JP2002164576A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JP2002164576A JP2002164576A JP2000365773A JP2000365773A JP2002164576A JP 2002164576 A JP2002164576 A JP 2002164576A JP 2000365773 A JP2000365773 A JP 2000365773A JP 2000365773 A JP2000365773 A JP 2000365773A JP 2002164576 A JP2002164576 A JP 2002164576A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の単色発光ダイオードと全く同様の樹脂モ
ールドの材料および工程が適用でき、且つ従来の単色発
光ダイオードと比べて発光効率の低下や駆動電圧の上昇
を招かない混合色発光ダイオードを提供すること。 【解決手段】基板１又は２１上に複数層の化合物半導体
層を積層し、且つその積層体の一部に発光層となるｐｎ
接合又はヘテロ接合を有する半導体積層部を具備する発
光ダイオードにおいて、前記積層体の光取り出し側に、
Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆのうち少なくと
も１種類の元素がドープされたＩｎ2 Ｏ3層７、８又は
２７を設け、そのＩｎ2 Ｏ3 層中に、前記発光層からの
発光の少なくとも一部を波長変換して発光する少なくと
も１種類の無機蛍光体を含有させる。
ールドの材料および工程が適用でき、且つ従来の単色発
光ダイオードと比べて発光効率の低下や駆動電圧の上昇
を招かない混合色発光ダイオードを提供すること。 【解決手段】基板１又は２１上に複数層の化合物半導体
層を積層し、且つその積層体の一部に発光層となるｐｎ
接合又はヘテロ接合を有する半導体積層部を具備する発
光ダイオードにおいて、前記積層体の光取り出し側に、
Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆのうち少なくと
も１種類の元素がドープされたＩｎ2 Ｏ3層７、８又は
２７を設け、そのＩｎ2 Ｏ3 層中に、前記発光層からの
発光の少なくとも一部を波長変換して発光する少なくと
も１種類の無機蛍光体を含有させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単色光以外の発光
を得ることが可能な発光ダイオードに関するものであ
る。
を得ることが可能な発光ダイオードに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体を用いた発光ダイオ
ードは、そのエネルギーバンドギャップに応じた単色光
または単色光に近い光しか放出することができず、例え
ば白、赤紫、ピンク等の色は表現できなかった。
ードは、そのエネルギーバンドギャップに応じた単色光
または単色光に近い光しか放出することができず、例え
ば白、赤紫、ピンク等の色は表現できなかった。
【０００３】しかしながら、近年では青色発光ダイオー
ドと青色以外の蛍光を持つ蛍光体を組み合わせ、青色発
光ダイオードの発光の一部を蛍光体の励起光とし、発光
ダイオードからの発光と蛍光体からの蛍光の混合色、特
に白色を得る発光ダイオードが提供されている。
ドと青色以外の蛍光を持つ蛍光体を組み合わせ、青色発
光ダイオードの発光の一部を蛍光体の励起光とし、発光
ダイオードからの発光と蛍光体からの蛍光の混合色、特
に白色を得る発光ダイオードが提供されている。
【０００４】このような発光ダイオードの一例として、
例えば特開平５−１５２６０９号公報による方法が公知
である。特開平５−１５２６０９号公報による方法で
は、一般式Ｇａz1Ａｌ1-z1Ｎ（０≦Ｚ１≦１）で表され
る化合物半導体からなる発光ダイオードチップをステム
上に配置し、その周囲を樹脂でモールドする。上記樹脂
には蛍光物質が含有されており、上記蛍光物質は発光ダ
イオードチップからの放射光により励起され、蛍光を生
じる。結果として、発光ダイオードチップからの発光と
蛍光物質からの蛍光の混合光を得ることができる。
例えば特開平５−１５２６０９号公報による方法が公知
である。特開平５−１５２６０９号公報による方法で
は、一般式Ｇａz1Ａｌ1-z1Ｎ（０≦Ｚ１≦１）で表され
る化合物半導体からなる発光ダイオードチップをステム
上に配置し、その周囲を樹脂でモールドする。上記樹脂
には蛍光物質が含有されており、上記蛍光物質は発光ダ
イオードチップからの放射光により励起され、蛍光を生
じる。結果として、発光ダイオードチップからの発光と
蛍光物質からの蛍光の混合光を得ることができる。
【０００５】一方、特開平５−１５２６０９号公報とは
異なる方法として、特開２０００−４９３７４号公報に
よる方法が公知である。特開２０００−４９３７４号公
報による方法では、蛍光中心をドープしたＧａＮ基板上
にＧａz2Ｉｎ1-z2Ｎ（０≦ｚ２≦１）で表される化合物
半導体で構成される発光層を積層し、発光ダイオードチ
ップを得る。ＧａＮ基板に含有される蛍光中心は発光層
からの放射光により励起され、蛍光を生じる。結果とし
て、発光層からの発光とＧａＮ基板に含有された蛍光中
心からの蛍光の混合光を得ることができる。
異なる方法として、特開２０００−４９３７４号公報に
よる方法が公知である。特開２０００−４９３７４号公
報による方法では、蛍光中心をドープしたＧａＮ基板上
にＧａz2Ｉｎ1-z2Ｎ（０≦ｚ２≦１）で表される化合物
半導体で構成される発光層を積層し、発光ダイオードチ
ップを得る。ＧａＮ基板に含有される蛍光中心は発光層
からの放射光により励起され、蛍光を生じる。結果とし
て、発光層からの発光とＧａＮ基板に含有された蛍光中
心からの蛍光の混合光を得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
５−１５２６０９号公報による方法は以下に示す問題点
を有する。特開平５−１５２６０９号公報による方法は
樹脂モールドに蛍光材料を含有させる工程が必須であ
る。しかし、この工程は従来の単色発光ダイオードの製
造工程には含まれないため、単色発光ダイオードの樹脂
モールド工程をそのまま適用することができない。
５−１５２６０９号公報による方法は以下に示す問題点
を有する。特開平５−１５２６０９号公報による方法は
樹脂モールドに蛍光材料を含有させる工程が必須であ
る。しかし、この工程は従来の単色発光ダイオードの製
造工程には含まれないため、単色発光ダイオードの樹脂
モールド工程をそのまま適用することができない。
【０００７】特開２０００−４９３７４号公報は上記問
題点を解決する手法として提案された。すなわち、発光
ダイオード中の発光ダイオードチップそのものが混合光
を放射すれば、樹脂モールドの材料および工程は従来の
単色発光ダイオードと全く同様で済むという考えによ
る。
題点を解決する手法として提案された。すなわち、発光
ダイオード中の発光ダイオードチップそのものが混合光
を放射すれば、樹脂モールドの材料および工程は従来の
単色発光ダイオードと全く同様で済むという考えによ
る。
【０００８】しかし、特開２０００−４９３７４号公報
による方法は以下に示す問題点を有する。第一に、良質
のＧａＮ基板の製造技術はまだ十分に確立されていない
ため、ＧａＮ基板を用いた窒化ガリウム系発光ダイオー
ドチップは、従来型のサファイア基板を用いた窒化ガリ
ウム系発光ダイオードチップに比べて極めて高価である
ことがあげられる。第二に、ＧａＮに蛍光中心である酸
素、窒素等の不純物や窒素空孔をドープすると、ＧａＮ
基板に多数の結晶欠陥が生じることがあげられる。この
ように多数の結晶欠陥を有するＧａＮ基板上を用いた発
光ダイオードチップは、良質のサファイア基板を用いた
発光ダイオードチップよりも発光効率が著しく低下した
り、駆動電圧が上昇することは明白である。最悪の場
合、発光しない可能性すらある。
による方法は以下に示す問題点を有する。第一に、良質
のＧａＮ基板の製造技術はまだ十分に確立されていない
ため、ＧａＮ基板を用いた窒化ガリウム系発光ダイオー
ドチップは、従来型のサファイア基板を用いた窒化ガリ
ウム系発光ダイオードチップに比べて極めて高価である
ことがあげられる。第二に、ＧａＮに蛍光中心である酸
素、窒素等の不純物や窒素空孔をドープすると、ＧａＮ
基板に多数の結晶欠陥が生じることがあげられる。この
ように多数の結晶欠陥を有するＧａＮ基板上を用いた発
光ダイオードチップは、良質のサファイア基板を用いた
発光ダイオードチップよりも発光効率が著しく低下した
り、駆動電圧が上昇することは明白である。最悪の場
合、発光しない可能性すらある。
【０００９】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、従来
の単色発光ダイオードと全く同様の樹脂モールドの材料
および工程が適用でき、且つ従来の単色発光ダイオード
と比べて発光効率の低下や駆動電圧の上昇を招かない混
合色発光ダイオードを提供することにある。
の単色発光ダイオードと全く同様の樹脂モールドの材料
および工程が適用でき、且つ従来の単色発光ダイオード
と比べて発光効率の低下や駆動電圧の上昇を招かない混
合色発光ダイオードを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【００１１】請求項１に記載の発明は、少なくとも１層
のＩｎ2 Ｏ3 層と、化合物半導体からなる少なくとも１
層の発光層と、該発光層からの発光の少なくとも一部を
波長変換して発光する少なくとも１種類の無機蛍光体を
有する発光ダイオードであって、前記Ｉｎ2 Ｏ3 層にＳ
ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆのうち少なくとも
１種類の元素がドープされ、且つこのＩｎ2 Ｏ3 層中に
前記無機蛍光体が含有されていることを特徴とする。
のＩｎ2 Ｏ3 層と、化合物半導体からなる少なくとも１
層の発光層と、該発光層からの発光の少なくとも一部を
波長変換して発光する少なくとも１種類の無機蛍光体を
有する発光ダイオードであって、前記Ｉｎ2 Ｏ3 層にＳ
ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆのうち少なくとも
１種類の元素がドープされ、且つこのＩｎ2 Ｏ3 層中に
前記無機蛍光体が含有されていることを特徴とする。
【００１２】また請求項２に記載の発明は、基板上に複
数層の化合物半導体層を積層し、且つその積層体の一部
に発光層となるｐｎ接合又はヘテロ接合を有する半導体
積層部を具備する発光ダイオードにおいて、前記積層体
の光取り出し側に、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓ
ｂ、Ｆのうち少なくとも１種類の元素がドープされたＩ
ｎ2 Ｏ3 層を設け、そのＩｎ2 Ｏ3 層中に、前記発光層
からの発光の少なくとも一部を波長変換して発光する少
なくとも１種類の無機蛍光体を含有させたことを特徴と
する。
数層の化合物半導体層を積層し、且つその積層体の一部
に発光層となるｐｎ接合又はヘテロ接合を有する半導体
積層部を具備する発光ダイオードにおいて、前記積層体
の光取り出し側に、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓ
ｂ、Ｆのうち少なくとも１種類の元素がドープされたＩ
ｎ2 Ｏ3 層を設け、そのＩｎ2 Ｏ3 層中に、前記発光層
からの発光の少なくとも一部を波長変換して発光する少
なくとも１種類の無機蛍光体を含有させたことを特徴と
する。
【００１３】本発明においては、前記発光層が、一般式
ＧａＰx1Ａｓ1-x1（０≦ｘ１≦１）、またはＡｌx2Ｇａ
1-2xＡｓ（０≦ｘ２≦１）、または（Ａｌx3Ｇａ1-x3）
y Ｉｎ1-y Ｐ（０≦ｘ３≦１、０≦ｙ≦１）、またはＡ
ｌx4Ｇａ1-x4Ｎ（０≦ｘ４≦１）、またはＩｎx5Ｇａ
1-x5Ｎ（０≦ｘ５≦１）で表される化合物半導体のうち
少なくとも１種類の化合物半導体からなる（請求項
３）。
ＧａＰx1Ａｓ1-x1（０≦ｘ１≦１）、またはＡｌx2Ｇａ
1-2xＡｓ（０≦ｘ２≦１）、または（Ａｌx3Ｇａ1-x3）
y Ｉｎ1-y Ｐ（０≦ｘ３≦１、０≦ｙ≦１）、またはＡ
ｌx4Ｇａ1-x4Ｎ（０≦ｘ４≦１）、またはＩｎx5Ｇａ
1-x5Ｎ（０≦ｘ５≦１）で表される化合物半導体のうち
少なくとも１種類の化合物半導体からなる（請求項
３）。
【００１４】また、本発明においては、前記無機蛍光体
がＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの元素のう
ち少なくとも１種類の元素を含む（請求項４）。
がＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの元素のう
ち少なくとも１種類の元素を含む（請求項４）。
【００１５】前記Ｉｎ2 Ｏ3 層中に含有されている無機
蛍光体が１種類から成る場合には、該無機蛍光体の発光
と前記発光層の発光とがそれぞれの補色となっている
（請求項５）。そして、該無機蛍光体の発光と前記発光
層の発光とを混合した光のＣＩＥ−ＸＹＺ表色系におけ
る色度座標が、０．２≦ｘ≦０．５、且つ０．２≦ｙ≦
０．５の範囲にある（請求項６）。
蛍光体が１種類から成る場合には、該無機蛍光体の発光
と前記発光層の発光とがそれぞれの補色となっている
（請求項５）。そして、該無機蛍光体の発光と前記発光
層の発光とを混合した光のＣＩＥ−ＸＹＺ表色系におけ
る色度座標が、０．２≦ｘ≦０．５、且つ０．２≦ｙ≦
０．５の範囲にある（請求項６）。
【００１６】また、前記Ｉｎ2 Ｏ3 層中に含有されてい
る無機蛍光体が２種以上から成る場合には、該２種以上
の無機蛍光体の発光の混合光と前記発光層の発光とがそ
れぞれの補色となっている（請求項７）。そして、該２
種以上の無機蛍光体の発光の混合光と前記発光層の発光
とを混合した光のＣＩＥ−ＸＹＺ表色系における色度座
標が、０．２≦ｘ≦０．５、且つ０．２≦ｙ≦０．５の
範囲にある（請求項８）。
る無機蛍光体が２種以上から成る場合には、該２種以上
の無機蛍光体の発光の混合光と前記発光層の発光とがそ
れぞれの補色となっている（請求項７）。そして、該２
種以上の無機蛍光体の発光の混合光と前記発光層の発光
とを混合した光のＣＩＥ−ＸＹＺ表色系における色度座
標が、０．２≦ｘ≦０．５、且つ０．２≦ｙ≦０．５の
範囲にある（請求項８）。
【００１７】＜発明の要点＞本発明の要点は、発光ダイ
オードチップにＳｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆ
のうち少なくとも１種類の元素がドープされたＩｎ2 Ｏ
3 層を設け、さらに化合物半導体からなる発光層からの
発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する少
なくとも１種類の無機蛍光体を上記Ｉｎ2 Ｏ3 層中に含
有させることにある。
オードチップにＳｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆ
のうち少なくとも１種類の元素がドープされたＩｎ2 Ｏ
3 層を設け、さらに化合物半導体からなる発光層からの
発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する少
なくとも１種類の無機蛍光体を上記Ｉｎ2 Ｏ3 層中に含
有させることにある。
【００１８】上記Ｉｎ2 Ｏ3 層は導電性を有し、且つ透
明である。また上記無機蛍光体は発光ダイオードチップ
からの発光によって励起されて蛍光を生じ、結果的に半
導体層からの発光と無機蛍光体からの蛍光の混合色を得
ることができる。従来型の混合色発光ダイオードと異な
り、本発明による発光ダイオードは発光ダイオードチッ
プ自体が混合色を放射するため、モールド工程で蛍光体
を混入させる必要はなく、従来型の単色発光ダイオード
と全く同様の樹脂モールドの材料および工程が適用でき
る。
明である。また上記無機蛍光体は発光ダイオードチップ
からの発光によって励起されて蛍光を生じ、結果的に半
導体層からの発光と無機蛍光体からの蛍光の混合色を得
ることができる。従来型の混合色発光ダイオードと異な
り、本発明による発光ダイオードは発光ダイオードチッ
プ自体が混合色を放射するため、モールド工程で蛍光体
を混入させる必要はなく、従来型の単色発光ダイオード
と全く同様の樹脂モールドの材料および工程が適用でき
る。
【００１９】また、本発明に関わる方法では、Ｉｎ2 Ｏ
3 層以外の構造は従来型の単色光発光ダイオードと全く
同様の構造とすることができる。特に、発光ダイオード
チップを構成する基板に不純物等を混入させる必要がな
いので、良質の単結晶からなる基板を用いて化合物半導
体層を成長させることができる。
3 層以外の構造は従来型の単色光発光ダイオードと全く
同様の構造とすることができる。特に、発光ダイオード
チップを構成する基板に不純物等を混入させる必要がな
いので、良質の単結晶からなる基板を用いて化合物半導
体層を成長させることができる。
【００２０】本発明に関わる発光ダイオードは、従来型
の単色光発光ダイオードには存在しなかったＩｎ2 Ｏ3
層が追加されるわけであるから、従来型の単色光発光ダ
イオードに比べ何らかの性能低下が心配される。しか
し、Ｉｎ2 Ｏ3 は透明なので光の吸収はなく、さらに導
電性を有するので駆動電圧の上昇もほとんどない。した
がって、従来型の単色光発光ダイオードに比べ発光層の
発光効率が低下したり、駆動電圧が上昇することはな
い。
の単色光発光ダイオードには存在しなかったＩｎ2 Ｏ3
層が追加されるわけであるから、従来型の単色光発光ダ
イオードに比べ何らかの性能低下が心配される。しか
し、Ｉｎ2 Ｏ3 は透明なので光の吸収はなく、さらに導
電性を有するので駆動電圧の上昇もほとんどない。した
がって、従来型の単色光発光ダイオードに比べ発光層の
発光効率が低下したり、駆動電圧が上昇することはな
い。
【００２１】＜要点の補足説明＞本発明による発光ダイ
オードは、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆのう
ち少なくとも１種類の元素がドープされたＩｎ2 Ｏ3 層
を有する。該Ｉｎ2 Ｏ3層中には化合物半導体からなる
発光層からの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換し
て発光する少なくとも１種類の無機蛍光体が含有されて
いる。
オードは、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆのう
ち少なくとも１種類の元素がドープされたＩｎ2 Ｏ3 層
を有する。該Ｉｎ2 Ｏ3層中には化合物半導体からなる
発光層からの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換し
て発光する少なくとも１種類の無機蛍光体が含有されて
いる。
【００２２】上記Ｉｎ2 Ｏ3 層は導電性を有し、且つ透
明である。また上記無機蛍光体は発光ダイオードチップ
からの発光によって励起されて蛍光を生じ、結果的に半
導体層からの発光と無機蛍光体からの蛍光の混合色を得
ることができる。
明である。また上記無機蛍光体は発光ダイオードチップ
からの発光によって励起されて蛍光を生じ、結果的に半
導体層からの発光と無機蛍光体からの蛍光の混合色を得
ることができる。
【００２３】Ｉｎ2 Ｏ3 層にドープする元素はＳｎ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆのいずれでもよいが、
Ｓｎをドープした場合に最も総合的特性に優れているこ
とが公知であることから、Ｓｎをドープすることが好ま
しい。
Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆのいずれでもよいが、
Ｓｎをドープした場合に最も総合的特性に優れているこ
とが公知であることから、Ｓｎをドープすることが好ま
しい。
【００２４】Ｉｎ2 Ｏ3 層中に混入する蛍光体の量を制
御することで、半導体層からの発光と蛍光ガラス層から
の蛍光の割合を制御し、混合色を制御することも可能で
ある。
御することで、半導体層からの発光と蛍光ガラス層から
の蛍光の割合を制御し、混合色を制御することも可能で
ある。
【００２５】本発明による発光ダイオードの発光を構成
する化合物半導体について特に制限はないが、混合色を
得るためには可視領域で発光しなければならないこと
と、蛍光体を励起するためには強い発光が必要であるこ
とを考慮すると、一般式ＧａＰx1Ａｓ1-x1（０≦ｘ１≦
１）、またはまたはＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ（０≦ｘ２≦
１）、または（Ａｌx3Ｇａ1-x3）y Ｉｎ1-y Ｐ（０≦ｘ
３≦１、０≦ｙ≦１）、またはＡｌx4Ｇａ1-x4Ｎ（０≦
ｘ４≦１）、またはＩｎx5Ｇａ1-x5Ｎ（０≦ｘ５≦１）
で表される化合物半導体が好ましい。
する化合物半導体について特に制限はないが、混合色を
得るためには可視領域で発光しなければならないこと
と、蛍光体を励起するためには強い発光が必要であるこ
とを考慮すると、一般式ＧａＰx1Ａｓ1-x1（０≦ｘ１≦
１）、またはまたはＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ（０≦ｘ２≦
１）、または（Ａｌx3Ｇａ1-x3）y Ｉｎ1-y Ｐ（０≦ｘ
３≦１、０≦ｙ≦１）、またはＡｌx4Ｇａ1-x4Ｎ（０≦
ｘ４≦１）、またはＩｎx5Ｇａ1-x5Ｎ（０≦ｘ５≦１）
で表される化合物半導体が好ましい。
【００２６】さらに、一般的に蛍光体の励起に必要な波
長は蛍光の波長よりも短くなければならないことを考慮
すると、半導体層には青色の発光を持つＡｌＧａＮ／Ｉ
ｎＧａＮ系化合物半導体が好ましい。
長は蛍光の波長よりも短くなければならないことを考慮
すると、半導体層には青色の発光を持つＡｌＧａＮ／Ｉ
ｎＧａＮ系化合物半導体が好ましい。
【００２７】しかしながら、一般にＡｌＧａＮ／ＩｎＧ
ａＮ系化合物半導体はバンドギャップエネルギーが大き
いため、駆動電圧が大きくなってしまう。このような場
合、励起波長よりも短い波長の蛍光、いわゆるアップコ
ンバージョン蛍光を有する蛍光体を使用すれば、黄色か
ら赤色にかけて発光するＧａＰＡｓ／ＡｌＧａＩｎＰ
系、緑色から赤色にかけて発光するＧａＰ系、赤色に発
光するＡｌＧａＡｓ系等、バンドギャップエネルギーの
小さな化合物半導体を発光層に用いることができる。
ａＮ系化合物半導体はバンドギャップエネルギーが大き
いため、駆動電圧が大きくなってしまう。このような場
合、励起波長よりも短い波長の蛍光、いわゆるアップコ
ンバージョン蛍光を有する蛍光体を使用すれば、黄色か
ら赤色にかけて発光するＧａＰＡｓ／ＡｌＧａＩｎＰ
系、緑色から赤色にかけて発光するＧａＰ系、赤色に発
光するＡｌＧａＡｓ系等、バンドギャップエネルギーの
小さな化合物半導体を発光層に用いることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。
の実施形態を説明する。
【００２９】＜実施形態１＞図１に本発明の第一の実施
形態にかかわる発光ダイオードの模式図な断面図を示
す。
形態にかかわる発光ダイオードの模式図な断面図を示
す。
【００３０】サファイア基板１上に有機金属気相成長法
を用いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層２、Ｓｉドープｎ型
ＡｌＧａＮ層３、アンドープＩｎＧａＮ活性層４、Ｍｇ
ドープｐ型ＡｌＧａＮ層５、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層６
をこの順に積層する。積層する結晶は、Ｍｇドープ層５
および６をｐ型化させるために窒素雰囲気中で熱処理を
施す。
を用いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層２、Ｓｉドープｎ型
ＡｌＧａＮ層３、アンドープＩｎＧａＮ活性層４、Ｍｇ
ドープｐ型ＡｌＧａＮ層５、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層６
をこの順に積層する。積層する結晶は、Ｍｇドープ層５
および６をｐ型化させるために窒素雰囲気中で熱処理を
施す。
【００３１】熱処理を施してＭｇドープ層５および６を
ｐ型化させた段階で、結晶表面の一部をエッチングによ
りｎ型ＧａＮ層２に到達するまで掘り下げる。
ｐ型化させた段階で、結晶表面の一部をエッチングによ
りｎ型ＧａＮ層２に到達するまで掘り下げる。
【００３２】次に、（Ｃ7 Ｈ15ＣＯＯ）Ｉｎと（Ｃ7 Ｈ
15ＣＯＯ）ＳｎをＳｎ／Ｉｎ比が８％となるように混合
し、リノール酸を加え、さらにベンゼンで希釈する。こ
の溶液に蛍光体（Ｙ0.8 Ｇｄ0.2 ) 3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ
の粉末を加えてよく攪拌し、蛍光体含有ＳｎドープＩｎ
2 Ｏ3 前駆体を得る。この前駆体をｎ型ＧａＮ層２の上
記エッチング部上およびｐ型ＧａＮ層６上に塗布し、６
００℃で２０分間の熱処理を施す。これによりｎ型Ｇａ
Ｎ層２の上記エッチング部上に蛍光体含有ＳｎドープＩ
ｎ2 Ｏ3 層７が、そしてｐ型ＧａＮ層６上に蛍光体含有
ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 層８が形成される。前者のＩｎ2
Ｏ3 層７上にｐ側電極９を、後者のＩｎ2 Ｏ3 層８上に
ｎ側電極１０をそれぞれ形成すると、ダブルヘテロ構造
のＩｎＧａＮ系発光ダイオードができる。
15ＣＯＯ）ＳｎをＳｎ／Ｉｎ比が８％となるように混合
し、リノール酸を加え、さらにベンゼンで希釈する。こ
の溶液に蛍光体（Ｙ0.8 Ｇｄ0.2 ) 3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ
の粉末を加えてよく攪拌し、蛍光体含有ＳｎドープＩｎ
2 Ｏ3 前駆体を得る。この前駆体をｎ型ＧａＮ層２の上
記エッチング部上およびｐ型ＧａＮ層６上に塗布し、６
００℃で２０分間の熱処理を施す。これによりｎ型Ｇａ
Ｎ層２の上記エッチング部上に蛍光体含有ＳｎドープＩ
ｎ2 Ｏ3 層７が、そしてｐ型ＧａＮ層６上に蛍光体含有
ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 層８が形成される。前者のＩｎ2
Ｏ3 層７上にｐ側電極９を、後者のＩｎ2 Ｏ3 層８上に
ｎ側電極１０をそれぞれ形成すると、ダブルヘテロ構造
のＩｎＧａＮ系発光ダイオードができる。
【００３３】このようにして作製した発光ダイオードの
ｐ側電極９およびｎ側電極１０にそれぞれワイヤ１１を
ボンディングして２０ｍＡの電流を通電したところ、図
２に示すような発光スペクトルが得られた。波長４６０
nm近傍のピークはＩｎＧａＮ層５からの発光であり、波
長５４０nm近傍のピークはＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 層７お
よび８に含まれる蛍光体（Ｙ0.8 Ｇｄ0.2 ）3 Ａｌ5 Ｏ
12：Ｃｅの蛍光である。
ｐ側電極９およびｎ側電極１０にそれぞれワイヤ１１を
ボンディングして２０ｍＡの電流を通電したところ、図
２に示すような発光スペクトルが得られた。波長４６０
nm近傍のピークはＩｎＧａＮ層５からの発光であり、波
長５４０nm近傍のピークはＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 層７お
よび８に含まれる蛍光体（Ｙ0.8 Ｇｄ0.2 ）3 Ａｌ5 Ｏ
12：Ｃｅの蛍光である。
【００３４】ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系における色度座標を
測定したところｘ＝０．３２ｙ＝０．３４であった。目
視により確認したところ、発光は白色であった。また、
このとき発光ダイオードに印加されている電圧は３．６
５Ｖであった。
測定したところｘ＝０．３２ｙ＝０．３４であった。目
視により確認したところ、発光は白色であった。また、
このとき発光ダイオードに印加されている電圧は３．６
５Ｖであった。
【００３５】ここで、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系における色
度座標について述べる。
度座標について述べる。
【００３６】発光ダイオード、蛍光体ともにそれぞれの
エネルギー準位で規定されている波長の光しか放出でき
ない。そのため、これらを単独で発光させたときのＣＩ
Ｅ−ＸＹＺ表色系における色度座標はそれぞれある一点
に定まる。発光層の発光の色度座標を（ＸLED ，
ＹLED ）、蛍光体の蛍光の色度座標を（ＸPH，ＹPH）と
すると、本発明による発光ダイオードの発光の色度座標
は、この２点（ＸLED ，ＹLED ）（ＸPH，ＹPH）を結ぶ
直線上に存在する。直線上のどの点になるかは発光層の
発光強度と蛍光体の蛍光の強度の比で決まり、発光層の
発光強度が強ければ（ＸLED ，ＹLED ）に近づき、蛍光
体の蛍光の強度が強ければ（ＸPH，ＹPH）に近づく。し
たがって、蛍光体の配合量を制御することで２点間を結
ぶ直線上の所望の色を得ることができる。
エネルギー準位で規定されている波長の光しか放出でき
ない。そのため、これらを単独で発光させたときのＣＩ
Ｅ−ＸＹＺ表色系における色度座標はそれぞれある一点
に定まる。発光層の発光の色度座標を（ＸLED ，
ＹLED ）、蛍光体の蛍光の色度座標を（ＸPH，ＹPH）と
すると、本発明による発光ダイオードの発光の色度座標
は、この２点（ＸLED ，ＹLED ）（ＸPH，ＹPH）を結ぶ
直線上に存在する。直線上のどの点になるかは発光層の
発光強度と蛍光体の蛍光の強度の比で決まり、発光層の
発光強度が強ければ（ＸLED ，ＹLED ）に近づき、蛍光
体の蛍光の強度が強ければ（ＸPH，ＹPH）に近づく。し
たがって、蛍光体の配合量を制御することで２点間を結
ぶ直線上の所望の色を得ることができる。
【００３７】蛍光体が２種類以上ある場合には、同様の
方法で順次混合色の色度座標を求めていけば最終的な発
光ダイオードの色度座標が求まる。
方法で順次混合色の色度座標を求めていけば最終的な発
光ダイオードの色度座標が求まる。
【００３８】ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系における混色につい
ては、例えば「光工学ハンドブック」（小瀬 他、朝倉
書店（１９８６））ｐ１１６〜１１９に詳細が述べられ
ている。
ては、例えば「光工学ハンドブック」（小瀬 他、朝倉
書店（１９８６））ｐ１１６〜１１９に詳細が述べられ
ている。
【００３９】また、Ｉｎ2 Ｏ3 層のドーパントとしてＳ
ｎが最適であることは、例えば「薄膜ハンドブック」
（日本学術振興会 薄膜第１３１委員会編、オーム社
（１９８３））に記載されている。
ｎが最適であることは、例えば「薄膜ハンドブック」
（日本学術振興会 薄膜第１３１委員会編、オーム社
（１９８３））に記載されている。
【００４０】＜実施形態２＞上記は、基板が単結晶基板
から成り、該基板上に複数層の窒化物系化合物半導体層
が成長形成されている発光ダイオードの例であったが、
本発明はこれに限定されるものではない。
から成り、該基板上に複数層の窒化物系化合物半導体層
が成長形成されている発光ダイオードの例であったが、
本発明はこれに限定されるものではない。
【００４１】図３に本発明の第二の実施形態にかかわる
発光ダイオードの模式図な断面図を示す。
発光ダイオードの模式図な断面図を示す。
【００４２】裏面に下部電極２８が設けられた厚さ３０
０μｍのＳｉドープｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、Ｓｅド
ープｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、Ｓｅドープｎ型（Ａ
ｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２３、アン
ドープ（Ａｌ0.15Ｇａ0.85） 0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層２
４、Ｚｎドープｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層２５と、Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓ保護層２
６を順次積層する。
０μｍのＳｉドープｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、Ｓｅド
ープｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、Ｓｅドープｎ型（Ａ
ｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２３、アン
ドープ（Ａｌ0.15Ｇａ0.85） 0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層２
４、Ｚｎドープｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層２５と、Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓ保護層２
６を順次積層する。
【００４３】次に、（Ｃ7 Ｈ15ＣＯＯ）Ｉｎと（Ｃ7 Ｈ
15ＣＯＯ）ＳｎをＳｎ／Ｉｎ比が８％となるように混合
し、リノール酸を加え、さらにベンゼンで希釈する。こ
の溶液にＴｍ3+／Ｙｂ3+含有フッ化ジルコニウムガラス
の粉末を混合してよく攪拌し、Ｔｍ3+／Ｙｂ3+含有フッ
化ジルコニウムガラス粉末含有ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3前
駆体を得る。この前駆体を上記ＧａＡｓ保護層２６上に
塗布し、６００℃で２０分間の熱処理を施して蛍光体含
有ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 層２７を積層する。Ｉｎ2 Ｏ3
層２７上に上部電極２９を形成すると、ダブルヘテロ構
造のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードができる。
15ＣＯＯ）ＳｎをＳｎ／Ｉｎ比が８％となるように混合
し、リノール酸を加え、さらにベンゼンで希釈する。こ
の溶液にＴｍ3+／Ｙｂ3+含有フッ化ジルコニウムガラス
の粉末を混合してよく攪拌し、Ｔｍ3+／Ｙｂ3+含有フッ
化ジルコニウムガラス粉末含有ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3前
駆体を得る。この前駆体を上記ＧａＡｓ保護層２６上に
塗布し、６００℃で２０分間の熱処理を施して蛍光体含
有ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 層２７を積層する。Ｉｎ2 Ｏ3
層２７上に上部電極２９を形成すると、ダブルヘテロ構
造のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードができる。
【００４４】このようにして作製した発光ダイオードの
上部電極２９にそれぞれワイヤ３０をボンディングして
２０ｍＡの電流を通電したところ、図４に示すような発
光スペクトルが得られた。波長６３５nm近傍のピークは
（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層２４からの
発光であり、波長４５０nm近傍のピークはＳｎドープＩ
ｎ2 Ｏ3 層２７に含まれるＴｍ3+／Ｙｂ3+含有フッ化ジ
ルコニウムガラスのアップコンバージョン蛍光である。
上部電極２９にそれぞれワイヤ３０をボンディングして
２０ｍＡの電流を通電したところ、図４に示すような発
光スペクトルが得られた。波長６３５nm近傍のピークは
（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層２４からの
発光であり、波長４５０nm近傍のピークはＳｎドープＩ
ｎ2 Ｏ3 層２７に含まれるＴｍ3+／Ｙｂ3+含有フッ化ジ
ルコニウムガラスのアップコンバージョン蛍光である。
【００４５】色度座標を測定したところｘ＝０．５０ｙ
＝０．２０であった。目視により確認したところ、発光
は赤紫色であった。また、このとき発光ダイオードに印
加されている電圧は１．９２Ｖであった。
＝０．２０であった。目視により確認したところ、発光
は赤紫色であった。また、このとき発光ダイオードに印
加されている電圧は１．９２Ｖであった。
【００４６】＜他の実施形態＞実施形態１および実施形
態２で示した発光ダイオードは、発光層の発光が必ずし
も単色である必要はなく、所望の色が得られるように発
光スペクトルのピークを２つ以上持つように構成しても
よい。また、発光層に用いる化合物半導体層は必ずしも
ＧａＰ等のIII −Ｖ族化合物半導体である必要はなく、
ＺｎＳｅ等のII−VI族化合物半導体を用いてもよい。
態２で示した発光ダイオードは、発光層の発光が必ずし
も単色である必要はなく、所望の色が得られるように発
光スペクトルのピークを２つ以上持つように構成しても
よい。また、発光層に用いる化合物半導体層は必ずしも
ＧａＰ等のIII −Ｖ族化合物半導体である必要はなく、
ＺｎＳｅ等のII−VI族化合物半導体を用いてもよい。
【００４７】蛍光体は必ずしも１種類である必要はな
く、必要に応じて２種類以上の蛍光体を用いてもよい。
さらに、蛍光体の発光波長は必ずしも１つである必要は
なく、２つ以上の発光波長を持つ蛍光体を使用してもよ
い。これらの場合、発光層からの発光は必ずしも可視光
である必要はなく、紫外線であってもよい。
く、必要に応じて２種類以上の蛍光体を用いてもよい。
さらに、蛍光体の発光波長は必ずしも１つである必要は
なく、２つ以上の発光波長を持つ蛍光体を使用してもよ
い。これらの場合、発光層からの発光は必ずしも可視光
である必要はなく、紫外線であってもよい。
【００４８】＜使用方法、応用システム＞本発明による
発光ダイオードは、単色光以外の発光、例えば白色光を
得ることが可能であり、照明機器、液晶用バックライ
ト、各種インジケータ、表示パネル等、これまで単色の
発光ダイオードでは表現できなかった分野に応用が可能
である。さらに、低消費電力、軽量、小型等の利点を生
かし、蛍光灯等の従来の照明機器の置き換えも可能であ
る。
発光ダイオードは、単色光以外の発光、例えば白色光を
得ることが可能であり、照明機器、液晶用バックライ
ト、各種インジケータ、表示パネル等、これまで単色の
発光ダイオードでは表現できなかった分野に応用が可能
である。さらに、低消費電力、軽量、小型等の利点を生
かし、蛍光灯等の従来の照明機器の置き換えも可能であ
る。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
光ダイオードチップにＳｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓ
ｂ、Ｆのうち少なくとも１種類の元素がドープされたＩ
ｎ2 Ｏ3 層を設け、さらに化合物半導体からなる発光層
からの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光
する少なくとも１種類の無機蛍光体を該Ｉｎ2 Ｏ3 層中
に含有させた構成としたので、従来の単色発光ダイオー
ドと全く同様の樹脂モールドの材料及び工程が適用で
き、且つ従来の単色発光ダイオードと比べて発光効率の
低下や駆動電圧の上昇を招かない混合色発光ダイオード
を提供することができる。
光ダイオードチップにＳｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓ
ｂ、Ｆのうち少なくとも１種類の元素がドープされたＩ
ｎ2 Ｏ3 層を設け、さらに化合物半導体からなる発光層
からの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光
する少なくとも１種類の無機蛍光体を該Ｉｎ2 Ｏ3 層中
に含有させた構成としたので、従来の単色発光ダイオー
ドと全く同様の樹脂モールドの材料及び工程が適用で
き、且つ従来の単色発光ダイオードと比べて発光効率の
低下や駆動電圧の上昇を招かない混合色発光ダイオード
を提供することができる。
【図１】本発明の第一の実施形態にかかわる発光ダイオ
ードの模式的な断面図である。
ードの模式的な断面図である。
【図２】本発明の第一の実施形態にかかわる発光ダイオ
ードの発光スペクトルを示す図である。
ードの発光スペクトルを示す図である。
【図３】本発明の第二の実施形態にかかわる発光ダイオ
ードの模式的な断面図である。
ードの模式的な断面図である。
【図４】本発明の第二の実施形態にかかわる発光ダイオ
ードの発光スペクトルを示す図である。
ードの発光スペクトルを示す図である。
１ サファイア基板 ２ Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層 ３ Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層 ４ アンドープＩｎＧａＮ活性層 ５ Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層 ６ Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層 ７ 蛍光体含有ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 層 ８ 蛍光体含有ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 層 ２１ Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ基板 ２２ Ｓｅドープｎ型ＧａＡｓバッファ層 ２３ Ｓｅドープｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐクラッド層 ２４ アンドープ（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
活性層 ２５ Ｚｎドープｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐクラッド層 ２６ Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓ保護層 ２７ 蛍光体含有ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 層
0.5 Ｐクラッド層 ２４ アンドープ（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
活性層 ２５ Ｚｎドープｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐクラッド層 ２６ Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓ保護層 ２７ 蛍光体含有ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/74 Ｃ０９Ｋ 11/74 11/80 ＣＰＰ 11/80 ＣＰＰ (72)発明者 土屋 忠厳 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 (72)発明者 大島 祐一 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 Ｆターム(参考） 4H001 CA04 CC14 XA07 XA08 XA13 XA15 XA31 XA33 XA39 XA49 XA64 YA00 YA58 5F041 AA12 AA42 CA04 CA34 CA35 CA36 CA38 CA40 CA49 CA53 CA57 CA65 CA73 CA74 CA82 CA88 CB36 DA07 FF01 FF11
Claims (8)
- 【請求項１】少なくとも１層のＩｎ2 Ｏ3 層と、化合物
半導体からなる少なくとも１層の発光層と、該発光層か
らの発光の少なくとも一部を波長変換して発光する少な
くとも１種類の無機蛍光体を有する発光ダイオードであ
って、前記Ｉｎ2 Ｏ3 層にＳｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｂ、Ｆのうち少なくとも１種類の元素がドープさ
れ、且つこのＩｎ2 Ｏ3 層中に前記無機蛍光体が含有さ
れていることを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】基板上に複数層の化合物半導体層を積層
し、且つその積層体の一部に発光層となるｐｎ接合又は
ヘテロ接合を有する半導体積層部を具備する発光ダイオ
ードにおいて、前記積層体の光取り出し側に、Ｓｎ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｆのうち少なくとも１種
類の元素がドープされたＩｎ2 Ｏ3 層を設け、そのＩｎ
2 Ｏ3 層中に、前記発光層からの発光の少なくとも一部
を波長変換して発光する少なくとも１種類の無機蛍光体
を含有させたことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項３】前記発光層が、一般式ＧａＰx1Ａｓ
1-x1（０≦ｘ１≦１）、またはＡｌx2Ｇａ1-2xＡｓ（０
≦ｘ２≦１）、または（Ａｌx3Ｇａ1-x3）y Ｉｎ1-y Ｐ
（０≦ｘ３≦１、０≦ｙ≦１）、またはＡｌx4Ｇａ1-x4
Ｎ（０≦ｘ４≦１）、またはＩｎx5Ｇａ1-x5Ｎ（０≦ｘ
５≦１）で表される化合物半導体のうち少なくとも１種
類の化合物半導体からなることを特徴とする請求項１又
は２に記載の発光ダイオード。 - 【請求項４】前記無機蛍光体がＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの元素のうち少なくとも１種類の
元素を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
記載の発光ダイオード。 - 【請求項５】前記Ｉｎ2 Ｏ3 層中に含有されている無機
蛍光体が１種類から成り、該無機蛍光体の発光と前記発
光層の発光とがそれぞれの補色となっていることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光ダイオー
ド。 - 【請求項６】前記Ｉｎ2 Ｏ3 層中に含有されている無機
蛍光体が１種類から成り、該無機蛍光体の発光と前記発
光層の発光とを混合した光のＣＩＥ−ＸＹＺ表色系にお
ける色度座標が、０．２≦ｘ≦０．５、且つ０．２≦ｙ
≦０．５の範囲にあることを特徴とする請求項１〜５の
いずれかに記載の発光ダイオード。 - 【請求項７】前記Ｉｎ2 Ｏ3 層中に含有されている無機
蛍光体が２種以上から成り、該２種以上の無機蛍光体の
発光の混合光と前記発光層の発光とがそれぞれの補色と
なっていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに
記載の発光ダイオード。 - 【請求項８】前記Ｉｎ2 Ｏ3 層中に含有されている無機
蛍光体が２種以上から成り、該２種以上の無機蛍光体の
発光の混合光と前記発光層の発光とを混合した光のＣＩ
Ｅ−ＸＹＺ表色系における色度座標が、０．２≦ｘ≦
０．５、且つ０．２≦ｙ≦０．５の範囲にあることを特
徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の発光ダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000365773A JP2002164576A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000365773A JP2002164576A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164576A true JP2002164576A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18836486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000365773A Withdrawn JP2002164576A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002164576A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311822A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Solidlite Corp | 赤紫色発光ダイオード |
| KR20050093319A (ko) * | 2004-03-18 | 2005-09-23 | 삼성전기주식회사 | 발광효율이 개선된 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| EP1770794A2 (de) | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Optoelektronische Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil |
| JP2008098486A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Kyocera Corp | 発光素子 |
| EP2827391A1 (en) * | 2013-07-15 | 2015-01-21 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode and light emitting diode package |
-
2000
- 2000-11-28 JP JP2000365773A patent/JP2002164576A/ja not_active Withdrawn
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| EP1770794A2 (de) | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Optoelektronische Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil |
| DE102005046450A1 (de) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil |
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| EP1770794A3 (de) * | 2005-09-28 | 2008-07-09 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Optoelektronische Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil |
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| JP2008098486A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Kyocera Corp | 発光素子 |
| EP2827391A1 (en) * | 2013-07-15 | 2015-01-21 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode and light emitting diode package |
| US9627584B2 (en) | 2013-07-15 | 2017-04-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080205 |