JPS58191477A - 太陽電池の製法 - Google Patents
太陽電池の製法Info
- Publication number
- JPS58191477A JPS58191477A JP57074522A JP7452282A JPS58191477A JP S58191477 A JPS58191477 A JP S58191477A JP 57074522 A JP57074522 A JP 57074522A JP 7452282 A JP7452282 A JP 7452282A JP S58191477 A JPS58191477 A JP S58191477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- substrate
- layer
- type layer
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910005096 Si3H8 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコン太ＩＩ電池の製法に関し
、特に５ｌｎＨ２ｎ＋２ （ｎ ＞ ２ ）の熱分解（
ｃ−ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ旦Ｃｐｏｓ ｉ ｔ
ｉｏｎ ）による新規のアモルファスシリコン（以下ａ
−８ｉと略称する）太陽電池の製法に関する。
、特に５ｌｎＨ２ｎ＋２ （ｎ ＞ ２ ）の熱分解（
ｃ−ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ旦Ｃｐｏｓ ｉ ｔ
ｉｏｎ ）による新規のアモルファスシリコン（以下ａ
−８ｉと略称する）太陽電池の製法に関する。
ａ−ｓｉ太陽電池は、り１］えは第１図の如く、ガラス
基板１、透光性の第１の電極２、ｐ型層−８ｉｒｆｉろ
、ｉ型層 −８ｉ Ｊ頓４、ｎ型層−８１層５、第２の
電極６により構成される。
基板１、透光性の第１の電極２、ｐ型層−８ｉｒｆｉろ
、ｉ型層 −８ｉ Ｊ頓４、ｎ型層−８１層５、第２の
電極６により構成される。
光発電領域はこれらのａ−ｓｉ層により形成されている
。ｌ型層は入射光を有効に利用するためにその厚みはｐ
型層やｎ型層の厚みの１０〜１００倍を必要とする。す
なわち光発電領域の形成に要する時間の大部分が１型層
形成の為に費される。従来、グロー放電法ではａ−ｓｉ
層の形成速度が高々のために数１０分〜１時間を必要と
していた。これは生産性を低下させるばかりか、プラズ
マ中に長時間さらされることを意味するものであり、電
極の損傷も生じていた。また従来のＣＶＤ法においては
ｓｉＨ，を用いていたがために少くとも６００℃り上の
筒部でなければ、目的を達成できなかった。
。ｌ型層は入射光を有効に利用するためにその厚みはｐ
型層やｎ型層の厚みの１０〜１００倍を必要とする。す
なわち光発電領域の形成に要する時間の大部分が１型層
形成の為に費される。従来、グロー放電法ではａ−ｓｉ
層の形成速度が高々のために数１０分〜１時間を必要と
していた。これは生産性を低下させるばかりか、プラズ
マ中に長時間さらされることを意味するものであり、電
極の損傷も生じていた。また従来のＣＶＤ法においては
ｓｉＨ，を用いていたがために少くとも６００℃り上の
筒部でなければ、目的を達成できなかった。
その上６００”ＣＪＪ上の高温においては利用しうる基
板が限られてくるので実用性に乏しいものであった。
板が限られてくるので実用性に乏しいものであった。
本発明は上記の欠点を克服するものである。すなわち、
本発明は基板上に形成されたアモルファスシリコン層か
らなる光発電領域を有するアモルファス太陽電池におい
て、無ドープ（ｎ型）アモルファスシリコン層が一般式
５１ｎＨ２ｎ＋２ （ｎ ＞ ２ ）であられされる水
素化／リコンの熱分解により形成されるものである。
本発明は基板上に形成されたアモルファスシリコン層か
らなる光発電領域を有するアモルファス太陽電池におい
て、無ドープ（ｎ型）アモルファスシリコン層が一般式
５１ｎＨ２ｎ＋２ （ｎ ＞ ２ ）であられされる水
素化／リコンの熱分解により形成されるものである。
８１ｒ＋Ｈ２ｎ＋２ （ｎ＞ ２ ）であられされる水
素化シリコンとしては、取扱い上、製造上の点から特に
好捷しくは５Ｉ２Ｈ６，５１３Ｈ８が用いられる。これ
らの熱分解は２５０℃以上で進行し、好ましくは３００
〜４５０℃の範囲で行われる。高温になれば形成される
非晶質シリコン中において、非晶質ンリコ／ン のダ＼グリングホンドを補償しているといわれている水
素が離脱して光電変換特性が悪化する。
素化シリコンとしては、取扱い上、製造上の点から特に
好捷しくは５Ｉ２Ｈ６，５１３Ｈ８が用いられる。これ
らの熱分解は２５０℃以上で進行し、好ましくは３００
〜４５０℃の範囲で行われる。高温になれば形成される
非晶質シリコン中において、非晶質ンリコ／ン のダ＼グリングホンドを補償しているといわれている水
素が離脱して光電変換特性が悪化する。
すなわちＳｉＨ，のＣＶＤの場合と同様にａ−ｓｉ層に
は水素がほとんど存在しない。そのため光電変換特性を
向上させるためには水素雰囲気あるいは水素プラズマ中
でアニールせねばならず本発明の利点がなくなる。本発
明は３００〜４５０ ℃でＣＶＤできることに特徴があ
る。この温度範囲はａ−ｓｉ中に水素が充分存在しうる
ものであり、そのため水素アニールの工程は省略できる
。さらにｃｖＤＶｉ大気圧下ですみやかに進行するので
数ＴｏｒｒＪＪ下の減圧下でなければならないグロー放
電に比べａ−ｓｉの堆積速度は格段に大きく、５０Ａ／
秒以上の堆積速度を容易に達成できる。このだめ膜厚５
０ＤＯＡ／１μｍのａ−８１層を数分り内に形成するこ
とが可能になる。
は水素がほとんど存在しない。そのため光電変換特性を
向上させるためには水素雰囲気あるいは水素プラズマ中
でアニールせねばならず本発明の利点がなくなる。本発
明は３００〜４５０ ℃でＣＶＤできることに特徴があ
る。この温度範囲はａ−ｓｉ中に水素が充分存在しうる
ものであり、そのため水素アニールの工程は省略できる
。さらにｃｖＤＶｉ大気圧下ですみやかに進行するので
数ＴｏｒｒＪＪ下の減圧下でなければならないグロー放
電に比べａ−ｓｉの堆積速度は格段に大きく、５０Ａ／
秒以上の堆積速度を容易に達成できる。このだめ膜厚５
０ＤＯＡ／１μｍのａ−８１層を数分り内に形成するこ
とが可能になる。
ｐ型やｎ型の不純物をドープされたｐ型層−ｓｉ層やｎ
型層−ｓｉ層は熱分解によって形成することもできるが
、薄い厚みを制御して形成するために、堆積速度の小さ
いＳｉＨ４のグロー放電を用いることも便利である。
型層−ｓｉ層は熱分解によって形成することもできるが
、薄い厚みを制御して形成するために、堆積速度の小さ
いＳｉＨ４のグロー放電を用いることも便利である。
本発明を実施するに適する製造装置は、原料カス導入手
段、真空排気手段、基板加熱冷却手段及び高周波印加手
段を有する装置であればよい。
段、真空排気手段、基板加熱冷却手段及び高周波印加手
段を有する装置であればよい。
以下に第１図にもとづいて本発明を説明する。
透光性の第１の電極２を被着したガラス基板１を上記の
装置に挿入する。透光性の第１の電極としてはＩＴＯ１
ＳｎＯ２、やこれらの多層膜が有効に用いられる。基板
を２５０〜３００℃に加熱したあとでＢ２Ｈ，、／５ｉ
Ｈ４＝１０−’〜１Ｏ−１（容量比）のガスを導入し、
雰囲気圧力を０．０１〜５Ｔｏｒｒに調節しグロー放電
を行ない、５０〜５００Ａのｐ型層ろを堆積する。つい
で基板を３００〜４５０℃に加熱し、５１２Ｈ６，５１
３Ｈ８を導入するとｎ型層４が堆積する。反応槽内圧力
ははマ大気圧である。５１２Ｈ６や５１３Ｈ８は単独あ
るいはＨ３やＨｅ等の希釈ガスとともに反応１内に導入
される。ついで基板を２５０〜３００℃に冷却する。Ｐ
Ｈ３／ ＳＩＲ，＝ １０−’〜１ｏ−Ｊ容量比）の混
合カスを導入し、雰囲気圧力を０．０１〜５Ｔｏｒｒに
調節しグロー放電を行ない５０〜５００Ａのｎ型１脅５
を堆積する。当然のことながらｐ型やｎ ｆｐＢの不Ｎ
！物とともに希釈ガスを導入することは本発明において
何ら支障はない。つきに第２の電＄６を形成する。第２
の電極はグロー放電法、蒸着法、印刷法等公知の技術を
用いて形成される。
装置に挿入する。透光性の第１の電極としてはＩＴＯ１
ＳｎＯ２、やこれらの多層膜が有効に用いられる。基板
を２５０〜３００℃に加熱したあとでＢ２Ｈ，、／５ｉ
Ｈ４＝１０−’〜１Ｏ−１（容量比）のガスを導入し、
雰囲気圧力を０．０１〜５Ｔｏｒｒに調節しグロー放電
を行ない、５０〜５００Ａのｐ型層ろを堆積する。つい
で基板を３００〜４５０℃に加熱し、５１２Ｈ６，５１
３Ｈ８を導入するとｎ型層４が堆積する。反応槽内圧力
ははマ大気圧である。５１２Ｈ６や５１３Ｈ８は単独あ
るいはＨ３やＨｅ等の希釈ガスとともに反応１内に導入
される。ついで基板を２５０〜３００℃に冷却する。Ｐ
Ｈ３／ ＳＩＲ，＝ １０−’〜１ｏ−Ｊ容量比）の混
合カスを導入し、雰囲気圧力を０．０１〜５Ｔｏｒｒに
調節しグロー放電を行ない５０〜５００Ａのｎ型１脅５
を堆積する。当然のことながらｐ型やｎ ｆｐＢの不Ｎ
！物とともに希釈ガスを導入することは本発明において
何ら支障はない。つきに第２の電＄６を形成する。第２
の電極はグロー放電法、蒸着法、印刷法等公知の技術を
用いて形成される。
上記の例はガラス基板を用いるｐ開型ａ−ｓｉ太Ｉ′ｊ
Ａ電池についての説明であったが、ステンレス基板を用
いるａ−ｓｉ太陽電池、ｌ型層−３１１曽を有する７ヨ
ノトキー障壁型、ＭＩＳ型、ペテロ接合型等の太陽電池
においても本発明は有効に用いられる。
Ａ電池についての説明であったが、ステンレス基板を用
いるａ−ｓｉ太陽電池、ｌ型層−３１１曽を有する７ヨ
ノトキー障壁型、ＭＩＳ型、ペテロ接合型等の太陽電池
においても本発明は有効に用いられる。
以下実施例をあげてさらに具体的に説明する。
実施例
ガラス基板上にＩＴＯ１０００Ａその上に５ｎＯ２２０
０Ａをコートした基板を熱分解装置に挿入する。
０Ａをコートした基板を熱分解装置に挿入する。
基板を３００℃に加熱した後にＢ２Ｈ６／ ５ｉＨ４＝
１０−２のガスをＨ２で希釈して導入し、圧力を１．
５Ｔｏｒｒに調節し、グロー放電を開始した。約１［］
ＯＡのｐ型層を形成させた。放電を停止して４５０℃に
基板を加熱し、５Ｉ２Ｈ６／Ｈｅ−１／４の混合ガスを
導入した。５０００Ａのｌ型層−ｓｉの形成は約１分間
で終了した。基板を３００℃に冷却し、ＰＨ３／ｓｉＨ
，＝１０−３のガスをＨ２で希釈に導入し、圧力を１５
Ｔｏｒｒ Ｋ調節し、グロー放電によりｎ型層を２０Ｏ
Ａの膜岸で形成させた。この上からアルミニウム薄膜を
真空蒸着により形成し第２の電極とした。
１０−２のガスをＨ２で希釈して導入し、圧力を１．
５Ｔｏｒｒに調節し、グロー放電を開始した。約１［］
ＯＡのｐ型層を形成させた。放電を停止して４５０℃に
基板を加熱し、５Ｉ２Ｈ６／Ｈｅ−１／４の混合ガスを
導入した。５０００Ａのｌ型層−ｓｉの形成は約１分間
で終了した。基板を３００℃に冷却し、ＰＨ３／ｓｉＨ
，＝１０−３のガスをＨ２で希釈に導入し、圧力を１５
Ｔｏｒｒ Ｋ調節し、グロー放電によりｎ型層を２０Ｏ
Ａの膜岸で形成させた。この上からアルミニウム薄膜を
真空蒸着により形成し第２の電極とした。
第１図は本発明の太陽電池の１例であり、第２図は本発
明の他の１例であり、これらはいずれも縦断面図を示し
ている。 （０）・−・入射光、１・・・ガラス基板、２ ・・透
光性の第１の電極、３ ｐ型アモルファスンリコン
、４ ・・１型アモルファスンリコン、５−ｎ型アモル
ファスンリコン、６・・第２の１ｆｌｃ ７・ｆ光性
の電極、８ ・・導電性基板 特許出願人 三井東圧化学株式会社 第１図 （ｒ箋） ３３７一
明の他の１例であり、これらはいずれも縦断面図を示し
ている。 （０）・−・入射光、１・・・ガラス基板、２ ・・透
光性の第１の電極、３ ｐ型アモルファスンリコン
、４ ・・１型アモルファスンリコン、５−ｎ型アモル
ファスンリコン、６・・第２の１ｆｌｃ ７・ｆ光性
の電極、８ ・・導電性基板 特許出願人 三井東圧化学株式会社 第１図 （ｒ箋） ３３７一
Claims (1)
- （１）基板上に形成されたアモルファスシリコン層から
なる光発電領域を有するアモルファス太陽電池において
、無ドープ（１型）アモルファスシリコンＩ曽が一般式
５ＩｎＨ２ｎ＋２においてｎ）２であられされる水素化
／リコンの熱分解により形成されることを特徴とする太
陽電池の製法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57074522A JPS58191477A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 太陽電池の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57074522A JPS58191477A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 太陽電池の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58191477A true JPS58191477A (ja) | 1983-11-08 |
Family
ID=13549732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57074522A Pending JPS58191477A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 太陽電池の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58191477A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60192374A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPH01257375A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-13 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671927A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-15 | Canon Inc | Manufacture of amorphous hydro-silicon layer |
| JPS5683929A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-08 | Ibm | Method of chemically vapor adhering |
| JPS56107551A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Amorphous semiconductor having chemical modification |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP57074522A patent/JPS58191477A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671927A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-15 | Canon Inc | Manufacture of amorphous hydro-silicon layer |
| JPS5683929A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-08 | Ibm | Method of chemically vapor adhering |
| JPS56107551A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Amorphous semiconductor having chemical modification |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60192374A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPH01257375A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-13 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6122622A (ja) | 光起電力パネルの製造方法及び装置 | |
| US20050101160A1 (en) | Silicon thin film transistors and solar cells on plastic substrates | |
| JPH0677510A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH07123169B2 (ja) | 光起電力デバイスの製造方法 | |
| US6821797B2 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| NO823744L (no) | Fremgangsmaate og innretning for fremstilling av en amorf halvleder. | |
| US4415760A (en) | Amorphous silicon solar cells incorporating an insulating layer in the body of amorphous silicon and a method of suppressing the back diffusion of holes into an N-type region | |
| JPS6150378A (ja) | 非晶質太陽電池の製法 | |
| US4799968A (en) | Photovoltaic device | |
| JPS58191477A (ja) | 太陽電池の製法 | |
| JP3623520B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製法 | |
| US5358755A (en) | Amorphous hydrogenated silicon-carbon alloys and solar cells and other semiconductor devices produced therefrom | |
| JPH0364973A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPS6150380A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPS6150379A (ja) | 光電変換素子の製法 | |
| JP2822358B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPS59101879A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPS6258675B2 (ja) | ||
| JPH05343713A (ja) | 非晶質太陽電池の製造方法 | |
| TWI614907B (zh) | 半導體元件及其製作方法 | |
| JP2812377B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法、並びにそれを用いた発電システム | |
| JPH07263728A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPH0714072B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JP2004297008A (ja) | ｐ型半導体材料、その作製方法、その作製装置、光電変換素子、発光素子、および薄膜トランジスタ | |
| Hazra et al. | Development of low and high bandgap amorphous silicon without alloying by germanium and carbon and their feasibility as active layers in the solar cells |