JPS5955012A - アモルフアスシリコン半導体材料用基板 - Google Patents
アモルフアスシリコン半導体材料用基板Info
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- JPS5955012A JPS5955012A JP57166161A JP16616182A JPS5955012A JP S5955012 A JPS5955012 A JP S5955012A JP 57166161 A JP57166161 A JP 57166161A JP 16616182 A JP16616182 A JP 16616182A JP S5955012 A JPS5955012 A JP S5955012A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プモレレアスシリコン半一体材料用永板に関
するもあである。詳しくハ、安価で、陰性に肴利モシh
−も、短絡−流値ごエネシギーi換効亀の向上されたア
モシシアスシリコン車i体材料、酷に、太陽電池を4晃
る半導体材料用基板に関するものである。
するもあである。詳しくハ、安価で、陰性に肴利モシh
−も、短絡−流値ごエネシギーi換効亀の向上されたア
モシシアスシリコン車i体材料、酷に、太陽電池を4晃
る半導体材料用基板に関するものである。
:tモルファスシリコレ(以下r=−日1′」という。
)を利用した半導体材料とし−ci=、光セン讐、スイ
ッチ−子、画像デバイス等力鳴られている。特に、a−
siの光起電力効果を1u用して光を蝋気エネルギーに
変換する二所謂すa−L81太陽電池は、電卓、時計等
の純生用品J或いは、太陽光発電等の産業用品に使用き
れていることは広く知ら庇ているXころである。
ッチ−子、画像デバイス等力鳴られている。特に、a−
siの光起電力効果を1u用して光を蝋気エネルギーに
変換する二所謂すa−L81太陽電池は、電卓、時計等
の純生用品J或いは、太陽光発電等の産業用品に使用き
れていることは広く知ら庇ているXころである。
しかし、従来の太陽電池はコストが高く、特に、太陽光
発電の様な大面積を要するようなシステムへの適用には
、更に低コ弐トイヒバ望まれている。
発電の様な大面積を要するようなシステムへの適用には
、更に低コ弐トイヒバ望まれている。
従来;太陽電池は、例えば、ステンし亥等の基板上にモ
ノシラン(SiH4)をグロー放電により分解してa−
Siを瑞積させ、次に、その上にSnO2等ゆ透明導電
層、或いは、白金等のシヨツトキー障壁層を設け、更に
その上に電極層を設は表戸と漬によって製造されている
。
ノシラン(SiH4)をグロー放電により分解してa−
Siを瑞積させ、次に、その上にSnO2等ゆ透明導電
層、或いは、白金等のシヨツトキー障壁層を設け、更に
その上に電極層を設は表戸と漬によって製造されている
。
通常、a−Si層は1μm程度の薄層として使用される
。その弛め!基板め袈面に傷や突起などがあると、ビン
ポーシ発生の原因となり、上部電極と基板とが短絡して
光電特性の低下を招来する。従って、基板の表面は、そ
の様な欠陥のない平滑性の良好な状態、即ち、鏡面状態
に研磨処理する必要がある。
。その弛め!基板め袈面に傷や突起などがあると、ビン
ポーシ発生の原因となり、上部電極と基板とが短絡して
光電特性の低下を招来する。従って、基板の表面は、そ
の様な欠陥のない平滑性の良好な状態、即ち、鏡面状態
に研磨処理する必要がある。
しかし、この研磨処理はJ基嫌の平行度の維持、研時め
示の除去、研磨材の選択など技術的d困難艙i(多く、
歩留りも襄いので、所期の鏡興状態を樽る(は部間、]
スト共に多大となる。
示の除去、研磨材の選択など技術的d困難艙i(多く、
歩留りも襄いので、所期の鏡興状態を樽る(は部間、]
スト共に多大となる。
かかる点を改良するために.禅来、ネティレス基板上に
Sno2、SnO2とIn2O3等を真空蒸着、スパッ
タリング或いは化学蒸着により設けることか提案されて
いる(特開昭56−49871)。
Sno2、SnO2とIn2O3等を真空蒸着、スパッ
タリング或いは化学蒸着により設けることか提案されて
いる(特開昭56−49871)。
しかし、基板上に金属を蒸着する場合、平坦な面を形成
するためには、層を非常に厚く設けなければならないし
、又、得られる太陽電池の特性、例えば、短絡電流惇が
、未だ士本ではなく1更に改良が望まれていた。
するためには、層を非常に厚く設けなければならないし
、又、得られる太陽電池の特性、例えば、短絡電流惇が
、未だ士本ではなく1更に改良が望まれていた。
本発明者等は、上記の点に留意し二安価でしかも短絡電
流値等の特性の改良された半導体材料を与える基板につ
いて鋭意検討した結果、金属基板の六回を二ツケレ、ク
ロム等の金早又は合金で電気メツキ処理すれば、所期の
目的が達成されることを見い出じJ本発明を完成するに
到った。
流値等の特性の改良された半導体材料を与える基板につ
いて鋭意検討した結果、金属基板の六回を二ツケレ、ク
ロム等の金早又は合金で電気メツキ処理すれば、所期の
目的が達成されることを見い出じJ本発明を完成するに
到った。
すなわち、本発明の#雪は、金−基板あ表面″、電気メ
ツキ処理たより金属又は合金膜を設けたことを特徴とす
るア=〜ファスシリ・ン半導体材料用基板に存する。
ツキ処理たより金属又は合金膜を設けたことを特徴とす
るア=〜ファスシリ・ン半導体材料用基板に存する。
以下本発明を詳細に説明するに、本発明の金属基板とし
ては、公知の種々9ものが使男できる。具体的には、例
えば、アV?ニウム板、銅板、ステンレス板等が好!に
使用できる。
ては、公知の種々9ものが使男できる。具体的には、例
えば、アV?ニウム板、銅板、ステンレス板等が好!に
使用できる。
金属基板の表面は平滑であるこ仁が叶ましい力.本発明
に押いては、徒歩の半うなη力の費る表面研磨¥特に行
わなくとも、遵掌の製造方法によって得やれる金纂板奪
有促に響世すやことができる。眸?て5例えば、ロール
感型によりフイシム状竺形成さ朴た金属契を引続ぎ盗の
電気メツキ処理、半導体層形成を連続的に行うことが可
能であり、営産化慢容褐である。
に押いては、徒歩の半うなη力の費る表面研磨¥特に行
わなくとも、遵掌の製造方法によって得やれる金纂板奪
有促に響世すやことができる。眸?て5例えば、ロール
感型によりフイシム状竺形成さ朴た金属契を引続ぎ盗の
電気メツキ処理、半導体層形成を連続的に行うことが可
能であり、営産化慢容褐である。
金属基板の表面は、祖さとうねりや最大値(R+W)m
hxが1μm昼下、好ましくは、0.5κm以下、特に
好ましくは、0.4μm昇下のものが有利に!!できる
。また、アヤミラウ今板を無用する場合は、メツキ!と
ヤ申!炸や観点から純度9高いものが良く、98.5%
以上、特に、99.0%以上の純度のアルミニウム板が
有利に使用できる、 本発明においては、上記金環基板の内面を電気メツキ処
理して、金属又は合金膜を設は金。
hxが1μm昼下、好ましくは、0.5κm以下、特に
好ましくは、0.4μm昇下のものが有利に!!できる
。また、アヤミラウ今板を無用する場合は、メツキ!と
ヤ申!炸や観点から純度9高いものが良く、98.5%
以上、特に、99.0%以上の純度のアルミニウム板が
有利に使用できる、 本発明においては、上記金環基板の内面を電気メツキ処
理して、金属又は合金膜を設は金。
金属又を合金膜は.太陽光(可視光)の波長での反射率
が65%以上、好ましくは、70%以上であるのが好ま
しい。
が65%以上、好ましくは、70%以上であるのが好ま
しい。
かかる金属又は合金膜は、積層されるa−Si層と電気
的にオーミツり接醇を生ぜしめるような物質で、且つ、
積層されるa−Si層全基板かりその構成元素が拡散、
混入してa−Si層の電気的特炸を劣化せしめないよう
な物質で形成するのが好学し〜。
的にオーミツり接醇を生ぜしめるような物質で、且つ、
積層されるa−Si層全基板かりその構成元素が拡散、
混入してa−Si層の電気的特炸を劣化せしめないよう
な物質で形成するのが好学し〜。
具体的忙は、例えば、ニッケ々、ソロ台、口ンウム、銀
、銅−亜鉛、銅−スズ.スズーコバート、スメ−ニツ外
シ等の金属又は合金膜が挙げられる。
、銅−亜鉛、銅−スズ.スズーコバート、スメ−ニツ外
シ等の金属又は合金膜が挙げられる。
電気メツキ処理の前に、通常、金属基板をアルカリ脱腫
、エツチング、硝シ等によるデスマット処理により、表
面を清浄にする。
、エツチング、硝シ等によるデスマット処理により、表
面を清浄にする。
次いで、英国特許第1,007,252号に一卿すして
いるような亜鉛、ニッケル、シアン化カリを含む亜鉛合
金置裸液等に浸潰して金属基板表面に亜鉛合金等の置換
膜を形成後、電気メツキ処理する。
いるような亜鉛、ニッケル、シアン化カリを含む亜鉛合
金置裸液等に浸潰して金属基板表面に亜鉛合金等の置換
膜を形成後、電気メツキ処理する。
電気メツヤ処理は、公知の方法に従って行うことができ
る。
る。
例工ば、ニッケルメッキを行う場合は、硫障ニッケQ/
2θQ〜32オVi、好ましくは、2.2.j〜3θθ
V1塩化ニッケn/J3〜70.Vi、好fL<1、t
、l!〜60.9/l及び硼酸2jII夕g/l、好ま
し(は、30〜グ011/!t。
2θQ〜32オVi、好ましくは、2.2.j〜3θθ
V1塩化ニッケn/J3〜70.Vi、好fL<1、t
、l!〜60.9/l及び硼酸2jII夕g/l、好ま
し(は、30〜グ011/!t。
を含むメッキ液、をpH3.5〜5.3、好ましくは、
4.0〜4.8K調整し、40〜70C,好ましくは、
50〜60℃で電流密度1〜6A/dm3、好ましくは
、2〜4A/dm2の条件下に10−40分間、好まし
くは、20〜30分間電気メッキ処理する方法が挙げら
れる。
4.0〜4.8K調整し、40〜70C,好ましくは、
50〜60℃で電流密度1〜6A/dm3、好ましくは
、2〜4A/dm2の条件下に10−40分間、好まし
くは、20〜30分間電気メッキ処理する方法が挙げら
れる。
メッキ液には、光沢剤等公知の添加剤を添加してもよい
。
。
また、クロムメッキを行う場合は.無水クロム酸150
〜450g/l、好ましくは、230〜270g/l、
硫酸1−4.5g/l、好ましくは、1.5〜3g/l
、3価り0ム1〜6g/l、好まじくは、1.5〜3g
/lを含むメッキ液中で、40〜55c、好ましくは、
42〜48℃で電流密度8〜30A/dm2、好ましぐ
は、10〜15A/dm2の条件下に1〜10分間、好
ましぐば、2〜4分間電気メッキ処理する方法が挙げら
れる。
〜450g/l、好ましくは、230〜270g/l、
硫酸1−4.5g/l、好ましくは、1.5〜3g/l
、3価り0ム1〜6g/l、好まじくは、1.5〜3g
/lを含むメッキ液中で、40〜55c、好ましくは、
42〜48℃で電流密度8〜30A/dm2、好ましぐ
は、10〜15A/dm2の条件下に1〜10分間、好
ましぐば、2〜4分間電気メッキ処理する方法が挙げら
れる。
ロジウムメッキを行う場合は、ロジウム0.5〜5g/
l、好ましくは、1〜3g/l、硫酸30〜200g/
l、好ましくは、40〜80g/lを含むメッキ液中で
、35〜60℃、好ましくは、40〜55℃で電流密度
7〜10A/dm2、好ましぐは、2〜5A/dm2の
条件下に10−60秒間、好ましくは、20〜30秒間
電気メツギ処理寸る方法が挙げられる。
l、好ましくは、1〜3g/l、硫酸30〜200g/
l、好ましくは、40〜80g/lを含むメッキ液中で
、35〜60℃、好ましくは、40〜55℃で電流密度
7〜10A/dm2、好ましぐは、2〜5A/dm2の
条件下に10−60秒間、好ましくは、20〜30秒間
電気メツギ処理寸る方法が挙げられる。
金属又は合金膜は、通常、0.01〜30μ好ましくは
、3〜30μm、特に好ましくは、5−20μmの範囲
となるように設ける。
、3〜30μm、特に好ましくは、5−20μmの範囲
となるように設ける。
本発明においては、基板上に二シケルメッキ処理し、更
にその上にクロムまたはロジヴ入を30A以上、好まし
くは、/00α〜1μグツキ処理した場合、基板との密
着性および平滑性の良好な基!が得られるので好ましく
。
にその上にクロムまたはロジヴ入を30A以上、好まし
くは、/00α〜1μグツキ処理した場合、基板との密
着性および平滑性の良好な基!が得られるので好ましく
。
本発明においては、前述の金属又は合金膜上に、更に公
知の方法によりモリブデイ、ステンレネ、ヂタン等の金
属を100−5、000又程度蒸着しでもよい。
知の方法によりモリブデイ、ステンレネ、ヂタン等の金
属を100−5、000又程度蒸着しでもよい。
本発明の電気メツキ処理された。金属基板上へのa−S
iの堆積は、グロー放電法、るバッタリング法、イオン
ブレーティフグ法等の公知の方法に従って行うことがで
きる。特に、均一で且つ大面積のa−Si層を形成する
ことができるグロー放電法が好適に採用される。
iの堆積は、グロー放電法、るバッタリング法、イオン
ブレーティフグ法等の公知の方法に従って行うことがで
きる。特に、均一で且つ大面積のa−Si層を形成する
ことができるグロー放電法が好適に採用される。
具体的には、例えば、上述の基板を200〜3o0c程
度に加熱し、反応待のりス圧力を0、1〜100TOr
r程度に保ち、グロー放電することにより基板よにa=
f1%層ケ形成することができる。グロで、放電の形式
としては、直流(Do)法、高周波(pF)法の(いず
れも使用できる。
度に加熱し、反応待のりス圧力を0、1〜100TOr
r程度に保ち、グロー放電することにより基板よにa=
f1%層ケ形成することができる。グロで、放電の形式
としては、直流(Do)法、高周波(pF)法の(いず
れも使用できる。
原料ガスのシ1ライガススはジシラン等の高次シランガ
スには、a7B4層のパンドヂャブ、電気抵抗等の調整
又は価電子制御のたやに、例えげ、B2H6−pTI等
のガスを微量、通常、S′1K対し10原子チ以下加え
ておいてもよい訂更に半導体層の光入射側層(窓側層)
には、JシランガメにσH4、Csrs等の炭化水素ガ
メをシランガスと同量以下の割合で混合することによす
、層領域に達する光量を増太せしめる工夫を行ってもよ
い。
スには、a7B4層のパンドヂャブ、電気抵抗等の調整
又は価電子制御のたやに、例えげ、B2H6−pTI等
のガスを微量、通常、S′1K対し10原子チ以下加え
ておいてもよい訂更に半導体層の光入射側層(窓側層)
には、JシランガメにσH4、Csrs等の炭化水素ガ
メをシランガスと同量以下の割合で混合することによす
、層領域に達する光量を増太せしめる工夫を行ってもよ
い。
公知の方法に従(、これ咲添加ガスの濃度、或いは、種
類を連続的又は不連続的に変イビさせて、種類の異なっ
た不純物を含む異種のa−41の積層、構造をもつa−
8iの半導体層を形成してもよい。5例えば1基板側か
ら順にn型、1型およびp型、或いは、p型1型および
、n型と1積層された所謂p−i−n構造、または、B
1型:およびn型辷、或いは、その逆の顔に積層され丈
所請p−n構造等が挙げられる。
類を連続的又は不連続的に変イビさせて、種類の異なっ
た不純物を含む異種のa−41の積層、構造をもつa−
8iの半導体層を形成してもよい。5例えば1基板側か
ら順にn型、1型およびp型、或いは、p型1型および
、n型と1積層された所謂p−i−n構造、または、B
1型:およびn型辷、或いは、その逆の顔に積層され丈
所請p−n構造等が挙げられる。
半導体F1、通常J約o、or〜1.tμm程度となる
ように設けられる。積層構造、例えば、pニー1−n構
造の場合、p層jo=sooXi層0.1〜1μ、n層
100〜500Aとなるように粒けられる。
ように設けられる。積層構造、例えば、pニー1−n構
造の場合、p層jo=sooXi層0.1〜1μ、n層
100〜500Aとなるように粒けられる。
上記半導体層上に、公知の方法により、sno2、In
Os若しくはそれらの混合物、又は、パラジウム、金等
の半透明電極層をjθ〜3,000人程度蒸着すれば、
太陽電池等に供することができる。
Os若しくはそれらの混合物、又は、パラジウム、金等
の半透明電極層をjθ〜3,000人程度蒸着すれば、
太陽電池等に供することができる。
本発明においては、半導体層上に、公知の反射防止膜、
表面保護膜、等を設けてもよい。
表面保護膜、等を設けてもよい。
以上説明したように、本発明の基板は安価で、しかも量
産性に有利で、更には、短絡電流値等が艮好な半導体材
料を与えるので極めて有用である。
産性に有利で、更には、短絡電流値等が艮好な半導体材
料を与えるので極めて有用である。
以下に実施例を挙げて更に具体的に本発明を説明する。
実施例1
(R+W)mfLx値が約0.3μmのアルミニウム板
(純反タタj%)を、アルカリ水溶液に<<1℃で30
秒間浸漬後、水洗した。次いで、33容量チの硝酸水溶
液に23℃で30秒間浸漬し、水洗した。
(純反タタj%)を、アルカリ水溶液に<<1℃で30
秒間浸漬後、水洗した。次いで、33容量チの硝酸水溶
液に23℃で30秒間浸漬し、水洗した。
ボンダルディップ液(亜鉛合金置換液、W、キャニング
社!りに、攪拌下1.ltCで7分間浸漬し、置換膜を
形成した。
社!りに、攪拌下1.ltCで7分間浸漬し、置換膜を
形成した。
水洗後、下記化合物を含むニッケルメッキ水溶液中で、
p11グ41温度!℃、電流密度3A/6で、攪拌下1
層2グ分間メッキ処理した。
p11グ41温度!℃、電流密度3A/6で、攪拌下1
層2グ分間メッキ処理した。
得られたニッケル層は約tμmであった。
次いで、水洗後、下記化合物を含むクロムメッキ水溶液
中で、温度gtc、電流密度IOA/amで3分間メッ
キ処理した。得られたクロム層は約O8j夕μmであっ
た。
中で、温度gtc、電流密度IOA/amで3分間メッ
キ処理した。得られたクロム層は約O8j夕μmであっ
た。
上述の様にして、アルミニウム板上に、ニラケルおよび
クロムの2層構造の金属膜を有する半導体材料用基板を
得た。
クロムの2層構造の金属膜を有する半導体材料用基板を
得た。
実施例λ
実施例1と同縁にしてアルミニウム板上にニツケセ層を
設けた。
設けた。
次いで、水洗後、ロジウム、硫酸
uog/lを含有するロジウムメッキ水溶液中で、温度
sr℃、電流密度4A/(L−でコび秒間メッキ処理し
た。得られた1991層は約0.02μ亀であった。
sr℃、電流密度4A/(L−でコび秒間メッキ処理し
た。得られた1991層は約0.02μ亀であった。
上述の様にして、アルミニラム板上に、ニツケヤおよび
ロジウムの2層構造の金属膜を有する。半導体材料用基
板な得た。
ロジウムの2層構造の金属膜を有する。半導体材料用基
板な得た。
実施例3
実施例1で得られた半導体材料用基板のクロム層上に、
公知の電子ビーム蒸清洗により約l、0OOXのモリブ
デン層を設けて半導体材料用基板を得た。
公知の電子ビーム蒸清洗により約l、0OOXのモリブ
デン層を設けて半導体材料用基板を得た。
応用例1およびコ
実施例1および実施例−で得た半導体材料用基板を、窒
素気流中で、2よ0℃に加熱し、更に、窒素プラズマ処
理を行い、表面に付着した水分および不純物を除去した
。
素気流中で、2よ0℃に加熱し、更に、窒素プラズマ処
理を行い、表面に付着した水分および不純物を除去した
。
次いで、容量結合型高周波グロ−放電分解装置を用い、
基板温度、230℃、ガス圧力σ3.27otr%7f
13局波出力gwの条件下に、81H,ガスとSil!
、ガス一対してθ、2 vol、%のBH6ガスの混合
ガスをダロー放電分解して約1OOXのp型a−81層
を堆積させた。
基板温度、230℃、ガス圧力σ3.27otr%7f
13局波出力gwの条件下に、81H,ガスとSil!
、ガス一対してθ、2 vol、%のBH6ガスの混合
ガスをダロー放電分解して約1OOXのp型a−81層
を堆積させた。
引続き、81H4ガスを用い光同栄件下に約夕、ooo
Xの1型a−白1層を堆積させた。更に、Sin、ガス
とstT!4ガスに対して、2vQ1%PH3ガスの混
合ガスを用いて1層上に、約1jOi力籠型a−Si層
を堆積させ、基板上にpt−nの3層からなる半導体層
を形成した。
Xの1型a−白1層を堆積させた。更に、Sin、ガス
とstT!4ガスに対して、2vQ1%PH3ガスの混
合ガスを用いて1層上に、約1jOi力籠型a−Si層
を堆積させ、基板上にpt−nの3層からなる半導体層
を形成した。
次いで、半導体層上に、透明電極として約jooXの工
↑O層を公知の電子ビーム蒸着法により形成して、率導
体材刺を得た。
↑O層を公知の電子ビーム蒸着法により形成して、率導
体材刺を得た。
この半導体材料を用い、常法により、太陽電池脣性を測
定した。なお、光源としてソーラーシユミレータ−を用
い、AM−イ(/oornv/cd)の光強度で測定し
た。その結果を表/に示した。
定した。なお、光源としてソーラーシユミレータ−を用
い、AM−イ(/oornv/cd)の光強度で測定し
た。その結果を表/に示した。
参考例1〜3
応用例7において、基板としてメッキ処理していないア
ルミニウム板、表面を機械化学研磨した市販のステンレ
ス板(日立造船社製)およびこのステンレス板上に常法
によりモリブデンを約1,000電子ビ一ム蒸着した基
板を使用するほかは、実施例1と同様にしてIJ=1−
n層およびITO層を形成して半導体材料を得た。
ルミニウム板、表面を機械化学研磨した市販のステンレ
ス板(日立造船社製)およびこのステンレス板上に常法
によりモリブデンを約1,000電子ビ一ム蒸着した基
板を使用するほかは、実施例1と同様にしてIJ=1−
n層およびITO層を形成して半導体材料を得た。
これらの太陽電池特性を同様にして岬冗した。
その結果を表7に示した。
表/。
秦l:表面を機械化学研磨処理したステレレス板秦2:
研廟処理したスプレレス板上にMo蒸着応用例3および
μ 基板を、応用例/と同縁に処理して表面に付着した沓分
およq不純物を除去した。
研廟処理したスプレレス板上にMo蒸着応用例3および
μ 基板を、応用例/と同縁に処理して表面に付着した沓分
およq不純物を除去した。
次いで、容量結合型高層波でロー莢電分解装置を用L7
?板温度、230℃、ガス圧力Q、lTOrr、高周波
出力gwの条件下に、SiH,ガスと81H。
?板温度、230℃、ガス圧力Q、lTOrr、高周波
出力gwの条件下に、SiH,ガスと81H。
ガスに対してθgvo1%のB2H6ガスの混合ガスに
グロー放電分解して約−〇〇5−のpfia−Si層を
堆積させた。
グロー放電分解して約−〇〇5−のpfia−Si層を
堆積させた。
次いで、基板温度を2jO℃、ガス圧力を1TOrrと
して、5in4ガスを用いて約s、oo又の1型a−S
i層を堆積させた。
して、5in4ガスを用いて約s、oo又の1型a−S
i層を堆積させた。
更に、ガス圧力な0.jrorrとして、811(4ガ
スとSiH4ガスに対してJ701%のPH,ガスの混
合ガスを用いて約)jOXのn型a−81層を堆積させ
て半導体層を形成した。
スとSiH4ガスに対してJ701%のPH,ガスの混
合ガスを用いて約)jOXのn型a−81層を堆積させ
て半導体層を形成した。
以下、応用例1と同様にして透明電極を設け、太陽電池
特性を測定した。その結果を表コに示した。
特性を測定した。その結果を表コに示した。
表2
出願人 三菱化成工業株式会社
代理人 弁理士 長谷用−
ほか1名
手続補正書
2 発 明アにアヌシリコン半導−二料用基つ3 補正
をする者 (sty6)三菱イビ成工!5会詐 :出願人 4代理人〒1oo、、:、・1 ■ 、東京都千代田区丸の0二丁目5番2.fl(は遁I
′1 名)′ 6補正の内容 (1) 特許請求の範囲番別紙□のとおシピ訂゛:正
する。
をする者 (sty6)三菱イビ成工!5会詐 :出願人 4代理人〒1oo、、:、・1 ■ 、東京都千代田区丸の0二丁目5番2.fl(は遁I
′1 名)′ 6補正の内容 (1) 特許請求の範囲番別紙□のとおシピ訂゛:正
する。
(2)明細書第!頁第1行Vcrステレレス板」とあ為
を「鉄板又はステンレス篩力鉄合金板:」と訂正する。
を「鉄板又はステンレス篩力鉄合金板:」と訂正する。
′□特許請求の範囲 □
(1)′金属基板の表面に、電気メツキ処理により金属
又は合金膜を設けたことを特徴とするアモルファスシリ
コン半導体材料用基板1゜(2) 金属□基:板が、ア
ルミニウム板、銅板、鉄板又は鉄合金板である特許請求
の範囲第1項記載のアモルファスシリコン半導体材料用
基板。
又は合金膜を設けたことを特徴とするアモルファスシリ
コン半導体材料用基板1゜(2) 金属□基:板が、ア
ルミニウム板、銅板、鉄板又は鉄合金板である特許請求
の範囲第1項記載のアモルファスシリコン半導体材料用
基板。
(3)金属又は合金膜が、金属基板上にニッケルTおよ
びクロムの順、又は、□ニッケルおよびロジウムの順に
積層されたものである特許請求の範囲第1項記載の7モ
ルフプヌシリジン半導体材料用基板。
□(4)金属又は合金膜が、0.0 /〜3θμ
mの厚さに設けられた特許請求の範囲第1項記載のアモ
ルファスシリコン半導体材料用基板。
びクロムの順、又は、□ニッケルおよびロジウムの順に
積層されたものである特許請求の範囲第1項記載の7モ
ルフプヌシリジン半導体材料用基板。
□(4)金属又は合金膜が、0.0 /〜3θμ
mの厚さに設けられた特許請求の範囲第1項記載のアモ
ルファスシリコン半導体材料用基板。
Claims (4)
- (1)金属基板の表面に、電気メツキ処理により金属又
は合金膜を設けたことを特徴とす為ナモシファスシリコ
ン半導体材料用基板。 - (2)金属基板が、アルミニウム板−銅板文はステンレ
ス板である特許請求の範囲館1項記載のアモルファスシ
リコン半導体材料用基板。 - (3)金属又は合金膜が、金属基板上にニシケ莞および
タロムの順又は、ニッダνおよびロジウムの順に積層さ
れたものである特許請求の範囲第1項記載のアモルファ
スシリ9ン半導体材料用基板。 - (4)金属又は合金膜が、0.0/〜30μmの厚さに
設けられた特許請求の範囲第1項記載のアモルファスシ
リコン半導体材料用基板。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57166161A JPS5955012A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | アモルフアスシリコン半導体材料用基板 |
AU18789/83A AU552614B2 (en) | 1982-09-24 | 1983-09-07 | Substrate for amorphous silicon |
DE8383109507T DE3380470D1 (en) | 1982-09-24 | 1983-09-23 | Substrate for amorphous silicon semiconductor material |
CA000437485A CA1218135A (en) | 1982-09-24 | 1983-09-23 | Aluminum plate with electroplated metal laminate in contact with silicon for solar cell |
EP83109507A EP0107057B1 (en) | 1982-09-24 | 1983-09-23 | Substrate for amorphous silicon semiconductor material |
US06/535,721 US4551575A (en) | 1982-09-24 | 1983-09-26 | Substrate for amorphous silicon semiconductor material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57166161A JPS5955012A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | アモルフアスシリコン半導体材料用基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5955012A true JPS5955012A (ja) | 1984-03-29 |
JPH0562453B2 JPH0562453B2 (ja) | 1993-09-08 |
Family
ID=15826196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57166161A Granted JPS5955012A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | アモルフアスシリコン半導体材料用基板 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4551575A (ja) |
EP (1) | EP0107057B1 (ja) |
JP (1) | JPS5955012A (ja) |
AU (1) | AU552614B2 (ja) |
CA (1) | CA1218135A (ja) |
DE (1) | DE3380470D1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208794A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | Daihen Corp | 光発電素子 |
JPS60210883A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-10-23 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 半導体デバイス及びその製法 |
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