CN111334295A - 发光材料、显示面板及其制作方法 - Google Patents

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CN111334295A CN202010218754.XA CN202010218754A CN111334295A CN 111334295 A CN111334295 A CN 111334295A CN 202010218754 A CN202010218754 A CN 202010218754A CN 111334295 A CN111334295 A CN 111334295A
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Abstract

本申请公开了一种发光材料、显示面板及其制作方法。该发光材料包括CsPbBrxI3‑x、第一溶剂、及聚(2‑乙基‑2‑恶唑啉)。本申请通过加入聚(2‑乙基‑2‑恶唑啉)，引入能与钙钛矿中金属阳离子形成配位键的碳氧双键官能团，提高了红色LED材料的发光效率。

Description

发光材料、显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及显示技术领域，具体涉及一种发光材料、显示面板及其制作方法。
背景技术
随着生活水平的提高，有机-无机杂化钙钛矿具有高色纯度、可调节的带隙、低非辐射复合率、以及高且平衡的电子/空穴迁移率等优点，在被LED(Light Emitting Diode，发光二极管)领域应用越来广泛。
现有技术中，红色LED在发光效率上仍有不足。
因此，亟需一种发光材料、显示面板及其制作方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种发光材料、显示面板及其制作方法，以解决现有技术中，红色LED在发光效率不足的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
一种发光材料，所述发光材料包括CsPbBrxI3-x、第一溶剂、及聚(2-乙基-2-恶唑啉)。
在本申请的发光材料中，所述CsPbBrxI3-x中的X为0.5～0.7。
在本申请的发光材料中，所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为40％～50％。
一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板、及发光器件层；
所述发光器件层包括如任意一上述的发光材料。
一种显示面板的制作方法，包括：
在第一衬底上形成阴极层；
在所述阴极层上形成电子注入传输层；
在所述电子注入传输层上形成发光材料层；
在所述发光材料层上形成空穴传输注入层；
在所述空穴传输注入层上形成阳极层；
将所述第一衬底剥离，以形成发光器件层；
将所述发光器件层与阵列基板对位贴合，以形成所述显示面板；
其中，所述发光材料层包括如权利要求1～3任意一项所述的发光材料。
在本申请的显示面板的制作方法中，形成所述发光材料层的步骤包括：
将摩尔比为1:1的CsI与PbI2溶解于第一溶剂中，以制备CsPbI3溶液；
将摩尔比为1:1的CsBr与PbBr2溶解于第一溶剂中，以制备CsPbBr3溶液；
将所述CsPbI3溶液与所述CsPbBr3溶液混合，以制备CsPbBrxI3-x溶液；
将聚(2-乙基-2-恶唑啉)与第一溶剂混合，以制备聚(2-乙基-2-恶唑啉)溶液；
将所述CsPbBrxI3-x溶液与所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)溶液混合，以制备发光材料；
将所述发光材料涂布在所述电子注入传输层上，以形成发光材料层。
在本申请的显示面板的制作方法中，将所述发光材料涂布在所述电子注入传输层上后，还包括：
经第一退火工艺以形成所述发光材料层。
在本申请的显示面板的制作方法中，所述第一退火工艺的退火温度为145℃～155℃；
所述第一退火工艺的退火时间为25min～35min。
在本申请的显示面板的制作方法中，
形成所述电子注入传输层的步骤包括第二退火工艺；
形成所述空穴传输注入层的步骤包括第三退火工艺；
其中，所述第二退火工艺的退火温度为145℃～155℃，所述第二退火工艺的退火时间为8min～12min，所述第三退火工艺的退火温度为115℃～125℃，所述第三退火工艺的退火时间为8min～12min。
在本申请的显示面板的制作方法中，将所述第一衬底剥离后，还包括：
在所述阳极层上形成第一封装层，以形成发光器件层。
有益效果：本申请通过加入聚(2-乙基-2-恶唑啉)，引入能与钙钛矿中金属阳离子形成配位键的碳氧双键官能团，提高了红色LED材料的发光效率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请的显示面板的制作方法的步骤流程示意图；
图2为本申请的显示面板的结构示意图；
图3为本申请的显示面板的制作方法过程中的结构示意图；
图4为本申请的发光材料不同PEOXA加入比例的荧光量子效率图；
图5为本申请的发光材料不同PEOXA加入比例的光致发光光谱图；
图6为本申请的发光材料中CsPbBrxI3-x的不同X比例的光致发光光谱图；
图7为本申请的显示面板的制作方法中不同退火温度的扫描电镜对比图；
图8为本申请的显示面板的制作方法中无退火工艺与退火温度为150℃的透射电镜对比图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现有技术中，红色LED在发光效率不足。基于此，本申请提出了一种发光材料、显示面板及其制作方法。
请参阅图4～图6，本申请提供了一种发光材料，所述发光材料包括CsPbBrxI3-x、第一溶剂、及聚(2-乙基-2-恶唑啉)。
本申请通过加入聚(2-乙基-2-恶唑啉)，引入能与钙钛矿中金属阳离子形成配位键的碳氧双键官能团，提高了红色LED材料的发光效率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图4～图6，所述发光材料包括CsPbBrxI3-x、第一溶剂、及聚(2-乙基-2-恶唑啉)。
本实施例中，所述第一溶剂为有机溶剂，包括二甲基亚砜。
本实施例中，所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)用PEOXA代表。所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的结构式如下
Figure BDA0002425329020000051
本实施例中，所述CsPbBrxI3-x中的X为0.5～0.7。通过调整溴元素与碘元素的比例，使所述发光材料发出的光更趋向于红色，光致发光光谱集中在630nm～670nm，具体请参与图6，人眼对于此波段的红色光更敏感，即可以达到更好的显示效果。
本实施例中，所述CsPbBrxI3-x中的X为0.6。通过设置溴元素与碘元素的比例，使所述发光材料发出的光更趋向于红色，光致发光光谱峰值在660nm左右，具体请参与图6，对人眼敏感的红色光可以达到更好的显示效果。
本实施例中，所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为40％～50％。通过设置聚(2-乙基-2-恶唑啉)在发光材料中的比例，具体请参与图4、图5，促进钙钛矿薄膜基质内原位生长形成高质量的纳米晶体，使发光材料发出的光更趋向于红色，在色度图坐标上的值达到非常好的红光标准，同时具有高的最大外量子效率，提高了红色LED材料的发光效率，提供更好的显示效果。
本实施例中，所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为45％。通过设置聚(2-乙基-2-恶唑啉)在发光材料中的比例，具体请参与图4、图5，促进钙钛矿薄膜基质内原位生长形成高质量的纳米晶体，使发光材料发出的光更趋向于红色，在色度图坐标上的值达到非常好的红光标准，同时最大外量子效率最大，红色LED材料的发光效率最大，提供最好的显示效果。
本实施例中，当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为15％时，最高亮度为664(cd/m2)，最高电流效率为0.28(cd/A)，色度图坐标为(0.725，0.275)，最大外量子效率为1.04％。当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为25％时，最高亮度为1669(cd/m2)，最高电流效率为0.65(cd/A)，色度图坐标为(0.725，0.275)，最大外量子效率为2.42％。当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为35％时，最高亮度为1135(cd/m2)，最高电流效率为0.83(cd/A)，色度图坐标为(0.726，0.274)，最大外量子效率为3.78％。当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为45％时，最高亮度为338(cd/m2)，最高电流效率为1.36(cd/A)，色度图坐标为(0.726，0.274)，最大外量子效率为6.55％。当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为55％时，最高亮度为70(cd/m2)，最高电流效率为0.26(cd/A)，色度图坐标为(0.726，0.274)，最大外量子效率为1.23％。由此可以看出，通过加入所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)，所述发光材料的色度图坐标为纯红色，有利于人眼识别。当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为45％时，最高电流效率与最大外量子效率均为最大，发光材料可以达到最高的发光效率，提高发光材料的稳定性。
本申请通过加入聚(2-乙基-2-恶唑啉)，引入能与钙钛矿中金属阳离子形成配位键的碳氧双键官能团，提高了红色LED材料的发光效率。
请参阅图2～图8，本申请还提供了一种显示面板100，所述显示面板100包括阵列基板200、及发光器件层300；
所述发光器件层300包括如任意一项上述的发光材料。
本申请通过加入聚(2-乙基-2-恶唑啉)，引入能与钙钛矿中金属阳离子形成配位键的碳氧双键官能团，提高了红色LED材料的发光效率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图2～图8，所述显示面板100包括所述显示面板100包括阵列基板200、及发光器件层300。所述发光器件层300包括如任意一项所述的发光材料。
本实施例中，所述发光器件层300包括位于所述阵列基板200上的阳极层360、位于所述阳极层360上的空穴传输注入层350、位于所述空穴传输层上的发光材料层340、位于所述发光材料层340上的电子注入传输层330、位于所述电子注入传输层330上的阴极层320。所述发光材料层340包括如任意一项所述的发光材料。
本实施例中，所述发光材料的具体材料及组成可以参阅所述发光材料的实施例，在此就不再赘述。
本申请通过加入聚(2-乙基-2-恶唑啉)，引入能与钙钛矿中金属阳离子形成配位键的碳氧双键官能团，提高了红色LED材料的发光效率。
请参阅图1～图8，本申请还提供了一种显示面板100的制作方法，包括：
S100、在第一衬底310上形成阴极层320；
S200、在所述阴极层320上形成电子注入传输层330；
S300、在所述电子注入传输层330上形成发光材料层340；
S400、在所述发光材料层340上形成空穴传输注入层350；
S500、在所述空穴传输注入层350上形成阳极层360；
S600、将所述第一衬底310剥离，以形成发光器件层300；
S700、将所述发光器件层300与阵列基板200对位贴合，以形成所述显示面板100；
其中，所述发光材料层340包括如任意一项所述的发光材料。
本申请通过加入聚(2-乙基-2-恶唑啉)，引入能与钙钛矿中金属阳离子形成配位键的碳氧双键官能团，提高了红色LED材料的发光效率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1～图8，所述显示面板100的制作方法，包括：
S100、在第一衬底310上形成阴极层320。
本实施例中，步骤S100包括：
S110、将第一衬底310经在洗涤剂、丙酮、去离子水、及异丙醇中超声处理。
S120、在所述第一衬底310上形成阴极层320。
本实施例中，所述阴极层320的材料包括铟锡氧化物半导体透明导电膜。
S200、在所述阴极层320上形成电子注入传输层330。
本实施例中，步骤S200包括：
S210、将所述阴极层320经等离子气体处理。
S220、将质量浓度为15mg/mL的ZnMgO乙醇溶液旋涂在所述阴极层320上，以形成第二膜层。
本实施例中，所述旋涂工艺为2000转每分钟转速，旋涂时间为30秒。
S230、将所述第二膜层经第二退火工艺以形成所述电子注入传输层330。
本实施例中，所述第二退火工艺的退火温度为145℃～155℃，所述第二退火工艺的退火时间为8min～12min。环境为大气环境。通过第二退火工艺，将所述电子注入传输层330膜层粘结更稳定平整，有利于其他膜层的制作。
本实施例中，所述第二退火工艺的退火温度为150℃，所述第二退火工艺的退火时间为10min。环境为大气环境。通过第二退火工艺，将所述电子注入传输层330膜层粘结更稳定平整，有利于其他膜层的制作。
本实施例中，所述电子注入传输层330的厚度为40nm。
S300、在所述电子注入传输层330上形成发光材料层340。
本实施例中，步骤S300在手套箱环境下完成。
本实施例中，步骤S300包括：
S310、在所述电子注入传输层330上涂布发光材料，以形成第一膜层。
本实施例中，所述涂布工艺为以6000转每分钟的速度在所述电子注入传输层330上旋涂30秒。
本实施例中，步骤S310中的发光材料制作方法包括：
S311、将摩尔比为1:1的CsI与PbI2溶解于第一溶剂中，以制备CsPbI3溶液。
本实施例中，所述第一溶剂为有机溶剂，包括二甲基亚砜。
本实施例中，所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的结构式如下
Figure BDA0002425329020000081
S312、将摩尔比为1:1的CsBr与PbBr2溶解于第一溶剂中，以制备CsPbBr3溶液。
S313、将所述CsPbI3溶液与所述CsPbBr3溶液混合，以制备CsPbBrxI3-x溶液。
本实施例中，通过所述CsPbI3溶液与所述CsPbBr3溶液的加入比例，改变所述CsPbBrxI3-x中的X为0.5～0.7。通过调整溴元素与碘元素的比例，使所述发光材料发出的光更趋向于红色，光致发光光谱集中在630nm～670nm，具体请参与图6，人眼对于此波段的红色光更敏感，即可以达到更好的显示效果。
本实施例中，通过所述CsPbI3溶液与所述CsPbBr3溶液的加入比例，所述CsPbBrxI3-x中的X为0.6。通过设置溴元素与碘元素的比例，使所述发光材料发出的光更趋向于红色，光致发光光谱峰值在660nm左右，具体请参与图6，对人眼敏感的红色光可以达到更好的显示效果。
S314、将聚(2-乙基-2-恶唑啉)与第一溶剂混合，以制备聚(2-乙基-2-恶唑啉)溶液。
本实施例中，所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)溶液的聚(2-乙基-2-恶唑啉)浓度为10mg/mL。
S315、将所述CsPbBrxI3-x溶液与所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)溶液混合，以制备发光材料。
本实施例中，通过所述CsPbBrxI3-x溶液与所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)溶液的加入比例，所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为40％～50％。通过设置聚(2-乙基-2-恶唑啉)在发光材料中的比例，具体请参与图4、图5，促进钙钛矿薄膜基质内原位生长形成高质量的纳米晶体，使发光材料发出的光更趋向于红色，在色度图坐标上的值达到非常好的红光标准，同时具有高的最大外量子效率，提高了红色LED材料的发光效率，提供更好的显示效果。
本实施例中，通过所述CsPbBrxI3-x溶液与所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)溶液的加入比例，所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为45％。通过设置聚(2-乙基-2-恶唑啉)在发光材料中的比例，具体请参与图4、图5，促进钙钛矿薄膜基质内原位生长形成高质量的纳米晶体，使发光材料发出的光更趋向于红色，在色度图坐标上的值达到非常好的红光标准，同时最大外量子效率最大，红色LED材料的发光效率最大，提供最好的显示效果。
本实施例中，当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为15％时，最高亮度为664(cd/m2)，最高电流效率为0.28(cd/A)，色度图坐标为(0.725，0.275)，最大外量子效率为1.04％。当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为25％时，最高亮度为1669(cd/m2)，最高电流效率为0.65(cd/A)，色度图坐标为(0.725，0.275)，最大外量子效率为2.42％。当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为35％时，最高亮度为1135(cd/m2)，最高电流效率为0.83(cd/A)，色度图坐标为(0.726，0.274)，最大外量子效率为3.78％。当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为45％时，最高亮度为338(cd/m2)，最高电流效率为1.36(cd/A)，色度图坐标为(0.726，0.274)，最大外量子效率为6.55％。当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为55％时，最高亮度为70(cd/m2)，最高电流效率为0.26(cd/A)，色度图坐标为(0.726，0.274)，最大外量子效率为1.23％。由此可以看出，通过加入所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)，所述发光材料的色度图坐标为纯红色，有利于人眼识别。当所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为45％时，最高电流效率与最大外量子效率均为最大，发光材料可以达到最高的发光效率，提高发光材料的稳定性。
本实施例中，步骤S315还包括将所述CsPbBrxI3-x溶液与所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)溶液混合后常温搅拌6小时以上，以制备发光材料。
S320、将所述第一膜层经第一退火工艺以形成发光材料层340。
本实施例中，所述第一退火工艺的退火温度为145℃～155℃，所述第一退火工艺的退火时间为25min～35min。通过第一退火工艺，将所述发光材料层340膜层粘结更稳定平整，有利于其他膜层的制作，聚(2-乙基-2-恶唑啉)与CsPbBrxI3-x在热退火过程中相互作用，促进钙钛矿薄膜基质内原位生长形成高质量的纳米晶体，制备高质量的钙钛矿纳米晶薄膜。具体请参阅图7的without annealing、图8左上角、及图8右上角图，在没有退火工艺时，发光材料中的晶粒非常细小且不规整，不能达到高的发光效率以及发光波长。具体请参阅图7的不同退火温度的扫描电镜图，当经过退火工艺后，发光材料的晶粒明显变大，晶粒更加规整，晶格间距变大，发光效率提高。
本实施例中，所述第一退火工艺的退火温度为150℃，所述第一退火工艺的退火时间为30min。具体请参阅图7、图8，通过第一退火工艺，将所述发光材料层340膜层粘结更稳定平整，有利于其他膜层的制作，聚(2-乙基-2-恶唑啉)与CsPbBrxI3-x在热退火过程中相互作用，促进钙钛矿薄膜基质内原位生长形成高质量的纳米晶体，制备高质量的钙钛矿纳米晶薄膜。具体请参阅图7的without annealing、图8左上角、及图8右上角图，在没有退火工艺时，发光材料中的晶粒非常细小且不规整，不能达到高的发光效率以及发光波长。具体请参阅图7的不同退火温度的扫描电镜图、图8左下角、及图8右下角图，当经过退火工艺后，尤其退火温度为150℃时，发光材料的晶粒明显变大，晶粒更加规整，晶格间距变大，发光效率最高。
本实施例中，所述发光材料层340的厚度为70nm。
本实施例中，具体请参阅图4～图8，通过UPS(紫外光电子能谱)测量使用发射能量为21.2eV光子的氦灯激发样品，二次电子边缘的开始边用于确定在样品和检测器之间施加的-5V偏压下的功函数，干净的金被用作参考。基于所述阴极层320、所述电子注入传输层330、及所述发光材料层340结构的样品进行AFM(原子力显微镜)(Digital Instrumental(DI)Multimode Nanoscope IIIa)和SEM(ZEISS Merlin)测试。基于所述第一衬底310、所述阴极层320、所述电子注入传输层330、及所述发光材料层340结构制备用于TEM测试样品，其中样品的所述第一衬底310可以在氯苯溶液中溶解，从而使所述发光材料层340从衬底上剥离，捞起到铜网上用以TEM(JEM-2100F)测试。XRD测试使用配备有Cu-KαX射线管的X射线衍射仪(PANalytical X'pertPRO)，XRD测试基于所述阴极层320、所述电子注入传输层330、及所述发光材料层340的样品结构测试。傅里叶变换红外吸收谱图(FTIR)使用的是ThermoScientific Nicolet iS 50光谱仪，测试模式为透射模式。测量PL光谱(光致发光光谱(Photoluminescence Spectroscopy，简称PL谱))使用荧光分光光度计(Perkin-Elmer LS55)。PLQY值(光致发光量子产率)是使用校准的积分球在激发波长(λ＝365nm)下在不同所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值的发光材料获得。
S400、在所述发光材料层340上形成空穴传输注入层350。
本实施例中，步骤S400包括：
S410、将聚三苯胺涂布在所述发光材料层340上，以形成第三膜层。
本实施例中，所述聚三苯胺溶解于氯苯中。
本实施例中，所述第三膜层的厚度为40nm。
S420、将所述第三膜层经第三退火工艺以形成空穴传输注入层350。
本实施例中，所述第三退火工艺的退火温度为115℃～125℃，所述第三退火工艺的退火时间为8min～12min。环境为大气环境。通过第三退火工艺，将所述电子注入传输层330膜层粘结更稳定平整，有利于其他膜层的制作，聚(2-乙基-2-恶唑啉)与CsPbBrxI3-x在热退火过程中相互作用，制备高质量的钙钛矿纳米晶薄膜。
本实施例中，所述第三退火工艺的退火温度为120℃，所述第三退火工艺的退火时间为10min。环境为大气环境。通过第三退火工艺，将所述电子注入传输层330膜层粘结更稳定平整，有利于其他膜层的制作，聚(2-乙基-2-恶唑啉)与CsPbBrxI3-x在热退火过程中相互作用，制备高质量的钙钛矿纳米晶薄膜。
S500、在所述空穴传输注入层350上形成阳极层360。
本实施例中，具体请参阅图3，形成所述阳极层360。
本实施例中，步骤500在真空环境中制作，所述真空环境气压不大于2×10-6torr。
本实施例中，所述阳极层360的材料为MoO3以及Ag。
本实施例中，所述MoO3的厚度为8nm，所述Ag的厚度为120nm。
S600、将所述第一衬底310剥离，以形成发光器件层300。
本实施例中，将所述第一衬底310剥离，以形成发光器件层300，具体请参阅图2。
本实施例中，将所述第一衬底310剥离后，还包括：
在所述阳极层360上形成第一封装层，以形成发光器件层300。
本实施例中，所述第一封装层的有效封装面积为0.1平方厘米。
本实施例中，使用Keithley 2400源表和Konica Minolta Chroma Meter CS-200对所述发光器件层300进行电流密度-电压-亮度测量。使用Ocean Optics USB 2000+光谱仪测试电致发光光谱和CIE坐标。外部量子效率值(EQE)由Lambertian发射曲线计算得到。寿命测试用恒定电流点亮发光器件层300，光谱仪以一定时间间隔采点测量器件亮度，记录亮度和时间关系。具体数据请参阅本申请的所述发光材料的实施例中，在此不再赘述。
S700、将所述发光器件层300与阵列基板200对位贴合，以形成所述显示面板100。
本实施例中，通过将剥离所述第一衬底310的所述发光器件层300与所述阵列基板200对位贴合，形成所述显示面板100，具体请参阅图2。
本申请通过加入聚(2-乙基-2-恶唑啉)，引入能与钙钛矿中金属阳离子形成配位键的碳氧双键官能团，提高了红色LED材料的发光效率。
本申请公开了一种发光材料、显示面板及其制作方法。该发光材料包括CsPbBrxI3-x、第一溶剂、及聚(2-乙基-2-恶唑啉)。本申请通过加入聚(2-乙基-2-恶唑啉)，引入能与钙钛矿中金属阳离子形成配位键的碳氧双键官能团，提高了红色LED材料的发光效率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种发光材料，其特征在于，所述发光材料包括CsPbBrxI3-x、第一溶剂、及聚(2-乙基-2-恶唑啉)。
2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述CsPbBrxI3-x中的X为0.5～0.7。
3.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)的质量与所述CsPbBrxI3-x的质量的比值为40％～50％。
4.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板、及发光器件层；
所述发光器件层包括如权利要求1～3任意一项所述的发光材料。
5.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在第一衬底上形成阴极层；
在所述阴极层上形成电子注入传输层；
在所述电子注入传输层上形成发光材料层；
在所述发光材料层上形成空穴传输注入层；
在所述空穴传输注入层上形成阳极层；
将所述第一衬底剥离，以形成发光器件层；
将所述发光器件层与阵列基板对位贴合，以形成所述显示面板；
其中，所述发光材料层包括如权利要求1～3任意一项所述的发光材料。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述发光材料层的步骤包括：
将摩尔比为1:1的CsI与PbI2溶解于第一溶剂中，以制备CsPbI3溶液；
将摩尔比为1:1的CsBr与PbBr2溶解于第一溶剂中，以制备CsPbBr3溶液；
将所述CsPbI3溶液与所述CsPbBr3溶液混合，以制备CsPbBrxI3-x溶液；
将聚(2-乙基-2-恶唑啉)与第一溶剂混合，以制备聚(2-乙基-2-恶唑啉)溶液；
将所述CsPbBrxI3-x溶液与所述聚(2-乙基-2-恶唑啉)溶液混合，以制备发光材料；
将所述发光材料涂布在所述电子注入传输层上，以形成发光材料层。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，将所述发光材料涂布在所述电子注入传输层上后，还包括：
经第一退火工艺以形成所述发光材料层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一退火工艺的退火温度为145℃～155℃；
所述第一退火工艺的退火时间为25min～35min。
9.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
形成所述电子注入传输层的步骤包括第二退火工艺；
形成所述空穴传输注入层的步骤包括第三退火工艺；
其中，所述第二退火工艺的退火温度为145℃～155℃，所述第二退火工艺的退火时间为8min～12min，所述第三退火工艺的退火温度为115℃～125℃，所述第三退火工艺的退火时间为8min～12min。
10.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，将所述第一衬底剥离后，还包括：
在所述阳极层上形成第一封装层，以形成发光器件层。
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