JP2000133841A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】 多結晶又はアモルファスである基板と、
前記基板上に形成された少なくとも一層の多結晶ＩＩＩ族窒化物層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置であって、
前記基板と前記少なくとも一層の多結晶ＩＩＩ族窒化物層との間に形成されたＩＩＩ族窒化物湿層をさらに有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】 請求項２に記載の半導体装置であって、
前記ＩＩＩ族窒化物湿層と前記少なくとも一層の多結晶ＩＩＩ族窒化物層との間にＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮの少なくとも１つからなるバッファ層をさらに有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】 多結晶又はアモルファスである基板上に、少なくとも一層の多結晶ＩＩＩ族窒化物層を形成するステップを有することを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。
【請求項５】 請求項４に記載の半導体発光デバイスの製造方法であって、
前記少なくとも一層の多結晶ＩＩＩ族窒化物層を形成するステップの前に、前記基板上にＩＩＩ族窒化物湿層を形成するステップをさらに有することを徴とする半導体発光デバイスの製造方法。
【請求項６】 請求項５に記載の半導体発光デバイスの製造方法であって、
前記ＩＩＩ族窒化物湿層を形成するステップの後に、前記ＩＩＩ族窒化物湿層上にＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮの少なくとも１つからなるバッファ層を形成するステップをさらに有することを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。
【請求項７】 請求項５又は６に記載の半導体発光デバイスの製造方法であって、
前記ＩＩＩ族窒化物湿層を形成するステップは、非晶質ＩＩＩ族窒化物層を固相結晶化することを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。
JP30136899A 1998-10-23 1999-10-22 半導体装置および半導体発光デバイスの製造方法 Expired - Fee Related JP4865118B2 (ja)

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