DE3209548A1 - Solarzellenanordnung in duennschichtbauweise aus halbleitermaterial sowie verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Solarzellenanordnung in duennschichtbauweise aus halbleitermaterial sowie verfahren zu ihrer herstellung

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DE3209548A1
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Description

AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA ZL ρ 3 Q 7 2 OE
Solarzellenanordnung in Dünnschi chtbau-v-eise aus HaIbleitermaterial sowie Verfahren zu ihrer Herstellung.
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft eine Solarzellenanordnung i.V. Dünnschichtbauweise aus einem HaIbleitermaterialkörper mit einem aktiven Gebiet, in ■welchem Ladungsträger durch die auf die Solarzellenanordnung auftreffende und in diese eindringende Energie erzeugt werden und mit aus leitfähigen Schichten bestehenden Elektroden, die mit dem aktiven Gebiet verbunden und nach außen geführt sind. Die Patentanmeldung betrifft ferner Verfahren zu ihrer Herstellung.
Eine Solarzelle ist eine halbleitende Fotodiode mit der Aufgabe, Sonnenlicht mit möglichst hohem Wirkungsgrad direkt in elektrische Energie zu verwandeln. Jede Solarzelle hat einige Grundelemente, die aus unterschiedlichem Material in unterschiedlicher Struktur und Geometrie erzeugt werden können. Sie besteht aus einem Basismaterial, welches die eine Seite der Diode bildet, z. B. p-dotiertes Silizium, einer Gegenelektrode mit η-dotiertem Silizium, um den pn-übergang zu realisieren, front- und rückseitig angebrachte Kontaktstreifen zur Kontaktierung nach außen, sowie der Reduzierung des Serienwiderstandes.
Zu vielen Ausführungsformen wird eine Antireflexionsschicht zur Erhöhung der Absorptionseffizienz aufgebracht. Bevorzugte halbleitende Materialien sind Silizium und Cadmiumsulfid, daneben spielen Galliumarsenid, Indiumphosphid, amorphes Silizium, Cadmiumtellurid, sowie verschiedene Kombinationen dieser Materialien eine wesentliche Rolle.
Sät 1 Plr/12.3.1982
- i - VPA #P 3 0 72 OE
Die Diode oder allgemein Potentialbarriere (aktives Gebiet) kann ein pn-übergang sein, in Form einer homogenen Barriere (unterschiedliche Dotierung des gleichen Grundmaterials) oder inhomogenen Barriere (Kombination unterschiedlicher Halbleiter). Weitere Varianten sind Schottky-Barriere (Metall-Halbleiter), MIS-Barrieren (Metall-Isolator-Metall,/wobei der Isolator etv/a 10 /um dick ist) oder SIS-Barrieren (Semiconductor-Isolator-Semiconductor). Durch Kombination kann hieraus eine große Vielfalt von Solarzellen konstruiert -werden.
Man unterscheidet Solarzellen für extraterrestrische von terrestrichen Anwendungen, -wobei erstere einen möglichst hohen Wirkungsgrad haben sollten und deshalb aus einkristallinem Silizium bestehen. Der Wirkungsgrad liegt bei 15 bis 18 %. Terrestrische Anwendungen verlangen einen niedrigen Preis, um mit anderen Energiesystemen konkurrieren zu können. Der Wirkungsgrad sollte zwar auch hoch liegen, ist jedoch zweitrangig. Vorrangig ist eine einfache, billige Herstellungstechnik.
Um bei der Solarzellen den Materialverbrauch auf ein Minimum zu beschränken, ist man bestrebt, die Solarzelle so dünn wie möglich zu machen und hohe Ausbeuten zu erreichen. Im Falle des Silizium liegt die Minimaldicke, die etwa 95 /S Sonnenabsorption erlaubt, bei 100 /um. Um hohe Bruchverluste zu vermeiden, wählt man jedoch für die Solarzellenherstellung wesentlich größere Dicken.
Bisher bestehen Solarzellen aus Siliziumkristallscheiben, die durch einen materialaufwendigen Trennprozeß, entweder aus z. B. nach dem Czochralski-Verfahren hergestellten Einkristallstäben oder aus gegossenen Polykristallen mit einer Vorzugsrichtung der Kristallite, wie in der DE-AS 25 08 803 beschrieben, hergestellt werden.
8ΖΡ3072ΟΕ
Verfahren, bei denen das Silizium gleich in flächenhafter Form und in der gewünschten Dicke anfällt, sind z. B. aus der Zeitschrift "Electronics", April 4, 1974, Seite 103, Figur 4 und Seite 110, Figur 5, bekannt. Bei dem in Figur 4 beschriebenen Verfahren wird ein polykristallines Siliziumband von mindestens 1 m Länge durch Aufgießen einer Siliziumschmelze auf ,sine gekühlte und bewegte Unterlage aus Molybdän oder aus einem mit einer Siliziumnitridschicht überzogenen transportablen Band, ähnlich dem Flie-ßbandprinzip gebracht. Bei dem in Figur 5 beschriebenen Verfahren, welches als ribbon-growth-method bekannt ist, wird ein einkristallines Siliziumband durch eine in einem Formgebungsteil vorhandene öffnung aus der Schmelze gezogen. Nach beiden Verfahren lassen sich auch unter optimalen Bedingungen in einer Vorrichtung nur 24 cm Siliziumband in der Minute herstellen. Beim ribbon-growth geht man deshalb dazu über, zur Erhöhung des Durchsatzes in einer Vorrichtung durch Anordnung mehrere Öffnungen nebeneinander gleichzeitig mehrere Bänder zu ziehen, was aber technisch sehr aufwendig ist. Die Wirkungsgrade von so hergestellten Solarzellen liegen um oder knapp über 10 %.
Zur Reduzierung des Materialverbrauchs verwendet man für die Beschichtung Fremdsubstrate, welche man entweder mit der Schmelze in Kontakt bringt, oder auf die man das Silizium aus der Gasphase niederschlägt. Da aber für Silizium geeignete Substrate sehr teuer sind, und außerdem die Rekristallisation des Siliziums auf Substrate nicht schneller erfolgt als die Kristallisation direkt aus der Schmelze, besteht hier kein Vorteil gegenüber dem Bandziehen.
Dem Bandziehverfahren ist gemeinsam, daß. die Rekristallisationsgeschwindigkeit, bzw. die Geschwindigkeit der Rekristallisationsfront die Geschwindigkeit des Bandziehsns bestimmt, die bei einigen cm/min liegt. Ein entscheiden-
VPA 82P 3 0 72 DE
der Fortschritt kann durch Erhöhung dieser Ziehgeschwindigkeit erzielt werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Solar-Zeilenanordnung anzugeben, welche einen hohen Wirkungsgrad aufweist, aber billig herstellbar ist, das heißt, zu ihrem Aufbau einen minimalen Materialverbrauch hat, kurze Fertigungszeiten erfordert und eine einfache Veiterverarbeitung ermöglicht.
Ein Verfahren, bei dem eine Erhöhung der Ziehgeschwindigkeit erlaubt ist, ist beispielsweise aus der DE-OS 30 10 557 A1 bekannt. Hier wird ein Verfahren zum Herstellen von großflächigen Siliziumkörpern für Solarzellen beschrieben, bei dem ein Trägerkörper mit netzartiger Struktur aus einem von Silizium benetzbaren Fasermaterial mit geschmolzenem Silizium beschichtet wird, so daß sich nach dem Erstarren der Siliziumschmelze aufgrund der hohen Oberflächenspannung des geschmolzenen Siliziums in den Maschen des Netzes eine dünne Siliziumschicht von weniger als 150 /um Dicke ausbildet, wobei das aus den Fasern bestehende Netzwerk in den Siliziumkörper integriert wird. Die aktiven Gebiete (pn-Übergänge) werden entweder durch Verwendung einer geteilten Schmelzwanne mit unterschiedlich dotierten Schmelzen oder nach Fertigstellung durch'Diffusion oder Ionenimplantation erzeugt. Die Elektrodenstruktur wird zusätzlich angebracht.
Die Erfindung löst die gestellte Aufgabe auf eine andere Weise und erzielt damit eine gewisse Vereinfachung und andere Vorteile gegenüber der nach dem aus der DE-OS 30 10 557 bekannten Verfahren" hergestellten Solarzellenanordnung. Sie betrifft eine Solarzellenanordnung der eingangs genannten Art, welche erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß der Halbleitermaterialkörper mit dem aktiven Gebiet aus, auf einen, eine mehrlagige Faserstruktur aufweisenden, leitfähigen Träger-
-J- VPA 82P3072OE
körper aus dem Vakuum abgeschiedener Halbleitermaterialschichten unterschiedlicher Dotierung besteht, wobei der Trägerkörper bei der Abscheidung in den Halbleitermaterialkörper integriert wird und die Zuleitungen zu den äußeren Elektroden aus einer, auf der Oberfläche des beschichteten Trägerkörpers aufgebrachten, elektrisch gut leitenden, lichttransparenten Kontaktschicht und dem leitfähigen Trägerkcrper selbst gebildet sind.
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, daß der Trägerkörper aus einem Gewebe von Metallfaden mit stark reflektierenden Eigenschaften oder von mit Metallen mit stark reflektierenden Eigenschaften beschichteten Glas- oder Graphitfäden besteht. Dabei kann das Metall oder der Metallüberzug aus Silber oder Aluminium bestehen. Die lichttransparente Oberflächenschicht besteht gemäß einem Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung aus mit Zinn dotiertem Indiumoxid. Vorzugsweise ist als Halbleitermaterial für die Solarzellenan-Ordnung Silizium vorgesehen, wobei die Dicke der Siliziumschicht auf dem Trägerkörper im Bereich von 1 bis 10 /um liegt.
Die Solarzellenanordnung nach der Erfindung wird realisiert durch ein Verfahren, welches gegenüber dem Stand der Technik dadurch gekennzeichnet ist, daß die Abscheidung der Halbleitermaterialschichten sowie der Kontaktschichten auf den, die mehrlagige Faserstruktur aufweisenden, vorzugsweise bandförmigen Trägerkörper durch Aufdampfen, Kathodenzerstäuben und/oder Ionenplattieren durch Zugabe von Inertgas in eine Vakuumkammer erfolgt.
Die Vorteile gegenüber den bisherigen Bandziehtechniken sind folgende:
Die Durchlaufgeschwindigkeit eines strukturierten 3andes, z. B. eines Fasernetzbandes, ist sehr hoch, da Schichtwachstumsraten von 1 /um/min möglich sind, so daß bei
- / - VPA 82P3072OE
entsprechend dimensionierter Kammer Bandgeschwindigkeiten von z. B. 50 cm/min möglich sind. Durch die Verwendung einer stark strukturierten Unterlage als Substrat, wie z. B. einem Gewebe aus dünnen Fäden, z. B. in Form eines Faserfilzes ausreichender Transparenz, ist im Prinzip eine Mehrschicht-Solarzelle realisiert, das heißt, eine Stapelung mehrerer Dünnschichtsolarzellen. Dabei -wird die erforderliche Absorptionstiefe von größer 100 /um verwirklicht. Verbunden damit ist eine nahezu 100 %ige Ausnutzung des Sonnenlichtes (Quantanausbeute), da das Netzv/erk das Sonnenlicht stark streut; es entkommt nicht mehr. Antireflexionsschichten entfallen.
Ein Eintritt des Lichtes durch die dünne Silizium-Schicht in den Substratfaden wird vermieden durch Verwendung stark reflektierender Materialien oder Beschichtungen, wie z. B. Aluminium, so daß auch hierdurch eine nahezu 100 ?oige Ausbeute möglich wird. Damit verbunden ist weiterhin eine starke Materialeinsparung von Silizium, da das Licht zwar eine Schicht von größer 100 /um insgesamt durchläuft, infolge Schrägeinfall und Mehrfachreflexion an den Fasern dazu aber nur eine geringere nominale Silizium-Schichtdicke benötigt wird.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung und deren in den Unteransprüchen gekennzeichneten Weiterbildungen wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in deren Figuren 1 bis 3 schematisch eine Dünnschichtsolarzelle dargestellt ist. Dabei zeigt
die Figur 1 eine Draufsicht durch eine Dünnschichtsolarzelle in Faserstapeltechnik,
die Figur 2 ein Schnittbild durch die Schichtstruktur und 35
die Figur 3 schematisch ein Schnittbild durch die Schicht struktur mit Darstellung der Durchführung der
JO
- /- VPA 32 ? 3 0 7 2 Q
Kontaktierung der inneren und äußeren Elektroden.
Für gleiche Teile gelten in allen Figuren gleiche Bezugsζeichen.
Figur 1: Mit dem Bezugszeichen 1 ist der als Elektrode dienende, elektrisch gut leitende Kern bezeichnet, v/elcher aus einem Silber-Faden oder aus einem mit AIuminium "beschichteten Glasfaden bestehen kann. Auf dieses mehrlagig vernetzte Gewebe 10 von z. B. Silberfäden 1 wird eine Siliziumschicht 2 in einer Schichtstärke von ζ. B. 1 /um durch einen Vakuummetallisierungsprozeß aufgebracht was durch Aufdampfen, Kathodenzerstäuben und Ionenplattieren erfolgen kann. Wird als Ausgangsmaterial ein Glasfaserfilz (10) verwendet, wobei die Fadenstärke etwa 50 /um beträgt, so wird dieser zunächst mit Aluminium in einer Schichtstärke von etwa 0,1 /um beschichtet und dann erst die Siliziumschicht 2 aufgebracht. Da es sich bei dem Trägermaterial 1 um eine mehrlagige Faser-
struktur 10 (FiIζstruktur) handelt, ist es sehr wichtig, daß die einzelnen Fäden rundum beschichtet v/erden. Dies geschieht beim Aufdampfen durch Zugabe eines inerten Gases
-2 in die Vakuumanlage von z. B. ca. 10 mbar, wodurch eine Streuung der Dampfatome an den Gasmolekülen erfolgt und damit eine Beschichtung der Rückseiten möglich ist. Beim Kathodenzerstäuben und Ionenplattieren geschieht dies in entsprechender Weise, wobei jedoch zusätzlich, da es sich um einen Plasma-Prozeß handelt, durch Steuerung der elektrischen Parameter der Gasentladung eine Beeinflussung der Aufwachs- und Kristallisationsprozesse möglich ist. Dies gilt insbesondere für das Ionenplattieren, einer Kombination aus Kathodenzerstäuben und Aufdampfen. Aus diesem Grunde ist das Ionenplattieren besonders gut zur Herstellung der erfindungsgemäßen Anordnung geeignet. Zur Abscheidung einer 1 /um dicken Siliziumschicht 2 auf ein Gewebe 10 aus 50 /uu dicken,
COPY
-jt - VPA 32 P 3 0 7 2 QE
mit Aluminium beschichteten Glasfäden 1 empfiehlt sich eine Aufviachsrate von 0,5 /um/min "bei einem Druck des inerten Gases, das z. B. Argon sein kann, von etwa
2 χ 10 mbar. Die Beschichtung erfolgt vorzugsweise im Durchlauf mit einer Bedampfungszone von z. B. 1 m, -wobei mehrere parallel arbeitende Verdampferquellen in einer Reihe in Bandlaufrichtung angeordnet sein können.
Die Dotierung erfolgt -während des Aufbringens der SiIiziumschicht 2. Sie kann aber auch nachträglich nach dem Aufbringen der Si-Schicht durch einen Diffusionsprozeß erfolgen. Als Zuleitung zur einen Elektrode dient der leitende Faden 1 selbst, als andere Elektrode wird auf den mit Silizium 2 beschichteten Faden 1 eine lichttransparente leitende Schicht 3, z. B. aus mit Zink dotiertem Indiumoxid aufgebracht. Die Metallisierung des Glasfasergewebes mit z. B. Aluminium, das Aufbringen der SiIiziumschicht 2 mit den Dotierungen, sowie das Aufbringen der lichttransparenten äußeren Schicht 3 kann "in line" in einem einzigen Durchlauf durch mehrere hintereinander gereihte Stationen erfolgen. Diese Möglichkeit der "in line"-Produktion ist wiederum besonders für ein Ionenplattierverf-ahren geeignet.
Figur 2: Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung ist die Realisierung einer stark anisotropen Kristallstruktur mit den Korngrenzen senkrecht zu den Fasern (1), also eine in ihrer Wirksamkeit der einkristallinen Struktur sehr nahekommende Schichtstruktur.
In der Ausführungsform als homogene oder inhomogene Barriere kann es vorteilhaft sein, den pn-übergang A- der Siliziumkristallite 2 näher an den Faserkern 1 zu legen, da das Kristallwachstum in der Regel so verläuft, daß die Kristallite 2 an der Basis Keimbildungsbereich schmäler sind als im äußeren Bereich und die Bedingung erfüllt sein sollte, daß die freie T.ieglänge zu den potentiellen Senken der Ladungsträger, also den Korngrenzen, kleiner
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41 "'"
-A- VPA 82P 3072OE
sein sollte als der mittlere Laufvjeg der Ladungsträger zum pn-übergang. Mit dem Bezugszeichen 3 ist die äußere transparente Elektrodenschicht aus mit Zinn dotiertem Indiumoxid bezeichnet.
Zur Optimierung der Kristallstruktur kann eine Nachtemperung der beschichteten Faserstruktur 10 zum Erzielen größerer Kristallite durch "in line"-Führung durch einen Heizofen vorteilhaft sein. Dies kann insbesondere dann durchgeführt werden, -wenn die Herstellung der Si-Schicht und die Einbringung der Dotierung separat durchgeführt werden. Dann erfolgt die Temperung nach der Herstellung der Si-Schicht. Die Temperung erfolgt bei Temperaturen zwischen 500 und 10000C je nach verwendeten Metallgewebe, Höhe der Dotierung der Siliziumschicht und der Art des Dotierverfahrens. Die Fadenstruktur mit hoher Leitfähigkeit des Fadens 1 oder seiner Metallisierung in Verbindung mit der sehr dünnen Siliziumschicht 2 ergeben von selbst einen sehr niedrigen Serienwiderstand. AIuminium gibt aufgrund seiner Lösungsfähigkeit für Silizium einen gut reproduzierbaren ohmschen Kontakt zur Siliziumschicht .
" Figur 3: In einfacher Weise läßt sich auch die Kontaktierung der inneren (1) und äußeren (3) Elektroden durchführen. Durch Abschattung der Bandkante 5 des Filzbandes 10 unter Verwendung einer Aufdampfmaske (11) zwischen Dampfquelle und Filzband während der Siliziuraaufbringung wird erreicht, daß der Kantenbereich 12 z. B. nur mit Aluminium beschichtet wird, nicht jedoch mit Silizium, so daß unmittelbar an die Aluminiumbeschichtung in einfacher und bekannter Weise Kontaktfahnen 13 angelötet werden können.
Durch Sägen quer zur Banalängsachse kann eine Aufteilung in einzelne Solarzellenanordnungen erfolgen. Der Kontakt von Faden 1 zu Faden 1 ist in Falle eines metallischen
/3 -*5- VPA 82P3 072OE
Fadens durch einfache Berührung (Knotenstellen) und Fixierung durch die aufgebrachte Siliziumschicht 2 gewährleistet. Im Falle der Verwendung der Glasfaser sorgt die die Knotenstelle überdeckende Aluminiumschicht für niederohmige Kontakte.
15 Patentansprüche
3 Figuren
Leerseite

Claims (15)

  1. VPA 82 P 3 O 7 2 OE
    Patentansprüche.
    (λ^) Solarzellenanordnung in Dünnschichtbauweise aus einem Halbleitermaterialkörper mit einem aktiven Gebiet, in . welchem Ladungsträger durch die auf die Solarzellenanordnung auftreffende und in diese eindringende Energie erzeugt werden und mit aus leitfähigen Schichten bestehenden Elektroden, die mit dem aktiven Gebiet verbunden und nach außen geführt sind, dadurch
    1Ggekennzeich.net , daß der Halbleitermaterialkörper mit dem aktiven Gebiet (4) aus, auf einen, eine mehrlagige Faserstruktur aufweisenden, leitfähigen Trägerkörper (10) aus dem Vakuum abgeschiedener Halbleitermaterial schicht en (2) unterschiedlicher Dotierung besteht, wobei der Trägerkörper (10) bei der Abscheidung in den Halbleitermaterialkörper integriert wird und die Zuleitungen zu den äußeren Elektroden aus einer auf der Oberfläche des beschichteten Trägerkörpers (1) aufgebrachten, elektrisch gut leitenden, lichttransparenten Kontaktschicht (5) und dem leitfähigen Trägerkörper (1) selbst gebildet sind.
  2. 2. Solarzellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Trägerkörper (10) aus einem Gewebe von Metallfäden (1) mit stark reflektierenden Eigenschaften oder von mit Metallen mit stark reflektierenden Eigenschaften beschichtete Glas- oder Graphitfäden (1) besteht.
  3. 3. Solarzellenanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß das Metall oder der Metallüberzug aus Silber oder Aluminium besteht.
  4. 4. Solarzellenanordnung nach Anspruch 1 bis 3, d a durch gekennzeichnet, daß die lichttransparente Oberflächenschicht (3) aus mit Zinn dotierten Indium-0;cid besteht. GOPY
    -;κ>- VPA 82 P 3 0 7 2 DE
  5. 5. Solarzellenanordnung nach Anspruch 1 "bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitermaterial Silizium vorgesehen ist.
  6. 6. Solarzellenanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke der Siliziumschicht (2) auf dem ^rcLgerkörper (1) im Bereich von 1 bis 10 /um liegt.
  7. 7. Verfahren zur Herstellung von Solarzellenanordnungen nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Abscheidung der Halbleitermaterialschichten (2) sowie der Kontaktschichten (3) auf dem, die mehrlagige Faserstruktur aufweisenden, vorzugsweise bandförmigen Trägerkörper (1, 10) durch Aufdampfen, Kathodenzerstäuben und/oder Ionenplattieren durch Zugabe von Inertgas in eine Vakuumkammer erfolgt.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß beim Aufdampfen ein Druck im Bereich von 10 mbar eingestellt wird.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß beim Kathodenzerstäuben und lonenplattieren Aufwachsraten im Bereich von 0,5 /um/min eingestellt werden bei Durchlaufgeschwindigkeiten im Bereich von 50 cm/min.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß ein Fasernetzgewebe (10) mit einer Fadenstärke (1) von ungefähr 50 /un als Trägerkörper für die Beschichtung verwendet wird.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet , daß zur Erzielung größerer Kristallite die Anordnung vor den Anbringen der äußeren
    8ZP 3 O 7 2 DE
    — ^ - — —
    Temperaturen von ca. 50O0C tempert wird.
    Kontakte bei Temperaturen von ca. 5000C bis 10000C ge-
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 7 bis 11, dadurch 5gekennzeichnet , daß die Beschichtung und Temperung im Durchlaufverfahren erfolgt, wobei eine Durchlaufgeschwindigkeit von 50 cm/min eingestellt wird.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet , daß bei Verwendung von Silizium als Halbleitermaterial (2) die Schichtdicke im 1 /um-Bereich eingestellt wird.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 7 bis 13, dadurch 15gekennze ichnet , daß nach der Beschichtung die Anordnung in die einzelnen Solarzellen durch Sägen quer zur Bandlängsachse zerteilt wird.
  15. 15. Verfahren nach Anspruch 7 bis 1A-, dadurch
    gekennzeichnet , daß als äußere Elektroden für den leitfähigen Trägerkörper (1) Kontaktfahnen (13) angebracht werden, nachdem durch Äbschattung der Bandkante (5) unter Verwendung einer Aufdampfmaske (11) die SiIiζiumbedämpfung (2) durchgeführt worden ist (Figur 3).
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