DE3048857A1 - Verfahren zum herstellen von amorphem silicium und nach diesem verfahren hergestellte vorrichtung - Google Patents

Verfahren zum herstellen von amorphem silicium und nach diesem verfahren hergestellte vorrichtung

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Description

PATE NTANWA LT- DR. HERMAKN O. T H'. -D:f E-HL ]- DIPLOMPHYSIKER D - 8 000 MÖNCHEN 19 - FLD GG'e N STRAPS E *1*7 -TELEFON:.089/177061
-5- 30A8857
E 1476-D 23.12.1980
EXXON RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY, FLORHAM PARK, N.J. 07932 / USA
Verfahren zum Herstellen von amorphem Silicium und nach diesem Verfahren hergestellte Vorrichtung
Poiticheckkonto München Nr. 848 54-läOr ^RiUictalbank München (BLZ 700 303 00) Konto Nr. 423.11343 T«Iex 5215145 Zeui Talegrammadreaie/Cable AdreM: Zeuspatent
E 1476-D 23.12.198ο
EXXON EFSEARCH AND ENGINEERING COMPANY, FLORHAM PARK, N.J. 07932, U.S.A.
Verfahren zum Herstellen von amorphem Silicium
und nach diesem Verfahren hergestellte Vorrichtung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von amorphem Silicium und eine nach diesem Verfahren hergestellte photovoltaische Vorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bzw. 1o.
Es hat sich gezeigt, dass mit Wasserstoff angereichertes amorphes Silicium vorteilhafte photoleitende Eigenschaften besitzt, die-eine aussichtsreiche Alternative zu kristallinen Materialien versprechen, wie beispielsweise zu einkristallinem Silicium und Germanium. Wenn amorphes Silicium insbesondere als ein dünner Film hergestellt wird, so ergeben sich gegenüber seinen kristallinen Gegenstücken wesentliche Materialeinsparungen. Das bestehende Hindernis gegenüber seiner verbreiteten Ver-Wendung ist der bezüglich zu anderen Materialien gerin-
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ge Wirkungsgrad einer daraus hergestellten Vorrichtung. Obwohl das Material eine günstige Quantenausbeute an photoerzeugten Ladungsträgern aufweist, begrenzen andere grundlegende elektrische Eigenschaften des Halbleiters, wie beispielsweise die Beweglichkeit, die Lebensdauer und Diffusionslänge von Ladungsträgern, den Wir τ-kungsgrad einer aus amorphem Silicium bestehenden Vorrichtung. Die sich ergebende Auswirkung auf eine Vorrichtung, wie beispielsweise eine Solarzelle, liegt darin, dass die wirksame Ansammlung von photoerzeugten Ladungsträgern auf den Sperrschichtbereich begrenzt ist oder ein Bereich ohne übergang elektrisch nicht neutral ist, jedoch den Transport von Ladungsträgern behindert, die im Sperrschicht- oder Verarmungsbereich erzeugt sind.
-
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, das eingangs genannte Verfahren bzw. die eingangs genannte Vorrichtung so zu verbessern, dass der Wirkungsgrad wesentlich erhöht werden kann.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bzw. bei einer Vorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1o erfindungsgemäss durch die jeweils in deren kennzeichnendem Teil enthaltenen Merkmale gelöst.
Die Erfindung überwindet also die oben aufgezeigten Mängel, indem selektiv das amorphe Silicium mit einem Störstellen-Dotierstoff geändert wird, der einerseits den wirksamen Feldbereich einer Ladungsansammlung im wesentlichen durch die amorphe Siliciumschicht ausdehnt und andererseits gleichzeitig die elektrischen Eigenschaften des keinen übergang aufweisenden oder Haupt- bzw. Volumenbereichs der Vorrichtung verbessert. Der Dotierstoff um-
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fasst ein ionisierbares Material, wie beispielsweise Antimon/ das thermoelektrisch in die amorphe Siliciumschicht diffundiert wird, während der Siliciumfilm durch Aufsprühen oder Sputtern abgeschieden oder aufgetragen wird. 5
Die beiden Hauptverfahren zum Erzeugen von mit Wasserstoff angereichertem amorphem Silicium sind die Glimmentladungs-Zersetzung von Silan und das reaktive Sputtern in einem Plasma aus einer Mischung von Argon und Wasserstoff.
In jedem Fall wird das Material N- und P-dotlert, indem der Entladung eine Menge an Phosphin (PH3) oder Diboran (B_H ) beigefügt wird. Solarzellen-Strukturen werden aus diesen Materialien hergestellt, indem abrupte übergänge benutzt werden, die durch Gasphasen-Dotierung hergestellt sind. Solche Strukturen umfassen beispielsweise Schottky-Sperrschichten, PIN-Ubergänge und Hetero-Übergänge. Die Schottky-Sperrschicht-Struktur ist eine Vielschicht-Anordnung aus eimern metallischen Substrat, einer o,o5/am (5oo S) dicken, stark mit Phosphin dotierten a-Si-Schicht (N ), einer eigenleitenden amorphen Siliciumschicht und einem halbtransparenten Metallkontakt mit hoher Austrittsarbeit. Die dünne N -amorphe Siliciumschicht, die durch Dotieren aus einer PH3 enthaltenden Entladung erhalten ist, wird verwendet, um den Ohm'sehen Kontakt auf der eigenleitenden amorphen Siliciumschicht herzustellen.
Zwar ist die Sputter-Abscheidung von photoleitendem amorphem Silicium üblich (vgl. den technischen Aufsatz von Moustakas et al "Preparation of Highly Photoconductive Amorphous Silicon by Reactive Sputtering" in der Zeitschrift "Solid State Communications", Bd.23, Juni 1977), wobei die Sputter-Abscheidung von photoleitendem amorphem Silicium beispielsweise in Wasserstoff erfolgen kann.
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Die Erfindung ermöglicht ein Verfahren zum Dotieren von amorphem Silicium. Ein Störstellen-Dotierstoff, wie beispielsweise Antimon, wird thermoelektrisch in das amorphe Silicium diffundiert, wodurch dessen eigenleitende HaIbleitereigenschaften geändert werden. Das thermoelektrisch diffundierte Material liefert ein Gradienten-Dotierungsprofil Über dem Hauptteil der Siliciumschicht. In einer photovoltaischen Vorrichtung, wie beispielsweise einer Solarzelle, dehnt die Erfindung den wirksamen Feldbereich einer photoerzeugten Ladungsansammlung im wesentlichen durch die Siliciumschicht aus, während gleichzeitig die Leitfähigkeit des sperrschichtfreien oder Hauptbzw. Volumen-Bereichs der Vorrichtung gesteigert wird. Der Dotierungsprozess liefert auch einen verbesserten Ohm1sehen Kontakt zwischen dem Halbleiter und einer herkömmlichen Metallelektrode.
Ein amorpher Silicium-Halbleiter hat also erfindungsgemäss ein Gradienten-Dotierungsprofil, das durch thermoelektrisches Diffundieren eines ionisierbaren Abscheidungsmaterials, wie beispielsweise Antimon oder Aluminium, in eine amorphe Siliciumschicht erzeugt ist. Bei einer photovoltaischen Vorrichtung steigert das Gradienten-Dotierungsprofil die Breite des Verarmungs- oder Sperr-Schichtbereichs und gewährleistet gleichzeitig einen Ohm'sehen Kontakt zwischen amorphem Silicium und stromführenden Elektroden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig.1 einen Schnitt einer nach der Erfindung hergestellten Schottky-Photodiode und
Fig.2 eine Strom/Spannungs-Kennlinie für zwei photovoltaische Vorrichtungen aus amorphem Silicium,
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von denen eine das nach der Erfindung hergestell
te amorphe Silicium enthält.
Die Erfindung ermöglicht eine verbesserte Halbleiter-Vorrichtung mit einem Körper aus amorphem Silicium, das geändert ist, indem thermoelektrisch in die Siliciumschicht ein Störstellen-DotierStoffmaterial diffundiert wird.
Zur Erläuterung der Erfindung zeigt Pig.1 eine Schottky-Obergang-Photodiode mit einem Körper aus amorphem Silicium, der durch die erfindungsgemässe Dotierungsart geändert wurde. In der Fig.1 liefert ein Substrat 1o eine tragende Unterlage für Jie Abscheidung von Dünnfilmmaterialien. Das Substrat 1o umfasst ein Material, das die erforderlichen Prozesstemperaturen der darüberliegenden Schichten aushalten kann, die weiter unten näher erläutert werden. Das Substrat 1o ist vorzugsweise frei von Oberflächen-Diskontinuitäten, oder ünregelmässigkeiten der Grossen-Ordnung von 1 /am oder weniger, um Nadelloch- bzw. Peinlunker- oder ähnliche Mängel in den anschliessend abgeschiedenen Filmen zu vermeiden. Das Substrat wird mit einer Schicht 12 aus Chrom (etwa o,1/um bzw. 1.ooo 8 dick) und einer etwa o,oo5 film bis o,o1 /im (5o % bis 1oo 8) dicken Schicht 13 eines ionisierbaren Dotierstoffs aus Antimon, Phosphor, Aluminium, Lithium, Arsen oder einer Mischung hiervon belegt. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel umfasst die Schicht 13 eine ungefähr o,o1/im (1oo S) dicke Antimonschicht, die durch thermische Verdampfung abgeschieden ist. Bei der Erfindung weist die Schicht 13 den ionisierbaren Dotierstoff auf, und die Chromschicht 12 dient in erster Linie zur Stromleitung. Diese Folge der beiden metallischen Schichten wird verwendet, da dicke Antimonschichten nicht gut an einem Glassubstrat haften.
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Das mit den Schichten 12 und 13 belegte Substrat 1o ist an der Anodenelektrode eines herkömmlichen Vakuum-Sputter- oder Zerstäubungs- oder Aufsprühgeräts befestigt, das in geeigneter Weise einstellbar ist, um eine gesteuerte Erwärmung und elektrische Vorspannung des Substrate zu erlauben. Das Substrat wird auf eine Temperatur zwischen 2oo°C und 3oo°C erwärmt, und eine positive Gleichvorspannung zwischen etwa 3o V bis etwa 1oo V liegt am Substrat. Wenn dieses Substrat 1o ein elektrisch isolierendes Material umfasst, wird ein direkter elektrischer Kontakt zwischen der Vorspannanode und der Schicht 13 hergestellt, was das Anlegen der Vorspannung an die Dotierstoffschicht 13 gewährleistet.
Das einer Vorspannung ausgesetzte und erwärmte Substrat wird dann einer Sputter-Abscheidung einer eigenleitenden amorphen Siliciumschicht 14 unterworfen. Diese Abscheidung umfasst beispielsweise ein Evakuieren des Sputtergeräts auf einen Druck von etwa 133 χ 1o Pa bis
-7 -7
4oo χ Io Pa (1 bis 3 χ Io Torr) und ein Rückfüllen desselben mit einem Partialdruck von Argon und Wasserstoff. Der Partialdruck von Argon kann zwischen etwa 1,33 Pa (1o mTorr) und etwa 2,66 Pa (2o mTorr) liegen; der Partialdruck von Wasserstoff kann zwischen etwa δ χ Io Pa
-4 -3
(6 χ 1o Torr) und etwa o,133 Pa (1 χ 1o Torr) liegen, wobei ausserhalb dieses Bereichs die hier angegebene Dotierungsart unwirksam ist, was in erster Linie auf der vorherrschenden Auswirkung eines Mangels oder eines grossen Überflusses an Wasserstoff im amorphen Siliciumfilm beruht. Das Target bzw. die Speicherelektrode, nämlich eine polykristalline Siliciumscheibe mit einem Durchmesser von 12,7 cm (5 Zoll) liegt 4,5 cm über der Anode und wird mit einer Leistung zwischen etwa 1oo W bis 5oo W von einer Hochfrequenz- oder HF-Quelle versorgt.
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Bei höheren Leistungsdichten (ungefähr 5oo W) ist die Katode wassergekühlt, wobei bei geringeren Leistungsdichten die Katode eine Gleichgewichtstemperatur von etwa 2oo°C erreichen kann. Diese Parameter führen zu einer Abscheidungsgeschwindigkeit oder -rate zwischen
—4 —4 ο
2 χ Io /um/s und 4 χ Io /ωη/s (2 bis 4 a/s), wobei die Filmdicke zwischen 1 ^m und etwa 3/im schwankt.
Es wird angenommen, dass das Antimon mit den anschliessend abgeschiedenen Schichten des abgeschiedenen amorphen Siliciums reagiert und diese N-dotiert. Durch die erhöhte Temperatur des Substrats können die Dotierstoffatome positiv ionisiert werden. Während der anschliessenden Siliciumabscheidung diffundieren und dotieren die ionisierten Fremdstoffe - unterstützt durch die Vorspannung - die gerade abgeschiedenen Siliciumschichten mittels der Antriebskraft der angelegten positiven Vorspannung. Die thermoelektrische Diffusion erzeugt eine Gradientenzusammensetzung des Dotierstoffmaterials, das am meisten in der Nähe des Ursprungs der Dotierstoffquelle konzentriert ist und in der Konzentration über die Filmdicke abnimmt. Das Gradientenprofil und die Tiefe der Eindringung wird erfindungsgemäss zusammen durch die Temperatur und die Vorspannung gesteuert.
Eine einen üblichen übergang bildende Schicht 16 wird auf der amorphen Siliciumschicht 14 abgeschieden. Der übergang kann einen Schottky-Übergang, einen PN-Übergang, einen Hetero-übergang oder einen ähnlichen derartigen Halbleiterübergang aufweisen, wie dies üblich ist. In einem Ausführungsbeispiel wird eine halbtransparente Schicht eines Metalls mit einer Austrittsarbeit von etwa 4,5 eV auf dem amorphem Silicium abgeschieden, um einen Schottky-Übergang zu bilden.
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Ea wird angenommen, dass der diffundierte Dotierstoff das Fermi-Niveau des eigenleitenden amorphen Siliciums zum Leitungsband verschiebt. Das einen Gradienten aufweisende Dotierungsprofil in der Siliciumschicht erzeugt eine monotone Abnahme in der Verschiebung des Fermi-Niveaus durch den Film. Dies führt zu einem eingebauten Feld in der amorphen Siliciumschicht, das den Bereich der Sperrschicht-Ansammlung von photoerzeugten Ladungen im wesentlichen durch die Siliciumschicht ausdehnt. Die Verschiebung des Fermi-Niveaus zum Leitungsband im sperrschichtfreien Haupt- oder Volumenbereich der Vorrichtung steigert auch die Leitfähigkeit des Halbleitermaterials in diesem Bereich, wodurch die innere, mit Verlust behaftete Last der Vorrichtung verringert wird. Zusätzlich gewährleistet die starke Dotierung der amorphen Siliciumschicht an der Zwischenflache mit der Metallschicht 13 den Ohm1sehen Charakter dieses Kontakts.
Die Leistungsfähigkeit der oben beschriebenen photovoltaischen Vorrichtung wurde mit einer solchen mit einem abrupten übergang verglichen.
In diesem Vergleich der photovoltaischen Vorrichtung wird das übliche Vorgehen mit einem Dazwischenlegen einer amorphen N -a-Si-Schicht zwischen eine stromführende Metallschicht und die eigenleitende amorphe Siliciumschicht verwendet, um einen Ohm'sehen Kontakt zwischen dem Metall und dem Halbleiter herzustellen. In der Fig.2 ist ein Vergleich mit der Abhängigkeit des photovoltaischen Stroms von der Spannung für die zwei Vorrichtungen gezeigt. Eine Kurve 2o stellt die Strom/Spannungskennlinie einer beleuchteten photovoltaischen Vorrichtung mit einem Antimon-Dotierungsgradienten nach der Erfindung dar. Dagegen gibt eine Kurve 22 die gleiche "beleuchtete" Strom/Spannungs-Kennlinie für eine herkömmliche amorphe
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Siliciumvorrichtung an, woraus eine wesentliche Verringerung im Kurzschlusstrom und eine allgemein herabgesetzte Fähigkeit ersichtlich wird, Leistung an eine mit Verlust behaftete Last abzugeben.
5
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird im folgenden ein Beispiel in Einzelheiten für den Aufbau und die elektrische Bewertung von photovoltaischen Vorrichtungen gegeben, die einen Körper aus amorphem Silicium haben, das nach der Erfindung hergestellt ist.
Beispiel;
Mehrere Borsilikat-Glassubstrate werden genau gereinigt, um Oberflächenschmutz zu entfernen, und sie werden anschliessend mit einer etwa o,1/um ("l.ooo R) dicken Chromschicht und einer etwa o,o1/um (1oo 8) dicken Antimonschicht belegt. Diese beiden Schichten werden durch Widerstands-Heiz-Verdampfung abgeschieden. Diese belegten oder beschichteten Substrate werden auf die Anode eines üblichen Sputter- oder Zerstäubungs- oder Aufsprühsystems gelegt. Der elektrische Kontakt zwischen der Anode und der Antimonschicht wird gewährleistet, indem die Antimonschicht körperlich elektrisch leitende Schrauben berührt, die an der Anode befestigt sind. Eine andere Folge von Substraten wird mit o,1/um (l.ooo 8) dickem gesputterten Chromnickel beschichtet, und o,o5/am (5oo 2) dickes N+- a-Si, das durch Glimmentladung von 1 % Phosphen enthaltendem Silan abgeschieden ist, wird in der Anode des Sputtersystems befestigt, wie dies oben erläutert wurde. Die Anode und die Substrate werden auf 275 C erwärmt und mit einer positiven Vorspannung von etwa 5o V beaufschlagt. Die Vakuumkammer, die unter 665 χ 1o~ Pa (5 χ 1o" Torr) evakuiert wurde, wird mit Partialdrücken
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-4 von Wasserstoff und Argon von etwa 931 χ 1ο Pa
(7,0 x 1o~4Torr) bzw. 1,9 Pa (15 χ 1o"3Torr) rückgefüllt. Das Target, nämlich eine polykristalline Siliciumschelbe mit einem Durchmesser von 12,7 cm (5 Zoll) ist nicht wassergekühlt, wie in herkömmlichen Sputteranlagen, und wird mit einer HF-Leistung von 2oo W während der Siliciumabscheidung versorgt. Die Antimonschicht diffundiert und dotiert die Siliciumschicht unter dem gemeinsamen Antrieb durch die angelegte Vorspannung und die Temperatur.' Dagegen bleibt das Silicium undotiert, das auf die Substrate abgeschieden ist, die mit den N -a-Si-Substraten belegt sind.
Die Proben werden auf Raumtemperatur, nämlich etwa 23°C, gekühlt und dann mit einer durchsichtigen Schicht aus Palladium belegt oder beschichtet, wie dies zur Herstellung eines Schottky-Überganges mit amorphem Silicium üblich ist. Die Proben werden anschliessend herkömmlichen photoelektrischen Messungen ausgesetzt. Ein Vergleich der mit Antimon dotierten Proben mit undotierten Proben zeigt eine Steigerung um 65 % im Kurzschluss-Photostrom der
2 dotierten Proben, wenn mit 1oo mW/cm eines simulierten Solarspektrum-Lichts beleuchtet wird. Eine übliche spektrale Abhängigkeit von Messungen des Sammelwirkungsgrades zeigt eine wesentliche Steigerung in der Breite des Sperrschicht- oder Verarmungsbereichs.
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-4b-
Leerseite

Claims (17)

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen eines Gradienten-Dotierungsprofils in amorphem Silicium, dadurch gekennzeichnet, dass ein Substrat (1o,12) mit einer Schicht (13) eines Dotierstoff-Materials belegt wird, das aus der aus Antimon, Phosphor, Aluminium, Lithium, Arsen oder einer Mischung hiervon bestehenden Gruppe gewählt ist, und dass eine Schicht (14) aus photoleitendem amorphem Silicium durch Sputtern abgeschieden wird, während gleichzeitig die Dotierstoff-Schicht (13) erwärmt und mit einer positiven Vorspannung beaufschlagt wird, so dass während der Abscheidung das Dotierstoff-Material in die amorphe Siliciumschicht (14) durch die gemeinsame Wirkung der angelegten Vorspannung und der erhöhten Temperatur diffundiert.
2. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem ein Gradienten-Dotierungsprofil aufweisenden Halbleiterbereich, bei dem ein Substrat mit wenigstens einer Oberfläche mit einem elektrischen Leiter versehen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche mit einer Schicht (13) eines Dotierstoff-Materials belegt wird, das aus einer Gruppe gewählt ist, die aus Antimon, Phosphor, Aluminium, Lithium, Arsen oder einer Mischung hiervon besteht, dass durch Sputtern eine Schicht (14) aus photoleitendem amorphem Silicium abgeschieden wird, während gleichzeitig Wärme einwirkt und eine positive Vorspannung an der Dotierstoffschicht
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(13) liegt, und dass wenigstens ein Halbleiterübergang mit der amorphen Siliciumschicht (14) gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorspannung zwischen etwa 3o V und etwa 1oo V liegt, und dass die Temperatur zwischen etwa 2oo°C und etwa 3oo°C liegt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorspannung zwischen etwa 5o V und etwa 1oo V liegt, und dass die Temperatur zwischen etwa 25o C und etwa 3oo°C gehalten wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Dotierstoff eine o,o1/im (1oo S) dicke Antimonschicht umfasst.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die amorphe Siliciumschicht (14) zwischen etwa
1 /m und etwa 3/üm dick ist.
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7. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterübergang einen Schottky-Ubergang aufweist, der durch Abscheiden einer Metallschicht mit einer etwa 4,5 eV überschreitenden Austrittsarbeit hergestellt ist.
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8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass für das Metall Palladium verwendet wird.
9. Verfahren zum Herstellen eines Ohm1sehen Kontakts mit eigenleitendem, photoleitendem amorphem Silicium, dadurch gekennzeichnet, dass eine Schicht (13) aus Antimon in die zu kontaktierende Oberfläche diffundiert wird, indem während der Erzeugung der amorphen Siliciumschicht to (14) Wärme einwirkt und eine Vorspannung an die Antimonschicht (13) gelegt wird.
1o. Vorrichtung, insbesondere hergestellt nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der auf einem Substrat eine amorphe Siliciumschicht vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Substrat (1o,12) und der amorphen Siliciumschicht (14) eine Dotierstoff-Schicht (13) liegt, aus der Dotierstoff in die amor· phe Siliciumschicht (14) diffundiert ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 1o, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierstoff-Schicht (13) etwa 0,0I7AJm dick ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 1o oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Dotierstoff aus Antimon oder Phosphor oder Aluminium oder Lithium oder Arsen oder einer Mischung hiervon besteht.
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13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1o bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1o,12) aus einer wärmebeständigen Unterlage (1o) und einer Chromschicht (12) besteht.
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Chromschicht (12) etwa o,1 ^um dick ist.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1o bis 14, dadurch gekannzeichnet, dass auf der amorphen Siliciumschicht (14) eine insbesondere aus Palladium bestehende Metallschicht (16) angeordnet 1st.
16. Vorrichtung, hergestellt nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9.
17. Verwendung der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1o bis 17 zur Herstellung von Solarzellen.
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