KR100263474B1 - 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 노이즈(Noise) 전하를 금속 차광층에서 소멸시키고 포토 다이오드(Photo Diode)상의 게이트 절연막을 제거하여 스미어(Smear) 현상의 발생과 노이즈 전하의 포토 다이오드 유입을 방지하여 소자의 특성을 향상시키기 위한 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법은 반도체 기판에 다수 개의 광전 변환 소자를 매트릭스 형태로 형성하고, 상기 광전 변환 소자 사이의 반도체 기판에 다수 개의 전하 전송 영역을 일방향으로 형성하고, 상기 각 광전 변환 소자를 제외한 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막상에 트랜스퍼 게이트를 형성하고, 상기 트랜스퍼 게이트를 포함한 게이트 절연막상에 제 1 절연막 형성하고, 상기 제 1 절연막을 포함한 각 광전 변환 소자 측면상에 상기 각 광전 변환 소자와 전기적으로 연결된 차광층을 형성하며, 상기 각 광전 변환 소자를 포함한 차광층상에 제 2 절연막을 형성하는 것을 포함함을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 스미어(Smear) 현상의 발생과 노이즈(Noise) 전하의 포토다이오드(Photo Diode) 유입을 방지하여 소자의 특성을 향상시키는 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 일반적인 고체 촬상 소자를 나타낸 레이 아웃도이고, 도 2는 종래의 고체 촬상 소자를 나타낸 구조 단면도이며, 도 3a 내지 도 3f는 종래의 고체 촬상 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
일반적으로 고체 촬상 소자는 도 1에서와 같이, 빛의 신호를 전기적인 영상전하 신호로 변환하는 복수 개의 포토 다이오드 영역(300)과, 상기 포토 다이오드(300)에 의해 형성되는 영상 전하를 수직 방향으로 전송하기 위한 수직 전하 전송 영역(400)과, 상기 수직 전하 전송 영역(400)에 의해 수직 방향으로 전송된 영상 전하를 수평 방향으로 전송하기 위한 수평 전하 전송 영역(500)과, 상기 수평 전하 전송 영역(500)에 의해 수평 방향으로 전송된 영상 신호 전하를 센싱하는 센싱 앰프(600)를 포함하여 구성된다.
종래의 고체 촬상 소자는 도 2에서와 같이, n형이며 광전 변환 영역이 정의된 반도체 기판(11) 표면내에 형성되는 p형 웰(12), 상기 광전 변환 영역의 p형 웰(12) 표면내에 PD-N 영역(13)과 PD-P 영역(19)으로 형성되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하는 포토 다이오드, 상기 포토 다이오드가 형성되지 않은 p형 웰(12) 표면내에 형성되는 수직 전하 전송 영역(14), 상기 포토 다이오드 일측과 수직 전하 전송 영역(14) 사이를 제외한 상기 포토 다이오드 둘레의 p형 웰(12) 표면내에 형성되는 채널 스톱(Channel Stop)층(15), 상기 수직 전하 전송 영역(14) 및 포토 다이오드를 포함한 반도체 기판(11)상에 형성되는 게이트 절연막(16), 상기 포토 다이오드를 제외한 게이트 절연막(16)상에 형성되는 트랜스퍼 게이트(Transfer Gate)(17), 상기 트랜스퍼 게이트(17) 표면상에 형성되는 제 1 절연막(18), 상기 제 1 절연막(18)을 포함한 게이트 절연막(16)상에 형성되는 제 2 절연막(20), 상기 포토 다이오드를 제외한 상기 제 2 절연막(20)상에 형성되는 금속 차광층(21)과, 상기 제 2 절연막(20)을 포함한 금속 차광층(21)상에 형성되는 제 3 절연막(22)으로 구성된다.
그리고, 종래의 고체 촬상 소자의 제조 방법은 도 3a에서와 같이, n형이며 광전 변환 영역이 정의된 반도체 기판(11) 표면내의 소정 영역에 선택적으로 p형 불순물 이온을 주입하고, 드라이브-인 확산하므로써 p형 웰(12)을 형성한다.
도 3b에서와 같이, 상기 광전 변환 영역의 p형 웰(12) 표면내에 n형 불순물 이온을 주입하고, 드라이브-인 확산하므로써 PD-N 영역(13)을 형성한다.
그리고, 상기 PD-N 영역(13)이 형성되지 않은 p형 웰(12) 표면내에 고농도 n형 불순물 이온을 주입하고, 드라이브-인 확산하므로써 수직 전하 전송 영역(14)을 형성한다.
도 3c에서와 같이, 상기 PD-N 영역(13) 일측과 수직 전하 전송 영역(14) 사이를 제외한 상기 PD-N 영역(13) 둘레의 p형 웰(12) 표면내에 상기 PD-N 영역(13)보다 낮은 에너지로 고농도 p형 불순물 이온을 주입하고, 드라이브-인 확산하므로써 채널 스톱층(15)을 형성한다.
그리고, 상기 수직 전하 전송 영역(14) 및 채널 스톱층(15)이 형성된 반도체 기판(11)의 전면에 게이트 절연막(16)을 형성한다.
도 3d에서와 같이, 상기 게이트 절연막(16)상에 다결정 실리콘과 제 1 감광막을 차례로 형성하고, 상기 제 1 감광막을 상기 수직 전하 전송 영역(14) 상측에만 남도록 선택적으로 노광 및 현상한다.
이어, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 제 1 감광막을 마스크로 상기 다결정 실리콘을 선택적으로 식각하여 트랜스퍼 게이트(17)를 형성한 후, 상기 제 1 감광막을 제거한다.
그리고, 전면의 열산화 공정으로 상기 트랜스퍼 게이트(17) 표면상에 제 2 절연막(18)을 성장시킨다.
도 3e에서와 같이, 상기 광전 변환 영역의 p형 웰(12) 표면내에 상기 채널 스톱층(15)보다 낮은 에너지로 고농도 p형 불순물 이온을 주입하고, 드라이브-인 확산하므로써 두께가 얇은 PD-P 영역(19)을 형성한다.
여기서, 상기 PD-N 영역(13)과 PD-P 영역(19)으로 이루어진 포토 다이오드가 형성된다.
그리고, 상기 제 2 절연막(18)을 포함한 전면에 차례로 제 3 절연막(20)과 금속 차광층(21)을 형성한다.
도 3f에서와 같이, 상기 금속 차광층(21)상에 제 2 감광막을 도포하고, 상기 제 2 감광막을 상기 포토 다이오드 상측에만 제거되도록 선택적으로 노광 및 현상한다.
이어, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 제 2 감광막을 마스크로 상기 금속 차광층(21)을 식각한 다음, 상기 제 2 감광막을 제거한다.
그리고, 상기 선택적으로 식각된 금속 차광층(21)을 포함한 전면에 제 3 절연막(22)을 형성한다.
상기와 같은 종래의 고체 촬상 소자의 동작 설명은 다음과 같다.
종래의 고체 촬상 소자는 상기 포토 다이오드에서 축적된 신호 전하가 상기 트랜스퍼 게이트(17)에 인가되는 클럭 신호에 의해 상기 수직 전하 전송 영역(14)으로 트랜스퍼되어 수직 방향으로 이동되게 된다.
그리고, 정공은 상기 PD-P 영역(19)에서 소멸된다.
상기 PD-N 영역(13)은 원래 플로우팅되어 있는데 상기 트랜스퍼 게이트(17)에 하이(High) 클럭 신호가 인가되면 상기 PD-N 영역(13)의 신호 전하가 상기 수직 전하 전송 영역(14)으로 트랜스퍼되어 전자를 모두 잃어버렸기 때문에 상기 PD-N 영역(13)은 핀치 오프(Pinchoff)상태가 된다.
상기와 같은 핀치 오프 상태에서 다시 신호 전하가 발생하면 상기 PD-N 영역(13)의 전위가 올라가지만 상기 p형 웰(12)의 Vsdl(saddle potential)이상 올라가지 못한다.
그리고, 상기 수직 전하 전송 영역(14)은 상기 PD-N 영역(13)의 핀치 오프 전위에 상기 트랜스퍼 게이트(17)의 전압이 더해지므로 상당히 높은 전위가 된다.
이때, 상기 트랜스퍼 게이트(17)에는 높은 전압이 인가되는데, 이는 소자가 딥 디플리션 모드(Deep Depletion Mode)로 동작하기 때문이다.
그러나 종래의 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 포토 다이오드 표면이 공정중에 손상 또는 중금속 오염되면 노이즈 전하가 발생되어 상기 포토 다이오드로 유입된다.
둘째, 포토 다이오드를 포함한 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하므로, 입사광이 상기 게이트 절연막을 통하여 수직 전하 전송 영역으로 직접 유입되어 스미어(Smear) 현상이 발생된다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 노이즈 전하를 금속 차광층에서 소멸시키고 포토 다이오드상의 게이트 절연막을 제거하여 스미어 현상의 발생과 노이즈 전하의 포토 다이오드 유입을 방지하여 소자의 특성을 향상시키는 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 고체 촬상 소자를 나타낸 레이 아웃도
도 2는 종래의 고체 촬상 소자를 나타낸 구조 단면도
도 3a 내지 도 3f는 종래의 고체 촬상 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 고체 촬상 소자를 나타낸 구조 단면도
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 실시예에 따른 고체 촬상 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31: 반도체 기판 32: p형 웰
33: PD-N 영역 34: 수직 전하 전송 영역
35: 채널 스톱층 36: 게이트 절연막
37: 트랜스퍼 게이트 38: 제 1 절연막
39: PD-P 영역 40: 제 2 절연막
41: 금속 차광층 42: 제 3 절연막
본 발명의 고체 촬상 소자는 반도체 기판, 상기 반도체 기판에 매트릭스 형태로 배열되는 다수 개의 광전 변환 소자, 상기 광전 변환 소자 사이의 반도체 기판에 일방향으로 형성되는 다수 개의 전하 전송 영역, 상기 각 광전 변환 소자를 제외한 반도체 기판상에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막상에 형성되는 트랜스퍼 게이트, 상기 트랜스퍼 게이트를 포함한 게이트 절연막상에 형성되는 제 1 절연막, 상기 제 1 절연막을 포함한 각 광전 변환 소자 측면상에 형성되며 상기 각 광전 변환 소자와 전기적으로 연결된 차광층과, 상기 각 광전 변환 소자를 포함한 차광층상에 형성되는 제 2 절연막을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
그리고 본 발명의 고체 촬상 소자의 제조 방법은 제 1 도전형이며 광전 변환 영역이 정의된 반도체 기판을 마련하는 단계, 상기 반도체 기판 표면내에 제 2 도전형 웰을 형성하는 단계, 상기 광전 변환 영역의 제 2 도전형 웰 표면내에 다수 개의 제 1 도전형 제 1 불순물 영역을 형성하는 단계, 상기 각 제 1 도전형 제 1 불순물 영역이 형성되지 않은 제 2 도전형 웰 표면내에 다수 개의 전하 전송 영역을 형성하는 단계, 상기 전하 전송 영역들을 포함한 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 각 전하 전송 영역 상측의 게이트 절연막상에 트랜스퍼 게이트를 형성하는 단계, 상기 각 트랜스퍼 게이트 표면상에 제 1 절연막을 형성하는 단계, 상기 제 1 절연막을 포함한 게이트 절연막상에 제 2 절연막을 형성하는 단계, 상기 광전 변환 영역의 제 2 도전형 웰 표면내에 상기 각 제 1 도전형 제 1 불순물 영역을 포함한 다수 개의 광전 변환 소자를 형성하는 단계, 상기 각 광전 변환 소자 상측의 제 2 절연막과 게이트 절연막을 제거하는 단계, 상기 제 1, 제 2 절연막을 포함한 각 광전 변환 소자 측면상에 상기 각 광전 변환 소자와 전기적으로 연결된 차광층을 형성하는 단계와, 상기 각 광전 변환 소자를 포함한 차광층상에 제 3 절연막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 고체 촬상 소자를 나타낸 구조 단면도이고, 도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 실시예에 따른 고체 촬상 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 고체 촬상 소자는 도 4에서와 같이, n형이며 광전 변환 영역이 정의된 반도체 기판(31) 표면내에 형성되는 p형 웰(32), 상기 광전 변환 영역의 p형 웰(32) 표면내에 PD-N 영역(33)과 PD-P 영역(39)으로 형성되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하는 포토 다이오드, 상기 포토 다이오드가 형성되지 않은 p형 웰(32) 표면내에 형성되는 수직 전하 전송 영역(34), 상기 포토 다이오드 일측과 수직 전하 전송 영역(34) 사이를 제외한 상기 PD-N 영역(33) 둘레의 p형 웰(32) 표면내에 형성되는 채널 스톱층(35), 상기 포토 다이오드를 제외한 반도체 기판(31)상에 형성되는 게이트 절연막(36), 상기 게이트 절연막(36)상에 형성되는 트랜스퍼 게이트(37), 상기 트랜스퍼 게이트(37) 표면상에 형성되는 제 1 절연막(38), 상기 트랜스퍼 게이트(37) 양측의 게이트 절연막(36)상에 형성되는 제 2 절연막(40), 상기 제 1, 제 2 절연막(38,40)을 포함한 포토 다이오드 측면상에 형성되며 상기 포토 다이오드와 전기적으로 연결된 금속 차광층(41)과, 상기 포토 다이오드를 포함한 금속 차광층(41)상에 형성되는 제 3 절연막(42)으로 구성된다.
그리고 본 발명의 실시예에 따른 고체 촬상 소자의 제조 방법은 도 5a에서와 같이, n형이며 광전 변환 영역이 정의된 반도체 기판(31) 소정 영역의 표면내에 선택적으로 p형 불순물 이온을 주입하고, 드라이브-인 확산하므로써 p형 웰(32)을 형성한다.
도 5b에서와 같이, 상기 광전 변환 영역의 p형 웰(32) 표면내에 n형 불순물 이온을 주입하고, 드라이브-인 확산하므로써 PD-N 영역(33)을 형성한다.
그리고, 상기 PD-N 영역(33)이 형성되지 않은 p형 웰(32) 표면내에 고농도 n형 불순물 이온을 주입하고, 드라이브-인 확산하므로써 수직 전하 전송 영역(34)을 형성한다.
도 5c에서와 같이, 상기 각 PD-N 영역(33) 일측과 수직 전하 전송 영역(34) 사이를 제외한 상기 각 PD-N 영역(33) 둘레의 p형 웰(32) 표면내에 상기 PD-N 영역(33)보다 낮은 에너지로 고농도 p형 불순물 이온을 주입하고, 드라이브-인 확산하므로써 채널 스톱층(35)을 형성한다.
그리고, 상기 수직 전하 전송 영역(34) 및 채널 스톱층(35)이 형성된 반도체 기판(31)의 전면에 게이트 절연막(36)을 형성한다.
도 5d에서와 같이, 상기 게이트 절연막(36)상에 다결정 실리콘과 제 1 감광막을 차례로 형성하고, 상기 제 1 감광막을 상기 수직 전하 전송 영역(34) 상측에만 남도록 선택적으로 노광 및 현상한다.
이어, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 제 1 감광막을 마스크로 상기 다결정 실리콘을 선택적으로 식각하여 트랜스퍼 게이트(37)를 형성한 후, 상기 제 1 감광막을 제거한다.
그리고, 상기 트랜스퍼 게이트(37)를 포함한 전면의 열산화 공정으로 상기 트랜스퍼 게이트(37) 표면상에 제 1 절연막(38)을 성장시킨다.
도 5e에서와 같이, 상기 광전 변환 영역의 p형 웰(32) 표면내에 상기 채널 스톱층(35)보다 낮은 에너지로 고농도 p형 불순물 이온을 주입하고, 드라이브-인 확산하므로써 두께가 얇은 PD-P 영역(39)을 형성한다.
여기서, 상기 PD-N 영역(33)과 PD-P 영역(39)으로 이루어진 포토 다이오드가 형성된다.
그리고, 상기 제 1 절연막(38)을 포함한 게이트 절연막(36)상에 제 2 절연막(40)을 형성한다.
도 5f에서와 같이, 상기 제 2 절연막(40)과 게이트 절연막(36)을 차례로 에치백 공정을 하여 상기 포토 다이오드 상측의 제 2 절연막(40)과 게이트 절연막(36)을 제거한다.
여기서, 상기 포토 다이오드 상측의 제 2 절연막(40)과 게이트 절연막(36)을 제거하기 위하여 상기 제 2 절연막(40)상에 감광막을 도포하고, 상기 감광막을 상기 포토 다이오드 상측에만 제거되도록 선택적으로 노광 및 현상한다.
이어, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 감광막을 마스크로 상기 제 2 절연막(40)과 게이트 절연막(36)을 선택적으로 식각하는 공정도 같은 결과를 얻는다.
도 5g에서와 같이, 상기 제 2 절연막(40)을 포함한 전면에 차례로 금속 차광층(41)과 제 2 감광막을 형성하고, 상기 제 2 감광막을 상기 포토 다이오드 양측면을 제외한 포토 다이오드 상측에만 제거되도록 선택적으로 노광 및 현상한다.
이어, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 제 2 감광막을 마스크로 상기 금속 차광층(41)을 식각한 다음, 상기 제 2 감광막을 제거한다.
그리고, 상기 선택적으로 식각된 금속 차광층(41)을 포함한 전면에 제 3 절연막(42)을 형성한다.
여기서, 상기 금속 차광층(41)을 접지 단자(도시하지 않음)에 연결하거나 출력 게이트(도시하지 않음)와 연결한다.
또는 0 ~ 양의 전압이 상기 금속 차광층(41)에 인가되도록 상기 금속 차광층(40)을 접지 단자에 연결하고 상기 금속 차광층(41)과 상기 접지 단자 사이에 인버터(도시하지 않음)를 구성한다.
상기와 같은 본 발명의 실시예에 따른 고체 촬상 소자의 동작은 다음과 같다.
본 발명의 실시예에 따른 고체 촬상 소자는 상기 포토 다이오드에서 축적된 신호 전하가 상기 트랜스퍼 게이트(37)에 인가되는 클럭 신호에 의해 상기 수직 전하 전송 영역(34)으로 트랜스퍼되어 수직 방향으로 이동되게 된다.
그리고, 정공 또는 포토 다이오드 표면에 발생하는 노이즈 전하는 접지 단자나 출력 게이트와 연결되거나 또는 0 ~ 양의 전압이 인가되며 상기 PD-P 영역(39)과 연결된 금속 차광층(41)에서 소멸된다.
여기서, 상기 포토 다이오드상의 게이트 절연막(36)이 제거되었으므로, 입사광이 상기 게이트 절연막(36)을 통하여 수직 전하 전송 영역(34)으로 직접 유입되지 못한다.
상기 PD-N 영역(33)은 원래 플로우팅되어 있는데 상기 트랜스퍼 게이트(37)에 하이 클럭 신호가 인가되면 상기 PD-N 영역(33)의 신호 전하가 상기 수직 전하 전송 영역(34)으로 트랜스퍼되어 전자를 모두 잃어버렸기 때문에 상기 PD-N 영역(33)은 핀치 오프상태가 된다.
상기와 같은 핀치 오프 상태에서 다시 신호 전하가 발생하면 상기 PD-N 영역(33)의 전위가 올라가지만 상기 p형 웰(32)의 Vsdl이상 올라가지 못한다.
그리고, 상기 수직 전하 전송 영역(34)은 상기 PD-N 영역(33)의 핀치 오프 전위에 트랜스퍼 게이트(37)의 전압이 더해지므로 상당히 높은 전위가 된다.
이때, 상기 트랜스퍼 게이트(37)에는 높은 전압이 인가되는데, 이는 소자가 딥 디플리션 모드로 동작하기 때문이다.
본 발명의 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법은 접지 단자에 연결되거나 출력 게이트에 연결되고 또는 0 ~ 양의 전압이 인가된 금속 차광층을 상기 포토 다이오드와 전기적으로 연결시키므로 포토 다이오드 표면이 공정중에 손상 또는 중금속 오염에 의해 노이즈 전하가 발생되어도 상기 금속 차광층에서 소멸되어 상기 노이즈 전하가 상기 포토 다이오드로 유입되지 못하고, 광전 변환 영역을 제외한 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하므로 입사광이 수직 전하 전송 영역으로 직접 유입되지 못하여 스미어 현상의 발생을 방지하므로 소자의 특성을 향상시키는 효과가 있다.
Claims (8)
- 반도체 기판;상기 반도체 기판에 매트릭스 형태로 배열되는 다수 개의 광전 변환 소자;상기 광전 변환 소자 사이의 반도체 기판에 일방향으로 형성되는 다수 개의 전하 전송 영역;상기 각 광전 변환 소자를 제외한 반도체 기판상에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막상에 형성되는 트랜스퍼 게이트;상기 트랜스퍼 게이트를 포함한 게이트 절연막상에 형성되는 제 1 절연막;상기 제 1 절연막을 포함한 각 광전 변환 소자 측면상에 형성되며 상기 각 광전 변환 소자와 전기적으로 연결된 차광층;상기 각 광전 변환 소자를 포함한 차광층상에 형성되는 제 2 절연막을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
- 상기 제 1 항에 있어서,상기 차광층은 접지 단자와 연결됨을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
- 상기 제 1 항에 있어서,상기 차광층은 출력 게이트와 연결됨을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
- 상기 제 1 항에 있어서,상기 차광층에 0 ~ 양의 전압이 인가됨을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
- 제 1 도전형이며 광전 변환 영역이 정의된 반도체 기판을 마련하는 단계;상기 반도체 기판 표면내에 제 2 도전형 웰을 형성하는 단계;상기 광전 변환 영역의 제 2 도전형 웰 표면내에 다수 개의 제 1 도전형 제 1 불순물 영역을 형성하는 단계;상기 각 제 1 도전형 제 1 불순물 영역이 형성되지 않은 제 2 도전형 웰 표면내에 다수 개의 전하 전송 영역을 형성하는 단계;상기 전하 전송 영역들을 포함한 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 각 전하 전송 영역 상측의 게이트 절연막상에 트랜스퍼 게이트를 형성하는 단계;상기 각 트랜스퍼 게이트 표면상에 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막을 포함한 게이트 절연막상에 제 2 절연막을 형성하는 단계;상기 광전 변환 영역의 제 2 도전형 웰 표면내에 상기 각 제 1 도전형 제 1 불순물 영역을 포함한 다수 개의 광전 변환 소자를 형성하는 단계;상기 각 광전 변환 소자 상측의 제 2 절연막과 게이트 절연막을 제거하는 단계;상기 제 1, 제 2 절연막을 포함한 각 광전 변환 소자 측면상에 상기 각 광전 변환 소자와 전기적으로 연결된 차광층을 형성하는 단계;상기 각 광전 변환 소자를 포함한 차광층상에 제 3 절연막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조 방법.
- 상기 제 5 항에 있어서,상기 차광층을 접지 단자와 연결함을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조 방법.
- 상기 제 5 항에 있어서,상기 차광층을 출력 게이트와 연결함을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조 방법.
- 상기 제 5 항에 있어서,상기 차광층에 0 ~ 양의 전압을 인가시킴을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조 방법.
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