JPH11339681A

JPH11339681A - 蛍光表示板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH11339681A
Application number: JP16286998A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Ozawa; 隆弘小澤
Original assignee: Toyota Central R&D Labs Inc
Current assignee: Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date: 1998-05-26
Filing date: 1998-05-26
Publication date: 1999-12-10

Abstract

(57)【要約】【課題】電子線照射を用いた蛍光表示板において、その
発光効率を上げること。【解決手段】ガラス基板１１上に透明な導電膜１２を形
成する。更にその上に、Ｇａ（ＣＨ₃）₃，ＮＨ₃，Ｉ
ｎ（ＣＨ₃）₃等を原料としＭＯＣＶＤ法により、Ｉｎ
_xＧａ_YＡｌ_1-X-Yからなる蛍光結晶膜１３を成長させ
る。この時、蛍光発光強度が最大になる結晶軸＜０００
１＞と基板法線ｎが略平行になるように成長させる。そ
の後、熱処理あるいはレーザーアニールにより蛍光結晶
膜１３中の多結晶を再結晶化させ、その結晶配向を高め
基板法線ｎ方向に一致させる。また、この工程により同
時に多くの結晶粒界を消滅させ、粒界による乱反射を低
減させる。これにより、最大効率で発光する蛍光表示板
が実現できた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を照射する
ことにより蛍光体を発光させ、絵、文字、記号等を表示
させる蛍光表示板およびその製造方法に関する。特にそ
の蛍光体を基板上に形成した蛍光結晶膜とし、その蛍光
結晶膜の配向を所定の方向に配向することにより、高効
率の発光を可能とした蛍光表示板に関する。本発明は、
電界放射型素子を用いたフルカラー表示デバイスに適用
できる。

【０００２】

【従来の技術】従来、３族窒化物半導体を使用した蛍光
体として、例えば特開昭５１−４１６８６号公報あるい
は特開平９ー２８６９８２号公報に記載のものが開示さ
れている。前者は、Ｇａ₂Ｏ₃をアンモニア雰囲気下で
窒化させ、窒化ガリウムＧａＮを得、カドニウムＣｄを
ドープした蛍光体である。具体的には、１０ｇのＣｄＳ
と１０ｇのＧａ₂Ｏ₃を混合し、アンモニア雰囲気中に
おいて１０６０℃で反応させ、化学処理を行うことによ
って得られる。

【０００３】後者は、窒化ガリウムと窒化インジュウム
の固溶体Ｇａ_1-XＩｎ_xＮを母体とし、Ｍ，Ｙを同じく
ドープした蛍光体である。化学式はＧａ1-X Ｉｎx Ｎ：
Ｍ，Ｙで表せられる。ここで、ＭはＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，
Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇから選ばれたいずれか１
つの元素であり、半導体中アクセプタとしての役割を果
たす。ＹはＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれたい
ずれか１つの元素であり、同じく半導体中ドナーの役割
を果たす。ｘは０≦ｘ＜０．８の範囲にある少数であ
る。例えば、図９に示すように、窒化ガリウムＧａＮ：
Ｍｇ，Ｓｉからなる蛍光体１２０は、Ｇａ₂Ｓ₃を２３
ｇ、ＭｇＣｌ₂を０．０２ｇ混合し、ポリシラザン（Ｓ
ｉＨ_aＮ_b）_n２０％溶液を０．０５ｇ加えて、アンモ
ニア雰囲気１１００℃で１０時間保持することにより得
られる。これらの蛍光体は結晶粒であり、それぞれ所定
の結晶軸を有している。

【０００４】この蛍光体、例えば蛍光体１２０は、図１
０に示すように一旦有機バインダ１３０に分散され、ガ
ラス基板１１０に形成された導電膜１００上に塗布され
る。その後焼成されることによって、バインダ１３０が
取り除かれ、蛍光表示板１４０が作成される。このよう
に、結晶粒がバインダによってランダムに固定され焼成
されるので、結晶粒所定の結晶軸も図中矢印に示される
ように基板法線ｎに対してランダムに配向され固定され
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の蛍光体は、いず
れも原料粒子を混合し、その後、熱処理による固相反応
を利用してつくられた生成粒の集合体である。固相反応
による上記生成粒は、一般に結晶粒単体あるいは複数の
結晶粒から構成されており、電子線が照射されると発光
し、その発光特性は結晶面に依存することが知られてい
る。例えば、六方晶の３族窒化物半導体の場合は、＜０
００１＞軸方向にその発光強度が最大となる。従って、
図１０に示すように結晶軸方向がランダムな場合、蛍光
はランダムな方向に発せられ、内部では乱反射および吸
収が生じていた。そのため、発光効率が低くコントラス
トの低い蛍光表示板となっていた。従って、高加速電圧
（３０ＫＶ）、低電流密度（１０ｍＡ／ｃｍ²）の電子
線を使用するＣＲＴには有効であったが、低加速電圧
（５００Ｖ）、高電流密度（１００ｍＡ／ｃｍ²）の電
子線を使用する電界放射型素子では投入パワーが不足
し、十分な輝度およびコントラストが得られなかった。
よって、従来の蛍光体を電界放射型素子を用いた平面デ
ィスプレイには適用できなかった。

【０００６】また、加速電圧が１ｋＶ以下の低速電子線
励起により蛍光を得る場合には、電子線の侵入深さが小
さいためＣＲＴのように蛍光膜表面にアルミニウムなど
の金属膜を蒸着したメタルバックを形成することができ
ない。したがって、粒状で配向していない蛍光体は剥離
や変質等が生じ易く、蛍光の効率低下を引き起こす原因
となっていた。

【０００７】また、上記３族窒化物半導体は、インジュ
ウムＩｎの配合量、ガリウムＧａ配合量、およびドーパ
ントの種類や濃度によりその発光波長および発光強度は
異なる。上記方法では、粒子毎にその配合量や濃度が異
なるため、その発光波長や発光強度も粒子毎に異なり、
輝度バランスや発光色の制御性が要求される蛍光表示板
には適用が困難であった。

【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、発光効率は、その結晶粒
の不均一配向、さらに結晶粒子間の空隙による乱反射に
大きく依存することに着目し、上記３族窒化物半導体を
均一な蛍光結晶膜とし、上記原因を取り除き、発光効率
を増大させた蛍光表示板を提供することである。また、
他の目的は、長時間使用しても性能劣化のない蛍光表示
板とその製造方法を提供することである。さらに、他の
目的は、上記３族窒化物半導体を気相エピタキシャル成
長等によって均一に作成し、上記発光効率を増大させた
上記蛍光表示板の製造方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段・作用・効果】この目的を
達成するために本発明の請求項１記載の蛍光板は、電子
線照射により蛍光体を発光させ、絵、文字、記号等を表
示させる蛍光表示板であって、絶縁基板と、その絶縁基
板上に２次元配列された導電膜と、その導電膜上に形成
され、所定の結晶面が絶縁基板と平行に形成された３族
窒化物半導体からなる蛍光結晶膜とを備えている。尚、
所定の結晶面が絶縁基板に平行とは、所定の結晶軸が絶
縁基板の面に垂直であることと同一意味である。絶縁基
板上の導電膜に向かって発射された電子は、導電膜上に
形成された３族窒化物半導体からなる蛍光結晶膜に衝突
し、蛍光結晶膜を電子線励起する。電子線励起された蛍
光結晶膜からは、蛍光が発せられる。蛍光は、結晶の面
方向によってその発光強度が異なり、この蛍光結晶膜
は、最大の発光特性を示す所定の面が基板面に平行にな
るように形成されている。よって、発せられた蛍光は、
主に絶縁基板に垂直方向に放射され、水平方向への放射
は少ない。従って、絶縁基板面内すなわち蛍光結晶膜内
で乱反射されることが少なく、最大発光効率でコントラ
ストの高い蛍光を取り出すことができる。

【００１０】例えば、蛍光結晶膜の結晶面（０００１）
を絶縁基板に平行、従って、結晶軸＜０００１＞を絶縁
基板に垂直とすることで、より優れた蛍光特性や寿命特
性を得ることができる。又、蛍光結晶膜におけるＩｎ、
Ｇａの配合割合を調整することで、発光色を変化させた
り、配合割合の異なる３領域を１表示点とすることで、
フルカラーの蛍光板を得ることができる。さらに、蛍光
結晶膜中にＳｉを１×１０¹⁷〜１×１０²¹／cm³の範囲
で添加して、ｎ型導電性とすることで、帯電による蛍光
の効率低下を防止することができる。

【００１１】また、絶縁基板が透明な場合、絶縁基板裏
面より垂直方向にコントラストが高く、最大発光効率で
蛍光を取り出すことができる。さらに、この蛍光結晶膜
と導電膜は上記絶縁基板に２次元に配列されている。従
って、絵、文字、記号等を発光効率よく、且つコントラ
ストを高く表示させることができる。

【００１２】請求項２の蛍光表示板の製造方法によれ
ば、蛍光結晶膜は導電膜上に形成された後、所定の時
間、所定の温度で熱処理され、その結晶の配向性が高め
られて作成される。上記３族窒化物半導体の結晶構造は
六方晶系であり、例えば気相エピタキシャル成長技術に
よって、導電膜上に形成された蛍光結晶膜の場合もその
結晶構造は同じく六方晶系である。しかしながら、この
時成長せられた蛍光結晶膜構造は、微小な結晶領域が入
り組んだ所謂モザイク構造であり、その結晶配向は完全
には一致していない。このモザイク構造をした蛍光結晶
膜に、所定の時間、所定の温度で熱処理がなされると、
アニール効果により微小な結晶領域の結晶配向が統一さ
れ、モザイク構造が解消される。その結果、結晶の配向
性が飛躍的に高められ、最大の発光特性を示す所定の結
晶面が絶縁基板に平行になるように配向される。従っ
て、発光効率のよい蛍光表示板の製造方法となる。さら
に、蛍光結晶膜は、従来のように結晶粒成分による輝度
分布、発光波長分布がない。よって、均一で安定した発
光特性を示す蛍光表示板の製造方法となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。尚、本発明は下記実施例に限定され
るものではない。（第１実施例）図１に本発明の蛍光表示板の構成断面図
を示す。本発明による蛍光表示板１０は、絶縁基板であ
るガラス基板１１、ガラス基板１１上に形成された厚さ
５ｎｍのニッケルを成分とする導電膜１２、さらに導電
膜１２上に形成された厚さ１μｍの３族窒化物半導体か
らなる蛍光結晶膜１３とから構成される。この蛍光結晶
膜１３は、六方晶系に属するＩｎ_XＧａ_YＡｌ
_1-X-YＮ：Ｚｎ，Ｓｉの多結晶膜であり、六方晶系のｃ
軸である＜０００１＞軸と基板法線ｎが平行、すなわち
（０００１）面がガラス基板１１に平行に形成されてい
る。

【００１４】この蛍光結晶膜１３中には、さらに励起電
子のドナーとして濃度５×１０¹⁸／ｃｍ³のシリコンＳ
ｉと、励起電子のアクセプタとして濃度１×１０¹⁸／ｃ
ｍ³の亜鉛Ｚｎがド−プされている。尚、上記Ｘ，Ｙは
０≦Ｘ，Ｙ≦１，０≦Ｘ＋Ｙ≦１の条件を満たす値であ
る。本実施例では、Ａｌの成分のない、すなわちＸ＋Ｙ
＝１の条件の窒化物半導体が採用されているが、Ａｌが
含まれる化合物半導体にも適用できる。

【００１５】このような蛍光結晶膜１３に電子線が照射
されると、膜中の電子が伝導帯に励起され、その励起電
子が亜鉛のアクセプタレベルに緩和遷移される。この電
子の遷移過程に応じて蛍光が発せられる。

【００１６】次にその製造方法を図２を用いて説明す
る。製造には、真空蒸着法、有機金属気相成長法（以
下、ＭＯＣＶＤ法と記す。）等の薄膜技術が使用され
る。ＭＯＣＶＤ法では、Ｇａの供給源としてトリメチル
ガリウム：Ｇａ（ＣＨ₃）₃（以下、ＴＭＧと略す。）
が、Ｉｎの供給源としてトリメチルインジュウム：Ｉｎ
（ＣＨ₃）₃（以下、ＴＭＩ）が、Ａｌの供給源として
トリメチルアルミニュウム：Ａｌ（ＣＨ₃）₃（以下、
ＴＭＡ）が、Ｎの供給源としてアンモニア：ＮＨ₃が使
用され、Ｓｉの供給源としてモノシラン：ＳｉＨ₄が、
Ｚｎの供給源としてジエチルジンク：Ｚｎ（Ｃ₂Ｈ₅）
₂（以下、ＤＥＺ）が用いられる。

【００１７】製造方法を順に示すと、先ず表面が平坦に
研磨されたガラス基板１１に、真空蒸着法により、厚さ
５ｎｍのニッケルからなる導電膜１２を形成する。その
後、そのガラス基板１１を４００℃に保ちながら、上記
ＭＯＣＶＤ法を実施する。詳細には、Ｎ₂またはＨ₂を
２０liter ／分、ＮＨ₃を１０liter ／分、ＴＭＧを
１．５３×１０^-4モル／分、ＴＭＩを０．０２×１０^-4
モル／分、ＤＥＺを４．０×１０^-7モル／分、モノシラ
ンを５．０×１０^-9モル／分の速度にて、２０分間供給
し、上記導電膜１２上に膜厚約１μｍのＩｎ_0.08Ｇａ
_0.92Ｎ：Ｚｎ，Ｓｉからなる蛍光結晶膜１３を成長させ
る。この時、成長せられた蛍光結晶膜１３は多くの結晶
粒１５の領域からなる多結晶状態である。その構造は、
図３（ａ）に示すモザイク構造となり、その各々の結晶
軸＜０００１＞はガラス基板１１の基板法線ｎの方向に
は完全には配向していない。

【００１８】次に、この状態で雰囲気を窒素とし基板温
度を３００℃から１０００℃の間に設定し、数秒から数
十分程度加熱処理を行い、その後アニールを行う。この
加熱処理により導電膜１２と蛍光結晶膜１３はその界面
にて合金反応を起こし、その結果同じく＜０００１＞軸
が垂直方向に向いた六方晶系を有するＧａ₂Ｎｉ₃が生
成される。このＧａ₂Ｎｉ₃と上記蛍光結晶膜１３とは
その結晶構造が同じであることから、アニール過程によ
って、上記モザイク構造をなす結晶粒１５の＜０００１
＞軸は、このＧａ₂Ｎｉ₃の＜０００１＞軸に統合さ
れ、その結果図３（ｂ）に示すようにガラス基板１１の
基板法線と同方向に大多数の結晶粒１５の結晶軸が配向
される。

【００１９】この＜０００１＞軸は蛍光強度が最大にな
る方向である。また、加熱処理後のアニール効果によ
り、蛍光結晶膜中の多数の結晶粒界１７も消滅せられ、
その粒界による光の散乱が抑えられる。従って、図４に
示す電界放射型素子によって電子線励起された場合、ガ
ラス基板１１の裏面から最大効率で蛍光が発せられる。

【００２０】図５に、本発明による蛍光表示板と従来例
による蛍光表示板のスペクトルデータの比較を示す。本
発明による蛍光表示板のスペクトルＡは発光効率２０ル
ーメン／Ｗであり、半値幅は５０ｎｍである。一方、従
来の製造方法による蛍光表示板のスペクトルＢは、発光
効率８ルーメン／Ｗであり、半値幅は１５０ｎｍであ
る。従って、本発明による製造方法は、従来より色純度
がよく、発光効率が２〜３倍の蛍光表示板を提供する優
れた製造方法であることが示される。

【００２１】また、上記の製造方法において、最後に熱
処理を施さない場合の蛍光表示板のスペクトルＣは、そ
の発光強度、半値幅ともに熱処理を施した場合のそれよ
り下回っている。従って、本発明の製造方法における熱
処理過程が極めて効果的であることが示された。

【００２２】（第２実施例）次に、第２実施例として第
１実施例で説明した蛍光表示板を２次元に配置し、且つ
フルカラー表示を可能とした蛍光表示板２０を示す。そ
の構成断面図の１部を、図６に示す。尚、これは蛍光表
示板２０の１画素を示すものであり、実際にはこの画素
がマトリクス状に配置される。

【００２３】本発明によるカラー表示可能な蛍光表示板
２０は、絶縁基板であるガラス基板２１、ガラス基板２
１上に形成された厚さ０．１μｍの錫添加酸化インジュ
ウム（以下、ＩＴＯと略す。）からなる導電膜２２ａ、
２２ｂ、２２ｃさらにそれらの上にそれぞれ形成された
厚さ１μｍの３族窒化物半導体からなる蛍光結晶膜３
１、３２、３３、およびそれらの蛍光結晶膜間を隔離す
る絶縁膜４０とから構成されている。

【００２４】この蛍光結晶膜３１、３２、３３は、第１
実施例と同じく六方晶系に属するＩｎ_XＧａ_YＡｌ
_1-X-YＮ：Ｚｎ，Ｓｉの多結晶膜であり、その成分の配
合割合Ｘ，Ｙよってその発光色が異なるものである。す
なわち、Ｉｎ_XＧａ_YＡｌ_1-X-YＮ：Ｚｎ，Ｓｉの配合
量Ｘ，Ｙを調整することにより禁制帯幅を調整して、そ
れぞれ蛍光結晶膜３１は青色発光を、蛍光結晶膜３２は
緑色発光を、蛍光結晶膜３３は赤色発光をするよう調整
されている。尚、蛍光結晶膜の結晶配向およびドープ元
素並びにその濃度は第１実施例と同じである。

【００２５】次にその製造方法を図７を用いて説明す
る。製造には、リソグラフィ技術、エッチング技術、ス
パッタ技術、エピタキシャル技術を中心としたプレ−ナ
−技術が使用される。

【００２６】先ず表面が平坦に研磨されたガラス基板２
１に、スパッタ法により厚さ０．１ミクロンのＩＴＯか
らなる導電膜２２を形成する（ａ）。次に、フォトリソ
グラフィ技術およびエッチング技術により上記導電膜２
２をパターンニングし、３分割された導電膜２２ａ、２
２ｂ、２２ｃを形成する。これは、後工程で形成される
３種類の蛍光結晶膜３１、３２、３３の導電膜となる。
次に、この状態でＨ₂プラズマ中に暴露し、ＩＴＯから
なる導電膜２２の表面結合エネルギーを低下させる
（ｂ）。

【００２７】次に、その上にスパッタ法により厚さ約１
μｍの酸化シリコンからなる絶縁膜４０と厚さ０．１μ
ｍのチタンからなる第１犠牲層２３を形成し（ｃ）、フ
ォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、第
１犠牲層２３、絶縁膜４０がエッチングされ、導電膜２
２ａを露出する（ｄ）。

【００２８】その後、ガラス基板２１の温度を３００℃
に保ちながら、第１実施例と同じくＭＯＣＶＤ法を実施
する。詳細には、Ｎ₂またはＨ₂を２０liter ／分、Ｎ
Ｈ₃を１０liter ／分、ＴＭＧを１．５３×１０^-4モル
／分、ＴＭＩを０．０２×１０^-4モル／分、ＤＥＺを
４．０×１０^-7モル／分、モノシランを５．０×１０^-9
モル／分の速度にて、２０分間供給し、上記導電膜２２
ａ上に膜厚約１μｍのＩｎ_0.08Ｇａ_0.92Ｎ：Ｚｎ，Ｓｉ
からなる蛍光結晶膜３１を成長させる（ｅ）。

【００２９】最後に、エッチングにより第１犠牲層２３
を除去し、第１犠牲層２３上に形成された他の蛍光結晶
膜３１も同時に除去する。このような工程で、青色発光
領域Ｂが形成される（ｆ）。

【００３０】同様の工程で、緑色の発光結晶領膜３２が
形成され、フォトリフグラフィ、エッチングにより緑色
発光領域Ｇが形成される。青色発光領域Ｂが形成された
後、スパッタ法によりチタンからなる第２犠牲層２４を
形成した後（ｇ）、パターニング技術により蛍光結晶膜
３２が形成される導電膜２２ｂを露出し（ｈ）、その後
ＭＯＣＶＤ法により緑色の蛍光結晶膜３２を形成する
（ｉ）。詳細には、Ｎ₂またはＨ₂を２０liter ／分、
ＮＨ₃を１０liter ／分、ＴＭＧを０．７５×１０^-4モ
ル／分、ＴＭＩを０．６×１０^-4モル／分、ＤＥＺを
４．０×１０^-7モル／分、モノシランを５．０×１０^-9
モル／分の速度にて、２０分間供給し、上記導電膜２２
ｂ上に膜厚約１μｍのＩｎ_0.43Ｇａ_0.57Ｎ：Ｚｎ，Ｓｉ
からなる蛍光結晶膜３２を成長させる（ｉ）。

【００３１】その後、エッチングにより第２犠牲層２４
を除去し、第２犠牲層２４上に形成された他の蛍光結晶
膜３２も同時に除去する。このような工程で、緑色発光
領域Ｇを形成する（ｊ）。

【００３２】赤色発光領域Ｒの工程も同様である。スパ
ッタ法によりチタンからなる第３犠牲層２５を形成した
後（ｋ）、パターニング技術により赤色の蛍光結晶膜３
３が形成される導電膜２２ｃを露出し、その後ＭＯＣＶ
Ｄ法により赤色の蛍光結晶膜３３を形成する。異なる所
は、ＴＭＧを０．１５×１０^-4モル／分、ＴＭＩを１．
０×１０^-4モル／分の速度にすることである。これによ
り、上記導電膜２２ｃ上に、膜厚約１μｍのＩｎ_0.87Ｇ
ａ_0.13Ｎ：Ｚｎ，Ｓｉからなる赤色の蛍光結晶膜３３を
成長させる（ｌ）。

【００３３】その後、エッチングにより第３犠牲層２５
を除去することで第３犠牲層２５上に形成された他の蛍
光結晶膜３３も除去し、赤色発光領域Ｒが形成される。
このようにして、フルカラー表示が可能な蛍光表示板２
０が完成される（ｍ）。

【００３４】次に、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザを照射
する。これは、第１実施例における加熱処理に相当す
る。ＭＯＣＶＤ終了後の蛍光結晶膜３１、３２、３３の
結晶状態は、第１実施例と同様、多くの結晶領域からな
る多結晶状態であり、その構造はモザイク構造である。
これにエキシマレーザを照射すると、部分的に高温状態
になり、冷却過程で再結晶化が促進される（アニール効
果）。この時、導電膜２２ａ、２２ｂ、２２ｃの界面
は、上記Ｈ₂によるプラズマ処理により表面結合エネル
ギーが小さくなっている。そのため、再結晶化の工程で
は結晶膜３１、３２、３３はＩＴＯからなる導電膜２２
ａ，２２ｂ，２２ｃの表面との相互作用が少なくより安
定した構造になろうとする。この結果、その結晶本来の
最もエネルギー的に安定した稠密構造すなわち六方晶系
となり、各蛍光結晶膜３１、３２、３３の＜０００１＞
結晶軸は基板面に垂直に配向する。従って、蛍光結晶膜
の発光面の法線方向を最大発光効率の軸である＜０００
１＞軸とすることができ、第１実施例同様、最大効率で
蛍光を取り出すことができる。

【００３５】図８に、各蛍光結晶膜３１、３２、３３の
Ｒ，Ｇ，Ｂ発光スペクトルを示す。発光スペクトルはそ
れぞれ、４６０ｎｍ、５３０ｎｍ、６６０ｎｍであり、
その発光効率は各色とも約２０ルーメン／Ｗである。ま
た、その半値幅も約５０ｎｍであり、各色とも色純度に
優れている。従って、発光効率、輝度バランス、色純度
に優れたフルカラー蛍光表示板が実現できた。また、各
蛍光結晶膜とも５０００時間の長時間使用においても、
その蛍光強度には変化が見られず、信頼性にも優れたフ
ルカラー蛍光表示板が実現できた。

【００３６】上記実施例では、蛍光結晶膜３１、３２、
３３にＺｎとＳｉを添加しているが、Ｓｉのみでも良
く、Ｚｎの代わりにＣｄやＭｇを用いても良い。又、蛍
光結晶膜には、青色、緑色、赤色の３領域を形成してい
るが、Ｉｎ_XＧａ_YＡｌ_1-X-YＮ：Ｚｎ，Ｓｉの配合量
Ｘ，Ｙを調整することにより黄色や橙色などの他の色の
蛍光結晶膜を形成しても良い。

【００３７】その他様々な変形例が考えられるが、蛍光
表示板の蛍光体をＭＯＣＶＤ等で作成する蛍光結晶膜と
し、さらにその結晶膜作成後、加熱処理あるいはレーザ
ーアニールすることによって再結晶させ、その結晶配向
を高めることによって蛍光発光効率を上げる本発明の主
旨に沿うものであればその方式は問わない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例の蛍光板を示す構成断面図。

【図２】第１実施例の蛍光板の製造工程を示す断面図。

【図３】第１実施例の蛍光板において蛍光結晶膜の結晶
軸がアニーリングにより１軸方向に配向する様子を示し
た説明図。

【図４】本実施例の蛍光板を電界放射型の素子で電子励
起するディスプレイを示した断面図。

【図５】第１実施例の蛍光板の蛍光結晶膜と、熱処理を
しない場合の蛍光結晶膜と、従来の粉体による蛍光膜と
の発光スペクトルを示した測定図。

【図６】第２実施例の蛍光板の構成を示した断面図。

【図７】第２実施例の蛍光板の製造方法を示した工程
図。

【図８】第２実施例の蛍光板の各発光部からの発光のス
ペクトル強度特性を示した測定図。

【図９】従来の蛍光体の製造方法を示した説明図。

【図１０】従来の蛍光板の製造方法を示した説明図。

【符号の説明】

１１基板１２導電膜１３蛍光結晶膜２０蛍光板２２導電膜４０絶縁膜３１青色発光の蛍光結晶膜３２緑色発光の蛍光結晶膜３３赤色発光の蛍光結晶膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｊ 31/12 Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子線照射により蛍光体を発光させ、絵、
文字、記号等を表示させる蛍光表示板において、絶縁基板と、該絶縁基板上に２次元配列された導電膜と、該導電膜上に形成され、所定の結晶面が前記絶縁基板と
平行に形成された３族窒化物半導体からなる蛍光結晶膜
とを備えたことを特徴とする蛍光表示板。
【請求項２】前記蛍光結晶膜は、前記導電膜上に形成さ
れた後、所定の時間、所定の温度で熱処理され、結晶の
配向性が高められて作成されること特徴とする請求項１
に記載の蛍光表示板の製造方法。