DE2628367C2 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang

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Description

(a.1) ein Agglomerataufdampfverfahren angewendet wird, bei dem das aufzudampfende Material verdampft wird, der Dampf in einem Vakuumbereich eingesprüht wird, um Agglomerate zu bilden,
(a^)die Agglomerate mit Elektronen beschossen werden um wenigstens einen Teil der Agglomerate zu ionisieren,
(aJ) und bei dem man die ionisierten Agglomerate zusammen mit den neutralen Agglomeraten auf die erste Halbleiterschicht (17 oder 18) zur Bildung der zweiten Halbleiterschicht (18 oder 17) auf treffen läßt, und da3
(b) die ionisierten Agglomerate durch ein zusätzliches elektrisches Hochspannungsfeld, dessen Beschleunigungsspannung zwischen 4 und 8 kV unabhängig von der Erzeugung des Elektronenstromes für die Ionisierung der Agglomerate wählbar ist, in Richtung auf die erste Halbleiterschicht beschleunig*, werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
(el) daß elektrische Anschlüsse (16, 19) durch das Agglomerataufdampfverfahren aufgebracht werden.
40
3. Verfahren nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet,
(c.2)daß ein Anschluß (16) als Schichtkörper aus einer Metallschicht und einer flexiblen organisehen Folie durch das Agglomerataufdampfverfahren hergestellt wird.
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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit pn-übergang nach dem Oberbegriff des Anspruches 1. Ein solches Verfahren ist z. B. in der Zeitschrift »Advanced Energy Conversion«, Bd. 6,1966, Seiten 201 bis 222 beschrieben.
Bei einem bekannten Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einem pn-übergang zur Verwendung in einer Sonnenbatterie (US-PS 36 90 953) wird das Halbleiterbauelement dadurch hergestellt, daß t>o ein Einkristallstück, beispielsweise aus Silizium (Si), poliert wird, wobei es schwierig ist, in dem nachfolgenden Verfahrensschritt die Dünnschicht, deren Dicke in der Größenordnung von Mikron liegt, aufzubringen. Selbst wenn selch eine Schicht hergestellt werden kann, t» ist die Materialmenge, die ausgenutzt werden kann, nur einige Prozent oder weniger von der Gesamtmenge. Daher hat das bekannte Verfahren eine geringe Effektivität und geringe Wirtschaftlichkeit und ist kostspielig.
Es ist ferner bekannt (»Advanced Energy Conversion«, VoL 6,1966 pp. 201 —222), eine CdS-Dünnschicht auf einem flexiblen Substrat aufzubringen, um dieses Bauteil dann in einer Sonnenbatterie zu verwenden. Bei Verwendung eines flexiblen Substrates ist es bei diesem bekannten Verfahren jedoch nur möglich, eine polykristalline Dünnschicht aufzubringen, jedoch keine Dünnschicht, die die Qualität eines Einkristalls hat Daher ist die Effektivität dieser Sonnenbatterie beeinträchtigt Des weiteren ergeben sich bei diesen Elementen Schwierigkeiten bei der Haftung der aufgedampften Schicht auf der flexiblen Unterlage.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit pn-übergang anzugeben, durch das die Schichten des Halbleiterbauelementes in hohem Maße einkristallin ausgebildet werden und eine hohe Adhäsion an der Unterlage haben.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang nach dem Oberbegriff des Anspruches 1 durch die in dessen Kennzeichen genannten Merkmale gelöst.
Ein sogenannte? Agglomerataufdampfverfahren ist aus »Proc. 2nd Int. Conference on Ion-sources 1972«, Seiten 790—796 bekannt (Merkmal a des Kennzeichens von Anspruch 1), welches sich auf das Aufdampfen von metallischen DüRrvschichten auf verschiedenen Substraten bezieht Auch bei diesem Agglomerataufdampfverfahren werden die ionisierten Agglomerate in Richtung auf das Substrat durch ein elektrisches Feld beschleunigt, welches jedoch maximal 2000 V betragen darf, weil sonst keine ausreichende Ableitungsrate mehr erzielbar ist. Überraschenderweise hat es sich nun gezeigt, daß bei einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang der !tier angesprochenen Art ein befriedigendes Ergebnis erzieh, werden kann, wenn ein zusätzliches elektrisches Hochspannungsfeld zur Beschleunigung der ionisierten Agglomerate angelegt wird, welches eine Beschleunigungsspannung zwischen 4 und 8 kV hat und unabhängig von der Erzeugung des Elektronenstromes für die Ionisierung der Agglomerate wählbar ist.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprßchen. Das erfinciungsgemäße Verfahren sowie die vorteilhaften Ausgestaltungen desselben haben eine Reihe von Vorteilen, die wie folgt zusammengefaßt werden können.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können Halbleiterbauelemente mit in hohem Maße einkristallinen Dünnschichten aus Halbleitermaterial mit hoher Festigkeit, Kristallqualität und Adhäsion auf einer flexiblen, organischen Schicht oder einer Folie aufgebracht werden, so daß das fertige Halbleiterbauelement selbst flexibel ist. Dies ist durch die herkömmlichen Verfahren praktisch unmöglich. Ferner wird bei dem erfindungsgefnäßen Verfahren Material eingespart, das Gewicht der Sonnenbatterie wird durch Verwendung von Dünnschichten und flexiblen Substraten vermindert, es wird eine größere Kompaktheit der Gesamtbatterie erzielt. Das flexible Halbleiterbauelement kann sogar auf einem kieinen Raum zusammengefaltet oder gerollt werden, ohne daß seine Qualität leidet. Das Halbleiterbauelement ist schließlich sehr einfach zu handhaben, zu transportieren und zu warten.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfah-
rens liegt darin, daß beim Auftreffen dar mit einer hohen Beschleunigungsspannung beschleunigten, ionisierten Agglomerate auf das Substrat auf eine Sputter-Reinigungswirkung erfolgt, daß die Oberfläche des Substrates gereinigt wird, bevor die Dünnschicht aufwächst Auch dies trägt zu einer hohen Qualität und einer ausgezeichneten Adhäsion der Dünnschichten bei.
Des weiteren kann die Dicke der einkristallinen Halbleiterschicht, die auf dem Substrat aufgedampft werden soll, um den pn-Obergang zu bilden, durch geeignete, einfache Einstellung der Betriebsbedingungen beim Aufdampfen gesteuert werden. Daher kann die Halbleiterschicht, die über dem pn-Obergang aufgedampft wird, dünner als bei den herkömmlichen Verfahren gemacht werden. Auf diese Weise können beispielsweise der Wellenbereich vergrößert werden, indem das Halbleiterelement auf einfallende Strahlungen empfindlich ist, und es kann der Wirkungsgrad bei der Umsetzung der Lichtenergie in elektrische Energie erzielt werden.
Die vorstehende Beschreibung bezieht sich auf Siliziumhalbleiter. Die Erfindung ist jedoch nicht auf Siliziumhalbleiter beschränkt, sondern kann auch bei anderen Elementen und bei Verbindungen aus Halbleiterelementen, beispielsweise Ge, GaAs, InP und CdTe, verwendet werden, um Halbleiterbauelemente mit einem pn-übergang herzustellen. Schließlich sind oben jeweils ein Paar von Halbleiterschichten beschrieben, die miteinander einen pn-übergang bilden. Es können jedoch auch Halbleiterbauelemente mit mehreren Grenzschichten oder Übergängen hergestellt werden, die aus einer Vielzahl von Paaren aus in Lagen angeordneten Halbleiterschichten mit pn-Übergängen bestehen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nun anhand der Zeichnung beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 einen schematischen Schnitt durch eine Vorrichtung zur Durchführung des Agglomerataufdampfverfa'rens;
Fig.2 einen Schnitt durch den Hauptteil eines Halbleiterbauelements mit pn-Übergang;
Fig.3 einen Schnitt durch den Hauptteil eines Halbleiterbauelements mit pn-übergang;
F i g. 4 und 5 Beispiele von Elektronenbeugungsmustern der Siliziumuchicht vom p-'Leitungstyp, die auf einem Siliziumsubstrat vom n-Leitungstyp ausgebildet ist; und
Fig.6 bis 10 verschiedene Bilder geätzter Oberflächen, um diese vergleichen zu können, wobei F i g. 6 das Ätzbild eines Siliziumsubstrates vom n-Leitungstyp vor j< > der Bedrmpfung und F i g. 7 das Ätzbild einer Siliziumschicht vom p-Leitungstyp ist, die auf einem Siliziumsubstrat vom n-Leitungstyp in dem herkömmlichen Vakuumaufc/ampfverfahren hergestellt ist, während die Fig.8 bis 10 jeweils Ätzbilder von Siliziumschichten vom p-Leitungstyp sind, die auf einem Siliziumsubstrat vom n-Leitungstyp nach dem Agglomerataufdampfverfahren bzw. dem erfindungsgemäßen Verfahren unter verschiedenen Bedingungen aufgebracht ist.
Fig. I ist ein Beispiel für eine Vorrichtung zur Durchführung des Agglomerataufdampfverfahrens.
In F i g. I ist ein geschlossener Tiegel 1 mit wenigstens einer Injektionsdüse 2 gezeigt. Der Tiegel 1 enthält das Schichtmaterial 3 für die abzuscheidende Schicht und er j5 wird durch eine geeigr ;te Beheizung, beispielsweise Widerstandsheizung und Elektronenbeschußheizung (wie in Fig. 1 gezeigt ist) auf eine erhöhte Temperatur gebracht, um das Schichtmaterial 3 zur Erzeugung eines Dampfes 4 zu verdampfen, dessen Druck etwa 1,33 Pa bis zu einigen hundert Pa betraqen kann. Der Dampf 3 wird durch die Düse 2 in einen Vakuumbereich 5 eingesprüht, wo der Druck auf Vioo oder weniger des Dampfdruckes in dem Tiegel 1 und mindestens bei 1,33 Pa oder weniger gehalten wird, so daß Agglomerationen 6 oder Cluster aus Atomen des Dampfes 4 unter dem Einfluß der Unterkühlung aufgrund der adiabatischen Expansion gebildet werden. Gewöhnlich besteht eine Agglomeration aus etwa 100 bis 2G00 Atomen. Wenn eines aus der Vielzahl der Atome, die ein Agglomerat 6 bilden, ionisiert wird, wird ein sog. ionisiertes Agglomerat 7 gebildet Zu diesem Zweck ist ein Draht 8 als Thermionenquelle zum Abgeben von Elektronen 9 vorgesehen, die mit den neutralen Agglomeraten 6 zusammenstoßen und dadurch die ionisierten Agglomerate 7 bilden. Die ionisierten Agglomerate 7 werden zusamme^ mit den neutralen Agglomeraten 6 in Richtung auf err? Substrat 10 bewegt Die ionisierten Agglomerate 7 werden durch ein elektrisches Feld beschleunigt, das durch Beschleunigungselektroden erzeugt wird, die bei und/oder in der Nähe des Substrates 10 angeordnet und mit einer Beschieunigungsspannungsquelle 11 verbunden sind. Dadurch treffen die ionisierten Agglomerate auf die Oberfläche 12 des Substrates 10 mit erhöhter Energie auf. In diesem Fall wird die Oberfläche 12 des Substrates 10 jederzeit sauber gehalten, weil sie durch das Aufschlagen der ionisierten Agglomerate dauernd in der Art einer Sputter-Reinigung bearbeitet wird. Daher ist die abgeschiedene, dünne Schicht sehr rein und hat eine starke Adhäsion.
Die kinetische Energie der ionisierten Agglomerate wird zum Teil in thermische Energie umgesetzt so daß die örtliche Temperatur ansteigt, wodurch ein Selbstheizungseffekt der aufgedampften Dünnschichtoberfläche erzeugt wird, wenn das Substrat mit den ionisierten Agglomeraten beschossen wird. Wenn die ionisierten Agglomerate und die nicht-ionisierten, neutralen Agglomerate mit dem Substrat zusammenstoßen, werden sie in ihre Atome zerlegt, und diese werden über die Oberfläche der Aufdampfschicht verstreut, wobei Wanderungseffekte auftreten. Daher wird durch das Agglomerataufdampfverfahren ein ausgezeichnetes Kristallwachstum in dem aufgedampften Material erreicht. Ferner wird bei dem Verfahren das Kristallwachstum durch den kristallinen Zustand des Substrathalbleiters gesteuert, so daß ein pn-Übergang mit hoher Qualität und ausgezeichnetem kristallinen Zustand erzielt werden kann.
Ferner haben die ionisierten Agglomerate 7 ein kleines Verhältnis von Masse zu Ladung (e/m), so daß das Agglomeraig-jfdampfverfahren bei der Abscheidung von verschiedenen isolatorsubstraten, beispielsweise einer organischen Schicht, verwendet werden kann, was bei herkömmlichen Aufdampfverfahren kau?n möglich ist. Durui das Agglomerataufdampfverfahren können daher dünne Schichten mit starker Adhäsion und hoher Reinheit durch epitaktisches Aufwachsen erzeugt werden.
In F i g. 2 ist der Hauptteil eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang gezeigt. Eine Substrat-Anschlußelektrode 16 ist eine metallische Schicht, die auf der Oberfläche des Substrates 15 durch das Agglomerataufdampfverfahren ausgebildet ist, so daß sie einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht bildet, die anschließend darauf aufeedamnft wirrt Finp Srhirht 17
aus p-Silizium und eine Schicht 18 aus η-Silizium werden auf der Substrat-Anschlußelektrode 16 in einzelnen Lagen in dieser Reihenfolge durch das Agglomerataufdampfverfahren aufgebracht, um wenigstens ein Paar von Schichten eines Halbleiterelementes mit pn-Übergang zu bilden. Diese Reihenfolge der Schicht 17 aus p-Silizium und der Schicht 18 aus η-Silizium kann selbstverständlich umgekehrt werden. Eine entgegengesetzte Anschlußelektrode 19 wird durch eine Metallschicht gebildet, die auf der oberen Halbleiterschicht, d. h. auf der Schicht 18 aus η-Silizium (oder der Schicht 17 aus p-Silizium.). aufgedampft ist, so daß sie einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht hat. Die Materialien der Metallschichten, die für die Substrat-Anschlußelektrode 16 und die entgegengesetzte Anschlußelektrode 19 verwendet werden und die einen ohmschen Kontakt mit dem damit in Kontakt befindlichen Halbleiter herstellen können, sind Aluminium. Indium usw.. wenn der zu kontaktierende Halbleiter p-Silizium ist, und sie können aus Antimon usw. bestehen, wenn der zu kontaktierende Halbleiter η-Silizium ist. Es kann ein befriedigender ohmscher Kontakt zwischen der Siliziumschicht und einer Metallschicht, die sich damit in Kontakt befindet, dadurch hergestellt werden, daß man eine Wärmebe- 2; handlung bei einer Temperatur durchführt, die weit unter der Temperatur liegt, die bei den herkömmlichen Verfahren angewendet wird. Ferner kann diese Wärmebehandlung entweder während oder nach der Abscheidung der Siliziumschicht ausgeführt werden, jo Eine Antireflexionsschicht 20 wird auf der Oberfläche der Halbleiterschicht aufgebracht, um eine Reflexion zu verhindern. In der beschriebenen Weise werden mehrlagige Schichten hoher Qualität in einem Halbleiterbauelement mit pn-Übergang auf dem Substrat hergestellt.
In jedem Stadium des beschriebenen Agglomerataufdampfverfahrens werden die Verfahrensbedingungen, beispielsweise die Temperatur des Substrates, der Elektronenstrom für die Ionisierung der Agglomerate und die Beschleunigungsspannung für die ionisierten Agglomerate, in Abhängigkeit von dem Material des Substrates, den Oberflächenbedingungen und dem aufgedampften Material jeder Schicht geeignet gewählt, um bei der aufgedampften Schicht jeder Lage die entsprechenden Eigenschaften, beispielsweise die Adhäsion und die Stärke der Schicht, zu optimieren.
Das Substrat 15. das bei der Herstellung des Halbleiterbauelementes verwendet wird, kann aus dünnen Platten oder Folien aus organischen Materialien, beispielsweise Folien aus Polyamid, Polyimid oder Polyäthylenterephthalat (Mylar), aus dünnen Plättchen aus anorganischen Materialien, beispielsweise Glas oder Kuramikwerkstoffen, oder aus dünnen Metallplatten und dgl. hergestellt sein. Wenn das Substrat 15 aus einer flexiblen Folie besteht, kann die Halbleiterschicht als ganzes gefaltet oder gerollt werden, ohne daß dies einen Einfluß auf die Struktur und die Funktionsweise von jeder der Halbleiterschichten hätte.
Wenn nicht nur die Halbleiterschichten, sondern auch die Substrat-Anschlußelektrode 17 und/oder die entgegengesetzte Anschlußelektrode 19 nach dem Agglomerataufdampfverfahren abgeschieden werden, wird die Adhäsion zwischen den angrenzenden Schichten weiter erhöht, so daß die Qualität des Produktes und der Wirkungsgrad bei der Fertigung weiter verbessert wird.
Die Antireflexionsschicht 20 ist vorgesehen, um das von außen einfallende Licht effektiv zu absorbieren, und sie wird auf der oberen Fläche des Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang ausgebildet. Die Anschlußelektrode 19. die durch das Agglomerataufdampfverfahren hergestellt ist, kann auch so ausgebildet werden, daß sie gleichzeitig als Antireflexionsschicht dient.
In F : g. 3 ist ein Schnitt durch den wesentlichen Teil eines zweiten Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang gezeigt, das für eine Sonnenbatterie verwendet wird. Hier ist ein Substrat 31,7 aus einem η-Halbleiter oder einem p-Halbleiier vorgesehen. Eine kristalline Schicht 32a aus einem p-Halbleiter oder einem n-Halbleiter wird auf der Oberfläche 33.7 des Substrates 31a durch das Agglomerataufdampfverfahren aufgebracht, so daß ein pn-Übergang mit dem Substrat 31.7 erzeugt und ein Bauelementteil 34 mit pn-Übergang gebildet wird. Zusätzlich wird eine Substrat-Anschlußelektrode 35. die aus einer Metallschicht besteht, die einen ohmschen Kontakt mit dem Halbleiter des Substrates 3i.7 herstellen kann, durch das Agglomerataufdampfverfahren an einem geeigneten Teil des Substrates 31.7 vorgesehen, wo die kristalline Schicht 32a nicht ausgebildet ist. Die Aufdampfung der Anschlußelektrode 35 kann entweder vor oder nach der Aufdampfung der Halbleiterschicht 32a durchgeführt werden, die den pn-Übrrgang mit dem Substrat 31a bildet. Die entgegengesetzte Anschlußelektrode 36, die aus einer Metallschicht gebildet wird, die einen ohmschen Kontakt mit dem Halbleiter der Schicht 32a herstellen kann, wird durch das Agglomerataufdampfverfahren an einem geeigneten Abschnitt auf der Halbleiterschicht 32a ausgebildet, die auf dem Substrat 31a aufgedampft ist und damit den pn-Übergang bildet. Die Metallschichten der Anschlußelektroden 35 und 36, die in ohmschem Kontakt mit der Oberfläche des jeweiligen Halbleiters stehen, bestehen vorzugsweise aus Aluminium oder indium, wenn der Haibleiier, auf dem sie aufgedampft sind. p-Silizium ist, und aus Antimon, wenn der Halbleiter η-Silizium ist.
Die Anschlußelektroden 35 und 36 werden auf den Flächen der Halbleiterschichten 31a und 32a. die den pn-Übergang zwischen sich bilden, durch das Aggomerataufdampfverfahren erzeugt, so daß ein sehr guter Kontakt zwischen den Halbleiterschichten 31a oder 32a und den Anschlußelektroden 35 oder 36 erzielt wird. Ferner kann ein ausreichender ohmscher Kontakt zwischen diesen Teilen durch eine Wärmebehandlung erzielt werden, die bei einer Temperatur ausgeführt wird, die weit unter der Temperatur liegt, die bei Anwendung herkömmlicher Verfahren, beispielsweise im Vakuumaufdampfverfahren, angewandt werden müssen. Diese Wärmebehandlung hat den verfahrensmäßigen Vorteil, daß sie entweder während oder nach dem Aufdampfschritt, der nach dem Agglomerataufdampfverfahren durchgeführt wird, ausgeführt werden kann.
Auch bei dem zweiten Halbleiterbauelement ist eine Antireflexionsschicht 37 auf der Halbleiterschicht vorgesehen, die den pn-Übergang bildet. Die Funktion der Antireflexionsschicht 37 kann auch von der metallischen Schicht der Anschlußelektrode 36, die auf der Halbleiterschicht durch das Agglomerataufdampfverfahren abgeschieden wird, übernommen werden.
Im folgenden wird auf die Fig.4 und 5 Bezug genommen, die als Beispiele Eiektronenbeugungsbiider von Kristallschichten aus p-Silizium zeigen, die auf Substraten aus η-Silizium aufgedampft ist, wobei die Beschleunigungsspannung für die ionisierten Agglomerate 4 kV bzw. 6 kV betrug. Wie aus F i g. 5 zu ersehen
ist, sind die Kikuchi-Linien, die ein Anzeichen für einen Einkristall sind, klar zu sehen.
Fig. 6 zeig* ein Ätzbild eines Substrates aus η-Silizium vor der Bedampfung und Fig. 7 eine Ätzbildung einer Schicht aus p-Silizium, die auf dem n-Siliziumsubstrat durch ein herkömmliches Aufdampfverf~hren aufgedampft worden ist. Die F i g. 8, 9 und 10 sind Atzbilder von p-Siliziumschichten, die auf n-Siliziumsubstraten durch das Agglomerataufdampfverfahren aufgebracht worden sind, wobei die Beschleunigungsspannung für die ionisierten Agglomerate 0 V, 4 kV bzw. 8 kV betrug. Aus diesen Ergebnissen ist ersichtlich, daß keine Kristallisation bei dem in Fig. 7 gezeigten Beispiel, bei dem das herkömmliche Vakuumaufdampfverfahren verwendet wird, und bei dem in Fig.8 gezeigten Beispiel zu beobachten ist, bei dem zwar die Apparatur für das Agglomerataufdampfverfahren verwendet, aber keine Besch!euriiCTuni7ssnännuniT sri™e!e"t v/orden ist. Eine gute Kristallisation ist bereits in dem in
F i g. 9 gezeigten Beispiel zu beobachten, bei dem das Agglomerataufdampfverfahren mit einer Beschleunigungsspannung von 4 kV eingesetzt wurde. Die Kristallisation ist bei dem in Fig. 10 gezeigten Beispiel noch besser, bei dem das Agglomerataufdampfverfahren mit einer Beschleunigungsspannung von 8 kV verwendet wurde.
In den Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens, in denen das Agglomerataufdampfverfahren durchgeführt wird, können die Arbeitsbedingungen, beispielsweise die Substrattemperatur, der Elektronenstrom für die Ionisierung und die Beschleunigungsspannung für die ionisierten Agglomerate je nach dem Substratmaterial, dem gewünschten Kristallisationszu* stand und dem abzuscheidenden Material in jeder Schicht geeignet gewählt werden, um die Eigenschaften der aufgedampften Schicht in jeder Lage, d. h. die Adhäsion und die Stärke der Schicht, zu optimieren.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1 Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit pn-Obergang, wobei der pn-Übergang von einer p-Halbleiterschicht (17) und einer damit verbundenen n-Halbleiterschicht (18) gebildet wird und wenigstens eine der Halbleiterschichten im Aufdampfverfahren hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zum Aufdampfen der zweiten Halbleiterschicht auf der ersten Halbleiterschicht
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