JPH0228372A - イメージセンサ - Google Patents
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- JPH0228372A JPH0228372A JP1089773A JP8977389A JPH0228372A JP H0228372 A JPH0228372 A JP H0228372A JP 1089773 A JP1089773 A JP 1089773A JP 8977389 A JP8977389 A JP 8977389A JP H0228372 A JPH0228372 A JP H0228372A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業−にの利用分野）
本発明は画像情報を含む原稿にほぼ密着して光電変換を
行ういわゆる密着形イメージセンサのようなイメージセ
ンサに関する。
行ういわゆる密着形イメージセンサのようなイメージセ
ンサに関する。
（従来技術）
ファクシミリやスキャナなどのような画像情報読取り機
能を備えた装置においては、画像情報を読取るのに固体
イメージセンサか用いられている。従来、画像情報の読
取りに用いられる固体イメージセンサにはＣＣＤイメー
ジセンサとＭＯＳ形イメージセンサとかあり、これらは
光学系を介して原稿画像を縮小して受光し光電変換する
縮小型イメージセンサとして用いられている。この縮小
型イメージセンサを組込んだファクシミリなとの装置は
コスト的には有利であるか、光学系やある程度の長さの
光路長か必要となるために小型化に限界がある。
能を備えた装置においては、画像情報を読取るのに固体
イメージセンサか用いられている。従来、画像情報の読
取りに用いられる固体イメージセンサにはＣＣＤイメー
ジセンサとＭＯＳ形イメージセンサとかあり、これらは
光学系を介して原稿画像を縮小して受光し光電変換する
縮小型イメージセンサとして用いられている。この縮小
型イメージセンサを組込んだファクシミリなとの装置は
コスト的には有利であるか、光学系やある程度の長さの
光路長か必要となるために小型化に限界がある。
そこで装置の小型化の要請から、光学系や長い光路長を
必要とせず原稿の読取り幅と等しい長さで原稿にほぼ密
接して画像情報を読取り光電変換する密着形イメージセ
ンサか開発され実用化されている。
必要とせず原稿の読取り幅と等しい長さで原稿にほぼ密
接して画像情報を読取り光電変換する密着形イメージセ
ンサか開発され実用化されている。
この種の密着形イメージセンサは、材料、光電変換・走
査モード、光学系などの観点からいくつかの型式に分け
られるか、中でも加工性にすぐれ、膜の半導体としての
性質か制御し易く、しかも大面積化、長尺化か可能なア
モルファスシリコン薄膜を用い、画素数の割に駆動ＩＣ
の数と接続線数が少なくてすむ蓄積形のマトリクス駆動
形アモＪレファスシリコンイメージセンサが注目されて
いる。
査モード、光学系などの観点からいくつかの型式に分け
られるか、中でも加工性にすぐれ、膜の半導体としての
性質か制御し易く、しかも大面積化、長尺化か可能なア
モルファスシリコン薄膜を用い、画素数の割に駆動ＩＣ
の数と接続線数が少なくてすむ蓄積形のマトリクス駆動
形アモＪレファスシリコンイメージセンサが注目されて
いる。
このマトリクス駆動形イメージセンサは１画像情報に応
じた光量を画素ごとに受光して光電変換する複数個のフ
ォトタイオートをアレイ状に並べ、各フォトタイオード
と対向してブロッキングタイオートを１妄続し、いくつ
かのフォトタイオートとブロッキングダイオードの対を
ブロック単位として、マトリクス結線した構造をなして
いる。
じた光量を画素ごとに受光して光電変換する複数個のフ
ォトタイオートをアレイ状に並べ、各フォトタイオード
と対向してブロッキングタイオートを１妄続し、いくつ
かのフォトタイオートとブロッキングダイオードの対を
ブロック単位として、マトリクス結線した構造をなして
いる。
ブロッキングタイオートは、ブロック間で共通に配線さ
れた画素間のクロストークを防ぐため、また、蓄積期間
の間フォトタイオートを逆バイアス状態に保持するとと
もに他の画素から分離するようにするために設けられる
。第６図に従来知られているマトリクス駆動形イメージ
センサの光電変換部の一例を示す。
れた画素間のクロストークを防ぐため、また、蓄積期間
の間フォトタイオートを逆バイアス状態に保持するとと
もに他の画素から分離するようにするために設けられる
。第６図に従来知られているマトリクス駆動形イメージ
センサの光電変換部の一例を示す。
第６図に示したマトリクス駆動形イメージセンサの光電
変換部は、ガラス基板ｌ上にＣｒで下層電極２を形成し
、この下部型２上に、ｐｉｎ構造のアモルファスシリコ
ン薄膜から成るフォトダイオード３とブロッキングタイ
オート４とを離間させて別々に形成し、両ダイオード３
．４上にインジウム・すず酸化物（ＩＴｏ）から成る透
明導電ｊ模５を形成し、この透明導電膜５の部分を残し
て両タイオードを絶縁層６て覆い、その上に両ダイオー
ドと一端か接続するように上部電極７を形成し、こうし
て形成したタイオート対を各画素ごとにアレイ状に並べ
たものである。
変換部は、ガラス基板ｌ上にＣｒで下層電極２を形成し
、この下部型２上に、ｐｉｎ構造のアモルファスシリコ
ン薄膜から成るフォトダイオード３とブロッキングタイ
オート４とを離間させて別々に形成し、両ダイオード３
．４上にインジウム・すず酸化物（ＩＴｏ）から成る透
明導電ｊ模５を形成し、この透明導電膜５の部分を残し
て両タイオードを絶縁層６て覆い、その上に両ダイオー
ドと一端か接続するように上部電極７を形成し、こうし
て形成したタイオート対を各画素ごとにアレイ状に並べ
たものである。
第７図はこのようなアレイ構造のマトリクス駆動形イメ
ージセンサを隣接するいくつかの（図示の例ては３個）
画素分について平面的に図示したものである。
ージセンサを隣接するいくつかの（図示の例ては３個）
画素分について平面的に図示したものである。
第６図かられかるように、従来のイメージセンサては下
部電極２、ｐｉｎ構造のフォトダイオード３およびソロ
キングタイオート４、透明導電膜５、絶縁層６、上部電
極７をそれぞれ異なるマスクを用いて別々のフォトレジ
スト工程で形成しているために工程数が多くなりコスト
高の原因になっている。
部電極２、ｐｉｎ構造のフォトダイオード３およびソロ
キングタイオート４、透明導電膜５、絶縁層６、上部電
極７をそれぞれ異なるマスクを用いて別々のフォトレジ
スト工程で形成しているために工程数が多くなりコスト
高の原因になっている。
（発明の目的および構成）
本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、イメー
ジセンサの製造に当り、フォトレジスト工程の数を減ら
し且つ絶縁層を不要にして製造コストを低減することを
目的とし、この目的を達成するために、マトリクス駆動
形イメージセンサの光電変換部を構成するフォトタイオ
ートとブロッキングタイオートをアモルファスシリコン
薄膜と受光側電極との間に形成されるショットキー接合
て形成した。
ジセンサの製造に当り、フォトレジスト工程の数を減ら
し且つ絶縁層を不要にして製造コストを低減することを
目的とし、この目的を達成するために、マトリクス駆動
形イメージセンサの光電変換部を構成するフォトタイオ
ートとブロッキングタイオートをアモルファスシリコン
薄膜と受光側電極との間に形成されるショットキー接合
て形成した。
すなわち、同一の基板上にそれぞれアモルファスシリコ
ン薄膜からなる半導体層および該半導体層を挟んで相対
する二つの′Ｎ、極とを有する、フォトタイオードとブ
ロッキングタイオートとの対から成る光電変換素子を、
アレイ状に並べマトリクス配線により駆動するイメージ
センサにおいて、前記二つの電極の一方か受光側電極で
あり、前記他方の電極かオーミックコンタクト用電極で
あり、前記受光側電極またはオーミックコンタクト用電
極の一方か７オトダイオートとブロッキングタイオート
との対で共通であり、前記フォトダイオードとプロツキ
ンクダオートか半導体層と受光側電極とのショットキー
接合により形成されることを特徴とするイメージセンサ
により、上記目的を達成した。
ン薄膜からなる半導体層および該半導体層を挟んで相対
する二つの′Ｎ、極とを有する、フォトタイオードとブ
ロッキングタイオートとの対から成る光電変換素子を、
アレイ状に並べマトリクス配線により駆動するイメージ
センサにおいて、前記二つの電極の一方か受光側電極で
あり、前記他方の電極かオーミックコンタクト用電極で
あり、前記受光側電極またはオーミックコンタクト用電
極の一方か７オトダイオートとブロッキングタイオート
との対で共通であり、前記フォトダイオードとプロツキ
ンクダオートか半導体層と受光側電極とのショットキー
接合により形成されることを特徴とするイメージセンサ
により、上記目的を達成した。
（実施例）
以下本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明によるマトリクス駆動形イメージセンサ
の一実施例の光電変換部の断面図、第２図は同光電変換
部の部分平面図である。
の一実施例の光電変換部の断面図、第２図は同光電変換
部の部分平面図である。
光電変換部の製造工程を説明すると、まずガラス基板ｌ
Ｏ上にスパッター法または真空蒸着法によりＣｒの下部
電極（オーミックコンタクト用電極）１１を約１０００
人厚に形成し、さらに連続してｎ０形アモルファスシリ
コン薄１１！１２ ａをＣＶＤ法て同しく約１０００人
厚に形成する。
Ｏ上にスパッター法または真空蒸着法によりＣｒの下部
電極（オーミックコンタクト用電極）１１を約１０００
人厚に形成し、さらに連続してｎ０形アモルファスシリ
コン薄１１！１２ ａをＣＶＤ法て同しく約１０００人
厚に形成する。
Ｃｒの他に、Ａ見、Ｔｉで形成してもよい。
また、ｎ＋形アモルファスシリコン薄膜の厚さは５００
Å以上であればよい。
Å以上であればよい。
その後筒１のマスクパターンでｎゝ形アモルファスシリ
コン薄膜１２ａとＣｒ下部電極１１をエツチングする。
コン薄膜１２ａとＣｒ下部電極１１をエツチングする。
このときｎ０形アモルファスシリコン薄Ｍ ｌ ２ ａ
のエツチングにはたとえばＣＦ、と０２の混合ガスのプ
ラズマが使われる。
のエツチングにはたとえばＣＦ、と０２の混合ガスのプ
ラズマが使われる。
またＣｒは第２セリウムアンモニウムと硝酸との混合液
などでエツチングてきる。
などでエツチングてきる。
次に蒸着マスクを使って必要な部分に約１ｇｍ厚のｉ形
アモルファスシリコン薄１１９１２ｂと約１０００人厚
のインジウム・すず酸化物（ＩＴｏ）の上部電極（受光
側電極）１３を連続して形成する。受光側電極の厚さは
５００〜２０００人てあればよい、最後にＩＴＯを第２
のマスクパターンによりエツチングする。ＩＴＯはたと
えば塩化第２鉄の水溶液と塩酸との混合液によりエツチ
ングできる。ｌ形アモルファスシリコン薄膜１２ｂはた
とえばブラスマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法により形成し、ＩＴＯは真空蒸着法、スパッタ
ー法などにより形成する。尚、アモルファスシリコン薄
膜の厚さは全体で、０．５〜２．０ｐｍであればよい。
アモルファスシリコン薄１１９１２ｂと約１０００人厚
のインジウム・すず酸化物（ＩＴｏ）の上部電極（受光
側電極）１３を連続して形成する。受光側電極の厚さは
５００〜２０００人てあればよい、最後にＩＴＯを第２
のマスクパターンによりエツチングする。ＩＴＯはたと
えば塩化第２鉄の水溶液と塩酸との混合液によりエツチ
ングできる。ｌ形アモルファスシリコン薄膜１２ｂはた
とえばブラスマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法により形成し、ＩＴＯは真空蒸着法、スパッタ
ー法などにより形成する。尚、アモルファスシリコン薄
膜の厚さは全体で、０．５〜２．０ｐｍであればよい。
こうして製造された光電変換部は、上方か受光側であり
、図のＡ部分で上部電極１３とｉ形アモルファスシリコ
ン薄Ｍ１２ｂとの間に形成されるショットキー接合によ
りフォトダイオードか形成され、図のＢの部分で上部電
極（オーミックコンタクト用電極）１３とｉ形アモルフ
ァスシリコン薄ＩＷ１２ｂとの間に形成されるショット
キー接合によりブロッキングダイオードか形成されると
ともに、下部電極１１とｎ＋形アモルファスシリコン薄
＄ １２ ａとの間にはオーミック接合か形成される。
、図のＡ部分で上部電極１３とｉ形アモルファスシリコ
ン薄Ｍ１２ｂとの間に形成されるショットキー接合によ
りフォトダイオードか形成され、図のＢの部分で上部電
極（オーミックコンタクト用電極）１３とｉ形アモルフ
ァスシリコン薄ＩＷ１２ｂとの間に形成されるショット
キー接合によりブロッキングダイオードか形成されると
ともに、下部電極１１とｎ＋形アモルファスシリコン薄
＄ １２ ａとの間にはオーミック接合か形成される。
本発明のアモルファスシリコン層は、複数またはすべて
のフォトタイオードおよびブロッキングダイオードで共
通とすることかできる。ｉ形アモルファスシリコン薄１
１９１２ｂは高い比抵抗を有するので、図のＣの部分で
はフォトダイオードとブロッキングダイオードとか絶縁
されて分離されることになり、また第２図かられかるよ
うに、隣接する画素どうしの間の領域りでもダイオード
とうしか絶縁されて分離されるため画素間の画像情報の
クロストークを防ぐことかできる。たとえば画素密度か
８画素／■朧の場合、第２図における下部電極１１のピ
ッチは１２５ルｍてあり、隣接するフォトダイオードの
間隔文、はおよそ１０〜３０ｇｍとなる。一方、下部電
極１１間の分離間隔交２は見、よりも大きければ充分な
絶縁か保てる。ブロッキングダイオードは通常遮光して
用いるので、ブロッキングダイオードへの遮光を容易に
するために交２は１〜５ｍｍ程度とするのか好ましい。
のフォトタイオードおよびブロッキングダイオードで共
通とすることかできる。ｉ形アモルファスシリコン薄１
１９１２ｂは高い比抵抗を有するので、図のＣの部分で
はフォトダイオードとブロッキングダイオードとか絶縁
されて分離されることになり、また第２図かられかるよ
うに、隣接する画素どうしの間の領域りでもダイオード
とうしか絶縁されて分離されるため画素間の画像情報の
クロストークを防ぐことかできる。たとえば画素密度か
８画素／■朧の場合、第２図における下部電極１１のピ
ッチは１２５ルｍてあり、隣接するフォトダイオードの
間隔文、はおよそ１０〜３０ｇｍとなる。一方、下部電
極１１間の分離間隔交２は見、よりも大きければ充分な
絶縁か保てる。ブロッキングダイオードは通常遮光して
用いるので、ブロッキングダイオードへの遮光を容易に
するために交２は１〜５ｍｍ程度とするのか好ましい。
第３図は隣接するフォトダイオード間隔文□が２５ｇｍ
のときの入射光による隣接画素間のリーク電流を示す、
実用的な駆動電圧範囲は５ｖまでなのて、実用的な使用
状態でのリーク電流は最大ても４ｐＡであり、第４図に
示すフォトタイオート素子の光電流約３００ｐＡに比べ
て充分小さいことかわかる。
のときの入射光による隣接画素間のリーク電流を示す、
実用的な駆動電圧範囲は５ｖまでなのて、実用的な使用
状態でのリーク電流は最大ても４ｐＡであり、第４図に
示すフォトタイオート素子の光電流約３００ｐＡに比べ
て充分小さいことかわかる。
また、ｉ形アモルファスシリコン薄１１９１２ｂは光電
変換部の全体に広がる大きなパターンになるのでフォト
レジスト工程により製造するのではなくて蒸着マスクな
どで代用できる。
変換部の全体に広がる大きなパターンになるのでフォト
レジスト工程により製造するのではなくて蒸着マスクな
どで代用できる。
第５図は本発明によるイメージセンサの他の実施例の光
電変換部の部分断面図を示す。
電変換部の部分断面図を示す。
この実施例はｆｊＳ１図に示した実施例と薄膜層の順序
を逆にしたものであり、第１図と同じ層に対しては同し
参照数字を示しである。すなわち、ガラス基板ｌＯ上に
インジウム・すず酸化膜（ＩＴＯ）から成る下部電極（
受光側電極）１４を形成した後ｉ形アモルファスシリコ
ンｆ１１膜１２ｂを形成し、その上に分離させてｎ＋形
アモルファスシリコン薄＠ １２ ａとＣ「の上部電極
１５を形成したものである。
を逆にしたものであり、第１図と同じ層に対しては同し
参照数字を示しである。すなわち、ガラス基板ｌＯ上に
インジウム・すず酸化膜（ＩＴＯ）から成る下部電極（
受光側電極）１４を形成した後ｉ形アモルファスシリコ
ンｆ１１膜１２ｂを形成し、その上に分離させてｎ＋形
アモルファスシリコン薄＠ １２ ａとＣ「の上部電極
１５を形成したものである。
この実施例の光電変換部はガラス基板１０上の側からの
入射光を受光するものであり、第１図の実施例と同し効
果か得られる。
入射光を受光するものであり、第１図の実施例と同し効
果か得られる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明においては、マトリクス駆
動形イメージセンサの光電変換部を構成するフォトダイ
オードとブロッキングタイオードをアモルファスシリコ
ン薄膜と受光側電極との間に形成されるショットキー接
合で形成したのて。
動形イメージセンサの光電変換部を構成するフォトダイ
オードとブロッキングタイオードをアモルファスシリコ
ン薄膜と受光側電極との間に形成されるショットキー接
合で形成したのて。
従来のｐｉｎ構造のアモルファスシリコン薄膜を用いた
イメージセンサの光電変換部のような絶縁層を必要とせ
ず、しかもマスク数が少なくてすむため製造工程か簡単
になりコスト低下が可能になる。また、アモルファスシ
リコン薄膜のパターンは大きいのでフォトレジスト工程
を用いずに蒸着マスクで代用でき、それによりフォトレ
ジスト工程数はさらに減少し、°製造工程を大幅に簡略
化することかできる。
イメージセンサの光電変換部のような絶縁層を必要とせ
ず、しかもマスク数が少なくてすむため製造工程か簡単
になりコスト低下が可能になる。また、アモルファスシ
リコン薄膜のパターンは大きいのでフォトレジスト工程
を用いずに蒸着マスクで代用でき、それによりフォトレ
ジスト工程数はさらに減少し、°製造工程を大幅に簡略
化することかできる。
第１図は本発明によるイメージセンサとしてのマトリク
ス駆動形イメージセンサの一実施例の光゛を変換部の部
分断面図、第２図は第１図に示したイメージセンサの光
電変換部の部分平面図、第３図は本発明によるイメージ
センサの光電変換部の隣接画素間のリーク電流を示すグ
ラフ、！＠４図は本発明によるイメージセンサの光電変
換部のフォトタイオード電流を示すグラフ、第５図は本
発明によるイメージセンサとしてのマトリクス駆動形イ
メージセンサの光電変換部の他の実施例の部分断面図、
第６図は従来のマトリクス駆動形イメージセンサの一例
の光電変換部の部分断面図、第７図は第６図に示した光
電変換部の部分平面図である。 １０・・・ガラス基板、１１．１４−・・下部電極、１
２ ａ−・・ｎ１形アモルファスシリコン薄膜、１２ｂ
−・・ｉ形アモルファスシリコン薄膜、１３゜１５・・
・上部電極
ス駆動形イメージセンサの一実施例の光゛を変換部の部
分断面図、第２図は第１図に示したイメージセンサの光
電変換部の部分平面図、第３図は本発明によるイメージ
センサの光電変換部の隣接画素間のリーク電流を示すグ
ラフ、！＠４図は本発明によるイメージセンサの光電変
換部のフォトタイオード電流を示すグラフ、第５図は本
発明によるイメージセンサとしてのマトリクス駆動形イ
メージセンサの光電変換部の他の実施例の部分断面図、
第６図は従来のマトリクス駆動形イメージセンサの一例
の光電変換部の部分断面図、第７図は第６図に示した光
電変換部の部分平面図である。 １０・・・ガラス基板、１１．１４−・・下部電極、１
２ ａ−・・ｎ１形アモルファスシリコン薄膜、１２ｂ
−・・ｉ形アモルファスシリコン薄膜、１３゜１５・・
・上部電極
Claims (2)
- （１）同一の基板上にそれぞれアモルファスシリコン薄
膜からなる半導体層および該半導体層を挟んで相対する
二つの電極とを有する、フォトダイオードとブロッキン
グダイオードとの対から成る光電変換素子を、アレイ状
に並べマトリクス配線により駆動するイメージセンサに
おいて、前記二つの電極の一方が受光側電極であり、前
記他方の電極がオーミックコンタクト用電極であり、前
記受光側電極またはオーミックコンタクト用電極の一方
がフォトダイオードとブロッキングダイオードとの対で
共通であり、前記フォトダイオードとブロッキングダオ
ードが半導体層と受光側電極とのショットキー接合によ
り形成されることを特徴とするイメージセンサ。 - （２）前記フォトダイオードとブロッキングダイオード
を形成するアモルファスシリコン薄膜がｉ形アモルファ
スシリコン薄膜とｎ＾＋形アモルファスシリコン薄膜と
から成り、前記受光側電極かｉ形アモルファスシリコン
薄膜と接合し、ｎ＾＋形アモルファスシリコン薄膜が少
なくとも隣接する光電変換素子間で分離されている請求
項１に記載のイメージセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9576488 | 1988-04-20 | ||
| JP63-95764 | 1988-04-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228372A true JPH0228372A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=14146554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1089773A Pending JPH0228372A (ja) | 1988-04-20 | 1989-04-11 | イメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5083171A (ja) |
| JP (1) | JPH0228372A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2701726B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR100263474B1 (ko) * | 1998-01-16 | 2000-08-01 | 김영환 | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 |
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1989
- 1989-04-11 JP JP1089773A patent/JPH0228372A/ja active Pending
-
1990
- 1990-05-29 US US07/534,320 patent/US5083171A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5083171A (en) | 1992-01-21 |
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