JPH0716022B2 - アモルファス太陽電池 - Google Patents
アモルファス太陽電池Info
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- JPH0716022B2 JPH0716022B2 JP3129081A JP12908191A JPH0716022B2 JP H0716022 B2 JPH0716022 B2 JP H0716022B2 JP 3129081 A JP3129081 A JP 3129081A JP 12908191 A JP12908191 A JP 12908191A JP H0716022 B2 JPH0716022 B2 JP H0716022B2
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- Japan
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- solar cell
- sih
- film
- sheet
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも一部に水素
化アモルファスシリコンを用いる薄膜太陽電池に関す
る。
化アモルファスシリコンを用いる薄膜太陽電池に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜太陽電池は図４に示すように発電層
としてイントリンシック（ｉ）層を用い、その両側にｐ
型ｎ型のド−ピング層あるいはショットキ−接合を作り
うる金属層を置き、これによってｉ層内に内部電界を生
じさせて電荷を分離走行させ電流としてとりだすもので
ある。本発明においてイントリンシック（ｉ）層とは単
にＳｉ，Ｇｅ，Ｃなどの任意の組合せでよいだけでな
く，ド−パントとしては不活性な元素たとえばＮ，Ｏ，
Ｈ，Ｆ，Ｃｌなどが任意に添加されていてもよい。ま
た、ド−パントについても微量であれば添加されていて
も問題はない。例えばＰ，Ｂ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｂ等が１
００ｐｐｍ程度以下で添加されていても問題ない。さら
に、ｐとｎのド−パントが相殺するように添加されてい
ればそれぞれのド−パントはさらに高濃度、例えば１０
００ｐｐｍ程度でもよい。すなわち、本ｉ層の両側にそ
れぞれ導電型の異なる層を形成することにより接合が形
成できるものを意味する。
としてイントリンシック（ｉ）層を用い、その両側にｐ
型ｎ型のド−ピング層あるいはショットキ−接合を作り
うる金属層を置き、これによってｉ層内に内部電界を生
じさせて電荷を分離走行させ電流としてとりだすもので
ある。本発明においてイントリンシック（ｉ）層とは単
にＳｉ，Ｇｅ，Ｃなどの任意の組合せでよいだけでな
く，ド−パントとしては不活性な元素たとえばＮ，Ｏ，
Ｈ，Ｆ，Ｃｌなどが任意に添加されていてもよい。ま
た、ド−パントについても微量であれば添加されていて
も問題はない。例えばＰ，Ｂ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｂ等が１
００ｐｐｍ程度以下で添加されていても問題ない。さら
に、ｐとｎのド−パントが相殺するように添加されてい
ればそれぞれのド−パントはさらに高濃度、例えば１０
００ｐｐｍ程度でもよい。すなわち、本ｉ層の両側にそ
れぞれ導電型の異なる層を形成することにより接合が形
成できるものを意味する。
【０００３】当然、素子内での電子および正孔キャリヤ
の走行性は電界分布に大きく影響される。近年、この電
界分布が評価できるようになり、この電界分布が、ｉ層
内の局在準位密度やｉ層内に混入した不純物によって大
きく変化することが明らかになった。（アプライド、フ
ィジクス、レタ−ズ、５７巻、４７８頁、１９９０年）
例えば、局在準位密度が大きい場合には、図４のように
ｉ層内のｎ層に近い部分は電界があまりかからずこの部
分で発生したキャリヤはほとんど取り出されない。光電
変換効率の高い太陽電池を得るためには、ｉ層内のｎ層
に近い部分の電界を何らかの手段で適正化する必要があ
る。従来、ｉ層内の電界分布を変化させる手段として
は、硼素をｉ層の全体に渡って数ｐｐｍ程度ド−ピング
する微量ド−プ法か、アモルファス骨格元素Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ｃなどの組成を膜厚方向に変化させるバンドプロフ
ァイル法が知られているのみであった。しかしこれらの
方法では電界分布を精密に制御できない。さらに、この
ような手段ではｉ層の全体もしくはかなりの部分に渡っ
て異種元素を導入するため、ｉ層そのものの膜質低下を
生じるという問題があった。
の走行性は電界分布に大きく影響される。近年、この電
界分布が評価できるようになり、この電界分布が、ｉ層
内の局在準位密度やｉ層内に混入した不純物によって大
きく変化することが明らかになった。（アプライド、フ
ィジクス、レタ−ズ、５７巻、４７８頁、１９９０年）
例えば、局在準位密度が大きい場合には、図４のように
ｉ層内のｎ層に近い部分は電界があまりかからずこの部
分で発生したキャリヤはほとんど取り出されない。光電
変換効率の高い太陽電池を得るためには、ｉ層内のｎ層
に近い部分の電界を何らかの手段で適正化する必要があ
る。従来、ｉ層内の電界分布を変化させる手段として
は、硼素をｉ層の全体に渡って数ｐｐｍ程度ド−ピング
する微量ド−プ法か、アモルファス骨格元素Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ｃなどの組成を膜厚方向に変化させるバンドプロフ
ァイル法が知られているのみであった。しかしこれらの
方法では電界分布を精密に制御できない。さらに、この
ような手段ではｉ層の全体もしくはかなりの部分に渡っ
て異種元素を導入するため、ｉ層そのものの膜質低下を
生じるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】係る状況に鑑み、本発
明の目的は、薄膜太陽電池のｉ層においてその電界分布
を精密に制御する方法を提供することにあり、さらに上
記電界分布を精密に制御するにあたってｉ層の膜質を低
下させない方法を具体的に提示することにある。
明の目的は、薄膜太陽電池のｉ層においてその電界分布
を精密に制御する方法を提供することにあり、さらに上
記電界分布を精密に制御するにあたってｉ層の膜質を低
下させない方法を具体的に提示することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、Ｐ，Ｂ，
Ｇａ，Ａｓ，Ｓｂなどの不純物原子を、ｉ層全体もしく
はかなりの部分にではなく、膜内の局所的な部分に数原
子層の厚さにのみ導入することにより達成される。
Ｇａ，Ａｓ，Ｓｂなどの不純物原子を、ｉ層全体もしく
はかなりの部分にではなく、膜内の局所的な部分に数原
子層の厚さにのみ導入することにより達成される。
【０００６】
【作用】本発明において、ド−パントを数原子層のみに
導入して制御することは、ｉ層中の電荷分布をｉ層の膜
質を変化させることなく適正化することであり、太陽電
池、光センサ−等の性能向上の可能性を大幅に拡大する
ものである。
導入して制御することは、ｉ層中の電荷分布をｉ層の膜
質を変化させることなく適正化することであり、太陽電
池、光センサ−等の性能向上の可能性を大幅に拡大する
ものである。
【０００７】
（実施例１）本発明の第１の実施例を図１により以下に
示す。
示す。
【０００８】一方の面に５０００ÅのＳｂド−プのＳｎ
Ｏ2膜２を有するガラス基板１を用いてｐ−ｉ−ｎ太陽
電池を形成した。反応室内の対向電極を有する接地基板
上にガラス基板１を導入し、基板温度２００℃とし、反
応ガスＣＨ4，ＳｉＨ4，Ｂ2Ｈ6（１％，Ｈ2希釈）を流
して圧力を０．５Ｔｏｒｒに保ち、対向電極に１３．５
６ＭＨｚのＲＦ電力を投入しグロ−放電を起こしてＳｎ
Ｏ2膜２上に１００Åのｐ層３を形成した。次に、Ｓｉ
Ｈ4を導入し第１のｉ層４ａを２０００Å形成した。さ
らにＳｉＨ4と水素希釈の１００ｐｐｍＢ2Ｈ6を導入し
グロ−放電させ２×１０11個／ｃｍ2の硼素を含有する
第１シ−ト状Ｂ層５ａを形成した。さらに、ＳｉＨ4を
導入し第２のｉ層４ｂを２０００Å、ＳｉＨ4と水素希
釈の１００ｐｐｍＢ2Ｈ6を導入し２×１０11個の硼素を
含有する第２シ−ト状Ｂ層５ｂを形成した。さらに、Ｓ
ｉＨ4を導入し第３のｉ層４ｃを２０００Åを形成し、
全体で６０００Åのｉ層４を形成した。次いで、ＳｉＨ
4，ＰＨ3（１％，Ｈ2希釈），Ｈ2を導入し微結晶ｎ層６
をグロ−放電法により３００Å形成した。その後、試料
を真空蒸着装置に導入し、抵抗加熱蒸着法によりＡｌを
金属マスクを用いて１μｍ蒸着し、裏面金属電極層７を
形成した。次に、ＣＦ4＋Ｏ2混合ガスによるプラズマエ
ッチングを行い、裏面金属電極層７の被着していない部
分のｐｉｎ層を除去し、最後にＳｎＯ2膜２からの電極
取り出しのため、表面側金属電極層をＳｎＯ2膜２上に
抵抗加熱蒸着法によりＡｌを金属マスクを用いて１μｍ
蒸着し形成した。これにより、シ−ト状Ｂ層５ａ，５ｂ
のない場合には、太陽光照射下において、開放電圧（Ｖ
ｏｃ）：０．８７７Ｖ、短絡電流（Ｊｓｃ）：１７．０
２ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子（ＦＦ）：０．５２５、光電
変換効率（η）：７．８４％、であったものが、シ−ト
状Ｂ層５ａ，５ｂの挿入により、開放電圧（Ｖｏｃ）：
０．８８７Ｖ、短絡電流（Ｊｓｃ）：１６．８５ｍＡ／
ｃｍ2、曲線因子（ＦＦ）：０．６０９、光電変換効率
（η）：９．１０％、を得た。すなわちこの場合には、
本発明のシ−ト状Ｂ層という極薄膜ド−パント層の導入
により、Ｊｓｃは若干減少するがＦＦは大きく向上する
という結果を得た。
Ｏ2膜２を有するガラス基板１を用いてｐ−ｉ−ｎ太陽
電池を形成した。反応室内の対向電極を有する接地基板
上にガラス基板１を導入し、基板温度２００℃とし、反
応ガスＣＨ4，ＳｉＨ4，Ｂ2Ｈ6（１％，Ｈ2希釈）を流
して圧力を０．５Ｔｏｒｒに保ち、対向電極に１３．５
６ＭＨｚのＲＦ電力を投入しグロ−放電を起こしてＳｎ
Ｏ2膜２上に１００Åのｐ層３を形成した。次に、Ｓｉ
Ｈ4を導入し第１のｉ層４ａを２０００Å形成した。さ
らにＳｉＨ4と水素希釈の１００ｐｐｍＢ2Ｈ6を導入し
グロ−放電させ２×１０11個／ｃｍ2の硼素を含有する
第１シ−ト状Ｂ層５ａを形成した。さらに、ＳｉＨ4を
導入し第２のｉ層４ｂを２０００Å、ＳｉＨ4と水素希
釈の１００ｐｐｍＢ2Ｈ6を導入し２×１０11個の硼素を
含有する第２シ−ト状Ｂ層５ｂを形成した。さらに、Ｓ
ｉＨ4を導入し第３のｉ層４ｃを２０００Åを形成し、
全体で６０００Åのｉ層４を形成した。次いで、ＳｉＨ
4，ＰＨ3（１％，Ｈ2希釈），Ｈ2を導入し微結晶ｎ層６
をグロ−放電法により３００Å形成した。その後、試料
を真空蒸着装置に導入し、抵抗加熱蒸着法によりＡｌを
金属マスクを用いて１μｍ蒸着し、裏面金属電極層７を
形成した。次に、ＣＦ4＋Ｏ2混合ガスによるプラズマエ
ッチングを行い、裏面金属電極層７の被着していない部
分のｐｉｎ層を除去し、最後にＳｎＯ2膜２からの電極
取り出しのため、表面側金属電極層をＳｎＯ2膜２上に
抵抗加熱蒸着法によりＡｌを金属マスクを用いて１μｍ
蒸着し形成した。これにより、シ−ト状Ｂ層５ａ，５ｂ
のない場合には、太陽光照射下において、開放電圧（Ｖ
ｏｃ）：０．８７７Ｖ、短絡電流（Ｊｓｃ）：１７．０
２ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子（ＦＦ）：０．５２５、光電
変換効率（η）：７．８４％、であったものが、シ−ト
状Ｂ層５ａ，５ｂの挿入により、開放電圧（Ｖｏｃ）：
０．８８７Ｖ、短絡電流（Ｊｓｃ）：１６．８５ｍＡ／
ｃｍ2、曲線因子（ＦＦ）：０．６０９、光電変換効率
（η）：９．１０％、を得た。すなわちこの場合には、
本発明のシ−ト状Ｂ層という極薄膜ド−パント層の導入
により、Ｊｓｃは若干減少するがＦＦは大きく向上する
という結果を得た。
【０００９】（実施例２）本発明の第２の実施例を図２
を用いて以下に示す。
を用いて以下に示す。
【００１０】一方の面に５０００ÅのＳｂド−プのＳｎ
Ｏ2膜１２を有するガラス基板１１を用いて２層タンデ
ム型のｐｉｎ／ｐｉｎ太陽電池を形成した。反応室内の
対向電極を有する接地基板上にガラス基板１１を導入
し、基板温度２００℃とし、反応ガスＣＨ4，ＳｉＨ4，
Ｂ2Ｈ6（１％，Ｈ2希釈）を流して圧力を０．５Ｔｏｒ
ｒに保ち、対向電極に１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を投
入しグロ−放電を起こしてＳｎＯ2膜１２上に１００Å
のｐ層１３を形成した。次に、ＳｉＨ4を導入し第１層
ｉ層１４を１５００Å形成した。次いで、ＳｉＨ4，Ｐ
Ｈ3（１％，Ｈ2希釈），Ｈ2を導入し微結晶ｎ層１５を
グロ−放電法により３００Å形成した。次に、Ｓｉ
Ｈ4，Ｂ2Ｈ6（１％，Ｈ2希釈）混合ガスをグロ−放電分
解し１００Åのｐ層１６を形成した。次に、ＳｉＨ4，
ＧｅＨ4混合ガスのグロ−放電分解により光学ギャップ
１．５５ｅＶの第２層ｉ層（１）１７ａを３００Å形成
し、次いで水素希釈の１００ｐｐｍＢ2Ｈ6を導入し熱分
解により１×１０12個／ｃｍ2の硼素からなる第１シ−
ト状Ｂ層１８ａを形成した。さらに、ＳｉＨ4，ＧｅＨ4
混合ガスを導入し第２層ｉ層（２）１７ｂをグロ−放電
法により１０００Å形成した。水素希釈の１００ｐｐｍ
Ｂ2Ｈ6を導入し２×１０11個／ｃｍ2の硼素からなる第
２シ−ト状Ｂ層１８ｂを形成した。さらに、ＳｉＨ4，
ＧｅＨ4混合ガスを導入し第２層ｉ層（３）１７ｃを２
０００Åを形成し、全体で３３００Åの第２層ｉ層１７
を形成した。次いで、ＳｉＨ4，ＰＨ3（１％，Ｈ2希
釈），Ｈ2を導入し微結晶ｎ層１９をグロ−放電法によ
り３００Å形成した。その後、実施例１と同じ工程で、
裏面金属電極層２０と表面側金属電極層を形成した。こ
れにより、太陽光照射下において、Ｖｏｃ：１．６５
Ｖ、Ｊｓｃ：９．５ｍＡ／ｃｍ2、ＦＦ：０．６８、
η：１０．７％、が得られた。特筆すべきは、この場合
には本発明の極薄膜ド−パント層の導入により、１００
０時間の太陽光照射による太陽電池の劣化は光電変換効
率で１５％から８％に低減できた。
Ｏ2膜１２を有するガラス基板１１を用いて２層タンデ
ム型のｐｉｎ／ｐｉｎ太陽電池を形成した。反応室内の
対向電極を有する接地基板上にガラス基板１１を導入
し、基板温度２００℃とし、反応ガスＣＨ4，ＳｉＨ4，
Ｂ2Ｈ6（１％，Ｈ2希釈）を流して圧力を０．５Ｔｏｒ
ｒに保ち、対向電極に１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を投
入しグロ−放電を起こしてＳｎＯ2膜１２上に１００Å
のｐ層１３を形成した。次に、ＳｉＨ4を導入し第１層
ｉ層１４を１５００Å形成した。次いで、ＳｉＨ4，Ｐ
Ｈ3（１％，Ｈ2希釈），Ｈ2を導入し微結晶ｎ層１５を
グロ−放電法により３００Å形成した。次に、Ｓｉ
Ｈ4，Ｂ2Ｈ6（１％，Ｈ2希釈）混合ガスをグロ−放電分
解し１００Åのｐ層１６を形成した。次に、ＳｉＨ4，
ＧｅＨ4混合ガスのグロ−放電分解により光学ギャップ
１．５５ｅＶの第２層ｉ層（１）１７ａを３００Å形成
し、次いで水素希釈の１００ｐｐｍＢ2Ｈ6を導入し熱分
解により１×１０12個／ｃｍ2の硼素からなる第１シ−
ト状Ｂ層１８ａを形成した。さらに、ＳｉＨ4，ＧｅＨ4
混合ガスを導入し第２層ｉ層（２）１７ｂをグロ−放電
法により１０００Å形成した。水素希釈の１００ｐｐｍ
Ｂ2Ｈ6を導入し２×１０11個／ｃｍ2の硼素からなる第
２シ−ト状Ｂ層１８ｂを形成した。さらに、ＳｉＨ4，
ＧｅＨ4混合ガスを導入し第２層ｉ層（３）１７ｃを２
０００Åを形成し、全体で３３００Åの第２層ｉ層１７
を形成した。次いで、ＳｉＨ4，ＰＨ3（１％，Ｈ2希
釈），Ｈ2を導入し微結晶ｎ層１９をグロ−放電法によ
り３００Å形成した。その後、実施例１と同じ工程で、
裏面金属電極層２０と表面側金属電極層を形成した。こ
れにより、太陽光照射下において、Ｖｏｃ：１．６５
Ｖ、Ｊｓｃ：９．５ｍＡ／ｃｍ2、ＦＦ：０．６８、
η：１０．７％、が得られた。特筆すべきは、この場合
には本発明の極薄膜ド−パント層の導入により、１００
０時間の太陽光照射による太陽電池の劣化は光電変換効
率で１５％から８％に低減できた。
【００１１】（実施例３）本発明の第３の実施例を図３
を用いて以下に示す。
を用いて以下に示す。
【００１２】ステンレス基板３１を用いてｐ−ｉ−ｎ太
陽電池を形成した。反応室内の対向電極を有する接地基
板上に導入し、基板温度３００℃とし、反応ガスＳｉＨ
4，ＰＨ3（１％，Ｈ2希釈），Ｈ2を導入し微結晶ｎ層３
２をグロ−放電法により３００Å形成した。次に、Ｓｉ
Ｈ4を導入し第１ｉ層３３ａを２００Å形成した。水素
希釈の１００ｐｐｍＢ2Ｈ6を導入し紫外光照射により１
×１０12個／ｃｍ2の硼素からなる第１シ−ト状Ｂ層３
４ａを形成した。次に、ＳｉＨ4を導入しグロ−放電法
により第２ｉ層３３ｂを２０００Å形成した。さらに水
素希釈の１０ｐｐｍＰＨ3を導入し紫外光照射により１
×１０11個／ｃｍ2のリンからなる第１シ−ト状Ｐ層３
４ｂを形成した。次に、ＳｉＨ4を導入しグロ−放電法
により第３ｉ層３３ｃを４０００Å形成した。これによ
り６２００Åのｉ層３３を形成した。ＣＨ4，ＳｉＨ4，
Ｂ2Ｈ6（１％，Ｈ2希釈），Ｈ2を流してグロ−放電法に
より微結晶の１００Åのｐ層３５を形成した。さらに、
その後、試料を真空蒸着装置に導入し、電子ビ−ム蒸着
法によりスズド−プの酸化インジウムを金属マスクを用
いて７００Å蒸着し、表面透明電極層３６を形成した。
これにより、高温で形成したことによるｎ型不純物のｉ
層への拡散の影響を極薄膜Ｂ層により除去し、かつｉ層
内の電界分布を極薄膜Ｐ層により適正化した。従来この
ような高温成膜条件では５％程度の効率しか得られなか
ったが、これにより、太陽光照射下において、Ｖｏｃ：
０．８５Ｖ、Ｊｓｃ：１５．１ｍＡ／ｃｍ2、ＦＦ：
０．６３、η：８．１％、を得た。
陽電池を形成した。反応室内の対向電極を有する接地基
板上に導入し、基板温度３００℃とし、反応ガスＳｉＨ
4，ＰＨ3（１％，Ｈ2希釈），Ｈ2を導入し微結晶ｎ層３
２をグロ−放電法により３００Å形成した。次に、Ｓｉ
Ｈ4を導入し第１ｉ層３３ａを２００Å形成した。水素
希釈の１００ｐｐｍＢ2Ｈ6を導入し紫外光照射により１
×１０12個／ｃｍ2の硼素からなる第１シ−ト状Ｂ層３
４ａを形成した。次に、ＳｉＨ4を導入しグロ−放電法
により第２ｉ層３３ｂを２０００Å形成した。さらに水
素希釈の１０ｐｐｍＰＨ3を導入し紫外光照射により１
×１０11個／ｃｍ2のリンからなる第１シ−ト状Ｐ層３
４ｂを形成した。次に、ＳｉＨ4を導入しグロ−放電法
により第３ｉ層３３ｃを４０００Å形成した。これによ
り６２００Åのｉ層３３を形成した。ＣＨ4，ＳｉＨ4，
Ｂ2Ｈ6（１％，Ｈ2希釈），Ｈ2を流してグロ−放電法に
より微結晶の１００Åのｐ層３５を形成した。さらに、
その後、試料を真空蒸着装置に導入し、電子ビ−ム蒸着
法によりスズド−プの酸化インジウムを金属マスクを用
いて７００Å蒸着し、表面透明電極層３６を形成した。
これにより、高温で形成したことによるｎ型不純物のｉ
層への拡散の影響を極薄膜Ｂ層により除去し、かつｉ層
内の電界分布を極薄膜Ｐ層により適正化した。従来この
ような高温成膜条件では５％程度の効率しか得られなか
ったが、これにより、太陽光照射下において、Ｖｏｃ：
０．８５Ｖ、Ｊｓｃ：１５．１ｍＡ／ｃｍ2、ＦＦ：
０．６３、η：８．１％、を得た。
【００１３】なお以上の実施例ではｉ層内のド−プ層は
いずれも２層の場合を示したが、これは２層程度が制御
性がよくかつ工程としても複雑でないためであり、１層
のみまた３層以上のいずれでも本発明の効果が得られる
ことは明らかである。
いずれも２層の場合を示したが、これは２層程度が制御
性がよくかつ工程としても複雑でないためであり、１層
のみまた３層以上のいずれでも本発明の効果が得られる
ことは明らかである。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によればｉ層
の膜質に悪影響を与えることなくｉ層内の電界分布を精
密に制御でき、これによりアモルファス太陽電池の効率
向上や劣化防止ができる。もちろんこのことはアモルフ
ァス太陽電池のみではなく、同じ接合構造を有するダイ
オ−ドやホトダイオ−ドにおいても同様に有効であるこ
とはいうまでもない。
の膜質に悪影響を与えることなくｉ層内の電界分布を精
密に制御でき、これによりアモルファス太陽電池の効率
向上や劣化防止ができる。もちろんこのことはアモルフ
ァス太陽電池のみではなく、同じ接合構造を有するダイ
オ−ドやホトダイオ−ドにおいても同様に有効であるこ
とはいうまでもない。
【図１】本発明の第一の実施例を示すアモルファス太陽
電池の断面模式図である。
電池の断面模式図である。
【図２】本発明の第二の実施例を示すアモルファス太陽
電池の断面模式図である。
電池の断面模式図である。
【図３】本発明の第三の実施例を示すアモルファス太陽
電池の断面模式図である。
電池の断面模式図である。
【図４】従来のアモルファス太陽電池の断面模式図とｉ
層内の電界強度分布。
層内の電界強度分布。
１，１１−−−ガラス基板、２，１２−−−ＳｎＯ
2膜、３，１３，１６，３５−−−ｐ層、４，１４，１
７，３３−−−ｉ層、４ａ−−−第１ｉ層、４ｂ−−−
第２ｉ層、４ｃ−−−第３ｉ層、５ａ−−−第１シ−ト
状Ｂ層、５ｂ−−−第２シ−ト状Ｂ層、６，１５，１
９，３２−−−ｎ層、７，２０−−−裏面金属電極層、
１７ａ−−−第２層ｉ層（１）、１７ｂ−−−第２層ｉ
層（２）、１７ｃ−−−第２層ｉ層（３）、１８ａ−−
−第１シ−ト状Ｂ層、１８ｂ−−−第２シ−ト状Ｂ層、
３１−−−ステンレス基板、３３ａ−−−第１ｉ層、３
３ｂ−−−第２ｉ層、３３ｃ−−−第３ｉ層、３４ａ−
−−第１シ−ト状Ｂ層、３４ｂ−−−第１シ−ト状Ｐ
層、３６−−−表面透明電極層。
2膜、３，１３，１６，３５−−−ｐ層、４，１４，１
７，３３−−−ｉ層、４ａ−−−第１ｉ層、４ｂ−−−
第２ｉ層、４ｃ−−−第３ｉ層、５ａ−−−第１シ−ト
状Ｂ層、５ｂ−−−第２シ−ト状Ｂ層、６，１５，１
９，３２−−−ｎ層、７，２０−−−裏面金属電極層、
１７ａ−−−第２層ｉ層（１）、１７ｂ−−−第２層ｉ
層（２）、１７ｃ−−−第２層ｉ層（３）、１８ａ−−
−第１シ−ト状Ｂ層、１８ｂ−−−第２シ−ト状Ｂ層、
３１−−−ステンレス基板、３３ａ−−−第１ｉ層、３
３ｂ−−−第２ｉ層、３３ｃ−−−第３ｉ層、３４ａ−
−−第１シ−ト状Ｂ層、３４ｂ−−−第１シ−ト状Ｐ
層、３６−−−表面透明電極層。
Claims (3)
- 【請求項１】少くとも一部に水素化アモルファスシリコ
ンを用いるｐ−ｉ−ｎ型薄膜太陽電池において、ｉ層中
にｐ若しくはｎ型のド−パントを層状に数原子層有する
ことを特徴とするアモルファス太陽電池。 - 【請求項２】上記ｉ層はｐ若しくはｎ型のド−パントを
一原子層若しくは二原子層含むことを特徴とする請求項
１記載のアモルファス太陽電池。 - 【請求項３】上記ｐ若しくはｎ型のド−パントは１×１
０13個／ｃｍ2以下であることを特徴とする請求項１又
は２に記載のアモルファス太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3129081A JPH0716022B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | アモルファス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3129081A JPH0716022B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | アモルファス太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04354166A JPH04354166A (ja) | 1992-12-08 |
| JPH0716022B2 true JPH0716022B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=15000613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3129081A Expired - Fee Related JPH0716022B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | アモルファス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0716022B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP3129081A patent/JPH0716022B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04354166A (ja) | 1992-12-08 |
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|---|---|---|---|
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