JPS62188381A - アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法Info
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- JPS62188381A JPS62188381A JP61029050A JP2905086A JPS62188381A JP S62188381 A JPS62188381 A JP S62188381A JP 61029050 A JP61029050 A JP 61029050A JP 2905086 A JP2905086 A JP 2905086A JP S62188381 A JPS62188381 A JP S62188381A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン太陽電池の製造方法に関
するもので、更に詳しくは、高効率で蕾産性に富むアモ
ルファスシリコン太陽電池の製造方法に係るものである
。
するもので、更に詳しくは、高効率で蕾産性に富むアモ
ルファスシリコン太陽電池の製造方法に係るものである
。
光起電力効果を利用した電子デバイスの代表的なものと
しては太陽電池を例示できる。この太陽電池は太囁エネ
ルギーあるいはその他の光エネルギーを電気エネルギー
に変換するものであり、クリーンなエネルギー源として
、今後のエネルギ一対策の一環として注目されている。
しては太陽電池を例示できる。この太陽電池は太囁エネ
ルギーあるいはその他の光エネルギーを電気エネルギー
に変換するものであり、クリーンなエネルギー源として
、今後のエネルギ一対策の一環として注目されている。
太陽電池による上記のエネルギー変換は、半導体のへテ
ロ接合、ＰｎまたはＰｉｎ接合、ショットキー接合など
の基本的な特性の１つである光起電力効果を利用したも
のであり、入射光を吸収し、そこで電子・正孔対を生成
し、これが外部に取出される、といった機、構に基〈も
のである。
ロ接合、ＰｎまたはＰｉｎ接合、ショットキー接合など
の基本的な特性の１つである光起電力効果を利用したも
のであり、入射光を吸収し、そこで電子・正孔対を生成
し、これが外部に取出される、といった機、構に基〈も
のである。
アモルファス半導体、例えばアモルファスシリコンは薄
膜化・大面積化が可能であり、組成の自由度も大きく、
電気的並びに光学的特性を広い範囲で制御できることか
ら、最近各種デバイスの材料として注目されている。特
に、太陽エネルギー分布のピーク近傍の光に対する吸収
係数が８１結晶より大きく、薄膜形成温度が低く、原料
からグロー放電により直接成膜でき、また接合形成も容
易であるなどの特徴をもつことから太陽電池材料として
注目されている。
膜化・大面積化が可能であり、組成の自由度も大きく、
電気的並びに光学的特性を広い範囲で制御できることか
ら、最近各種デバイスの材料として注目されている。特
に、太陽エネルギー分布のピーク近傍の光に対する吸収
係数が８１結晶より大きく、薄膜形成温度が低く、原料
からグロー放電により直接成膜でき、また接合形成も容
易であるなどの特徴をもつことから太陽電池材料として
注目されている。
このような太陽電池を代表とする光起電力素子を設計・
製作する上で重要なことは、高い光電変換効率を達成す
ることのできる材料の選択・組合せ等を十分に検討する
ことであり、１だ同様に広い波長範囲に亘シ吸収効率を
高めるべく工夫することである。これにより、高効率の
実用可能な製品の実現が可能となる。従来、この太陽電
池において使用されていたアモルファスシリコンは、透
明電極をもつ− ガラス基板上にシラン（Ｓｉｎ）ガスあるいはジシラン
（Ｅｌ １ｚＨａ ） ガスを主原料として、プラズ
マ分解法により作製されており、λｉ、ｎ型の３層のア
モルファスシリコンをそれぞれ５０〜３００Ａ。
製作する上で重要なことは、高い光電変換効率を達成す
ることのできる材料の選択・組合せ等を十分に検討する
ことであり、１だ同様に広い波長範囲に亘シ吸収効率を
高めるべく工夫することである。これにより、高効率の
実用可能な製品の実現が可能となる。従来、この太陽電
池において使用されていたアモルファスシリコンは、透
明電極をもつ− ガラス基板上にシラン（Ｓｉｎ）ガスあるいはジシラン
（Ｅｌ １ｚＨａ ） ガスを主原料として、プラズ
マ分解法により作製されており、λｉ、ｎ型の３層のア
モルファスシリコンをそれぞれ５０〜３００Ａ。
１、０００〜ス０ＯＯＡ、１００〜５００Ａの厚みとな
るように形成し、金属電極を蒸着法によυ成膜し、太陽
電池としていた。
るように形成し、金属電極を蒸着法によυ成膜し、太陽
電池としていた。
ところで上記従来法によりアモルファスシリコンを形成
する際に、変換効率が高い太陽電池を得るためには、厚
膜の１型層を０．５〜２Å／ｓｅｃの比較的ゆっくりと
した速度で成膜しなければならず、生産的でなかった。
する際に、変換効率が高い太陽電池を得るためには、厚
膜の１型層を０．５〜２Å／ｓｅｃの比較的ゆっくりと
した速度で成膜しなければならず、生産的でなかった。
１だ１０Ａ／ｓｅａ以上の高速成膜した場合、特に曲線
因子、出力電流の値が低く、高変換効率の太陽電池は得
られてなかった。
因子、出力電流の値が低く、高変換効率の太陽電池は得
られてなかった。
今後の新エネルギ一対策の一環として重要視されている
太陽電池においては、低価格化、高性能化が当面の重大
な研究、開発の課題となっている。低価格化を実現する
太陽電池材料としてアモルファスシリコンが注目されて
いるが、性能的にはかなり高い変換効率のものが得られ
るようになってはきたが、低価格化では、まだ十分では
ない。この理由として考えられるのに、前記した成膜速
度が遅いことが挙げられる。
太陽電池においては、低価格化、高性能化が当面の重大
な研究、開発の課題となっている。低価格化を実現する
太陽電池材料としてアモルファスシリコンが注目されて
いるが、性能的にはかなり高い変換効率のものが得られ
るようになってはきたが、低価格化では、まだ十分では
ない。この理由として考えられるのに、前記した成膜速
度が遅いことが挙げられる。
グロー放電分解法で作製するｐ−１−ｎアモルファス系
太陽電池は、従来、１型層の膜厚方向にそって一定の成
膜速度、例えば、０．１〜２Ａ／ＢθＣの低速で成膜し
ていたので厚み４．００ ＯＡの１型層を成膜し終える
のに３０分から２時間近く要していた。又１００％Ｓｉ
Ｈ，ガスや１００％Ｅｌｉｔ鴇 ガスを用いて５〜１０
０ Å／ｓｅｃの高速成膜を行なう試みもなされている
が、ｐ型層と接するｉ型層（ｐ／１界面の１型層）を高
速で成膜すると、前記のようにｐ／ｉ界而界面の劣化を
もたらし、良好な出力特性を有する太陽電池は得られて
いない。
太陽電池は、従来、１型層の膜厚方向にそって一定の成
膜速度、例えば、０．１〜２Ａ／ＢθＣの低速で成膜し
ていたので厚み４．００ ＯＡの１型層を成膜し終える
のに３０分から２時間近く要していた。又１００％Ｓｉ
Ｈ，ガスや１００％Ｅｌｉｔ鴇 ガスを用いて５〜１０
０ Å／ｓｅｃの高速成膜を行なう試みもなされている
が、ｐ型層と接するｉ型層（ｐ／１界面の１型層）を高
速で成膜すると、前記のようにｐ／ｉ界而界面の劣化を
もたらし、良好な出力特性を有する太陽電池は得られて
いない。
又、従来の上記２つの方法によって作製された太陽電池
は前者の場合、変換効墨の高いものが得られる反面、製
造にかかる時間がかかるため、非生産的であった。又、
低速度で成膜したものは、膜中に不純物、特に酸素原子
の取シこみが多く、光に対する劣化大であった。
は前者の場合、変換効墨の高いものが得られる反面、製
造にかかる時間がかかるため、非生産的であった。又、
低速度で成膜したものは、膜中に不純物、特に酸素原子
の取シこみが多く、光に対する劣化大であった。
本発明はこのような現状に鑑み、高効率で量産性に富む
アモルファスシリコン太陽電池の製造方法の提供を目的
とするものである。
アモルファスシリコン太陽電池の製造方法の提供を目的
とするものである。
本発明はｐ−１−ｎ型アモルファス系太陽電池の１型層
を成膜する際に、ｐ型層と接するｉ型層とバルクの１型
層とで成膜速度を変えて成膜することを特徴とするアモ
ルファスシリコン太陽電池の製造方法である。
を成膜する際に、ｐ型層と接するｉ型層とバルクの１型
層とで成膜速度を変えて成膜することを特徴とするアモ
ルファスシリコン太陽電池の製造方法である。
本発明の一つの特に好ましい実施態様は、ｐ型層と接す
るｉ型層の厚みが約’ｉ０Ａから１００ＯＡである上記
方法がある。また一つの特に好ましい実施態様としては
、ｐ型層と接するｉ型層の成膜速度がｏ、 Ｉ Ａ／ｓ
ｅａから２ Ａ／ｓｅａであり、バルクの１膜層の成膜
速度が２ Å／ｓｅｃから５０Ａ／ｓｅａである上記方
法が挙げられる。
るｉ型層の厚みが約’ｉ０Ａから１００ＯＡである上記
方法がある。また一つの特に好ましい実施態様としては
、ｐ型層と接するｉ型層の成膜速度がｏ、 Ｉ Ａ／ｓ
ｅａから２ Ａ／ｓｅａであり、バルクの１膜層の成膜
速度が２ Å／ｓｅｃから５０Ａ／ｓｅａである上記方
法が挙げられる。
以下図面を参照して本発明を具体的に説明する。第１図
は本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の構造を
示す断面図であって、１はガラス基板、２は透明導電膜
、３はｐ型アモルファスシリコン層、４は低速で成膜し
た１型層モルファスシリコン層（ｐ型１幡に接するｉ型
層アモルファスシリコン）、５は高速で成膜した１型層
モルファスシリコン層（バルクの１型層アモルファスシ
リコン）、６はｎ型アモルファスシリコン層、７は金属
電極をあられし、光はガラス基板１側から入射するｐ−
１−ｎ構造をしている１、 ｐ型アモルファスシリコン層３に続いて１型層モルファ
スシリコン層４及び５を成膜する際に、ｐ−１界面付近
の３０〜１０００Ａ望ましくは、１００〜５００Ａの１
型層４は、従来から高い変換効率を得るのに使用されて
いる０、１〜２ Ａ／ｓｅａの低い速度で成膜し、ｉ−
ｎ界面に向けての１型バルク層５は２〜５０ Å／ｓｅ
ｃの高速で成膜する。特に好ましくは低速成膜を０．５
〜ｔ ５ Ａ／ｓｅａ 、高速成膜を１０〜５０Ａ／ｓ
θＣで行うことが挙げられる。
は本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の構造を
示す断面図であって、１はガラス基板、２は透明導電膜
、３はｐ型アモルファスシリコン層、４は低速で成膜し
た１型層モルファスシリコン層（ｐ型１幡に接するｉ型
層アモルファスシリコン）、５は高速で成膜した１型層
モルファスシリコン層（バルクの１型層アモルファスシ
リコン）、６はｎ型アモルファスシリコン層、７は金属
電極をあられし、光はガラス基板１側から入射するｐ−
１−ｎ構造をしている１、 ｐ型アモルファスシリコン層３に続いて１型層モルファ
スシリコン層４及び５を成膜する際に、ｐ−１界面付近
の３０〜１０００Ａ望ましくは、１００〜５００Ａの１
型層４は、従来から高い変換効率を得るのに使用されて
いる０、１〜２ Ａ／ｓｅａの低い速度で成膜し、ｉ−
ｎ界面に向けての１型バルク層５は２〜５０ Å／ｓｅ
ｃの高速で成膜する。特に好ましくは低速成膜を０．５
〜ｔ ５ Ａ／ｓｅａ 、高速成膜を１０〜５０Ａ／ｓ
θＣで行うことが挙げられる。
ｐ−１界面付近の低速成膜領域は５０Ａ以下では高い変
換効率を維持するのに十分でなく、又、１０００Ａ以上
では生産性向上にはつながらない。ｉ型層を形成する手
段としては、Ｓ１４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＦ、あるいは、
Ｇｅ′Ｈ４、Ｇ ｅ Ｆ、等の単体ガスあるいはＨ２で
希釈したガスあるいはこれらの混合ガスを用いたものな
らいずれでもよく、特にガス棟は限定されない。
換効率を維持するのに十分でなく、又、１０００Ａ以上
では生産性向上にはつながらない。ｉ型層を形成する手
段としては、Ｓ１４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＦ、あるいは、
Ｇｅ′Ｈ４、Ｇ ｅ Ｆ、等の単体ガスあるいはＨ２で
希釈したガスあるいはこれらの混合ガスを用いたものな
らいずれでもよく、特にガス棟は限定されない。
ｐ−１界面は低速成膜、１層バルクは高速成膜であるが
、例えば高速化する手段としては、低速は１００％８１
Ｈ，を、又高速は１００％８１２Ｔ１６を使用した９、
同じＳｉＨ４でも低速は１０％に馬で希釈したＳｉＨ，
を、又高速は１００５ＥＩｉＨ４を使用し、あわせて、
ＲＦパワー、成膜時の圧力、ガス流量等の成膜パラメー
ターを変えることにより望む成膜速度に変えることがで
きる。低速成膜から高速成膜に切換える際は、放電は止
めずに、連続的に成膜パラメーターを変えることにより
、グレイディラドに変えていってもよい。
、例えば高速化する手段としては、低速は１００％８１
Ｈ，を、又高速は１００％８１２Ｔ１６を使用した９、
同じＳｉＨ４でも低速は１０％に馬で希釈したＳｉＨ，
を、又高速は１００５ＥＩｉＨ４を使用し、あわせて、
ＲＦパワー、成膜時の圧力、ガス流量等の成膜パラメー
ターを変えることにより望む成膜速度に変えることがで
きる。低速成膜から高速成膜に切換える際は、放電は止
めずに、連続的に成膜パラメーターを変えることにより
、グレイディラドに変えていってもよい。
ｐ型層と接するｉ型層を低速で成膜することによりｐ−
１界面近傍光生成キャリア（光が入射することによりｉ
型層内で生成した電子、正孔対のこと。この量が多い程
、発生電流は多くなる１、）がトラップされなり、再結
合してキャリアが消滅する割合が少ない、良好な界面状
態を維持でき、太陽電池特性の出力電流や曲線因子は高
い状態を維持することができるため、変換効率の高い太
陽電池が得られ、しかも、ｉ型層のバルクは高速成膜で
形成しているために、従来よりも短時間で成膜が完了す
ることができ、量産を行なうのによい。
１界面近傍光生成キャリア（光が入射することによりｉ
型層内で生成した電子、正孔対のこと。この量が多い程
、発生電流は多くなる１、）がトラップされなり、再結
合してキャリアが消滅する割合が少ない、良好な界面状
態を維持でき、太陽電池特性の出力電流や曲線因子は高
い状態を維持することができるため、変換効率の高い太
陽電池が得られ、しかも、ｉ型層のバルクは高速成膜で
形成しているために、従来よりも短時間で成膜が完了す
ることができ、量産を行なうのによい。
〔実施例〕
第１図の構造のアモルファスシリコン太陽電池を以下の
ように作成した。反射防止膜並びに電極として機能する
透明導電膜２を有するガラス基板１をプラズマ反応室に
セットし、５１Ｈ４とＢｚ＆の混合ガスを用いてプラズ
マ反応によりｐ型アモルファスシリコン膜５を１２ＯＡ
厚さに堆積した後、１型層モルファスシリコン膜４，５
を５ｉｌｌ、ガスのみを用いて形成した。成膜方法とし
ては１０％に希釈したＥ１１４ガスを用いて、１Å／ｓ
ｅｃの成膜速度で１０ＯＡ厚さに１型層４を成膜後、さ
らにガスを切換え、１００％ＳｉＨ，ガスを用いて２０
．Ａ／ｓｅａの成膜速度で４５０ＯＡ厚すの１型層モル
ファスシリコン層５を形成した。
ように作成した。反射防止膜並びに電極として機能する
透明導電膜２を有するガラス基板１をプラズマ反応室に
セットし、５１Ｈ４とＢｚ＆の混合ガスを用いてプラズ
マ反応によりｐ型アモルファスシリコン膜５を１２ＯＡ
厚さに堆積した後、１型層モルファスシリコン膜４，５
を５ｉｌｌ、ガスのみを用いて形成した。成膜方法とし
ては１０％に希釈したＥ１１４ガスを用いて、１Å／ｓ
ｅｃの成膜速度で１０ＯＡ厚さに１型層４を成膜後、さ
らにガスを切換え、１００％ＳｉＨ，ガスを用いて２０
．Ａ／ｓｅａの成膜速度で４５０ＯＡ厚すの１型層モル
ファスシリコン層５を形成した。
更に、引き続いて５１Ｈ４とＰｌ（３の混合ガスを用い
てｎ型アモルファスシリコン膜６を５０ＯＡ厚さ形成後
、裏面電極７としてＡｇ′ｆｒ、蒸着法により形成し、
第１図に示す本発明のｐ−１−ｎ型アモルファスシリコ
ン太陽電池を完成した（実施例）。
てｎ型アモルファスシリコン膜６を５０ＯＡ厚さ形成後
、裏面電極７としてＡｇ′ｆｒ、蒸着法により形成し、
第１図に示す本発明のｐ−１−ｎ型アモルファスシリコ
ン太陽電池を完成した（実施例）。
比較のために、上記実施例において１型層モルファスシ
リコン層をすべて低速のＩ Ａ／ｓθＣで成膜し厚さ４
５００Ａとした、第２図に示す断面図のアモルファスシ
リコン太陽電池を作成した（比較例Ａ）。また、上記実
施例において、１型層モルファスシリコン層をすべて高
速の２０へ Å／ｓｅｃで成膜し厚さ４５００Ａとして、第５図に示
す断面図のものを作成し、比較例Ｂとした。
リコン層をすべて低速のＩ Ａ／ｓθＣで成膜し厚さ４
５００Ａとした、第２図に示す断面図のアモルファスシ
リコン太陽電池を作成した（比較例Ａ）。また、上記実
施例において、１型層モルファスシリコン層をすべて高
速の２０へ Å／ｓｅｃで成膜し厚さ４５００Ａとして、第５図に示
す断面図のものを作成し、比較例Ｂとした。
なお第２図、第３図において符号の意味するところは第
１図と同じである。
１図と同じである。
本発明の実施例および比較例Ａならびに比較例Ｂで得ら
れたｐ−１−ｎ型アモルファスシリコン太陽電池の出力
特性は下表のとおりであった。
れたｐ−１−ｎ型アモルファスシリコン太陽電池の出力
特性は下表のとおりであった。
表
表から明らかな如く、本発明により高効率のアモルファ
スシリコン太陽電池が得られる。本実施例と比較例Ａと
はほぼ同程度の特性のものが得られるにもかかわらず、
本実施例ではｉ型層を成膜するに要する時間において比
較例Ａの場合の２０分の１の成膜時間で１型層全体が形
成できるため、高効率でしかも量産性に富むアモルファ
スシリコン太陽電池が得ることができる。なお、比較例
Ｂのものは明らかにその特性が劣っている。
スシリコン太陽電池が得られる。本実施例と比較例Ａと
はほぼ同程度の特性のものが得られるにもかかわらず、
本実施例ではｉ型層を成膜するに要する時間において比
較例Ａの場合の２０分の１の成膜時間で１型層全体が形
成できるため、高効率でしかも量産性に富むアモルファ
スシリコン太陽電池が得ることができる。なお、比較例
Ｂのものは明らかにその特性が劣っている。
第４図は、本実施例と比較例Ａによるアモルファスシリ
コン太陽電池の光照射テスト結果を示すもので、ＡＭｌ
、０（エアマスワン）の光源下で光照射した時の変換効
率（η）の初期値（η。）で規格化した変換効率（η／
η、１％）を示している。
コン太陽電池の光照射テスト結果を示すもので、ＡＭｌ
、０（エアマスワン）の光源下で光照射した時の変換効
率（η）の初期値（η。）で規格化した変換効率（η／
η、１％）を示している。
第４図中イは本実施例を口は比較例Ａをあられす。１０
０時間のテストで変換効率が、比較例Ａの場合６０％ま
で低下しているが、本実施例では９０％までの低下に抑
えられており、本発明によれば光に対する信頼性が高い
太陽電池も製造できることがわかる。
０時間のテストで変換効率が、比較例Ａの場合６０％ま
で低下しているが、本実施例では９０％までの低下に抑
えられており、本発明によれば光に対する信頼性が高い
太陽電池も製造できることがわかる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明はアモルファスシリコン太
陽電池を構成する層の中で最も厚いｉ型層を成膜する際
に、ｐ型層と接するｉ型層の成膜速度を、ｉ型層のバル
ク域での成膜速度にくらべて低くすることにより、ｐ／
１界面の特性が良好となる為、高い変換効率をもつアモ
ルファスシリコン太陽電池が得られ、又バルク域は高速
成膜するので、量産性ある製造が可能となり、アモルフ
ァスシリコン太陽電池の低コスト化、信頼性向上を実現
する効果を奏する。
陽電池を構成する層の中で最も厚いｉ型層を成膜する際
に、ｐ型層と接するｉ型層の成膜速度を、ｉ型層のバル
ク域での成膜速度にくらべて低くすることにより、ｐ／
１界面の特性が良好となる為、高い変換効率をもつアモ
ルファスシリコン太陽電池が得られ、又バルク域は高速
成膜するので、量産性ある製造が可能となり、アモルフ
ァスシリコン太陽電池の低コスト化、信頼性向上を実現
する効果を奏する。
第１図は本発明のアモルファスシリコン太陽電池の構造
を示す断面図、 第２図及び第５図は従来のアモルファスシリコン太陽電
池の構造を示す断面図である１、第４図は本発明品と従
来品の光照射テスト結果を示すグラフであって、光照射
時間（ｈｏｕｒｓ）に対する変換効率（η／η。％）の
関係を示す。
を示す断面図、 第２図及び第５図は従来のアモルファスシリコン太陽電
池の構造を示す断面図である１、第４図は本発明品と従
来品の光照射テスト結果を示すグラフであって、光照射
時間（ｈｏｕｒｓ）に対する変換効率（η／η。％）の
関係を示す。
Claims (3)
- （１）ｐ−ｉ−ｎ型アモルファス系太陽電池のｉ型層を
成膜する際に、ｐ型層と接するｉ型層とバルクのｉ型層
とで成膜速度を変えて成膜することを特徴とするアモル
ファスシリコン太陽電池の製造方法。 - （２）前記ｐ型層と接するｉ型層の厚みが約３０Åから
１，０００Åである特許請求の範囲第１項に記載のアモ
ルファスシリコン太陽電池の製造方法。 - （３）前記ｐ型層と接するｉ型層の成膜速度が０．１Å
／ｓｅｃから２Å／ｓｅｃであり、バルクのｉ型層の成
膜速度が２Å／ｓｅｃから５０Å／ｓｅｃである特許請
求の範囲第（１）項又は第（２）項に記載のアモルファ
スシリコン太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61029050A JPH0799776B2 (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61029050A JPH0799776B2 (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188381A true JPS62188381A (ja) | 1987-08-17 |
| JPH0799776B2 JPH0799776B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=12265554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61029050A Expired - Lifetime JPH0799776B2 (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799776B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034333A (en) * | 1988-10-27 | 1991-07-23 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | Method of manufacturing an amorphous silicon solar cell |
| US6566594B2 (en) | 2000-04-05 | 2003-05-20 | Tdk Corporation | Photovoltaic element |
| JP2012195620A (ja) * | 2007-02-16 | 2012-10-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107574A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
| JPS60192374A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
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| JPS6150380A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-14 JP JP61029050A patent/JPH0799776B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6960718B2 (en) | 2000-04-05 | 2005-11-01 | Tdk Corporation | Method for manufacturing a photovoltaic element |
| JP2012195620A (ja) * | 2007-02-16 | 2012-10-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0799776B2 (ja) | 1995-10-25 |
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