JP4247235B2 - 固体撮像装置およびその駆動方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の構造を示す模式図である。この固体撮像装置は、複数の光電変換部309がマトリックス状に配置され、各光電変換部列に対応するように、光電変換部309からの信号電荷を垂直方向に転送するためのCCD構造の垂直転送レジスタ312が配置されている(以下、この領域を「撮像領域」という。)。更に、各垂直転送レジスタ312の端部に接続するように、垂直転送レジスタ312からの信号電荷を水平方向に転送するCCD構造の水平転送レジスタ341が配置され、水平転送レジスタ341の終段に出力部342が配置されている。なお、図中の340は一画素を示す。
本実施形態に係る固体撮像装置においては、第1の実施形態と同様に、光電変換部および垂直転送レジスタにより撮像領域が形成され、撮像領域の周辺に水平転送レジスタおよび出力部が配置されている。
本実施形態に係る固体撮像装置においては、第1の実施形態と同様に、光電変換部および垂直転送レジスタにより撮像領域が形成され、撮像領域の周辺に水平転送レジスタおよび出力部が配置されている。
本実施形態に係る固体撮像装置においては、第1の実施形態と同様に、光電変換部および垂直転送レジスタにより撮像領域が形成され、撮像領域の周辺に水平転送レジスタおよび出力部が配置されている。
102、302、402 P-型ウェル領域
103、303、403 N型光電変換領域
104、304、404 N型転送チャネル領域
105、305、405 P型読み出し領域
106、306、406 P+型チャネルストップ領域
107、307、407 P++型正孔蓄積領域
108、308、408 P型ウェル領域
109、309、409 光電変換部
110、310、410 ゲート絶縁膜
111、311、411 転送電極
112、312、412 垂直転送レジスタ
113、313、413 第1層間絶縁膜
114、314、414 第2層間絶縁膜
115、315、415 遮光膜
116、316、416 開口
117、317、417 保護膜
118、318、418 平坦化膜
119、319、419 カラーフィルタ層
120、320、420 マイクロレンズ
321 透明導電膜
322、422 信号電荷
323、423 表面拡散電流
324、424 読み出し経路
325、425 P++型領域とN型転送チャネル領域の間隔
327 転送電極と遮光膜の隙間
328 遮光膜とシリコン基板の隙間
329、429 P++型蓄積領域
330、430 P型不純物領域
331、431 P++型蓄積領域
432 フォトレジスト
433 側壁
340 画素
341 水平転送レジスタ
342 出力部
Claims (2)
- 第1導電型半導体基板内に形成された第2導電型光電変換領域と、前記第2導電型光電変換領域と隣接するように、前記基板内に形成された転送チャネル領域と、前記基板の前記第2導電型光電変換領域と隣接する領域上にゲート絶縁膜を介して形成された電極と、前記第2導電型光電変換領域の端部を含む領域および前記電極の上方に層間絶縁膜を介して形成され、且つ、前記第2導電型光電変換領域の前記端部を除く領域の上方に開口を有する導電性遮光膜と、前記第2導電型光電変換領域の前記端部を除く領域の表層部に形成された不純物拡散領域である高濃度第1導電型半導体領域と、前記第2導電型光電変換領域の前記端部を含む領域の表層部に形成された低濃度第1導電型半導体領域と、前記導電性遮光膜に所定の電圧を印加するための電圧印加手段を備え、
前記電圧印加手段から前記導電性遮光膜に一の極性の電圧が印加されることによって、前記低濃度第1導電型半導体領域の表層部に前記低濃度第1導電型半導体領域よりも高濃度のキャリア発生領域である第1導電型蓄積領域が形成されることを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1に記載の固体撮像装置の駆動方法であって、前記第2導電型光電変換領域において光電変換により発生した信号電荷を蓄積し、前記転送チャネル領域において信号電荷を転送するステップと、蓄積された前記信号電荷を前記転送チャネル領域に読み出すステップとを含み、
前記第2導電型光電変換領域に前記信号電荷を蓄積し、前記転送チャネル領域において前記信号電荷を転送するステップにおいては、前記電圧印加手段から前記導電性遮光膜に一の極性の電圧を印加し、
前記信号電荷を前記転送チャネル領域に読み出すステップにおいては、前記電圧印加手段から前記導電性遮光膜に0Vまたは前記一の極性と逆極性の電圧を印加することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
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