JPS60192374A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS60192374A JPS60192374A JP59048504A JP4850484A JPS60192374A JP S60192374 A JPS60192374 A JP S60192374A JP 59048504 A JP59048504 A JP 59048504A JP 4850484 A JP4850484 A JP 4850484A JP S60192374 A JPS60192374 A JP S60192374A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、アモルファスシリコン、アモルファスシリコ
ンカーバイド、アモルファスシリコンスズ、アモルファ
スシリコンゲルマニウム及ヒソれ等と微結晶との混和を
含むシリコン化合物雰囲気中での高周波グロー放電によ
り形成されたアモルファスシリコン系の半導体を光電変
換に寄与する光活性層とした光起電力装置の製造方法に
関する。
ンカーバイド、アモルファスシリコンスズ、アモルファ
スシリコンゲルマニウム及ヒソれ等と微結晶との混和を
含むシリコン化合物雰囲気中での高周波グロー放電によ
り形成されたアモルファスシリコン系の半導体を光電変
換に寄与する光活性層とした光起電力装置の製造方法に
関する。
←）従来技術
シリコン化合物ガスを高周波グロー放電によりプラズマ
分解することによって瑚られるアモルファスシリコン系
の半導体（微結晶との混相も含む）が新素材として研究
さね実用域に達している。
分解することによって瑚られるアモルファスシリコン系
の半導体（微結晶との混相も含む）が新素材として研究
さね実用域に達している。
従来実用に供せられる上記シリコン化合物ガスとしては
モノシラン（ＳｉＨ４）ガスが一般的であるが、上記Ｓ
ｉＨ４ガスに代って高次ンランを使用する例がＢ、Ａ、
５ｃｏｔｔ他、「Ｇコ０Ｗｄｉｓｃｂ、ａｒｇｅ ｐｒ
ｅｐａ、ｒｅｉｉｏｎ ｏｆａ、ｍｏｒｐｈｏｕｓ ｈ
ｙｉｒｏｇｅｎａ℃ｅａθ１ｌｉｃｏｎ ｆｒｏｍ ｈ
、ｉｇｈθｒ ５ｉｌａｎｅａ」、７４ｐｐｌ 、ｐｈ
ｙｓ 、Ｌθｔ、ｔ、３７（８）、第７２５頁〜第７２
７頁、１９８０年１０月１５日発行に報告されている。
モノシラン（ＳｉＨ４）ガスが一般的であるが、上記Ｓ
ｉＨ４ガスに代って高次ンランを使用する例がＢ、Ａ、
５ｃｏｔｔ他、「Ｇコ０Ｗｄｉｓｃｂ、ａｒｇｅ ｐｒ
ｅｐａ、ｒｅｉｉｏｎ ｏｆａ、ｍｏｒｐｈｏｕｓ ｈ
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ｙｓ 、Ｌθｔ、ｔ、３７（８）、第７２５頁〜第７２
７頁、１９８０年１０月１５日発行に報告されている。
ここに高次シランとは。
Ｓ １ｎＨ２ｎ＋ｎ（ｎ＞ｚ ）のことであり、ジシラ
ン（８１２Ｈ６）、）ジシラン（Ｓｉ ５Ｈ８）、テト
ラシラン（Ｓｉ４ＨＩ［ｌ）等が一般的である。
ン（８１２Ｈ６）、）ジシラン（Ｓｉ ５Ｈ８）、テト
ラシラン（Ｓｉ４ＨＩ［ｌ）等が一般的である。
斯る高次シランはモノシランに比較して材料コストが高
くつく半面、反応条件を工夫することにより膜の成長速
度が数倍以上速くなり−Ｉ産性の向上が図れる、と云う
特長を有している。
くつく半面、反応条件を工夫することにより膜の成長速
度が数倍以上速くなり−Ｉ産性の向上が図れる、と云う
特長を有している。
そこで、従来から光電変換に寄与する光活性層が他の不
純物層の厚みに比較して１０倍以上肉厚であることに鑑
み、斯る光活性軸の製造に上記高次シランを用いること
が試みられている。
純物層の厚みに比較して１０倍以上肉厚であることに鑑
み、斯る光活性軸の製造に上記高次シランを用いること
が試みられている。
然し乍ら、高次シランは概してモノシランのプラズマ分
解より高基板温度、高高周波出力の条件下で反応が施さ
れるために、既に基板表面に形成済みの不純物層の露出
面にダメージを与え膜質を劣化せしめたり、この不純物
層と光活性層との整合性の欠如は免れない。斯る露出面
へのダメージ及び不整合性は高次シランのプラズマ分解
に工り発生した化学的活性種が上記露出面に衝突し、基
板に吸看していた膜要素を離脱せしめる結果、上記露出
面が荒らされると共に離脱した不純物が新ごと たに光活性軸中に取り込まれる等に起因するものと考え
られる。
解より高基板温度、高高周波出力の条件下で反応が施さ
れるために、既に基板表面に形成済みの不純物層の露出
面にダメージを与え膜質を劣化せしめたり、この不純物
層と光活性層との整合性の欠如は免れない。斯る露出面
へのダメージ及び不整合性は高次シランのプラズマ分解
に工り発生した化学的活性種が上記露出面に衝突し、基
板に吸看していた膜要素を離脱せしめる結果、上記露出
面が荒らされると共に離脱した不純物が新ごと たに光活性軸中に取り込まれる等に起因するものと考え
られる。
（ハ）発明の目的
本発明の目的は、上述の如き高次シランを用いたにも拘
らず既に形成済みの不純物層にダメージを与えることな
く、シかも整合性の良い光活性層を備えた光起電力装置
を提供することにある。
らず既に形成済みの不純物層にダメージを与えることな
く、シかも整合性の良い光活性層を備えた光起電力装置
を提供することにある。
に）発明の構成
シリコン化合物雰囲気中での高周波グロー放電により形
成されたアモルファスシリコン系の半導体を光電変換に
寄与する光活性軸とした本発明光起電力装置の製造方法
は、基板上に不純物を含むアモルファスシリコン系の不
純物層を形成後、この不純物層上に上記シリコン化合物
ガスとしてモノシランを用いて第１の光活性層を積層し
、次い−１ず で高次シランを用いて上記第１光活層の製造時に△ 比して高基板温度、高高周波出力により第２の光活性層
を重畳した、構成にある。
成されたアモルファスシリコン系の半導体を光電変換に
寄与する光活性軸とした本発明光起電力装置の製造方法
は、基板上に不純物を含むアモルファスシリコン系の不
純物層を形成後、この不純物層上に上記シリコン化合物
ガスとしてモノシランを用いて第１の光活性層を積層し
、次い−１ず で高次シランを用いて上記第１光活層の製造時に△ 比して高基板温度、高高周波出力により第２の光活性層
を重畳した、構成にある。
（ホ）実施例
第１図は本発明製造方法により製造される光起電力装置
の基本構造を示し、（１）は絶縁性の基板、（２１は該
基板（１１の一主面に形成された第１電極胸、（３）は
該第１電極層（２）上に設けられた半導体接合例えばｐ
ｉｎ接合を備えたアモルファスシリコン系の半導体層、
（４）は該半導体層（３）上に更に積層された第２電極
層である。上記＠１電極層（２）は、上記基板（１）が
透光性の材料例えばガラスからなり斯る基板（１１を入
射面とする場合、透光性を呈する酸化スズ、酸化インジ
ウムスズ等の透光性導電酸化物、或いは肉薄な半透明金
属から構成され、また不透明な耐熱性高分子フィルム例
えばポリイミドの場合、金属により形成される。
の基本構造を示し、（１）は絶縁性の基板、（２１は該
基板（１１の一主面に形成された第１電極胸、（３）は
該第１電極層（２）上に設けられた半導体接合例えばｐ
ｉｎ接合を備えたアモルファスシリコン系の半導体層、
（４）は該半導体層（３）上に更に積層された第２電極
層である。上記＠１電極層（２）は、上記基板（１）が
透光性の材料例えばガラスからなり斯る基板（１１を入
射面とする場合、透光性を呈する酸化スズ、酸化インジ
ウムスズ等の透光性導電酸化物、或いは肉薄な半透明金
属から構成され、また不透明な耐熱性高分子フィルム例
えばポリイミドの場合、金属により形成される。
一方、ｐ１ｎ重合金備えたアモルファスシリコン系の半
導体層（３）は、シリコン化合物雰囲気中での高周波グ
ロー放電により形成され１本願の土たる特徴点は斯る半
導体層（３）の膜構成及びその膜構成の原料ガス、史に
は製造（反応）条件にある。
導体層（３）は、シリコン化合物雰囲気中での高周波グ
ロー放電により形成され１本願の土たる特徴点は斯る半
導体層（３）の膜構成及びその膜構成の原料ガス、史に
は製造（反応）条件にある。
即ち、既にその表面に第１電極層（２）が形成済みの基
板（１１を例えば特開昭５６−１１１２７４号公報に開
示された如く容量結合型プラズマ反応装置の対向電極間
に加熱された状態で配［１、原料ガスとしてシリコンを
含むモノシラン（ＳｉＨＡ）ガス、メタン（ＯＨＭ）ガ
ス及びｐ型ドーパントのボロンを含むジポラン（Ｂ２Ｈ
１ｌ）ガスを上記反応装置内に導入すると共に、斯る原
料ガスをプラズマ分解すべく上記対向電極間に１５．５
６ＭＨＫの高周波（ＲＦ）電源を付与することにより、
先ずアモルファスシリコンカーバイド（ａ−６ｉｚＯｆ
−Ｘ）から成るｐ型不純物胸中）が形成され、次いでＯ
Ｈ４ガス及びＢ２Ｈ６ガスの供給を停止して不純物ドー
パントを含まない８１Ｈ４ガスのプラズマ分解により実
質的に真性なアモルファスシリコン（ａ−Ｂｉ）の第１
の光活性層（１１）を積層する。斯る第１の光活性１ｉ
ｉｉｉ（１１）形成後、直ちに光活性層の大部分を占め
るａ−ｆ３１の第２の光活性＠Ｃ１２）の重畳に移る。
板（１１を例えば特開昭５６−１１１２７４号公報に開
示された如く容量結合型プラズマ反応装置の対向電極間
に加熱された状態で配［１、原料ガスとしてシリコンを
含むモノシラン（ＳｉＨＡ）ガス、メタン（ＯＨＭ）ガ
ス及びｐ型ドーパントのボロンを含むジポラン（Ｂ２Ｈ
１ｌ）ガスを上記反応装置内に導入すると共に、斯る原
料ガスをプラズマ分解すべく上記対向電極間に１５．５
６ＭＨＫの高周波（ＲＦ）電源を付与することにより、
先ずアモルファスシリコンカーバイド（ａ−６ｉｚＯｆ
−Ｘ）から成るｐ型不純物胸中）が形成され、次いでＯ
Ｈ４ガス及びＢ２Ｈ６ガスの供給を停止して不純物ドー
パントを含まない８１Ｈ４ガスのプラズマ分解により実
質的に真性なアモルファスシリコン（ａ−Ｂｉ）の第１
の光活性層（１１）を積層する。斯る第１の光活性１ｉ
ｉｉｉ（１１）形成後、直ちに光活性層の大部分を占め
るａ−ｆ３１の第２の光活性＠Ｃ１２）の重畳に移る。
供給される原料ガスは第１の光活性層（ｉｌ）のそれと
は異なり高次シラン（Ｓｉｎ’Ｈ２ｎ＋ｎ）の内のジシ
ラン（８１２Ｈ６）であり１反応条件も斯る５ｉ１２Ｈ
６に合せて高基板温度、高Ｒｆ出力と変更されている。
は異なり高次シラン（Ｓｉｎ’Ｈ２ｎ＋ｎ）の内のジシ
ラン（８１２Ｈ６）であり１反応条件も斯る５ｉ１２Ｈ
６に合せて高基板温度、高Ｒｆ出力と変更されている。
即ち、光電変換に寄与する光活性層の厚みは通常約５１
１１１０Ａ以上と上記ｐ型不純？ｌ＠ （ｐ）及び後述
するｎ型不純物粕（ｎ）の約１００Ａ〜５００Ａに比較
して１０倍以上肉厚であることに起因する反応時間の長
期化に対処１７て、上記光活性層の大部分を占める第２
の光活性１ｍ（ｉｎの原料）ｊスとして膜の成長速度の
高速化が図れる上記Ｓｉ２Ｈ６ガスが用いられている。
１１１０Ａ以上と上記ｐ型不純？ｌ＠ （ｐ）及び後述
するｎ型不純物粕（ｎ）の約１００Ａ〜５００Ａに比較
して１０倍以上肉厚であることに起因する反応時間の長
期化に対処１７て、上記光活性層の大部分を占める第２
の光活性１ｍ（ｉｎの原料）ｊスとして膜の成長速度の
高速化が図れる上記Ｓｉ２Ｈ６ガスが用いられている。
半導体＠（３）の最終形成工程として、８１Ｈ４ガスに
ｎｑトド−ントのリンを含むホスフィン（ＰＨ５）を反
応装置内に導入し、斯る導入ガスをプラズマ分解して上
記３１２Ｈ６による第２の光活性層（１２）上にａ−ｊ
ｉ３１のｎ型不純物層（１’ｌ）が積層被看さ刊る。
ｎｑトド−ントのリンを含むホスフィン（ＰＨ５）を反
応装置内に導入し、斯る導入ガスをプラズマ分解して上
記３１２Ｈ６による第２の光活性層（１２）上にａ−ｊ
ｉ３１のｎ型不純物層（１’ｌ）が積層被看さ刊る。
この様にして４層が重妥被看された半導体層（３）は基
板（１）側から見て膜面に平行なｐｉｎ接合を備え、ｐ
型不純物層（ｐ）としてａ、−３１ｚＣＩＩ−ｘを用い
ることにより第１．第２の光活性１ｍ（ｉｔ）（１２）
の８−８１に比して短波長側の透過率が改善されること
が知られており、従って、斯る実施例としては基板（１
）及び第１電極層（１１）を透光性ｔｒ旧′１により構
成するのが好適である。
板（１）側から見て膜面に平行なｐｉｎ接合を備え、ｐ
型不純物層（ｐ）としてａ、−３１ｚＣＩＩ−ｘを用い
ることにより第１．第２の光活性１ｍ（ｉｔ）（１２）
の８−８１に比して短波長側の透過率が改善されること
が知られており、従って、斯る実施例としては基板（１
）及び第１電極層（１１）を透光性ｔｒ旧′１により構
成するのが好適である。
上記基板ｆｉｌ（ＩＴＱを受光面とする好適な実施例に
於いては、第２電極脂（２）はアルミニウム等のオーミ
ック性金駒材料から成り、蒸肴、スパッタリング手法等
により上記半導体層（３）のｎ型不純物＠（ｎ）上に設
けられる。また逆に８２電極軸（４）を受光面とする場
合、透光性或いは半透光性の材料から構成され、更には
図示していないが金属ケグリッド形状としても良い。
於いては、第２電極脂（２）はアルミニウム等のオーミ
ック性金駒材料から成り、蒸肴、スパッタリング手法等
により上記半導体層（３）のｎ型不純物＠（ｎ）上に設
けられる。また逆に８２電極軸（４）を受光面とする場
合、透光性或いは半透光性の材料から構成され、更には
図示していないが金属ケグリッド形状としても良い。
ただし、ガス圧ばＱ、３’ｐＯｒｒで共通上記反応条件
により製造した半導体層（３）を備えたｐ型不純物層（
Ｔｌ）を受光面とする本発明光起電力装置と、光活性−
として５１２Ｈ６のみで形成した以外は同一構成の半導
体層から成る従来の光起電力装置との入射光に対する収
集効率を夫々測定したところ第２図の如き結果を得た。
により製造した半導体層（３）を備えたｐ型不純物層（
Ｔｌ）を受光面とする本発明光起電力装置と、光活性−
として５１２Ｈ６のみで形成した以外は同一構成の半導
体層から成る従来の光起電力装置との入射光に対する収
集効率を夫々測定したところ第２図の如き結果を得た。
即ち、実線で示された本発明光起電力装＠ｌｄ破線の従
来装置に比較して短波長側１での収集効寥が改善されて
いることが判る。換言するシ、斯る収集効率を示す第２
図は、モノシランによる第１光活性層（１１）をジシラ
ンによる第２光活性層（１２）と光入射側であるｐ型不
純物層（Ｉｌｌ）との間に配挿することにより、ジシラ
ンの反応時に於けるｐ型不純物層（ｐ）へのダメージが
低減されると共に、斯るｐ型不純物＠（ｐ）と光活性、
−との整合が改善される結果、今までｐ型不純物層（１
））で吸収されていた波長が光電変換に有効Ｏて寄与す
る光活性−にまで到達する割合が増加したことを意味し
ている。
来装置に比較して短波長側１での収集効寥が改善されて
いることが判る。換言するシ、斯る収集効率を示す第２
図は、モノシランによる第１光活性層（１１）をジシラ
ンによる第２光活性層（１２）と光入射側であるｐ型不
純物層（Ｉｌｌ）との間に配挿することにより、ジシラ
ンの反応時に於けるｐ型不純物層（ｐ）へのダメージが
低減されると共に、斯るｐ型不純物＠（ｐ）と光活性、
−との整合が改善される結果、今までｐ型不純物層（１
））で吸収されていた波長が光電変換に有効Ｏて寄与す
る光活性−にまで到達する割合が増加したことを意味し
ている。
（へ）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、既に形成済みの
不純物層上に光活性層を積層するに際し、先ずモノシラ
ンを用いて第１の光活性層を形成し、次いで高次シラン
を用いて第２の光活性層を重畳せしめたので、高次シラ
ンによる反応時には上記不純物層は第１の光活性層によ
り保護されるために斯る不純物層へのダメージの低減が
図れ良質な膜を得ることができると共に、光活性層との
整合性も改善される。
不純物層上に光活性層を積層するに際し、先ずモノシラ
ンを用いて第１の光活性層を形成し、次いで高次シラン
を用いて第２の光活性層を重畳せしめたので、高次シラ
ンによる反応時には上記不純物層は第１の光活性層によ
り保護されるために斯る不純物層へのダメージの低減が
図れ良質な膜を得ることができると共に、光活性層との
整合性も改善される。
８１図は本発明製造方法により形成された光起電力装置
の基本構造を示す側面図、第２図は光収集効率を示す特
性図で、（１）は基板、（３）は半導体層。 Ｃ）はＰ型不純物層、（１１）は第１光活性層、（１２
）は第２光活性層、を夫々示している。 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 佐 贋 静 夫
の基本構造を示す側面図、第２図は光収集効率を示す特
性図で、（１）は基板、（３）は半導体層。 Ｃ）はＰ型不純物層、（１１）は第１光活性層、（１２
）は第２光活性層、を夫々示している。 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 佐 贋 静 夫
Claims (1)
- （１）シリコン化合物雰囲気中での高周波グロー放電に
より形成されたアモルファスシリコン系の半導体を光電
変換に寄与する光活性層とした光起電力装置の製造方法
であって、基板上に不純物を含むアモルファスシリコン
系の不純物層を形成後、この不純物層上に上記シリコン
化合物ガスとしてハ に比して高基板温度、高高周波出力により第２の光活性
層を重畳したことを特徴とする光起電力装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59048504A JPS60192374A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59048504A JPS60192374A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60192374A true JPS60192374A (ja) | 1985-09-30 |
Family
ID=12805206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59048504A Pending JPS60192374A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60192374A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188381A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
| JPS63220577A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS63220578A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS63241970A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| US5034333A (en) * | 1988-10-27 | 1991-07-23 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | Method of manufacturing an amorphous silicon solar cell |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191477A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 太陽電池の製法 |
| JPS5925278A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質太陽電池およびその製法 |
-
1984
- 1984-03-13 JP JP59048504A patent/JPS60192374A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191477A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 太陽電池の製法 |
| JPS5925278A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質太陽電池およびその製法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188381A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
| JPS63220577A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS63220578A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS63241970A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| US5034333A (en) * | 1988-10-27 | 1991-07-23 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | Method of manufacturing an amorphous silicon solar cell |
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