CN109256475A - 一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法 - Google Patents
一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109256475A CN109256475A CN201811091016.2A CN201811091016A CN109256475A CN 109256475 A CN109256475 A CN 109256475A CN 201811091016 A CN201811091016 A CN 201811091016A CN 109256475 A CN109256475 A CN 109256475A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- emitting diode
- light emitting
- perovskite
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 24
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 7
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 7
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 5
- -1 good crystallinity Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BRHJUILQKFBMTL-UHFFFAOYSA-N [4,4-bis(dimethylamino)cyclohexa-1,5-dien-1-yl]-phenylmethanone Chemical compound C1=CC(N(C)C)(N(C)C)CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 BRHJUILQKFBMTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVQCKZYPQJNPDN-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis(dimethylamino)phenyl]-phenylmethanone Chemical compound CN(C)C1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1N(C)C MVQCKZYPQJNPDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- OTEKOJQFKOIXMU-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(trichloromethyl)benzene Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C1=CC=C(C(Cl)(Cl)Cl)C=C1 OTEKOJQFKOIXMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical class C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSVYLJCOTFYPSN-UHFFFAOYSA-N 5h-furo[3,2-c]pyrazole Chemical compound N1=NC2=CCOC2=C1 BSVYLJCOTFYPSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法，该制备方法包括：对所述衬底进行清洗和干燥处理，并在所述衬底上设置阳极层；然后进行紫外臭氧处理；然后在所述衬底的阳极层上制备空穴传输层；在空穴传输层上旋涂钙钛矿材料掺杂紫外固化剂的混合溶液，然后进行退火处理，同时使用紫外光照射，得到交联钙钛矿薄膜形成的发光层；再通过在所述发光层上通过蒸镀制备电子传输层和阴极层；最后进行封装。本发明通过将钙钛矿材料掺杂紫外固化剂，采用紫外光照射制备发光层，使得生成的钙钛矿薄膜致密连续，结晶性好，抗水氧腐蚀能力强，从而提高了钙钛矿发光二极管的亮度和效率，并提升器件稳定性。
Description
技术领域
本发明属于电子元器件技术领域，特别涉及一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法。
背景技术
有机-无机杂化钙钛矿材料可以用化学式MAPbX3来表示，其中X为Br，I，和Cl，这类材料具有高载流子迁移率，高荧光量子产率，可调节带宽等优异特性，可被广泛应用于太阳能电池、光探测器和发光二极管等光电器件。其中，基于钙钛矿材料的发光二极管具有发光纯度高，发射效率高和激发能量低等特点，引起了学术界的广泛关注，从2014年Friend教授课题组首次在室温下制备钙钛矿发光二极管以来(Nat.Nanotech.9(2014)687)，其亮度已经从最初的364cd/m2提升到66353cd/m2(Adv.Mater.30(2018)1800251),因而有可能成为替代无机量子点和传统的有机发光材料的新型发光材料。
然而常规工艺制备的钙钛矿薄膜面临成膜质量差，晶体缺陷多，漏电流大，导致器件亮度弱，效率低，且钙钛矿薄膜抗水氧腐蚀能力差，器件在大气环境下无法长时间工作，导致稳定性差等缺点，限制了钙钛矿发光二极管的进一步工业化发展。因此，很有必要通过改进钙钛矿薄膜的制备工艺来提升器件性能。
发明内容
本发明的目的在于：针对采用现有的常规工艺制备的钙钛矿薄膜面临成膜质量差，晶体缺陷多，漏电流大，导致器件亮度弱，效率低，且钙钛矿薄膜抗水氧腐蚀能力差，器件在大气环境下无法长时间工作，导致稳定性差等缺点，提供一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法。
本发明采用的技术方案如下：
一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括：
S1、对衬底进行清洗和干燥处理，并在所述衬底上设置阳极层；
S2、对经清洗和干燥处理后的所述衬底进行紫外臭氧处理；
S3、在经紫外臭氧处理后的所述衬底的阳极层上制备空穴传输层；
S4、在所述空穴传输层上旋涂钙钛矿材料掺杂紫外固化剂的混合溶液，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用紫外光照射，激发交联反应，得到交联钙钛矿薄膜形成的发光层；
S5、通过在所述发光层上蒸镀电子传输材料得到电子传输层，然后在所述电子传输层上蒸镀金属氧化物薄膜或金属薄膜得到阴极层；
S6、在步骤S5处理后进行封装，得到基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管。
进一步地，步骤S1中，采用乙醇溶液、丙酮溶液和去离子水对所述衬底进行超声清洗，然后采用干燥氮气进行吹干。
进一步地，步骤S2中，对经清洗和干燥处理后的所述衬底进行紫外臭氧处理15分钟。
进一步地，步骤S4中，所述紫外固化剂为3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐或米酮,4,4-双(二甲氨基)二苯甲酮。
进一步地，步骤S4中，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂。
进一步地，步骤S4中，所述钙钛矿材料为MAPbBr3。
进一步地，步骤S4中，在退火处理过程中使用波长365nm紫外光照射5～15分钟。
进一步地，步骤S4和S6均在氮气环境中进行。
一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层；
所述发光层为，上述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法的步骤S4中，通过在所述空穴传输层上旋涂钙钛矿材料掺杂紫外固化剂的混合溶液，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用紫外光照射，激发交联反应，得到的交联钙钛矿薄膜。
进一步地，所述阳极层的厚度为10～200nm，空穴传输层厚度为20～80nm，发光层厚度为20～80nm，电子层厚度为20～80nm，阴极层厚度为100～200nm。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明通过采用钙钛矿材料作为钙钛矿发光二极管的发光层的原材料，并通过掺杂紫外固化剂，通过在发光层制备的退火过程中采用紫外光照射，使得生成的钙钛矿薄膜致密连续，结晶性好，抗水氧腐蚀能力强，从而提高了钙钛矿发光二极管的亮度和效率，并提升器件稳定性，解决钙钛矿发光二极管性能偏差大，亮度弱，稳定性差的问题。
2、本发明通过在制备发光层时，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂，可以促进钙钛矿材料能够迅速结晶。
3、本发明通过在制备发光层时，在退火处理过程中使用波长365nm紫外光照射5～15分钟，在这个照射时间范围内所制备的该太广发光二极管电气性能相对较好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法的流程图。
图2为本发明基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的结构示意图。
图中标记：10-衬底，20-阳极层，30-空穴传输层，40-发光层，50-电子传输层，60-阴极层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，即所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，如图1所示，包括：
S1、对衬底进行清洗和干燥处理，并在所述衬底上设置阳极层；
S2、对经清洗和干燥处理后的所述衬底10进行紫外臭氧处理；
S3、在经紫外臭氧处理后的所述衬底10的阳极层20上制备空穴传输层30；
S4、在所述空穴传输层30上旋涂钙钛矿材料掺杂紫外固化剂的混合溶液，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用紫外光照射，激发交联反应，得到交联钙钛矿薄膜形成的发光层40；
S5、通过在所述发光层40上蒸镀电子传输材料得到电子传输层50，然后在所述电子传输层50上蒸镀金属氧化物薄膜或金属薄膜得到阴极层60；
S6、在步骤S5处理后进行封装，得到基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管。
进一步地，步骤S1中，采用乙醇溶液、丙酮溶液和去离子水对所述衬底10进行超声清洗，然后采用干燥氮气进行吹干。
进一步地，步骤S2中，对经清洗和干燥处理后的所述衬底10进行紫外臭氧处理15分钟。
进一步地，步骤S4中，所述紫外固化剂为3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐或米酮,4,4-双(二甲氨基)二苯甲酮。
进一步地，步骤S4中，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂。
进一步地，步骤S4中，所述钙钛矿材料为MAPbBr3。
进一步地，步骤S4中，在退火处理过程中使用波长365nm紫外光照射5～15分钟。
进一步地，步骤S4和S6均在氮气环境中进行。
一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管，如图2所示，包括从下至上依次设置的衬底、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层；
所述发光层40为，上述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法的步骤S4中，通过在所述空穴传输层30上旋涂钙钛矿材料掺杂紫外固化剂的混合溶液，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用紫外光照射，激发交联反应，得到的交联钙钛矿薄膜。
进一步地，所述阳极层20的厚度为10～200nm，空穴传输层30厚度为20～80nm，发光层40厚度为20～80nm，电子层厚度为20～80nm，阴极层60厚度为100～200nm。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供的一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括：
步骤1、采用透明导电基片ITO玻璃作为衬底10，采用乙醇溶液、丙酮溶液和去离子水对所述衬底10进行超声清洗，然后采用干燥氮气进行吹干，并将所述衬底10上的ITO薄膜作为二极管器件的阳极层20；采用的透明导电基片ITO玻璃上的ITO薄膜的电阻为10Ω/sq；
步骤2、对经清洗和干燥处理后的所述衬底10进行紫外臭氧处理15分钟；
步骤3、在经紫外臭氧处理后的所述衬底10的阳极层20上旋涂PEDOT:PSS，然后进行退火处理后形成空穴传输层30；
步骤4、转移至氮气环境(如99.9％氮气氛围的手套箱)中，在所述空穴传输层30上旋涂MAPbBr3掺杂紫外固化剂3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐的混合溶液，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂以促进MAPbBr3迅速结晶，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用发射波长365nm紫外光照射5分钟，激发交联反应，得到交联MAPbBr3薄膜形成的发光层40；通过此步骤后，得到钙钛矿发光二极管的基板；
步骤5、将所述基板转移至真空度为10-4Pa的有机蒸镀室，通过在所述发光层40上蒸镀TPBi得到电子传输层50，然后在所述电子传输层50上蒸镀银得到阴极层60；通过此步骤得到钙钛矿发光二极管的器件；
步骤6、将所述器件转移回氮气环境中进行封装，得到基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管。
实施例2
本实施例提供的一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括：
步骤1、采用透明导电基片ITO玻璃作为衬底10，对所述衬底10进行清洗和干燥处理，并将所述衬底10上的ITO薄膜作为二极管器件的阳极层20；采用的透明导电基片ITO玻璃上的ITO薄膜的电阻为10Ω/sq；
步骤2、对经清洗和干燥处理后的所述衬底10进行紫外臭氧处理15分钟；
步骤3、在经紫外臭氧处理后的所述衬底10的阳极层20上旋涂PEDOT:PSS，然后进行退火处理后形成空穴传输层30；
步骤4、转移至氮气环境(如99.9％氮气氛围的手套箱)中，在所述空穴传输层30上旋涂MAPbBr3掺杂紫外固化剂3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐的混合溶液，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂以促进MAPbBr3迅速结晶，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用发射波长365nm紫外光照射10分钟，激发交联反应，得到交联MAPbBr3薄膜形成的发光层40；通过此步骤后，得到钙钛矿发光二极管的基板；
步骤5、将所述基板转移至真空度为10-4Pa的有机蒸镀室，通过在所述发光层40上蒸镀TPBi得到电子传输层50，然后在所述电子传输层50上蒸镀银得到阴极层60；通过此步骤得到钙钛矿发光二极管的器件；
步骤6、将所述器件转移回氮气环境中进行封装，得到基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管。
实施例3
本实施例提供的一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括：
步骤1、采用透明导电基片ITO玻璃作为衬底10，对所述衬底10进行清洗和干燥处理，并将所述衬底10上的ITO薄膜作为二极管器件的阳极层20；采用的透明导电基片ITO玻璃上的ITO薄膜的电阻为10Ω/sq；
步骤2、对经清洗和干燥处理后的所述衬底10进行紫外臭氧处理15分钟；
步骤3、在经紫外臭氧处理后的所述衬底10的阳极层20上旋涂PEDOT:PSS，然后进行退火处理后形成空穴传输层30；
步骤4、转移至氮气环境(如99.9％氮气氛围的手套箱)中，在所述空穴传输层30上旋涂MAPbBr3掺杂紫外固化剂3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐的混合溶液，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂以促进MAPbBr3迅速结晶，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用发射波长365nm紫外光照射15分钟，激发交联反应，得到交联MAPbBr3薄膜形成的发光层40；通过此步骤后，得到钙钛矿发光二极管的基板；
步骤5、将所述基板转移至真空度为10-4Pa的有机蒸镀室，通过在所述发光层40上蒸镀TPBi得到电子传输层50，然后在所述电子传输层50上蒸镀银得到阴极层60；通过此步骤得到钙钛矿发光二极管的器件；
步骤6、将所述器件转移回氮气环境中进行封装，得到基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管。
实施例4
本实施例提供的一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括：
步骤1、采用透明导电基片ITO玻璃作为衬底10，对所述衬底10进行清洗和干燥处理，并将所述衬底10上的ITO薄膜作为二极管器件的阳极层20；采用的透明导电基片ITO玻璃上的ITO薄膜的电阻为10Ω/sq；
步骤2、对经清洗和干燥处理后的所述衬底10进行紫外臭氧处理15分钟；
步骤3、在经紫外臭氧处理后的所述衬底10的阳极层20上旋涂PEDOT:PSS，然后进行退火处理后形成空穴传输层30；
步骤4、转移至氮气环境(如99.9％氮气氛围的手套箱)中，在所述空穴传输层30上旋涂MAPbBr3掺杂紫外固化剂米酮,4,4-双(二甲氨基)二苯甲酮的混合溶液，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂以促进MAPbBr3迅速结晶，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用发射波长365nm紫外光照射5分钟，激发交联反应，得到交联MAPbBr3薄膜形成的发光层40；通过此步骤后，得到钙钛矿发光二极管的基板；
步骤5、将所述基板转移至真空度为10-4Pa的有机蒸镀室，通过在所述发光层40上蒸镀TPBi得到电子传输层50，然后在所述电子传输层50上蒸镀银得到阴极层60；通过此步骤得到钙钛矿发光二极管的器件；
步骤6、将所述器件转移回氮气环境中进行封装，得到基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管。
实施例5
本实施例提供的一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括：
步骤1、采用透明导电基片ITO玻璃作为衬底10，对所述衬底10进行清洗和干燥处理，并将所述衬底10上的ITO薄膜作为二极管器件的阳极层20；采用的透明导电基片ITO玻璃上的ITO薄膜的电阻为10Ω/sq；
步骤2、对经清洗和干燥处理后的所述衬底10进行紫外臭氧处理15分钟；
步骤3、在经紫外臭氧处理后的所述衬底10的阳极层20上旋涂PEDOT:PSS，然后进行退火处理后形成空穴传输层30；
步骤4、转移至氮气环境(如99.9％氮气氛围的手套箱)中，在所述空穴传输层30上旋涂MAPbBr3掺杂紫外固化剂米酮,4,4-双(二甲氨基)二苯甲酮的混合溶液，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂以促进MAPbBr3迅速结晶，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用发射波长365nm紫外光照射10分钟，激发交联反应，得到交联MAPbBr3薄膜形成的发光层40；通过此步骤后，得到钙钛矿发光二极管的基板；
步骤5、将所述基板转移至真空度为10-4Pa的有机蒸镀室，通过在所述发光层40上蒸镀TPBi得到电子传输层50，然后在所述电子传输层50上蒸镀银得到阴极层60；通过此步骤得到钙钛矿发光二极管的器件；
步骤6、将所述器件转移回氮气环境中进行封装，得到基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管。
实施例6
本实施例提供的一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括：
步骤1、采用透明导电基片ITO玻璃作为衬底10，对所述衬底10进行清洗和干燥处理，并将所述衬底10上的ITO薄膜作为二极管器件的阳极层20；采用的透明导电基片ITO玻璃上的ITO薄膜的电阻为10Ω/sq；
步骤2、对经清洗和干燥处理后的所述衬底10进行紫外臭氧处理15分钟；
步骤3、在经紫外臭氧处理后的所述衬底10的阳极层20上旋涂PEDOT:PSS，然后进行退火处理后形成空穴传输层30；
步骤4、转移至氮气环境(如99.9％氮气氛围的手套箱)中，在所述空穴传输层30上旋涂MAPbBr3掺杂紫外固化剂米酮,4,4-双(二甲氨基)二苯甲酮的混合溶液，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂以促进MAPbBr3迅速结晶，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用发射波长365nm紫外光照射15分钟，激发交联反应，得到交联MAPbBr3薄膜形成的发光层40；通过此步骤后，得到钙钛矿发光二极管的基板；
步骤5、将所述基板转移至真空度为10-4Pa的有机蒸镀室，通过在所述发光层40上蒸镀TPBi得到电子传输层50，然后在所述电子传输层50上蒸镀银得到阴极层60；通过此步骤得到钙钛矿发光二极管的器件；
步骤6、将所述器件转移回氮气环境中进行封装，得到基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管。
实施例7
本实施例提供的一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底10、阳极层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50和阴极层60；
所述发光层40为，实施例1-6任一项所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法的步骤4中，通过在所述空穴传输层30上旋涂钙钛矿材料掺杂紫外固化剂的混合溶液，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用紫外光照射，激发交联反应，得到的交联钙钛矿薄膜。应当理解的是，所述衬底10、阳极层20、空穴传输层30、电子传输层50和阴极层60，也可以是由实施例1-6所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法的相应步骤制得，也可以是其他现有技术制得。
本实施例中的所述钙钛矿发光二极管的所述阳极层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50和阴极层60的厚度分别可以是：所述阳极层20的厚度为10～200nm，空穴传输层30厚度为20～80nm，发光层40厚度为20～80nm，电子层厚度为20～80nm，阴极层60厚度为100～200nm。为了更好地说明本发明的效果，将制备的所述钙钛矿发光二极管的所述阳极层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50和阴极层60的厚度设定为：所述阳极层20的厚度为180nm，空穴传输层30厚度为40nm，发光层40厚度为70nm，电子传输层50厚度为40nm，阴极层60厚度为100nm。
下面以实施例1-6制得的所述钙钛矿发光二极管为例，进行实验数据说明：
首先，对通过实施例1-6的制备方法制备的所述钙钛矿发光二极管进行编号：
通过实施例1的制备方法制备的所述钙钛矿发光二极管A；
通过实施例2的制备方法制备的所述钙钛矿发光二极管B；
通过实施例3的制备方法制备的所述钙钛矿发光二极管C；
通过实施例4的制备方法制备的所述钙钛矿发光二极管D；
通过实施例5的制备方法制备的所述钙钛矿发光二极管E；
通过实施例6的制备方法制备的所述钙钛矿发光二极管F；
然后，测试所述钙钛矿发光二极管A、B、C、D、E和F的电流-电压-亮度特性曲线和发光光谱特性，测试结果如表一所示。
表一：
| 编号 | 启亮电压(V) | 最大亮度(cd/m<sup>2</sup>) | 最大电流效率(cd/A) | 寿命(hours) |
| A | 5.1 | 6504 | 18.5 | 268 |
| B | 4.9 | 7875 | 20.6 | 288 |
| C | 5.6 | 7968 | 21.6 | 312 |
| D | 5.9 | 8985 | 29.3 | 289 |
| E | 6.3 | 9652 | 34.8 | 301 |
| F | 6.4 | 10154 | 35.9 | 325 |
由表一可知，通过本发明基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法制备的所述钙钛矿发光二极管，其电气特性受紫外固化剂的种类和紫外光照射时长的影响。本发明通过采用钙钛矿材料作为钙钛矿发光二极管的发光层40的原材料，并通过掺杂紫外固化剂，通过在发光层40制备的退火过程中采用紫外光照射，使得生成的钙钛矿薄膜致密连续，结晶性好，抗水氧腐蚀能力强，从而提高了钙钛矿发光二极管的亮度和效率，并提升器件稳定性，解决钙钛矿发光二极管性能偏差大，亮度弱，稳定性差的问题。而使用波长365nm紫外光照射5～15分钟，在这个照射时间范围内所制备的该太广发光二极管电气性能相对较好。
应当理解的是，本发明的实施例1-7中：
所述阳极层20采用的氧化铟锡(ITO)只是本发明的优选材料，其还可以采用有机导电聚合物(如PEDOT：PSS、PANI等)、高功函数金属材料(如金、铜、银、铂等)。
所述空穴传输层30采用的有机导电聚合物PEDOT：PSS只是本发明的优选材料，其可以是芳香族二胺类化合物、芳香族三胺类化合物、咔唑类化合物、星形三苯胺类化合物、呋喃类化合物、螺形结构化合物或聚合物材料中的一种或多种的组合。
所述发光层40采用具有钙钛矿材料MAPbBr3只是本发明的优选材料，其可以是有机/无机杂化ABX3型立方晶系结构，其中，A为有机胺基团，B为第四主族金属，X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合。
所述发光层40中掺杂的紫外固化剂可以是二苯甲酮以及其衍生物等紫外固化剂，本发明的紫外固化剂优选3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐或米酮,4,4-双(二甲氨基)二苯甲酮。
所述电子传输层50的材料优选1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，其可以是2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑、噁二唑类电子传输材料2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑、咪唑类电子传输材料1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑-2)苯中的任意一种或者多种的组合。
所述的阴极层60采用的银只是本发明的优选材料，其还可以是金属氧化物薄膜(如氧化铟锡ITO、氧化锌、氧化锡锌)或者金属薄膜(锂、镁、钙、锶、铝、铟或铜、金、银等金属的合金)。
步骤6中，对钙钛矿发光二极管进行封装可以采用现有的发光二极管封装技术，在此不再赘述。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
S1、对衬底(10)进行清洗和干燥处理，并在所述衬底(10)上设置阳极层(20)；
S2、对经清洗和干燥处理后的所述衬底(10)进行紫外臭氧处理；
S3、在经紫外臭氧处理后的所述衬底(10)的阳极层(20)制备空穴传输层(30)；
S4、在所述空穴传输层(30)上旋涂钙钛矿材料掺杂紫外固化剂的混合溶液，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用紫外光照射，激发交联反应，得到交联钙钛矿薄膜形成的发光层(40)；
S5、通过在所述发光层(40)上蒸镀电子传输材料得到电子传输层(50)，然后在所述电子传输层(50)上蒸镀金属氧化物薄膜或金属薄膜得到阴极层(60)；
S6、在步骤S5处理后进行封装，得到基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管。
2.如权利要求1所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用乙醇溶液、丙酮溶液和去离子水对所述衬底(10)进行超声清洗，然后采用干燥氮气进行吹干。
3.如权利要求1所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤S2中，对经清洗和干燥处理后的所述衬底(10)进行紫外臭氧处理15分钟。
4.如权利要求1所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述紫外固化剂为3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐或米酮,4,4-双(二甲氨基)二苯甲酮。
5.如权利要求1所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤S4中，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂。
6.如权利要求1所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述钙钛矿材料为MAPbBr3。
7.如权利要求1所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤S4中，在退火处理过程中使用波长365nm紫外光照射5～15分钟。
8.如权利要求1所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤S4和S6均在氮气环境中进行。
9.一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底(10)、阳极层(20)、空穴传输层(30)、发光层(40)、电子传输层(50)和阴极层(60)；
所述发光层(40)为，权利要求1-8任一项所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法的步骤S4中，通过在所述空穴传输层(30)上旋涂钙钛矿材料掺杂紫外固化剂的混合溶液，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用紫外光照射，激发交联反应，得到的交联钙钛矿薄膜。
10.如权利要求9所述的基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述阳极层(20)的厚度为10～200nm，空穴传输层(30)厚度为20～80nm，发光层(40)厚度为20～80nm，电子层厚度为20～80nm，阴极层(60)厚度为100～200nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811091016.2A CN109256475B (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811091016.2A CN109256475B (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109256475A true CN109256475A (zh) | 2019-01-22 |
| CN109256475B CN109256475B (zh) | 2020-02-07 |
Family
ID=65047719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811091016.2A Expired - Fee Related CN109256475B (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109256475B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109950412A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-06-28 | 电子科技大学 | 一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法 |
| CN111334295A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-06-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光材料、显示面板及其制作方法 |
| CN111500280A (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 钙钛矿量子点复合膜的制备方法 |
| CN113130703A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-16 | 暨南大学 | 一种调控全无机双钙钛矿光电探测器响应性能的方法 |
| CN113956517A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-01-21 | 淮阴工学院 | 一种多功能被动辐射冷却薄膜的制备方法 |
| WO2022016822A1 (zh) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN114203940A (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-18 | Tcl科技集团股份有限公司 | 薄膜的制备方法和发光二极管 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227330A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Canon Inc | 発光素子 |
| CN105098075A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-11-25 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法 |
| CN206370444U (zh) * | 2016-11-24 | 2017-08-01 | 南方科技大学 | 一种有机电致发光器件 |
| CN105802607B (zh) * | 2016-02-25 | 2017-10-31 | 吉林大学 | 一种MAPbX3钙钛矿纳米簇的制备方法 |
| CN108281572A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-07-13 | 苏州大学 | 含亚乙氧基化合物的钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
-
2018
- 2018-09-19 CN CN201811091016.2A patent/CN109256475B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227330A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Canon Inc | 発光素子 |
| CN105098075A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-11-25 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法 |
| CN105802607B (zh) * | 2016-02-25 | 2017-10-31 | 吉林大学 | 一种MAPbX3钙钛矿纳米簇的制备方法 |
| CN206370444U (zh) * | 2016-11-24 | 2017-08-01 | 南方科技大学 | 一种有机电致发光器件 |
| CN108281572A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-07-13 | 苏州大学 | 含亚乙氧基化合物的钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111500280A (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 钙钛矿量子点复合膜的制备方法 |
| CN109950412A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-06-28 | 电子科技大学 | 一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法 |
| CN109950412B (zh) * | 2019-04-03 | 2020-06-05 | 电子科技大学 | 一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法 |
| CN111334295A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-06-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光材料、显示面板及其制作方法 |
| WO2022016822A1 (zh) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN114203940A (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-18 | Tcl科技集团股份有限公司 | 薄膜的制备方法和发光二极管 |
| CN114203940B (zh) * | 2020-09-17 | 2024-04-16 | Tcl科技集团股份有限公司 | 薄膜的制备方法和发光二极管 |
| CN113130703A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-16 | 暨南大学 | 一种调控全无机双钙钛矿光电探测器响应性能的方法 |
| CN113956517A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-01-21 | 淮阴工学院 | 一种多功能被动辐射冷却薄膜的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109256475B (zh) | 2020-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109256475A (zh) | 一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法 | |
| Wu et al. | Improved performance and stability of all‐inorganic perovskite light‐emitting diodes by antisolvent vapor treatment | |
| Park et al. | Highly reproducible large‐area perovskite solar cell fabrication via continuous megasonic spray coating of CH3NH3PbI3 | |
| Jia et al. | The trapped charges at grain boundaries in perovskite solar cells | |
| Tan et al. | In situ back‐contact passivation improves photovoltage and fill factor in perovskite solar cells | |
| Zhou et al. | Benzylamine‐treated wide‐bandgap perovskite with high thermal‐photostability and photovoltaic performance | |
| Fu et al. | Efficient passivation with lead pyridine‐2‐carboxylic for high‐performance and stable perovskite solar cells | |
| Huang et al. | Water‐resistant and flexible perovskite solar cells via a glued interfacial layer | |
| Ma et al. | Suppressing ion migration across perovskite grain boundaries by polymer additives | |
| Chen et al. | In situ growth of 2D perovskite capping layer for stable and efficient perovskite solar cells | |
| Liu et al. | Hydrothermally treated SnO2 as the electron transport layer in high‐efficiency flexible perovskite solar cells with a certificated efficiency of 17.3% | |
| Zhang et al. | Vertically oriented 2D layered perovskite solar cells with enhanced efficiency and good stability | |
| Leyden et al. | Chemical vapor deposition grown formamidinium perovskite solar modules with high steady state power and thermal stability | |
| Ma et al. | Low‐temperature solution‐processed ZnO electron transport layer for highly efficient and stable planar perovskite solar cells with efficiency over 20% | |
| Jørgensen et al. | Stability of polymer solar cells | |
| Chu et al. | Cost effective perovskite solar cells with a high efficiency and open-circuit voltage based on a perovskite-friendly carbon electrode | |
| CN108511616B (zh) | 一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法 | |
| Chen et al. | Improving efficiency and stability of perovskite solar cells by modifying mesoporous TiO2–perovskite interfaces with both aminocaproic and caproic acids | |
| CN108336244A (zh) | 一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
| Lei et al. | Flexible perovskite solar modules with functional layers fully vacuum deposited | |
| Tavakoli et al. | All‐Vacuum‐Processing for Fabrication of Efficient, Large‐Scale, and Flexible Inverted Perovskite Solar Cells | |
| You et al. | Additive‐Enhanced Crystallization of Solution Process for Planar Perovskite Solar Cells with Efficiency Exceeding 19% | |
| Xiong et al. | Ultrathin and efficient organic photovoltaics with enhanced air stability by suppression of zinc element diffusion | |
| CN107026246A (zh) | 基于石墨烯的薄膜层叠体及其制造方法 | |
| Zhang et al. | Efficient charge collection promoted by interface passivation using amino acid toward high performance perovskite solar cells |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200207 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |