JPS6122622A - 光起電力パネルの製造方法及び装置 - Google Patents
光起電力パネルの製造方法及び装置Info
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- JPS6122622A JPS6122622A JP60077525A JP7752585A JPS6122622A JP S6122622 A JPS6122622 A JP S6122622A JP 60077525 A JP60077525 A JP 60077525A JP 7752585 A JP7752585 A JP 7752585A JP S6122622 A JPS6122622 A JP S6122622A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光起電カバネルの製造方法及び装置に関する。
本発明は、また比較的高いアクセプタ濃度を有するP形
シリコン膜を効率的に形成する方法に関し、更に全体的
に又は部分的に非晶質のP形およびN形のシリコン膜を
連続的に堆積および形成することを含むパッチ法又は連
続法において改良されたP−N素子およびp−■−Ns
子が形成できるように前記方法から製造された素子に関
する。
シリコン膜を効率的に形成する方法に関し、更に全体的
に又は部分的に非晶質のP形およびN形のシリコン膜を
連続的に堆積および形成することを含むパッチ法又は連
続法において改良されたP−N素子およびp−■−Ns
子が形成できるように前記方法から製造された素子に関
する。
本発明は、ダイオード、スイッチ、およびトランジスタ
の如き増幅素子の製造に用いられるが、最も重要な用途
は太陽電池その他のエネルギ変換素子の如き光電作用素
子の製造にある。
の如き増幅素子の製造に用いられるが、最も重要な用途
は太陽電池その他のエネルギ変換素子の如き光電作用素
子の製造にある。
結晶質半導体技術は商業的な水準に達したが、この技術
は今日の巨大な半導体素子製造産業の基礎となった。こ
れは、実質的に欠陥のないゲルマニウム、特にシリコン
の結晶を成長させ、更にこれ等の結晶をその内部のP形
又はN形の伝導領域を有する外因性物質に転じる科学者
の能力に依るものであった。このことは、このような結
晶質の材料に、実質的に純粋な結晶質材料に置換不純物
として導入されたppm程度のドナー(N)又はアクセ
プタ(p) I?”zbドー7′#−物質を拡散させて
、その導電率を高めかつそれ等のP形又はN形の導電性
を制御することによって達成された。P−N接合および
光電作用を有する結晶質を形成する製造プロセスは、非
常に複雑で、時間を要し、高価な工程を含む。このため
、太陽電池および電流制御素子において有用なこれ等の
結晶質材料は、個々のシリコン又はゲルマニウムの単結
晶を成長させることにより、又P−N接合が必要な場合
は、非常に少い臨界量のドープ物質をこのような単結晶
にドープすることによって、非常に慎重に制御された条
件下で形成される。
は今日の巨大な半導体素子製造産業の基礎となった。こ
れは、実質的に欠陥のないゲルマニウム、特にシリコン
の結晶を成長させ、更にこれ等の結晶をその内部のP形
又はN形の伝導領域を有する外因性物質に転じる科学者
の能力に依るものであった。このことは、このような結
晶質の材料に、実質的に純粋な結晶質材料に置換不純物
として導入されたppm程度のドナー(N)又はアクセ
プタ(p) I?”zbドー7′#−物質を拡散させて
、その導電率を高めかつそれ等のP形又はN形の導電性
を制御することによって達成された。P−N接合および
光電作用を有する結晶質を形成する製造プロセスは、非
常に複雑で、時間を要し、高価な工程を含む。このため
、太陽電池および電流制御素子において有用なこれ等の
結晶質材料は、個々のシリコン又はゲルマニウムの単結
晶を成長させることにより、又P−N接合が必要な場合
は、非常に少い臨界量のドープ物質をこのような単結晶
にドープすることによって、非常に慎重に制御された条
件下で形成される。
これ等の結晶成長プロセスでは比較的小さな結晶しか形
成されないため、太陽電池は単一の太陽電池パネルの所
要領域をカバーするのに多くの単結晶を組合せて太陽電
池をつくらねばならない。
成されないため、太陽電池は単一の太陽電池パネルの所
要領域をカバーするのに多くの単結晶を組合せて太陽電
池をつくらねばならない。
このような方法で1つの太陽電池を製造するのに必要な
エネルギ量、シリコン結晶の寸法限度により生じる制約
、およびこのような結晶質材料の裁断および組合せの必
要性は5全てエネルギ変換用の結晶質半導体太陽電池の
大規模な使用に対する実施不能な経済的障壁をもたらす
ことになる。更に、結晶質シリコンは間接光学エツジを
有している放光吸収が少ない洸吸収が少ないため、結晶
質の太陽電池は入射太陽光を吸収するように少くとも5
0ミクロンの厚さにしなければならない。仮に、この結
晶質材料を比較的安価な製造プロセスを用いて多結晶質
シリコンで置換しても、前記間接光学エツジの問題は依
然として存在し、従って材料の厚さは減少され得ない。
エネルギ量、シリコン結晶の寸法限度により生じる制約
、およびこのような結晶質材料の裁断および組合せの必
要性は5全てエネルギ変換用の結晶質半導体太陽電池の
大規模な使用に対する実施不能な経済的障壁をもたらす
ことになる。更に、結晶質シリコンは間接光学エツジを
有している放光吸収が少ない洸吸収が少ないため、結晶
質の太陽電池は入射太陽光を吸収するように少くとも5
0ミクロンの厚さにしなければならない。仮に、この結
晶質材料を比較的安価な製造プロセスを用いて多結晶質
シリコンで置換しても、前記間接光学エツジの問題は依
然として存在し、従って材料の厚さは減少され得ない。
この多結晶質材料ではまた粒界その他の欠点が加わる。
一方、非晶質シリコンは直接光学エツジを有し、結晶質
シリコンと同量の太陽光を吸収するため僅かに1ミクロ
ンの厚さの材料しか必要としない。
シリコンと同量の太陽光を吸収するため僅かに1ミクロ
ンの厚さの材料しか必要としない。
従って、必要に応じて比較的大きな面iを覆うことがで
き、付着設備の寸法によってしか制約を受けず、結晶質
の場合に形成されるものと同等のP−N接合が形成され
るP形およびN形の材料を得るため容易にドープできる
非晶質半導体膜を容易に付着させるプロセスを開発する
ため多大の努力がなされて来た。長い年月にわたってこ
のような作業は殆んど成果を挙げなかった。非晶質シリ
コン又はゲルマニウム(第■族)の膜は、エネルギ・ギ
ャップ中に高密度の局在状態を生じる微小孔、ダングリ
ング結合その他の欠陥を有することが判った。非晶質シ
リコン半導体膜のエネルギ番ギャップ中に高密度の局在
状態がある場合、光伝導率が小さくなり、拡散距離が短
くなり、その結果この膜を太陽電池の用途には不適格な
ものにする。更に、このような膜は、フェルミ準位を伝
導帯又は価電子蛍に近づけるように移動させるドープそ
の他の変成措置が成功せず、太陽電池および電流制御素
子用のショットキー・バリア又はP−N接合の形成には
不適合なものとなる。
き、付着設備の寸法によってしか制約を受けず、結晶質
の場合に形成されるものと同等のP−N接合が形成され
るP形およびN形の材料を得るため容易にドープできる
非晶質半導体膜を容易に付着させるプロセスを開発する
ため多大の努力がなされて来た。長い年月にわたってこ
のような作業は殆んど成果を挙げなかった。非晶質シリ
コン又はゲルマニウム(第■族)の膜は、エネルギ・ギ
ャップ中に高密度の局在状態を生じる微小孔、ダングリ
ング結合その他の欠陥を有することが判った。非晶質シ
リコン半導体膜のエネルギ番ギャップ中に高密度の局在
状態がある場合、光伝導率が小さくなり、拡散距離が短
くなり、その結果この膜を太陽電池の用途には不適格な
ものにする。更に、このような膜は、フェルミ準位を伝
導帯又は価電子蛍に近づけるように移動させるドープそ
の他の変成措置が成功せず、太陽電池および電流制御素
子用のショットキー・バリア又はP−N接合の形成には
不適合なものとなる。
非晶質シリコンおよびゲルマニウムに関する前述の諸問
題を最小限に抑える試みとして、スコツトラン12・ダ
ンディ−市ダンディ大学のカーネギ−物理学研究所のW
−E、PpearおよびP、G。
題を最小限に抑える試みとして、スコツトラン12・ダ
ンディ−市ダンディ大学のカーネギ−物理学研究所のW
−E、PpearおよびP、G。
Le COmb e rは、1975年版[ソリッド・
ステート通信j第17巻、1193〜1196頁に記載
の論文において発表される如く、非晶質のシリコン又は
ゲルマニウムを真性の結晶質シリコン又はゲルマニウム
に更に近似させるため非晶質シリコン又はゲルマニウム
のエネルギーギャップ中の局在状態を減少させ、結晶質
材料をP形又はN形伝導形性の外因性にするため結晶質
材料へのドープ措置における如く、前記非晶質材料に適
渦な従来のドープ物質を置換的にドープするため、「非
晶質シリコンへの置換形ドーピング」なる研究を行った
。局在状態の減少は非晶質シリコン膜のグロー放電堆積
法によって達成された。この方法では、シラン(SiH
4) のガスが反応管を通され、反応管において、シラ
ンガスが高周波グロー放電によって分解されて約500
〜600°K (227〜327℃)の基板温度におい
て基板上に堆積せしめられた。このようにして基板上に
付着された材料は、シリコンおよび水素からなる真性の
非晶質材料であった。ドープされた非晶質材料を形成す
るため、N形伝導用にはホスフィン(PH5)のガスが
、あるいはP形伝導用にはジボラン(BzH6)のガス
がシラン争ガスと予め混合されて、同じ操作条件下でグ
ロー放電反応管内に送られた。使用されたドープ物質の
気体濃度は約5xlO−’ 乃至10−2容積部の範
囲内であった。このように付着された材料は、ドープ物
質としてのリン又はホウ素をおそらくは置換形で含み、
外因性のN形又はP形伝導を呈した。しかし、同量の添
加されたドープ物質に対するドープ効率は結晶質シリコ
ンの場合よりも遥かに低かった。高濃度にドープされた
N又はP形材料の導電率は低く、約10−2又は10”
3(ΩcrrL)′″1であった。更に、バンド−ギャ
ップは、特にジボランを用いたP形ドーピングの場合に
、ドープ材料の添加の故に狭(なった。このような結果
は、ジボランが、非晶質シリコンに効果的にドープされ
ずにバンド−ギャップ中に局在状態を生じさせたことを
示す。
ステート通信j第17巻、1193〜1196頁に記載
の論文において発表される如く、非晶質のシリコン又は
ゲルマニウムを真性の結晶質シリコン又はゲルマニウム
に更に近似させるため非晶質シリコン又はゲルマニウム
のエネルギーギャップ中の局在状態を減少させ、結晶質
材料をP形又はN形伝導形性の外因性にするため結晶質
材料へのドープ措置における如く、前記非晶質材料に適
渦な従来のドープ物質を置換的にドープするため、「非
晶質シリコンへの置換形ドーピング」なる研究を行った
。局在状態の減少は非晶質シリコン膜のグロー放電堆積
法によって達成された。この方法では、シラン(SiH
4) のガスが反応管を通され、反応管において、シラ
ンガスが高周波グロー放電によって分解されて約500
〜600°K (227〜327℃)の基板温度におい
て基板上に堆積せしめられた。このようにして基板上に
付着された材料は、シリコンおよび水素からなる真性の
非晶質材料であった。ドープされた非晶質材料を形成す
るため、N形伝導用にはホスフィン(PH5)のガスが
、あるいはP形伝導用にはジボラン(BzH6)のガス
がシラン争ガスと予め混合されて、同じ操作条件下でグ
ロー放電反応管内に送られた。使用されたドープ物質の
気体濃度は約5xlO−’ 乃至10−2容積部の範
囲内であった。このように付着された材料は、ドープ物
質としてのリン又はホウ素をおそらくは置換形で含み、
外因性のN形又はP形伝導を呈した。しかし、同量の添
加されたドープ物質に対するドープ効率は結晶質シリコ
ンの場合よりも遥かに低かった。高濃度にドープされた
N又はP形材料の導電率は低く、約10−2又は10”
3(ΩcrrL)′″1であった。更に、バンド−ギャ
ップは、特にジボランを用いたP形ドーピングの場合に
、ドープ材料の添加の故に狭(なった。このような結果
は、ジボランが、非晶質シリコンに効果的にドープされ
ずにバンド−ギャップ中に局在状態を生じさせたことを
示す。
前述の如く、非晶質のシリコンおよびゲルマニウムは通
常四配位結合され、一般に微小孔、ダングリング結合又
は他の欠陥形態を有してエネルギ・ギャップ中に局在状
態を生じる。前記研究連速には知られていなかったが、
現在ではシラン中の水素がグロー放電堆積の間、最適温
度でシリコンの多くのダングリングボンドと結合し、非
晶質材料を対応する結晶質材料と更に近似させるように
エネルギ・ギャップ中の局在状態の密度を、実質的に減
少させることが他の研究によって知られている。
常四配位結合され、一般に微小孔、ダングリング結合又
は他の欠陥形態を有してエネルギ・ギャップ中に局在状
態を生じる。前記研究連速には知られていなかったが、
現在ではシラン中の水素がグロー放電堆積の間、最適温
度でシリコンの多くのダングリングボンドと結合し、非
晶質材料を対応する結晶質材料と更に近似させるように
エネルギ・ギャップ中の局在状態の密度を、実質的に減
少させることが他の研究によって知られている。
しかし、水素のとり込みはシランにおける水素対シリコ
ンの固定比率によって制限されるのみならず、最も重要
なことには、種々のsi:aの結合形態がこれ等の材料
において有害な結果をもち得る新らしい反結合状態をも
たらす。従って、特に有効なP形ならびにN形ドープに
関して特に有害なこれ等材料の局在状態の密度を減少さ
せる上で基本的な制限がある。シランを用いて堆積させ
た材料の望ましくない状態密度は狭い空乏層中をもたら
し、これが更に、その動作がフリーキャリアのドリフト
に依存する太陽電池その他の素子の効率を制限する。シ
リコンおよび水素のみを用いてこれ等材料をつくる方法
h4冷、s@、 為444@e−H:’qも、リレ・・
、囁ム枳。2、・う、−り1.1L//ブl壬 皮1導
パ1:ソ、く グFδ。
ンの固定比率によって制限されるのみならず、最も重要
なことには、種々のsi:aの結合形態がこれ等の材料
において有害な結果をもち得る新らしい反結合状態をも
たらす。従って、特に有効なP形ならびにN形ドープに
関して特に有害なこれ等材料の局在状態の密度を減少さ
せる上で基本的な制限がある。シランを用いて堆積させ
た材料の望ましくない状態密度は狭い空乏層中をもたら
し、これが更に、その動作がフリーキャリアのドリフト
に依存する太陽電池その他の素子の効率を制限する。シ
リコンおよび水素のみを用いてこれ等材料をつくる方法
h4冷、s@、 為444@e−H:’qも、リレ・・
、囁ム枳。2、・う、−り1.1L//ブl壬 皮1導
パ1:ソ、く グFδ。
シラン・ガスからのシリコンのグロー放電堆積の開発が
行われた後、アルゴンと水素分子の混合物の雰囲気(ス
ノqツタリング法の場合に必要)で′非晶質シリコン膜
のスパッタ堆積の仕事が行なわれ、堆積された非晶質シ
リコン膜の特性に対するこのような水素分子の結果を決
定することが検討された。この研究は、エネルギ・ギャ
ップ中の局在状態を減少するように結合した変更物質と
して水素が作用したことを示した。しかし、エネルギ・
ギャップ中の局在状態がスパッタ付着(堆積)法におい
て減少する程度は前述のシランを用いた付着堆積法によ
り達成された程度よりも遥かに少かった。ス・gツタリ
ング法においても前述のP形およびN形ドープ用ガスを
導入してP形およびN形にドープした材料を形成した。
行われた後、アルゴンと水素分子の混合物の雰囲気(ス
ノqツタリング法の場合に必要)で′非晶質シリコン膜
のスパッタ堆積の仕事が行なわれ、堆積された非晶質シ
リコン膜の特性に対するこのような水素分子の結果を決
定することが検討された。この研究は、エネルギ・ギャ
ップ中の局在状態を減少するように結合した変更物質と
して水素が作用したことを示した。しかし、エネルギ・
ギャップ中の局在状態がスパッタ付着(堆積)法におい
て減少する程度は前述のシランを用いた付着堆積法によ
り達成された程度よりも遥かに少かった。ス・gツタリ
ング法においても前述のP形およびN形ドープ用ガスを
導入してP形およびN形にドープした材料を形成した。
これ等の材料はグロー放電法において形成された材料よ
りも更に低い効率を有していた。いずれのプロセスでも
市販のP−N又はP−1−N接合素子を形成するに十分
に高いアクセプタ濃度を有する有効なPドープ材料がつ
くられなかった。N形ドーピング効率は望ましい商業レ
ベルに達せず、P形ドーピングはバンド・ギャップ中を
減少させ、バンド・ギャップ中の局在状態の数を増大さ
せたため特に望ましくなかった。
りも更に低い効率を有していた。いずれのプロセスでも
市販のP−N又はP−1−N接合素子を形成するに十分
に高いアクセプタ濃度を有する有効なPドープ材料がつ
くられなかった。N形ドーピング効率は望ましい商業レ
ベルに達せず、P形ドーピングはバンド・ギャップ中を
減少させ、バンド・ギャップ中の局在状態の数を増大さ
せたため特に望ましくなかった。
結晶質シリコンに更に近似させようとする試みにおいて
、シラン・ガスからの水素によって変成され、結晶質シ
リコンへのドープと同様にドープされた非晶質シリコン
の今までの堆積は、全ての重要な点において、ドープさ
れた結晶シリコンの特性よりも劣る特性を有する。特に
P形材料においてドーピング効率および導電性は不十分
なものであり、このシリコン膜の光導電および光起電力
特性には望まれるべきことが多く残された。
、シラン・ガスからの水素によって変成され、結晶質シ
リコンへのドープと同様にドープされた非晶質シリコン
の今までの堆積は、全ての重要な点において、ドープさ
れた結晶シリコンの特性よりも劣る特性を有する。特に
P形材料においてドーピング効率および導電性は不十分
なものであり、このシリコン膜の光導電および光起電力
特性には望まれるべきことが多く残された。
局在状態の密度が非常に小さなp品質シリコン膜の形成
における実質的な突破口は、非晶質膜、特に結晶質半導
体材料の関連する望ましい属性を有するシリコンの非晶
質膜を形成した蔽米国特許第4,217,374号およ
び同第4,226,898号に開示された発明によって
開かれた。(前者の米国特許は真空蒸着法を用いる改良
された非晶質シリコン膜の堆積法を開示し、後者の特許
はシリコンを含むガスのグロー放電による改良された非
晶質シリコンj漠の付着法を開示する。)これ等の特許
において開示されたプロセスにより形成された改良され
た真性の非晶質シリコン膜では真性材料におけるバンド
・ギャップ中の状態数が減少されており、非常に大きな
N形ドーピング効率と大きな光導電性と増加した易動度
と、長いキャリア拡散長さと、光電池において必要な暗
所における小さな真性導電率を提供する。この非晶質半
導体膜は、太I@軍池およびP−N接合素子、ダイオー
ド、又はトランジスタ等を含む電流制御素子の如き更に
効率のよい素子の製造に使用可能である。
における実質的な突破口は、非晶質膜、特に結晶質半導
体材料の関連する望ましい属性を有するシリコンの非晶
質膜を形成した蔽米国特許第4,217,374号およ
び同第4,226,898号に開示された発明によって
開かれた。(前者の米国特許は真空蒸着法を用いる改良
された非晶質シリコン膜の堆積法を開示し、後者の特許
はシリコンを含むガスのグロー放電による改良された非
晶質シリコンj漠の付着法を開示する。)これ等の特許
において開示されたプロセスにより形成された改良され
た真性の非晶質シリコン膜では真性材料におけるバンド
・ギャップ中の状態数が減少されており、非常に大きな
N形ドーピング効率と大きな光導電性と増加した易動度
と、長いキャリア拡散長さと、光電池において必要な暗
所における小さな真性導電率を提供する。この非晶質半
導体膜は、太I@軍池およびP−N接合素子、ダイオー
ド、又はトランジスタ等を含む電流制御素子の如き更に
効率のよい素子の製造に使用可能である。
このような結果を達成した本発明では、望ましくは非晶
質膜の付着形成中に、非晶質半導体材料のエネルギ拳ギ
ャップ中の局在化状態を大巾に減小さiで多くの点で真
性結晶質シリコンと同等にするように、非晶質半導体材
料と合金を作り、これを変成すると考えられる変成即ち
補償材料を含有する。前記の米国特許第4,226,8
98号に開示されたシリコン膜の形成プロセスにおいて
は、−構成元素としてシリコンを含む化合物がグロー放
電分解によって分解され、グロー放電堆積の間、複数の
変成元素好ましくは活性化されたフッ素および水素をと
り込ませつつ、非晶質シリコンを基板上に堆積させる。
質膜の付着形成中に、非晶質半導体材料のエネルギ拳ギ
ャップ中の局在化状態を大巾に減小さiで多くの点で真
性結晶質シリコンと同等にするように、非晶質半導体材
料と合金を作り、これを変成すると考えられる変成即ち
補償材料を含有する。前記の米国特許第4,226,8
98号に開示されたシリコン膜の形成プロセスにおいて
は、−構成元素としてシリコンを含む化合物がグロー放
電分解によって分解され、グロー放電堆積の間、複数の
変成元素好ましくは活性化されたフッ素および水素をと
り込ませつつ、非晶質シリコンを基板上に堆積させる。
後者の特許の特定の実施態様においては、堆積非晶質膜
のシリコンと一つの変成即ち補償元素としてのフッ素と
を供給する四フッ化シリコン(SiF4)のグロー放電
によって約380℃の基板温度においてシリコンがパッ
チ・モードで堆積される。
のシリコンと一つの変成即ち補償元素としてのフッ素と
を供給する四フッ化シリコン(SiF4)のグロー放電
によって約380℃の基板温度においてシリコンがパッ
チ・モードで堆積される。
四フッ化シリコンはグロー放電の際プラズマを形成し得
るが、この物質はシリコンのグロー放電堆積のための出
発物質としてはそれ自体それ程有効なものではない。グ
ロー放電のための雰囲気は水素分子(H2)の如き気体
を添加することによってより反応1生になるが、これは
水素分子を水系原子又は水素イオン等に変えることによ
ってグロー放電により反応性を高められる。この反応性
の(高い)水素は、グロー放電において、その分解を更
に容易にしかつこれから基板上に非晶質シリコンを付着
させるように四フッ化シリコンと反応する。同時に、フ
ッ素および種々のシリコンの亜フッ化物がグロー放電に
よって解離され5反応性にされる。反応性水素および反
応性フッ素種は、非晶質シリコンの主マトリックスが堆
積されている際、非晶質シリコンの主マトリックスにと
り込まれ、欠陥状態の数が少い新しい真性材料を生成す
る。この新らしい合金を考察する簡単な方法は、ダング
リングボンドのキャッピング(capping)の充満
および他の欠陥の除去が生じることである。
るが、この物質はシリコンのグロー放電堆積のための出
発物質としてはそれ自体それ程有効なものではない。グ
ロー放電のための雰囲気は水素分子(H2)の如き気体
を添加することによってより反応1生になるが、これは
水素分子を水系原子又は水素イオン等に変えることによ
ってグロー放電により反応性を高められる。この反応性
の(高い)水素は、グロー放電において、その分解を更
に容易にしかつこれから基板上に非晶質シリコンを付着
させるように四フッ化シリコンと反応する。同時に、フ
ッ素および種々のシリコンの亜フッ化物がグロー放電に
よって解離され5反応性にされる。反応性水素および反
応性フッ素種は、非晶質シリコンの主マトリックスが堆
積されている際、非晶質シリコンの主マトリックスにと
り込まれ、欠陥状態の数が少い新しい真性材料を生成す
る。この新らしい合金を考察する簡単な方法は、ダング
リングボンドのキャッピング(capping)の充満
および他の欠陥の除去が生じることである。
このため、このような変成用元素はエネルギ・ギャップ
中の局在状態の密度を実質的に減少させ前述の有利な結
果を生じさせる。
中の局在状態の密度を実質的に減少させ前述の有利な結
果を生じさせる。
非晶質シリコン半導体マトリックスにN形およびP形の
導電性を付与することが必決な場合、このマl−IJラ
ックス使用は膜のグロー放電堆積の間変成用元素の気体
形態でのとり込みを推奨する。
導電性を付与することが必決な場合、このマl−IJラ
ックス使用は膜のグロー放電堆積の間変成用元素の気体
形態でのとり込みを推奨する。
N形伝導を得るため推奨された変成元素即ちドープ物質
は、気相のホスフィン(PHs ) およびアルシン
(A s H5) tf)形のリンおよびヒ素である。
は、気相のホスフィン(PHs ) およびアルシン
(A s H5) tf)形のリンおよびヒ素である。
P形伝導特性を得るための推奨変成元素即ちドープ物質
は、気相のジポラン(B2H,S) 、Affi(C2
Hs)s。
は、気相のジポラン(B2H,S) 、Affi(C2
Hs)s。
ca(cHg)5および工n(CHg)s の形のホ
ウ素、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムであ八
この変成元素は、約380℃の基板温度で、真性材料の
場合について説明したと同じ堆積条件の下で添加された
。
ウ素、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムであ八
この変成元素は、約380℃の基板温度で、真性材料の
場合について説明したと同じ堆積条件の下で添加された
。
前述の用途において堆積されたシリコン素子を形成する
プロセスは重要な改善をもたらして改良された太陽電池
その他の素子の製造を可能にするが、P形ドープされ付
着されたシリコン材料は必要とされるだけの効果的なP
形伝導特性をもたなかった。「非結晶質固体ジャーナル
」第35巻および第36巻、パー)I、1980年1月
/り月号の171〜181頁に報告された如く、真性材
料及びn + )噌に対応して堆積用気体中に5001
11QのPH!l を添加する。堆積気体中にジボラ(
B2H6)を添加すると、光吸収に大きな変化が生じる
。示唆されることは、更に狭いバンド・ギャップを有し
、P形の特性を呈するホウ素を含む新しい合金が合成さ
れたことである。ホウ素に特有の3点結合が部分的には
この挙動の原因になり得る。このことは、従来のN形物
質が形成されるリン又はヒ素が添加される時に得られる
結果と対照的である。
プロセスは重要な改善をもたらして改良された太陽電池
その他の素子の製造を可能にするが、P形ドープされ付
着されたシリコン材料は必要とされるだけの効果的なP
形伝導特性をもたなかった。「非結晶質固体ジャーナル
」第35巻および第36巻、パー)I、1980年1月
/り月号の171〜181頁に報告された如く、真性材
料及びn + )噌に対応して堆積用気体中に5001
11QのPH!l を添加する。堆積気体中にジボラ(
B2H6)を添加すると、光吸収に大きな変化が生じる
。示唆されることは、更に狭いバンド・ギャップを有し
、P形の特性を呈するホウ素を含む新しい合金が合成さ
れたことである。ホウ素に特有の3点結合が部分的には
この挙動の原因になり得る。このことは、従来のN形物
質が形成されるリン又はヒ素が添加される時に得られる
結果と対照的である。
ショットキー障壁又はMIS素子の如き素子はP形ドー
プされた膜の有無に拘わらず形成可能であるが、一般に
内部に用いられる薄い障壁層の特性は制御が難かしく%
屡々周囲の元素が拡散するのを防止するよう十分に密閉
することができず。
プされた膜の有無に拘わらず形成可能であるが、一般に
内部に用いられる薄い障壁層の特性は制御が難かしく%
屡々周囲の元素が拡散するのを防止するよう十分に密閉
することができず。
その結果素子は屡々不安定になるため、製造が難しい。
更に、このような構造体では素子のレベルが高くなると
シート抵抗が高くなる。所要の効率および安定性を有す
る光電池はP−N又はP−I−N接合の使用を必要とす
るように思われる。この目的のため、電池の効率を高め
るには改良されたP−ドープされた物質が望ましい。
シート抵抗が高くなる。所要の効率および安定性を有す
る光電池はP−N又はP−I−N接合の使用を必要とす
るように思われる。この目的のため、電池の効率を高め
るには改良されたP−ドープされた物質が望ましい。
前掲の後者の米国特許において開示されたフッ素および
水素で補償されたグロー放電堆積によるシリコン膜を形
成する際、シリコンは約380℃の基板温度で付着され
ることが望ましい。この基板温度以上では、水素の補償
効率が徐々に低下し、約450℃より高い温度では、水
素が堆積中のシリコンと容易に結合しないため、前記効
率は大きく低下する。
水素で補償されたグロー放電堆積によるシリコン膜を形
成する際、シリコンは約380℃の基板温度で付着され
ることが望ましい。この基板温度以上では、水素の補償
効率が徐々に低下し、約450℃より高い温度では、水
素が堆積中のシリコンと容易に結合しないため、前記効
率は大きく低下する。
前述の如く、気相のP形ドープ物質の導入は、所望の四
価の即ち四配位の結合が生じるのみであるならば、P形
物質を生成しても理論化されるに足るP形伝導効率を有
する物質を生成しない。シリコン材料の最も有効な水素
補償のために必要な400℃以下のグロー放電時の基板
温度においては、−見P形ドープ物質のあるものは、結
晶質の拘束カー存在しない故に、四面体状ではなく3重
に配位されて、このためギャップ中にドープではない付
加的状態を生じさせるものと考えられる。ツボランを含
む他のプロセスは、その金属部分乃至ホウ素がその炭化
水素又は水素の関連する置換基から容易に完全に解離せ
ず、又このためこのような形態ではシリコンの主マトリ
ックスに対する有効なP形ドープ元素を提供しないため
、3中心績合の形成その他の効率の低い結合をもたらす
。更に、このような物質のバンド・ギャップ中にP形ド
ー♂ング効率を低下させると考えられる状態が付加され
る。
価の即ち四配位の結合が生じるのみであるならば、P形
物質を生成しても理論化されるに足るP形伝導効率を有
する物質を生成しない。シリコン材料の最も有効な水素
補償のために必要な400℃以下のグロー放電時の基板
温度においては、−見P形ドープ物質のあるものは、結
晶質の拘束カー存在しない故に、四面体状ではなく3重
に配位されて、このためギャップ中にドープではない付
加的状態を生じさせるものと考えられる。ツボランを含
む他のプロセスは、その金属部分乃至ホウ素がその炭化
水素又は水素の関連する置換基から容易に完全に解離せ
ず、又このためこのような形態ではシリコンの主マトリ
ックスに対する有効なP形ドープ元素を提供しないため
、3中心績合の形成その他の効率の低い結合をもたらす
。更に、このような物質のバンド・ギャップ中にP形ド
ー♂ング効率を低下させると考えられる状態が付加され
る。
従って、グロー放電法により堆積されたシリコン材料中
の前記P形ドープ元素のP形ドーピング効率を改善する
ため多(の努力が払われて来た。
の前記P形ドープ元素のP形ドーピング効率を改善する
ため多(の努力が払われて来た。
真性層又はP−N接合を形成した空乏領域を必要とする
光電池その他の用途のためのシリコンのグロー放電によ
る堆積は、水素およびフッ素の補償の程度およびその結
果得られる物質における状態密度の減少がシリコンの蒸
着又はスノ叱ツタにより得られる場合よりも優れている
ため、現在のところ、望ましい付着方法と考えられる。
光電池その他の用途のためのシリコンのグロー放電によ
る堆積は、水素およびフッ素の補償の程度およびその結
果得られる物質における状態密度の減少がシリコンの蒸
着又はスノ叱ツタにより得られる場合よりも優れている
ため、現在のところ、望ましい付着方法と考えられる。
本発明は、より効率的にドープされたP形物質を形成す
るため、又はより効率的にP形ドープされたシリコン材
料を有するP−N乃至P−I−N接合素子を形成するた
め、グロー放電によるシリコン堆積のバッチ法又は連続
法において、P形ド−ゾより効率的に行う方法に関する
。
るため、又はより効率的にP形ドープされたシリコン材
料を有するP−N乃至P−I−N接合素子を形成するた
め、グロー放電によるシリコン堆積のバッチ法又は連続
法において、P形ド−ゾより効率的に行う方法に関する
。
従来技術におけるP形ドープされた物質の形成方法は、
真性材料に対して最適化された堆積条件下でジボランの
如き従来のドープ物質用気体を使用することに限定され
て来た。それ迄は、有効な非晶質シリコンの調製のため
必要とされる温度範囲外にあると考えられて来た約45
0℃以上の基板温度で付着された非晶質(又は多結晶質
)のシリコンのグロー放電堆積法において、P形ドープ
物質の気体状のホウ化物(82H6の如き)およびP形
ドープ用金属の気体状化合物を使用可能であるとは誰も
考えなかった。
真性材料に対して最適化された堆積条件下でジボランの
如き従来のドープ物質用気体を使用することに限定され
て来た。それ迄は、有効な非晶質シリコンの調製のため
必要とされる温度範囲外にあると考えられて来た約45
0℃以上の基板温度で付着された非晶質(又は多結晶質
)のシリコンのグロー放電堆積法において、P形ドープ
物質の気体状のホウ化物(82H6の如き)およびP形
ドープ用金属の気体状化合物を使用可能であるとは誰も
考えなかった。
本発明は又、約450℃以上で物質を堆積させることに
よって、更に効率的にP形ドープされたグロー放電堆積
シリコンを形成する方法も含むものである。このような
高い温度で堆積されたシリコン物質では、水素補償の利
点を失うことは、特にP形ドープされた堆積層が関連す
る電極とオーミックなP+界面を形成する場合、P形ド
ーぎジグの効率向上により十分以上に克服される。前述
の如く、とのような高温度においては、ホウ素又は金属
性のP形ドープ用元索が使用された気体状化合物の水素
および炭化水素構成元素から十分に実質的に解離される
ため、3中心結合その他の望ましくない結合配置が除か
れるものと考えられる。
よって、更に効率的にP形ドープされたグロー放電堆積
シリコンを形成する方法も含むものである。このような
高い温度で堆積されたシリコン物質では、水素補償の利
点を失うことは、特にP形ドープされた堆積層が関連す
る電極とオーミックなP+界面を形成する場合、P形ド
ーぎジグの効率向上により十分以上に克服される。前述
の如く、とのような高温度においては、ホウ素又は金属
性のP形ドープ用元索が使用された気体状化合物の水素
および炭化水素構成元素から十分に実質的に解離される
ため、3中心結合その他の望ましくない結合配置が除か
れるものと考えられる。
P形ドープに対して有効な所望の四面(四面体)結合が
このようにして得られる。P形ドープ用金属(即ち、A
Q、Ga、In、Znおよびl)の化合物の気体も又約
400℃又はこれより低い基板温度を用いるシリコンの
グロー放電堆積の際のP形ドープ物質としては有効でな
いが、これ等の元素は本文に説明されたシリコンのグロ
ー放電用のより高い基板温度(即ち、少くとも約450
°Cの温度)を用いる気体化合物形態の良好なP形ドー
プ物質である。約450℃以上の高い基板温度ではシリ
コン材料の水素補償の効率は低い結果となり得るが、7
00℃乃至800℃までの範囲内の基板温度ではフッ素
が堆積され1こシリコンと効率的に結合するため、この
材料はフッ素によって依然として効果的に補償される。
このようにして得られる。P形ドープ用金属(即ち、A
Q、Ga、In、Znおよびl)の化合物の気体も又約
400℃又はこれより低い基板温度を用いるシリコンの
グロー放電堆積の際のP形ドープ物質としては有効でな
いが、これ等の元素は本文に説明されたシリコンのグロ
ー放電用のより高い基板温度(即ち、少くとも約450
°Cの温度)を用いる気体化合物形態の良好なP形ドー
プ物質である。約450℃以上の高い基板温度ではシリ
コン材料の水素補償の効率は低い結果となり得るが、7
00℃乃至800℃までの範囲内の基板温度ではフッ素
が堆積され1こシリコンと効率的に結合するため、この
材料はフッ素によって依然として効果的に補償される。
水素又はフッ素補償なしに堆積された非晶質シリコンの
場合、約550℃の基板温度での結晶化法が重要となる
。水素補償の非晶質シリコンの堆積および(又は)合金
化のため、非晶質状態は実質的に約650℃の基板温度
まで維持される。水素で補償されホウ素がドープされた
非晶質シリコンの場合は、約700℃の基板@度まで非
晶質状態が維持される。本発明の材料における如くフッ
素が添加される場合、堆積される材料の非晶質状態は更
に高い基板温度の場合までひろがる。このことから、こ
の方法では、700℃以上の基板温度においてホウ素で
ドープされたフッ素補償の行われた非晶質シリコンが生
成され得ることが明らかである。水素およびフッ素によ
って補償されたシリコン膜が実質的に非晶質のまへであ
るような付着基板温度により達成されたドーピング・レ
ベルはあるドーピング用途に対して十分である。更に高
いドーピング・レベルに対しては、非晶質材料がシリコ
ンの微結晶と混成状態になるか、あるいは実質的に多結
晶となるように、比較的高い堆積基板温度を使用するこ
とができる。
場合、約550℃の基板温度での結晶化法が重要となる
。水素補償の非晶質シリコンの堆積および(又は)合金
化のため、非晶質状態は実質的に約650℃の基板温度
まで維持される。水素で補償されホウ素がドープされた
非晶質シリコンの場合は、約700℃の基板@度まで非
晶質状態が維持される。本発明の材料における如くフッ
素が添加される場合、堆積される材料の非晶質状態は更
に高い基板温度の場合までひろがる。このことから、こ
の方法では、700℃以上の基板温度においてホウ素で
ドープされたフッ素補償の行われた非晶質シリコンが生
成され得ることが明らかである。水素およびフッ素によ
って補償されたシリコン膜が実質的に非晶質のまへであ
るような付着基板温度により達成されたドーピング・レ
ベルはあるドーピング用途に対して十分である。更に高
いドーピング・レベルに対しては、非晶質材料がシリコ
ンの微結晶と混成状態になるか、あるいは実質的に多結
晶となるように、比較的高い堆積基板温度を使用するこ
とができる。
堆積させられた非晶質シリコン中の結晶質物質の包含又
は実質的に多結晶のP形ドープされた物質の使用は、P
−N又はP+−I−N+形光起電力素子の効率を損うこ
とはない。この効率は、多結晶シリコンにおけるP形ド
ーピング効率は十分に既知であり、又微結晶の光吸収性
は非晶質物質よりも低い放光活性感光層中での光子吸収
性が悪影響を受けないため、素子の効率が損われること
はない。吸収率が高い非晶質物質の場合は P+−I−
N+構造のP+層が100OA以下と言う薄さに保持さ
れ、この層が光活性層でないため光子の吸収が最小限度
に抑えられる。この層厚は更に、有効な光起電力作用を
得るため素子のP+と真性層間の伝導帯および価電子帯
を曲げるに十分な正のキャリアを提供する。非晶質シリ
コンへのシリコン1政結晶の添加は& P”−I−N+
素子の効率を損わない許りでなく、非晶質のP形物質と
比較して結晶質P形物質のより大きい正孔移動度および
より大きい光伝導率の故に、P−N形光型素子の効率を
補うことができる。
は実質的に多結晶のP形ドープされた物質の使用は、P
−N又はP+−I−N+形光起電力素子の効率を損うこ
とはない。この効率は、多結晶シリコンにおけるP形ド
ーピング効率は十分に既知であり、又微結晶の光吸収性
は非晶質物質よりも低い放光活性感光層中での光子吸収
性が悪影響を受けないため、素子の効率が損われること
はない。吸収率が高い非晶質物質の場合は P+−I−
N+構造のP+層が100OA以下と言う薄さに保持さ
れ、この層が光活性層でないため光子の吸収が最小限度
に抑えられる。この層厚は更に、有効な光起電力作用を
得るため素子のP+と真性層間の伝導帯および価電子帯
を曲げるに十分な正のキャリアを提供する。非晶質シリ
コンへのシリコン1政結晶の添加は& P”−I−N+
素子の効率を損わない許りでなく、非晶質のP形物質と
比較して結晶質P形物質のより大きい正孔移動度および
より大きい光伝導率の故に、P−N形光型素子の効率を
補うことができる。
又、本発明は、従来用いられてなかった非気体状材料を
ドープ物質として使用することによってP形ドーピング
の難かしさな除去する方法をも開示する。本方法は、固
体金属な蒸発させて、金属蒸気をシリコン堆積用気体と
共に直接グロー放電室に連続的あるいは間欠的に供給す
るように、固体金属を高温度迄加熱することを含む。金
属蒸気の形態のP形ドープ用金属は、フッ素および水素
補償が望ましい比較的低い基板温度でのシリコンのグロ
ー放電堆積法において有効である。これ等の気化された
P形ドープ用金属は又、水素補償が必要でない比較的高
い基板温度でのグロー放電シリコン堆積膜と共に使用で
きる。
ドープ物質として使用することによってP形ドーピング
の難かしさな除去する方法をも開示する。本方法は、固
体金属な蒸発させて、金属蒸気をシリコン堆積用気体と
共に直接グロー放電室に連続的あるいは間欠的に供給す
るように、固体金属を高温度迄加熱することを含む。金
属蒸気の形態のP形ドープ用金属は、フッ素および水素
補償が望ましい比較的低い基板温度でのシリコンのグロ
ー放電堆積法において有効である。これ等の気化された
P形ドープ用金属は又、水素補償が必要でない比較的高
い基板温度でのグロー放電シリコン堆積膜と共に使用で
きる。
本発明を用いて、P形ドープ物質であるホウ素乃至金属
材料をN形および真性のグロー放電堆積・された非晶質
物質と結合された連続プロセスで堆積させ、改良された
P−NおよびP−I−N接合の光起電力素子等を製造す
ることがで酬る。連続法においては、連続する帯状材上
に特定の所要のP形およびN形および(又は)真性のシ
リコン膜を効率的に堆積させるに必要な基板温度その他
の周囲条件を各々が有する別個の堆積ステーションを経
て帯状基板が連続的又は段階的に移動される際、前記各
物質が帯状基板上にグロー放電法で堆積させられる。本
発明の一例の連続的な製造法においては各堆積ステーシ
ョンが1つの層(p 、 r。
材料をN形および真性のグロー放電堆積・された非晶質
物質と結合された連続プロセスで堆積させ、改良された
P−NおよびP−I−N接合の光起電力素子等を製造す
ることがで酬る。連続法においては、連続する帯状材上
に特定の所要のP形およびN形および(又は)真性のシ
リコン膜を効率的に堆積させるに必要な基板温度その他
の周囲条件を各々が有する別個の堆積ステーションを経
て帯状基板が連続的又は段階的に移動される際、前記各
物質が帯状基板上にグロー放電法で堆積させられる。本
発明の一例の連続的な製造法においては各堆積ステーシ
ョンが1つの層(p 、 r。
Nのいずれか)の堆積のため専用化されるが、これは堆
積材料がステーションの背景環境を汚染して容易に除去
されないためである。
積材料がステーションの背景環境を汚染して容易に除去
されないためである。
本発明の原理は、本文中に示し本発明の望ましい実施態
様を記載する目的のため前記の非晶質および多結晶質形
のシリコン半導体材料に対して適用されるが、好ましい
一例として450乃至700℃の範囲の基板温度でシリ
コン材料と共にブロー放電堆積される気体状のホウ素乃
至気体状の蒸気化余端からなるP形F−プ用物質につい
て特に詳述する。この堆積された膜は前記基板温度範囲
全体にわたってフッ素によって補償されているが。
様を記載する目的のため前記の非晶質および多結晶質形
のシリコン半導体材料に対して適用されるが、好ましい
一例として450乃至700℃の範囲の基板温度でシリ
コン材料と共にブロー放電堆積される気体状のホウ素乃
至気体状の蒸気化余端からなるP形F−プ用物質につい
て特に詳述する。この堆積された膜は前記基板温度範囲
全体にわたってフッ素によって補償されているが。
水素の補償は基板温度の上昇と共に減少する。蒸気化金
属からなるP形ドープ材料はシリコン材料と共に400
℃より低い基板温度でグロー放電堆積されてもよい。こ
の場合、水素およびフッ素補償されたP形ドープされた
物質を形成することができる。
属からなるP形ドープ材料はシリコン材料と共に400
℃より低い基板温度でグロー放電堆積されてもよい。こ
の場合、水素およびフッ素補償されたP形ドープされた
物質を形成することができる。
本発明は、太陽電池又はP−N乃至P−I−N素子を含
む電流素子の製造に用いるため、更に効率のよいP形の
非晶質半導体膜の製造を可能にする。更に、本発明は、
前述の基板温度で、P形ドープ用物質となるホウ素又は
金属An、Ga、In。
む電流素子の製造に用いるため、更に効率のよいP形の
非晶質半導体膜の製造を可能にする。更に、本発明は、
前述の基板温度で、P形ドープ用物質となるホウ素又は
金属An、Ga、In。
znもしくはT2の内の少くとも1つを用いて。
グロー放電環境において種々の素子の有効な大量生産法
をもたらすものである。
をもたらすものである。
従って、本発明の一例の第一の目的は、P形半導体合金
を形成する方法の提供にあり、この方法は、材料のグロ
ー放電法の堆積工程において、金属元素がグロー放電堆
積されるシリコン材料と共に堆積させられてP形合金を
形成するようにシリコン堆積用のグロー放電領域中にP
形ドープ物質となる蒸気化金属元素を導入することを特
徴とする部分真空雰囲気内に少くともシリコンを含む化
合物のグロー放電によって、少くともシリコンを含む材
料を基板上に付着させる工程を含む。
を形成する方法の提供にあり、この方法は、材料のグロ
ー放電法の堆積工程において、金属元素がグロー放電堆
積されるシリコン材料と共に堆積させられてP形合金を
形成するようにシリコン堆積用のグロー放電領域中にP
形ドープ物質となる蒸気化金属元素を導入することを特
徴とする部分真空雰囲気内に少くともシリコンを含む化
合物のグロー放電によって、少くともシリコンを含む材
料を基板上に付着させる工程を含む。
本発1例の第二の目的はP形合金の形成方法を提供する
ことにあり、この方法は、材料のグロー放電堆積の間、
P形ドープ物質の気体状化合物を、シリコン堆積用グロ
ー放電域に導入することによって特徴づけられており、
部分真空の雰囲気内で少くともシリコンを含む化合物の
グロー放電によって少くともシリコンを含む材料を少く
とも約450℃の温度迄加熱された基板上に堆積させる
工程を含む。尚、この場合前記P形ドープ物質の気体状
化合物は少くともP形ドープ用元素および非P形ドープ
用置換基を含み、この気体状化合物は少くとも約450
℃の前記基板温度において前記P形ドープ用元素および
前記非P形ドープ用置換基に解離し、P形ドープ用元素
は堆積するシリコン半導体材料と結合してP形合金を生
じる。
ことにあり、この方法は、材料のグロー放電堆積の間、
P形ドープ物質の気体状化合物を、シリコン堆積用グロ
ー放電域に導入することによって特徴づけられており、
部分真空の雰囲気内で少くともシリコンを含む化合物の
グロー放電によって少くともシリコンを含む材料を少く
とも約450℃の温度迄加熱された基板上に堆積させる
工程を含む。尚、この場合前記P形ドープ物質の気体状
化合物は少くともP形ドープ用元素および非P形ドープ
用置換基を含み、この気体状化合物は少くとも約450
℃の前記基板温度において前記P形ドープ用元素および
前記非P形ドープ用置換基に解離し、P形ドープ用元素
は堆積するシリコン半導体材料と結合してP形合金を生
じる。
(以下余白う
本発明の一例の第三の目的はシリコンを含む少くとも1
つの元素を有する材料を含む半導体合金の提供にあり、
この材料は部分真空雰囲気におけるシリコンを含む少く
とも1つの化合物のグロー放電により基板上に堆積させ
られ、このグロー放電による堆積の間然気化状態の前記
金属元素が該材料にとり込すれてP形合金を提供する少
くとも1つの金属のP形ドープ用元素が用いられている
。
つの元素を有する材料を含む半導体合金の提供にあり、
この材料は部分真空雰囲気におけるシリコンを含む少く
とも1つの化合物のグロー放電により基板上に堆積させ
られ、このグロー放電による堆積の間然気化状態の前記
金属元素が該材料にとり込すれてP形合金を提供する少
くとも1つの金属のP形ドープ用元素が用いられている
。
本発明の一例の第四の目的はシリコンを含む少くとも1
つの元素を有する材料を含む半導体合金の提供にあり、
この材料は少くとも約450℃の温度に加熱された基板
上にシリコンを含む少くとも1つの化合物のグロー放電
によって堆積せしめられており、P形ドープ用の気体状
化合物から材料中にとり込まれた少くとも1つのP形ド
−プ元素によって特徴づけられている。尚この場合、前
記のP形ド−プ用気体状化合物は少くとも前記P形ド−
ゾ用元素および非P形ドープ用置換基を含み、前記の気
体状化合物は、グロー放電堆積の間食くとも約450℃
の前記基板温度においてP形合金が形成されるように前
記P形ト9−ゾ用元素および非P形ド−プ用置換基に解
離する。
つの元素を有する材料を含む半導体合金の提供にあり、
この材料は少くとも約450℃の温度に加熱された基板
上にシリコンを含む少くとも1つの化合物のグロー放電
によって堆積せしめられており、P形ドープ用の気体状
化合物から材料中にとり込まれた少くとも1つのP形ド
−プ元素によって特徴づけられている。尚この場合、前
記のP形ド−プ用気体状化合物は少くとも前記P形ド−
ゾ用元素および非P形ドープ用置換基を含み、前記の気
体状化合物は、グロー放電堆積の間食くとも約450℃
の前記基板温度においてP形合金が形成されるように前
記P形ト9−ゾ用元素および非P形ド−プ用置換基に解
離する。
本発明の一例の第五の目的は、金属電極を含む基板を有
するP−N又はP−I−N接合の提供にあり、材料が反
対の伝導タイプ(PおよびN)の少くとも2つの合金の
順次のグロー放電堆積により前記電極上に堆積されたシ
リコンを含む少くとも1つの元素からなり、グロー放電
堆積の間に少くとも1つの蒸気化金属からなるP形ド−
プ用元索をとり込ませてなるシリコンのP形合金である
P形のシリコン含有合金によって特徴づけられる。
するP−N又はP−I−N接合の提供にあり、材料が反
対の伝導タイプ(PおよびN)の少くとも2つの合金の
順次のグロー放電堆積により前記電極上に堆積されたシ
リコンを含む少くとも1つの元素からなり、グロー放電
堆積の間に少くとも1つの蒸気化金属からなるP形ド−
プ用元索をとり込ませてなるシリコンのP形合金である
P形のシリコン含有合金によって特徴づけられる。
尚、この場合、N形のシリコン含有合金は、N形合金に
なるようにそのグロー放電堆積の間食くとも1つのN形
ドープ用元素をとり込んでいる。
なるようにそのグロー放電堆積の間食くとも1つのN形
ドープ用元素をとり込んでいる。
本発明の一例の第六の目的は金属電極を含む基板を有す
るP−N又はP−1−N形接合の提供にあり、材料が反
対の伝導タイプ(PおよびN)の少くとも2つの合金の
順次のグロー放電堆積によって少くとも約450℃の温
度迄加熱された前記電極上に堆積されたシリコンを含む
少くとも1つの元素を有し、グロー放電堆積の間にP形
ドープ用気体状化合物から少くとも1つのP形ト9−プ
用元素をとり込ませたP形のシリコン含有合金によって
特徴づけられる。尚、この場合、前記P形ト9−プ用気
体状化合物は少くとも前記P形ドープ用元素および非P
形ドープ用置換基を含み、この気体状化合物は、シリコ
ンのP形合金を形成するように、少くとも約450℃の
前記基板温度で前記P形ト9−プ用元素および非P形r
−ゾ用置換基に解離する。N形シリコン含有合金は、N
形シリコンになるようにそのグロー放電堆積の間に少く
とも1つのN形ドープ用元素をとり込む0本発明の一例
の第七の目的は、1つ以上の電極形成領域を有する可撓
性の帯状材からなる基板のロールを形成し、反対の伝導
タイプ(PおよびN)を有する少くとも2つの薄い可撓
性のシリコン合金を前記の1つ以上の電極形成領域の少
くとも一部上に堆積させるように少くとも1つのシリコ
ン堆積領域を含む部分的に抜気された空間内に前記基板
のロールを略々連続的に繰出し、前記の1つ以上の合金
によって光起電力用空乏領域を形成させるようにし、次
いで前記シリコン合金上に前記電極形成領域の各々に対
して別個に薄い可撓性の電極形成層を付着することを特
徴とする光起電カバネルを製造する方法の提供にある。
るP−N又はP−1−N形接合の提供にあり、材料が反
対の伝導タイプ(PおよびN)の少くとも2つの合金の
順次のグロー放電堆積によって少くとも約450℃の温
度迄加熱された前記電極上に堆積されたシリコンを含む
少くとも1つの元素を有し、グロー放電堆積の間にP形
ドープ用気体状化合物から少くとも1つのP形ト9−プ
用元素をとり込ませたP形のシリコン含有合金によって
特徴づけられる。尚、この場合、前記P形ト9−プ用気
体状化合物は少くとも前記P形ドープ用元素および非P
形ドープ用置換基を含み、この気体状化合物は、シリコ
ンのP形合金を形成するように、少くとも約450℃の
前記基板温度で前記P形ト9−プ用元素および非P形r
−ゾ用置換基に解離する。N形シリコン含有合金は、N
形シリコンになるようにそのグロー放電堆積の間に少く
とも1つのN形ドープ用元素をとり込む0本発明の一例
の第七の目的は、1つ以上の電極形成領域を有する可撓
性の帯状材からなる基板のロールを形成し、反対の伝導
タイプ(PおよびN)を有する少くとも2つの薄い可撓
性のシリコン合金を前記の1つ以上の電極形成領域の少
くとも一部上に堆積させるように少くとも1つのシリコ
ン堆積領域を含む部分的に抜気された空間内に前記基板
のロールを略々連続的に繰出し、前記の1つ以上の合金
によって光起電力用空乏領域を形成させるようにし、次
いで前記シリコン合金上に前記電極形成領域の各々に対
して別個に薄い可撓性の電極形成層を付着することを特
徴とする光起電カバネルを製造する方法の提供にある。
本発明の望ましい実施態様については、本明細書に添付
した図面に関して次に例示的に説明する。
した図面に関して次に例示的に説明する。
第1図によれば、本発明の改良されたP形材料をとり込
む素子の製造における第一の工程(Atは基板lOの形
成を含む。この基板10は、バッチ法が採用される場合
はガラスの如き可撓性のない材料で形成してもよく、あ
るいは特に連続的な大量生産方式が採用される場合には
アルミニウム又はステンレス鋼等からなる可撓性の帯状
材で形成してもよい。このように、可撓性に富んだ帯状
材基板10は、連続的なプロセスにおいて、第2図およ
び第3図に関して以下に説明する種々の堆積ステーショ
ンを該帯状材10が通過させられる際、金属の電極を形
成する各層およびシリコン層を堆積させるために使用可
能である。アルミニウム又はステンレス鋼の基板10は
、少くとも約0.(18)mm(3ミル)好ましくは約
0.4朋(15ミル)の厚さを有し、必要に応じた巾を
有する。帯状材10が薄く可撓性のある帯状材である場
合は、ロール単位で購入することが望ましい。
む素子の製造における第一の工程(Atは基板lOの形
成を含む。この基板10は、バッチ法が採用される場合
はガラスの如き可撓性のない材料で形成してもよく、あ
るいは特に連続的な大量生産方式が採用される場合には
アルミニウム又はステンレス鋼等からなる可撓性の帯状
材で形成してもよい。このように、可撓性に富んだ帯状
材基板10は、連続的なプロセスにおいて、第2図およ
び第3図に関して以下に説明する種々の堆積ステーショ
ンを該帯状材10が通過させられる際、金属の電極を形
成する各層およびシリコン層を堆積させるために使用可
能である。アルミニウム又はステンレス鋼の基板10は
、少くとも約0.(18)mm(3ミル)好ましくは約
0.4朋(15ミル)の厚さを有し、必要に応じた巾を
有する。帯状材10が薄く可撓性のある帯状材である場
合は、ロール単位で購入することが望ましい。
第二の工程(Blは、所望ならば離間され絶縁された電
極形成層が形成されるように、アルミニウム又はステン
レス鋼製の基板10の表面に絶縁層鴛を堆積させること
を含む。例えば、約5ミクロンの肉厚の層12は金属酸
化物で作ることができる。
極形成層が形成されるように、アルミニウム又はステン
レス鋼製の基板10の表面に絶縁層鴛を堆積させること
を含む。例えば、約5ミクロンの肉厚の層12は金属酸
化物で作ることができる。
基板10がアルミニウム基板の場合にはこの層は酸化ア
ルミニウム(A1203 )であることが望ましく、ス
テンレス鋼の基板の場合には二酸化ケイ素(sto2)
その他の適当なガラスでよい。この基板10は絶縁層1
2を予め形成した状態で購入できる。尚、絶縁層12は
、化学的堆積法、蒸着法、又はアルミニウム基板の場合
には陽極酸化法等の従来周知の製造方法によって基板1
0の表面に形成され得る。2つの層、即ち基板10およ
び酸化層12が絶縁基板14を形成する。
ルミニウム(A1203 )であることが望ましく、ス
テンレス鋼の基板の場合には二酸化ケイ素(sto2)
その他の適当なガラスでよい。この基板10は絶縁層1
2を予め形成した状態で購入できる。尚、絶縁層12は
、化学的堆積法、蒸着法、又はアルミニウム基板の場合
には陽極酸化法等の従来周知の製造方法によって基板1
0の表面に形成され得る。2つの層、即ち基板10およ
び酸化層12が絶縁基板14を形成する。
第三の工程(qは前記絶縁基板14上に1つ以上の電極
を形成する層16を堆積させて、その上に形成される接
合素子のためのベース電極基板18を形成する。この金
属の電極層(単数又は複数)16は、比較的早い堆積法
である蒸着法により堆積されることが望ましい。電極層
16は、光起電力素子のためには、モリブデン、アルミ
ニウム、クロム、又はステンレス鋼製の反射性のある金
属電極であることが望ましい。太陽電池の場合には、吸
収されないで半導体材料を透過した光が電極層16で反
射され、再び半導体材料中にとおされる。
を形成する層16を堆積させて、その上に形成される接
合素子のためのベース電極基板18を形成する。この金
属の電極層(単数又は複数)16は、比較的早い堆積法
である蒸着法により堆積されることが望ましい。電極層
16は、光起電力素子のためには、モリブデン、アルミ
ニウム、クロム、又はステンレス鋼製の反射性のある金
属電極であることが望ましい。太陽電池の場合には、吸
収されないで半導体材料を透過した光が電極層16で反
射され、再び半導体材料中にとおされる。
半導体材料がこの時反射された光のエネルギを吸収する
故、素子の効率が増大され得る。従って、反射性電極が
望ましい。
故、素子の効率が増大され得る。従って、反射性電極が
望ましい。
次に、ベース電極基板18は、前記特許第4,226,
898号に記載された室の如きグロー放電堆積環境、又
は第2図および第3図について以下に論述される如き連
続プロセス装置におかれる。D1〜D5で示される特定
例は、本発明の改良されたP形ドープ法および材料を用
いて製造できる種々のP−I−N又はP−N接合素子の
例示に過ぎない。各素子はベース電極基板18を用いて
形成される。D1〜D5に示される各素子は、全体の厚
さが約5000乃至30,0OOAの範囲内である複数
のシリコン層を有する。この厚さは、構造体内にピンホ
ールその他の物理的欠陥がないこと、および光吸収効率
が最大となることを保証する。更に厚い材料の場合更に
光を吸収できるかもしれないが、厚さが厚くなるにつれ
て光で生成された電子正孔対の再結合がより多く生じる
故、ある厚さにおいてそれ以上の電流が生じなくなる。
898号に記載された室の如きグロー放電堆積環境、又
は第2図および第3図について以下に論述される如き連
続プロセス装置におかれる。D1〜D5で示される特定
例は、本発明の改良されたP形ドープ法および材料を用
いて製造できる種々のP−I−N又はP−N接合素子の
例示に過ぎない。各素子はベース電極基板18を用いて
形成される。D1〜D5に示される各素子は、全体の厚
さが約5000乃至30,0OOAの範囲内である複数
のシリコン層を有する。この厚さは、構造体内にピンホ
ールその他の物理的欠陥がないこと、および光吸収効率
が最大となることを保証する。更に厚い材料の場合更に
光を吸収できるかもしれないが、厚さが厚くなるにつれ
て光で生成された電子正孔対の再結合がより多く生じる
故、ある厚さにおいてそれ以上の電流が生じなくなる。
(Di〜D5に示された各層の肉厚は正確な縮尺になっ
ていないことを理−すべきである。)最初にDlについ
て述べれば、第−tこ基板18上に強くドープしたN
シリコン層20を堆積させることによってN−I−P素
子が形成される。
ていないことを理−すべきである。)最初にDlについ
て述べれば、第−tこ基板18上に強くドープしたN
シリコン層20を堆積させることによってN−I−P素
子が形成される。
N+層20が堆積されると、真性(ilシリコン層22
がその上に付着させられる。この真性層22の後には、
最後の半導体層として強くト9−プされた伝導性P+の
シリコン層24が堆積される。このシリコン層20,2
2.24はN−1−P素子26の活性層を形成する。
がその上に付着させられる。この真性層22の後には、
最後の半導体層として強くト9−プされた伝導性P+の
シリコン層24が堆積される。このシリコン層20,2
2.24はN−1−P素子26の活性層を形成する。
D1〜D5に示される各素子は他の用途もあるが、こ\
では光起電力素子として説明する。光起電力素子として
利用される場合、選択された外側のP+層24は、光の
吸収性の少い高導電率の層である。光の吸収性の小さな
高導電率のN 層20上に吸収率が大きく導電率が小さ
く光導電率が大きな真性層22がある。電極層16の内
面とP+層24の頂面との間の素子の全厚さは、前述の
如く、少くとも約5oooX程度である。鹸ト°−プ層
20の厚さは約50乃至500Aの範囲内にあることが
望ましい。非晶質の真性層22の厚さは約5000乃至
30,0OOAの範囲内にあることが望才しい。頂部の
P+接触層24の厚さも又約50乃至500Xの範囲内
にあることが望ましい。正孔の拡散距離が比較的短いた
め、P 層は一般に50乃至500(又は150)A程
度の可能な限り薄くする。更に、前記接触層における光
の吸収を避けるため、N+又はP+の如何を問わず外側
の層(本例ではP+層24)はできるだけ薄く保たれる
。
では光起電力素子として説明する。光起電力素子として
利用される場合、選択された外側のP+層24は、光の
吸収性の少い高導電率の層である。光の吸収性の小さな
高導電率のN 層20上に吸収率が大きく導電率が小さ
く光導電率が大きな真性層22がある。電極層16の内
面とP+層24の頂面との間の素子の全厚さは、前述の
如く、少くとも約5oooX程度である。鹸ト°−プ層
20の厚さは約50乃至500Aの範囲内にあることが
望ましい。非晶質の真性層22の厚さは約5000乃至
30,0OOAの範囲内にあることが望才しい。頂部の
P+接触層24の厚さも又約50乃至500Xの範囲内
にあることが望ましい。正孔の拡散距離が比較的短いた
め、P 層は一般に50乃至500(又は150)A程
度の可能な限り薄くする。更に、前記接触層における光
の吸収を避けるため、N+又はP+の如何を問わず外側
の層(本例ではP+層24)はできるだけ薄く保たれる
。
各層は、前掲の米国特許第4,226,898号に記載
した従来のグロー放電室により、あるいは望ましくは第
2図および第3図に関して以下に記載した連続プロセス
において、ベース電極基板18上に堆積され得る。いず
れの場合でも、前記グロー放電システムが最初に約20
ミリトルに抜気されて堆積システムから雰囲気中の不純
物をパージ即ち除去する。シリコン材料は、次に化合物
のガス形態で、特に四フッ化シリコン(SiF2)の形
で堆積室内に送られることが望ましい。グロー放電プラ
ズマは、好ましくは、約4:1乃至10:1の望ましい
比率の範囲で四フッ化シリコンおよび水素([2)ガス
の混合物から得る。堆積システムは、約O13乃至1.
5トル、望ましくは約0,6トルの如<0.6乃至1.
0トルの範囲内の圧力で操作されることが望ましい。
した従来のグロー放電室により、あるいは望ましくは第
2図および第3図に関して以下に記載した連続プロセス
において、ベース電極基板18上に堆積され得る。いず
れの場合でも、前記グロー放電システムが最初に約20
ミリトルに抜気されて堆積システムから雰囲気中の不純
物をパージ即ち除去する。シリコン材料は、次に化合物
のガス形態で、特に四フッ化シリコン(SiF2)の形
で堆積室内に送られることが望ましい。グロー放電プラ
ズマは、好ましくは、約4:1乃至10:1の望ましい
比率の範囲で四フッ化シリコンおよび水素([2)ガス
の混合物から得る。堆積システムは、約O13乃至1.
5トル、望ましくは約0,6トルの如<0.6乃至1.
0トルの範囲内の圧力で操作されることが望ましい。
半導体材料は、望ましくは赤外線装置によって、各層の
所要の堆積温度迄加熱されている基板上に自己保持プラ
ズマから堆積される。素子のP形1−プ層は、使用され
たP形ト9−プ物質の形態に依存して、特定温度で堆積
される。気化されたP形ドープ用金属の蒸気は十分に補
償されたシリコン材料が望才しい場合、約400℃又は
これ以下の比較的低い温度で堆積され得るが、約100
0℃迄の比較的高い温度で堆積させ得る。基板温度の上
限は一部は使用される金属基板10の種類による。アル
ミニウムの場合には上限温度は約600℃より高くては
ならず、ステンレス鋼の場合は約1000℃より高くす
ることもできる。N−r−P又はP−1−N素子の真性
層を形成するのに必要な十分に補償された非晶質シリコ
ン層が形成されるべき場合には、基板温度は約400℃
より低くなければならず、約300℃であることが望ま
しい。
所要の堆積温度迄加熱されている基板上に自己保持プラ
ズマから堆積される。素子のP形1−プ層は、使用され
たP形ト9−プ物質の形態に依存して、特定温度で堆積
される。気化されたP形ドープ用金属の蒸気は十分に補
償されたシリコン材料が望才しい場合、約400℃又は
これ以下の比較的低い温度で堆積され得るが、約100
0℃迄の比較的高い温度で堆積させ得る。基板温度の上
限は一部は使用される金属基板10の種類による。アル
ミニウムの場合には上限温度は約600℃より高くては
ならず、ステンレス鋼の場合は約1000℃より高くす
ることもできる。N−r−P又はP−1−N素子の真性
層を形成するのに必要な十分に補償された非晶質シリコ
ン層が形成されるべき場合には、基板温度は約400℃
より低くなければならず、約300℃であることが望ま
しい。
本発明の気化された金属の蒸気を用いて非晶質のP形−
−プされた水素補償シリコン材料を堆積させるためには
、基板温度は約200℃乃至400℃の範囲内好ましく
は約250℃乃至350℃、特に望ましくは約300℃
である。
−プされた水素補償シリコン材料を堆積させるためには
、基板温度は約200℃乃至400℃の範囲内好ましく
は約250℃乃至350℃、特に望ましくは約300℃
である。
本発明のP形ドープ物質の気体を用いてシリコン半導体
材料を堆積させるためには、基板温度は約450乃至8
00℃の範囲内ζ望ましくは約500乃至700℃の範
囲内である。
材料を堆積させるためには、基板温度は約450乃至8
00℃の範囲内ζ望ましくは約500乃至700℃の範
囲内である。
ドープ濃度は、各素子のために各層が堆積される際所要
のP、P+、N又はN+形の伝導特性を生じるよう変更
される。N形又はP形ト9−ゾ層の場合は、堆積の際、
材料は5乃至100p!11のト9−プ物質でド−ゾさ
れる。N+形又はP+形ト°−プ層の場合、堆積の際材
料は100解乃至1%以上のドープ物質でドープされる
。N形ト9−プ物質は前記量のホスフィン又はアルシン
でよい。P形ドープ物質は、P+材料に対して望ましく
は100胛乃至5000ppm又はそれ以上の範囲で各
基板温度で堆積される本発明のドープ物質でよい。
のP、P+、N又はN+形の伝導特性を生じるよう変更
される。N形又はP形ト9−ゾ層の場合は、堆積の際、
材料は5乃至100p!11のト9−プ物質でド−ゾさ
れる。N+形又はP+形ト°−プ層の場合、堆積の際材
料は100解乃至1%以上のドープ物質でドープされる
。N形ト9−プ物質は前記量のホスフィン又はアルシン
でよい。P形ドープ物質は、P+材料に対して望ましく
は100胛乃至5000ppm又はそれ以上の範囲で各
基板温度で堆積される本発明のドープ物質でよい。
グロー放電堆積法においては、材料が導入されAC信号
によって生成されるプラズマが含まれる。
によって生成されるプラズマが含まれる。
このプラズマは、約IKHz乃至13.6MHzのAC
信号によりカソードと基板アノードの間に保持されるこ
とが望ましい。
信号によりカソードと基板アノードの間に保持されるこ
とが望ましい。
本発明のP形ドープ法および物質は、種々のシリコン非
晶質半導体材料層を有する素子において使用可能である
が、前掲の米国特許第4,226,898号に開示され
たフッ素および水素補償グロー放電堆積材料と共に使用
されることが望ましい。この場合、四フッ化シリコンお
よび水素の混合物は、真性およびN形層に対しては、約
400℃又はこれ以下で非晶質シリコンの補償された物
質として堆積せしめられる。D2、D3およびD5に示
された事例においては、電極層16上に配されたP+層
は、フッ素で補償された物質が得られる約450℃以上
の比較的高い基板温度で堆積せしめられ得る。水素は比
較的高い基板温度範囲においてはシリコンと共に有効に
堆積されず、排気ガスと共に掃気される故、材料は有効
な水素補償が行われない。
晶質半導体材料層を有する素子において使用可能である
が、前掲の米国特許第4,226,898号に開示され
たフッ素および水素補償グロー放電堆積材料と共に使用
されることが望ましい。この場合、四フッ化シリコンお
よび水素の混合物は、真性およびN形層に対しては、約
400℃又はこれ以下で非晶質シリコンの補償された物
質として堆積せしめられる。D2、D3およびD5に示
された事例においては、電極層16上に配されたP+層
は、フッ素で補償された物質が得られる約450℃以上
の比較的高い基板温度で堆積せしめられ得る。水素は比
較的高い基板温度範囲においてはシリコンと共に有効に
堆積されず、排気ガスと共に掃気される故、材料は有効
な水素補償が行われない。
真性(11層の外側にP+層があるDIおよびD41こ
示された素子では、約450℃以上の基板堆積温度であ
る層を堆積させようとすると該層の下に位置する層での
水素補償作用を破壊することになるため、高温で付着さ
れるP+層は持たず、真性(1)層は光起電力素子にお
ける十分に水素およびフッ素補償された非晶質層であり
得る。各素子のN形およびN 形層も又、非晶質でフッ
素および水素補償された形で堆積されていることが望ま
しい。
示された素子では、約450℃以上の基板堆積温度であ
る層を堆積させようとすると該層の下に位置する層での
水素補償作用を破壊することになるため、高温で付着さ
れるP+層は持たず、真性(1)層は光起電力素子にお
ける十分に水素およびフッ素補償された非晶質層であり
得る。各素子のN形およびN 形層も又、非晶質でフッ
素および水素補償された形で堆積されていることが望ま
しい。
従来のN形ド−プ物質は、約400℃以下の比較的低い
温度でシリコン材料と共に容易に付着され、高いト°−
ピング効率をもたらすことになる。このようlこ、これ
等の構造体D1およびD4においては、各層は非晶質シ
リコンであり、少くとも約400℃以下の基板温度にお
いて気化されたP+形ドープ用金属蒸気の1つによりP
層が最もよく形成される。下に位置する非晶質層の特
性を破壊する温度に達しないと仮定すれば、高い基板温
度を必要とする気相の金属又はホウ素化合物からなるP
形層9−プ物質の使用も又有効である。
温度でシリコン材料と共に容易に付着され、高いト°−
ピング効率をもたらすことになる。このようlこ、これ
等の構造体D1およびD4においては、各層は非晶質シ
リコンであり、少くとも約400℃以下の基板温度にお
いて気化されたP+形ドープ用金属蒸気の1つによりP
層が最もよく形成される。下に位置する非晶質層の特
性を破壊する温度に達しないと仮定すれば、高い基板温
度を必要とする気相の金属又はホウ素化合物からなるP
形層9−プ物質の使用も又有効である。
D2に示された第2の素子26′はDlに示すP−1−
N形素子と逆の伝導形態を有する。素子26′において
は、P+層28が最初にベース電極基板18上に堆積さ
れており、この上をこ真性層30および外側のN+層3
2が堆積されている。
N形素子と逆の伝導形態を有する。素子26′において
は、P+層28が最初にベース電極基板18上に堆積さ
れており、この上をこ真性層30および外側のN+層3
2が堆積されている。
この素子においては、P+層は本発明の範囲内のどんな
基板温度でも堆積され得る。
基板温度でも堆積され得る。
D3およびD4に、示される素子26″および26 ”
’も又逆の形態であってそれぞれP−NおよびN−P接
合素子である。素子26 ”’においては、P+形非晶
質シリコン層34がベース電極基板18上に堆積され、
その上に非晶質シリコンのP形層36が堆積され、次に
非晶質シリコンのN形層38が堆積され、最後に非晶質
シリコンの1形外側層40が堆積されている。素子26
INにおいては、逆の順序でN+形非晶質シリコン層
42が最初に堆積され、これにN形層44およびP形弁
晶質シリコン層46が堆積され、最後に外側のP+形非
晶質シリコン層48が堆積されている。
’も又逆の形態であってそれぞれP−NおよびN−P接
合素子である。素子26 ”’においては、P+形非晶
質シリコン層34がベース電極基板18上に堆積され、
その上に非晶質シリコンのP形層36が堆積され、次に
非晶質シリコンのN形層38が堆積され、最後に非晶質
シリコンの1形外側層40が堆積されている。素子26
INにおいては、逆の順序でN+形非晶質シリコン層
42が最初に堆積され、これにN形層44およびP形弁
晶質シリコン層46が堆積され、最後に外側のP+形非
晶質シリコン層48が堆積されている。
第二のタイプのP−1−N接合素子26/H/がD5に
示されている。この素子においては、第1のP+形非晶
質層50が堆積され、その上に真性非晶質シリコン層5
2、非晶質シリコン層54および外側のN+形非晶質シ
リコン層56が堆積されている。(この構成の逆の形態
は図示しないが、これも又使用可能である。) 所要の順序における種々の半導体層のグロー放電操作に
続いて、別の堆積環境における第五の工程(匂が実施さ
れることが・望ましい。蒸着環境はグロー放電プロセス
よりも速い堆積プロセスであるため、その使用が望まし
い。この工程?ζおいては、例えばインジウム錫酸化物
(ITO)、錫酸力rミラム(Cd25nO4)又はr
−ゾされた酸化錫(SnO2)でよい700層58(透
明な導電性酸化物)が素子26に追加されている。
示されている。この素子においては、第1のP+形非晶
質層50が堆積され、その上に真性非晶質シリコン層5
2、非晶質シリコン層54および外側のN+形非晶質シ
リコン層56が堆積されている。(この構成の逆の形態
は図示しないが、これも又使用可能である。) 所要の順序における種々の半導体層のグロー放電操作に
続いて、別の堆積環境における第五の工程(匂が実施さ
れることが・望ましい。蒸着環境はグロー放電プロセス
よりも速い堆積プロセスであるため、その使用が望まし
い。この工程?ζおいては、例えばインジウム錫酸化物
(ITO)、錫酸力rミラム(Cd25nO4)又はr
−ゾされた酸化錫(SnO2)でよい700層58(透
明な導電性酸化物)が素子26に追加されている。
700層58の上に電極グリッド60を形成するため、
第6エ程(蜀をオプションとして実施することができる
。このグリッド60は、使用した素子の最終寸法に従っ
て700層58の表面に配することができる。約13
crl (2in”)程度以下の面積を有する素子26
においては、TCOで導電性が十分なため、効率を高め
るためには電極グリッドを設けなくてもよい。もしこの
素子が更に大きな面積を有するか、あるいはTCO層の
導電率が必要とされる程度であるならば、電極グリッド
960がTCO層上に置かれてキャリア経路を短縮し、
素子の導電効率を高め得る。
第6エ程(蜀をオプションとして実施することができる
。このグリッド60は、使用した素子の最終寸法に従っ
て700層58の表面に配することができる。約13
crl (2in”)程度以下の面積を有する素子26
においては、TCOで導電性が十分なため、効率を高め
るためには電極グリッドを設けなくてもよい。もしこの
素子が更に大きな面積を有するか、あるいはTCO層の
導電率が必要とされる程度であるならば、電極グリッド
960がTCO層上に置かれてキャリア経路を短縮し、
素子の導電効率を高め得る。
前述の如く、素子26乃至261111は従来のグロー
放電室内で形成可能であるが、第2図に全体的に示され
る如く連続的なプロセスにおいて形成されることか頓才
しい。
放電室内で形成可能であるが、第2図に全体的に示され
る如く連続的なプロセスにおいて形成されることか頓才
しい。
第2図には、堆着面が1つの連続的処理工種の略図が示
されている。ベース電極基板18が供給リール62から
1対のローラ64と66の周囲に繰出されて、その間に
平坦な堆積面域68が形成されている。基板18は、リ
ード70により接地されたローラ66と電気的に接触し
ている。平坦域68において、基板18は、カソード9
極板72から調整自在に離間されたアノードを形成して
いる。このカソード972は高周波源74の出力端子と
結合されている。アノード域68とカン−ドア2との間
の区間はプラズマ・グロー放電堆積領域76を形成して
いる。
されている。ベース電極基板18が供給リール62から
1対のローラ64と66の周囲に繰出されて、その間に
平坦な堆積面域68が形成されている。基板18は、リ
ード70により接地されたローラ66と電気的に接触し
ている。平坦域68において、基板18は、カソード9
極板72から調整自在に離間されたアノードを形成して
いる。このカソード972は高周波源74の出力端子と
結合されている。アノード域68とカン−ドア2との間
の区間はプラズマ・グロー放電堆積領域76を形成して
いる。
図示はしないが、第2図の各要素は、周囲の環境からグ
ロー放電域76を隔離するため抜気された空間内で密閉
されている。堆積ガスは矢印78で示される如くプラズ
マ領域76内に導入される。
ロー放電域76を隔離するため抜気された空間内で密閉
されている。堆積ガスは矢印78で示される如くプラズ
マ領域76内に導入される。
ドープ物質は矢印80で示される如き第2の流れで導入
することができる。尚、ドープ用物質は付着ガスと組合
して導入してもよい。使用済みのガスは、矢印82で示
す如くプラズマ域76およびシステムから排除される。
することができる。尚、ドープ用物質は付着ガスと組合
して導入してもよい。使用済みのガスは、矢印82で示
す如くプラズマ域76およびシステムから排除される。
第2図の堆積域は、所要の各層を連続的に形成するため
適正な混合ガスを導入することによってバッチ・モード
により使用することができる。連続プロセスにおいては
、供給リール62からプラズマ領域を経て巻取リリール
84に至る基板18の単一パスにおいて1種の材料しか
付着させ得ないが、帯材18の終端部においてリールの
運転を逆転することができ、又各パス毎に所要のドープ
物質を導入することによって、第2および逐次の層がプ
ラズマ域76を経由する逐次のパスにおいて付着させ得
る。基板18の温度は、1個以上の赤外線加熱ランプそ
の他のソース86により制御可能である。グロー放電堆
積は、堆積される物質の厚さが毎秒2乃至5λの比較的
小さい速度で行なわれ得る。基板18上での半導体材料
の堆積厚さが5000^の場合を想定すると、毎秒5A
の堆積速度における5000λの層の完成には約100
0秒を要することになる。
適正な混合ガスを導入することによってバッチ・モード
により使用することができる。連続プロセスにおいては
、供給リール62からプラズマ領域を経て巻取リリール
84に至る基板18の単一パスにおいて1種の材料しか
付着させ得ないが、帯材18の終端部においてリールの
運転を逆転することができ、又各パス毎に所要のドープ
物質を導入することによって、第2および逐次の層がプ
ラズマ域76を経由する逐次のパスにおいて付着させ得
る。基板18の温度は、1個以上の赤外線加熱ランプそ
の他のソース86により制御可能である。グロー放電堆
積は、堆積される物質の厚さが毎秒2乃至5λの比較的
小さい速度で行なわれ得る。基板18上での半導体材料
の堆積厚さが5000^の場合を想定すると、毎秒5A
の堆積速度における5000λの層の完成には約100
0秒を要することになる。
これは熱論実用的ではあるが、第3図に示す如く、堆積
速度を上げるために、多数の堆積ステーションにおいて
基板18に層を付着させることが望ましい。
速度を上げるために、多数の堆積ステーションにおいて
基板18に層を付着させることが望ましい。
第3図においては、第1図の工程C,D、Eの各プロセ
スを実施する全体的なシステムのブロック図が示されて
いる。工程Cは蒸着室88内で実施可能である。酸化さ
れた基板14は供給リール90から室88内に送出され
、こ\で電極層が基板上に付着されてベース電極基板1
8が形成され、その後巻堆りリール92へ送られる。こ
の堆積工程は、覗きポート94を介して視覚的にあるい
はモニター兼制御器によって観察されてもよい。
スを実施する全体的なシステムのブロック図が示されて
いる。工程Cは蒸着室88内で実施可能である。酸化さ
れた基板14は供給リール90から室88内に送出され
、こ\で電極層が基板上に付着されてベース電極基板1
8が形成され、その後巻堆りリール92へ送られる。こ
の堆積工程は、覗きポート94を介して視覚的にあるい
はモニター兼制御器によって観察されてもよい。
電極層は、基板14と同様な帯状材形態のマスり96に
よって所望のグリッド・パターンの形に形成可能である
。マスク96は、帯状材14が室88を経た後巻取りリ
ール100に送られる際、この帯状輪と整合位置関係に
なるように繰出しリール98から送出される。
よって所望のグリッド・パターンの形に形成可能である
。マスク96は、帯状材14が室88を経た後巻取りリ
ール100に送られる際、この帯状輪と整合位置関係に
なるように繰出しリール98から送出される。
電極層の堆積工程に続いて、ベース電極基板18が連続
的に複数個のグロー放電室102.102′および10
2 ”内に送り適才れるが、この各放電室は76の如き
プラズマ域および第2図に示される他のグロー放電用要
素を含んでいる。同−又は殆んど同一の素子を識別する
ため、各図においては同じ番号(同様な符号)を用いた
。全ての室の堆積領域76を相互に隔離された1つの室
内に密閉することも又実際的である。
的に複数個のグロー放電室102.102′および10
2 ”内に送り適才れるが、この各放電室は76の如き
プラズマ域および第2図に示される他のグロー放電用要
素を含んでいる。同−又は殆んど同一の素子を識別する
ため、各図においては同じ番号(同様な符号)を用いた
。全ての室の堆積領域76を相互に隔離された1つの室
内に密閉することも又実際的である。
DlのN−I−P形素子26は、下記の特殊な連続的付
着事例の説明に用いられる。この場合、は−スミ極基板
18は繰出しリール62から室102内に送出される。
着事例の説明に用いられる。この場合、は−スミ極基板
18は繰出しリール62から室102内に送出される。
予め混合された四フッ化シリコンおよび水素の如き堆積
ガスは矢印78で示される如く堆積域76内に導入され
る。ホスフィンの如きドープ物質は、矢印80で示され
る如く堆積域76内に導入される。使用済みのガスは矢
印82で示される如く前記室102から除去される。
ガスは矢印78で示される如く堆積域76内に導入され
る。ホスフィンの如きドープ物質は、矢印80で示され
る如く堆積域76内に導入される。使用済みのガスは矢
印82で示される如く前記室102から除去される。
所要の堆積速度および堆積されるN 形層20の厚さに
従って、各々がN 形ドープ層20を堆積させる1個以
上の室102があり得る。室102の各々は隔離通路1
04によって連結されている。
従って、各々がN 形ドープ層20を堆積させる1個以
上の室102があり得る。室102の各々は隔離通路1
04によって連結されている。
各室102からの使用済みガス(排気)82は各室を隔
離する上で十分なければならないが、不活性のキャリア
・ガスを矢印106により示される如く各通路104内
に吹込んで通路104の両側。
離する上で十分なければならないが、不活性のキャリア
・ガスを矢印106により示される如く各通路104内
に吹込んで通路104の両側。
の室からのガスがなくなるように通路を掃気することが
できる。ドープ濃度は、必要に応じて層にグレードを付
けるため連らなる室の各々において変化させることがで
きる。
できる。ドープ濃度は、必要に応じて層にグレードを付
けるため連らなる室の各々において変化させることがで
きる。
室102′は、本例においては矢印78′で示される四
フッ化シリ・ンおよび水素の予め混4もれた堆積ガスの
みが供給されるが、これは−切のト9−ピング物質を導
入することなく真性層22を堆積させるためである。更
に、この層22の堆積速度を増加させるため複数の室1
02′を設けることができる。更に、各室102.10
2′・・・・・・が同じ連続的帯状材に各層毎に多くの
堆積域76で堆積するため、形成されるべき素子、本例
の場合はN−I−P素子26に対する各タイプの層を所
要の層厚で堆積させるようにその寸法があわされている
。
フッ化シリ・ンおよび水素の予め混4もれた堆積ガスの
みが供給されるが、これは−切のト9−ピング物質を導
入することなく真性層22を堆積させるためである。更
に、この層22の堆積速度を増加させるため複数の室1
02′を設けることができる。更に、各室102.10
2′・・・・・・が同じ連続的帯状材に各層毎に多くの
堆積域76で堆積するため、形成されるべき素子、本例
の場合はN−I−P素子26に対する各タイプの層を所
要の層厚で堆積させるようにその寸法があわされている
。
基板18は、次に矢印78″ で示される如く堆積ガス
が供給される室102”内に送り込まれる。P形ドープ
物質は矢印80″で示される如く堆積域内に導入される
。本例の場合には、P+形層24が非晶質N+層および
1層に堆積されるため、P形層−プ物質は気化されてな
る金属蒸気である。この場合も、1個以上の室102”
を設けることができ、最後の室102 ”からのフィル
ム26は巻取リリール84に巻取られる0電極マスク9
6と共用可能なマスク1(18)は繰出しリール110
から繰出され、基板18と整合位置関係に一連の室10
2内を通過させられる。
が供給される室102”内に送り込まれる。P形ドープ
物質は矢印80″で示される如く堆積域内に導入される
。本例の場合には、P+形層24が非晶質N+層および
1層に堆積されるため、P形層−プ物質は気化されてな
る金属蒸気である。この場合も、1個以上の室102”
を設けることができ、最後の室102 ”からのフィル
ム26は巻取リリール84に巻取られる0電極マスク9
6と共用可能なマスク1(18)は繰出しリール110
から繰出され、基板18と整合位置関係に一連の室10
2内を通過させられる。
マスク1(18)は、最後の室102”の後の巻取りリ
ール112で巻取られる。
ール112で巻取られる。
次に素子の膜26が蒸着室114内に送込まれて工程E
のTCO層58が堆積せしめられる。膜26は繰出しリ
ール116から繰出されて室114を経由し、巻取リリ
ール118に達する。適当なマスク120を用いて繰出
しリール122から巻取リリール124へ供給すること
ができる。もし電極グリッド60が必要ならば、適当な
マスク(図示せず)を用いて同様な蒸着室内で付着する
ことができる。
のTCO層58が堆積せしめられる。膜26は繰出しリ
ール116から繰出されて室114を経由し、巻取リリ
ール118に達する。適当なマスク120を用いて繰出
しリール122から巻取リリール124へ供給すること
ができる。もし電極グリッド60が必要ならば、適当な
マスク(図示せず)を用いて同様な蒸着室内で付着する
ことができる。
P−I−N−一形素子26′の如き特殊な素子を製造す
るためには、室102.102′、102′□の各々は
1つの特定の層を付着させるよう専用化される。前述の
如く、各室は1つの層(p、I又はN)の付着のため専
用化されるが、これは他の層の付着物質が室の背景環境
を汚染するためである。P7N素子又はP−I−N素子
の各層を最適化するためには、他のタイプの層からのト
9−ゾ物質が1つの層の望ましい電気的特性と干渉する
ため、前記ト9−ゾ物質が存在しないことが重要である
。例えば、P形又はN形の層を最初に付着する場合、残
在するP形又はN形ドープ物質による後続の真性層の汚
染のため真性層中jと局在状態を生じることになる。こ
のように、素子の効率は汚染によって低減されることに
なる。素子の効率の低下を生じる汚染の問題は、P−N
又はP−I−N形の素子の連続層の形成のため特定の1
つの付着室を用いた場合に遭遇した。室の環境の汚染は
容易に除去できず、その結果、背景環境内に残留する物
質によって他の層が汚染されるため、1つの連続的なプ
ロセスにおいて1つ以上の層に対して1個の室を用いる
ことは現在では実施不可能である。
るためには、室102.102′、102′□の各々は
1つの特定の層を付着させるよう専用化される。前述の
如く、各室は1つの層(p、I又はN)の付着のため専
用化されるが、これは他の層の付着物質が室の背景環境
を汚染するためである。P7N素子又はP−I−N素子
の各層を最適化するためには、他のタイプの層からのト
9−ゾ物質が1つの層の望ましい電気的特性と干渉する
ため、前記ト9−ゾ物質が存在しないことが重要である
。例えば、P形又はN形の層を最初に付着する場合、残
在するP形又はN形ドープ物質による後続の真性層の汚
染のため真性層中jと局在状態を生じることになる。こ
のように、素子の効率は汚染によって低減されることに
なる。素子の効率の低下を生じる汚染の問題は、P−N
又はP−I−N形の素子の連続層の形成のため特定の1
つの付着室を用いた場合に遭遇した。室の環境の汚染は
容易に除去できず、その結果、背景環境内に残留する物
質によって他の層が汚染されるため、1つの連続的なプ
ロセスにおいて1つ以上の層に対して1個の室を用いる
ことは現在では実施不可能である。
第1図は本発明の一実施例に従って光起電カー々ネルを
形成する方法の工程を示す説明図、第2図は本発明の一
実施例に従って半導体膜を連続的に堆積する装置を示す
説明図、第3図は本発明の一実施例に従って改良された
P形ドープされた半導体素子を連続的に形成する第1図
の方法の各工程を実施する装置を示すブロック図である
。 lO・・・・・・基板、12・・・・・・金属酸化物絶
縁層、14・・・・・・絶縁基板、16・・・・・・電
極層、18・・・・・・は−スミ極基板、20,32,
38,40,42゜44.54.56・・・・・・N形
シリコン含有合金、22・・・・・・真性(11シリコ
ン層、24,28,34゜36.46,48.50・・
・・・・P形シリコン含有合金、26.26’ 、26
”、26”’、26”″・・・・・・素子、30・・・
・・・真性層、52・・・・・・真性非晶質シリコン層
、58・・・・・・透明導電性酸化膜(TCO)層、6
0・・・・・・電極グリッド9.62・・・・・・繰出
しリール、64.66・・・・・・ローラ、68・・・
・・・付着域、70・・・・・・リード、72・・・・
・・カソード電極、74・・・・・・高周波ソース、7
6・・・・・・プラズマ・グロー放電付着域、84・・
・・・・巻取りリール、88・・・・・・蒸着室、90
・・・・・・繰出しリール、92・・・・・・巻取りリ
ール、96・・・・・・マスク、98・・・・・・繰出
しリール、100・・・・・・巻取りリール、102,
102’ 、102”・・・・・・グロー放電室、1
04・・・・・・通路、1(18)・・・・・・マスク
、110,116,122・・・・・・繰出しリール、
112,118,124・・・・・・巻取りリール、1
20・・・・・・マスク。
形成する方法の工程を示す説明図、第2図は本発明の一
実施例に従って半導体膜を連続的に堆積する装置を示す
説明図、第3図は本発明の一実施例に従って改良された
P形ドープされた半導体素子を連続的に形成する第1図
の方法の各工程を実施する装置を示すブロック図である
。 lO・・・・・・基板、12・・・・・・金属酸化物絶
縁層、14・・・・・・絶縁基板、16・・・・・・電
極層、18・・・・・・は−スミ極基板、20,32,
38,40,42゜44.54.56・・・・・・N形
シリコン含有合金、22・・・・・・真性(11シリコ
ン層、24,28,34゜36.46,48.50・・
・・・・P形シリコン含有合金、26.26’ 、26
”、26”’、26”″・・・・・・素子、30・・・
・・・真性層、52・・・・・・真性非晶質シリコン層
、58・・・・・・透明導電性酸化膜(TCO)層、6
0・・・・・・電極グリッド9.62・・・・・・繰出
しリール、64.66・・・・・・ローラ、68・・・
・・・付着域、70・・・・・・リード、72・・・・
・・カソード電極、74・・・・・・高周波ソース、7
6・・・・・・プラズマ・グロー放電付着域、84・・
・・・・巻取りリール、88・・・・・・蒸着室、90
・・・・・・繰出しリール、92・・・・・・巻取りリ
ール、96・・・・・・マスク、98・・・・・・繰出
しリール、100・・・・・・巻取りリール、102,
102’ 、102”・・・・・・グロー放電室、1
04・・・・・・通路、1(18)・・・・・・マスク
、110,116,122・・・・・・繰出しリール、
112,118,124・・・・・・巻取りリール、1
20・・・・・・マスク。
Claims (31)
- (1)帯状材の可撓性を有する基板のロールを少なくと
も1つのシリコン堆積域を含む部分的に抜気された空間
に実質的に連続して繰り出す工程と、 前記堆積域で、1つ以上の光起電力用空乏域を形成する
P形及びN形の伝導性を呈する少なくとも2つの薄い可
撓性のシリコン合金を少なくとも450℃以上の温度に
加熱された前記基板の少なくとも一部に堆積させる工程
と、 少なくとも前記光起電力用空乏域の幾つかに関連して、
前記シリコン合金上に薄い可撓性の電極形成層を連続的
に与える工程とからなる 光起電力パネルの製造方法。 - (2)前記P形合金を堆積させる工程は、前記部分的に
抜気された雰囲気中で少なくともシリコンを含有する複
合物のグロー放電によつて少なくともシリコンを含む材
料を堆積させる工程と、前記シリコン複合物のグロー放
電堆積の間に、グロー放電堆積されるシリコン合金と共
に堆積される気化された金属のP形ドープ用元素をシリ
コン堆積用のグロー放電域に導入して前記P形合金を形
成する工程とからなる特許請求の範囲第1項に記載の製
造方法。 - (3)前記P形合金を堆積させる工程は、少なくとも5
00℃以上で800℃以下の温度に加熱された前記基板
に、前記部分的に抜気された雰囲気中で少なくともシリ
コンを含有する複合物のグロー放電によつて少なくとも
シリコンを含む材料を堆積させる工程と、前記合金のグ
ロー放電堆積工程の間に、P形ドープ物質の気体状化合
物をシリコン堆積用グロー放電域に導入する工程とを含
み、前記P形ドープ物質の気体状化合物は少なくともP
形ドープ用元素及び非P形ドープ物質置換基を含み、該
気体状化合物は少なくとも500℃以上の前記基板の温
度で前記P形ドープ元素及び前記非P形ドープ物質置換
基に解離し、次に前記P形ドープ元素は堆積しているシ
リコン材料と結合してP形合金を形成する特許請求の範
囲第1項、又は第2項に記載の製造方法。 - (4)前記P形ドープ元素は、アルミニウム、ガリウム
、インジウム、亜鉛及びタリウムよりなるグループの少
なくとも1つである特許請求の範囲第2項、又は第3項
に記載の製造方法。 - (5)前記P形ドープ元素がホウ素である特許請求の範
囲第2項、又は第3項に記載の製造方法。 - (6)前記基板は実質的に連続状の帯状に形成され、前
記シリコン合金のそれぞれは、前記基板が通過する別個
のグロー放電域で堆積されて、実質的に連続的な堆積工
程を構成する特許請求の範囲第1項から第3項のいずれ
かに記載の製造方法。 - (7)前記グロー放電域のそれぞれが1つのタイプの合
金を堆積させる工程に使用され、各タイプの堆積域は他
の堆積域から離隔されている特許請求の範囲第6項に記
載の製造方法。 - (8)前記複合物が、フッ素及び水素の少なくとも一方
を含む特許請求の範囲第2項、又は第3項に記載の製造
方法。 - (9)前記複合物が少なくとも4:1乃至10:1の比
率のSiF_4とH_2との混合物である特許請求の範
囲第2項、第3項、及び第8項のいずれかに記載の製造
方法。 - (10)前記基板上に1つ以上の電極形成域を形成する
工程と、該電極形成域の少なくとも幾つかを覆うように
前記シリコン合金を付着させる工程と、前記光起電力用
空乏域のそれぞれに関して個々に前記可撓性の電極形成
層を形成する工程を有する特許請求の範囲第1項に記載
の製造方法。 - (11)帯状材の可撓性を有する基板のロールから部分
的に抜気された空間中に基板を実質的に連続して繰り出
す装置と、 1つ以上の光起電力用空乏域を形成するP形及びN形の
伝導性を呈する少なくとも2つの薄い可撓性のシリコン
膜を少くとも450℃以上の温度に加熱された前記基板
の少なくとも一部に堆積させるシリコン堆積装置と、 前記光起電力用空乏域の少なくとも幾つかに関連して、
薄い可撓性の電極形成層を前記シリコン膜上に続けて与
える装置とからなり、 前記シリコン堆積装置が、実質的に連続する付着工程を
形成し、 前記帯状材が通過する別個のグロー放電域で前記シリコ
ン膜のそれぞれを堆積させる装置を備えている光起電力
パネルの製造装置。 - (12)前記P形のシリコン膜を堆積させる装置は前記
部分的に抜気された雰囲気中で少なくともシリコンを含
有する複合物のグロー放電によつて少なくともシリコン
を含む半導体マトリクス膜を堆積させる装置と、前記膜
のグロー放電堆積中に、シリコン堆積グロー放電室に気
化された金属のP形ドープ用変成元素を導入する装置と
を備え、前記金属変成元素を導入する装置は、グロー放
電により堆積されるシリコン膜とともに前記金属変成元
素を堆積させ、シリコン膜をP形の膜を形成するように
変成する特許請求の範囲第11項に記載の製造装置。 - (13)前記気化された金属変成元素は、アルミニウム
、ガリウム、インジウム、亜鉛、タリウム、より成るグ
ループの少なくとも1つである特許請求の範囲第12項
に記載の製造装置。 - (14)前記のP形膜堆積装置は、前記部分的に抜気さ
れた雰囲気中で少なくともシリコンを含有する複合物の
グロー放電によつて少なくともシリコンを含む半導体主
マトリクス膜を少なくとも500℃以上で800℃以下
の温度に加熱された前記基板に堆積させる装置と、前記
膜のグロー放電堆積中に、P形ドープ物質の気体状化合
物をシリコン堆積グロー放電域に導入する装置とを備え
、前記P形ドープ物質の気体状化合物が少なくともP形
ドープ変成元素と非P形ドープ置換基とを含み、また、
前記気体状化合物が少なくとも500℃以上の前記基板
温度で前記P形ドープ変成元素と前記非P形ドープ置換
基に解離し、前記P形膜堆積装置は更に前記P形ドープ
変成元素を堆積しているシリコンと結合させてP形の膜
を形成するようにシリコン半導体材料を変成する装置を
備える特許請求の範囲第11項又は第12項に記載の製
造装置。 - (15)前記P形ドープ変成元素は、アルミニウム、ガ
リウム、インジウム、亜鉛、タリウムよりなるグループ
の少なくとも1つである特許請求の範囲第12項、又は
第14項に記載の製造装置。 - (16)前記P形ドープ変成元素がホウ素である特許請
求の範囲第12項、又は第14項に記載の製造装置。 - (17)前記気体状の化合物がジボランである特許請求
の範囲第14項に記載の製造装置。 - (18)前記シリコン膜堆積装置は、シリコン含有化合
物から前記シリコンを含む膜の少なくとも1つを実質的
に非晶質の膜として堆積させる装置を備え、そのような
膜をそれぞれ形成する前記シリコン複合物内に1つの局
在状態密度減少元素が含まれ、前記シリコン膜堆積装置
は更に、前記複合物からは与えられない少なくとも1つ
の別個の局在状態密度減少元素を前記グロー放電域に導
入する装置を備え、それによつて、これらの元素は、前
記基板上に堆積された前記実質的に非晶質のシリコン含
有膜のそれぞれに組入れられて、電子配置を変更し、そ
のエネルギーギャップ中の局在状態の密度を減少させる
特許請求の範囲第11項、第12項、及び第14項のい
ずれかに記載の製造装置。 - (19)前記複合物がフッ素を含む化合物である特許請
求の範囲第12項、第14項、及び第18項のいずれか
に記載の製造装置。 - (20)前記複合物が少なくともSiF_4とH_2と
の混合物である特許請求の範囲第12項、第14項、及
び第18項のいずれかに記載の製造装置。 - (21)前記複合物は、少なくとも4:1乃至10:1
の割合のSiF_4とH_2との混合物である特許請求
の範囲第12項、第14項、及び第18項のいずれかに
記載の製造装置。 - (22)前記P形のシリコン含有膜堆積装置は、前記P
形の膜を1000オングストローム以下の厚さに堆積さ
せる装置を備える特許請求の範囲第11項、第12項、
及び第14項のいずれかに記載の製造装置。 - (23)前記P形のシリコン膜とN形のシリコン膜との
間に、P形又はN形ドープ変成元素を存在させない、真
性の非晶質シリコン含有膜をグロー放電によつて堆積さ
せる装置を備える特許請求の範囲第11項に記載の製造
装置。 - (24)前記堆積域のそれぞれが1つのタイプの膜を付
着させるのに使用され、前記堆積域のそれぞれが他の堆
積域から離隔されている特許請求の範囲第23項に記載
の製造装置。 - (25)前記堆積域のそれぞれは、相互に離隔された複
数のグロー放電室の1つに配置されている特許請求の範
囲第23項又は第24項に記載の製造装置。 - (26)前記グロー放電室は、気体流装置によつて相互
に離隔されている特許請求の範囲第23項乃至第25項
のいずれかに記載の製造装置。 - (27)前記グロー放電室は、前記基板が通過する離隔
通路によつて相互に連結されている特許請求の範囲第2
3項乃至第26項のいずれかに記載の製造装置。 - (28)前記グロー放電のそれぞれが前記基板を加熱す
る装置を備えている特許請求の範囲第23項乃至第27
項のいずれかに記載の製造装置。 - (29)前記堆積域のそれぞれは、唯1回の通過で基板
上に適当な厚さの膜を付着させるように膜の全厚に比例
した長さを有し、この長さの方向に沿つて前記基板が通
過する特許請求の範囲第23項乃至第28項のいずれか
に記載の製造装置。 - (30)前記基板上に1以上の電極形成域を形成する装
置と、前記電極形成域の少なくとも幾つかを覆うように
前記膜を堆積させる装置と、前記光起電力用空乏域のそ
れぞれに関して前記薄い可撓性の電極形成層を別個に形
成する装置とを備える特許請求の範囲第11項に記載の
製造装置。 - (31)前記基板が前記グロー放電域のそれぞれを通過
する際に、前記基板を環境的に離隔する装置を備えた特
許請求の範囲第11項に記載の製造装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/151,301 US4400409A (en) | 1980-05-19 | 1980-05-19 | Method of making p-doped silicon films |
US151301 | 1980-05-19 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1152074A Division JP2539916B2 (ja) | 1980-05-19 | 1981-05-15 | 光起電力素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6122622A true JPS6122622A (ja) | 1986-01-31 |
JPH0355977B2 JPH0355977B2 (ja) | 1991-08-27 |
Family
ID=22538142
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56073356A Granted JPS5743413A (en) | 1980-05-19 | 1981-05-15 | Semiconductor element and method of producing same |
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