層14を有する。活性層14における水素の不純物濃度は3×1019cm-3以下、アルミニウムの不純物濃度は1×1018cm-3以下となっている。これにより動作電流の増加が抑制され、長寿命化を図ることができる。水素濃度は、活性層14を成長させる際に窒素の原料として用いる有機窒素化合物の流量を少なくすることにより、低減することができる。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の一実施の形態に係る半導体発光素子である半導体レーザ10の断面構成を表すものである。この半導体レーザ10は、通信などに用いられる発振波長が1.1μm〜1.5μmの長波長レーザであり、例えば、基板11の表側に、第1クラッド層12,第1ガイド層13,活性層14,第2ガイド層15,第2クラッド層16,エッチングストップ層17,第3クラッド層18およびコンタクト層19が、基板11の側から順に積層された構成を有している。エッチングストップ層17,第3クラッド層18およびコンタクト層19は細い帯状の突条部(リッジ)となっており、その両側には二酸化ケイ素(SiO2 )などよりなる絶縁層20が形成されている。
図7は、このような半導体レーザ10を備えた光学モジュールの一構成例を概略的に表したものである。この光学モジュール100は、高速光通信システムにおいて光信号と電気信号とを変換するFEM(フロントエンドモジュール)などとして用いられるものであり、基体101上に、送信部110と受信部120とを備えている。送信部110および受信部120には、図示しないコネクタを介してファイバ130,140がそれぞれ接続されている。
Claims (9)
- 活性層に、ガリウム(Ga)とヒ素(As)と窒素(N)とを少なくとも含む化合物半導体よりなる井戸層を有する半導体発光素子であって、
前記活性層における水素(H)の不純物濃度が3×1019cm-3以下であり、かつ、前記活性層におけるアルミニウム(Al)の不純物濃度が1×1018cm-3以下であるか、
または、前記活性層における水素の不純物濃度が1.5×1018cm-3以下であり、かつ、前記活性層におけるアルミニウムの不純物濃度が4×1018cm-3以下である
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記活性層は、Ga1-x Inx Ny As1-y-z Sbz 混晶(0≦x<1、0<y<1、0≦z<1、0<y+z<1)よりなる井戸層を含む単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記活性層は、井戸層と障壁層とを含む多重量子井戸構造を有し、前記障壁層の1層あたりの厚みは1nm以上8nm以下の範囲内であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 活性層に、ガリウム(Ga)とヒ素(As)と窒素(N)とを少なくとも含む化合物半導体よりなる井戸層を有する半導体発光素子の製造方法であって、
前記活性層を形成する際に、窒素の原料として有機窒素化合物を用い、この有機窒素化合物の流量を135cm3 /min以下とすることにより、活性層における水素(H)の不純物濃度を3×1019cm-3以下とすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 窒素の原料として、ジメチルヒドラジン,モノメチルヒドラジン,およびターシャリーブチルヒドラジンからなる群のうちの少なくとも1種を用いることを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記活性層を形成する前に、アルミニウムとの反応性を有するガスを流すことにより、活性層におけるアルミニウム(Al)の不純物濃度を1×1018cm-3以下とすることを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子の製造方法。
- アルミニウムとの反応性を有するガスとして、ジメチルヒドラジン,アンモニア,および窒素ラジカルからなる群のうちの少なくとも1種を用いることを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子の製造方法。
- アルミニウムとの反応性を有するガスは、13族元素の原料の供給を停止した状態で、15族元素の原料と共に供給することを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子の製造方法。
- 半導体発光素子を備えた光学モジュールであって、
前記半導体発光素子は、活性層に、ガリウム(Ga)とヒ素(As)と窒素(N)とを少なくとも含む化合物半導体よりなる井戸層を有し、
前記活性層における水素(H)の不純物濃度が3×1019cm-3以下であり、かつ、前記活性層におけるアルミニウム(Al)の不純物濃度が1×1018cm-3以下であるか、
または、前記活性層における水素の不純物濃度が1.5×1018cm-3以下であり、かつ、前記活性層におけるアルミニウムの不純物濃度が4×1018cm-3以下である
ことを特徴とする光学モジュール。
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