JP2006245595A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Alを含んだ層を有し、V族としてNと他のV族を含む混晶半導体材料からなる活性層または井戸層を有し、前記Alを含んだ層の成長温度より活性層または井戸層の成長温度が低い半導体発光素子の製造方法であって、
前記Alを含んだ層を成長する工程と、活性層または井戸層を成長する工程との間に、活性層または井戸層と直接接する半導体層としてAlを含まない半導体層を成長する工程を有する。
【選択図】 図5
Description
前記Alを含んだ層を成長する工程と、活性層または井戸層を成長する工程との間に、活性層または井戸層と直接接する半導体層としてAlを含まない半導体層を成長する工程を有することを特徴としている。
Alを含んだ層を成長する工程の温度よりも、活性層または井戸層を成長する工程の温度を低くすることを特徴としている。
2 被成長基板
3 クラッド層
4 活性層
5 クラッド層
6 キャップ層
10 MOCVD装置
11 反応室
12 石英反応管
13 冷却管
14 ガス供給口
15 排気管
16 カーボンサセプター
17 高周波加熱コイル
18 熱電対
20、30、40、50、60、70、80 半導体発光素子
21、31、41、51、61、71、81 被成長基板
22、32、42、52、62、72、80 クラッド層
23、33、43、53、63、73、83 ガイド層
24、34、44、54、84 井戸層
25、35、45、55、65、75、85 ガイド層
26、36、46、56、66、76、86 クラッド層
27、37、47、57、67、77、87 キャップ層
64、74 歪補償型MQW構造層
Claims (10)
- Alを含んだ層を有し、V族としてNと他のV族を含む混晶半導体材料からなる活性層または井戸層を有し、前記Alを含んだ層の成長温度より活性層または井戸層の成長温度が低い半導体発光素子の製造方法であって、
前記Alを含んだ層を成長する工程と、活性層または井戸層を成長する工程との間に、活性層または井戸層と直接接する半導体層としてAlを含まない半導体層を成長する工程を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - Alを含んだ層を有し、活性層または井戸層がV族にNと他のV族を含む混晶半導体材料からなり、活性層または井戸層と直接接する半導体層がAlを含まない半導体層で形成される半導体発光素子の製造方法であって、
Alを含んだ層を成長する工程の温度よりも、活性層または井戸層を成長する工程の温度を低くすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1または請求項2記載の半導体発光素子の製造方法において、前記活性層または井戸層はGaaIn1−aNbAscP1−b−c(0≦a≦1、0<b<1、0≦c<1)混晶半導体層であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法において、前記活性層または井戸層はGaaIn1−aNbAscP1−b−c(0≦a≦1、0<b<1、0≦c<1)混晶半導体層であり、直接接するバリア層はGadIn1−dNeAsfP1−e−f(0≦d≦1、0≦e<1、0≦f<1)混晶半導体層であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法において、前記活性層または井戸層、もしくは、前記バリア層と直接接する半導体層は、GaxIn1−xAsyP1−y(0<x≦1、0≦y≦1)混晶半導体層であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項4または請求項5記載の半導体発光素子の製造方法において、前記活性層または井戸層と直接接しV族にNと他のV族を含む半導体層のP組成は、前記活性層または井戸層のP組成よりも大きいことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法において、前記活性層または井戸層の成長温度は450℃から700℃であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法において、半導体発光素子の基板としてGaAs基板を用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法において、Alを含んだ層は、AluGa1−uAs(0<u≦1)層、または、InsGatAl1−s−tP(0<s<1、0≦t<1)層であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法において、Nの原料として有機系窒素化合物を用いた減圧MOCVD法(有機金属気相成長法)により成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JPH06204599A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Eastman Kodak Japan Kk | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH06334168A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-12-02 | Hitachi Ltd | 半導体素子 |
JPH07154023A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH08195522A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-07-30 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ |
JPH09219563A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Hitachi Ltd | 半導体光素子とそれを用いた応用システム |
JPH10126004A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204599A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Eastman Kodak Japan Kk | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH06334168A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-12-02 | Hitachi Ltd | 半導体素子 |
JPH07154023A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH08195522A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-07-30 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ |
JPH09219563A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Hitachi Ltd | 半導体光素子とそれを用いた応用システム |
JPH10126004A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
N.OHKOUCHI ET.AL.: "MOVPE Growth of GaAs1-xNx Alloys", 12TH SYMPOSIUM RECORD ON ALLOY SEMICONDUCTOR PHYSICS AND ELECTRONICS(1993), JPN7008001299, pages 337 - 340, ISSN: 0000981524 * |
N.OHKOUCHI ET.AL.: "MOVPE Growth of GaAs1-xNx Alloys", 12TH SYMPOSIUM RECORD ON ALLOY SEMICONDUCTOR PHYSICS AND ELECTRONICS(1993), JPNX007030876, pages 337 - 340, ISSN: 0000862382 * |
近藤他: "「III-(N,V)混晶半導体の物性と光素子への応用の可能性」", 応用物理, vol. 第65巻第2号(1996), JPN7008001298, pages 148 - 152, ISSN: 0000981523 * |
近藤他: "「III-(N,V)混晶半導体の物性と光素子への応用の可能性」", 応用物理, vol. 第65巻第2号(1996), JPNX007030875, pages 148 - 152, ISSN: 0000862381 * |
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