JPS6150380A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
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- JPS6150380A JPS6150380A JP59171438A JP17143884A JPS6150380A JP S6150380 A JPS6150380 A JP S6150380A JP 59171438 A JP59171438 A JP 59171438A JP 17143884 A JP17143884 A JP 17143884A JP S6150380 A JPS6150380 A JP S6150380A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は非晶質シリコン（以下ａ −ｑ５ ＋ ：ｌ（
と略称する）光電変換素子の製造方法に関し、特にその
高効率化および高速製造に関する。
と略称する）光電変換素子の製造方法に関し、特にその
高効率化および高速製造に関する。
光電変換素子と（に非晶質ンリコン太陽電池の高効率化
が検討されて成果をあげつつあるが、高速成膜条件にお
いては末だ効率の向上は緒についたばかりである。すな
わち、光活性層の形成速度を２０ Ａ／Ｓとするような
高速製造条件においては、高効率は達成されていない。
が検討されて成果をあげつつあるが、高速成膜条件にお
いては末だ効率の向上は緒についたばかりである。すな
わち、光活性層の形成速度を２０ Ａ／Ｓとするような
高速製造条件においては、高効率は達成されていない。
本発明者らは先に、高速でかつ高効率を達成するために
ジシラン（Ｓｉ２Ｈａ）を原料とする非晶質ンリコン太
陽電池の製造方法を開示した。即ちジシランを原料とし
た場合、ある閾値な越えるエネルギーが供給される条件
下でジシランを分解することがこのために不可欠である
ことを開示した。
ジシラン（Ｓｉ２Ｈａ）を原料とする非晶質ンリコン太
陽電池の製造方法を開示した。即ちジシランを原料とし
た場合、ある閾値な越えるエネルギーが供給される条件
下でジシランを分解することがこのために不可欠である
ことを開示した。
しかしながらジシランが高速成膜性であるが故に半導体
接合界面の制御が困難であった。なぜなら、この界面は
高々ｌ０ＱＯＡ以下の厚みであり、２０ Ａ／Ｓのよう
な高速で成膜を行う場合、僅か５０秒以下の短い時間で
制御せねばならぬからである。
接合界面の制御が困難であった。なぜなら、この界面は
高々ｌ０ＱＯＡ以下の厚みであり、２０ Ａ／Ｓのよう
な高速で成膜を行う場合、僅か５０秒以下の短い時間で
制御せねばならぬからである。
本発明者らこの界面をモノシランで形成したり、放電電
力を低下させて成膜速度を遅くしたりして形成すること
な試みたが未だ充分の成果を得ていない。
力を低下させて成膜速度を遅くしたりして形成すること
な試みたが未だ充分の成果を得ていない。
本発明者らはこのようにモノシランで界面を作成してジ
シランへ移行することやジシランを用いかつ放電電力を
低下させて成膜速度をおそくすることは、たとえ界面の
数１０ＯＡの領域といえども好ましくないことを見出し
た。けだし、これらの１ 場合には、短絡
電流の著しい減少が生じ、曲線因子（Ｆ、Ｆ、）も低下
するからである。
シランへ移行することやジシランを用いかつ放電電力を
低下させて成膜速度をおそくすることは、たとえ界面の
数１０ＯＡの領域といえども好ましくないことを見出し
た。けだし、これらの１ 場合には、短絡
電流の著しい減少が生じ、曲線因子（Ｆ、Ｆ、）も低下
するからである。
本発明の目的は高速製膜条件においても短絡電流の低下
や曲線因子の低下をひきおこすことがない高光電変換効
率の光電変換素子を製造する方法を提供することである
。
や曲線因子の低下をひきおこすことがない高光電変換効
率の光電変換素子を製造する方法を提供することである
。
本発明者らはジシランとモノシランの併用は好ましくな
いのでジシランのみで光活性層の製造を検討し必要エネ
ルギーを与えつつ堆積速度のみを低下させて膜質を劣化
させずに界面を形成しうろことに着目し、本発明を完成
した。
いのでジシランのみで光活性層の製造を検討し必要エネ
ルギーを与えつつ堆積速度のみを低下させて膜質を劣化
させずに界面を形成しうろことに着目し、本発明を完成
した。
すなわち、本発明に従って、電極な有する基板上に、シ
リコン水素化物のグロー放電分解により、第１の導電層
、光活性層および第２の導電層を順次形成し、第２の電
極を設ける光電変換素子の製造方法において、少くとも
該光活性層の形成なジシランにより行い、かつ該ジシラ
ン単位質量当り、活性層薄膜の形成速度が主としてジシ
ラン流量に依存し印加１ネルギー量によっては実質的に
影響されることのない最低のエネルギー量（以下、閾値
という）以上のエネルギーを常に印加すると共に、該光
活性層形成の少くとも初期領域はより低速度で、残りを
より高速度となるごとく連続的に堆積速度を変化させて
行なうことな特徴とする光電変換素子の製造方法が提供
される。
リコン水素化物のグロー放電分解により、第１の導電層
、光活性層および第２の導電層を順次形成し、第２の電
極を設ける光電変換素子の製造方法において、少くとも
該光活性層の形成なジシランにより行い、かつ該ジシラ
ン単位質量当り、活性層薄膜の形成速度が主としてジシ
ラン流量に依存し印加１ネルギー量によっては実質的に
影響されることのない最低のエネルギー量（以下、閾値
という）以上のエネルギーを常に印加すると共に、該光
活性層形成の少くとも初期領域はより低速度で、残りを
より高速度となるごとく連続的に堆積速度を変化させて
行なうことな特徴とする光電変換素子の製造方法が提供
される。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明の方法において使用するジシランとはモノシラン
含量が１Ｏｖｏ１％未満、好ましくは５％未満、より好
ましくは１％未満、さらに好ましくは（１，１％未満、
最も好ましくはほぼ０％のものである。モノシラン含量
が犬になると太陽電池の曲線因子（Ｆ、Ｆ、）が急激に
悪くなる。
含量が１Ｏｖｏ１％未満、好ましくは５％未満、より好
ましくは１％未満、さらに好ましくは（１，１％未満、
最も好ましくはほぼ０％のものである。モノシラン含量
が犬になると太陽電池の曲線因子（Ｆ、Ｆ、）が急激に
悪くなる。
本発明の方法において「閾値」とはジノラン単位質量当
りの、活性層薄膜の形成速度が主としてジシラン流量に
依存し印加エネルギー量によっては実質的に影響される
ことのない最低のエネルギー量として定義されるが、よ
り具゛体的には、本発明者らが特願昭５８−１７２６号
に開示したように、ａ−３ｉ：Ｈ膜の形成速度がグロー
放電に用いる高周波電力に依存して変化しないようにな
るグロー放電電力の値である。すなわち、閾値を越える
グロー放電電力においては、形成速度は原料ガス流量に
よって支配されるので、原料ガス流量を低下させること
により、堆積速度を低下させうるうこの方法を用いれば
ジンラ／を用いてａ−３ｉ：Ｈｇを形成するにあたって
も、その膜質な低下させることなく、堆積速度を低下せ
しめ５るので、界面における不純物分布の制御や膜質の
異なる界面の形成を避けることができる。
りの、活性層薄膜の形成速度が主としてジシラン流量に
依存し印加エネルギー量によっては実質的に影響される
ことのない最低のエネルギー量として定義されるが、よ
り具゛体的には、本発明者らが特願昭５８−１７２６号
に開示したように、ａ−３ｉ：Ｈ膜の形成速度がグロー
放電に用いる高周波電力に依存して変化しないようにな
るグロー放電電力の値である。すなわち、閾値を越える
グロー放電電力においては、形成速度は原料ガス流量に
よって支配されるので、原料ガス流量を低下させること
により、堆積速度を低下させうるうこの方法を用いれば
ジンラ／を用いてａ−３ｉ：Ｈｇを形成するにあたって
も、その膜質な低下させることなく、堆積速度を低下せ
しめ５るので、界面における不純物分布の制御や膜質の
異なる界面の形成を避けることができる。
これに対し、ＳｉＨ４を用いる方法や、５１２Ｉ（６を
用いても電力や流量を低下させる方法においては前記の
問題点を解決できない。
用いても電力や流量を低下させる方法においては前記の
問題点を解決できない。
本発明において閾値は供給エネルギー（Ｓｗｐμｍ、ｃ
ｃ１４ｕ４２ν）として表わすのが便利である。
ｃ１４ｕ４２ν）として表わすのが便利である。
供給エネルギーの求め方は次の式による。
Ｘ ジ’／ ランの頂ｊｂｆｒ ＣＩ 〕〔１３式に用
いる成膜条件の単位はＲＦ’電力（Ｗ）、原料ガス流量
（標準状態毎分当りの流量三ＳＣＣＭ）であり、１３４
４三６０（分）Ｘ２２．４（ｌ／ｍｏｌ ）で表わされ
る係数である。たとえばジシラン３ｏＳＣＣＭ。
いる成膜条件の単位はＲＦ’電力（Ｗ）、原料ガス流量
（標準状態毎分当りの流量三ＳＣＣＭ）であり、１３４
４三６０（分）Ｘ２２．４（ｌ／ｍｏｌ ）で表わされ
る係数である。たとえばジシラン３ｏＳＣＣＭ。
希釈のためのヘリウムガス２７０ＳＣＣＭのときは、平
均分子量＝（３０Ｘ６２．２＋２７０Ｘ４）／３００＝
９．８２、す、ＲＦ電力（グロー放電電力） ＝ ｉ＠
ｎｏ ｗのときには、〔１３式に代入して を得る。閾値の値は先に定義した通りであるが、具体的
に例示すれば、ジシランの場合５０ＫＪ／７−８１□Ｈ
６、ヘリウム宿駅１０％ジシランの場合１０ＫＪ／ＩＩ
Ｓ １２ Ｈ６、水素希釈１０％ジシランの場合３０Ｋ
Ｊ／１−５ ｉ ２Ｈａのごと（になる。
均分子量＝（３０Ｘ６２．２＋２７０Ｘ４）／３００＝
９．８２、す、ＲＦ電力（グロー放電電力） ＝ ｉ＠
ｎｏ ｗのときには、〔１３式に代入して を得る。閾値の値は先に定義した通りであるが、具体的
に例示すれば、ジシランの場合５０ＫＪ／７−８１□Ｈ
６、ヘリウム宿駅１０％ジシランの場合１０ＫＪ／ＩＩ
Ｓ １２ Ｈ６、水素希釈１０％ジシランの場合３０Ｋ
Ｊ／１−５ ｉ ２Ｈａのごと（になる。
本発明の方法は光活性層の形成をジシランによ１
り行いかつジシランにかかる閾値以上の必要
エネルギーを常に印加すると共に、特に光活性層の形成
の少くとも初期領域（界面領域）は上記閾値以上の範囲
でより低速度で、残りの大部分の領域をより高速度とな
るごとく連続的に堆積速度を変化させて行うものである
。
り行いかつジシランにかかる閾値以上の必要
エネルギーを常に印加すると共に、特に光活性層の形成
の少くとも初期領域（界面領域）は上記閾値以上の範囲
でより低速度で、残りの大部分の領域をより高速度とな
るごとく連続的に堆積速度を変化させて行うものである
。
ここで界面領域とは、光活性層の形成開始初期（たとえ
ばＰ −ｉ接合界面）または形成終了点（たとえばＰ−
ｎ接合界面）から１０００λ以内の膜厚部分、より好ま
しくは５０〜５００ズ の膜厚部分をいう。本発明の方
法においては光活性層の界面領域は必ず１０ Ａ／Ｓ以
下の堆積速度で形成されなければならない。ＩＯＡ／Ｓ
を越えると該領域における不純物の深さ方向の濃度分布
の制御が困難になり太陽電池の性能が低下する。本発明
の方法においては光活性層の界面領域を上記の如く閾値
以上のエネルギーを与えつつ、堆積速度を１０Ａ／Ｓ以
下の低速で行ないついで光活性層の大部分にあたる残り
の部分を２０ Ａ／’Ｓを越える高速で堆積するもので
ある。
ばＰ −ｉ接合界面）または形成終了点（たとえばＰ−
ｎ接合界面）から１０００λ以内の膜厚部分、より好ま
しくは５０〜５００ズ の膜厚部分をいう。本発明の方
法においては光活性層の界面領域は必ず１０ Ａ／Ｓ以
下の堆積速度で形成されなければならない。ＩＯＡ／Ｓ
を越えると該領域における不純物の深さ方向の濃度分布
の制御が困難になり太陽電池の性能が低下する。本発明
の方法においては光活性層の界面領域を上記の如く閾値
以上のエネルギーを与えつつ、堆積速度を１０Ａ／Ｓ以
下の低速で行ないついで光活性層の大部分にあたる残り
の部分を２０ Ａ／’Ｓを越える高速で堆積するもので
ある。
この場合堆積速度は連続的に変化させなければならない
。堆積速度の変化は閾値以上の供給エネルギーを与えつ
つ行なう。ここで連続的な変化とは不連続でない変化を
いい、不連続な変化とは、流量の変化にＲＦ電力の変化
が上記規定の供給エネルギー条件を満足すべく追従でき
ないような変化ないう。もし堆積速度を不連続的忙急激
に変化させると太陽電池特性の低下が生じる。
。堆積速度の変化は閾値以上の供給エネルギーを与えつ
つ行なう。ここで連続的な変化とは不連続でない変化を
いい、不連続な変化とは、流量の変化にＲＦ電力の変化
が上記規定の供給エネルギー条件を満足すべく追従でき
ないような変化ないう。もし堆積速度を不連続的忙急激
に変化させると太陽電池特性の低下が生じる。
なお、実際上便利な方法としてＲＦ電力の上昇を流量の
上昇に先行させる方法がある。この方法による限り供給
エネルギーは閾値を下回ることは以下であるが、この部
分の厚みは高々１００ＯＡ通常５Ｑ〜５００Ａ と薄
いので、平均堆積速度から要求される界面領域の堆積時
間の範囲内であれば、膜堆積速度は低い方がより制御し
やすい。
上昇に先行させる方法がある。この方法による限り供給
エネルギーは閾値を下回ることは以下であるが、この部
分の厚みは高々１００ＯＡ通常５Ｑ〜５００Ａ と薄
いので、平均堆積速度から要求される界面領域の堆積時
間の範囲内であれば、膜堆積速度は低い方がより制御し
やすい。
なお、本発明の方法を実施するに際し、より好ましくは
、第１の導電層を形成した基板を安定したグロー放電中
に移送することにより、光活性層の形成を開始すること
である。
、第１の導電層を形成した基板を安定したグロー放電中
に移送することにより、光活性層の形成を開始すること
である。
グロー放電の立上がり時には必ず放電に乱れが生じるの
で、これを避けるために、安定したグロー放電中九基板
を移送することが行なわれる。光活性層において界面領
域の形成だけを、高速で行なう残りの部分から分離して
おこなうことも本発明の効果を発揮させるＷ好ましい方
法の−っである。基板の移送時に放電九乱れる生じさせ
ないためには基板および基板ボルダ−は電気的に絶縁さ
れているか、基板および基板ボルダ−自身が絶縁物であ
ることが好ましい。
で、これを避けるために、安定したグロー放電中九基板
を移送することが行なわれる。光活性層において界面領
域の形成だけを、高速で行なう残りの部分から分離して
おこなうことも本発明の効果を発揮させるＷ好ましい方
法の−っである。基板の移送時に放電九乱れる生じさせ
ないためには基板および基板ボルダ−は電気的に絶縁さ
れているか、基板および基板ボルダ−自身が絶縁物であ
ることが好ましい。
本発明の方法を実施するための好ましい形態をガラス基
板を用いる例について示す。グロー放電反応室に透明導
電膜が形成されたガラス基板を挿入する。ついで減圧下
１（’）（１〜４ｏｏ℃の温度に加熱維持する。ジノラ
ンとｐ型ドーピングガスとによりｐ型ａ−８ｉニド（膜
な形成する。ｐ型ａ −Ｓ ｉ：１１膜のかわりにグロ
ー放電法や光分解法りでよりジシラ／、ｐ型ドーピング
ガス、炭素含有化合物とからｐ型ａ−５ｉ：Ｈ膜を形成
してもよい。ついでジシランをａ−８ｉ：Ｈ膜の形成速
度がグロー放電に用いる高周波電力に依存して変化しな
い領域、即ち閾値以上の領域において分解し光活性層を
形成する。界面の形成はジシランの流量を低くして行な
い、ついでＲＦ電力を上昇させながらジシラン流量を増
加させる。また堆積速度の遅いグロー放電中へ基板な移
送して光活性層を形成しはじめることは特に好ましいこ
とである。
板を用いる例について示す。グロー放電反応室に透明導
電膜が形成されたガラス基板を挿入する。ついで減圧下
１（’）（１〜４ｏｏ℃の温度に加熱維持する。ジノラ
ンとｐ型ドーピングガスとによりｐ型ａ−８ｉニド（膜
な形成する。ｐ型ａ −Ｓ ｉ：１１膜のかわりにグロ
ー放電法や光分解法りでよりジシラ／、ｐ型ドーピング
ガス、炭素含有化合物とからｐ型ａ−５ｉ：Ｈ膜を形成
してもよい。ついでジシランをａ−８ｉ：Ｈ膜の形成速
度がグロー放電に用いる高周波電力に依存して変化しな
い領域、即ち閾値以上の領域において分解し光活性層を
形成する。界面の形成はジシランの流量を低くして行な
い、ついでＲＦ電力を上昇させながらジシラン流量を増
加させる。また堆積速度の遅いグロー放電中へ基板な移
送して光活性層を形成しはじめることは特に好ましいこ
とである。
光活性層はジシランに対しＩ Ｖｐｐｍ以下の微量のジ
ボランを添加１２て形成されることもありうる。
ボランを添加１２て形成されることもありうる。
ついでジシランとｎ型ドーピングガスによりｎ型ａ−３
ｉ：Ｈ膜又はｎ型微結晶化水素化シリコン膜を形成する
。さらに第２の電極を形成して本発明を完成する。
ｉ：Ｈ膜又はｎ型微結晶化水素化シリコン膜を形成する
。さらに第２の電極を形成して本発明を完成する。
光活性層の形成条件は形成温度１００〜４００℃、圧力
０．０５〜’；！、Ｔｏｒｒである。このとき希釈ガス
として水素やヘリウムを用いることができる。希釈ガス
な用いることにより光活性層の光導重度を希釈ガスを用
いない場合に比べ２〜１０倍増加させることができる。
０．０５〜’；！、Ｔｏｒｒである。このとき希釈ガス
として水素やヘリウムを用いることができる。希釈ガス
な用いることにより光活性層の光導重度を希釈ガスを用
いない場合に比べ２〜１０倍増加させることができる。
ｊ ｐ型又はｐ型のドーピングガスは
それぞれジボラン（Ｂ２Ｈ６）およびホスフィン（ＰＨ
ｓ）が水素又はヘリウムで希釈して用いられる。
それぞれジボラン（Ｂ２Ｈ６）およびホスフィン（ＰＨ
ｓ）が水素又はヘリウムで希釈して用いられる。
太陽電池の形成方法は上記の態様の外にも（１）基板側
からｐ型−１型−ｐ型と積層する方法、（ｉｉ）電極を
分割しておいて、複数の太陽電池を形成しこれらを直列
接続した型で得る集積型太陽電池を製造する方法、（ｉ
ｉｉ ）電極およびａ−３ｉ：ｔ（膜を一様に形成した
後、レーザー光のような加熱手段で分割し、ついで集積
化する方法等いろいろあるが、これらのいずれの方法を
も用いることができる。
からｐ型−１型−ｐ型と積層する方法、（ｉｉ）電極を
分割しておいて、複数の太陽電池を形成しこれらを直列
接続した型で得る集積型太陽電池を製造する方法、（ｉ
ｉｉ ）電極およびａ−３ｉ：ｔ（膜を一様に形成した
後、レーザー光のような加熱手段で分割し、ついで集積
化する方法等いろいろあるが、これらのいずれの方法を
も用いることができる。
またｐ、ｉ、ｎ型ａ−３ｉ：Ｈ膜を単一の反応室で作成
する方法や別々の反応室で作成することもできる。
する方法や別々の反応室で作成することもできる。
なお、本発明においてｐ型、１型、ｎ型ａ−８ｉ：ｎ層
の膜厚はそれぞれ５０〜５００Ａ１２０００〜８０００
Ａ１５０〜５００Ａである。
の膜厚はそれぞれ５０〜５００Ａ１２０００〜８０００
Ａ１５０〜５００Ａである。
本発明で用いる基板や電極の材料については特に制限さ
れず、従来用いられている物質が有効に用いられる。
れず、従来用いられている物質が有効に用いられる。
たとえば、基板としては絶縁性又は導電性、透明又は不
透明のいずれの性質を有するものでもよい。基本的には
ガラス、アルミナ、シリコン、ステンレンステイール、
アルミニウム、モリブデン、耐熱性高分子等の物質で形
成されるフィルムあるいは板状の材料を基板として有効
に用いることができる。電極材料としては、光入射側に
はもちろん透明あるいは透光性の材料を用いなければな
らないが、これ以外の制限はない。アルミニウム、モリ
ブデン、ニクロム、ＩＴＯ１酸化錫、ステンレス等の薄
膜又は薄板が電極材料として有効に用いられる。
透明のいずれの性質を有するものでもよい。基本的には
ガラス、アルミナ、シリコン、ステンレンステイール、
アルミニウム、モリブデン、耐熱性高分子等の物質で形
成されるフィルムあるいは板状の材料を基板として有効
に用いることができる。電極材料としては、光入射側に
はもちろん透明あるいは透光性の材料を用いなければな
らないが、これ以外の制限はない。アルミニウム、モリ
ブデン、ニクロム、ＩＴＯ１酸化錫、ステンレス等の薄
膜又は薄板が電極材料として有効に用いられる。
〔発明を実施するための好ましい形態〕以下実施例によ
り本発明を説明する。
り本発明を説明する。
（実施例）
基板挿入室、ｐ層、光活性層、ｎ層の各層形成室、基板
取出し室からなるプラズマＣＶＤ装置において、本発明
の方法を実施した。ｐ層はＢ２Ｈａ ／Ｓ ＋、Ｈ６＝
０．ｌｙ（，１％、５１２Ｈａ／Ｈ２＝５０ ｖｏ１％
で、圧力０、ＩＴｏｒｒ、供給エネルギー８．２ＫＪ／
１Ｉ−８ｉ、Ｈ６、温度２００°Ｃで約１（’ＩＯＡの
膜厚に形成された。つぎに光活性層形成室に移し、温度
３００℃、形成圧力０．０８〜０．３ＴＯｒｒにおいて
供給エネルギーＱ６ＱＫ Ｊ ／ ｇ −８ｉ ２Ｈ６
として光活性層を形成した。光活性層の形成は２Ａ／Ｓ
の堆積速度を有する界面形成部に基板を移送し５０秒間
の滞留の後、３０Ａ／Ｓの堆積速度になるようにＲＦ電
力および流量を変化させ、約５０００Ａの膜厚とするこ
とで行なわれた。この時の平均の堆積速度は２３Ａ／Ｓ
を越える高速である。ついでｎ層形成室に移送した。
取出し室からなるプラズマＣＶＤ装置において、本発明
の方法を実施した。ｐ層はＢ２Ｈａ ／Ｓ ＋、Ｈ６＝
０．ｌｙ（，１％、５１２Ｈａ／Ｈ２＝５０ ｖｏ１％
で、圧力０、ＩＴｏｒｒ、供給エネルギー８．２ＫＪ／
１Ｉ−８ｉ、Ｈ６、温度２００°Ｃで約１（’ＩＯＡの
膜厚に形成された。つぎに光活性層形成室に移し、温度
３００℃、形成圧力０．０８〜０．３ＴＯｒｒにおいて
供給エネルギーＱ６ＱＫ Ｊ ／ ｇ −８ｉ ２Ｈ６
として光活性層を形成した。光活性層の形成は２Ａ／Ｓ
の堆積速度を有する界面形成部に基板を移送し５０秒間
の滞留の後、３０Ａ／Ｓの堆積速度になるようにＲＦ電
力および流量を変化させ、約５０００Ａの膜厚とするこ
とで行なわれた。この時の平均の堆積速度は２３Ａ／Ｓ
を越える高速である。ついでｎ層形成室に移送した。
ＰＨ，”５ｉ２Ｈ６＝ｌ ｖｏ Ｉ％、Ｓ２Ｈ，／Ｈ，
＝１０ｖｏ１％でｎ層を約３０ＯＡ形成した。基板取出
し室を経て取り出し真空蒸着にまりＡｌ電極を形成した
。ＡＭＩ１００７７１ＷＡ＋７ の光な照射したとこ
ろ光活性層の平均堆積速度が２３Ａ／Ｓを越す高速製造
条件であったにかかわらず、短絡電流は１３〜１４ｍＡ
／ｃＪ、曲線因子は０．６５〜０．７を維持しており、
光電変換効率の低下をひきおこさないことがわかった。
＝１０ｖｏ１％でｎ層を約３０ＯＡ形成した。基板取出
し室を経て取り出し真空蒸着にまりＡｌ電極を形成した
。ＡＭＩ１００７７１ＷＡ＋７ の光な照射したとこ
ろ光活性層の平均堆積速度が２３Ａ／Ｓを越す高速製造
条件であったにかかわらず、短絡電流は１３〜１４ｍＡ
／ｃＪ、曲線因子は０．６５〜０．７を維持しており、
光電変換効率の低下をひきおこさないことがわかった。
以上のごとく、たとえば上記実施例に示すように、本発
明の方法によれば高速製造条件においても短絡電流の低
下や曲線因子の低下等の太陽電池特性の低下を生じさせ
ることなく光電変換効率の高効率化を達成できるもので
ある。
明の方法によれば高速製造条件においても短絡電流の低
下や曲線因子の低下等の太陽電池特性の低下を生じさせ
ることなく光電変換効率の高効率化を達成できるもので
ある。
Claims (3)
- （１）電極を有する基板上に、シリコン水素化物のグロ
ー放電分解により、第１の導電層、光活性層および第２
の導電層を順次形成し、第２の電極を設ける光電変換素
子の製造方法において、少くとも該光活性層の形成をジ
シランにより行い、かつ該ジシラン単位質量当り、活性
層薄膜の形成速度が主としてジシラン流量に依存し印加
エネルギー量によつては実質的に影響されることのない
最低のエネルギー量（以下閾値という）以上のエネルギ
ーを常に印加すると共に、該光活性層形成の少くとも初
期領域はより低速度で、残りをより高速度となるごとく
連続的に堆積速度を変化させて行なうことを特徴とする
光電変換素子の製造方法。 - （２）光活性層の形成開始初期から１０００Å以内の膜
厚が形成される部分（初期領域部分）を１０Å／Ｓ以下
のより低い堆積速度で行なう特許請求の範囲第１項記載
の方法。 - （３）第１の導電層を形成した基板を安定したグロー放
電中に移送することにより光活性層の形成を開始する特
許請求の範囲第１項又は第２項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171438A JPH0612836B2 (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171438A JPH0612836B2 (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150380A true JPS6150380A (ja) | 1986-03-12 |
| JPH0612836B2 JPH0612836B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=15923122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171438A Expired - Lifetime JPH0612836B2 (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612836B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188381A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
| JPS6340383A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-20 | Hitachi Ltd | アモルフアス太陽電池の製造方法 |
| JPS6432684A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Mitsui Toatsu Chemicals | Photoelectric converter |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171437A (ja) * | 1983-03-19 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 偏向ヨ−ク |
-
1984
- 1984-08-20 JP JP59171438A patent/JPH0612836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171437A (ja) * | 1983-03-19 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 偏向ヨ−ク |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188381A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
| JPS6340383A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-20 | Hitachi Ltd | アモルフアス太陽電池の製造方法 |
| JPS6432684A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Mitsui Toatsu Chemicals | Photoelectric converter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0612836B2 (ja) | 1994-02-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |