JPS6292485A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPS6292485A JPS6292485A JP60234114A JP23411485A JPS6292485A JP S6292485 A JPS6292485 A JP S6292485A JP 60234114 A JP60234114 A JP 60234114A JP 23411485 A JP23411485 A JP 23411485A JP S6292485 A JPS6292485 A JP S6292485A
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- JP
- Japan
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- solar cell
- electrode
- conductor
- forming
- insulator
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は単一基板」〕への太太陽池の連続形成を可能と
した太陽電池の製造方法に関するものである。
した太陽電池の製造方法に関するものである。
一般に太陽電池は、ガラス等を用いた透光性絶縁基板上
に透明電極、非晶質半導体層、裏面電極をこの順序に積
層形成してなる光起電力素子を通常複数個直列接続した
ものとして構成されるが、このような太陽電池は従来法
のようにして製造されている。即ち透光性絶縁基板とし
てのガラス板を帯状に形成し、このガラス基板を単一の
太陽電池に必要な長さに切断した後、透明電極形成工程
、透明電極パターニング工程、非晶質半導体層形成工程
、非晶質半導体層バターニング工程、裏面電極形成工程
、裏面電極バターニング工程を順次的に経て製造する、
所謂バッチ方式が採られていた。
に透明電極、非晶質半導体層、裏面電極をこの順序に積
層形成してなる光起電力素子を通常複数個直列接続した
ものとして構成されるが、このような太陽電池は従来法
のようにして製造されている。即ち透光性絶縁基板とし
てのガラス板を帯状に形成し、このガラス基板を単一の
太陽電池に必要な長さに切断した後、透明電極形成工程
、透明電極パターニング工程、非晶質半導体層形成工程
、非晶質半導体層バターニング工程、裏面電極形成工程
、裏面電極バターニング工程を順次的に経て製造する、
所謂バッチ方式が採られていた。
しかしこの方式ではガラス基板の暇扱いを容易とするた
めのトレーを必要とする列、各工程毎に精細な位置決め
を行わねばならず、無駄時間が多く製造能率が低いとい
う問題があった。そこでこれを改善する方法として従来
第３図に示す如き方法が提案されている（米国特許第３
，８８０．６３３号）。
めのトレーを必要とする列、各工程毎に精細な位置決め
を行わねばならず、無駄時間が多く製造能率が低いとい
う問題があった。そこでこれを改善する方法として従来
第３図に示す如き方法が提案されている（米国特許第３
，８８０．６３３号）。
第３図は従来方法の実施］−程を示す模式図であり、図
中５１はガラス製造のための熔解窯、５２は同しく溶融
金属窓を示している。ガラス原料を熔解窯５１に入れて
溶解し、熔解窯５１から溶融状態のガラスを連続的に溶
融金属窓５２に取り出して平滑化し、帯状のガラス基板
５０として連続的に給送し、先ず形成室５３を通過する
過程でガラス基板５０の表面にＳ ｎ Ｏ２をスプレー
法により付着させて透明電極を形成し、次いで形成室５
４．５５を経る過程で同じくスプレー法によりＣｄ Ｓ
、Ｃｕ２ Ｓを付着セしめて半導体層を形成した後、カ
ッタ５６により各太陽電池を構成する領域毎に半導体層
、透明電極及びガラス基板５０を切断する。以後は切断
したガラスを５０′毎にスクリーンレジスト形成室５７
．エツチング室５Ｂ、洗滌室５９、接続電極形成室６０
、スクリーンレジスト形成室６１、裏面電極形成室６２
、温度調整室６３に順次的に送り込む所謂バッチ方式で
透明電極、半導体層に対するエンチング、裏面電極積層
形成を行って、複数の光起電力素子を直列接続した状態
の太陽電池を製造している。
中５１はガラス製造のための熔解窯、５２は同しく溶融
金属窓を示している。ガラス原料を熔解窯５１に入れて
溶解し、熔解窯５１から溶融状態のガラスを連続的に溶
融金属窓５２に取り出して平滑化し、帯状のガラス基板
５０として連続的に給送し、先ず形成室５３を通過する
過程でガラス基板５０の表面にＳ ｎ Ｏ２をスプレー
法により付着させて透明電極を形成し、次いで形成室５
４．５５を経る過程で同じくスプレー法によりＣｄ Ｓ
、Ｃｕ２ Ｓを付着セしめて半導体層を形成した後、カ
ッタ５６により各太陽電池を構成する領域毎に半導体層
、透明電極及びガラス基板５０を切断する。以後は切断
したガラスを５０′毎にスクリーンレジスト形成室５７
．エツチング室５Ｂ、洗滌室５９、接続電極形成室６０
、スクリーンレジスト形成室６１、裏面電極形成室６２
、温度調整室６３に順次的に送り込む所謂バッチ方式で
透明電極、半導体層に対するエンチング、裏面電極積層
形成を行って、複数の光起電力素子を直列接続した状態
の太陽電池を製造している。
この方法は透明電極、半導体層の形成を（■状のガラス
基板５０上において連続的に行うようにしであるため、
この間での製造能率は高いが、その後はガラス基板５０
を各太陽電池毎に切断して扱うため、全体として若干の
能率向上は認められるものの十分な製造能率が得られて
いない。
基板５０上において連続的に行うようにしであるため、
この間での製造能率は高いが、その後はガラス基板５０
を各太陽電池毎に切断して扱うため、全体として若干の
能率向上は認められるものの十分な製造能率が得られて
いない。
本発明はかかる事情に鑑みなれれたものであって、その
目的とするところはガラス基板上への透明電極の形成か
ら最終の裏面電極の形成、及び裏面電極のバターニング
工程までを帯状のガラス基板のままで連続的に処理し得
るようにして製造能率の大幅な向上が図れるようにした
太陽電池の製造方法を提供するにある。
目的とするところはガラス基板上への透明電極の形成か
ら最終の裏面電極の形成、及び裏面電極のバターニング
工程までを帯状のガラス基板のままで連続的に処理し得
るようにして製造能率の大幅な向上が図れるようにした
太陽電池の製造方法を提供するにある。
本発明に係る太陽電池の製造方法は、透光性絶縁基板上
に透明電極、半導体光活性層及び裏面電極を順次積層形
成してなる太陽電池を製造する方法において、帯状の透
光性絶縁基板を製造してこれを長手方向に移動しつつそ
の一面に透明電極。
に透明電極、半導体光活性層及び裏面電極を順次積層形
成してなる太陽電池を製造する方法において、帯状の透
光性絶縁基板を製造してこれを長手方向に移動しつつそ
の一面に透明電極。
半導体光活性層、裏面電極を夫々順次的に積層形成する
各工程と、裏面電極形成後、前記透光性絶縁基板を太陽
電池毎に切断する工程とを含むことを特徴とする。
各工程と、裏面電極形成後、前記透光性絶縁基板を太陽
電池毎に切断する工程とを含むことを特徴とする。
以下本発明をその実施状態を示す図面に基づき具体的に
説明する。第１図は本発明方法の実施設備を示す模式的
縦断面図、第２図は（イ）〜（へ）は各製造工程を示す
模式的断面図であり、図中１１はガラス製造のための熔
解窯、１２はガラス基板製造のための溶融金属窓、１３
は徐冷窯を示している。
説明する。第１図は本発明方法の実施設備を示す模式的
縦断面図、第２図は（イ）〜（へ）は各製造工程を示す
模式的断面図であり、図中１１はガラス製造のための熔
解窯、１２はガラス基板製造のための溶融金属窓、１３
は徐冷窯を示している。
ガラス原料を熔解窯１１に投入して１５００℃前後に加
熱熔解し、清澄した後、これを軟化状態で連続的に溶融
状態の５ｎ１２ａを収容した熔融金属窯１２上に送出し
、ここで上、下面を平滑化され、帯状のガラス基板１と
して徐冷窯１３に導入され所定温度迄冷却したあと洗滌
装置１４に送出されてゆく。
熱熔解し、清澄した後、これを軟化状態で連続的に溶融
状態の５ｎ１２ａを収容した熔融金属窯１２上に送出し
、ここで上、下面を平滑化され、帯状のガラス基板１と
して徐冷窯１３に導入され所定温度迄冷却したあと洗滌
装置１４に送出されてゆく。
洗滌装置１４ば槽内が前、後に２分割され、入口側の槽
１４ａには洗滌液が満たされ、また出口側の槽１４ｂ内
では超音波を照射するように構成されており、第２図（
イ）に示す如きガラス基板１は先ず洗滌液にて洗滌され
た後、槽＋４ｂを通過する過程で超音波により乾燥セし
められ、熱ＣＶｒｌ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置へ導入される。熱ＣＶ口詰
装置５はガラス基板の通過域上方にヒータ１５ａが、ま
た下方にノズル１５ｂが配設され、このノズル＋５ｂは
原料ガスである５ｎＣ１４、Ｓｎ （ＣＩ＋３） ４等
の比較的低温で分解し易く、珪つ蒸気圧の高いガスを収
容した図示しないボンベに連結されており、このような
熱ＣＶＤ装置１５内を通過する過程でガラス基板ｌはヒ
ータ１５ａにて４００℃〜６００ ’Ｉ’：に再加熱さ
れつつノズル１５１）力）ら５ｎＣＩ４ 、 Ｓｎ （
ＣＩ＋３ ） ４等のガスを下面に吹き付けられ、ガラ
ス基板ｌ下面に第２図（ロ）に示す如（５ｎ０２製の透
明電極２を形成される。
１４ａには洗滌液が満たされ、また出口側の槽１４ｂ内
では超音波を照射するように構成されており、第２図（
イ）に示す如きガラス基板１は先ず洗滌液にて洗滌され
た後、槽＋４ｂを通過する過程で超音波により乾燥セし
められ、熱ＣＶｒｌ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置へ導入される。熱ＣＶ口詰
装置５はガラス基板の通過域上方にヒータ１５ａが、ま
た下方にノズル１５ｂが配設され、このノズル＋５ｂは
原料ガスである５ｎＣ１４、Ｓｎ （ＣＩ＋３） ４等
の比較的低温で分解し易く、珪つ蒸気圧の高いガスを収
容した図示しないボンベに連結されており、このような
熱ＣＶＤ装置１５内を通過する過程でガラス基板ｌはヒ
ータ１５ａにて４００℃〜６００ ’Ｉ’：に再加熱さ
れつつノズル１５１）力）ら５ｎＣＩ４ 、 Ｓｎ （
ＣＩ＋３ ） ４等のガスを下面に吹き付けられ、ガラ
ス基板ｌ下面に第２図（ロ）に示す如（５ｎ０２製の透
明電極２を形成される。
透明電極２を形成されたガラス基板１は次にレーザ発振
器１６上を通過する過程で透明電極２のみが各光起電力
素子Ａ、１１・・・を構成する部分毎に長手方向に一定
間隔でレーザスクライブされ、第２図（ハ）に示す如く
分割される。
器１６上を通過する過程で透明電極２のみが各光起電力
素子Ａ、１１・・・を構成する部分毎に長手方向に一定
間隔でレーザスクライブされ、第２図（ハ）に示す如く
分割される。
分割された透明電極２を有するガラス基板ｌは次いでペ
ン先状ノズル１７ａ 、 １７ａ上を通過する過程でペ
ン描画法によって各透明電極２における長手方向と直交
する方向の一側縁近傍に沿って導電体ペースト、絶縁体
ペーストを条状に付着せしめられ、次いでガラス基板１
の通過域の上下に夫々ヒータｌＦ１ａ、１８ｂを備えた
焼成炉１８を通過する過程で焼成され、これによって第
２図（ニ）に示す如く、導電体３、絶縁体４が相隣した
状態で所要高さの条状に形成される。
ン先状ノズル１７ａ 、 １７ａ上を通過する過程でペ
ン描画法によって各透明電極２における長手方向と直交
する方向の一側縁近傍に沿って導電体ペースト、絶縁体
ペーストを条状に付着せしめられ、次いでガラス基板１
の通過域の上下に夫々ヒータｌＦ１ａ、１８ｂを備えた
焼成炉１８を通過する過程で焼成され、これによって第
２図（ニ）に示す如く、導電体３、絶縁体４が相隣した
状態で所要高さの条状に形成される。
導電体３．絶縁体４を形成されたガラス基板ｌは次いで
洗滌装置１９に導入される。洗滌装置１９は内部が前、
後に２分されており、入口側の槽１９ａにばフ１」ン液
が満たされ、また出口側の槽１９ｈにには図示しないヒ
ータが設けられており、ここを通過するガラス基板１は
フロン液中を通過する過程で、レーザスクライブに際し
て飛散した５ｎ０２粉、焼成炉１８内で付着した不純物
を除去され、槽１９ｂを通過する過程で乾燥せしめられ
、次いでｐ型、ｉ型、ｎ型の各非晶質半導体層５．裏面
電極６を形成すべく、各形成室２２．２４．２６及び裏
面電極形成室２８を含む非晶質半導体層形成装置２０に
通される。
洗滌装置１９に導入される。洗滌装置１９は内部が前、
後に２分されており、入口側の槽１９ａにばフ１」ン液
が満たされ、また出口側の槽１９ｈにには図示しないヒ
ータが設けられており、ここを通過するガラス基板１は
フロン液中を通過する過程で、レーザスクライブに際し
て飛散した５ｎ０２粉、焼成炉１８内で付着した不純物
を除去され、槽１９ｂを通過する過程で乾燥せしめられ
、次いでｐ型、ｉ型、ｎ型の各非晶質半導体層５．裏面
電極６を形成すべく、各形成室２２．２４．２６及び裏
面電極形成室２８を含む非晶質半導体層形成装置２０に
通される。
非晶質半導体層形成装置２０は入側端に取込室２１を備
え、以下順次、これに連ねてｐ型非晶質半導体層の形成
室２２、中間室２３．１型非晶質半導体層の形成室２４
、中間室２５、ｎ型非晶質半導体層の形成室２６、中間
室２７、裏面電極の形成室２８．取出室２９を一列に連
接配置して構成されている。
え、以下順次、これに連ねてｐ型非晶質半導体層の形成
室２２、中間室２３．１型非晶質半導体層の形成室２４
、中間室２５、ｎ型非晶質半導体層の形成室２６、中間
室２７、裏面電極の形成室２８．取出室２９を一列に連
接配置して構成されている。
炊込室２１、中間室２３．２５．２７は構造的にはいず
れも略同様であって、底壁に図示しない真空ポンプに連
らなる排気孔２１ａ＋ ２３ａ＋ ２５ａ＋ ２７ａを
備えると共に、夫々の内部にはガラス基板１の通過域の
上、下に望ませてヒータ２１ｂ、 ２１ｃ、 ２３ｂ、
２３ｃ、 ２５ｂ。
れも略同様であって、底壁に図示しない真空ポンプに連
らなる排気孔２１ａ＋ ２３ａ＋ ２５ａ＋ ２７ａを
備えると共に、夫々の内部にはガラス基板１の通過域の
上、下に望ませてヒータ２１ｂ、 ２１ｃ、 ２３ｂ、
２３ｃ、 ２５ｂ。
２５ｃ、 ２７ｂ、 ２７ｃを備えており、真空ポンプ
によって常時夫々所定の真空度に設定維持しつつ通過す
るガラス基板１を所要の温度に加熱保温するようになっ
ている。
によって常時夫々所定の真空度に設定維持しつつ通過す
るガラス基板１を所要の温度に加熱保温するようになっ
ている。
炊込室２１、取出室２９は、各形成室２２．２４．２６
゜２８内への外気の侵入を抑制するためのものであり、
また中間室２３．２５．２７は夫々そのガラス基板１の
移動方向上流側に位置する形成室２２．２４．２６．２
８の原料ガス等が相隣する他の形成室へ侵入するのを遮
断するためのものである。
゜２８内への外気の侵入を抑制するためのものであり、
また中間室２３．２５．２７は夫々そのガラス基板１の
移動方向上流側に位置する形成室２２．２４．２６．２
８の原料ガス等が相隣する他の形成室へ侵入するのを遮
断するためのものである。
一方形成室２２．２４．２６の構造は夫々底壁に図示し
ない真空ポンプに連なる排気口２２ａ、 ２４ａ、 ２
６ａを備えると共に室内にはガラス基板１の通過域の上
、下に臨ませてヒータ２２ｂ、 ２２ｃ、 ２４ｂ、
２４ｃ、 ２６ｂ。
ない真空ポンプに連なる排気口２２ａ、 ２４ａ、 ２
６ａを備えると共に室内にはガラス基板１の通過域の上
、下に臨ませてヒータ２２ｂ、 ２２ｃ、 ２４ｂ、
２４ｃ、 ２６ｂ。
２６ｒ、及び上、下電極２２ｄ、 ２２ｅ、 ２４ｄ、
２４ｅ、 ２６ｄ、 ２６ｅが夫々配設され、更に底
壁にはガスボンベ２２ｆ、 ２４ｆ。
２４ｅ、 ２６ｄ、 ２６ｅが夫々配設され、更に底
壁にはガスボンベ２２ｆ、 ２４ｆ。
２６ｆに連なる原料ガスの供給管が接続されている。
透明電極２上に導電体３．絶縁体４を形成したガラス基
板１は上記した各形成室２２．２４．２６を通る過程で
上、下のヒータ２２ｂ、 ２２ｃ等にて加熱されると共
に上、下の電極２２ｄ、 ２２ｃ間のグロー放電による
原料ガスの分解によりｐ型の非晶質半導体層、ｌ型非晶
質半導体層、ｎ型非晶質半導体層が順次的に積層形成さ
れ、第２図（ホ）に示す如く非晶質半導体層５が形成さ
れる。
板１は上記した各形成室２２．２４．２６を通る過程で
上、下のヒータ２２ｂ、 ２２ｃ等にて加熱されると共
に上、下の電極２２ｄ、 ２２ｃ間のグロー放電による
原料ガスの分解によりｐ型の非晶質半導体層、ｌ型非晶
質半導体層、ｎ型非晶質半導体層が順次的に積層形成さ
れ、第２図（ホ）に示す如く非晶質半導体層５が形成さ
れる。
裏面電極形成室２Ｂはガラス基板１の移動域上方にヒー
タ２８ｈを備え、また下方には電極２Ｆｌｃ上にＡＩ！
金属クーりソｌ−２８ｄが配設されており、ここを通過
する間にガラス基板１の非晶質半導体層５表面に第２図
（へ）に示す如くスパッタリングにてＡ７！製の裏面電
極６が形成される。
タ２８ｈを備え、また下方には電極２Ｆｌｃ上にＡＩ！
金属クーりソｌ−２８ｄが配設されており、ここを通過
する間にガラス基板１の非晶質半導体層５表面に第２図
（へ）に示す如くスパッタリングにてＡ７！製の裏面電
極６が形成される。
そして取出室２９を出たガラス７！板１はレーザ発振器
３０上を移動する過程で、前述した導電体３、絶縁体４
の頂部に積層形成された裏面電極６、非晶質半導体層５
がレーザスクライブされ、第２図（１−）、（ヂ）に示
す如く、導電体３、絶縁体４上の非晶質半導体ＩＨ５、
裏面電極６を蒸散せしめて分断すると共に、この分１＋
１７された電極の縁部を熔融状態で人々導電体３．絶縁
体４表面に接触固化せしめる。
３０上を移動する過程で、前述した導電体３、絶縁体４
の頂部に積層形成された裏面電極６、非晶質半導体層５
がレーザスクライブされ、第２図（１−）、（ヂ）に示
す如く、導電体３、絶縁体４上の非晶質半導体ＩＨ５、
裏面電極６を蒸散せしめて分断すると共に、この分１＋
１７された電極の縁部を熔融状態で人々導電体３．絶縁
体４表面に接触固化せしめる。
これによって相隣する光起電力素子における非晶質半導
体層５．裏面電極６は夫々導電体３．絶縁体４上にて相
！ｊに分断され１．■一つ一方の光起電力素子の裏面電
極６は他方の光起電力素子におりＪる導電体３を介して
透明型Ｉｊｉ！２と電気的に接続・ｌしめられて、各光
起電力素子が直列接続された太陽電池が構成され、カッ
タ３１下を通過する過程で、各太陽電池毎に分離される
。前述したｐ＋”＋ｎ型の非晶質半導体層の形成条件に
ついてその一例を示すと表１に示すとおりである。
体層５．裏面電極６は夫々導電体３．絶縁体４上にて相
！ｊに分断され１．■一つ一方の光起電力素子の裏面電
極６は他方の光起電力素子におりＪる導電体３を介して
透明型Ｉｊｉ！２と電気的に接続・ｌしめられて、各光
起電力素子が直列接続された太陽電池が構成され、カッ
タ３１下を通過する過程で、各太陽電池毎に分離される
。前述したｐ＋”＋ｎ型の非晶質半導体層の形成条件に
ついてその一例を示すと表１に示すとおりである。
（以 下 余 白）
表１
而して上述した如き本発明方法にあっては、ガラス基板
１上に連続的に太陽電池を形成してゆくため、ガラス基
板１を太陽電池毎に個別に分割した状態で取扱う場合社
比較して大幅な工程の省略が図れ設備も簡略化されて安
価となり、全体の自動化も図れて製造コストの大幅な低
減が図れ、まバ生産性も高まる。 ゛ しかもＣＶＤ法によって非晶質半導体層５を形成する場
合、各形成室においてプラズマを連続的に発生させてお
くことが旬能となって放電制御が容易となり、また各膜
質の均一化が図れ、生産歩留りも向上する。更に非晶質
半導体層５はこの上に裏面電極６を形成した１門でこれ
を分゛割するため、レーザスクライブに際しての膜損傷
が防止され、交換効率の低下を抑制出来る外、太陽電池
を構成する個々の光起電力素子の個数を任意に設是でき
る。
１上に連続的に太陽電池を形成してゆくため、ガラス基
板１を太陽電池毎に個別に分割した状態で取扱う場合社
比較して大幅な工程の省略が図れ設備も簡略化されて安
価となり、全体の自動化も図れて製造コストの大幅な低
減が図れ、まバ生産性も高まる。 ゛ しかもＣＶＤ法によって非晶質半導体層５を形成する場
合、各形成室においてプラズマを連続的に発生させてお
くことが旬能となって放電制御が容易となり、また各膜
質の均一化が図れ、生産歩留りも向上する。更に非晶質
半導体層５はこの上に裏面電極６を形成した１門でこれ
を分゛割するため、レーザスクライブに際しての膜損傷
が防止され、交換効率の低下を抑制出来る外、太陽電池
を構成する個々の光起電力素子の個数を任意に設是でき
る。
なお、上述の実施例においては、半導体光活性層として
°非晶質シリコン系の非晶質半導体層５を形成する場合
につき説明したが何らこれに限るものではなく微結晶半
導体層を含むものであってもよい。またＦ、述の実施例
ではガラス基板１上に複数個の光起電力素子を直列接続
してなる太陽電池を一列に形成する場合につき説明した
が、複数列並列形成する構成としてもよい。
°非晶質シリコン系の非晶質半導体層５を形成する場合
につき説明したが何らこれに限るものではなく微結晶半
導体層を含むものであってもよい。またＦ、述の実施例
ではガラス基板１上に複数個の光起電力素子を直列接続
してなる太陽電池を一列に形成する場合につき説明した
が、複数列並列形成する構成としてもよい。
更に複数の光起電力素子を連続的に直列接続した状態で
形成する代りに所定数の光起電力素子毎にガラス基板１
上に若干の間隙を形成して、切断しろを形成するように
してもよい。
形成する代りに所定数の光起電力素子毎にガラス基板１
上に若干の間隙を形成して、切断しろを形成するように
してもよい。
以上の如く透光性絶縁基板はこの上に透明電極、半導体
光活性層、裏面電極を積層し終えた後に各太陽電池毎に
切断するようにしであるから、製造工程の殆どを連続し
た帯状物として扱うことが可能となって、各工程での位
置決めが容易となり、また連続的な製造が可能となって
、無駄時間がなく、製造能率が飛ｖＭ的に向上するなど
、本発明は優れた効果を奏するものである。
光活性層、裏面電極を積層し終えた後に各太陽電池毎に
切断するようにしであるから、製造工程の殆どを連続し
た帯状物として扱うことが可能となって、各工程での位
置決めが容易となり、また連続的な製造が可能となって
、無駄時間がなく、製造能率が飛ｖＭ的に向上するなど
、本発明は優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明方法の実施設備を示す模式的縁断面図、
第２図は（イ）〜（号）は本発明方法の各製造工程を示
す模式的断面図、第３図は従来方法の工程説明図である
。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極 ３・・・導電
体４・・・絶縁体 ５・・・非晶質半導体層 ６・・・
裏面電極１１・・・熔解窯 １２・・・熔融金属窯 １
３・・・徐冷窯１４・・・洗滌装置 １５・・・熱ｃｖ
ｎ装置 １６・・・レーザ発生器 １７ａ、 １７ｂ
・・・ノズル １８・・・焼成室 １９・・・洗滌装置
２０・・・非晶質半導体層形成装置 ２１・・・取込
室２２・・・形成室 ２３・・・中間室 ２４・・・形
成室 ２５・・・中間室 ２６・・・形成室 ２７・・
・中間室 ２８・・・裏面電極形成室 ２９・・・取出
室 ３０・・・レーザ発生器 ３１・・・カッタ 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 骨間１１Ｈ６ど一υか■コ（ｂ） Ｙ 口
′″ １１こ
− 符開昭６２−９２４８５（８）
第２図は（イ）〜（号）は本発明方法の各製造工程を示
す模式的断面図、第３図は従来方法の工程説明図である
。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極 ３・・・導電
体４・・・絶縁体 ５・・・非晶質半導体層 ６・・・
裏面電極１１・・・熔解窯 １２・・・熔融金属窯 １
３・・・徐冷窯１４・・・洗滌装置 １５・・・熱ｃｖ
ｎ装置 １６・・・レーザ発生器 １７ａ、 １７ｂ
・・・ノズル １８・・・焼成室 １９・・・洗滌装置
２０・・・非晶質半導体層形成装置 ２１・・・取込
室２２・・・形成室 ２３・・・中間室 ２４・・・形
成室 ２５・・・中間室 ２６・・・形成室 ２７・・
・中間室 ２８・・・裏面電極形成室 ２９・・・取出
室 ３０・・・レーザ発生器 ３１・・・カッタ 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 骨間１１Ｈ６ど一υか■コ（ｂ） Ｙ 口
′″ １１こ
− 符開昭６２−９２４８５（８）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透光性絶縁基板上に透明電極、半導体光活性層及び
裏面電極を順次積層形成してなる太陽電池を製造する方
法において、帯状の透光性絶縁基板を製造してこれを長
手方向に移動しつつその一面に透明電極、半導体光活性
層、裏面電極を夫々順次的に積層形成する各工程と、裏
面電極形成後、前記透光性絶縁基板を太陽電池毎に切断
する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法
。 ２、前記半導体光活性層は原料ガスの分解により形成さ
れる非晶質半導体層、又は微結晶を含む半導体層である
特許請求の範囲第１項記載の太陽電池の製造方法。 ３、透光性絶縁基板上に透明電極、半導体光活性層及び
裏面電極を順次積層形成してなる光起電力素子を複数個
直列接続してなる太陽電池を製造する方法において、透
光性絶縁基板を連続した帯状に形成する工程と、製造さ
れた透光性絶縁基板をその長手方向に移動させつつ、透
光性絶縁基板上に透明電極を連続的に形成する工程、透
明電極のみを各光起電力素子を形成する領域毎に切断す
る工程、各切断した透明電極上に切断部近傍に沿って条
状に導電体及び絶縁体を形成する工程、導電体、絶縁体
及び各透明電極上にわたって非晶質半導体層、裏面電極
を順次積層形成する工程及び前記導電体、絶縁体上で前
記非晶質半導体層、裏面電極を、相隣する他の光起電力
素子の裏面電極を導電体に電気的に接触せしめるべく溶
融切断する工程とを有することを特徴とする太陽電池の
製造方法。 ４、前記半導体光活性層は原料ガスの分解により形成さ
れる非晶質半導体層、又は微結晶を含む半導体層である
特許請求の範囲第３項記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60234114A JPS6292485A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60234114A JPS6292485A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292485A true JPS6292485A (ja) | 1987-04-27 |
Family
ID=16965850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60234114A Pending JPS6292485A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6292485A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01173710A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Shimadzu Corp | 薄膜形成装置の基板保持機構 |
| WO2009148086A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| JP2010504636A (ja) * | 2006-09-26 | 2010-02-12 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 背面ヘテロ接合太陽電池製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3880633A (en) * | 1974-01-08 | 1975-04-29 | Baldwin Co D H | Method of coating a glass ribbon on a liquid float bath |
| JPS57122581A (en) * | 1980-05-19 | 1982-07-30 | Atlantic Richfield Co | Method and device for producing solar battery as well as method and chamber for coating amorphous silicon |
| JPS6054482A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス基板の折割装置 |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60234114A patent/JPS6292485A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3880633A (en) * | 1974-01-08 | 1975-04-29 | Baldwin Co D H | Method of coating a glass ribbon on a liquid float bath |
| JPS57122581A (en) * | 1980-05-19 | 1982-07-30 | Atlantic Richfield Co | Method and device for producing solar battery as well as method and chamber for coating amorphous silicon |
| JPS6054482A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス基板の折割装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01173710A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Shimadzu Corp | 薄膜形成装置の基板保持機構 |
| JP2010504636A (ja) * | 2006-09-26 | 2010-02-12 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 背面ヘテロ接合太陽電池製造方法 |
| WO2009148086A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| JPWO2009148086A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2011-11-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| CN102317029A (zh) * | 2008-06-06 | 2012-01-11 | 芝浦机械电子株式会社 | 激光加工装置及激光加工方法 |
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