JPH10321956A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH10321956A JPH10321956A JP12560897A JP12560897A JPH10321956A JP H10321956 A JPH10321956 A JP H10321956A JP 12560897 A JP12560897 A JP 12560897A JP 12560897 A JP12560897 A JP 12560897A JP H10321956 A JPH10321956 A JP H10321956A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 通電中の発熱による素子寿命の短縮を回避可
能な半導体装置を得る。 【解決手段】 発光素子である半導体装置は、タングス
テン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等の融
点が１３００℃以上である高融点金属基板１と、この高
融点基板１上に形成されたＡｌＧａＮバッファ層２と、
バッファ層２上に形成されたｎ型ＧａＮコンタクト層３
と、ｎ型コンタクト層３上に形成されたｎ型ＡｌxＧａ
1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッド層４と、ｎ型クラッド層
４上に形成されたＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層
５と、活性層５上に形成されたｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０
≦ｚ＜１）クラッド層６と、ｐ型クラッド層６上に形成
されたｐ型ＧａＮコンタクト層７と、ｐ型コンタクト層
７上に形成されたｐ型電極１２とを具備するものであ
る。
能な半導体装置を得る。 【解決手段】 発光素子である半導体装置は、タングス
テン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等の融
点が１３００℃以上である高融点金属基板１と、この高
融点基板１上に形成されたＡｌＧａＮバッファ層２と、
バッファ層２上に形成されたｎ型ＧａＮコンタクト層３
と、ｎ型コンタクト層３上に形成されたｎ型ＡｌxＧａ
1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッド層４と、ｎ型クラッド層
４上に形成されたＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層
５と、活性層５上に形成されたｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０
≦ｚ＜１）クラッド層６と、ｐ型クラッド層６上に形成
されたｐ型ＧａＮコンタクト層７と、ｐ型コンタクト層
７上に形成されたｐ型電極１２とを具備するものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、窒化ガリウム系
化合物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ：０≦Ｘ，０≦
Ｙ，Ｘ＋Ｙ＜１）を用いた半導体装置及びその製造方法
に関するものである。
化合物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ：０≦Ｘ，０≦
Ｙ，Ｘ＋Ｙ＜１）を用いた半導体装置及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、大容量情報処理装置用光源として
短波長帯半導体レーザの開発が活発になされている。図
７は従来の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素
子（例えば、半導体レーザ、発光ダイオード）を示す要
部断面図である。ＧａＮは直接遷移型の化合物半導体で
あるが、ＧａＮバルク基板結晶が得られないことからサ
ファイア基板が用いられている。
短波長帯半導体レーザの開発が活発になされている。図
７は従来の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素
子（例えば、半導体レーザ、発光ダイオード）を示す要
部断面図である。ＧａＮは直接遷移型の化合物半導体で
あるが、ＧａＮバルク基板結晶が得られないことからサ
ファイア基板が用いられている。
【０００３】図７に示す発光素子は、サファイア基板１
０上にＡｌＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト
層３、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッド層
４、ノンドープまたはＺｎドープＩｎyＧａ1-yＮ（０≦
ｙ＜１）活性層５、ｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０≦ｚ＜１）
クラッド層６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７が、この順に
積層されており、かつ、ｎ型コンタクト層３上にｎ型電
極１１、ｐ型コンタクト層７上にｐ型電極１２を備えて
いる。
０上にＡｌＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト
層３、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッド層
４、ノンドープまたはＺｎドープＩｎyＧａ1-yＮ（０≦
ｙ＜１）活性層５、ｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０≦ｚ＜１）
クラッド層６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７が、この順に
積層されており、かつ、ｎ型コンタクト層３上にｎ型電
極１１、ｐ型コンタクト層７上にｐ型電極１２を備えて
いる。
【０００４】上記の構造の従来の窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子は、以下の様にして作製される。まず、
基板温度約１１００℃にてサファイア基板１０の表面処
理を行い、次に、基板温度を５５０℃まで下げ、ＡｌＧ
ａＮバッファ層２の成長を行う。
半導体発光素子は、以下の様にして作製される。まず、
基板温度約１１００℃にてサファイア基板１０の表面処
理を行い、次に、基板温度を５５０℃まで下げ、ＡｌＧ
ａＮバッファ層２の成長を行う。
【０００５】次に温度を約１１００℃まで上げ、ｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層３と、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜
１）クラッド層４を成長させる。次に、基板温度を８０
０℃まで下げＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層５を
成長する。
ａＮコンタクト層３と、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜
１）クラッド層４を成長させる。次に、基板温度を８０
０℃まで下げＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層５を
成長する。
【０００６】再度、温度を１１００℃に上げ、ｐ型Ａｌ
zＧａ1-zＮ（０≦ｚ＜１）クラッド層６と、ｐ型ＧａＮ
コンタクト層７を順に成長する。その後、ドライエッチ
ングにより、ｐ型コンタクト層７からｎ型ＧａＮコンタ
クト層３までエッチングし、ｎ型及びｐ型電極１１及び
１２をそれぞれ形成する。
zＧａ1-zＮ（０≦ｚ＜１）クラッド層６と、ｐ型ＧａＮ
コンタクト層７を順に成長する。その後、ドライエッチ
ングにより、ｐ型コンタクト層７からｎ型ＧａＮコンタ
クト層３までエッチングし、ｎ型及びｐ型電極１１及び
１２をそれぞれ形成する。
【０００７】又、図８は従来の窒化ガリウム系化合物半
導体を用いたＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｉｔｏｒ）を示す要部断面図である。
導体を用いたＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｉｔｏｒ）を示す要部断面図である。
【０００８】図８に示すＭＥＳＦＥＴは、サファイア基
板１０上にＡｌＧａＮバッファ層２２、アンドープＧａ
Ｎ層２３、ｎ型ＧａＮ層２４がこの順に積層されてお
り、かつ、ｎ型ＧａＮ層２４表面からアンドープＧａＮ
層２３の一部に達する深さにまで形成されたＨｅイオン
注入領域２５により素子分離がなされ、このＨｅイオン
注入領域２５に囲まれたｎ型ＧａＮ層２４上に、Ｔｉ／
Ａｌ積層膜からなるソース及びドレイン電極２６及び２
７、並びにＰｔ／Ａｕ積層膜からなるゲート電極２８が
形成されている。
板１０上にＡｌＧａＮバッファ層２２、アンドープＧａ
Ｎ層２３、ｎ型ＧａＮ層２４がこの順に積層されてお
り、かつ、ｎ型ＧａＮ層２４表面からアンドープＧａＮ
層２３の一部に達する深さにまで形成されたＨｅイオン
注入領域２５により素子分離がなされ、このＨｅイオン
注入領域２５に囲まれたｎ型ＧａＮ層２４上に、Ｔｉ／
Ａｌ積層膜からなるソース及びドレイン電極２６及び２
７、並びにＰｔ／Ａｕ積層膜からなるゲート電極２８が
形成されている。
【０００９】次に、上記の構造の従来のＭＥＳＦＥＴの
製造方法を述べる。まず、基板温度約１１００℃にてサ
ファイア基板１０の表面処理を行い、次に、基板温度を
５５０℃まで下げ、ＡｌＧａＮバッファ層２２の成長を
行う。
製造方法を述べる。まず、基板温度約１１００℃にてサ
ファイア基板１０の表面処理を行い、次に、基板温度を
５５０℃まで下げ、ＡｌＧａＮバッファ層２２の成長を
行う。
【００１０】次に、温度を約１１００℃まで上げ、アン
ドープＧａＮ層２３と、ｎ型ＧａＮ層２４を成長させ
る。次に、アンドープＧａＮ層２３の一部に達する深さ
までＨｅイオン注入を行い、素子分離のためのＨｅイオ
ン注入領域２５を形成する。
ドープＧａＮ層２３と、ｎ型ＧａＮ層２４を成長させ
る。次に、アンドープＧａＮ層２３の一部に達する深さ
までＨｅイオン注入を行い、素子分離のためのＨｅイオ
ン注入領域２５を形成する。
【００１１】その後、Ｔｉ／Ａｌ積層膜をｎ型ＧａＮ層
２４上に堆積し、写真製版技術及びエッチング技術を用
いてソース及びドレイン電極２６及び２７を形成し、続
いて、Ｐｔ／Ａｕ積層膜をｎ型ＧａＮ層２４上に堆積
し、上記同様にゲート電極２８を形成する。
２４上に堆積し、写真製版技術及びエッチング技術を用
いてソース及びドレイン電極２６及び２７を形成し、続
いて、Ｐｔ／Ａｕ積層膜をｎ型ＧａＮ層２４上に堆積
し、上記同様にゲート電極２８を形成する。
【００１２】例えば、いくつかのＧａＮ系半導体を用い
たＦＥＴの例が、ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．２，ｐ．１７７−１
８０（１９９７）．に報告されている。
たＦＥＴの例が、ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．２，ｐ．１７７−１
８０（１９９７）．に報告されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記のよう
な従来の発光素子やＦＥＴ等の半導体装置においては、
サファイア基板１０の熱伝導が悪く、ソース・ドレイン
間の電流によるＦＥＴでの発熱や、発光素子の通電中に
おける発熱を、効率的に外部へ逃がすことができず、素
子温度が上昇し、そのため、素子の長寿命化を阻害する
という問題があった。
な従来の発光素子やＦＥＴ等の半導体装置においては、
サファイア基板１０の熱伝導が悪く、ソース・ドレイン
間の電流によるＦＥＴでの発熱や、発光素子の通電中に
おける発熱を、効率的に外部へ逃がすことができず、素
子温度が上昇し、そのため、素子の長寿命化を阻害する
という問題があった。
【００１４】さらに、従来の発光素子においては、サフ
ァイア基板１０が絶縁物であるため、直接基板から電極
を取り出すことができず、しかも、当該基板１０が化学
的に非常に安定であるため、基板１０をエッチングによ
り除去することが困難であり、ｎ型及びｐ型電極が対向
した構造を実現できなかった。そのために、基板１０の
主面に垂直な方向に電流を流すことができず、活性層５
中を流れる電流は中心から外れた広がりを呈することと
なり、これが、発熱の原因ともなり、この熱によって素
子寿命が短縮することがあった。
ァイア基板１０が絶縁物であるため、直接基板から電極
を取り出すことができず、しかも、当該基板１０が化学
的に非常に安定であるため、基板１０をエッチングによ
り除去することが困難であり、ｎ型及びｐ型電極が対向
した構造を実現できなかった。そのために、基板１０の
主面に垂直な方向に電流を流すことができず、活性層５
中を流れる電流は中心から外れた広がりを呈することと
なり、これが、発熱の原因ともなり、この熱によって素
子寿命が短縮することがあった。
【００１５】又、従来の発光素子においては、電流が中
心を外れるだけでなく、素子の表面近くを流れる場合も
あり、この場合においては、表面準位を介して、非輻射
再結合が生じ、そのため、効率を低下させる場合もあっ
た。
心を外れるだけでなく、素子の表面近くを流れる場合も
あり、この場合においては、表面準位を介して、非輻射
再結合が生じ、そのため、効率を低下させる場合もあっ
た。
【００１６】そのような、従来の半導体装置の問題点を
解決するため、最近、ＳｉＣ基板上にＧａＮを成長した
発光素子が提案されている。しかし、現在のところＳｉ
Ｃウェーハは大口径のものが得られておらず、その上、
ＳｉＣ基板上に成長したＧａＮを用いた発光素子では、
サファイア基板上に成長した場合に比べ、輝度が低く、
効率が劣っており、実用レベルには至っていないという
現状にある。
解決するため、最近、ＳｉＣ基板上にＧａＮを成長した
発光素子が提案されている。しかし、現在のところＳｉ
Ｃウェーハは大口径のものが得られておらず、その上、
ＳｉＣ基板上に成長したＧａＮを用いた発光素子では、
サファイア基板上に成長した場合に比べ、輝度が低く、
効率が劣っており、実用レベルには至っていないという
現状にある。
【００１７】この発明は上記した点に鑑みてなされたも
のであり、発生した熱による素子寿命の短縮を回避する
ことができる半導体装置を得ることを目的とするもので
ある。
のであり、発生した熱による素子寿命の短縮を回避する
ことができる半導体装置を得ることを目的とするもので
ある。
【００１８】又、ウェーハ平面に垂直な方向の電流を流
すことができる発光素子である半導体装置を得ることを
目的とするものである。
すことができる発光素子である半導体装置を得ることを
目的とするものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、金属上に形成された窒化ガリウム系の化合物半導
体層を備えたものである。
置は、金属上に形成された窒化ガリウム系の化合物半導
体層を備えたものである。
【００２０】又、上記窒化ガリウム系の化合物半導体層
は、金属表面に形成されたバッファ層を有することを特
徴とするものである。
は、金属表面に形成されたバッファ層を有することを特
徴とするものである。
【００２１】又、上記バッファ層は導電性を有すること
を特徴とするものである。
を特徴とするものである。
【００２２】又、上記バッファ層は多結晶又は非晶質状
態であることを特徴とするものである。
態であることを特徴とするものである。
【００２３】又、上記バッファ層はＡｌＧａＮにより構
成されていることを特徴とするものである。
成されていることを特徴とするものである。
【００２４】又、上記金属は膜状に形成されていること
を特徴とするものである。
を特徴とするものである。
【００２５】又、上記窒化ガリウム系の化合物半導体層
の側面は劈開面であることを特徴とするものである。
の側面は劈開面であることを特徴とするものである。
【００２６】又、上記金属はエッチング可能な支持材上
に形成されていることを特徴とするものである。
に形成されていることを特徴とするものである。
【００２７】又、上記エッチング可能な支持材に、金属
表面に開口する貫通孔が形成されていることを特徴とす
るものである。
表面に開口する貫通孔が形成されていることを特徴とす
るものである。
【００２８】又、上記窒化ガリウム系の化合物半導体層
を挟んで、一対の電極が形成されていることを特徴とす
るものである。
を挟んで、一対の電極が形成されていることを特徴とす
るものである。
【００２９】又、上記金属は一対の電極の一方を構成し
ていることを特徴とするものである。
ていることを特徴とするものである。
【００３０】又、上記金属は窒化ガリウム系の化合物半
導体層の成長温度よりも高い融点を有することを特徴と
するものである。
導体層の成長温度よりも高い融点を有することを特徴と
するものである。
【００３１】この発明に係る半導体装置の製造方法は、
金属上に窒化ガリウム系の化合物半導体層を形成する工
程を含むものである。
金属上に窒化ガリウム系の化合物半導体層を形成する工
程を含むものである。
【００３２】又、上記金属上に窒化ガリウム系の化合物
半導体層を形成する工程は、金属表面に窒化ガリウム系
の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程を含
むことを特徴とするものである。
半導体層を形成する工程は、金属表面に窒化ガリウム系
の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程を含
むことを特徴とするものである。
【００３３】又、エッチング可能な支持材上に金属を形
成する工程を含むものである。
成する工程を含むものである。
【００３４】又、上記金属を膜状に形成することを特徴
とするものである。
とするものである。
【００３５】又、上記エッチング可能な支持材をエッチ
ングして除去することにより、支持材上に形成された金
属を露出させる工程を含むものである。
ングして除去することにより、支持材上に形成された金
属を露出させる工程を含むものである。
【００３６】又、上記窒化ガリウム系の化合物半導体層
を劈開する工程を含むものである。
を劈開する工程を含むものである。
【００３７】
実施の形態１．以下に、この発明の実施の形態１につい
て図１に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形
態１における発光素子である半導体装置の構造を示す要
部断面図である。
て図１に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形
態１における発光素子である半導体装置の構造を示す要
部断面図である。
【００３８】図１において、１は例えばタングステン
（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等の融点が
１３００℃以上である高融点金属基板、２は高融点基板
１上に形成された、多結晶又は非晶質状の導電性を有す
るＡｌＧａＮ低温バッファ層、３はバッファ層２上に形
成されたｎ型ＧａＮコンタクト層、４はｎ型コンタクト
層３上に形成されたｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）
クラッド層、５はｎ型クラッド層４上に形成されたＩｎ
yＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層、６は活性層５上に形
成されたｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０≦ｚ＜１）クラッド
層、７はｐ型クラッド層６上に形成されたｐ型ＧａＮコ
ンタクト層、１２はｐ型コンタクト層７上に形成された
ｐ型電極である。
（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等の融点が
１３００℃以上である高融点金属基板、２は高融点基板
１上に形成された、多結晶又は非晶質状の導電性を有す
るＡｌＧａＮ低温バッファ層、３はバッファ層２上に形
成されたｎ型ＧａＮコンタクト層、４はｎ型コンタクト
層３上に形成されたｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）
クラッド層、５はｎ型クラッド層４上に形成されたＩｎ
yＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層、６は活性層５上に形
成されたｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０≦ｚ＜１）クラッド
層、７はｐ型クラッド層６上に形成されたｐ型ＧａＮコ
ンタクト層、１２はｐ型コンタクト層７上に形成された
ｐ型電極である。
【００３９】つぎに、このように構成された半導体装置
の製造方法について、以下に工程順に説明する。まず、
高融点金属基板１を脱脂洗浄したのち反応炉内のサセプ
ター上に設置し、真空排気したのち約７０Ｔｏｒｒの水
素雰囲気中で１１００℃で表面の酸化膜を除去する。
の製造方法について、以下に工程順に説明する。まず、
高融点金属基板１を脱脂洗浄したのち反応炉内のサセプ
ター上に設置し、真空排気したのち約７０Ｔｏｒｒの水
素雰囲気中で１１００℃で表面の酸化膜を除去する。
【００４０】次に、例えば有機金属気相成長法（以下、
「ＭＯＣＶＤ法」という。）を用いて、化合物半導体層
を成長させる。具体的には、まず、基板１を５５０℃ま
で冷却したのち、アンモニア（ＮＨ3）、トリメチルガ
リウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）
を反応炉内に導入し、多結晶又は非晶質状のＡｌxＧａ
1-xＮ（０≦ｘ＜１）バッファ層２を約５０ｎｍ成長さ
せる。
「ＭＯＣＶＤ法」という。）を用いて、化合物半導体層
を成長させる。具体的には、まず、基板１を５５０℃ま
で冷却したのち、アンモニア（ＮＨ3）、トリメチルガ
リウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）
を反応炉内に導入し、多結晶又は非晶質状のＡｌxＧａ
1-xＮ（０≦ｘ＜１）バッファ層２を約５０ｎｍ成長さ
せる。
【００４１】このバッファ層２の効果により、金属基板
１上にも関わらずＣ軸配向したＧａＮエピタキシャル膜
が得られる。又、ここで、実施の形態１においては、例
えば基板温度を５５０℃としているが、５００〜６００
℃の基板温度を用いても良い。又、この時、シラン（Ｓ
ｉＨ4）を導入してバッファ層２を形成してもよく、こ
れにより、当該バッファ層２の低抵抗化を図ることがで
きる。又、ここで、このバッファ層２の低抵抗化の際に
は、Ａｌ組成を低くするか、又は、ＡｌＧａＮ層の代わ
りにＧａＮ層とすることが望ましい。
１上にも関わらずＣ軸配向したＧａＮエピタキシャル膜
が得られる。又、ここで、実施の形態１においては、例
えば基板温度を５５０℃としているが、５００〜６００
℃の基板温度を用いても良い。又、この時、シラン（Ｓ
ｉＨ4）を導入してバッファ層２を形成してもよく、こ
れにより、当該バッファ層２の低抵抗化を図ることがで
きる。又、ここで、このバッファ層２の低抵抗化の際に
は、Ａｌ組成を低くするか、又は、ＡｌＧａＮ層の代わ
りにＧａＮ層とすることが望ましい。
【００４２】その後、ＴＭＧの供給をいったん停止し、
温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧの供給を再開し、さ
らにシラン（ＳｉＨ4）を導入しｎ型ＧａＮコンタクト
層３を約４μｍ成長させる。次に、基板温度を１１００
℃に保持したまま、ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4に加えＴＭ
Ａを供給しｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッド
層４を約１μｍ成長させる。
温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧの供給を再開し、さ
らにシラン（ＳｉＨ4）を導入しｎ型ＧａＮコンタクト
層３を約４μｍ成長させる。次に、基板温度を１１００
℃に保持したまま、ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4に加えＴＭ
Ａを供給しｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッド
層４を約１μｍ成長させる。
【００４３】次に、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＳｉＨ4の供給を
止め、基板温度を８００℃に下げたのちトリメチルイン
ジウム（ＴＭＩ）、ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4の供給を再
開し、ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層５を約２０
ｎｍ成長させる。次に、再度、温度を１１００℃に昇温
し、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ3、シクロペンタジエニルマ
グネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を供給しｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ
（０≦ｚ＜１）クラッド層６を約１μｍ成長させる。次
に、ＴＭＡの供給を停止しｐ型ＧａＮコンタクト層７を
約１μｍ成長させる。
止め、基板温度を８００℃に下げたのちトリメチルイン
ジウム（ＴＭＩ）、ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4の供給を再
開し、ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層５を約２０
ｎｍ成長させる。次に、再度、温度を１１００℃に昇温
し、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ3、シクロペンタジエニルマ
グネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を供給しｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ
（０≦ｚ＜１）クラッド層６を約１μｍ成長させる。次
に、ＴＭＡの供給を停止しｐ型ＧａＮコンタクト層７を
約１μｍ成長させる。
【００４４】化合物半導体層２乃至７の成長終了後、温
度を８００℃まで下げ、窒素ガス雰囲気中でアニールを
行いｐ型ドーパントのＭｇを活性化し半導体発光素子用
エピタキシャルウェーハを完成させる。
度を８００℃まで下げ、窒素ガス雰囲気中でアニールを
行いｐ型ドーパントのＭｇを活性化し半導体発光素子用
エピタキシャルウェーハを完成させる。
【００４５】このウェーハのｐ型コンタクト層７表面に
所定の形状でマスクを形成し、その後、反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）用いて、ｐ型コンタクト層７から、
例えばｎ型ＧａＮコンタクト層３の一部までエッチング
し共振器用ミラ−の形成を行う。
所定の形状でマスクを形成し、その後、反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）用いて、ｐ型コンタクト層７から、
例えばｎ型ＧａＮコンタクト層３の一部までエッチング
し共振器用ミラ−の形成を行う。
【００４６】次にｐ型コンタクト層７上にｐ型電極１２
を形成し、最後に高融点金属基板１よりｎ型電極を取り
出す。以上のような工程により、図１に示した半導体発
光素子を得る。
を形成し、最後に高融点金属基板１よりｎ型電極を取り
出す。以上のような工程により、図１に示した半導体発
光素子を得る。
【００４７】本実施の形態１においては、ｎ型電極を新
たに形成することなく、基板１をｎ型電極として用いる
ことができる。又、ｎ型及びｐ型電極を化合物半導体層
２乃至７を挟んで対向した位置に形成しているので、基
板１の主面に垂直な方向に電流を流すことができ、異常
な発熱を防止することができ、そのため、素子寿命の短
縮を回避可能となるという効果を有する。又、効率の低
下を防止できるという効果も有する。
たに形成することなく、基板１をｎ型電極として用いる
ことができる。又、ｎ型及びｐ型電極を化合物半導体層
２乃至７を挟んで対向した位置に形成しているので、基
板１の主面に垂直な方向に電流を流すことができ、異常
な発熱を防止することができ、そのため、素子寿命の短
縮を回避可能となるという効果を有する。又、効率の低
下を防止できるという効果も有する。
【００４８】また、本実施の形態１においては、金属基
板１上に化合物半導体層２乃至７を形成しているため、
活性層５で発生した熱を効率的に放熱でき、そのため、
素子寿命を長くすることができるという効果を有する。
板１上に化合物半導体層２乃至７を形成しているため、
活性層５で発生した熱を効率的に放熱でき、そのため、
素子寿命を長くすることができるという効果を有する。
【００４９】ここで、本実施の形態１においては、活性
層５にＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）を用いたダブルへ
テロ構造を採っているが、その代わりに、量子井戸構造
を用いても上記と同様の効果が得られる。
層５にＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）を用いたダブルへ
テロ構造を採っているが、その代わりに、量子井戸構造
を用いても上記と同様の効果が得られる。
【００５０】又、本実施の形態１においては、成長条
件、有機金属化合物ガスの種類、使用材料を上記のもの
に限定するものでなく、しかも、化合物半導体層の成長
方法をＭＯＣＶＤ法に限るものではない。
件、有機金属化合物ガスの種類、使用材料を上記のもの
に限定するものでなく、しかも、化合物半導体層の成長
方法をＭＯＣＶＤ法に限るものではない。
【００５１】又、基板１として用いる高融点金属として
は、化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも融点が高
いものを用いれば良く、ＭＯＣＶＤ法以外の成長方法を
用いて化合物半導体層２乃至７を形成する場合において
も、当該化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも高い
融点の金属を基板として用いれば良く、１３００℃より
高い融点を有する金属に限るものではない。
は、化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも融点が高
いものを用いれば良く、ＭＯＣＶＤ法以外の成長方法を
用いて化合物半導体層２乃至７を形成する場合において
も、当該化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも高い
融点の金属を基板として用いれば良く、１３００℃より
高い融点を有する金属に限るものではない。
【００５２】例えば、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂ
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた場合においては、
ＧａＮの成長温度は８００℃程度であり、融点が１３０
０℃以下の、例えば、９００℃程度の金属を金属基板１
として用いても良い。
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた場合においては、
ＧａＮの成長温度は８００℃程度であり、融点が１３０
０℃以下の、例えば、９００℃程度の金属を金属基板１
として用いても良い。
【００５３】又、本実施の形態１においては、共振器用
ミラー形成のため、ｐ型コンタクト層７からｎ型コンタ
クト層３の一部までをエッチングしているが、これにこ
だわるものではなく、素子から発せられる光が当該発光
素子に直接当たることにより、光路が変化することがな
いように形成すれば良い。
ミラー形成のため、ｐ型コンタクト層７からｎ型コンタ
クト層３の一部までをエッチングしているが、これにこ
だわるものではなく、素子から発せられる光が当該発光
素子に直接当たることにより、光路が変化することがな
いように形成すれば良い。
【００５４】実施の形態２．以下に、この発明の実施の
形態２について図２に基づいて説明する。図２はこの発
明の実施の形態２における発光素子である半導体装置の
構造を示す要部断面図である。
形態２について図２に基づいて説明する。図２はこの発
明の実施の形態２における発光素子である半導体装置の
構造を示す要部断面図である。
【００５５】図２において、８は例えばＳｉウェーハ又
は石英ガラス等の融点が１２００℃以上でありエッチン
グ可能な支持材であり、例えば厚さが１００μｍ程度で
あり、かつ、例えばアスペクト比が１程度の貫通孔８ａ
が形成されているものである。
は石英ガラス等の融点が１２００℃以上でありエッチン
グ可能な支持材であり、例えば厚さが１００μｍ程度で
あり、かつ、例えばアスペクト比が１程度の貫通孔８ａ
が形成されているものである。
【００５６】又、９は支持材８上に形成された、例えば
タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃ
ｒ）等の融点が１３００℃以上である高融点金属膜、２
は金属膜９上に形成された、多結晶又は非晶質状の導電
性を有するＡｌＧａＮ低温バッファ層、３はバッファ層
２上に形成されたｎ型ＧａＮコンタクト層、４はｎ型コ
ンタクト層３上に形成されたｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦
ｘ＜１）クラッド層、５はｎ型クラッド層４上に形成さ
れたＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層、６は活性層
５上に形成されたｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０≦ｚ＜１）ク
ラッド層、７はｐ型クラッド層６上に形成されたｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層であり、１２はｐ型コンタクト層７上
に形成されたｐ型電極である。
タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃ
ｒ）等の融点が１３００℃以上である高融点金属膜、２
は金属膜９上に形成された、多結晶又は非晶質状の導電
性を有するＡｌＧａＮ低温バッファ層、３はバッファ層
２上に形成されたｎ型ＧａＮコンタクト層、４はｎ型コ
ンタクト層３上に形成されたｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦
ｘ＜１）クラッド層、５はｎ型クラッド層４上に形成さ
れたＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層、６は活性層
５上に形成されたｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０≦ｚ＜１）ク
ラッド層、７はｐ型クラッド層６上に形成されたｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層であり、１２はｐ型コンタクト層７上
に形成されたｐ型電極である。
【００５７】つぎに、このように構成された半導体装置
の製造方法について、以下に工程順に説明する。まず、
支持材８を脱脂洗浄し、その後、スパッタリング等の方
法を用いて、高融点金属膜９を支持材８上に成膜する。
の製造方法について、以下に工程順に説明する。まず、
支持材８を脱脂洗浄し、その後、スパッタリング等の方
法を用いて、高融点金属膜９を支持材８上に成膜する。
【００５８】次に、支持材８を反応炉内のサセプター上
に設置し、真空排気したのち約７０Ｔｏｒｒの水素雰囲
気中で１１００℃で、高融点金属膜９表面の酸化膜を除
去する。
に設置し、真空排気したのち約７０Ｔｏｒｒの水素雰囲
気中で１１００℃で、高融点金属膜９表面の酸化膜を除
去する。
【００５９】次に、例えばＭＯＣＶＤ法により、化合物
半導体層２乃至７を成長させる。具体的には、まず、支
持材８及び金属膜９を５５０℃まで冷却したのち、アン
モニア（ＮＨ3）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、ト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を反応炉内に導入し、
多結晶又は非晶質状のＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）バ
ッファ層２を約５０ｎｍ成長させる。
半導体層２乃至７を成長させる。具体的には、まず、支
持材８及び金属膜９を５５０℃まで冷却したのち、アン
モニア（ＮＨ3）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、ト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を反応炉内に導入し、
多結晶又は非晶質状のＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）バ
ッファ層２を約５０ｎｍ成長させる。
【００６０】このバッファ層２の効果により、金属膜９
上にも関わらずＣ軸配向したＧａＮエピタキシャル膜が
得られる。又、ここで、実施の形態２においては、例え
ば支持材温度を５５０℃としているが、５００〜６００
℃の温度を用いても良い。又、この時、シラン（ＳｉＨ
4）を導入してバッファ層２を形成してもよく、これに
より、当該バッファ層２の低抵抗化を図ることができ
る。又、ここで、このバッファ層２の低抵抗化の際に
は、Ａｌ組成を低くするか、又は、ＡｌＧａＮ層の代わ
りにＧａＮ層とすることが望ましい。
上にも関わらずＣ軸配向したＧａＮエピタキシャル膜が
得られる。又、ここで、実施の形態２においては、例え
ば支持材温度を５５０℃としているが、５００〜６００
℃の温度を用いても良い。又、この時、シラン（ＳｉＨ
4）を導入してバッファ層２を形成してもよく、これに
より、当該バッファ層２の低抵抗化を図ることができ
る。又、ここで、このバッファ層２の低抵抗化の際に
は、Ａｌ組成を低くするか、又は、ＡｌＧａＮ層の代わ
りにＧａＮ層とすることが望ましい。
【００６１】その後、ＴＭＧの供給をいったん停止し、
温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧの供給を再開し、さ
らにシラン（ＳｉＨ4）を導入しｎ型ＧａＮコンタクト
層３を約４μｍ成長させる。
温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧの供給を再開し、さ
らにシラン（ＳｉＨ4）を導入しｎ型ＧａＮコンタクト
層３を約４μｍ成長させる。
【００６２】次に、温度を１１００℃に保持したまま、
ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4に加えＴＭＡを供給しｎ型Ａｌ
xＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッド層４を約１μｍ成長
させる。次に、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＳｉＨ4の供給を止
め、温度を８００℃に下げたのちトリメチルインジウム
（ＴＭＩ）、ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4の供給を再開し、
ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層５を約２０ｎｍ成
長させる。
ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4に加えＴＭＡを供給しｎ型Ａｌ
xＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッド層４を約１μｍ成長
させる。次に、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＳｉＨ4の供給を止
め、温度を８００℃に下げたのちトリメチルインジウム
（ＴＭＩ）、ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4の供給を再開し、
ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層５を約２０ｎｍ成
長させる。
【００６３】次に、再度、温度を１１００℃に昇温し、
ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ3、シクロペンタジエニルマグネ
シウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を供給しｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０
≦ｚ＜１）クラッド層６を約１μｍ成長させる。次に、
ＴＭＡの供給を停止しｐ型ＧａＮコンタクト層７を約１
μｍ成長させる。
ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ3、シクロペンタジエニルマグネ
シウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を供給しｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０
≦ｚ＜１）クラッド層６を約１μｍ成長させる。次に、
ＴＭＡの供給を停止しｐ型ＧａＮコンタクト層７を約１
μｍ成長させる。
【００６４】化合物半導体層２乃至７の成長終了後、温
度を８００℃まで下げ、窒素ガス雰囲気中でアニールを
行いｐ型ドーパントのＭｇを活性化し半導体発光素子用
エピタキシャルウェーハを完成させる。
度を８００℃まで下げ、窒素ガス雰囲気中でアニールを
行いｐ型ドーパントのＭｇを活性化し半導体発光素子用
エピタキシャルウェーハを完成させる。
【００６５】このウェーハのｐ型コンタクト層７表面に
所定の形状でマスクを形成し、その後、反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）用いて、ｐ型コンタクト層７から、
例えばｎ型ＧａＮコンタクト層３の一部までエッチング
し共振器用ミラ−の形成を行う。
所定の形状でマスクを形成し、その後、反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）用いて、ｐ型コンタクト層７から、
例えばｎ型ＧａＮコンタクト層３の一部までエッチング
し共振器用ミラ−の形成を行う。
【００６６】次に、ｐ型コンタクト層７上にｐ型電極１
２を形成する。次に、支持材８表面に所望の形状にのマ
スクを形成した後、支持材８の一部を高融点金属膜９表
面までエッチングすることにより、開口径が例えば１０
０μｍ程度の貫通孔８ａを形成して、高融点金属膜９よ
りｎ型電極を取り出す。以上のような工程で図２に示し
た半導体発光素子を得る。
２を形成する。次に、支持材８表面に所望の形状にのマ
スクを形成した後、支持材８の一部を高融点金属膜９表
面までエッチングすることにより、開口径が例えば１０
０μｍ程度の貫通孔８ａを形成して、高融点金属膜９よ
りｎ型電極を取り出す。以上のような工程で図２に示し
た半導体発光素子を得る。
【００６７】本実施の形態２においては、ｎ型電極を新
たに形成することなく、金属膜９をｎ型電極として用い
ることができる。又、ｎ型及びｐ型電極を化合物半導体
層２乃至７を挟んで対向した位置に形成しているので、
ウェーハ平面に垂直な方向に電流を流すことができ、異
常な発熱を防止することができ、そのため、素子寿命の
短縮を回避可能となるという効果を有する。又、効率の
低下を防止できるという効果も有する。
たに形成することなく、金属膜９をｎ型電極として用い
ることができる。又、ｎ型及びｐ型電極を化合物半導体
層２乃至７を挟んで対向した位置に形成しているので、
ウェーハ平面に垂直な方向に電流を流すことができ、異
常な発熱を防止することができ、そのため、素子寿命の
短縮を回避可能となるという効果を有する。又、効率の
低下を防止できるという効果も有する。
【００６８】また、本実施の形態２においては、金属膜
９上に化合物半導体層２乃至７を形成しているため、活
性層５で発生した熱を効率的に放熱でき、そのため、素
子寿命を長くすることができるという効果を有する。
９上に化合物半導体層２乃至７を形成しているため、活
性層５で発生した熱を効率的に放熱でき、そのため、素
子寿命を長くすることができるという効果を有する。
【００６９】又、本実施の形態２においては、高融点金
属を膜状に形成しているので、当該金属の使用量が少量
で済み、そのため、製造コストを低減できるという効果
を有する。
属を膜状に形成しているので、当該金属の使用量が少量
で済み、そのため、製造コストを低減できるという効果
を有する。
【００７０】ここで、本実施の形態２においては、活性
層５にＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）を用いたダブルへ
テロ構造を採っているが、その代わりに、量子井戸構造
を用いても同様の効果が得られる。
層５にＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）を用いたダブルへ
テロ構造を採っているが、その代わりに、量子井戸構造
を用いても同様の効果が得られる。
【００７１】又、本実施の形態２においては、成長条
件、有機金属化合物ガスの種類、使用材料を上記のもの
に限定するものではなく、しかも、化合物半導体層の成
長方法をＭＯＣＶＤ法に限るものではない。
件、有機金属化合物ガスの種類、使用材料を上記のもの
に限定するものではなく、しかも、化合物半導体層の成
長方法をＭＯＣＶＤ法に限るものではない。
【００７２】又、金属膜９として用いる高融点金属は、
化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも融点の高いも
のを用いれば良く、ＭＯＣＶＤ法以外の成長方法を用い
て化合物半導体層２乃至７を形成する場合においても、
当該化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも高い融点
の金属を用いれば良く、１３００℃より高い融点を有す
る金属に限るものではない。
化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも融点の高いも
のを用いれば良く、ＭＯＣＶＤ法以外の成長方法を用い
て化合物半導体層２乃至７を形成する場合においても、
当該化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも高い融点
の金属を用いれば良く、１３００℃より高い融点を有す
る金属に限るものではない。
【００７３】例えば、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂ
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた場合においては、
ＧａＮの成長温度は８００℃程度であり、融点が１３０
０℃以下の、例えば、９００℃程度の金属を金属膜９と
して用いても良い。
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた場合においては、
ＧａＮの成長温度は８００℃程度であり、融点が１３０
０℃以下の、例えば、９００℃程度の金属を金属膜９と
して用いても良い。
【００７４】又、同様に、支持材８の材質としても、化
合物半導体層２乃至７の成長温度よりも融点の高いもの
を用いれば良く、１２００℃より高い融点を有する材質
に限るものではない。
合物半導体層２乃至７の成長温度よりも融点の高いもの
を用いれば良く、１２００℃より高い融点を有する材質
に限るものではない。
【００７５】又、本実施の形態２においては、共振器用
ミラー形成のため、ｐ型コンタクト層７からｎ型コンタ
クト層３の一部までをエッチングしているが、これにこ
だわるものではなく、素子から発せられる光が当該発光
素子に直接当たることにより、光路が変化することがな
いように形成すれば良い。
ミラー形成のため、ｐ型コンタクト層７からｎ型コンタ
クト層３の一部までをエッチングしているが、これにこ
だわるものではなく、素子から発せられる光が当該発光
素子に直接当たることにより、光路が変化することがな
いように形成すれば良い。
【００７６】実施の形態３．以下に、この発明の実施の
形態３について図３、及び、図４に基づいて説明する。
図３はこの発明の実施の形態３における発光素子である
半導体装置の構造を示す要部断面図である。
形態３について図３、及び、図４に基づいて説明する。
図３はこの発明の実施の形態３における発光素子である
半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【００７７】図３において、９は例えばタングステン
（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等の融点が
１３００℃以上である高融点金属膜、２は金属膜９上に
形成された、多結晶又は非晶質状の導電性を有するＡｌ
ＧａＮ低温バッファ層、３はバッファ層２上に形成され
たｎ型ＧａＮコンタクト層、４はｎ型コンタクト層３上
に形成されたｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッ
ド層、５はｎ型クラッド層４上に形成されたＩｎyＧａ
1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層、６は活性層５上に形成さ
れたｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０≦ｚ＜１）クラッド層、７
はｐ型クラッド層６上に形成されたｐ型ＧａＮコンタク
ト層であり、１２はｐ型コンタクト層７上に形成された
ｐ型電極であり、１３は化合物半導体層１４（即ち、符
号２乃至７）及び金属膜９を劈開することにより、それ
らの両側面に形成した一対の劈開面である。
（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等の融点が
１３００℃以上である高融点金属膜、２は金属膜９上に
形成された、多結晶又は非晶質状の導電性を有するＡｌ
ＧａＮ低温バッファ層、３はバッファ層２上に形成され
たｎ型ＧａＮコンタクト層、４はｎ型コンタクト層３上
に形成されたｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッ
ド層、５はｎ型クラッド層４上に形成されたＩｎyＧａ
1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層、６は活性層５上に形成さ
れたｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０≦ｚ＜１）クラッド層、７
はｐ型クラッド層６上に形成されたｐ型ＧａＮコンタク
ト層であり、１２はｐ型コンタクト層７上に形成された
ｐ型電極であり、１３は化合物半導体層１４（即ち、符
号２乃至７）及び金属膜９を劈開することにより、それ
らの両側面に形成した一対の劈開面である。
【００７８】つぎに、このように構成された半導体装置
の製造方法について図４を用いて説明する。図４は本実
施の形態３における半導体装置の製造方法を工程順に示
した要部断面図である。まず、図４（ａ）に示すよう
に、Ｓｉウェーハ、石英ガラス等の融点が１２００℃以
上でありエッチング可能な支持材８を脱脂洗浄し、その
後、スパッタリング等の方法を用いて、高融点金属膜９
を支持材８上に成膜する。
の製造方法について図４を用いて説明する。図４は本実
施の形態３における半導体装置の製造方法を工程順に示
した要部断面図である。まず、図４（ａ）に示すよう
に、Ｓｉウェーハ、石英ガラス等の融点が１２００℃以
上でありエッチング可能な支持材８を脱脂洗浄し、その
後、スパッタリング等の方法を用いて、高融点金属膜９
を支持材８上に成膜する。
【００７９】次に、支持材８を反応炉内のサセプター上
に設置し、真空排気したのち約７０Ｔｏｒｒの水素雰囲
気中で１１００℃で、高融点金属膜９表面の酸化膜を除
去する。
に設置し、真空排気したのち約７０Ｔｏｒｒの水素雰囲
気中で１１００℃で、高融点金属膜９表面の酸化膜を除
去する。
【００８０】次に、図４（ｂ）に示すように、例えばＭ
ＯＣＶＤ法により、化合物半導体層２乃至７（即ち、１
４）を成長させる。具体的には、まず、支持材８及び金
属膜９を５５０℃まで冷却したのち、アンモニア（ＮＨ
3）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）を反応炉内に導入し、多結晶又は非
晶質状のＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）バッファ層２を
約５０ｎｍ成長させる。
ＯＣＶＤ法により、化合物半導体層２乃至７（即ち、１
４）を成長させる。具体的には、まず、支持材８及び金
属膜９を５５０℃まで冷却したのち、アンモニア（ＮＨ
3）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）を反応炉内に導入し、多結晶又は非
晶質状のＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）バッファ層２を
約５０ｎｍ成長させる。
【００８１】このバッファ層２の効果により、金属膜９
上にも関わらずＣ軸配向したＧａＮエピタキシャル膜が
得られる。又、ここで、実施の形態３においては、例え
ば支持材温度を５５０℃としているが、５００〜６００
℃の温度を用いても良い。又、この時、シラン（ＳｉＨ
4）を導入してバッファ層２を形成してもよく、これに
より、当該バッファ層２の低抵抗化を図ることができ
る。又、ここで、このバッファ層２の低抵抗化の際に
は、Ａｌ組成を低くするか、又は、ＡｌＧａＮ層の代わ
りにＧａＮ層とすることが望ましい。
上にも関わらずＣ軸配向したＧａＮエピタキシャル膜が
得られる。又、ここで、実施の形態３においては、例え
ば支持材温度を５５０℃としているが、５００〜６００
℃の温度を用いても良い。又、この時、シラン（ＳｉＨ
4）を導入してバッファ層２を形成してもよく、これに
より、当該バッファ層２の低抵抗化を図ることができ
る。又、ここで、このバッファ層２の低抵抗化の際に
は、Ａｌ組成を低くするか、又は、ＡｌＧａＮ層の代わ
りにＧａＮ層とすることが望ましい。
【００８２】その後、ＴＭＧの供給をいったん停止し、
温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧの供給を再開し、さ
らにシラン（ＳｉＨ4）を導入しｎ型ＧａＮコンタクト
層３を約４μｍ成長させる。
温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧの供給を再開し、さ
らにシラン（ＳｉＨ4）を導入しｎ型ＧａＮコンタクト
層３を約４μｍ成長させる。
【００８３】次に、温度を１１００℃に保持したまま、
ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4に加えＴＭＡを供給しｎ型Ａｌ
xＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッド層４を約１μｍ成長
させる。次に、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＳｉＨ4の供給を止
め、温度を８００℃に下げたのちトリメチルインジウム
（ＴＭＩ）、ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4の供給を再開し、
ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層５を約２０ｎｍ成
長させる。
ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4に加えＴＭＡを供給しｎ型Ａｌ
xＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）クラッド層４を約１μｍ成長
させる。次に、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＳｉＨ4の供給を止
め、温度を８００℃に下げたのちトリメチルインジウム
（ＴＭＩ）、ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4の供給を再開し、
ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）活性層５を約２０ｎｍ成
長させる。
【００８４】次に、再度、温度を１１００℃に昇温し、
ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ3、シクロペンタジエニルマグネ
シウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を供給しｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０
≦ｚ＜１）クラッド層６を約１μｍ成長させる。次に、
ＴＭＡの供給を停止しｐ型ＧａＮコンタクト層７を約１
μｍ成長させる。
ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ3、シクロペンタジエニルマグネ
シウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を供給しｐ型ＡｌzＧａ1-zＮ（０
≦ｚ＜１）クラッド層６を約１μｍ成長させる。次に、
ＴＭＡの供給を停止しｐ型ＧａＮコンタクト層７を約１
μｍ成長させる。
【００８５】化合物半導体層１４の成長終了後、温度を
８００℃まで下げ、窒素ガス雰囲気中でアニールを行い
ｐ型ドーパントのＭｇを活性化し半導体発光素子用エピ
タキシャルウェーハ１５を完成させる。
８００℃まで下げ、窒素ガス雰囲気中でアニールを行い
ｐ型ドーパントのＭｇを活性化し半導体発光素子用エピ
タキシャルウェーハ１５を完成させる。
【００８６】次に、図４（ｃ）に示すように、支持材８
の一部をエッチングして金属膜９を露出させる。ここ
で、支持材８をエッチングにより全面除去してもかまわ
ない。
の一部をエッチングして金属膜９を露出させる。ここ
で、支持材８をエッチングにより全面除去してもかまわ
ない。
【００８７】その後、上記ウェーハ１５の内、支持材８
がエッチングされたことにより高融点金属膜９が露出し
た部分を、例えば約６００μｍの幅で、当該ウェーハ１
５の平面にほぼ垂直に劈開して、劈開面１３を得ること
によって、共振器用ミラーを形成する。
がエッチングされたことにより高融点金属膜９が露出し
た部分を、例えば約６００μｍの幅で、当該ウェーハ１
５の平面にほぼ垂直に劈開して、劈開面１３を得ること
によって、共振器用ミラーを形成する。
【００８８】最後に、ｐ型コンタクト層７上にｐ型電極
１２を形成し、高融点金属膜９よりｎ型電極を取り出
す。以上のような工程で図３に示した半導体発光素子を
得る。
１２を形成し、高融点金属膜９よりｎ型電極を取り出
す。以上のような工程で図３に示した半導体発光素子を
得る。
【００８９】本実施の形態３においては、ｎ型電極を新
たに形成することなく、金属膜９をｎ型電極として用い
ることができる。又、ｎ型及びｐ型電極を化合物半導体
層２乃至７を挟んで対向した位置に形成しているので、
ウェーハ平面に垂直な方向に電流を流すことができ、異
常な発熱を防止することができ、そのため、素子寿命の
短縮を回避可能となるという効果を有する。又、効率の
低下を防止できるという効果も有する。
たに形成することなく、金属膜９をｎ型電極として用い
ることができる。又、ｎ型及びｐ型電極を化合物半導体
層２乃至７を挟んで対向した位置に形成しているので、
ウェーハ平面に垂直な方向に電流を流すことができ、異
常な発熱を防止することができ、そのため、素子寿命の
短縮を回避可能となるという効果を有する。又、効率の
低下を防止できるという効果も有する。
【００９０】また、本実施の形態３においては、金属膜
９上に化合物半導体層１４を形成しているため、活性層
５で発生した熱を効率的に放熱でき、そのため、素子寿
命を長くすることができるという効果を有する。
９上に化合物半導体層１４を形成しているため、活性層
５で発生した熱を効率的に放熱でき、そのため、素子寿
命を長くすることができるという効果を有する。
【００９１】又、本実施の形態３においては、高融点金
属を膜状に形成しているので、当該金属の使用量が少量
で済み、そのため、製造コストを低減できるという効果
を有する。
属を膜状に形成しているので、当該金属の使用量が少量
で済み、そのため、製造コストを低減できるという効果
を有する。
【００９２】又、本実施の形態３においては、共振器用
ミラーを劈開により形成できるので、ドライエッチング
により形成した共振器用ミラーよりも平坦なミラー面が
得られ、しきい値電流密度が低減できるという効果を有
する。
ミラーを劈開により形成できるので、ドライエッチング
により形成した共振器用ミラーよりも平坦なミラー面が
得られ、しきい値電流密度が低減できるという効果を有
する。
【００９３】ここで、本実施の形態３においては、活性
層５にＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）を用いたダブルへ
テロ構造を採っているが、その代わりに、量子井戸構造
を用いても同様の効果が得られる。
層５にＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）を用いたダブルへ
テロ構造を採っているが、その代わりに、量子井戸構造
を用いても同様の効果が得られる。
【００９４】又、本実施の形態３においては、成長条
件、有機金属化合物ガスの種類、使用材料を上記のもの
に限定するものではなく、しかも、化合物半導体層の成
長方法をＭＯＣＶＤ法に限るものではない。
件、有機金属化合物ガスの種類、使用材料を上記のもの
に限定するものではなく、しかも、化合物半導体層の成
長方法をＭＯＣＶＤ法に限るものではない。
【００９５】又、金属膜９として用いる高融点金属は、
化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも融点の高いも
のを用いれば良く、ＭＯＣＶＤ法以外の成長方法を用い
て化合物半導体層２乃至７を形成する場合においても、
当該化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも高い融点
の金属を用いれば良く、１３００℃より高い融点を有す
る金属に限るものではない。
化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも融点の高いも
のを用いれば良く、ＭＯＣＶＤ法以外の成長方法を用い
て化合物半導体層２乃至７を形成する場合においても、
当該化合物半導体層２乃至７の成長温度よりも高い融点
の金属を用いれば良く、１３００℃より高い融点を有す
る金属に限るものではない。
【００９６】例えば、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂ
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた場合においては、
ＧａＮの成長温度は８００℃程度であり、融点が１３０
０℃以下の、例えば、９００℃程度の金属を金属膜９と
して用いても良い。
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた場合においては、
ＧａＮの成長温度は８００℃程度であり、融点が１３０
０℃以下の、例えば、９００℃程度の金属を金属膜９と
して用いても良い。
【００９７】又、同様に、支持材８の材質としても、化
合物半導体層２乃至７の成長温度よりも融点の高いもの
を用いれば良く、１２００℃より高い融点を有する材質
に限るものではない。
合物半導体層２乃至７の成長温度よりも融点の高いもの
を用いれば良く、１２００℃より高い融点を有する材質
に限るものではない。
【００９８】実施の形態４．以下に、この発明の実施の
形態４について図５に基づいて説明する。図５はこの発
明の実施の形態４におけるＭＥＳＦＥＴである半導体装
置の構造を示す要部断面図である。
形態４について図５に基づいて説明する。図５はこの発
明の実施の形態４におけるＭＥＳＦＥＴである半導体装
置の構造を示す要部断面図である。
【００９９】図５において、２１は例えばタングステン
（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等の融点が
１３００℃以上である高融点金属基板、２２は高融点基
板２１上に形成されたＡｌＧａＮ低温バッファ層、２３
はバッファ層２上に形成されたアンドープＧａＮ層、２
４はアンドープＧａＮ層２３上に形成されたｎ型ＧａＮ
層、２５はｎ型ＧａＮ層２４表面からアンドープＧａＮ
層２３の一部に達する深さにまで形成された、素子分離
用のＨｅイオン注入領域、２６及び２７はｎ型ＧａＮ層
２４上のＨｅイオン注入領域２５に囲まれた領域に形成
された、例えばＴｉ／Ａｌ積層膜からなるソース及びド
レイン電極、２８はｎ型ＧａＮ層２４上のソース及びド
レイン電極２６及び２７の間に形成された、例えばＰｔ
／Ａｕ積層膜からなるゲート電極である。
（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等の融点が
１３００℃以上である高融点金属基板、２２は高融点基
板２１上に形成されたＡｌＧａＮ低温バッファ層、２３
はバッファ層２上に形成されたアンドープＧａＮ層、２
４はアンドープＧａＮ層２３上に形成されたｎ型ＧａＮ
層、２５はｎ型ＧａＮ層２４表面からアンドープＧａＮ
層２３の一部に達する深さにまで形成された、素子分離
用のＨｅイオン注入領域、２６及び２７はｎ型ＧａＮ層
２４上のＨｅイオン注入領域２５に囲まれた領域に形成
された、例えばＴｉ／Ａｌ積層膜からなるソース及びド
レイン電極、２８はｎ型ＧａＮ層２４上のソース及びド
レイン電極２６及び２７の間に形成された、例えばＰｔ
／Ａｕ積層膜からなるゲート電極である。
【０１００】つぎに、このように構成された半導体装置
の製造方法について、以下に工程順に説明する。まず、
高融点金属基板２１を脱脂洗浄したのち反応炉内のサセ
プター上に設置し、真空排気したのち約７０Ｔｏｒｒの
水素雰囲気中で１１００℃で表面の酸化膜を除去する。
の製造方法について、以下に工程順に説明する。まず、
高融点金属基板２１を脱脂洗浄したのち反応炉内のサセ
プター上に設置し、真空排気したのち約７０Ｔｏｒｒの
水素雰囲気中で１１００℃で表面の酸化膜を除去する。
【０１０１】次に、例えば有機金属気相成長法（以下、
「ＭＯＣＶＤ法」という。）を用いて、化合物半導体層
を成長させる。具体的には、まず、基板２１を５５０℃
まで冷却したのち、アンモニア（ＮＨ3）、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）を反応炉内に導入し、多結晶又は非晶質状のＡｌx
Ｇａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）バッファ層２２を約２０ｎｍ
成長させる。
「ＭＯＣＶＤ法」という。）を用いて、化合物半導体層
を成長させる。具体的には、まず、基板２１を５５０℃
まで冷却したのち、アンモニア（ＮＨ3）、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）を反応炉内に導入し、多結晶又は非晶質状のＡｌx
Ｇａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）バッファ層２２を約２０ｎｍ
成長させる。
【０１０２】このバッファ層２２の効果により、金属基
板２１上にも関わらずＣ軸配向したＧａＮエピタキシャ
ル膜が得られる。又、ここで、実施の形態４において
は、例えば基板温度を５５０℃としているが、５００〜
６００℃の基板温度を用いても良い。又、この時、シラ
ン（ＳｉＨ4）を導入してバッファ層２２を形成しても
よく、これにより、当該バッファ層２２の低抵抗化を図
ることができる。又、ここで、このバッファ層２２の低
抵抗化の際には、Ａｌ組成を低くするか、又は、ＡｌＧ
ａＮ層の代わりにＧａＮ層とすることが望ましい。
板２１上にも関わらずＣ軸配向したＧａＮエピタキシャ
ル膜が得られる。又、ここで、実施の形態４において
は、例えば基板温度を５５０℃としているが、５００〜
６００℃の基板温度を用いても良い。又、この時、シラ
ン（ＳｉＨ4）を導入してバッファ層２２を形成しても
よく、これにより、当該バッファ層２２の低抵抗化を図
ることができる。又、ここで、このバッファ層２２の低
抵抗化の際には、Ａｌ組成を低くするか、又は、ＡｌＧ
ａＮ層の代わりにＧａＮ層とすることが望ましい。
【０１０３】その後、ＴＭＧの供給をいったん停止し、
温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧの供給を再開し、ア
ンドープＧａＮ層２３を約３μｍ成長させる。その後、
さらに、シラン（ＳｉＨ4）を導入しｎ型ＧａＮ層２４
を約２００ｎｍ成長させる。化合物半導体層２２乃至２
４の成長終了後、ｎ型ＧａＮ層２４表面に所定の形状で
マスクを形成し、その後、アンドープＧａＮ層２３に達
する注入エネルギーでＨｅをイオン注入して、所望の形
状の素子分離用のＨｅイオン注入領域２５を形成する。
温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧの供給を再開し、ア
ンドープＧａＮ層２３を約３μｍ成長させる。その後、
さらに、シラン（ＳｉＨ4）を導入しｎ型ＧａＮ層２４
を約２００ｎｍ成長させる。化合物半導体層２２乃至２
４の成長終了後、ｎ型ＧａＮ層２４表面に所定の形状で
マスクを形成し、その後、アンドープＧａＮ層２３に達
する注入エネルギーでＨｅをイオン注入して、所望の形
状の素子分離用のＨｅイオン注入領域２５を形成する。
【０１０４】その後、Ｔｉ／Ａｌ積層膜をｎ型ＧａＮ層
２４上に堆積し、写真製版技術及びエッチング技術を用
いてソース及びドレイン電極２６及び２７を形成し、続
いて、Ｐｔ／Ａｕ積層膜をｎ型ＧａＮ層２４上に堆積
し、上記と同様にして、ソース及びドレイン電極２６及
び２７の間にゲート電極２８を形成する。以上のような
工程により、図５に示したＭＥＳＦＥＴを得る。
２４上に堆積し、写真製版技術及びエッチング技術を用
いてソース及びドレイン電極２６及び２７を形成し、続
いて、Ｐｔ／Ａｕ積層膜をｎ型ＧａＮ層２４上に堆積
し、上記と同様にして、ソース及びドレイン電極２６及
び２７の間にゲート電極２８を形成する。以上のような
工程により、図５に示したＭＥＳＦＥＴを得る。
【０１０５】本実施の形態４においては、金属基板２１
上に化合物半導体層２２乃至２４を形成しているため、
ソース、ドレイン電極２６、２７間の電流による発熱を
効率的に放熱でき、そのため、素子寿命を長くすること
ができるという効果を有する。
上に化合物半導体層２２乃至２４を形成しているため、
ソース、ドレイン電極２６、２７間の電流による発熱を
効率的に放熱でき、そのため、素子寿命を長くすること
ができるという効果を有する。
【０１０６】ここで、本実施の形態４においては、成長
条件、有機金属化合物ガスの種類、使用材料を上記のも
のに限定するものでなく、しかも、化合物半導体層の成
長方法をＭＯＣＶＤ法に限るものではない。
条件、有機金属化合物ガスの種類、使用材料を上記のも
のに限定するものでなく、しかも、化合物半導体層の成
長方法をＭＯＣＶＤ法に限るものではない。
【０１０７】又、基板２１として用いる高融点金属とし
ては、化合物半導体層２２乃至２４の成長温度よりも融
点が高いものを用いれば良く、ＭＯＣＶＤ法以外の成長
方法を用いて化合物半導体層２２乃至２４を形成する場
合においても、当該化合物半導体層２２乃至２４の成長
温度よりも高い融点の金属を基板として用いれば良く、
１３００℃より高い融点を有する金属に限るものではな
い。
ては、化合物半導体層２２乃至２４の成長温度よりも融
点が高いものを用いれば良く、ＭＯＣＶＤ法以外の成長
方法を用いて化合物半導体層２２乃至２４を形成する場
合においても、当該化合物半導体層２２乃至２４の成長
温度よりも高い融点の金属を基板として用いれば良く、
１３００℃より高い融点を有する金属に限るものではな
い。
【０１０８】例えば、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂ
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた場合においては、
ＧａＮの成長温度は８００℃程度であり、融点が１３０
０℃以下の、例えば、９００℃程度の金属を金属基板２
１として用いても良い。
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた場合においては、
ＧａＮの成長温度は８００℃程度であり、融点が１３０
０℃以下の、例えば、９００℃程度の金属を金属基板２
１として用いても良い。
【０１０９】又、本実施の形態４においては、ＭＥＳＦ
ＥＴについて記載したが、その代わりに、ＨＦＥＴ（Ｈ
ｅｔｅｒｏ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅ
ｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の場合においても、上記と
同様の効果が得られる。
ＥＴについて記載したが、その代わりに、ＨＦＥＴ（Ｈ
ｅｔｅｒｏ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅ
ｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の場合においても、上記と
同様の効果が得られる。
【０１１０】実施の形態５．以下に、この発明の実施の
形態５について図６に基づいて説明する。図６はこの発
明の実施の形態５におけるＭＥＳＦＥＴである半導体装
置の構造を示す要部断面図である。
形態５について図６に基づいて説明する。図６はこの発
明の実施の形態５におけるＭＥＳＦＥＴである半導体装
置の構造を示す要部断面図である。
【０１１１】図６において、２９は例えばＳｉウェーハ
又は石英ガラスなどの融点が１２００℃以上の支持材で
あり、３０は例えばタングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐ
ｔ）、クロム（Ｃｒ）等の融点が１３００℃以上である
高融点金属膜、２２は高融点金属膜３０上に形成された
ＡｌＧａＮ低温バッファ層、２３はバッファ層２２上に
形成されたアンドープＧａＮ層、２４はアンドープＧａ
Ｎ層２３上に形成されたｎ型ＧａＮ層、２５はｎ型Ｇａ
Ｎ層２４表面からアンドープＧａＮ層２３の一部に達す
る深さにまで形成された、素子分離用のＨｅイオン注入
領域、２６及び２７はｎ型ＧａＮ層２４上のＨｅイオン
注入領域２５に囲まれた領域に形成された、例えばＴｉ
／Ａｌ積層膜からなるソース及びドレイン電極、２８は
ｎ型ＧａＮ層２４上のソース及びドレイン電極２６及び
２７の間に形成された、例えばＰｔ／Ａｕ積層膜からな
るゲート電極である。
又は石英ガラスなどの融点が１２００℃以上の支持材で
あり、３０は例えばタングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐ
ｔ）、クロム（Ｃｒ）等の融点が１３００℃以上である
高融点金属膜、２２は高融点金属膜３０上に形成された
ＡｌＧａＮ低温バッファ層、２３はバッファ層２２上に
形成されたアンドープＧａＮ層、２４はアンドープＧａ
Ｎ層２３上に形成されたｎ型ＧａＮ層、２５はｎ型Ｇａ
Ｎ層２４表面からアンドープＧａＮ層２３の一部に達す
る深さにまで形成された、素子分離用のＨｅイオン注入
領域、２６及び２７はｎ型ＧａＮ層２４上のＨｅイオン
注入領域２５に囲まれた領域に形成された、例えばＴｉ
／Ａｌ積層膜からなるソース及びドレイン電極、２８は
ｎ型ＧａＮ層２４上のソース及びドレイン電極２６及び
２７の間に形成された、例えばＰｔ／Ａｕ積層膜からな
るゲート電極である。
【０１１２】つぎに、このように構成された半導体装置
の製造方法について、以下に工程順に説明する。まず、
支持材２９を脱脂洗浄し、その後、スパッタリング等の
方法を用いて、高融点金属膜３０を支持材２９上に成膜
する。
の製造方法について、以下に工程順に説明する。まず、
支持材２９を脱脂洗浄し、その後、スパッタリング等の
方法を用いて、高融点金属膜３０を支持材２９上に成膜
する。
【０１１３】次に、支持材２９を反応炉内のサセプター
上に設置し、真空排気したのち約７０Ｔｏｒｒの水素雰
囲気中で１１００℃で、高融点金属膜３０表面の酸化膜
を除去する。
上に設置し、真空排気したのち約７０Ｔｏｒｒの水素雰
囲気中で１１００℃で、高融点金属膜３０表面の酸化膜
を除去する。
【０１１４】次に、例えば有機金属気相成長法（以下、
「ＭＯＣＶＤ法」という。）を用いて、化合物半導体層
を成長させる。具体的には、まず、支持材２９及び金属
膜３０を５５０℃まで冷却したのち、アンモニア（ＮＨ
3）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）を反応炉内に導入し、多結晶又は非
晶質状のＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）バッファ層２２
を約２０ｎｍ成長させる。
「ＭＯＣＶＤ法」という。）を用いて、化合物半導体層
を成長させる。具体的には、まず、支持材２９及び金属
膜３０を５５０℃まで冷却したのち、アンモニア（ＮＨ
3）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）を反応炉内に導入し、多結晶又は非
晶質状のＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）バッファ層２２
を約２０ｎｍ成長させる。
【０１１５】このバッファ層２２の効果により、金属膜
３０上にも関わらずＣ軸配向したＧａＮエピタキシャル
膜が得られる。又、ここで、実施の形態５においては、
例えば基板温度を５５０℃としているが、５００〜６０
０℃の基板温度を用いても良い。又、この時、シラン
（ＳｉＨ4）を導入してバッファ層２２を形成してもよ
く、これにより、当該バッファ層２２の低抵抗化を図る
ことができる。又、ここで、このバッファ層２２の低抵
抗化の際には、Ａｌ組成を低くするか、又は、ＡｌＧａ
Ｎ層の代わりにＧａＮ層とすることが望ましい。
３０上にも関わらずＣ軸配向したＧａＮエピタキシャル
膜が得られる。又、ここで、実施の形態５においては、
例えば基板温度を５５０℃としているが、５００〜６０
０℃の基板温度を用いても良い。又、この時、シラン
（ＳｉＨ4）を導入してバッファ層２２を形成してもよ
く、これにより、当該バッファ層２２の低抵抗化を図る
ことができる。又、ここで、このバッファ層２２の低抵
抗化の際には、Ａｌ組成を低くするか、又は、ＡｌＧａ
Ｎ層の代わりにＧａＮ層とすることが望ましい。
【０１１６】その後、ＴＭＧの供給をいったん停止し、
温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧの供給を再開し、ア
ンドープＧａＮ層２３を約３μｍ成長させる。その後、
さらに、シラン（ＳｉＨ4）を導入しｎ型ＧａＮ層２４
を約２００ｎｍ成長させる。化合物半導体層２２乃至２
４の成長終了後、ｎ型ＧａＮ層２４表面に所定の形状で
マスクを形成し、その後、アンドープＧａＮ層２３に達
する注入エネルギーでＨｅをイオン注入して、所望の形
状の素子分離用のＨｅイオン注入領域２５を形成する。
温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧの供給を再開し、ア
ンドープＧａＮ層２３を約３μｍ成長させる。その後、
さらに、シラン（ＳｉＨ4）を導入しｎ型ＧａＮ層２４
を約２００ｎｍ成長させる。化合物半導体層２２乃至２
４の成長終了後、ｎ型ＧａＮ層２４表面に所定の形状で
マスクを形成し、その後、アンドープＧａＮ層２３に達
する注入エネルギーでＨｅをイオン注入して、所望の形
状の素子分離用のＨｅイオン注入領域２５を形成する。
【０１１７】その後、Ｔｉ／Ａｌ積層膜をｎ型ＧａＮ層
２４上に堆積し、写真製版技術及びエッチング技術を用
いてソース及びドレイン電極２６及び２７を形成し、続
いて、Ｐｔ／Ａｕ積層膜をｎ型ＧａＮ層２４上に堆積
し、上記と同様にして、ソース及びドレイン電極２６及
び２７の間にゲート電極２８を形成する。以上のような
工程により、図６に示したＭＥＳＦＥＴを得る。
２４上に堆積し、写真製版技術及びエッチング技術を用
いてソース及びドレイン電極２６及び２７を形成し、続
いて、Ｐｔ／Ａｕ積層膜をｎ型ＧａＮ層２４上に堆積
し、上記と同様にして、ソース及びドレイン電極２６及
び２７の間にゲート電極２８を形成する。以上のような
工程により、図６に示したＭＥＳＦＥＴを得る。
【０１１８】本実施の形態５においては、金属基板２１
上に化合物半導体層２２乃至２４を形成しているため、
ソース、ドレイン電極２６、２７間の電流による発熱を
効率的に放熱でき、そのため、素子寿命を長くすること
ができるという効果を有する。
上に化合物半導体層２２乃至２４を形成しているため、
ソース、ドレイン電極２６、２７間の電流による発熱を
効率的に放熱でき、そのため、素子寿命を長くすること
ができるという効果を有する。
【０１１９】ここで、本実施の形態５においては、高融
点金属を膜状に形成しているので、当該金属の使用量が
少量で済み、そのため、製造コストを低減できるという
効果を有する。
点金属を膜状に形成しているので、当該金属の使用量が
少量で済み、そのため、製造コストを低減できるという
効果を有する。
【０１２０】又、本実施の形態５においては、成長条
件、有機金属化合物ガスの種類、使用材料を上記のもの
に限定するものでなく、しかも、化合物半導体層の成長
方法をＭＯＣＶＤ法に限るものではない。
件、有機金属化合物ガスの種類、使用材料を上記のもの
に限定するものでなく、しかも、化合物半導体層の成長
方法をＭＯＣＶＤ法に限るものではない。
【０１２１】又、金属膜３０として用いる高融点金属と
しては、化合物半導体層２２乃至２４の成長温度よりも
融点が高いものを用いれば良く、ＭＯＣＶＤ法以外の成
長方法を用いて化合物半導体層２２乃至２４を形成する
場合においても、当該化合物半導体層２２乃至２４の成
長温度よりも高い融点の金属を基板として用いれば良
く、１３００℃より高い融点を有する金属に限るもので
はない。
しては、化合物半導体層２２乃至２４の成長温度よりも
融点が高いものを用いれば良く、ＭＯＣＶＤ法以外の成
長方法を用いて化合物半導体層２２乃至２４を形成する
場合においても、当該化合物半導体層２２乃至２４の成
長温度よりも高い融点の金属を基板として用いれば良
く、１３００℃より高い融点を有する金属に限るもので
はない。
【０１２２】例えば、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂ
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた場合においては、
ＧａＮの成長温度は８００℃程度であり、融点が１３０
０℃以下の、例えば、９００℃程度の金属を金属膜３０
として用いても良い。
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた場合においては、
ＧａＮの成長温度は８００℃程度であり、融点が１３０
０℃以下の、例えば、９００℃程度の金属を金属膜３０
として用いても良い。
【０１２３】又、同様に、支持材２９の材質としても、
化合物半導体層２２乃至２４の成長温度よりも融点の高
いものを用いれば良く、１２００℃より高い融点を有す
る材質に限るものではない。
化合物半導体層２２乃至２４の成長温度よりも融点の高
いものを用いれば良く、１２００℃より高い融点を有す
る材質に限るものではない。
【０１２４】又、本実施の形態５においては、ＭＥＳＦ
ＥＴについて記載したが、その代わりに、ＨＦＥＴ（Ｈ
ｅｔｅｒｏ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅ
ｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の場合においても、上記と
同様の効果が得られる。
ＥＴについて記載したが、その代わりに、ＨＦＥＴ（Ｈ
ｅｔｅｒｏ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅ
ｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の場合においても、上記と
同様の効果が得られる。
【０１２５】
【発明の効果】この発明に係る半導体装置は、金属上に
形成された窒化ガリウム系の化合物半導体層を備えたの
で、当該化合物半導体層に通電した場合に発生する熱に
よる素子寿命の短縮を回避することが可能となる。
形成された窒化ガリウム系の化合物半導体層を備えたの
で、当該化合物半導体層に通電した場合に発生する熱に
よる素子寿命の短縮を回避することが可能となる。
【０１２６】又、上記窒化ガリウム系の化合物半導体層
は、金属表面に形成されたバッファ層を有することを特
徴とするので、金属上であるにも関わらず、当該化合物
半導体層をエピタキシャル成長させることが可能とな
る。
は、金属表面に形成されたバッファ層を有することを特
徴とするので、金属上であるにも関わらず、当該化合物
半導体層をエピタキシャル成長させることが可能とな
る。
【０１２７】又、上記バッファ層は導電性を有すること
を特徴とするので、ウェーハ平面に垂直な方向に電流を
流すことが可能となり、そのため、従来の半導体装置に
おいて問題となることがあった、化合物半導体層におけ
る発熱を防止することができ、そのため、素子寿命の短
縮を回避可能となるという効果を有する。又、効率の低
下を防止できるという効果をも有する。
を特徴とするので、ウェーハ平面に垂直な方向に電流を
流すことが可能となり、そのため、従来の半導体装置に
おいて問題となることがあった、化合物半導体層におけ
る発熱を防止することができ、そのため、素子寿命の短
縮を回避可能となるという効果を有する。又、効率の低
下を防止できるという効果をも有する。
【０１２８】又、上記バッファ層は多結晶又は非晶質状
態であることを特徴とするので、金属上であるにも関わ
らず、化合物半導体層をエピタキシャル成長させること
が可能となる。
態であることを特徴とするので、金属上であるにも関わ
らず、化合物半導体層をエピタキシャル成長させること
が可能となる。
【０１２９】又、上記バッファ層はＡｌＧａＮにより構
成されていることを特徴とするので、金属上であるにも
関わらず、化合物半導体層をエピタキシャル成長させる
ことが可能となる。
成されていることを特徴とするので、金属上であるにも
関わらず、化合物半導体層をエピタキシャル成長させる
ことが可能となる。
【０１３０】又、上記金属は膜状に形成されていること
を特徴とするので、当該金属の使用量が少量で済み、そ
のため、製造コストを低減できるという効果を有する。
を特徴とするので、当該金属の使用量が少量で済み、そ
のため、製造コストを低減できるという効果を有する。
【０１３１】又、上記窒化ガリウム系の化合物半導体層
の側面は劈開面であることを特徴とするので、エッチン
グにより形成した場合に比べ、より平坦な共振器用ミラ
ー面が得られ、しきい値電流密度の低減が可能となる。
の側面は劈開面であることを特徴とするので、エッチン
グにより形成した場合に比べ、より平坦な共振器用ミラ
ー面が得られ、しきい値電流密度の低減が可能となる。
【０１３２】又、上記金属はエッチング可能な支持材上
に形成されていることを特徴とするので、当該支持材を
エッチングし、露出した金属を電極として用いて通電す
ることにより、ウェーハ平面に垂直な方向に電流を流す
ことが可能となり、従来の半導体装置において問題とな
ることがあった、化合物半導体層における発熱を防止す
ることができ、そのため、素子寿命の短縮を回避可能と
なるという効果を有する。
に形成されていることを特徴とするので、当該支持材を
エッチングし、露出した金属を電極として用いて通電す
ることにより、ウェーハ平面に垂直な方向に電流を流す
ことが可能となり、従来の半導体装置において問題とな
ることがあった、化合物半導体層における発熱を防止す
ることができ、そのため、素子寿命の短縮を回避可能と
なるという効果を有する。
【０１３３】又、上記エッチング可能な支持材に、金属
表面に開口する貫通孔が形成されていることを特徴とす
るので、この貫通孔を介して化合物半導体層に通電する
ことにより、ウェーハ平面に垂直な方向に電流を流すこ
とが可能となり、当該化合物半導体層における発熱を防
止することができ、そのため、素子寿命の短縮を回避可
能となるという効果を有する。又、効率の低下を防止で
きるという効果をも有する。
表面に開口する貫通孔が形成されていることを特徴とす
るので、この貫通孔を介して化合物半導体層に通電する
ことにより、ウェーハ平面に垂直な方向に電流を流すこ
とが可能となり、当該化合物半導体層における発熱を防
止することができ、そのため、素子寿命の短縮を回避可
能となるという効果を有する。又、効率の低下を防止で
きるという効果をも有する。
【０１３４】又、上記窒化ガリウム系の化合物半導体層
を挟んで、一対の電極が形成されていることを特徴とす
るので、ウェーハ平面に垂直な方向に電流を流すことが
可能となり、化合物半導体層における発熱を防止するこ
とができ、そのため、素子寿命の短縮を回避可能となる
という効果を有する。又、効率の低下を防止できるとい
う効果をも有する。
を挟んで、一対の電極が形成されていることを特徴とす
るので、ウェーハ平面に垂直な方向に電流を流すことが
可能となり、化合物半導体層における発熱を防止するこ
とができ、そのため、素子寿命の短縮を回避可能となる
という効果を有する。又、効率の低下を防止できるとい
う効果をも有する。
【０１３５】又、上記金属は一対の電極の一方を構成し
ていることを特徴とするので、電極を新たに形成する必
要がなく、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
ていることを特徴とするので、電極を新たに形成する必
要がなく、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【０１３６】又、上記金属は窒化ガリウム系の化合物半
導体層の成長温度よりも高い融点を有することを特徴と
するので、本装置を安定に形成することができるという
効果を有する。
導体層の成長温度よりも高い融点を有することを特徴と
するので、本装置を安定に形成することができるという
効果を有する。
【０１３７】この発明に係る半導体装置の製造方法は、
金属上に窒化ガリウム系の化合物半導体層を形成する工
程を含むので、この方法を用いて製造された半導体装置
は、化合物半導体層に通電した場合に発生する熱による
素子寿命の短縮を回避することが可能となる。
金属上に窒化ガリウム系の化合物半導体層を形成する工
程を含むので、この方法を用いて製造された半導体装置
は、化合物半導体層に通電した場合に発生する熱による
素子寿命の短縮を回避することが可能となる。
【０１３８】又、上記金属上に窒化ガリウム系の化合物
半導体層を形成する工程は、金属表面に窒化ガリウム系
の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程を含
むことを特徴とするので、金属上であるにも関わらず、
当該化合物半導体層をエピタキシャル成長させることが
可能となる。
半導体層を形成する工程は、金属表面に窒化ガリウム系
の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程を含
むことを特徴とするので、金属上であるにも関わらず、
当該化合物半導体層をエピタキシャル成長させることが
可能となる。
【０１３９】又、エッチング可能な支持材上に金属を形
成する工程を含むので、この方法を用いて製造された半
導体装置は、当該支持材をエッチングし、露出した金属
を電極として用いて通電することにより、ウェーハ平面
に垂直な方向に電流を流すことが可能となり、従来の半
導体装置において問題となることがあった、化合物半導
体層における発熱を防止することができ、そのため、素
子寿命の短縮を回避可能となるという効果を有する。
成する工程を含むので、この方法を用いて製造された半
導体装置は、当該支持材をエッチングし、露出した金属
を電極として用いて通電することにより、ウェーハ平面
に垂直な方向に電流を流すことが可能となり、従来の半
導体装置において問題となることがあった、化合物半導
体層における発熱を防止することができ、そのため、素
子寿命の短縮を回避可能となるという効果を有する。
【０１４０】又、上記金属を膜状に形成することを特徴
とするので、当該金属の使用量が少量で済み、そのた
め、製造コストを低減できるという効果を有する。
とするので、当該金属の使用量が少量で済み、そのた
め、製造コストを低減できるという効果を有する。
【０１４１】又、上記エッチング可能な支持材をエッチ
ングして除去することにより、支持材上に形成された金
属を露出させる工程を含むので、露出した金属を電極と
して用い、化合物半導体層に通電することにより、ウェ
ーハ平面に垂直な方向に電流を流すことが可能となり、
当該化合物半導体層における発熱を防止することがで
き、そのため、素子寿命の短縮を回避可能となるという
効果を有する。又、効率の低下を防止できるという効果
をも有する。
ングして除去することにより、支持材上に形成された金
属を露出させる工程を含むので、露出した金属を電極と
して用い、化合物半導体層に通電することにより、ウェ
ーハ平面に垂直な方向に電流を流すことが可能となり、
当該化合物半導体層における発熱を防止することがで
き、そのため、素子寿命の短縮を回避可能となるという
効果を有する。又、効率の低下を防止できるという効果
をも有する。
【０１４２】又、上記窒化ガリウム系の化合物半導体層
を劈開する工程を含むので、エッチングにより形成した
場合に比べ、より平坦な共振器用ミラー面が得られ、し
きい値電流密度の低減が可能となる。
を劈開する工程を含むので、エッチングにより形成した
場合に比べ、より平坦な共振器用ミラー面が得られ、し
きい値電流密度の低減が可能となる。
【図１】 この発明の実施の形態１における半導体装置
の構造を示す要部断面図である。
の構造を示す要部断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態２における半導体装置
の構造を示す要部断面図である。
の構造を示す要部断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態３における半導体装置
の構造を示す要部断面図である。
の構造を示す要部断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態３における半導体装置
の製造方法を工程順にを示す要部断面図である。
の製造方法を工程順にを示す要部断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態４における半導体装置
の構造を示す要部断面図である。
の構造を示す要部断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態５における半導体装置
の構造を示す要部断面図である。
の構造を示す要部断面図である。
【図７】 従来の発光素子である半導体装置の構造を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図８】 従来のＭＥＳＦＥＴである半導体装置の構造
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
１ 金属、 ２ バッファ層（窒化ガリウム系の化合物
半導体層）、３、４、５、６、７ 窒化ガリウム系の化
合物半導体層、 ８ 支持材、９ 金属、 １２ 電
極、 １３ 劈開面、１４ 窒化ガリウム系の化合物半
導体層、 ２１ 金属、２２ バッファ層（窒化ガリウ
ム系の化合物半導体層）、２３、２４ 窒化ガリウム系
の化合物半導体層、
半導体層）、３、４、５、６、７ 窒化ガリウム系の化
合物半導体層、 ８ 支持材、９ 金属、 １２ 電
極、 １３ 劈開面、１４ 窒化ガリウム系の化合物半
導体層、 ２１ 金属、２２ バッファ層（窒化ガリウ
ム系の化合物半導体層）、２３、２４ 窒化ガリウム系
の化合物半導体層、
Claims (18)
- 【請求項１】 金属上に形成された窒化ガリウム系の化
合物半導体層を備えた半導体装置。 - 【請求項２】 窒化ガリウム系の化合物半導体層は、金
属表面に形成されたバッファ層を有することを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 バッファ層は導電性を有することを特徴
とする請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 バッファ層は多結晶又は非晶質状態であ
ることを特徴とする請求項２又は３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 バッファ層はＡｌＧａＮにより構成され
ていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項
記載の半導体装置。 - 【請求項６】 金属は膜状に形成されていることを特徴
とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の半導体装
置。 - 【請求項７】 窒化ガリウム系の化合物半導体層の側面
は劈開面であることを特徴とする請求項１乃至６のいず
れか１項記載の半導体装置。 - 【請求項８】 金属はエッチング可能な支持材上に形成
されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか
１項半導体装置。 - 【請求項９】 エッチング可能な支持材に、金属表面に
開口する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求
項８記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 窒化ガリウム系の化合物半導体層を挟
んで、一対の電極が形成されていることを特徴とする請
求項１乃至９のいずれか１項記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 金属は一対の電極の一方を構成してい
ることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 金属は窒化ガリウム系の化合物半導体
層の成長温度よりも高い融点を有することを特徴とする
請求項１乃至１１のいずれか１項記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 金属上に窒化ガリウム系の化合物半導
体層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 金属上に窒化ガリウム系の化合物半導
体層を形成する工程は、金属表面に窒化ガリウム系の化
合物半導体からなるバッファ層を形成する工程を含むこ
とを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１５】 エッチング可能な支持材上に金属を形
成する工程を含む請求項１３又は１４記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１６】 金属を膜状に形成することを特徴とす
る請求項１５記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 エッチング可能な支持材をエッチング
して除去することにより、支持材上に形成された金属を
露出させる工程を含む請求項１５又は１６記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１８】 窒化ガリウム系の化合物半導体層を劈
開する工程を含む請求項１７記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12560897A JPH10321956A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12560897A JPH10321956A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321956A true JPH10321956A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=14914326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12560897A Pending JPH10321956A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321956A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163404A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | ＧａＮ系半導体 |
| JPH11284226A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
| EP0996173A2 (en) * | 1998-10-23 | 2000-04-26 | Xerox Corporation | Light-emitting devices including polycrystalline GaN layers and method of forming devices |
| JP2001077473A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Japan Science & Technology Corp | 半導体レーザ |
| WO2001033643A1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Ohio University | BAND GAP ENGINEERING OF AMORPHOUS Al-Ga-N ALLOYS |
| JP2003059948A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2004247753A (ja) * | 2004-04-15 | 2004-09-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | ＧａＮ系半導体 |
| US7897993B2 (en) * | 2004-08-31 | 2011-03-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | GaN based luminescent device on a metal substrate |
| JP2017143139A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP12560897A patent/JPH10321956A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163404A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | ＧａＮ系半導体 |
| JPH11284226A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
| EP0996173A2 (en) * | 1998-10-23 | 2000-04-26 | Xerox Corporation | Light-emitting devices including polycrystalline GaN layers and method of forming devices |
| EP0996173A3 (en) * | 1998-10-23 | 2000-08-23 | Xerox Corporation | Light-emitting devices including polycrystalline GaN layers and method of forming devices |
| JP2001077473A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Japan Science & Technology Corp | 半導体レーザ |
| JP4700154B2 (ja) * | 1999-09-01 | 2011-06-15 | 学校法人 名城大学 | 半導体レーザ |
| WO2001033643A1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Ohio University | BAND GAP ENGINEERING OF AMORPHOUS Al-Ga-N ALLOYS |
| JP2003059948A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2004247753A (ja) * | 2004-04-15 | 2004-09-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | ＧａＮ系半導体 |
| US7897993B2 (en) * | 2004-08-31 | 2011-03-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | GaN based luminescent device on a metal substrate |
| JP2017143139A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
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