JP4157903B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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また、請求項2記載の発明は、請求項1記載の半導体発光素子の製造方法において、前記N元素の原料ガスとして、DMHyまたはMMHyまたはTBAを用いることを特徴としている。
また、請求項3記載の発明は、請求項1記載の半導体発光素子の製造方法において、前記前記III族元素の原料ガスとして、TMGまたはTEGまたはTMIまたはTEIを用いることを特徴としている。
2 被成長基板
3 クラッド層
4 活性層
5 クラッド層
6 キャップ層
10 MOCVD装置
11 反応室
12 石英反応管
13 冷却管
14 ガス供給口
15 排気管
16 カーボンサセプター
17 高周波加熱コイル
18 熱電対
20、30、40、50 半導体発光素子
21、31、41、51 被成長基板
22、32、42、52 クラッド層
23、33、43、53 ガイド層
24、34、44、54 MQW層
25、35、45、55 ガイド層
26、36、46、56 クラッド層
27、37、47、57 キャップ層
Claims (3)
- 基板にInP基板が用いられ、井戸層とバリア層とを有し、井戸層およびバリア層がGa a In 1−a N b As c P 1−b−c (0≦a<1、0<b<1、0≦c<1)でそれぞれ形成されている半導体発光素子をMOCVD法により製造する半導体発光素子の製造方法であって、前記井戸層と前記バリア層を成長する際に、反応室への前記III族元素の原料の供給量を前記V族元素の原料の供給量に比較して少なくし、かつ、前記N元素の原料の反応室への供給を止めずに行なうことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1記載の半導体発光素子の製造方法において、前記N元素の原料ガスとして、DMHyまたはMMHyまたはTBAを用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1記載の半導体発光素子の製造方法において、前記前記III族元素の原料ガスとして、TMGまたはTEGまたはTMIまたはTEIを用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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