JP4865118B2 - 半導体装置および半導体発光デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光デバイスに関し、特に、多結晶GaNを含む半導体発光デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
III族窒化物は、周期表のIII族に含まれる元素、つまりAl,Ga,Inを含む。これらの物質を基板上に被着させ、オプトエレクトロニックデバイスの層状構造を形成する。このデバイスは、広範囲の波長で可視光を発光できる。GaNや、InN,AlNとのGaN合金を可視光発光デバイスに用いて、高発光効率を達成できる。これらの物質の結晶ヘテロ構造物は、通常、気相成長法によって単結晶基板上にエピタキシャル状に被着される。例えば、既存の赤色発光素子と、青色および緑色発光のInGaN/AlGaN発光ダイオード(LED)とを組み合わせて、屋外用フルカラーディスプレイを作成できる。
【0003】
三原色(赤色、緑色、青色)全てを発光できるLEDが生産されている。これらのデバイスは、大面積ディスプレイ用に使用できる潜在的な有用性がある。2色以上の色を混合することで、そのようなディスプレイにおいて中間色を作り出すことが潜在的に可能である。
【0004】
単結晶III族窒化物LEDは高発光効率を有するが欠陥密度が高い。また、これらの材料は、〜1010cm-2の転位密度を有することがあり得る。こうした広範な欠点は明らかに、これらの材料で作られたデバイス内でのキャリアの流れや再結合に影響していない。転位や積層欠陥等の広範な(つまり、一次元および二次元の)格子欠陥は通常、半導体物質のオプトエレクトロニック特性を帯びるという周知の悪影響を考えると、この非敏感性は注目に値する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
単結晶LED材料を用いて構成された周知のLEDをフルカラーディスプレイに使用するという潜在的な可能性は、これらの物質を単結晶基板上に被着しなくてはならないが故に制限される。サファイアおよびシリコンカーバイト等の周知の単結晶基板は、制限された面積を有する場合のみ形成されてきた。したがって、そのような単結晶基板上に単結晶物質を被着させて形成することができるディスプレイの大きさも、非常に制限された。さらに、III族窒化物半導体構成物を被着するための単結晶基板を形成するのに適した材料の種類は限られている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、多結晶III族窒化物半導体材料を提供する。本発明は更に、発光ダイオード(LED)と、多結晶III族窒化物層を有するその他の発光デバイスとを提供する。
【0007】
多結晶III族窒化物材料は、GaN及び、AlN、InN等の他のIII族窒化物とのGaN合金を含む。これらの材料を可視発光デバイスに用いて、効率的発光を行うことができる。
【0008】
本発明に係る半導体構成の一例は、多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファス(非晶質)である基板と、その基板上に形成された少なくとも一層の多結晶III族窒化物層とを含む。
【0009】
この多結晶III族窒化物層は、この基板上に直接形成できる。この多結晶III族窒化物層を形成するために、初めに非晶質III族窒化物材料をこの基板上に被着し、次に、この非晶質層を固相結晶化する。この非晶質III族窒化物層は、低温成膜法によって基板上に形成される。
【0010】
あるいは、多結晶III族窒化物層を形成する前に一層以上の下地層を形成し、その上に多結晶III族窒化物層を被着することもできる。この場合、上述のように最初に非晶質材料を被着するのではなく、III族窒化物層を直接、多結晶層として被着する。最初に湿(wetting)(核形成)層を基板に被着すると、その後基板上に形成される層の被着を促進できる。次に、湿層またはバッファ層等の下地層上に多結晶III族窒化物層を形成できる。
【0011】
本発明に係る発光デバイスは、多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスである基板と、この基板上に形成されたP型およびN型の多結晶III族窒化物層とを有する。
【0012】
本発明に係る発光デバイスは、適切な多結晶III族窒化物の活性層を更に有する。この活性層は、P型およびN型多結晶III族窒化物層の間に被着することができ、電気キャリアの再結合を向上する。
【0013】
キャリア閉込め(carrier confinement)を向上するために、発光デバイスは、活性層上に形成された一層以上の閉込層を有する。閉込層は、III族窒化物を含むことができる。
【0014】
上述のように、最初に多結晶のP型およびN型のIII族窒化物層と、活性層とを非晶質層として形成し、次に、これらを固相結晶化することで多結晶物質を形成できる。非晶質層を低温被着すれば、InGaN活性層内のインジウム含有量を増大できる。これにより、この活性層は、より長い波長で可視光を発光できる。
【0015】
あるいは、III族窒化物層を高温で成膜された多結晶層として基板上に形成することもできる。実施の形態では、最初に湿層を基板上に形成し、より高い温度でのガリウム窒化物の基板に対する膠着性を向上できる。
【0016】
このLEDを大面積カラーディスプレイに用いることができる。このディスプレイはモノクロディスプレイであっても、多色ディスプレイであっても良い。このディスプレイは、基板と、その基板上に形成されたピクセルアレイとを有する。この基板は、多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスであり、単結晶基板と比べて、比較的大面積に形成することができる。この基板上に被着された多結晶III族窒化物層は、構造的柔軟性を向上できる。各ピクセルそれぞれが、この基板上に形成された本発明に係る発光デバイスを構成する。この発光デバイスは、紫色光または近紫外光、あるいは選択された色の可視光を発光できる。
【0017】
本発明に係る多色ディスプレイにおいて、各ピクセルは選択された色を発光できる。このピクセルは、赤色、緑色、または青色の蛍光体を有する。この蛍光体は、発光デバイス上方または基板の反対側の表面上に形成できる。このディスプレイは、n電極(アドレス電極)と、個別にアドレス指定が可能な複数のp電極(制御電極)とを有し、これらの電極は発光デバイス上方に形成される。各蛍光体は発光デバイスから発光された光を吸収して状態遷移し、選択された波長で再発光する。これにより、このピクセルは三原色の異なる色を発光でき、大面積フルカラーディスプレイが提供できる。
【0018】
本発明は、さらに、上記の半導体構成物、発光デバイス、およびディスプレイの形成方法を提供する。
【0019】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に係る半導体構造10の一例を示す。この半導体構造は、基板12と、この基板12上に形成されたIII族窒化物層14とを含む。本発明の一態様によれば、基板12は、多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスである。例えば、基板12は、石英またはシリカガラス等を含むことができる。これらの材料は、単結晶層状構造をエピタキシャル的に被着させるための基板として用いられるサファイヤやシリコンカーバイド等の周知の単結晶基板材料よりも、大きな面積の基板を提供できる。
【0020】
III族窒化物層14は多結晶であり、GaNおよび、GaNとAlNやInNとの三元または四元合金を含むこともできる。例えば、III族窒化物はInxGa1-xNであってもよい。このような合金によれば、xの値、つまりInの含有量に応じて発光の波長を変化させることができ、それにより全可視スペクトラムをカバーすることができる。
【0021】
III族窒化物層14は基板12上にアモルファス層として被着され得る。次に、このアモルファス層を適切なエネルギー源によって処理して結晶化し、多結晶のIII族窒化物層14を形成する。この多結晶層は、結晶質GaNや、その合金等の結晶III族窒化構成物によって得られる発光効率に匹敵する発光効率を達成できる。
【0022】
アモルファスのIII族窒化物層14は適切な被着処理によって基板12上に形成され得る。例えば、アモルファスIII族窒化物層は、MOCVD(有機金属化学堆積)によって基板上に被着できる。MOCVDは通常、エピタキシャル単結晶層を成長させるために使用される。他の周知の被着方法、またはIII族窒化物層を比較的広い基板面積に被着できる、今後開発される被着方法を用いることもできる。
【0023】
アモルファスIII族窒化物層は、比較的低い基板温度において高被着率で形成することもできる。例えば、MOCVDを用いて、約500〜600℃の基板温度で石英基板上にアモルファスGaNを成長させることができる。
【0024】
アモルファスGaN(または、以下で述べる多結晶GaN)を形成するための適切な材料ガスソースは、3基のメチルを有するガリウム(Ga(CH3)3)およびアンモニア(NH3)を含む。三元合金は、適切な材料ガスソースを添加して形成できる。例えば、InGaNは、3基のメチルを有するインジウムを添加することにより成長させることができる。
【0025】
低成長温度によってアモルファスIII族窒化物層を形成すれば、三元合金層に含有される、いくつかの元素の量を増大できる。例えば、GaNはInNと共に合金になり、InGaN三元合金のバンドギャップを広げて赤色にする。これにより、全可視スペクトラムを効果的にカバーできる。しかし、単結晶物質においては、十分に高いインジウム含有率を有するInGaNを従来の被着技術で形成することは困難である。これは混和性の問題に因る。つまり、これらの層において、Inが豊富な領域と、Gaが豊富な領域とが分離してしまうのである。InGaNを低温被着すると、インジウム含有量を増大できる。これによって、可視スペクトラムの増補領域(extended region)をカバーする合金を生成する。さらに、低温被着によって、InNの高蒸気圧に関連する問題を軽減する。
【0026】
基板上に形成されたアモルファスIII族窒化物層は、レーザ結晶化によって固相結晶化される。例えば、アモルファスGaNは、エキシマレーザ等の適切なレーザを用いて結晶化できる。レーザフルエンスおよびレーザビームをアモルファス層に適用する回数を変更して、アモルファスIII族窒化物を十分に結晶化できる。
【0027】
図2は、本発明に係る半導体層状構造20の他の例を示す。この層状構造20では、基板上にIII族窒化物層が多結晶層として形成される。この時、最初にアモルファス層を形成することはしない。これらの多結晶層は、上記のアモルファス層を形成する際に使用する温度より高い基板温度で形成できる。
【0028】
分子ビームエピタキシーによってシリカガラス基板上に多結晶GaNが被着されることが実証されている。
【0029】
図2に示すように、多結晶III族窒化物によって基板をより良くカバーするために、一層以上の中間層(図2において層24,26)を基板22とIII族窒化物層28との間に形成することが好ましい。これら中間層には湿層24が含まれていてもよい。この湿層24は、表面および界面でのエネルギー準位機構の作用により被着性(wetting)を増すものである。例えば、石英およびその他の適切な多結晶つまり実質的に非晶質またはアモルファスである基板に対するガリウムの膠着係数が低いことを補償するために、予めAlNまたはGaN等の適切なIII族窒化物の薄膜をこれらの基板上に被着できる。この薄膜は、せいぜい原子一個分の厚みを有し、基板の一部のみをカバーするように被着できる。つまり、この薄膜はサブ単層である。あるいは、この湿層24によって基板表面22のほぼ全面をカバーすることもできる。このようにカバーした湿層24は、核形成膜として作用し、基板を、その上に形成されるIII族窒化物層によって均一にカバーできるようにする。
【0030】
薄膜24に加えて、一層以上のバッファ層26を湿層24上に被着することもできる。このバッファ層26は、AlN,GaN,InGaN,AlGaN等のIII族窒化物によって形成される。例えば、アモルファスGaNの薄いバッファ層26を湿層24上に被着できる。アモルファスバッファ層は低温で被着できる。その後、多結晶GaNの被着に先だって行われる加熱ステップ中にて、このアモルファス物質の固相結晶化が行われる。例えば、アモルファス物質は、デポジットチャンバ内の温度を約1050℃に上昇させることで結晶化できる。NH3−H2雰囲気等の適切な環境下で、再結晶化を行うことができる。このバッファ層は通常、約100〜500Å以上の厚みを有する。
【0031】
本発明に係る半導体構造物の実施の形態の中には、バッファ層26を形成しない形態もある。バッファ層は通常、半導体構造物に被着して、基板と、この基板上にその後形成される層との間の格子整合を向上させる。しかし本発明では、基板と被着層との間の格子整合は、単結晶基板と薄膜とを有する半導体構成物における程には重要な考慮事項ではない。このバッファ層によって、被着層による基板のカバレッジを向上できる。したがって、これらのバッファ層を、この目的あるいは他の周知の目的のために使用できる。
【0032】
図1および図2に示す半導体層状構造10,20を多様な発光デバイスに用いることができる。以下で詳述するように、この半導体層状構成物を発光ダイオードやカラーディスプレイ等に用いることができる。当業者も、こうした他の適用が可能であることが分かるであろう。
【0033】
図3は、本発明に係る発光ダイオード(LED)30の一例を示す。LED30は基板32を有する。この基板32は、多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスである。この基板32上に薄い湿層34を成長させる。この湿層34は、上述のように、AlN等の適切なIII族窒化物を含むことができる。この湿層34上にバッファ層36を形成する。このバッファ層36は、上述のように、GaNやAlN等の任意の適切なIII族窒化物質を含むことができる。バッファ層36をアモルファス層として形成した後、より高い温度で固相結晶化して多結晶層を形成できる。
【0034】
湿層34およびバッファ層36を基板上に形成した後、少なくとも一層のn型(またはp型)III族窒化物層38をバッファ層36上に成長させる。例えば、III族窒化物層38は、n型III族窒化物層38を被着する間に適切なドーパントを添加して形成されたn型GaNであってもよい。GaNに添加する適切なn型ドーパントは、Si等を含む。
【0035】
n型III族窒化物層38上方で活性層40を成長させる。この活性層40によって電子−正孔再結合効率を高める。活性層40は、所望の波長で可視光を生成するように設計されたInGaN等の合金を含む。例えば、この合金は所望の波長で青色光を生成するように設計されたIn0.3Ga0.7Nの組成を有しても良い。InおよびGaの比率を調節して活性層40の組成を変更し、活性層40のバンドギャップを変更できる。これにより、LED30が発光する光の波長を変化させる。活性層40の厚みを十分に小さくすると、量子力学的閉込効果を重視できる。このように薄い活性層40は量子井戸として周知である。通常、活性層40は約10−100Åの厚みを有する。
【0036】
InGaN活性層40のインジウム含有量を増大するためには、活性層40を0.5−100μm厚のInGaN層上に被着する。このアプローチによって、高インジウム含有の活性領域におけるInGaN合金分離を軽減でき、LED30によるスペクトル発光の単色性を向上する。
【0037】
ZnGeN2活性層は、GaN等のIII族窒化物層の間に形成することもできる。ZnGeN2は、約2.7eVのバンドギャップを有する。一方、GaNは約3.4eVのバンドギャップを有する。
【0038】
キャリア閉込層(図示せず)を、活性層40の上方およびあるいはまたは下方に形成して、電気キャリア閉込を向上することができる。このキャリア閉込層は、AlGaNの合金等のIII族−V窒化物を含むことができる。
【0039】
p型III族窒化物層42を、活性層40上(または、キャリア閉込層が活性層40上に形成されたLEDの実施の形態においては、そのキャリア閉込層上)に形成する。p型III族窒化物層が活性層40下に形成されたLED30の場合、n型III族窒化物層は、活性層40(または、キャリア閉込層)の上に形成される。p型III族窒化物層42を形成するための適切なp型ドーパントは、マグネシウム等を含む。
【0040】
本発明に係る発光ダイオードは、n型III族窒化物層38を基板上に直接適用して形成してもよい。この時、n型III族窒化物層38と基板との間に湿層34およびあるいはまたはバッファ層36は形成しない。この場合、n型III族窒化物層38は、活性層40およびp型III族窒化物層42と同様、低温でアモルファス層として形成し、その後、n型およびp型III族窒化物層38、42および活性層40に対してエネルギーを作用させて固相結晶化させることもできる。例えば、n型およびp型III族窒化物層38、42および活性層40は、上述のようにレーザ結晶化できる。上述のように、低温被着によって、活性層40の、インジウム等の合金となる元素の含有率を高めることができる。
【0041】
LED30等の本発明に係る発光デバイスを大面積ディスプレイに用いることができる。これは、多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスである基板を、本発明に係る発光デバイスに用いることにより実現できる。上述のように、こうした基板は単結晶基板より大面積にすることができ、したがって、この発光デバイスを有する大面積ディスプレイを製作できる。
【0042】
本発明に係る発光デバイスを、大面積モノクロディスプレイに用いることができる。モノクロディスプレイは、本発明に係る発光デバイスの構造と、これに含まれる特定の活性層とに応じて選択された色の光を発光できる。
【0043】
本発明に係る発光デバイスは、広域多色およびフルカラーディスプレイにも使用できる。図4は、本発明に係るフルカラーディスプレイ50の一例を示す。このディスプレイ50は、石英またはシリカガラス基板等の多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスである基板52を有することができる。基板52上に多結晶発光デバイス54のアレイを形成する。本発明に係る発光デバイス54は、例えば、上述のLED30であってもよく、当業者には周知である従来のフォトリソグラフィによって形成することができる。この発光デバイス54は、選択された波長の光を発光できる。例えば、発光デバイス54は、紫色光または近紫外光を発光できる。ディスプレイ50は、各々選択された色を発光できるピクセルを組み合わせる。図4から図6に示すように、多様な蛍光物質60,62,64を発光デバイス54上に配置できる。これらの蛍光物質60,62,64は、発光デバイス54から発光された波長の光エネルギーを吸収し、選択された波長や色の光を発光し得るように選択される。例えば、ディスプレイ50が全色発光できるように、蛍光物質60,62,64はそれぞれ赤色、緑色、青色の光を発光するように励起される。
【0044】
各ピクセルは、発光デバイス54に加えて、個別にアドレス指定が可能な制御電極56を有する。各電極56は蛍光物質60,62,64の一つに対応づけられる。最終コンタクトは、コモン電極58であってもよい。
【0045】
図5は、本発明に係るディスプレイ70の他の例を示す。このディスプレイ70は、基板72と、この基板上に形成された本発明に係る発光デバイス74のアレイとを有する。この実施の形態において、発光デバイス74は、青色光を直接発光する。三原色全部を生成するために、ディスプレイ70は更に、青色光を吸収し、赤色および緑色光をそれぞれ再発光する蛍光体80および82を有する。したがって、ディスプレイ70は、赤色、緑色、青色の光を発光できる。図示したように、各ピクセルは、個別にアドレス指定が可能な制御電極76を有する。このディスプレイ70は更に、コモン電極78も有する。
【0046】
図6は、本発明に係るディスプレイ90の他の例を示す。このディスプレイ90は、基板92と、この基板92上に形成された発光デバイス94のアレイとを有する。発光デバイス54と同様、発光デバイス94は、紫色光と、近紫外光とを発光する。基板92は透明である。ディスプレイ90は、ディスプレイ50とは対照的に、基板92の底面106に形成された3個の蛍光物質100,102,104を有する。蛍光物質100,102,104はそれぞれ、赤色、緑色、青色を発光できる。各ピクセルは発光デバイス94上に形成された個別にアドレス指定が可能な制御電極96を更に有する。ディスプレイ90はコモン電極98も有する。
【0047】
本発明に係るカラーディスプレイは、モノクロディスプレイであってもよい。このようなディスプレイは、青色等の選択された色の光を発光する発光デバイスアレイを有することができる。あるいは、この発光デバイスは、紫色光または近紫外光を発光でき、各発光色(赤色、緑色または青色)は各発光デバイスに関連することができる。
【0048】
このディスプレイは、二色の選択された色を発光するように構成することができる。例えば、この発光デバイスが、第一の色を発光し、蛍光体が第二の色を発光することができる。
【0049】
図7は、本発明に係るアクティブマトリクスカラーディスプレイにおける各ピクセルに対する回路を概略的に示す。このピクセルは、本発明に係る発光デバイス110を有する。
【0050】
本発明に係る発光デバイスの形成方法の一例では、石英基板上にアモルファスGaN層をMOCVDによって約550℃の温度で被着する。次に、エキシマレーザを用いて、このアモルファス層を固相結晶化する。結晶化においては、142mJ/cm2のレーザフルエンスを有するシングルパルスを用いる。
【0051】
図8および図9は、それぞれ、上記の方法で形成されたアモルファスGaNと、レーザ結晶化された多結晶GaNのX線回折スペクトラム(2Θ/Θスキャン)を示す。図9では、多結晶GaN物質の2回のピークが示されている。これらのピークは、GaN(002)、GaN(004)として区別される。
【0052】
これらの実験結果より、エキシマレーザを用いてアモルファスGaNを結晶化して、多結晶GaNを形成できることが分かる。
【0053】
本発明に係る発光デバイスの形成方法の他の例では、多結晶GaNを1050℃の高温で成長させて、石英上に直接被着する。石英上での多結晶GaN膜の成膜は、最初に石英基板上にAlN核形成膜を形成することを含む一連の被着工程の後に行われる。AlN核形成層を形成することで、石英上のガリウム窒化物の膠着係数が低いことを補償する。AlN核形成層を薄いサブ単層膜として基板の一部に適用した後に、この核形成層上に薄いアモルファスGaNバッファ層を約550℃で被着する。このアモルファスGaNバッファ層の厚みは約300Åである。このGaNバッファ層は、NH3:H2雰囲気中で温度を約1050℃に上昇させることで固相結晶化する。その後、結晶化されたGaNバッファ層上に多結晶GaNを厚く被着して、層状の半導体構造を形成する。
【0054】
多結晶GaN構造の構造特性は、レーザ結晶化された物質の構造特性と非常に類似する。さらに、この構造は、サファイア上で成長させたエピタキシャルGaN膜に匹敵するフォトルミネセンスを示す。
【0055】
本発明に係る発光デバイスの形成方法の別の実施の形態では、多結晶GaNデバイス構造を、上述の方法と同様の方法を用いて形成する。特に、AlN核形成層と、GaNバッファ層とを最初に石英基板上で成長させ、次にp型およびn型層をGaNバッファ層上に形成することで、LED構造を形成する。特に、GaNバッファ層上にSiドープn型GaN層を約1050℃で成長させる。薄いIn0.3Ga0.7N(推定組成)シングル量子井戸活性層を、n型GaN層上で成長させる。n型GaN層は約4μm厚であり、In0.3Ga0.7Nは約30Å厚である。最後に、約0.2μm厚のMgドープp型GaN層をIn0.3Ga0.7N層上に形成する。
【0056】
図10は、多結晶GaN LED構造における発光強度を波長の関数として示すグラフである。図示したように、このLEDは青色光を発光する。
【0057】
同時に、単結晶LEDの比較サンプルをc配向サファイア基板上で成長させ、構造および性能特性について、多結晶構造と比較する。
【0058】
これらの物質を用いて、Ti/Au pコンタクト金属を蒸着し、当該金属膜を1mmセンタにて〜500μmドットにパターニングし、周囲の物質をアルゴンイオンミリングして、LEDを形成する。エッチングの深さは約1μmであり、これにより下に形成されたn型物質を露出させる。この深さは、サファイア基板上で成長させたエピタキシャルLEDにおいて一般的な深さである。LED動作では、金属プロープチップをn型GaN層表面に接触させて、n型コンタクトを形成する。
【0059】
単結晶サファイア基板上で成長させた単結晶LED物質が通常、鏡のような表面を有することとは異なり、石英基板上で成長させた多結晶物質の表面は非常にザラザラしている。この不規則な表面のため、pn接合部は、イオンミリングによって均一に削除されないこともあった。さらに、この表面形態のために、p型GaN/金属接触の性質が曖昧になった。これは、p型GaNが比較的薄く、各結晶を完全にカバーしないことがあるためである。
【0060】
この表面を走査電子顕微鏡(SEM)で見ると、結晶は全般的に数ミクロン、つまりフィルム厚と同じ程度の大きさであることが分かる。さらに、フラットトップの六角形断面結晶が存在することは、c配向成長の傾向があることを示唆する。この好適な配向があることは、図11のX線回折スペクトラムに、ランダム配向の多結晶列が有すると思われる強度に比べて強い(002)反射が示されていることからも、同様に明らかである。
【0061】
下記の表1は、回折強度の測定値を、完全にランダムな多結晶(Joint Committee on Powder Diffraction Standards(JCPDS)(1976))の対応の値と比較したものである。それぞれの場合、回折強度Iは(101)反射の強度I(101)を用いて正規化される。この理由は、I(101)が晶子のランダムアセンブリ状態から得られる最強の反射であると思われるからである。表1から、(002)反射が特に顕著であり、これは、石英基板上で成長させたIII族窒化物膜が好適なc配向を有することを示す。また、(004)反射も比較的強い。測定されたスペクトラム中に存在しない非対称反射もある。
【0062】
【表1】
多結晶の配向は完全にランダムではないが、この構造はそれでも非常に不規則的である。例えば、多くの自然成長面は、InGaN量子井戸(QW)が成長する間、露出されている。成長率および合金組成は、層を成長させる際に基板となる平面による影響を受けるため、多結晶に対する量子井戸パラメータは、単結晶LEDに対する分布よりも広くなると考えることが自然である。このような量子井戸厚範囲および組成を呈する場合、LED発光におけるスペクトル単色性は低くなるはずである。これは、図12から明らかである。図12は、同じ成長進行状態の単結晶LED(サファイア基板)を通って収集された発光と、多結晶LED(石英基板)を通って収集された発光との比較を示す。両スペクトラムとも〜430nmでピークに達する一方、多結晶LEDのスペクトラル幅は、単結晶LEDの二倍近くになる。
【0063】
多結晶デバイスについて検出された発光は、単結晶LEDに比べて約100倍弱かった。多結晶LEDからのエレクトロルミネセンスは比較的弱いが、いくつかの要因のために2種類のLEDの発光効率を有意義に比較することが阻害されている。つまり、コンタクト構成が最適化されていないこと、および、多結晶LEDにおいて電流パスが完全に規定されていないことによって、多結晶LEDが低効率となると思われる。例えば、単結晶LEDにおいて接合パスは、光がpコンタクトの下からのみ発光されるように充分に制限されている。これに対して、多結晶からの発光パターンは、より複雑であり、明るい発光スポットが二つのコンタクトの間の領域に多く観察される。このような分布では、ファイバーカップルスペクトルメータによって発光を効率よく収集できないので、図12に示すように、発光効率が低く示されてしまう。
【0064】
しかし、多結晶物質で構成されたLEDでは、このように発光パターンが分散することはそれほど珍しくない。多結晶膜中に存在する粒子境界の数が多いので、供給された電流が接合部を横切ってInGaN量子井戸に供給されるためには、複雑なパスを横切って晶子を通過せざるを得ない。この結果、顕微鏡で見ると、この発光は2個のコンタクトの間およびその周辺部に多くの小さく明るいスポットを有することになる。これは、ダイオード電流によって呈された侵出パス(percolation path)に相当する。さらに、このように単純な構成では、金属コンタクトの機能も疑わしい。これは、n型コンタクトがTi/Auドットの一つになろうが、プローブ先端が腐食領域に直接接触しようが、LED動作が観察されるためである。
【0065】
コンタクト間に発光スポットが見られること、および腐食表面に配置されたnコンタクトと、成長表面に配置されたnコンタクトとの間に顕著な差異が見られないことから、腐食ステップは、全晶子においてpn接合部を完全に貫通しているわけではないことが明白である。
【0066】
より洗練されたエッチングを行って接合部をより均一に除去したり、およびあるいはまたは物質を更に型抜きして電流接合パスを規定する等、デバイス構造をより最適化することで、これらの多結晶デバイスからのルミネセンス効率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る層状半導体構造の一例の断面を示す模式図である。
【図2】 本発明に係る層状半導体構造の別の例の断面を示す模式図である。
【図3】 本発明に係る発光デバイスの一例の断面を示す模式図である。
【図4】 本発明に係る多色ディスプレイの一例の断面構造を示す模式図である。
【図5】 本発明に係る多色ディスプレイの他の例の断面構造を示す模式図である。
【図6】 本発明に係る多色ディスプレイの他の例の断面構造を示す模式図である。
【図7】 図4,5,6に示すフルカラーディスプレイのアクティブマトリクスアレイにおける一個のピクセルの回路の一例を示す概略図である。
【図8】 石英基板上に被着したアモルファスGaNのX線回折スペクトラム(2Θ/Θスキャン)を示すグラフである。
【図9】 本発明に係る石英基板上に被着したレーザ結晶化された、GaN(002)および(004)ピークを含むGaNのX線回折スペクトラムを示すグラフである。
【図10】 本発明に係る多結晶GaN構造を含む発光デバイスの発光強度の波長依存性を示すグラフである。
【図11】 本発明に係る石英基板上で成長させた多結晶InGaN発光デバイスのX線回折スペクトラムを示すグラフである。
【図12】 c面サファイア基板上にエピタキシャル的に成長させた単結晶LED用および、本発明に係る石英基板上に被着させた多結晶発光デバイス用のInGaN発光デバイスの発光スペクトラルを示すグラフである。
【符号の説明】
10 半導体構造、20 半導体層状構造、12,22,32,52,72,92 基板、14,28,38 III族窒化物層、24,34 湿層、26,36 バッファ層、30 LED、38 n型III族窒化物層、40 活性層、42 p型III族窒化物層、50 フルカラーディスプレイ、54 多結晶発光デバイス、56,76,96 制御電極、58,78,98 コモン電極、60,62,64 蛍光物質、70、90 ディスプレイ、74,94,110 発光デバイス、80,82 蛍光体。
Claims (2)
- 多結晶又はアモルファスである基板と、
前記基板上に形成された少なくとも一層の多結晶III族窒化物層と、
前記基板と前記少なくとも一層の多結晶III族窒化物層との間に形成され、表面及び界面でのエネルギー準位機構の作用により被着性を増す層としてAlN湿層と、
前記AlN湿層と前記少なくとも一層の多結晶III族窒化物層との間にInGaN,AlGaNの少なくとも1つからなるバッファ層と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 多結晶又はアモルファスである基板上に、表面及び界面でのエネルギー準位機構の作用により被着性を増す層としてAlN湿層を形成するステップと、少なくとも前記AlN湿層を挟んで前記基板上に少なくとも一層の多結晶III族窒化物層を形成するステップと、前記AlN湿層を形成するステップの後に、前記AlN湿層上にInGaN,AlGaNの少なくとも1つからなるバッファ層を形成するステップと、を有することを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。
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