JP2003264345A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のクラック低減技術では、ｐ型層より生
じるクラックを効果的に防止することが困難であった。 【解決手段】 一般式ＩｎxＧａyＡｌ1-(x+y)Ｎ（０≦
ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体を複
数層積層した構造でを有する発光素子において、互いに
接する層の格子定数が大小関係にあるｎ型ＧａＮ層とｎ
型ＡｌＧａＮ層界面，ｎ型ＡｌＧａＮ層とｎ型ＧａＮ光
ガイド層界面およびｐ型ＧａＮ光ガイド層とｐ型ＡｌＧ
ａＮ界面に炭素を１０14ｃｍ-3以上１０20ｃｍ-3以下の
濃度で含むクラック防止層を５０ｎｍ以上１μｍ以下の
厚さで導入し、格子緩和させにより界面からのクラック
発生を防止する。
じるクラックを効果的に防止することが困難であった。 【解決手段】 一般式ＩｎxＧａyＡｌ1-(x+y)Ｎ（０≦
ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体を複
数層積層した構造でを有する発光素子において、互いに
接する層の格子定数が大小関係にあるｎ型ＧａＮ層とｎ
型ＡｌＧａＮ層界面，ｎ型ＡｌＧａＮ層とｎ型ＧａＮ光
ガイド層界面およびｐ型ＧａＮ光ガイド層とｐ型ＡｌＧ
ａＮ界面に炭素を１０14ｃｍ-3以上１０20ｃｍ-3以下の
濃度で含むクラック防止層を５０ｎｍ以上１μｍ以下の
厚さで導入し、格子緩和させにより界面からのクラック
発生を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高輝度窒化物半導体
発光素子の構造に関する。
発光素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般式Ｇａ1-(x-y)ＡｌxＩｎyＮ（０≦
ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒素化合物半導体
は、発光素子の材料として研究開発されている。例えば
発光素子の場合、その組成を用途に応じて調節すること
により青色から橙色までの幅の広い波長域で発光させる
ことができる。その特性を利用して青色発光ダイオード
や緑色発光ダイオードが実用化され、さらに、青紫色半
導体レーザが開発されつつある。このような発光素子を
作製する場合、ＧａＮあるいはサファイア、ＳｉＣ、Ｚ
ｎＯ、ＣａＯ、ＭｎＯ等を基板として用いたホモエピタ
キシャル成長あるいはヘテロエピタキシャル成長によっ
て結晶成長し、目的に応じて組成を調整した複数層を積
層した素子構造が作製されている。
ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒素化合物半導体
は、発光素子の材料として研究開発されている。例えば
発光素子の場合、その組成を用途に応じて調節すること
により青色から橙色までの幅の広い波長域で発光させる
ことができる。その特性を利用して青色発光ダイオード
や緑色発光ダイオードが実用化され、さらに、青紫色半
導体レーザが開発されつつある。このような発光素子を
作製する場合、ＧａＮあるいはサファイア、ＳｉＣ、Ｚ
ｎＯ、ＣａＯ、ＭｎＯ等を基板として用いたホモエピタ
キシャル成長あるいはヘテロエピタキシャル成長によっ
て結晶成長し、目的に応じて組成を調整した複数層を積
層した素子構造が作製されている。
【０００３】しかしながら、ＧａＮ基板を用いたホモエ
ピタキシャル成長であっても、例えば主として素子のコ
ンタクト層として積層されるＧａＮと、主として光閉じ
込め層として用いられるＡｌＧａＮの間に大きな格子不
整合が存在するため、例えばレーザ素子においてクラッ
ド層として典型的に用いられるＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎの場合
ＧａＮとの格子不整合は０．２％で、臨界膜厚が数十ｎ
ｍとなり、この臨界膜厚を大きく超えた厚さにＡｌＧａ
Ｎ層を積層した場合、容易にクラックを生じる。また、
ＡｌＧａＮ層成長後の温度変化により当該層に引っ張り
方向の応力が印可された場合、同様にクラックを生じ
る。基板としてサファイア、ＳｉＣ等の異種基板を用い
るヘテロエピタキシャル成長では、基板とエピタキシャ
ル成長膜の間に存在する大きな熱膨張係数差と格子不整
合によって引っ張り方向の応力が生じ、クラックを発生
させる。これらホモエピタキシャル成長、ヘテロエピタ
キシャル成長いずれでも発生するクラックは、ＡｌＧａ
Ｎ層より上に位置する素子構造を破壊あるいは分断する
ことになり、歩留りおよび特性を悪化させるという問題
がある。また、下地となるＧａＮの上に積層するＡｌＧ
ａＮのＡｌ組成により、クラックを生じずに積層可能な
ＡｌＧａＮ層の厚さが決まるため、素子構造の設計に制
限を加える原因となり、例えばＡｌ組成を低くして光閉
じ込め層を厚く積層可能な設計を採用した場合、レーザ
素子において動作するに必要なしきい値電流が増大し、
素子内部に生じる熱により寿命が著しく短くなる。
ピタキシャル成長であっても、例えば主として素子のコ
ンタクト層として積層されるＧａＮと、主として光閉じ
込め層として用いられるＡｌＧａＮの間に大きな格子不
整合が存在するため、例えばレーザ素子においてクラッ
ド層として典型的に用いられるＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎの場合
ＧａＮとの格子不整合は０．２％で、臨界膜厚が数十ｎ
ｍとなり、この臨界膜厚を大きく超えた厚さにＡｌＧａ
Ｎ層を積層した場合、容易にクラックを生じる。また、
ＡｌＧａＮ層成長後の温度変化により当該層に引っ張り
方向の応力が印可された場合、同様にクラックを生じ
る。基板としてサファイア、ＳｉＣ等の異種基板を用い
るヘテロエピタキシャル成長では、基板とエピタキシャ
ル成長膜の間に存在する大きな熱膨張係数差と格子不整
合によって引っ張り方向の応力が生じ、クラックを発生
させる。これらホモエピタキシャル成長、ヘテロエピタ
キシャル成長いずれでも発生するクラックは、ＡｌＧａ
Ｎ層より上に位置する素子構造を破壊あるいは分断する
ことになり、歩留りおよび特性を悪化させるという問題
がある。また、下地となるＧａＮの上に積層するＡｌＧ
ａＮのＡｌ組成により、クラックを生じずに積層可能な
ＡｌＧａＮ層の厚さが決まるため、素子構造の設計に制
限を加える原因となり、例えばＡｌ組成を低くして光閉
じ込め層を厚く積層可能な設計を採用した場合、レーザ
素子において動作するに必要なしきい値電流が増大し、
素子内部に生じる熱により寿命が著しく短くなる。
【０００４】この問題に対して、特開平１１−６８１５
８号公報ではｎ型ＧａＮコンタクト層とｎ型ＡｌＧａＮ
クラッド層との間にｎ型ＧａＮとｎ型ＡｌＧａＮを多数
積層した超格子（平均Ａｌ組成はバルクの場合のクラッ
ド層と同じ）を挿入し、ｎ型ＡｌＧａＮ層のクラックを
低減する手法が開示されている。
８号公報ではｎ型ＧａＮコンタクト層とｎ型ＡｌＧａＮ
クラッド層との間にｎ型ＧａＮとｎ型ＡｌＧａＮを多数
積層した超格子（平均Ａｌ組成はバルクの場合のクラッ
ド層と同じ）を挿入し、ｎ型ＡｌＧａＮ層のクラックを
低減する手法が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１１−６８１５８号公報に開示された超格子によるクラ
ック緩和技術では、専らｎ型ＧａＮ層とｎ型ＡｌＧａＮ
層との間に存在する格子不整合あるいは熱膨張係数差に
起因するクラックを減少させるのみであって、ｎ型Ａｌ
ＧａＮ層より上層に積層される活性層からｐ型コンタク
ト層に至る素子構造中に生じるクラックを効果的に減少
させることができないという問題がある。すなわち、再
度Ａｌを含む層を１層以上積層させた場合には当該層と
その前後の層の間で新たに格子不整合が生じるため、再
度成長したＡｌＧａＮ層からクラックが発生しそれ以後
の各層の品質が低下する。
１１−６８１５８号公報に開示された超格子によるクラ
ック緩和技術では、専らｎ型ＧａＮ層とｎ型ＡｌＧａＮ
層との間に存在する格子不整合あるいは熱膨張係数差に
起因するクラックを減少させるのみであって、ｎ型Ａｌ
ＧａＮ層より上層に積層される活性層からｐ型コンタク
ト層に至る素子構造中に生じるクラックを効果的に減少
させることができないという問題がある。すなわち、再
度Ａｌを含む層を１層以上積層させた場合には当該層と
その前後の層の間で新たに格子不整合が生じるため、再
度成長したＡｌＧａＮ層からクラックが発生しそれ以後
の各層の品質が低下する。
【０００６】通常、発光素子の大きさを５００μｍ×５
００μｍとしたとき、１素子中のクラック数が一本未満
であれば、製造および特性に影響が及ばない。対応する
クラック密度は４００ｃｍ-2となる。従来例に開示され
た手法を適用してクラックの少ない窒化物系半導体膜を
作製した場合であっても、その膜上に例えば光閉じ込め
のためにｐ型のＡｌＧａＮ層を有する発光素子を作製す
る場合、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層を積層する際にｐ型
ＡｌＧａＮクラッド層とその上下層との間で生じる格子
不整合によって新たに転位が発生し、素子特性を悪化さ
せる。また、分割前のウエハ面内にクラックが存在すれ
ば、後の素子化行程において、クラックを有する部分
で、例えば電極パターンの断裂や、電流リークあるいは
電極間の短絡等により、最終的な歩留りを極端に低下さ
せる。
００μｍとしたとき、１素子中のクラック数が一本未満
であれば、製造および特性に影響が及ばない。対応する
クラック密度は４００ｃｍ-2となる。従来例に開示され
た手法を適用してクラックの少ない窒化物系半導体膜を
作製した場合であっても、その膜上に例えば光閉じ込め
のためにｐ型のＡｌＧａＮ層を有する発光素子を作製す
る場合、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層を積層する際にｐ型
ＡｌＧａＮクラッド層とその上下層との間で生じる格子
不整合によって新たに転位が発生し、素子特性を悪化さ
せる。また、分割前のウエハ面内にクラックが存在すれ
ば、後の素子化行程において、クラックを有する部分
で、例えば電極パターンの断裂や、電流リークあるいは
電極間の短絡等により、最終的な歩留りを極端に低下さ
せる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記課題を
解決するため、ｎ型およびｐ型双方のＡｌＧａＮ層から
発生するクラックを防止し、発光素子の特性および歩留
まり向上を実現する手段を提供する。
解決するため、ｎ型およびｐ型双方のＡｌＧａＮ層から
発生するクラックを防止し、発光素子の特性および歩留
まり向上を実現する手段を提供する。
【０００８】本発明の窒化物半導体発光素子は、一般式
ＩｎxＧａyＡｌ1-(x+y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦
１）で表される窒化物半導体を複数層積層した構造の窒
化物半導体発光素子において、その積層構造中の少なく
とも一層以上がクラック防止層であり、かつ該クラック
防止層が炭素を含有することを特徴とする窒化物半導体
発光素子。
ＩｎxＧａyＡｌ1-(x+y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦
１）で表される窒化物半導体を複数層積層した構造の窒
化物半導体発光素子において、その積層構造中の少なく
とも一層以上がクラック防止層であり、かつ該クラック
防止層が炭素を含有することを特徴とする窒化物半導体
発光素子。
【０００９】さらに、本発明の窒化物半導体発光素子の
クラック防止層は、素子を構成する複数層のうち、互い
に格子定数が異なり、格子定数が大きい層と格子定数が
小さい層の界面に位置することを特徴とする。
クラック防止層は、素子を構成する複数層のうち、互い
に格子定数が異なり、格子定数が大きい層と格子定数が
小さい層の界面に位置することを特徴とする。
【００１０】さらに、本発明の窒化物半導体発光素子の
積層構造は、ＧａＮ層と、ＧａＮ層と接したＡｌＧａＮ
層を含み、クラック防止層は、ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層
の界面に位置することを特徴とする。
積層構造は、ＧａＮ層と、ＧａＮ層と接したＡｌＧａＮ
層を含み、クラック防止層は、ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層
の界面に位置することを特徴とする。
【００１１】さらに、本発明の窒化物半導体発光素子の
クラック防止層の厚さは、５０ｎｍ以上１μｍ以下であ
ることを特徴とする。
クラック防止層の厚さは、５０ｎｍ以上１μｍ以下であ
ることを特徴とする。
【００１２】さらに、本発明の窒化物半導体発光素子の
クラック防止層は、炭素濃度が１０ 14ｃｍ-3以上１０20
ｃｍ-3以下であることを特徴とする。
クラック防止層は、炭素濃度が１０ 14ｃｍ-3以上１０20
ｃｍ-3以下であることを特徴とする。
【００１３】さらに、本発明の窒化物半導体発光素子の
クラック防止層の成長温度が５００℃以上１２００℃以
下であることを特徴とする。
クラック防止層の成長温度が５００℃以上１２００℃以
下であることを特徴とする。
【００１４】本発明では、ホモエピタキシャル成長のた
めのＧａＮ基板あるいはサファイア、ＳｉＣ等のヘテロ
エピタキシャル成長に用いられる結晶を基板として、通
常のＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法によるエピタキ
シャル成長技術を用いて素子構造を作製する。レーザ構
造を順次積層する過程において、それぞれの層の格子定
数が大から小に変化する関係にあるｎ型ＧａＮ層とｎ型
ＡｌＧａＮ層の界面から双方の層側に５０ｎｍ以上１μ
ｍ以下の厚さに炭素を１０14ｃｍ-3以上１０20ｃｍ-3以
下の濃度で含むように制御してドーピングし、クラック
防止層とすることを特徴としている。また、同様にそれ
ぞれの層の格子定数が大から小に変化する関係にあるｐ
型ＧａＮ層とｐ型ＡｌＧａＮ層の界面からｐ型ＡｌＧａ
Ｎ層側に５０ｎｍ以上１μｍ以下の厚さに炭素を１０14
ｃｍ-3以上１０20ｃｍ-3以下の濃度で含むように制御し
てドーピングし、クラック防止層とすることを特徴とし
ている。
めのＧａＮ基板あるいはサファイア、ＳｉＣ等のヘテロ
エピタキシャル成長に用いられる結晶を基板として、通
常のＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法によるエピタキ
シャル成長技術を用いて素子構造を作製する。レーザ構
造を順次積層する過程において、それぞれの層の格子定
数が大から小に変化する関係にあるｎ型ＧａＮ層とｎ型
ＡｌＧａＮ層の界面から双方の層側に５０ｎｍ以上１μ
ｍ以下の厚さに炭素を１０14ｃｍ-3以上１０20ｃｍ-3以
下の濃度で含むように制御してドーピングし、クラック
防止層とすることを特徴としている。また、同様にそれ
ぞれの層の格子定数が大から小に変化する関係にあるｐ
型ＧａＮ層とｐ型ＡｌＧａＮ層の界面からｐ型ＡｌＧａ
Ｎ層側に５０ｎｍ以上１μｍ以下の厚さに炭素を１０14
ｃｍ-3以上１０20ｃｍ-3以下の濃度で含むように制御し
てドーピングし、クラック防止層とすることを特徴とし
ている。
【００１５】炭素はＡｌＧａＮ中でドナーとして働くた
め、従来の素子成長手法とさほど変わらない簡便な方法
で適用することができる。また、ｐ型ＡｌＧａＮ中にお
いては、例えばＭｇ等のアクセプタとドナーである炭素
がアクセプタ−ドナー−アクセプタ複合体を形成し、ア
クセプタの活性化エネルギーを下げるため、ｐ型化が容
易になる福次的な効果が生じ、さらに素子特性を向上さ
せることが可能となる。
め、従来の素子成長手法とさほど変わらない簡便な方法
で適用することができる。また、ｐ型ＡｌＧａＮ中にお
いては、例えばＭｇ等のアクセプタとドナーである炭素
がアクセプタ−ドナー−アクセプタ複合体を形成し、ア
クセプタの活性化エネルギーを下げるため、ｐ型化が容
易になる福次的な効果が生じ、さらに素子特性を向上さ
せることが可能となる。
【００１６】これら炭素添加された領域がクラック防止
の効果を発揮する。前記層中に炭素を所定の濃度に添加
することにより、炭素を添加した領域の格子が緩和され
ｎ型およびｐ型ＧａＮと対応するｎ型およびｐ型ＡｌＧ
ａＮとの格子不整合が縮小することにより、本来なら
ば、格子不整合により生じる応力が低下し、クラックの
発生を防止することができる。その結果として、製造工
程における歩留まりと素子特性の向上が可能となる。
の効果を発揮する。前記層中に炭素を所定の濃度に添加
することにより、炭素を添加した領域の格子が緩和され
ｎ型およびｐ型ＧａＮと対応するｎ型およびｐ型ＡｌＧ
ａＮとの格子不整合が縮小することにより、本来なら
ば、格子不整合により生じる応力が低下し、クラックの
発生を防止することができる。その結果として、製造工
程における歩留まりと素子特性の向上が可能となる。
【００１７】素子構造の成長方法はＭＯＣＶＤ法のみな
らず、分子線エピタキシ−法（ＭＢＥ）あるいはハイド
ライド気相成長法（ＨＶＰＥ）等、一般的に窒化物半導
体結晶成長に用いられる方法を適用することができる。
しかしながら、生産性を考慮する場合には、他の方法に
比べて低コストで、かつ大面積基板が使用可能できる前
述のＭＯＣＶＤ法が最も適している。
らず、分子線エピタキシ−法（ＭＢＥ）あるいはハイド
ライド気相成長法（ＨＶＰＥ）等、一般的に窒化物半導
体結晶成長に用いられる方法を適用することができる。
しかしながら、生産性を考慮する場合には、他の方法に
比べて低コストで、かつ大面積基板が使用可能できる前
述のＭＯＣＶＤ法が最も適している。
【００１８】本発明により作製したレーザ素子の一例を
図１に示す。素子を構成する各層はＭＯＣＶＤ法により
成長される。素子構造は、ｎ型ＧａＮ基板（１０１）上
に順にｎ型ＧａＮ層（１０２）、クラック防止のための
炭素添加ＧａＮ層（１０３）（クラック防止層−Ａ）、
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層から発生するクラックを防止
するための炭素添加ｎ型ＡｌＧａＮ層（１０４）（クラ
ック防止層−Ｂ）、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層（１
０７）からの光を閉じ込めるためのｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層（１０５）、活性層近傍に光を分布させるための
ｎ型ＧａＮ光ガイド層（１０６）、単一あるいは多重量
子井戸構造からなるＩｎＧａＮ活性層（１０７）、素子
構造作製過程で活性層の昇華防止および、ｐ型層からの
不純物拡散を防止するためのＡｌＧａＮブロック層（１
０８）、活性層からの光を活性層近傍に分布させるｐ型
ＧａＮ光ガイド層（１０９）、クラックを防止するため
の炭素添加ｐ型ＡｌＧａＮ層（１１０）（クラック防止
層−Ｃ）、光閉じ込めのためのｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層（１１１）、ｐ型ＧａＮ層（１１２）、ｐ型ＧａＮコ
ンタクト層（１１３）の順で積層したものである。最表
面のｐ型ＧａＮ層（１１３）は横方向への光閉じ込めの
ためリッジ状に加工し、絶縁膜（１１４）を通常のフォ
トリソグラフィにより形成しｐ型電極（１１５）を付け
る。ｎ型電極（１１６）は基板（１０１）裏面に形成し
ている。ここで、基板はＧａＮ以外にサファイア、Ｓｉ
Ｃ、ＧａＡｓ、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）等、一般に窒
化物半導体結晶を成長可能な材料を用いることができる
が、その場合、ヘテロエピタキシャル成長であるため、
素子特性はＧａＮ基板に比べて劣る。したがって、本発
明において最も適する基板はＧａＮである。
図１に示す。素子を構成する各層はＭＯＣＶＤ法により
成長される。素子構造は、ｎ型ＧａＮ基板（１０１）上
に順にｎ型ＧａＮ層（１０２）、クラック防止のための
炭素添加ＧａＮ層（１０３）（クラック防止層−Ａ）、
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層から発生するクラックを防止
するための炭素添加ｎ型ＡｌＧａＮ層（１０４）（クラ
ック防止層−Ｂ）、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層（１
０７）からの光を閉じ込めるためのｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層（１０５）、活性層近傍に光を分布させるための
ｎ型ＧａＮ光ガイド層（１０６）、単一あるいは多重量
子井戸構造からなるＩｎＧａＮ活性層（１０７）、素子
構造作製過程で活性層の昇華防止および、ｐ型層からの
不純物拡散を防止するためのＡｌＧａＮブロック層（１
０８）、活性層からの光を活性層近傍に分布させるｐ型
ＧａＮ光ガイド層（１０９）、クラックを防止するため
の炭素添加ｐ型ＡｌＧａＮ層（１１０）（クラック防止
層−Ｃ）、光閉じ込めのためのｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層（１１１）、ｐ型ＧａＮ層（１１２）、ｐ型ＧａＮコ
ンタクト層（１１３）の順で積層したものである。最表
面のｐ型ＧａＮ層（１１３）は横方向への光閉じ込めの
ためリッジ状に加工し、絶縁膜（１１４）を通常のフォ
トリソグラフィにより形成しｐ型電極（１１５）を付け
る。ｎ型電極（１１６）は基板（１０１）裏面に形成し
ている。ここで、基板はＧａＮ以外にサファイア、Ｓｉ
Ｃ、ＧａＡｓ、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）等、一般に窒
化物半導体結晶を成長可能な材料を用いることができる
が、その場合、ヘテロエピタキシャル成長であるため、
素子特性はＧａＮ基板に比べて劣る。したがって、本発
明において最も適する基板はＧａＮである。
【００１９】本発明によって、従来のｎ型ＧａＮ層最表
面、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層最下面および／あるいは
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層最下面に炭素を添加してクラ
ック防止層とすることにより、まず、本来であればｎ型
ＧａＮ層とｎ型ＡｌＧａＮクラッド層との界面から両者
の格子不整合により発生するはずのクラックは、炭素の
クラスタによる格子緩和によって効果的に防止され、ま
た、同様に界面から生じた転位は炭素クラスタに捕らえ
られて上部層への伝搬が防止されるため、通常であれば
素子表面にまで達するクラックの発生を防止することが
可能となる。さらに、ｐ型ＧａＮ光ガイド層とｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層との界面に設けられた炭素添加ｐ型Ａ
ｌＧａＮ層（１１０）も同様に、ｐ型ＧａＮ層とｐ型Ａ
ｌＧａＮ層界面の格子不整合により本来ならば発生する
はずのクラックを、炭素添加による格子緩和によって効
果的に防止することができる。本発明により、例えば直
径２インチの基板上にレーザ素子構造を積層した場合、
クラックは全く発生しない。したがって、従来手法によ
るレーザ素子と比べた場合、生産工程における歩留まり
が飛躍的に向上する。本発明をレーザ素子に適用するこ
とにより、素子表面に達するクラックが著しく減少し、
活性層を貫通する転位が減少するため、発光に関る特性
や駆動電圧、電流等の電気的な素子特性および素子寿命
が格段に向上する。
面、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層最下面および／あるいは
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層最下面に炭素を添加してクラ
ック防止層とすることにより、まず、本来であればｎ型
ＧａＮ層とｎ型ＡｌＧａＮクラッド層との界面から両者
の格子不整合により発生するはずのクラックは、炭素の
クラスタによる格子緩和によって効果的に防止され、ま
た、同様に界面から生じた転位は炭素クラスタに捕らえ
られて上部層への伝搬が防止されるため、通常であれば
素子表面にまで達するクラックの発生を防止することが
可能となる。さらに、ｐ型ＧａＮ光ガイド層とｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層との界面に設けられた炭素添加ｐ型Ａ
ｌＧａＮ層（１１０）も同様に、ｐ型ＧａＮ層とｐ型Ａ
ｌＧａＮ層界面の格子不整合により本来ならば発生する
はずのクラックを、炭素添加による格子緩和によって効
果的に防止することができる。本発明により、例えば直
径２インチの基板上にレーザ素子構造を積層した場合、
クラックは全く発生しない。したがって、従来手法によ
るレーザ素子と比べた場合、生産工程における歩留まり
が飛躍的に向上する。本発明をレーザ素子に適用するこ
とにより、素子表面に達するクラックが著しく減少し、
活性層を貫通する転位が減少するため、発光に関る特性
や駆動電圧、電流等の電気的な素子特性および素子寿命
が格段に向上する。
【００２０】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）本実施の形態で
は、（０００１）面ＧａＮ基板上レーザ素子を作製する
際、ｎ型ＧａＮ層とｎ型ＡｌＧａＮクラッド層が接する
界面からｎ型ＧａＮ層側およびｎ型ＡｌＧａＮ層の両側
に炭素を添加してそれぞれの一部分にクラック防止層を
形成し、また、ｐ型ＧａＮ光ガイド層とｐ型ＡｌＧａＮ
クラッド層が接する界面からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
側に炭素を添加してそれぞれの一部分にクラック防止層
を形成した例について図１および図２を参照しながら説
明する。
は、（０００１）面ＧａＮ基板上レーザ素子を作製する
際、ｎ型ＧａＮ層とｎ型ＡｌＧａＮクラッド層が接する
界面からｎ型ＧａＮ層側およびｎ型ＡｌＧａＮ層の両側
に炭素を添加してそれぞれの一部分にクラック防止層を
形成し、また、ｐ型ＧａＮ光ガイド層とｐ型ＡｌＧａＮ
クラッド層が接する界面からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
側に炭素を添加してそれぞれの一部分にクラック防止層
を形成した例について図１および図２を参照しながら説
明する。
【００２１】まず、厚さ４００μｍの２インチ径（００
０１）面ＧａＮ基板（１０１）を通常の方法で洗浄し、
ＭＯＣＶＤ装置にセットする。基板をアンモニア雰囲気
中で加熱し１０５０℃で安定させる。その後、ＴＭＧ
（トリメチルガリウム）を約５０μｍｏｌ／ｍｉｎとＳ
ｉＨ4ガスを約１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給してｎ型Ｇａ
Ｎ層（１０２）を約３μｍ成長する。その後、原料供給
を継続しつつ、新たにＣＨ4を１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供
給して、さらに１μｍの厚さにＧａＮ層成長させ、クラ
ック防止層−Ａ（１０３）とする。その際、炭素源とし
て一般式ＣnＨ2(n +1)で表される炭素化合物、Ｃ（ＣnＨ
2n+1）4で表される炭素化合物を用いることができる。
続いて、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を１０μｍ
ｏｎ／ｍｉｎ供給して０．１μｍの厚さに成長させ、ク
ラック防止層−Ｂ（１０４）とする。その際、ｎ型Ｇａ
Ｎクラック防止層と同様に、炭素源として一般式ＣnＨ
2(n+1 )で表される炭素化合物、Ｃ（ＣnＨ2n+1）4で表さ
れる炭素化合物を用いることができる。ＣＨ4のみ供給
停止して０．９μｍの厚さにｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎク
ラッド層（１０５）を成長する。
０１）面ＧａＮ基板（１０１）を通常の方法で洗浄し、
ＭＯＣＶＤ装置にセットする。基板をアンモニア雰囲気
中で加熱し１０５０℃で安定させる。その後、ＴＭＧ
（トリメチルガリウム）を約５０μｍｏｌ／ｍｉｎとＳ
ｉＨ4ガスを約１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給してｎ型Ｇａ
Ｎ層（１０２）を約３μｍ成長する。その後、原料供給
を継続しつつ、新たにＣＨ4を１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供
給して、さらに１μｍの厚さにＧａＮ層成長させ、クラ
ック防止層−Ａ（１０３）とする。その際、炭素源とし
て一般式ＣnＨ2(n +1)で表される炭素化合物、Ｃ（ＣnＨ
2n+1）4で表される炭素化合物を用いることができる。
続いて、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を１０μｍ
ｏｎ／ｍｉｎ供給して０．１μｍの厚さに成長させ、ク
ラック防止層−Ｂ（１０４）とする。その際、ｎ型Ｇａ
Ｎクラック防止層と同様に、炭素源として一般式ＣnＨ
2(n+1 )で表される炭素化合物、Ｃ（ＣnＨ2n+1）4で表さ
れる炭素化合物を用いることができる。ＣＨ4のみ供給
停止して０．９μｍの厚さにｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎク
ラッド層（１０５）を成長する。
【００２２】ここで、ｎ型ＧａＮおよびｎ型ＡｌＧａＮ
からなるクラック防止層（１０３）、（１０４）の炭素
濃度は１０14ｃｍ-3以上１０20ｃｍ-3以下でなければな
らない。これは、過剰な炭素が存在すると、転位の発生
源となるためである。ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド
層（１０５）の成長後、ＣＨ4とＴＭＡの供給を停止し
て約０．１μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層（１０６）を成
長する。光ガイド層は炭素を含んでも含まなくてもよい
が、過剰な炭素が転位源となることを防止するため、炭
素を含む場合の濃度は１０20ｃｍ-3より低くなければな
らない。
からなるクラック防止層（１０３）、（１０４）の炭素
濃度は１０14ｃｍ-3以上１０20ｃｍ-3以下でなければな
らない。これは、過剰な炭素が存在すると、転位の発生
源となるためである。ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド
層（１０５）の成長後、ＣＨ4とＴＭＡの供給を停止し
て約０．１μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層（１０６）を成
長する。光ガイド層は炭素を含んでも含まなくてもよい
が、過剰な炭素が転位源となることを防止するため、炭
素を含む場合の濃度は１０20ｃｍ-3より低くなければな
らない。
【００２３】多重量子井戸からなる活性層（１０７）を
成長するために、ＳｉＨ4とＴＭＧの供給を停止して基
板の温度を８５０℃〜８００℃程度まで低下させる。こ
こで、活性層の成長温度およびＩＩＩ族原料供給量は素
子の発光波長を決定するパラメ−タの一つであり、ＩＩ
Ｉ族原料の供給量が同じであれば低温で発光波長が長く
なる傾向を示す。前記基板温度は、紫〜緑の発光素子を
作製するための温度であり、基板温度を変えることによ
って、必要な波長帯を得ることができる。温度の安定
後、ＴＭＧを１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＩ（トリメチ
ルインジウム）を１０μｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、ＩｎＧ
ａＮ活性層（１０７）を形成するＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障
壁層を約５ｎｍの厚さに成長する。その際、Ｓｉドーピ
ングの有無は活性層の発光特性にほとんど関係しないの
で、例えばｐ−ｎ接合位置を制御するためにＳｉＨ4を
１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ程度流しても問題ない。
成長するために、ＳｉＨ4とＴＭＧの供給を停止して基
板の温度を８５０℃〜８００℃程度まで低下させる。こ
こで、活性層の成長温度およびＩＩＩ族原料供給量は素
子の発光波長を決定するパラメ−タの一つであり、ＩＩ
Ｉ族原料の供給量が同じであれば低温で発光波長が長く
なる傾向を示す。前記基板温度は、紫〜緑の発光素子を
作製するための温度であり、基板温度を変えることによ
って、必要な波長帯を得ることができる。温度の安定
後、ＴＭＧを１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＩ（トリメチ
ルインジウム）を１０μｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、ＩｎＧ
ａＮ活性層（１０７）を形成するＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障
壁層を約５ｎｍの厚さに成長する。その際、Ｓｉドーピ
ングの有無は活性層の発光特性にほとんど関係しないの
で、例えばｐ−ｎ接合位置を制御するためにＳｉＨ4を
１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ程度流しても問題ない。
【００２４】つづいてＴＭＧを１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、
ＴＭＩを５０μｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、井戸層であるＩ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ｎを約３ｎｍの厚さに成長する。障壁層と
井戸層の成長行程を繰り返し、必要な周期の多重量子井
戸を成長した後、最後に障壁層を成長してＩｎＧａＮ活
性層（１０７）の成長を終了する。通常、井戸層の層数
は２層から５層にするのが最もキャリア注入されやすく
発光効率の良い素子ができることがわかっている。ま
た、活性層は炭素を含んでも含まなくてもよいが、炭素
を含む場合の濃度は、１０20ｃｍ-3より低くなければな
らない。これは、過剰な炭素が転位源となり、活性層中
の非発光領域を増大させるためである。
ＴＭＩを５０μｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、井戸層であるＩ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ｎを約３ｎｍの厚さに成長する。障壁層と
井戸層の成長行程を繰り返し、必要な周期の多重量子井
戸を成長した後、最後に障壁層を成長してＩｎＧａＮ活
性層（１０７）の成長を終了する。通常、井戸層の層数
は２層から５層にするのが最もキャリア注入されやすく
発光効率の良い素子ができることがわかっている。ま
た、活性層は炭素を含んでも含まなくてもよいが、炭素
を含む場合の濃度は、１０20ｃｍ-3より低くなければな
らない。これは、過剰な炭素が転位源となり、活性層中
の非発光領域を増大させるためである。
【００２５】活性層成長後、ＩｎＧａＮ膜の昇華と活性
層上のｐ型層からのドーパント拡散を防止するために、
ＴＭＧを１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＡを５μｍｏｌ／
ｍｉｎ、及びＣｐ2Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニルマ
グネシウム）を供給し、約３０ｎｍの厚さにＡｌＧａＮ
ブロック層（１０８）を成長し、ＴＭＧ、ＴＭＡおよび
Ｃｐ2Ｍｇの供給を停止して再び１０５０℃に昇温す
る。温度を安定させた後、ＴＭＧを５０μｍｏｌ／ｍｉ
ｎとＣｐ2Ｍｇを供給し、ｐ型のＧａＮよりなる光ガイ
ド層（１０９）を０．１μｍ成長する。続いて、ＴＭＡ
を１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＣＨ4を１０ｎｍｏｌ／ｍｉ
ｎ供給し、０．１μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0 .85Ｎを０．
１μｍ成長させ、クラック防止層−Ｃ（１１０）とす
る。
層上のｐ型層からのドーパント拡散を防止するために、
ＴＭＧを１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＡを５μｍｏｌ／
ｍｉｎ、及びＣｐ2Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニルマ
グネシウム）を供給し、約３０ｎｍの厚さにＡｌＧａＮ
ブロック層（１０８）を成長し、ＴＭＧ、ＴＭＡおよび
Ｃｐ2Ｍｇの供給を停止して再び１０５０℃に昇温す
る。温度を安定させた後、ＴＭＧを５０μｍｏｌ／ｍｉ
ｎとＣｐ2Ｍｇを供給し、ｐ型のＧａＮよりなる光ガイ
ド層（１０９）を０．１μｍ成長する。続いて、ＴＭＡ
を１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＣＨ4を１０ｎｍｏｌ／ｍｉ
ｎ供給し、０．１μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0 .85Ｎを０．
１μｍ成長させ、クラック防止層−Ｃ（１１０）とす
る。
【００２６】その後、ＣＨ4のみ供給を停止してｐ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層（１１１）を連続して０．
４μｍの厚さに成長させる。続いて、ＴＭＡの供給を停
止し、ｐ型のＧａＮ層（１１２）を約４μｍ成長する。
最後に、Ｃｐ2Ｍｇの供給量を２倍にしてｐ型ＧａＮコ
ンタクト層（１１３）を０．５μｍ成長する。全成長工
程終了後、ＴＭＧとＣｐ2Ｍｇの供給を停止して基板加
熱を終了する。室温まで冷却した後、基板を取り出し、
Ｍｇを活性化するために窒素中で９００℃にて１０分間
の熱処理を行なう。ｐ型化処理（Ｍｇの活性化）後、裏
面研磨した後、フォトリソグラフィと反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）を使用して幅２μｍ、高さ０．４μｍ
のリッジを形成し、リッジ頂上のみ開口するように絶縁
膜（１１４）をスパッタまたは電子ビーム（ＥＢ）蒸着
し、リッジ頂上の開口部にｐ型電極（１１５）を、裏面
にｎ型電極（１１６）をそれぞれ蒸着する。電極形成終
了後、基板を劈開して間隔５００μｍの光共振器端面を
形成する。
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層（１１１）を連続して０．
４μｍの厚さに成長させる。続いて、ＴＭＡの供給を停
止し、ｐ型のＧａＮ層（１１２）を約４μｍ成長する。
最後に、Ｃｐ2Ｍｇの供給量を２倍にしてｐ型ＧａＮコ
ンタクト層（１１３）を０．５μｍ成長する。全成長工
程終了後、ＴＭＧとＣｐ2Ｍｇの供給を停止して基板加
熱を終了する。室温まで冷却した後、基板を取り出し、
Ｍｇを活性化するために窒素中で９００℃にて１０分間
の熱処理を行なう。ｐ型化処理（Ｍｇの活性化）後、裏
面研磨した後、フォトリソグラフィと反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）を使用して幅２μｍ、高さ０．４μｍ
のリッジを形成し、リッジ頂上のみ開口するように絶縁
膜（１１４）をスパッタまたは電子ビーム（ＥＢ）蒸着
し、リッジ頂上の開口部にｐ型電極（１１５）を、裏面
にｎ型電極（１１６）をそれぞれ蒸着する。電極形成終
了後、基板を劈開して間隔５００μｍの光共振器端面を
形成する。
【００２７】比較のため、図１中のクラック防止層−Ａ
（１０３）、クラック防止層−Ｂ（１０４）およびクラ
ック防止層−Ｃ（１１０）を省略して図２に示す従来構
造のレーザ素子を作製した。この素子の構造は、ｎ型Ｇ
ａＮ基板（２０１）上に順にｎ型ＧａＮ層（２０２）、
ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層からの光を閉じ込めるた
めのｎ型ＡｌＧａＮクラッド層（２０３）、活性層近傍
に光を分布させるためのｎ型ＧａＮ光ガイド層（２０
４）、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層（２０５）、素子
構造作製過程で活性層の昇華防止および、ｐ型層からの
不純物拡散を防止するためのＡｌＧａＮブロック層（２
０６）、ｐ型ＧａＮ光ガイド層（２０７）、ｐ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層（２０８）、ｐ型ＧａＮ層（２０９）、
ｐ型ＧａＮコンタクト層（２１０）の順で積層したもの
である。最表面のｐ型ＧａＮ層（２１０）は横方向への
光閉じ込めのためリッジ状に加工し、絶縁膜（２１１）
を通常のフォトリソグラフィにより形成して開口部にｐ
型電極（２１２）を付ける。ｎ型電極（２１３）は基板
（２０１）裏面に形成している。各層の厚さ、不純物お
よびその濃度は図１の、対応する各層のそれと同じにな
るように調整した。
（１０３）、クラック防止層−Ｂ（１０４）およびクラ
ック防止層−Ｃ（１１０）を省略して図２に示す従来構
造のレーザ素子を作製した。この素子の構造は、ｎ型Ｇ
ａＮ基板（２０１）上に順にｎ型ＧａＮ層（２０２）、
ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層からの光を閉じ込めるた
めのｎ型ＡｌＧａＮクラッド層（２０３）、活性層近傍
に光を分布させるためのｎ型ＧａＮ光ガイド層（２０
４）、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層（２０５）、素子
構造作製過程で活性層の昇華防止および、ｐ型層からの
不純物拡散を防止するためのＡｌＧａＮブロック層（２
０６）、ｐ型ＧａＮ光ガイド層（２０７）、ｐ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層（２０８）、ｐ型ＧａＮ層（２０９）、
ｐ型ＧａＮコンタクト層（２１０）の順で積層したもの
である。最表面のｐ型ＧａＮ層（２１０）は横方向への
光閉じ込めのためリッジ状に加工し、絶縁膜（２１１）
を通常のフォトリソグラフィにより形成して開口部にｐ
型電極（２１２）を付ける。ｎ型電極（２１３）は基板
（２０１）裏面に形成している。各層の厚さ、不純物お
よびその濃度は図１の、対応する各層のそれと同じにな
るように調整した。
【００２８】以上の手順により作製した素子を評価した
ところ、従来構造の素子（図２）が１ｍｍ程度の間隔で
１２０°に交差する多数のクラックを生じたのに対し
て、本発明を適用した素子（図１）では、２インチ面内
全域でクラックが皆無であった。これは、ｎ型ＧａＮ、
ｎ型ＡｌＧａＮおよびｐ型ＡｌＧａＮ層のそれぞれに炭
素を添加したクラック防止層を設けたことにより、それ
ぞれの界面における格子不整合が緩和されクラックが発
生しない状態になったためである。従来構造の素子（図
２）は電圧５Ｖで発振閾値電流密度８００Ａ／ｃｍ2で
あるのに対して、炭素添加クラック防止層を導入した素
子（図１）では電圧４Ｖ、発振閾値電流密度５００Ａ／
ｃｍ2と駆動電圧、閾値電流密度共に低下した。これ
は、クラックによる素子構造の破壊が防止できたことに
起因すると考えられる。事実、電子顕微鏡を用いて従来
素子の断面を観察したところ、ｎ型ＡｌＧａＮ層から発
生したクラックにより、活性層が分断された領域が多数
見られ、クラック密度は１２００ｃｍ-2と１素子中に３
本程度のクラックが存在する状態であったのに対し、本
願の構造の素子（図１）では、クラックは観察されず、
発光特性および電気特性が向上し、また、素子化行程に
おける歩留まりが大きく改善することが確認された。 （実施の形態２）本実施の形態では、図１の積層構造の
レーザ素子において、それぞれのクラック防止層厚さを
変えた例について図３および図４を参照しながら説明す
る。
ところ、従来構造の素子（図２）が１ｍｍ程度の間隔で
１２０°に交差する多数のクラックを生じたのに対し
て、本発明を適用した素子（図１）では、２インチ面内
全域でクラックが皆無であった。これは、ｎ型ＧａＮ、
ｎ型ＡｌＧａＮおよびｐ型ＡｌＧａＮ層のそれぞれに炭
素を添加したクラック防止層を設けたことにより、それ
ぞれの界面における格子不整合が緩和されクラックが発
生しない状態になったためである。従来構造の素子（図
２）は電圧５Ｖで発振閾値電流密度８００Ａ／ｃｍ2で
あるのに対して、炭素添加クラック防止層を導入した素
子（図１）では電圧４Ｖ、発振閾値電流密度５００Ａ／
ｃｍ2と駆動電圧、閾値電流密度共に低下した。これ
は、クラックによる素子構造の破壊が防止できたことに
起因すると考えられる。事実、電子顕微鏡を用いて従来
素子の断面を観察したところ、ｎ型ＡｌＧａＮ層から発
生したクラックにより、活性層が分断された領域が多数
見られ、クラック密度は１２００ｃｍ-2と１素子中に３
本程度のクラックが存在する状態であったのに対し、本
願の構造の素子（図１）では、クラックは観察されず、
発光特性および電気特性が向上し、また、素子化行程に
おける歩留まりが大きく改善することが確認された。 （実施の形態２）本実施の形態では、図１の積層構造の
レーザ素子において、それぞれのクラック防止層厚さを
変えた例について図３および図４を参照しながら説明す
る。
【００２９】素子構造の作製は基本的に実施の形態１と
同じ手順によるが、各クラック防止層に添加する炭素濃
度を１０16ｃｍ-3一定に保ち、炭素を添加する厚さを２
０ｎｍから６μmまで変化させた。
同じ手順によるが、各クラック防止層に添加する炭素濃
度を１０16ｃｍ-3一定に保ち、炭素を添加する厚さを２
０ｎｍから６μmまで変化させた。
【００３０】クラック防止層の厚さに対するクラック密
度の変化を図３に示す。クラック防止層が５０ｎｍより
薄い領域でクラック密度が増加する傾向が見て取れる。
５０ｎｍより薄いクラック防止層では、格子緩和するも
のの、その上に積層する層が０．５μｍを超える厚さで
あるため、クラック防止層で緩和することのできる応力
の絶対値が低くなるためにクラックを十分に防止できな
いと考えられる。なお、クラック防止層が２００ｎｍを
超える場合には、図中に示すように、クラック密度が０
となるため、対数軸上に示すことができず、省略した。
度の変化を図３に示す。クラック防止層が５０ｎｍより
薄い領域でクラック密度が増加する傾向が見て取れる。
５０ｎｍより薄いクラック防止層では、格子緩和するも
のの、その上に積層する層が０．５μｍを超える厚さで
あるため、クラック防止層で緩和することのできる応力
の絶対値が低くなるためにクラックを十分に防止できな
いと考えられる。なお、クラック防止層が２００ｎｍを
超える場合には、図中に示すように、クラック密度が０
となるため、対数軸上に示すことができず、省略した。
【００３１】次に、クラック防止層の厚さと素子の駆動
電圧および閾値電流密度の関係を図４に示す。同図にお
いて、●は駆動電圧を、○は閾値電流密度を現す。
電圧および閾値電流密度の関係を図４に示す。同図にお
いて、●は駆動電圧を、○は閾値電流密度を現す。
【００３２】図３より、クラック防止層の厚さが５０ｎ
ｍより薄い場合および１μｍより厚い場合に駆動電圧お
よび閾値電流密度が上昇する傾向にあることがわかる。
クラック防止層が５０ｎｍより薄い領域では、図３との
対比からクラックが発生して素子構造を分断するために
駆動電圧が上昇し、逆にクラック防止層が１μｍより厚
い領域では、クラック防止層より下に位置する層、例え
ばｎ型ＧａＮ層とクラック防止層より上に位置する層、
例えばｎ型ＡｌＧａＮクラッド層との間に、成長面の原
子配列を整然と引き継ぐことができなくなる結果として
結晶欠陥が導入されリーク電流や非発光再結合中心が増
加することにより閾値電流密度が上昇すると考えられ
る。
ｍより薄い場合および１μｍより厚い場合に駆動電圧お
よび閾値電流密度が上昇する傾向にあることがわかる。
クラック防止層が５０ｎｍより薄い領域では、図３との
対比からクラックが発生して素子構造を分断するために
駆動電圧が上昇し、逆にクラック防止層が１μｍより厚
い領域では、クラック防止層より下に位置する層、例え
ばｎ型ＧａＮ層とクラック防止層より上に位置する層、
例えばｎ型ＡｌＧａＮクラッド層との間に、成長面の原
子配列を整然と引き継ぐことができなくなる結果として
結晶欠陥が導入されリーク電流や非発光再結合中心が増
加することにより閾値電流密度が上昇すると考えられ
る。
【００３３】本実施の形態より、クラックにのみ着目し
た歩留まりの点で、クラック防止層厚さは５０ｎｍ以上
が望ましいが、さらに素子特性を合わせて判断すると、
クラックがなく、かつ素子特性のよいクラック防止層厚
さは５０ｎｍ以上１μｍ以下であることがわかる。 （実施の形態３）本実施の形態では、図１の積層構造の
レーザ素子において、図５および図６を参照しながら説
明する。
た歩留まりの点で、クラック防止層厚さは５０ｎｍ以上
が望ましいが、さらに素子特性を合わせて判断すると、
クラックがなく、かつ素子特性のよいクラック防止層厚
さは５０ｎｍ以上１μｍ以下であることがわかる。 （実施の形態３）本実施の形態では、図１の積層構造の
レーザ素子において、図５および図６を参照しながら説
明する。
【００３４】素子構造の作製は基本的に実施の形態１と
同じ手順によるが、各クラック防止層に添加する炭素濃
度を１０14ｃｍ-3から１０21ｃｍ-3の間で変化させた試
料を複数作製した。クラック防止層に含まれる炭素濃度
を変えるため、クラック防止層−Ａ（１０３）、Ｂ（１
０４）およびＣ（１１０）を成長する際のＣＨ4供給量
を５ｎｍｏｌから１００ｎｍｏｌまで数点変化させた。
同じ手順によるが、各クラック防止層に添加する炭素濃
度を１０14ｃｍ-3から１０21ｃｍ-3の間で変化させた試
料を複数作製した。クラック防止層に含まれる炭素濃度
を変えるため、クラック防止層−Ａ（１０３）、Ｂ（１
０４）およびＣ（１１０）を成長する際のＣＨ4供給量
を５ｎｍｏｌから１００ｎｍｏｌまで数点変化させた。
【００３５】以上の手順により作製した素子のクラック
防止層に含まれる炭素濃度は二次イオン質量分析（ＳＩ
ＭＳ）により測定した。光学顕微鏡による観察で、クラ
ック防止層に添加した炭素濃度が９×１０14ｃｍ-3より
低い試料ではクラックの発生が顕著であった。しかし、
９×１０14ｃｍ-3を超える炭素濃度では全くクラックが
見られないか、あるいはクラックが見られる場合でも４
００ｃｍ-2以下の密度であり、実用上問題無い程度であ
った。
防止層に含まれる炭素濃度は二次イオン質量分析（ＳＩ
ＭＳ）により測定した。光学顕微鏡による観察で、クラ
ック防止層に添加した炭素濃度が９×１０14ｃｍ-3より
低い試料ではクラックの発生が顕著であった。しかし、
９×１０14ｃｍ-3を超える炭素濃度では全くクラックが
見られないか、あるいはクラックが見られる場合でも４
００ｃｍ-2以下の密度であり、実用上問題無い程度であ
った。
【００３６】炭素濃度とクラック密度の関係を図５に示
す。炭素濃度９×１０13ｃｍ-3でクラックが発生してい
ることから、炭素濃度が１０14ｃｍ-3未満である場合に
は、緩和が不十分であり、格子不整合によってクラック
を生じていることがわかる。なお、クラック防止層の炭
素濃度が１０15ｃｍ-3を超える場合には、図中に示すよ
うに、クラック密度が０となるため、対数軸上に示すこ
とができず、省略した。
す。炭素濃度９×１０13ｃｍ-3でクラックが発生してい
ることから、炭素濃度が１０14ｃｍ-3未満である場合に
は、緩和が不十分であり、格子不整合によってクラック
を生じていることがわかる。なお、クラック防止層の炭
素濃度が１０15ｃｍ-3を超える場合には、図中に示すよ
うに、クラック密度が０となるため、対数軸上に示すこ
とができず、省略した。
【００３７】次に、各素子の特性を測定したところ、炭
素濃度が低いおよび高いで駆動電圧と発振閾値電流が上
昇する傾向が見られた。図６に炭素濃度と駆動電圧およ
び閾値電流の関係を示す。図中で●は駆動電圧を示し、
○は閾値電流を示す。駆動電圧、閾値電流供に炭素濃度
１０14ｃｍ-3および９．５×１０19ｃｍ-3から上昇し始
める兆しが見られ、１０14ｃｍ-3未満および１０20ｃｍ
-3を超える炭素濃度ではいずれもはっきりと増加する傾
向が見て取れる。炭素濃度の高低により電圧、電流が増
加する機構は違っていると考えられる。すなわち、炭素
濃度が１０14ｃｍ-3未満の領域では、格子緩和が不十分
であり、クラックが生じることと、転位の伝搬によりリ
ーク電流および活性層での非発光再結合が増加すること
により駆動電圧と閾値電流密度が上昇し、逆に炭素濃度
が１０20ｃｍ-3を超える領域においては、炭素濃度が結
晶組成の領域に入るため、結晶格子が本来のＧａＮある
いはＡｌＧａＮから大きく乱れて乱雑になるため特性が
悪化している。したがって、本実施の形態から明らかな
ように、クラック防止層に添加すべき炭素の濃度は１０
14ｃｍ-3以上１０20ｃｍ-3以下でなければならない。 （実施の形態４）本実施の形態では、図１の積層構造の
レーザ素子において、ｎ型ＧａＮ層側およびｎ型ＡｌＧ
ａＮ層側に炭素を添加してクラック防止層を成長させる
際の温度を変えた例について図７および図８を参照しな
がら説明する。
素濃度が低いおよび高いで駆動電圧と発振閾値電流が上
昇する傾向が見られた。図６に炭素濃度と駆動電圧およ
び閾値電流の関係を示す。図中で●は駆動電圧を示し、
○は閾値電流を示す。駆動電圧、閾値電流供に炭素濃度
１０14ｃｍ-3および９．５×１０19ｃｍ-3から上昇し始
める兆しが見られ、１０14ｃｍ-3未満および１０20ｃｍ
-3を超える炭素濃度ではいずれもはっきりと増加する傾
向が見て取れる。炭素濃度の高低により電圧、電流が増
加する機構は違っていると考えられる。すなわち、炭素
濃度が１０14ｃｍ-3未満の領域では、格子緩和が不十分
であり、クラックが生じることと、転位の伝搬によりリ
ーク電流および活性層での非発光再結合が増加すること
により駆動電圧と閾値電流密度が上昇し、逆に炭素濃度
が１０20ｃｍ-3を超える領域においては、炭素濃度が結
晶組成の領域に入るため、結晶格子が本来のＧａＮある
いはＡｌＧａＮから大きく乱れて乱雑になるため特性が
悪化している。したがって、本実施の形態から明らかな
ように、クラック防止層に添加すべき炭素の濃度は１０
14ｃｍ-3以上１０20ｃｍ-3以下でなければならない。 （実施の形態４）本実施の形態では、図１の積層構造の
レーザ素子において、ｎ型ＧａＮ層側およびｎ型ＡｌＧ
ａＮ層側に炭素を添加してクラック防止層を成長させる
際の温度を変えた例について図７および図８を参照しな
がら説明する。
【００３８】素子構造の作製は基本的に実施の形態１と
同じ手順によるが、各クラック防止層に添加する炭素濃
度を１０16ｃｍ-3に設定し、クラック防止層−Ａ（１０
３）およびＢ（１０４）を成長差せる際、下に位置する
ｎ型ＧａＮ層（１０２）の成長後、一旦ＴＭＧおよびＳ
ｉＨ4の供給を停止して、ＮＨ3雰囲気中で所定のクラッ
ク防止層成長温度まで降温または昇温し、安定後にＴＭ
Ｇ、ＳｉＨ4に加えて炭素源であるＣＨ4を同時に供給し
て１μｍの厚さにクラック防止層−Ａ（１０３）を成長
させた。続いて、温度を一定に保ったままＴＭＡを追加
供給してクラック防止層−Ｂ（１０４）を連続して成長
させた。クラック防止層−Ｂ（１０４）の成長後、ＴＭ
Ｇ、ＴＭＡ、ＳｉＨ4およびＣＨ4の供給を停止してＮＨ
3雰囲気中で１０５０℃まで昇温または降温し、温度を
安定させてＴＭＧ、ＴＭＡおよびＳｉＨ4を再度供給し
てｎ型ＡｌＧａＮクラッド層を成長させた。それ以外の
成長は実施の形態１にて説明した条件である。
同じ手順によるが、各クラック防止層に添加する炭素濃
度を１０16ｃｍ-3に設定し、クラック防止層−Ａ（１０
３）およびＢ（１０４）を成長差せる際、下に位置する
ｎ型ＧａＮ層（１０２）の成長後、一旦ＴＭＧおよびＳ
ｉＨ4の供給を停止して、ＮＨ3雰囲気中で所定のクラッ
ク防止層成長温度まで降温または昇温し、安定後にＴＭ
Ｇ、ＳｉＨ4に加えて炭素源であるＣＨ4を同時に供給し
て１μｍの厚さにクラック防止層−Ａ（１０３）を成長
させた。続いて、温度を一定に保ったままＴＭＡを追加
供給してクラック防止層−Ｂ（１０４）を連続して成長
させた。クラック防止層−Ｂ（１０４）の成長後、ＴＭ
Ｇ、ＴＭＡ、ＳｉＨ4およびＣＨ4の供給を停止してＮＨ
3雰囲気中で１０５０℃まで昇温または降温し、温度を
安定させてＴＭＧ、ＴＭＡおよびＳｉＨ4を再度供給し
てｎ型ＡｌＧａＮクラッド層を成長させた。それ以外の
成長は実施の形態１にて説明した条件である。
【００３９】クラック防止層の成長温度に対するクラッ
ク密度の変化を図７に示す。成長温度が５００℃より低
い場合にクラック密度が増大していることがわかる。こ
れは、５００℃より低温で炭素源であるＣＨ4の分解効
率が低下して結晶中に取り込まれる炭素濃度が低下し、
クラック防止層としての効果が充分に発揮されなくなる
ためである。この傾向は炭素源としてＣnＨ2(n+1)で表
される化合物およびＣ（ＣnＨ2n+1）4で表わされる化合
物を使った成長で一般的に見られる傾向であった。従っ
て、クラック防止層の成長温度は５００℃以上とする必
要がある。
ク密度の変化を図７に示す。成長温度が５００℃より低
い場合にクラック密度が増大していることがわかる。こ
れは、５００℃より低温で炭素源であるＣＨ4の分解効
率が低下して結晶中に取り込まれる炭素濃度が低下し、
クラック防止層としての効果が充分に発揮されなくなる
ためである。この傾向は炭素源としてＣnＨ2(n+1)で表
される化合物およびＣ（ＣnＨ2n+1）4で表わされる化合
物を使った成長で一般的に見られる傾向であった。従っ
て、クラック防止層の成長温度は５００℃以上とする必
要がある。
【００４０】次に、クラック防止層の成長温度と素子の
駆動電圧および閾値電流密度の関係を図８に示す。同図
において、●は駆動電圧を、○は閾値電流密度を現す。
図８より、クラック防止層の成長温度が５００℃より低
い場合および１２００℃を超える場合に駆動電圧および
閾値電流密度が上昇する傾向にあることがわかる。５０
０℃より低い温度で成長した場合、前述したように、結
晶中に取り込まれる炭素濃度が低下し、クラック防止層
としての効果が発揮されなくなる結果、クラックの増大
を招き、特性が悪化するためである。同時に、歩留まり
も低下する。逆に成長温度が１２００℃を超える領域で
は、クラック密度の増加こそ見られないものの、素子特
性が悪化していることがわかる。これは、１２００℃を
超える温度では熱エネルギーにより炭素源の分解が促進
され、結晶中に取り込まれる炭素濃度が過剰になる結
果、クラック防止層としての効果は失われないものの、
過剰炭素の凝集部分が核となって結晶中に転位を生じ、
上層の活性層を貫通するこれら転位により非発光中心密
度と注入キャリアのリークパスが増加することによる。
従って、クラック密度および素子特性を考慮し、クラッ
ク防止層の成長温度は５００℃以上１２００℃以下であ
ることが望ましい。
駆動電圧および閾値電流密度の関係を図８に示す。同図
において、●は駆動電圧を、○は閾値電流密度を現す。
図８より、クラック防止層の成長温度が５００℃より低
い場合および１２００℃を超える場合に駆動電圧および
閾値電流密度が上昇する傾向にあることがわかる。５０
０℃より低い温度で成長した場合、前述したように、結
晶中に取り込まれる炭素濃度が低下し、クラック防止層
としての効果が発揮されなくなる結果、クラックの増大
を招き、特性が悪化するためである。同時に、歩留まり
も低下する。逆に成長温度が１２００℃を超える領域で
は、クラック密度の増加こそ見られないものの、素子特
性が悪化していることがわかる。これは、１２００℃を
超える温度では熱エネルギーにより炭素源の分解が促進
され、結晶中に取り込まれる炭素濃度が過剰になる結
果、クラック防止層としての効果は失われないものの、
過剰炭素の凝集部分が核となって結晶中に転位を生じ、
上層の活性層を貫通するこれら転位により非発光中心密
度と注入キャリアのリークパスが増加することによる。
従って、クラック密度および素子特性を考慮し、クラッ
ク防止層の成長温度は５００℃以上１２００℃以下であ
ることが望ましい。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、レーザ等
の発光素子において主としてＧａＮとＡｌＧａＮの間の
格子不整合および熱膨張係数差に起因し、素子特性と生
産における歩留まりを悪化させる原因となるクラックの
発生を抑えるため、ＧａＮあるいはサファイア等の通常
窒化物半導体のエピタキシャル成長に用いられる結晶を
基板として、通常のＭＯＣＶＤ法等のエピタキシャル成
長技術によりレーザ構造を順次積層する過程において、
互いに接する層の格子定数が大小の関係にあるｎ型Ｇａ
Ｎ層とｎ型ＡｌＧａＮ層界面、ｎ型ＡｌＧａＮ層に接す
るｎ型ＧａＮ光ガイド層界面およびｐ型ＧａＮ光ガイド
層に接するｐ型ＡｌＧａＮ層界面に炭素を１０14ｃｍ-3
以上１０20ｃｍ-3以下の濃度で含むクラック防止層を５
０ｎｍ以上１μｍ以下の厚さで導入することを特徴とし
ている。炭素を含むことでクラック防止層の格子を緩和
させ、界面からのクラック発生を防止することによっ
て、生産における歩留まりを向上させ、また、素子特性
を向上させる効果を実現するものである
の発光素子において主としてＧａＮとＡｌＧａＮの間の
格子不整合および熱膨張係数差に起因し、素子特性と生
産における歩留まりを悪化させる原因となるクラックの
発生を抑えるため、ＧａＮあるいはサファイア等の通常
窒化物半導体のエピタキシャル成長に用いられる結晶を
基板として、通常のＭＯＣＶＤ法等のエピタキシャル成
長技術によりレーザ構造を順次積層する過程において、
互いに接する層の格子定数が大小の関係にあるｎ型Ｇａ
Ｎ層とｎ型ＡｌＧａＮ層界面、ｎ型ＡｌＧａＮ層に接す
るｎ型ＧａＮ光ガイド層界面およびｐ型ＧａＮ光ガイド
層に接するｐ型ＡｌＧａＮ層界面に炭素を１０14ｃｍ-3
以上１０20ｃｍ-3以下の濃度で含むクラック防止層を５
０ｎｍ以上１μｍ以下の厚さで導入することを特徴とし
ている。炭素を含むことでクラック防止層の格子を緩和
させ、界面からのクラック発生を防止することによっ
て、生産における歩留まりを向上させ、また、素子特性
を向上させる効果を実現するものである
【図１】窒化物半導体を用い、本発明を適用してＧａＮ
基板上に作製したレーザ素子の構造を示す図である。
基板上に作製したレーザ素子の構造を示す図である。
【図２】窒化物半導体を用いてＧａＮ基板上に作製した
従来素子の構造を示す図である。
従来素子の構造を示す図である。
【図３】クラック防止層の厚さとクラック密度の関係を
表わした図である。
表わした図である。
【図４】クラック防止層の厚さと閾値電流密度および駆
動電圧の関係を表わした図である。
動電圧の関係を表わした図である。
【図５】クラック防止層に含まれる炭素の濃度クラック
密度の関係を表わした図である。
密度の関係を表わした図である。
【図６】クラック防止層に含まれる炭素の濃度と閾値電
流密度および駆動電圧の関係を表わした図である。
流密度および駆動電圧の関係を表わした図である。
【図７】クラック防止層の成長温度とクラック密度の関
係を表わした図である。
係を表わした図である。
【図８】クラック防止層の成長温度と閾値電流密度およ
び駆動電圧の関係を表わした図である。
び駆動電圧の関係を表わした図である。
１０１…ｎ型ＧａＮ基板
１０２…ｎ型ＧａＮ層
１０３…炭素添加ＧａＮ層（クラック防止層−Ａ）
１０４…炭素添加ｎ型ＡｌＧａＮ層（クラック防止層−
Ｂ） １０５…ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層 １０６…ｎ型ＧａＮ光ガイド層 １０７…ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層 １０８…ＡｌＧａＮブロック層 １０９…ｐ型ＧａＮ光ガイド層 １１０…炭素添加ｐ型ＡｌＧａＮ層（クラック防止層−
Ｃ） １１１…ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 １１２…ｐ型ＧａＮ層 １１３…ｐ型ＧａＮコンタクト層 １１４…絶縁膜 １１５…ｐ型電極 １１６…ｎ型電極 ２０１…ｎ型ＧａＮ基板 ２０２…ｎ型ＧａＮ層 ２０３…ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ２０４…ｎ型ＧａＮ光ガイド層 ２０５…ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層 ２０６…ＡｌＧａＮブロック層 ２０７…ｐ型ＧａＮ光ガイド層 ２０８…ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ２０９…ｐ型ＧａＮ層 ２１０…ｐ型ＧａＮコンタクト層 ２１１…絶縁膜 ２１２…ｐ型電極 ２１３…ｎ型電極
Ｂ） １０５…ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層 １０６…ｎ型ＧａＮ光ガイド層 １０７…ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層 １０８…ＡｌＧａＮブロック層 １０９…ｐ型ＧａＮ光ガイド層 １１０…炭素添加ｐ型ＡｌＧａＮ層（クラック防止層−
Ｃ） １１１…ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 １１２…ｐ型ＧａＮ層 １１３…ｐ型ＧａＮコンタクト層 １１４…絶縁膜 １１５…ｐ型電極 １１６…ｎ型電極 ２０１…ｎ型ＧａＮ基板 ２０２…ｎ型ＧａＮ層 ２０３…ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ２０４…ｎ型ＧａＮ光ガイド層 ２０５…ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層 ２０６…ＡｌＧａＮブロック層 ２０７…ｐ型ＧａＮ光ガイド層 ２０８…ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ２０９…ｐ型ＧａＮ層 ２１０…ｐ型ＧａＮコンタクト層 ２１１…絶縁膜 ２１２…ｐ型電極 ２１３…ｎ型電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 湯浅 貴之
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
(72)発明者 津田 有三
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
(72)発明者 荒木 正浩
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
Ｆターム(参考） 5F073 AA04 AA51 AA74 CA07 CB19
DA05 EA28
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式ＩｎxＧａyＡｌ1-(x+y)Ｎ（０≦
ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体を複
数層積層した構造の窒化物半導体発光素子において、そ
の積層構造中の少なくとも一層以上がクラック防止層で
あり、かつ該クラック防止層が炭素を含有することを特
徴とする窒化物半導体発光素子。 - 【請求項２】 クラック防止層は、素子を構成する複数
層のうち、互いに格子定数が異なり、格子定数が大きい
層と格子定数が小さい層の界面に位置することを特徴と
する請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項３】 積層構造は、ＧａＮ層と、ＧａＮ層と接
したＡｌＧａＮ層を含み、クラック防止層は、ＧａＮ層
とＡｌＧａＮ層の界面に位置することを特徴とする請求
項１に記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項４】 クラック防止層の厚さは、５０ｎｍ以上
１μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒
化物半導体発光素子。 - 【請求項５】 クラック防止層は、炭素濃度が１０14ｃ
ｍ-3以上１０20ｃｍ -3以下であることを特徴とする請求
項１に記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項６】 クラック防止層の成長温度が５００℃以
上１２００℃以下であることを特徴とする請求項１に記
載の窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002064658A JP2003264345A (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 窒化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002064658A JP2003264345A (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003264345A true JP2003264345A (ja) | 2003-09-19 |
Family
ID=29197333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002064658A Pending JP2003264345A (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003264345A (ja) |
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| WO2009081724A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP2009170639A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物半導体レーザチップ及び窒化物半導体レーザ素子並びに窒化物半導体レーザチップの製造方法 |
| WO2013165134A1 (en) * | 2012-05-01 | 2013-11-07 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Method for fabricating p-type aluminum gallium nitride semiconductor |
| CN106058002A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-10-26 | 青岛杰生电气有限公司 | 一种紫外发光器 |
| CN114122199A (zh) * | 2020-08-25 | 2022-03-01 | 丰田合成株式会社 | p型第III族氮化物半导体的制造方法 |
| JP7484572B2 (ja) | 2020-08-25 | 2024-05-16 | 豊田合成株式会社 | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 |
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| JP2001176804A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Inst Of Physical & Chemical Res | 半導体層の形成方法 |
-
2002
- 2002-03-11 JP JP2002064658A patent/JP2003264345A/ja active Pending
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| CN114122199A (zh) * | 2020-08-25 | 2022-03-01 | 丰田合成株式会社 | p型第III族氮化物半导体的制造方法 |
| JP7484572B2 (ja) | 2020-08-25 | 2024-05-16 | 豊田合成株式会社 | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080805 |