JP2810532B2 - 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 - Google Patents

堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置

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Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕 本発明は、大面積に亘って均一なマイクロ波プラズマ
を生起させ、これにより引き起こされるプラズマ反応に
より、原料ガスを分解、励起させることによって大面積
の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置に関す
る。 更に詳しくは、前記原料ガスの利用効率を飛躍的に高
め、且つ高速で均一性の良い機能性堆積膜を大面積に亘
って連続的に形成することが出来る方法及び装置であっ
て、具体的には光起電力素子等の大面積薄膜半導体デバ
イスの量産化を低コストで実現させ得るものである。 〔従来技術の説明〕 近年、全世界的に電力需要が急激に増大し、そうした
需要をまかなうべく電力生産が活発化するに及んで環境
汚染の問題が深刻化して来ている。 因に、火力発電に代替する発電方式として期待され、
すでに実用期に入ってきている原子力発電においては、
チエルノブイリ原子力発電所事故に代表されるように重
大な放射能汚染が人体に被害を与えると共に自然環境を
侵す事態が発生し、原子力発電の今後の普及が危ぶま
れ、現実に原子力発電所の新設を禁止する法令を定めた
国さえ出て来ている。 又、火力発電にしても増大する電力需要をまかなう上
から石炭、石油に代表される化石燃料の使用量は増加の
一途をたどり、それにつれて排出される二酸化炭素の量
が増大し、大気中の二酸化炭素等の温室効果ガス濃度を
上昇させ、地球温暖化現象を招き、地球の年平均気温は
確実に上昇の一途をたどっており、IEA（International
Energy Agency）では2005年までに二酸化炭素の排出量
を20％削減することを提言している。 こうした背景のある一方、開発途上国における人口増
加、そして、それに伴う電力需要の増大は必至であり、
先進諸国における今後更なる生活様式のエレクトロニク
ス化の促進による人口一人当りの電力消費量の増大と相
まって、電力供給問題は地球規模で検討されねばならな
い状況になってきている。 このような状況下で、太陽光を利用する太陽電池によ
る発電方式は、前述した放射能汚染や地球温暖化等の問
題を惹起することはなく、また、太陽光は地球上至ると
ころに降り注いでいるためエネルギー源の偏在が少な
く、さらには、複雑な大型の設備を必要とせず比較的高
い発電効率が得られる等、今後の電力需要の増大に対し
ても、環境破壊を引き起こすことなく対応できるクリー
ンな発電方式として注目を集め、実用化に向けて様々な
研究開発がなされている。ところで、太陽電池を用いる
発電方式については、それを電力需要を賄うものとして
確立させるためには、使用する太陽電池が、光電変換効
率が充分に高く、特性安定性に優れたものであり、且つ
大量生産し得るものであることが基本的に要求される。 因に、一般的な家庭において必要な電力を賄うには、
一世帯あたり3kW程度の出力の太陽電池が必要とされる
ところ、その太陽電池の光電変換効率が例えば10％程度
であるとすると、必要な出力を得るための前記太陽電池
の面積は30程度となる。そして、例えば十万世帯の家庭
において必要な電力を供給するには3,000,000m2といっ
た面積の太陽電池が必要となる。 こうしたことから、容易に入手できるシラン等の気体
状の原料ガスを使用し、これをグロー放電分解して、ガ
ラスや金属シート等の比較的安価な基板上にアモルフア
スシリコン等の半導体薄膜を堆積させることにより作製
できる太陽電池が、量産性に富、単結晶シリコン等を用
いて作製される太陽電池に比較して低コストで生産がで
きる可能性があるとして注目され、その製造方法につい
て各種の提案がなされている。 太陽電池を用いる発電方式にあっては、単位モジユー
ルを直列又は並列に接続し、ユニツト化して所望の電
流、電圧を得る形式が採用されることが多く、各モジュ
ールにおいては断線やシヨートが生起しないことが要求
される。加えて、各モジユール間の出力電圧や出力電流
のばらつきのないことが重要である。こうしたことか
ら、少なくとも単位モジユールを作製する段階でその最
大の特性決定要素である半導体層そのものの特性均一性
確保されていることが要求される。そして、モジユール
設計をし易くし、且つモジユール組立工程の簡略化でき
るようにする観点から大面積に亘って特性均一性の優れ
た半導体堆積膜が供給されることが太陽電池の量産性を
高め、生産コストの大幅な低減を達成せしめるについて
要求される。 太陽電池については、その重要な構成要素たる半導体
層は、いわゆるpn接合、pin接合等の半導体接合がなさ
れている。それらの半導体接合は、導電型の異なる半導
体層を順次積層したり、一導電型の半導体層中に異なる
導電型のドーパントをイオン打込み法等によって打込ん
だり、熱拡散によって拡散させたりすることにより達成
される。 この点を、前述した注目されているアモルフアスシリ
コン等の薄膜半導体を用いた太陽電池についてみると、
その作製においては、ホスフイン（PH3）、ジボラン（B
2H6）等のドーパントとなる元素を含む原料ガスを主原
料ガスであるシラン等に混合してグロー放電分解するこ
とにより所望の導電型を有する半導体膜が得られ、所望
の基板上にこれらの半導体膜を順次積層形成することに
よって容易に半導体接合が達成できることが知られてい
る。そしてこのことから、アモルフアスシリコン系の太
陽電池を作製するについて、その各々の半導体層形成用
の独立した成膜室を設け、該成膜室にて各々の半導体層
の形成を行う方法が提案されている。 因に米国特許4,400,409号特許明細書には、ロール・
ツー・ロール（Roll to Roll）方式を採用した連続プラ
ズマCVD装置が開示されている。この装置によれば、複
数のグロー放電領域を設け、所望の幅の十分に長い可撓
性の基板を、該基板が前記各グロー放電領域を順次貫通
する経路に沿って配置し、前記各グロー放電領域におい
て必要とされる導電型の半導体層を堆積形成しつつ、前
記基板をその長手方向に連続的に搬送せしめることによ
って、半導体接合を有する素子を連続形成することがで
きるとされている。なお、該明細書においては、各半導
体層形成時に用いるドーパントガスが他のグロー放電領
域へ拡散、混入するのを防止するにはガスゲートが用い
られている。具体的には、前記各グロー放電領域同志
を、スリツト状の分離通路によって相互に分離し、さら
に該分離通路に例えばAr,H2等の掃気用ガスの流れを形
成させる手段が採用されている。こうしたことからこの
ロール・ツー・ロール方式は、半導体素子の量産に適す
る方式であると言えよう。しかしながら、前記各半導体
層の形成は、RF（ラジオ周波数）を用いたプラズマCVD
法によって行われるところ、連続的に形成される膜の特
性を維持しつつ、その膜堆積速度の向上を図るにはおの
ずと限界がある。即ち、例えば膜厚が高々5000Åの半導
体層を形成する場合であっても相当長尺で、大面積にわ
たって常時所定のプラズマを生起し、且つ該プラズマを
均一に維持する必要がる。ところが、そのようにするに
ついては可成りの熟練を必要とし、その為に関係する種
々のプラズマパラメーターを一般化するのは困難であ
る。また、用いる成膜用原料ガスの分解効率及び利用効
率は高くはなく、生産コストを引き上げる要因の一とも
なっている。 また他に、特開昭61-288074号公報には、改良された
ロール・ツー・ロール方式を用いた堆積膜形成装置が開
示されている。この装置においては、反応容器内に設置
されたフレキシブルな連続シート状基板の一部にホロ様
たるみ部を形成し、この中に前記反応容器とは異なる活
性化空間にて生成された活性種及び必要に応じて他の原
料ガスを導入し熱エネルギーにより化学的相互作用をせ
しめ、前記ホロ様ためみ部を形成しているシート状基板
の内面に堆積膜を形成することを特徴としている。この
ようにホロ様たるみ部の内面に堆積を行うことにより、
装置のコンパクト化が可能となる。さらに、あらかじめ
活性化された活性種を用いるので、従来の堆積膜形成装
置に比較して成膜速度を早めることができる。 ところが、この装置はあくまで熱エネルギーの存在下
での化学的相互作用による堆積膜形成反応を利用したも
のであり、更なる成膜速度の向上を図るには、活性種の
導入量及び熱エネルギーの供給量を増やすことが必要で
あるが、熱エネルギーを大量且つ均一に供給する方法
や、反応性の高い活性種を大量に発生させて反応空間に
ロスなく導入する方法にも限界がある。 一方、最近注目されているのが、マイクロ波を用いた
プラズマプロセスである。マイクロ波は周波数帯が短い
ため従来のRFを用いた場合よりもエネルギー密度を高め
ることが可能であり、プラズマを効率良く発生させ、持
続させることに適している。 例えば、米国特許第4,517,223号明細書及び同第4,50
4,518号明細書には、低圧下でのマイクロ波グロー放電
プラズマ内で小面積の基体上に薄膜を堆積形成させる方
法が開示されているが、該方法によれば、低圧下でのプ
ロセス故、膜特性の低下の原因となる活性種のポリマリ
ゼーシヨンを防ぎ高品質の堆積膜が得られるばかりでな
く、プラズマ中でのポリシラン等の粉末の発生を抑え、
且つ、堆積速度の飛躍的向上が図れるとされてはいるも
のの、大面積に亘って均一な堆積膜形成を行うにあたっ
ての具体的開示はなされていない。 一方、米国特許第4,729,341号明細書には、一対の放
射型導波管アプリケーターを用いた高パワープロセスに
よって、大面積の円筒形基体上に光導電性半導体薄膜を
堆積形成させる低圧マイクロ波プラズマCVD法及び装置
が開示されているが、大面積基体としては円筒形の基
体、即ち、電子写真用光受容体としてのドラムに限られ
ており、大面積且つ長尺の基体への適用はなされていな
い。また、堆積膜の製造工程はバツチ式であって、一回
の仕込みで形成される堆積膜の量は限られており、大面
積の基板上に大量に堆積膜を連続して形成する方法に関
する開示はない。 ところで、マイクロ波を用いたプラズマはマイクロ波
の波長が短いためエネルギーの不均一性が生じやすく大
面積化に対しては、解決されねばならない問題点が種々
残されている。 例えば、マイクロ波エネルギーの均一化に対する有効
な手段として遅波回路の利用があるが、該遅波回路には
マイクロ波アプリケーターの横方向への距離の増加に伴
いプラズマへのマイクロ波結合の急激な低下が生じると
いった独特の問題点を有している。そこで、この問題点
を解決する手段として、被処理体と遅波回路との距離を
変える基体の表面近傍でのエネルギー密度を均一にする
方法が試みられている。例えば、米国特許第3,814,983
号明細書及び同第4,521,717号明細書には、そうした方
法が開示されている。そして前者においては、基体に対
してある角度に遅波回路を傾斜させる必要性があること
が記載されているが、プラズマに対するマイクロ波エネ
ルギーの伝達効率は満足のゆくものではない。また、後
者にあっては、基体とは平行な面内に、非平行に２つの
遅波回路を設けることが開示されている。即ち、マイク
ロ波アプリケーターの中央に垂直な平面同志が、被処理
基板に平行な面内で、且つ基板の移動方向に対して直角
な直線上で互いに交わるように配置することが望ましい
こと、そして２つのアプリケーター間の干渉を避けるた
め、アプリケーター同志を導波管のクロスバーの半分の
長さだけ基体の移動方向に対して横にずらして配設する
ことのそれぞれが開示されている。また、プラズマの均
一性（即ち、エネルギーの均一性）を保持するようにす
るについての提案がいくつかなされている。それらの提
案は、例えばジヤーナル・オブ・バキユーム・テクノロ
ジイー（Journal of Vacuum Science Technology）B-4
（1986年１月〜２月）295頁−298頁および同誌のB-4（1
986年１月〜２月）126頁−130頁に記載された報告に見
られる。これらの報告によれば、マイクロ波プラズマ・
デイスク・ソース（MPDS）と呼ばれるマイクロ波リアク
タが提案されている。即ち、プラズマは円板状あるいは
タブレツト状の形をなしていて、その直径はマイクロ波
周波数の関数となっているとしている。そしてそれら報
告は次のような内容を開示している。即ち、まず、プラ
ズマ・デイスク・ソースをマイクロ波周波数によって変
化させることができるという点にある。ところが、2.45
GHzで作動できるように設計したマイクロ波プラズマ・
デイスク・ソースにおいては、プラズマの閉じ込め直径
はたかだか10cm程度であり、プラズマ体積にしてもせい
ぜい118cm3程度であって、大面積化とは到底言えない。
また、前記報告は、915MHzという低い周波数で作動する
ように設計したシステムでは、周波数を低くすることで
約40cmのプラズマ直径、及び2000cm3のプラズマ体積が
与えられるとしている。前記報告は更に、より低い周波
数、例えば、400MHzで作動させることにより1mを超える
直径まで放電を拡大できるとしている。ところがこの内
容を達成する装置となると極めて高価な特定のものが要
求される。 即ち、マイクロ波の周波数を低くすることで、プラズ
マの大面積化は達成できるが、このような周波数域での
高出力のマイクロ波電源は一般化されてはなく、入手困
難であり、もし入手出来得たとしても極めて高価であ
る。そしてまた、周波数可変式の高出力のマイクロ波電
源は更に入手困難である。 同様に、マイクロ波を用いて高密度プラズマを効率的
に生成する手段として、空胴共振器の周囲に電磁石を配
置し、ECR（電子サイクロトロン共鳴）条件を成立させ
る方法が特開昭55-141729号公報及び特開昭57-133636号
公報等により提案されており、また学会等ではこの高密
度プラズマを利用して各種の半導体薄膜が形成されるこ
とが多数報告されており、すでにこの種のマイクロ波EC
RプラズマCVD装置が市販されるに至っている。 ところが、これらのECRを用いた方法においては、プ
ラズマの制御に磁石を用いているため、マイクロ波の波
長に起因するプラズマの不均一性に、更に、磁界分布の
不均一性も加わって、大面積の基板上に均一な堆積膜を
形成するのは技術的に困難とされている。また、大面積
化のため装置を大型化する場合には、おのずと用いる電
磁石も大型化し、それに伴う重量及びスペースの増大、
また、発熱対策や大電流の直流安定化電源の必要性等実
用化に対しては解決されねばならない問題が種々残され
ている。 更に、形成される堆積膜についても、その特性は従来
のRFプラズマCVD法にて形成されるものと比較して同等
と言えるレベルには至っておらず、また、ECR条件の成
立する空間で形成される堆積膜とECR条件外のいわゆる
発散磁界空間で形成される堆積膜とでは特性及び堆積速
度が極端に異なるため、特に高品質、均一性が強く要求
される半導体デバイスの作製に適している方法とは言え
ない。 前述の米国特許第4,517,223号明細書及び同第4,729,3
41号明細書では、高密度のプラズマを得るについては、
非常に低い圧力を維持する必要性があることが開示され
ている。即ち、堆積速度を早めたり、ガス利用効率を高
めるためには低圧下でのプロセスが必要不可欠であると
している。しかしながら、高堆積速度、高ガス利用効
率、高パワー密度及び低圧の関係を維持するには、前述
の特許に開示された遅波回路及び電子サイクロトロン共
鳴法のいずれをしても十分とは言えないものである。 従って、上述したマイクロ波手段の持つ種々の問題点
を解決し新規なマイクロ波プラズマプロセスの早期提供
が望まれている。 ところで、薄膜半導体は前述した太陽電池用の用途の
他にも、液晶デイスプレイの画素を駆動するための薄膜
トランジスタ（TFT）や密着型イメージセンサー用の光
電変換素子及びスイツチング素子等大面積又は長尺であ
ることが必要な薄膜半導体デバイス作製用にも好適に用
いられ、前記画像入出力装置用のキーコンポーネントと
して一部実用化されているが、高品質で均一性良く高速
で大面積化できる新規な堆積膜形成法の提供によって、
更に広く一般に普及されるようになることが期待されて
いる。 また、マイクロ波プラズマCVD法に於いて、堆積膜形
成のために大電力のマイクロ波を投入して、成膜用ガス
を分解しようとする場合、マイクロ波電源で発生された
マイクロ波を導波管を通して伝播し、マイクロ波の透過
率の良い誘電体（以下マイクロ波に透過性部材と記
す。）を通して、成膜用チヤンバーに投入して、成膜用
ガスを分解する方法が一般的であった。 しかるに、この方法によれば、マイクロ波による成膜
用ガスのプラズマは、前記マイクロ波透過性部材表面に
接しており、前記マイクロ波透過性部材の表面にも堆積
膜が付着するという問題がある。 前記マイクロ波透過性部材の表面に付着した堆積膜
は、堆積する物質によって、その程度は異なるが、マイ
クロ波の反射体かつ吸収体となり、マイクロ波透過性部
材を透過するマイクロ波を減少させて、基板に堆積する
堆積膜の堆積速度を減少させたり、前記堆積膜の特性を
変化させるという問題があった。 また、マイクロ波透過性部材に付着した堆積膜がマイ
クロ波を吸収して加熱され、マイクロ波透過性部材内部
に温度差を生じさせて、ついにはマイクロ波透過性部材
が破損するという問題があった。 以上の問題は、長時間にわたって連続的に堆積膜を形
成する場合またマイクロ波の投入電力が大きく、堆積膜
の形成速度が大きい場合、前記マイクロ波透過性部材に
付着する堆積膜の膜厚が厚くなるため、特に深刻であっ
た。 従って、マイクロ波の透過率の低下やマイクロ波透過
性部材の破損といった不具合が生じる前に前記マイクロ
波透過性部材を交換するかあるいは、マイクロ波透過性
部材に付着した体積膜をエツチングしなければならな
い。 マイクロ波透過性部材の交換の頻度は、形成する堆積
膜の種類あるいはマイクロ波透過性部材に付着する堆積
膜の堆積速度によって大きく異なるが、マイクロ波透過
性部材の交換の間は堆積膜の形成を停止しなければなら
ないためマイクロ波透過性部材の交換に要する時間が長
いほど、堆積膜の生産速度が減少する、例えば、成膜室
をリークしてマイクロ波透過性部材を交換すると、成膜
室を再び真空排気し、吸着した水分の影響が減少するま
での時間を要する。また成膜室でドライエツチングする
ことにより、マイクロ波透過性部材に付着した堆積膜を
除去する方法もあるが、エツチングガスの成分が成膜室
内に残留し、体積膜の形成を再開した時に、堆積膜に該
成分が混入して堆積膜の特性を低下させることがある。 〔発明の目的〕 本発明は、上述のごとき従来の薄膜半導体デバイス形
成方法及び装置における諸問題を克服して、大面積に亘
って均一に、且つ高速で機能性堆積膜を形成する新規な
方法及び装置を提供することを目的とするものである。 本発明の他の目的は、帯状部材上に連続して機能性堆
積膜を形成する方法及び装置を提供することにある。 本発明の更なる目的は、堆積膜形成用の原料ガスの利
用効率を飛躍的に高めると共に、薄膜半導体デバイスの
量産化を低コストで実現し得る方法及び装置を提供する
ことにある。 本発明の更に別の目的は、大面積、大容積に亘ってほ
ぼ均一なマイクロ波プラズマを生起させる方法及び装置
を提供することにある。 本発明の更に別の目的は、比較的幅広で長尺の基板上
に連続して安定性良く、高効率で高い光電変換効率の光
起電力素子を形成するための新規な方法及び装置を提供
するものである。 本発明の更に別の目的は、マイクロ波プラズマを生起
させて、基板上に連続的に堆積膜を形成する場合に、マ
イクロ波透過性部材の堆積膜が付着することによって起
こる問題を解決する方法及び装置を提供することにあ
る。 〔発明の構成・効果〕 本発明者らは、従来の薄膜半導体デバイス形成装置に
おける上述の諸問題を解決し、前記本発明の目的を達成
すべく鋭意研究を重ねたところ、帯状部材を湾曲開始端
形成用の支持・搬送用ローラー湾曲部形成用の支持・搬
送用リング、及び湾曲終了端形成用の支持・搬送用ロー
ラーを介し、前記支持・搬送用ローラー同志の間には隙
間を残して湾曲させ、前記帯状部材を側壁とした柱状の
成膜室を形成し、前記成膜室の両端面にはマイクロ波エ
ネルギーをマイクロ波の進行方向に対して平行な方向に
放射させるようにしたマイクロ波アプリケーター手段を
対向して一対配設し、更に前記成膜室内に堆積膜形成用
の原料ガスを導入し、前記一対の支持・搬送用ローラー
同志の間に残された間隙より排気して前記成膜室内の圧
力を所定の減圧下に保持し、前記マイクロ波アプリケー
ター手段よりマイクロ波エネルギーを前記側壁とほぼ平
行に放射せしめたところ、前記成膜室内において前記帯
状部材の幅方向にほぼ均一なマイクロ波プラズマを生起
し得るという知見を得た。 また、マイクロ波透過性部材を前記成膜室に隣接し、
かつ前記成膜室と分離可能な補助室に移動させてマイク
ロ波透過性部材を交換するかあるいはマイクロ波透過性
部材に付着した堆積膜をエツチングすることによってマ
イクロ波透過性部部材に付着した堆積膜による悪影響を
除去できるという知見を得た。 本発明は、上述の検知に基づき更に検討を重ねた結果
完成に至ったものであり、下述するところを骨子とする
マイクロ波プラズマCVD法による大面積の機能性堆積膜
を連続的に形成する方法及び装置を包含する。 本発明の方法は、次のとおりのものである。 即ち、長手方向に帯状部材を移動せしめ、その中途で
前記帯状部材上を側壁とする成膜空間を形成し、該形成
された成膜空間内にガス供給手段を介して堆積膜形成用
原料ガスを導入し、同時に、該成膜空間の両側からマイ
クロ波エネルギーをマイクロ波の進行方向に対して平行
な方向に放射させるようにしたマイクロ波アプリケータ
ー手段により、該マイクロ波エネルギーを放射させてマ
イクロ波プラズマを該成膜空間内に生起せしめ、該マイ
クロ波プラズマに曝される前記側壁を構成する該帯状部
材上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法によ
る堆積膜形成方法であって、前記マイクロ波アプリケー
ター手段は、前記帯状部材を側壁として形成される柱上
の成膜空間の両端面のうち片側又は両側に配設され、前
記マイクロ波アプリケーター手段の先端部分には、前記
成膜空間と前記マイクロ波アプリケーター手段との気密
分離を行い、かつ、前記マイクロ波アプリケーター手段
により、前記マイクロ波透過性部材を介して前記成膜空
間内にマイクロ波エネルギーを放射させると共に、前記
マイクロ波透過性部材は、前記成膜空間の気密を保持さ
せつつ、前記成膜空間と隣接して連結され、前記成膜空
間と気密分離可能な補助室に間欠的に移動し、前記補助
室において、前記マイクロ波透過性部材を交換するかあ
るいはドライエッチングすることを特徴とする堆積膜形
成方法方法である。 本発明においては、前記マイクロ波アプリケーター手
段を、前記両端面において互いに対向して配設させる場
合には、一方のマイクロ波アプリケーター手段より放射
されるマイクロ波エネルギーが他方のマイクロ波アプリ
ケーター手段にて受信されないように配置するのが望ま
しい。 また、前記柱状の成膜空間内に放射されたマイクロ波
エネルギーは、前記成膜空間外へ漏洩しないようにする
のが望ましい。 前記成膜空間内に導入された堆積膜形成用原料ガス
は、前記湾曲開始端形成手段と前記湾曲終了端形成手段
との間で前記帯状部材の長手方向に残された間隙より排
気するのが望ましい。 本発明の方法において、前記帯状部材の少なくとも一
方の面には導電処理を施すようにする。 本発明の装置は次のとおりのものである。 即ち、長手方向に帯状部材を移動せしめ、その中途で
前記帯状部材上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置であ
って、該帯状部材を支持するため長手方向にそれ等の間
に所定の空間を空けて互いに平行に配されているローラ
ーの組によって送り出し機構から巻き取り機構に長手方
向に移動する途中に設けられ、該帯状部材が壁として機
能して形成される成膜空間を形成するため該帯状部材を
支持する成膜空間形成手段、マイクロ波の進行方向に対
して平行な方向にマイクロ波エネルギーを導入して前記
成膜空間内にマイクロ波プラズマを発生するため、該成
膜空間の対向する側面のそれぞれに接続されたマイクロ
波アプリケーター手段、前記成膜空間内部を排気するた
めの排気手段、前記成膜空間内に堆積膜形成用原料ガス
を挿入するためのガス供給手段、前記マイクロ波プラズ
マのプラズマ電位を制御するためのバイアス電圧を印加
するためのバイアス印加手段、前記帯状部材を加熱ある
いは冷却するための温度制御手段、とを有する堆積膜形
成装置であって、前記マイクロ波アプリケーター手段
は、それぞれその先端部分に、前記成膜空間と前記マイ
クロ波アプリケーター手段との気密分離を行い、かつ、
前記マイクロ波アプリケーター手段から放射されるマイ
クロ波エネルギーを前記成膜空間内へ透過せしめるマイ
クロ波透過性部材が配設され、前記成膜空間に隣接し
て、前記成膜空間と気密分離可能な補助室が配設され、
前記マイクロ波透過性部材を前記成膜空間と前記補助室
の間を、前記成膜空間の気密を保持させつつ移動させる
機構を配設したことを特徴とする堆積膜形成装置であ
る。 本発明の装置においては、前記湾曲部形成手段は、少
なくとも一組以上の、湾曲開始端形成手段と湾曲終了端
形成手段とで構成され、前記湾曲開始端形成手段と前記
湾曲終了端形成手段とを、前記帯状部材の長手方向に間
隙を残して配設するのが好ましい。 前記湾曲部形成手段は、少なくとも一対の支持・搬送
用ローラーと支持・搬送用リングとで構成され、前記一
対の支持・搬送用ローラーは前記帯状部材の長手方向に
間隙を残して平行に配設されるのが好ましい。 本発明の装置において、前記マイクロ波アプリケータ
手段には例えば方形及び／又は楕円導波管を介してマイ
クロ波エネルギーが伝送される。 そして、前記マイクロ波アプリケータ手段を前記成膜
室の両端面において互いに対向して配設させる場合に
は、前記マイクロ波アプリケータ手段に接続される前記
方形及び／又は楕円導波管の長辺を含む面同志、長軸を
含む面同志、または長辺を含む面と長軸を含む面同志が
互いに平行とならないよう配設されるのが好ましい。 また、前記方形及び／又は楕円導波管の長辺を含む面
及び／又は長軸を含む面と、前記一対の支持搬送用ロー
ラーの中心軸を含む面とのなす角度が垂直とならないよ
う配設されるのが好ましい。 以下、本発明者らが本発明を完成させるにあたり行な
った実験について詳しく説明する。 〔実験〕 本発明の装置を用いて、帯状部材上に機能性堆積膜を
均一に形成するための、マイクロ波プラズマの生起条件
について種々実験を行なったので、以下に詳述する。 実験例１ 本実験例においては、後述する装置例２で示す装置を
用い、また、後述する製造例１で説明する手順でマイク
ロ波プラズマを生起させ、一対の導波管111,112の取り
付け角度の違いによるマイクロ波プラズマの安定性及び
マイクロ波の成膜室外への漏洩度等について検討を行っ
た。 第６図に方形導波管111,112の取り付け度の説明用の
模式的断面概略図を示した。 実線で示した方形導波管111と点線で示した方形導波
管とは成膜室116の両端面に対向して配設されたマイク
ロ波アプリケーター（不図示）に接続されており、例え
ば、方形導波管111は図面手前側、方形導波管112は奥側
に配設されている。０は湾曲形状の中心であり、Ａ−
Ａ′は支持・搬送用ローラー102と103との中心軸を含む
面を表しており、これに垂直な面をＨ−Ｈ′とする。そ
して、方形導波管111の長辺を含む面に平行な面Ｂ−
Ｂ′とＨ−Ｈ′とのなす角度をθとし、これを方形導波
管111の取り付け角度とする。また、方形導波管112の長
辺を含む面に平行な面Ｃ−Ｃ′とＨ−Ｈ′とのなす角度
をθ２とし、これを方形導波管112の取り付け角度とす
る。ここで、方形導波管111,112の取り付け角度θ１，
θ１が各々180°を超える場合には、180°以下の場合の
Ｈ−Ｈ′に対する対称配置となる故、その配置関係は18
0°以下の場合と同等である。勿論、θ１とθ２とは相
互に入れ替えても、対向している故、やはり配置関係は
同等である。 本発明において、支持・搬送用ローラー102,103とで
限定される帯状部材の湾曲端間距離を間隙Ｌと定義す
る。 第１表に示すマイクロ波プラズマ放電条件にて、第２
表に示す種々のθ１，θ２の組み合わせ条件におけるマ
イクロ波プラズマの安定性等について実験、評価を行っ
た。 なお、マイクロ波の漏洩度は支持・搬送用ローラー10
2,103の間隙部分より5cm程度離れた場所にマイクロ波検
知器を設けて評価を行った。 評価結果は第２表に示すとおりであった。 これらの結果から、マイクロ波アプリケーターへの方
形導波管の取り付け角度を変えることによって、マイク
ロ波プラズマの安定性及びマイクロ波の成膜室外への漏
洩度が大きく変化することが判った。具体的には、θ１
及び／又はθ２が０°の場合には、マイクロ波の漏れ量
が最も大きく、放電状態も不安定であり、15°程度では
マイクロ波の漏れ量が小さくはなるものの、放電状態は
不安定である。また、30°以上では、マイクロ波の漏れ
は無くなり放電状態は安定した。ただし、θ１とθ２と
がなす角度が０°又は180°すなわち、方形導波管の長
辺を含む面が互いに平行な配置となる場合には、マイク
ロ波の漏れ量にかかわらず、発振異常による電源ノイズ
が大きくなり、放電が不安定になる。なお、この放電実
験においては帯状部材101を静止させた場合及び1.2m/mi
nの搬送スピードで搬送させた場合とで行ったが、両者
において放電の安定性については特に差異は認められな
かった。 更に、マイクロ波プラズマ放電条件のうち、原料ガス
の種類及び流量、マイクロ波電力、湾曲形状の内直径、
成膜室内圧等種々変化させた場合においても方形導波管
の配置に起因するマイクロ波の漏れ量及び放電安定性等
について特に差異は認められなかった。 実験例２ 本実験例においては、実験例１と同様、装置例２で示
した装置を用い、第６図で示した支持・搬送用ローラー
102,103の間隙Ｌを変化させたときのマイクロ波プラズ
マの安定性及び膜厚分布への影響等について検討を行っ
た。 間隙Ｌについては第３表に示した範囲で種々変化させ
て各々約10分間の放電を行った。その他のマイクロ波プ
ラズマ放電条件については第１表に示したのと同様と
し、方形導波管の取り付け角度θ１，θ２は共に45°に
配置した。ただし、成膜室圧力の変化は、排気ポンプの
能力は特に調整せず、間隙Ｌを大きくすることによって
コンダクタンスが大きくなったために生じたものであ
る。なお、帯状部材101の表面温度が250℃となるように
温度制御機構106a〜ｅを動作させ、帯状部材の搬送速度
は35cm/minとした。 第３表に、放電状態、膜厚分布等を評価した結果を示
した。 なお、放電状態は目視にて、膜厚分布については、針
ステツプ式膜厚計にて帯状部材の幅方向について10点ず
つ、長手方向には20点ごとに測定し、その分布を評価し
た。 これらの結果から、排気ポンプの能力調整は行われ
ず、間隙Ｌを変化させることによって、成膜室内の圧力
が変化し、それにともない形成される堆積膜の膜厚分布
が、特に帯状部材の幅方向について顕著に変化すること
が判った。また、方形導波管の取り付け角度を実験例１
においてマイクロ波の漏れが起らなかった配置にして
も、間隙Ｌを大きくしすぎた場合には、やはりマイクロ
波漏れが生ずることが判った。そして、間隙Ｌからのマ
イクロ波漏れが少なくなるのは間隙Ｌの寸法をマイクロ
波の波長の好ましくは1/2波長以下、より好ましくは1/4
波長以下としたときであった。なお、帯状部材の長手方
向での膜厚分布は、帯状部材を搬送している限りほぼ良
好であった。 作製した試料の中で堆積速度が速く、膜厚分布が良好
であった試料４の堆積速度は約100Å/secであった。ま
た、用いた原料ガスの総流量に対して、帯状部材上に堆
積された膜の量より計算される原料ガス利用効率は55％
であった。 更に、マイクロ波プラズマ放電条件のうち、マイクロ
波電力、湾曲形状の内直径等について種々変化させた場
合において、膜厚分布及び放電安定性は若干の変化があ
るものの、間隙Ｌの大きさに起因する本質的な問題の解
決手段とはなり得なかった。 実験例３ 本実験例においては、実験例１と同様、装置例２で示
した装置を用い、形成される湾曲形状の内直径を変化さ
せたときのマイクロ波プラズマの安定性、膜厚分布等に
ついて検討を行った。湾曲形状の内直径については第４
表に示した範囲で種々変化させた以外は、第１表に示し
たマイクロ波プラズマ放電条件と同様とし、また、方形
導波管の取り付け角度θ１、θ２は共に45°に配置し
た。なお、放電時間は各々10分間とし、帯状部材の表面
温度は実験例２同様250℃とした。また、帯状部材の搬
送速度は35cm/minとした。 第４表に、放電状態、膜厚分布等を評価した結果を示
した。 なお、放電状態は目視にて、膜厚分布については、針
ステツプ式膜厚計にて帯状部材の幅方向について10点ず
つ、長手方向には20cmごとに測定し、その分布を評価し
た。 これらの結果から、他の放電条件は変えず、湾曲形状
の内直径を変化させることによって、放電状態が変わ
り、形成される堆積膜の膜厚分布が、特に帯状部材の幅
方向について顕著に変化することが判った。なお、帯状
部材長手方向での膜厚分布は、帯状部材を搬送している
限りほぼ良好であった。 更に、マイクロ波プラズマ放電条件のうち、マイクロ
波電力、成膜室内の圧力等について種々変化させた場合
においても、それぞれのパラメータ変化によって、膜厚
分布及び放電安定性が影響を受けることが判った。 実験例４ 本実施例においては、実験例１と同様、装置例２で示
した装置を用い、成膜室内の圧力は一定とし、原料ガス
流量、マイクロ波電力を種々変化させたときのマイクロ
波プラズマの安定性等について検討を行った。成膜室圧
力、原料ガス流量については、第５表に示した範囲で種
々変化させた以外は、第１表に示したマイクロ波プラズ
マ放電条件と同様とし、また、方形導波管の取り付け角
度θ１、θ２は共に60°、60°に配置した。 第５表に、放電状態を評価した結果を示した。ここ
で、◎は放電安定、○は、微小のチラツキはあるが、ほ
ぼ放電安定、△はややチラツキはあるが使用可能なレベ
ルで放電安定の状態を示している。いずれの場合におい
ても、マイクロ波電力を下げたり、成膜室圧力を下げた
り、原料ガスとしてのH2の流量を増やしたりした場合に
は放電が不安定となるか、放電が生起しなくなるほぼ限
界値を表している。従って、逆にマイクロ波電力を上げ
たり、成膜室圧力を上げたり、原料ガスとしてのSiH4の
流量を増やしたりした場合には放電はより安定な状態と
なることが判った。なお、この放電実験においては帯状
部材101を静止させた場合及び1.2m/minの搬送スピード
で搬送させた場合とで行ったが、両者においての放電の
安定性については特に差異は認められなかった。 実験例５ 本実施例においては、実験例１と同様、装置例２で示
した装置を用い、帯状部材の幅寸法を変えたときの、マ
イクロ波プラズマの安定性及び膜厚分布への影響等につ
いて検討を行った。 帯状部材の幅寸法については第６表に示した範囲で種
々変化させて、各々10分間の放電を行った。その他のマ
イクロ波プラズマ放電条件については第１表に示したの
と同様とし、方形導波管の種類はEIAJ、WRI-32に変え、
取り付け角度θ１、θ２は共に60°、60°となるよう配
置した。そして、帯状部材の表面温度は実験例２と同様
250℃とし、搬送速度は50cm/minとした。 なお、試料No.15〜17についてはマイクロ波アプリケ
ーターは片側のみ、試料No.18〜21については対向して
一対配設した。 第６表に放電状態、膜厚分布等を評価した結果を示し
た。評価方法は実験例２と同様とした。 これらの結果から、帯状部材の幅寸法が変わることに
より、マイクロ波プラズマの安定性及び膜厚分布が変化
することが判った。そして、片側からのマイクロ波電力
の供給のみではマイクロ波プラズマの安定性が欠けた
り、膜厚分布が大きくなる場合においても、マイクロ波
アプリケーターを対向して一対設けることによっていず
れも改善されることが判った。 また、マイクロ波プラズマ放電条件のうち、原料ガス
の種類及び流量、マイクロ波電力、成膜室内圧等種々変
化させた場合においては、それぞれのパラメータ変化に
よってマイクロ波プラズマの安定性及び膜厚分布が影響
を受けることが判った。 実験例６ 本実験例においては後述する装置例７を用い、また後
述する製造例６で説明する手順でPET（ポリエチレンテ
レフタラート）製帯状基板にアルフアヌシリコン膜の連
続堆積を長時間にわたって行ない、マイクロ波透過性部
材に付着する堆積膜の影響を調べた。 １時間ごとに堆積膜の膜厚を測定し、堆積速度を計算
したところ、第13図に示したごとく、堆積膜形成開始後
約15時間経過後までは堆積速度は平均120Å/secで安定
していたが、その後徐々に堆積速度が低下し、22時間経
過後マイクロ波透過性部材が割れてしまった。 次に、堆積膜形成開始後10時間経過後、堆積膜の形成
を一時中断し、真空容器300及び成膜室116を大気圧にリ
ークして、マイクロ波透過性部材1103を新品に交換した
ところ前述のような堆積速度の低下あるいはマイクロ波
透過性部材の破損の問題はなくなった。 しかし、堆積膜の形成を中止後、再開するまでに6.5
時間を要した。これは、真空容器300及び成膜室116を大
気圧にリークしたことにより、真空容器300の内壁及び
帯状部材及び帯状部材の搬送機構等に大気中の水分が吸
着し、再度真空排気を行なった場合に堆積膜の形成に十
分な真空度が得られるまでに３時間を要するからであ
る。さらに、真空容器300及び成膜室116を大気圧にリー
クする場合に、帯状部材及び温度制御機構を冷却しなけ
ればならず、堆積膜の形成を再開する時に、再び加熱し
なければならない。これらの冷却加熱にもそれぞれ1.5
時間、１時間を要する。また堆積中止前のアモルフアス
シリコン膜の導電率はσｐ＝5.2×10-5s/cm、σｄ＝1.6
×10-11s/cmであったのに対し、堆積膜形成再開直後の
アモルフアスシリコン膜の導電率はσｐ＝3.0×10-5s/c
m,σｄ＝2.2×10-9s/cmであり、再開直後の膜質が大巾
に悪化していた。 最後に、堆積膜形成開始後10時間経過後、装置例７の
本来の使用方法にに従い堆積膜の形成を中止し、マイク
ロ波透過性部材1103を含むマイクロ波アプリケーター11
04を成膜室116から、補助室1101に成膜室116の気密を保
持しながら移動させ、成膜室116と補助室1101を気密分
離してから、補助室1101を大気圧にリークしてマイクロ
波透過性部材1103を新品と交換した。その後補助室1101
を真空排気し、Arパージを行なった後、成膜室116にマ
イクロ波アプリケーター1104を移動させ、堆積膜の形成
を再開した。 その結果前述のような堆積速度の低下あるいはマイク
ロ波透過性部材の破損の問題がなくなったばかりでな
く、堆積膜の形成を中止してから再開するまでの時間が
１時間で済んだ。これは、成膜室116を大気圧にリーク
することがなく帯状部材の冷却、再加熱の必要がないた
めである。また堆積中止前のアモルフアスシリコン膜の
導電率がσｐ＝5.4×10-5s/cm,σｄ＝1.7×11-5s/cmで
あったのに対し、堆積再開直後のアモルフアスシリコン
膜の導電率はσｐ＝4.9×10-5s/cmσｄ＝3.3×10-11s/c
mであり、再開直後の膜質の悪化はほとんどなかった。 これは、成膜室116を大気圧にリークする場合、成膜
室116真空容器300内部全体が大気にさらされるのに比
べ、本発明の方法の場合は、成膜室116に関係する部分
の中で、マイクロ波透過性部材だけしか大気にさらされ
るてないため、水分の吸着や不純物の混入が大巾に低減
できるためと考えられる。 実験結果の概要 本発明の方法及び装置において、マイクロ波プラズマ
の安定性、均一性等は、例えばマイクロ波アプリケータ
ーの形状及びそれに接続される導波管の種類及び配置、
成膜時の成膜室内の圧力、マイクロ波電力、マイクロ波
プラズマの閉じ込めの程度、放電空間の体積及び形状等
種々のパラメータが複雑にからみ合って維持されている
ので、単一のパラメーターのみで最適条件を求めるのは
困難であるが、本実験結果より、おおよそ次のような傾
向および条件範囲が判った。 成膜室の圧力に関しては、好ましくは1.5mTorr乃至10
0mTorr、より好ましくは3mTorr乃至50mTorrであること
が判った。マイクロ波電力に関しては、好ましくは250
×2W乃至3000×2W、より好ましくは300×2W乃至1000×2
Wであることが判った。湾曲形状の内直径に関しては、
好ましくは7cm乃至45cm、より好ましくは8cm乃至35cmで
あることが判った。また、帯状部材の幅に関しては対向
する一対のマイクロ波アプリケーターを用いた場合に
は、好ましくは60cm程度、より好ましくは50cm程度で幅
方向の均一性が得られることが判った。 また、マイクロ波プラズマ領域からのマイクロ波の漏
れ量が大きくなるとマイクロ波プラズマの安定性を欠く
ことが判り、帯状部材の湾曲端同志の間隙Ｌは好ましく
はマイクロ波の1/2波長以下、より好ましくは1/4波長以
下に設定されることが望ましいことが判った。 また、マイクロ波透過性部材を成膜室の気密を保持し
ながら、前記補助室に移動させて、交換あるいはエツジ
ングを行なう方法により、マイクロ波透過性部材に付着
した堆積膜による基板への堆積速度の低下やマイクロ波
透過性部材の破損の問題がなくなり、更に、成膜室をリ
ークした場合に起こる堆積中断時間が長い問題あるいは
堆積再開直後の膜質の悪化の問題も解決できることがわ
かった。 以下、前述の〔実験〕により判明した事実をもとに本
発明の方法について更に詳し説明する。 本発明の方法において、前記移動する帯状部材の中途
において、湾曲開始端形成手段と湾曲終了端形成手段と
を用いて前記帯状部材を湾曲させて形成される柱状の成
膜空間の側壁の大部分は、前記移動する帯状部材で形成
されるが、前記湾曲開始端形成手段と前記湾曲終了端形
成手段との間には前記帯状部材の長手方向に間隙が残さ
れるようにする。 そして、本発明の方法において、前記柱状の成膜空間
内にてマイクロ波プラズマを均一に生起させ閉じ込める
には、前記帯状部材にて形成される側壁と平行な方向
に、前記成膜空間の両端面のうち片側又は両側よりマイ
クロ波エネルギーを放射させ、前記成膜空間内にマイク
ロ波エネルギーを閉じ込めるようにする。 前記帯状部材の幅が比較的狭い場合には、片側からマ
イクロ波エネルギーを放射させるだけでも前記成膜空間
内に生起するマイクロ波プラズマの均一性は保たれる
が、前記帯状部材の幅が、例えばマイクロ波の波長の１
波長を超えるような場合には、両側からマイクロ波エネ
ルギーを放射させるのが、マイクロ波プラズマの均一性
を保つ上で好ましい。 勿論、前記成膜空間内で生起するマイクロ波プラズマ
の均一性は、前記成膜空間内にマイクロ波エネルギーが
十分に伝送される必要があり、前記柱状の成膜空間はい
わゆる導波管に類する構造とされるのが望ましい。その
ためにはまず、前記帯状部材は導電性の材料で構成され
ることが好ましいが、少なくともその片面が導電処理を
施されたものであっても良い。 また、本発明の方法において、前記移動する帯状部材
を前記湾曲開始端形成手段と湾曲終了端形成手段とを用
いて湾曲させて形成される柱状の成膜空間の両端面の形
成としては、前記成膜空間内に放射されたマイクロ波エ
ネルギーがほぼ均一に前記成膜空間内に伝送されるよう
にされるのが好ましく、円形状、楕円形状、方形状、多
角形状に類似する形であってほぼ対称な形で比較的滑ら
かな湾曲形状であることが望ましい。勿論、前記湾曲開
始端形成手段と前記湾曲終了端形成手段との間に前記帯
状部材の長手方向に残された間隙部分においては、前記
端面形状は不連続となる場合がある。 更には、本発明の方法において、前記成膜空間内での
マイクロ波エネルギーの伝送を効率良く行うとともに、
マイクロ波プラズマを安定して生起、維持、制御するた
めには、前記マイクロ波アプリケーター手段中でのマイ
クロ波の伝送モードは単一モードであることが望まし
い。具体的にはTE10モード、TE11モード、eH1モード、T
M11モード、TM01モード等を挙げることができるが、好
ましくはTE10モード、TE11モード、eH1モードが用いら
れる。これらの伝送モードは単一でも、複数組み合わせ
て用いられても良い。また、前記マイクロ波アプリケー
ター手段へは上述の伝送モードが伝送可能な導波管を介
してマイクロ波エネルギーが伝送される。更に、前記マ
イクロ波エネルギーは、前記マイクロ波アプリケーター
手段の先端部分に設けられた気密性を有するマイクロ波
透過性部材を介して前記成膜空間内へ放射される。 また、本発明の方法において、前記マイクロ波透過性
部材を前記補助室に移動させる場合には、まずマイクロ
波の放射を中止して、堆積膜の形成を中止し、原料ガス
の導入を中止して、前記成膜室内の原料ガスを排気し、
前記成膜室内に、例えばAr,He,Ne,Kr,Xe,Rn等の希ガス
またはH2等の堆積膜形成用希釈ガスを導入して、前記成
膜室と隣接する補助室にも前記成膜室内に導入したガス
と同じガスを導入して、前記成膜室と補助室の圧力を等
しくしてから、前記補助室にマイクロ波透過性部材を前
記成膜室の気密を保持させつつ移動させる。このとき、
前記成膜室及び成膜補助室に導入したガスは封止して移
動を行なっても良いし、前記ガスを導入しつつ排気しな
がら移動を行なっても良い。 前記補助室に前記マイクロ波透過性部材を移動させた
後、前記成膜室と前記補助室を気密分離する分離手段に
よって、両室のガスの拡散のないように気密分離する。
その後、前記補助室をAr,He,Ne,Kr,Xe,Rn等の希ガスで
リークして大気圧にして、堆積膜の付着したマイクロ波
透過性部材を取り出し、新品のものと交換することもで
きるし、あるいは、前記補助室にエツチングガスを導入
して前記マイクロ波透過性部材に付着した堆積膜をエツ
チングすることもできる。エツチングを行なう場合に前
記補助室内にRF波あるいはマイクロ波等の高周波あるい
は光等の電磁波を投入しても良いし、DC電界を印加して
もよいし、熱エネルギーを加えてもよい。また、エツチ
ングガスとしては、CF4,NF3,HF,HCl,F2,ClF3,C2F6,C
3F8,C4F10,CCl4,CCl2F2,CClF3,CBrF3,CHF3,SiF4,SiCl4,
Cl2SF6等あるいは以上のガスとO2,N2,Ar,H2,He等のガス
の複数の混合ガスを用いることができる。 マイクロ波透過性部材を交換あるいはエツチングした
後、前記補助室内の空気あるいはエツチングガスを補助
室独自の排気装置で排気した後、前記希ガスで十分パー
ジを行なって、前述の方法で前記成膜室と前記補助室の
圧力を等しくして、前記分離手段を開いて、前記マイク
ロ波透過性部材を前記補助室から前記成膜室に移動させ
る。この後、前記成膜室内を前記希ガスあるいは前記希
釈ガスでパージして、前記希ガスあるいは希釈ガスを排
気し、堆積膜形成用原料ガスを導入してマイクロ波を放
射し、堆積膜の形成を再開する。 また、以上のマイクロ波透過性部材の交換あるいはエ
ツチングの工程は、本発明のように帯状部材を連続的に
移動せしめながら、堆積膜を連続的に形成する場合、帯
状基板を交換する工程に於いて、同時に行なうと堆積膜
の形成の休止時間が短縮され、生産速度の向上に有効で
ある。 また本発明の方法において、前記成膜空間には前記湾
曲開始端形成手段と湾曲終了端形成手段との間に間隙が
残されていて、該間隙から前記原料ガスが排気され、前
記成膜空間内が所定の減圧状態に保持されるようにする
が、前記間隙の寸法は十分な排気コンダクタンスが得ら
れると同時に、前記成膜空間内に放射されたマイクロ波
エネルギーが前記成膜空間外へ漏洩しないように特別配
慮される必要がある。 具体的には、マイクロ波アプリケーター手段中を進行
するマイクロ波の電界方向と、前記湾曲開始端形成手段
としての支持・搬送用ローラーの中心軸と前記湾曲終了
端形成手段としての支持・搬送用ローラーの中心軸とを
含む面とが互いに平行とならないように前記マイクロ波
アプリケーター手段を配設するようにする。 そして、複数個の前記マイクロ波アプリケーター手段
を介して前記成膜空間内にマイクロ波エネルギーを放射
させる場合には、各々のマイクロ波アプリケーター手段
について前述のごとく配慮される必要がある。 更に、前記湾曲開始端形成手段と湾曲終了端形成手段
との間に残された間隙の、前記帯状部材の長手方向の開
口幅の最大寸法はマイクロ波の波長の好ましくは1/2波
長以下、より好ましくは1/4波長以下とするのが望まし
い。 本発明の方法において、複数個の前記マイクロ波アプ
リケーター手段を互いに対向させて配設させる場合に
は、一方のマイクロ波アプリケーター手段より放射され
たマイクロ波エネルギーを、他方のマイクロ波アプリケ
ーター手段が受信し、受信されたマイクロ波エネルギー
が前記他方のマイクロ波アプリケーター手段に接続され
ているマイクロ波電源にまで達して、該マイクロ波電源
に損傷を与えたり、マイクロ波の発振に異常を生ぜしめ
る等の悪影響を及ぼすことのないように特別配慮される
必要がある。具体的には、前記マイクロ波アプリケータ
ー手段中を進行するマイクロ波の電界方向同志が互いに
平行とならないように前記マイクロ波アプリケーターを
配設するようにする。 本発明の方法において、前記成膜空間の両端面のうち
片側のみからマイクロ波エネルギーを放射させる場合に
は、他方の端面からのマイクロ波エネルギーの漏洩がな
いようにすることが必要であり、前記端面を導電性部材
で密封したり、穴径が用いるマイクロ波の波長の好まし
くは1/2波長以下、より好ましくは1/4波長以下の金網、
パンチングボードなどで覆うことが望ましい。 本発明の方法において、前記成膜空間内に放射された
マイクロ波エネルギーは、前記成膜空間内に導入される
原料ガスの種類にもよるが、前記成膜空間内の圧力に強
い相関を持ちながら、且つ、前記マイクロ波アプリケー
ターに設けられたマイクロ波透過性部材からの距離の増
大と共に著しく減少する傾向を示す。従って、比較的幅
広の帯状部材を用いた場合において、幅方向に対して均
一なマイクロ波プラズマを生起させるには、前記成膜空
間内の圧力を十分に低く保持し、前記成膜空間の両端面
より、少なくとも一対以上のマイクロ波アプリケーター
手段を介してマイクロ波エネルギーを前記成膜空間内に
放射させるのが望ましい。 本発明の方法において、前記マイクロ波アプリケータ
ー手段は放射するマイクロ波エネルギーの進行方向が、
前記帯状部材で形成される成膜空間の側壁に対してほぼ
平行となるように、前記成膜空間の端面に対して垂直に
配設するのが望ましい。また、前記マイクロ波アプリケ
ーター手段は前記側壁からほぼ等距離の位置に配設され
るのが望ましいが、前記側壁の湾曲形状が非対称である
場合等においては特に配設される位置は制限されること
はない。勿論、複数のマイクロ波アプリケーター手段が
対向して配設される場合においてもそれらの中心軸は同
一線上にあっても、なくても良い。 本発明の方法において、前記帯状部材にて形成される
湾曲形状は、その中で生起されるマイクロ波プラズマの
安定性、均一性を保つ上で常に一定の形状が保たれるこ
とが好ましく、前記帯状部材は前記湾曲開始端形成手段
及び前記湾曲終了端形成手段によってシワ、たるみ、横
ずれ等が生ぜぬように支持されるのが望ましい。そし
て、前記湾曲開始端形成手段及び前記湾曲終了端形成手
段に加えて、湾曲形状を保持するための支持手段を設け
ても良い。具体的には前記湾曲した帯状部材の内側又は
外側に所望の湾曲形状を連続的に保持するための支持手
段を設ければ良い。前記湾曲した帯状部材の内側に前記
支持手段を設ける場合には、堆積膜の形成される面に対
して接触する部分をできるだけ少なくするように配慮す
る。例えば、前記帯状部材の両端部分に前記支持手段を
設けるのが好ましい。 前記帯状部材としては、前記湾曲形状を連続的に形成
できる柔軟性を有するものを用い、湾曲開始端、湾曲終
了端及び中途の湾曲部分においては滑らかな形状を形成
させることが望ましい。 前記成膜空間内にガス供給手段により導入された堆積
膜形成用原料ガスは、効率良く前記成膜外に排気され前
記成膜空間内は前記マイクロ波プラズマが均一に生起さ
れる程度の圧力に保たれるようにする。 前記柱状の成膜空間内にマイクロ波プラズマを均一に
安定して生起、維持させるためには、前記成膜空間の形
状及び容積、前記成膜空間内に導入する原料ガスの種類
及び流量、前記成膜空間内の圧力、前記成膜空間内へ放
射されるマイクロ波エネルギー量、及びマイクロ波の整
合等について各々最適な条件があるものの、これらのパ
ラメータは相互に有機的に結びついており、一概に定義
されるものではなく、適宜好ましい条件を設定するのが
望ましい。 即ち、本発明の方法によれば、帯状部材を側壁とした
成膜空間を形成し、且つ、該成膜空間の側壁を構成する
前記帯状部材を連続的に移動せしめると共に、前記成膜
空間の側壁を構成する帯状部材の幅方向に対してほぼ均
一にマイクロ波エネルギーを放射せしめるようにマイク
ロ波アプリケーター手段を配置し、マイクロ波プラズマ
の生起・維持条件を調整・最適化することによって、大
面積の機能性堆積膜を連続して、均一性良く形成するこ
とができる。 本発明の方法が従来の堆積膜形成方法から客観的に区
別される点は、成膜空間を柱状とし、その側壁が連続的
に移動しつつも、構造材としての機能を果たし、且つ、
堆積膜形成用の基板又は支持体をも兼ねるようにした点
にある。 ここで、構造材としての機能とは、特に、成膜用の雰
囲気空間すなわち成膜空間と成膜用には関与しない雰囲
気空間とを物理的、化学的に隔離する機能であって、具
体的には、例えば、ガス組成及びその状態の異なる雰囲
気を形成したり、ガスの流れる方向を制限したり、更に
は、圧力差の異なる雰囲気を形成したりする機能を意味
するものである。 即ち、本発明の方法は、前記帯状部材を湾曲させて柱
状の成膜空間の側壁を形成し、他の残された壁面、すな
わち両端面及び前記側壁の一部に残された間隙のうちの
いずれかの箇所より、堆積膜形成用の原料ガス及びマイ
クロ波エネルギーを前記成膜空間内に供給し、また、排
気されることによって、マイクロ波プラズマを前記成膜
空間内に閉じ込め、前記側壁を構成する帯状部材上に機
能性堆積膜を形成せしめるものであり、前記帯状部材そ
のものが成膜空間を成膜用には関与しない外部雰囲気空
間から隔離するための構造材としての重要な機能を果た
しているとともに、堆積膜形成用の基板又は支持体とし
て用いることができる。 従って、前記帯状部材を側壁として構成される成膜空
間の外部の雰囲気は、前記成膜空間内とは、ガス組成及
びその状態、圧力等について相当異なる状態となってい
る。 一方、従来の堆積膜形成方法においては堆積膜形成用
の基板又は支持体は、堆積膜を形成するための成膜空間
内に配設され、専ら、該成膜空間にて生成する例えば堆
積膜形成用の前駆体等を堆積させる部材としてのみ機能
するものであり、本発明の方法におけるように前記成膜
空間を構成する構造材として機能させるものではない。 また、従来法であるRFプラズマCVD法、スパツタリン
グ法等においては、前記堆積膜形成用の基板又は支持体
は放電の生起、維持のための電極を兼ねることはあるが
プラズマの閉じ込めは不十分であり、成膜用には関与し
ない外部雰囲気空間との隔離は不十分であって、構造材
として機能しているとは言い難い。 一方、本発明の方法は、機能性堆積膜形成用の基板又
は支持体として機能し得る帯状部材を前記成膜空間の側
壁として用い、前記構造材としての機能を発揮せしめる
と共に、前記帯状部材上への機能性堆積膜の連続形成を
も可能にするものである。 本発明の方法において、前記帯状部材を用いて柱状空
間の側壁を形成し、該柱状空間内にマイクロ波エネルギ
ーを前記帯状部材の幅方向にほぼ均一に放射させて、前
記柱状空間内にマイクロ波を閉じ込めることによって、
マイクロ波エネルギーは効率良く前記柱状空間内で消費
されて、均一なマイクロ波プラズマが生起され、形成さ
れる堆積膜の均一性も高まる。更には、前記マイクロ波
プラズマに曝される側壁を構成する帯状部材を絶えず連
続的に移動させ、前記成膜空間外へ排出させることによ
って、前記帯状部材上に、その移動方向に対して均一性
の高い堆積膜を形成することができる。 本発明の方法においては、前記帯状部材で成膜空間を
形成し、該成膜空間内でのみ堆積膜を形成せしめるよう
に、前記成膜空間外におけるガス組成及びその状態は前
記成膜空間内とは異なるように条件設定する。例えば、
前記成膜空間外のガス組成については、堆積膜形成には
直接関与しないようなガス雰囲気としても良いし、前記
成膜空間から排出される原料ガスを含んだ雰囲気であっ
ても良い。また、前記成膜空間内にはマイクロ波プラズ
マが閉じ込められているのは勿論であるが、前記成膜空
間の外部には前記マイクロ波プラズマが漏洩しないよう
にすることが、プラズマの安定性、再現性の向上や不要
な箇所への膜堆積を防ぐ上でも有効である。具体的には
前記成膜空間の内外で圧力差をつけたり、電離断面積の
小さいいわゆる不活性ガス、H2ガス等の雰囲気を形成し
たり、あるいは、積極的に前記成膜空間内からマイクロ
波の漏洩が起こらないような手段を設けることが有効で
ある。マイクロ波の漏洩防止手段としては、前記成膜空
間の内外を結ぶ間隙部分を導電性部材で密封したり、穴
径が好ましくは用いるマイクロ波の1/2波長以下、より
好ましくは1/4波長以下の金網、パンチングボードで覆
っても良く、また、前記成膜空間の内外を結ぶ間隙の最
大寸法がマイクロ波の波長の好ましくは1/2波長以下、
より好ましくは1/4波長以下とするのが望ましい。ま
た、前記成膜空間の外での圧力を前記成膜空間内の圧力
に比較して非常に低く設定するか又は逆に高く設定する
ことによっても、前記成膜空間外でマイクロ波プラズマ
が生起しないような条件設定ができる。 このように、前記帯状部材に成膜空間を構成する構造
材としての機能をもたせることに、本発明の方法の特徴
があり、従来の堆積膜形成方法とは区別され、更に多大
な効果をもたらす。 また、本発明のもう１つの特徴は、マイクロ波透過性
部材を成膜室に隣接して成膜室と気密分離可能な補助室
に移動させ成膜室と補助室を気密分離した後、補助室
で、マイクロ波透過性部材を交換するかあるいはドライ
エツチングを行なうことにある。 マイクロ波エネルギーによって堆積膜を連続的に形成
する場合、前述したように、マイクロ波透過性部材に付
着した堆積膜によって、堆積膜の堆積速度の低下あるい
は膜質の変化あるいはマイクロ波透過性部材の破損とい
った問題が生ずる。 これらの問題を回避するために、マイクロ波透過性部
材の交換あるいはエツチングを行うと、前述した如く、
成膜室を大気リークしたり、成膜室でドライエツチング
を行うことによって、次回の堆積膜の形成に悪影響が出
るという問題が生じていた。 これに対し、本発明の方法は、成膜室を大気リークし
たり、成膜室にエツチングガスを導入したりすることな
く、マイクロ波透過性部材の交換あるいはエツチングを
行うことができるので、マイクロ波透過性部材に付着し
た堆積膜による前述の問題を回避しつつ、なおかつ次回
の初期の堆積膜の膜質の低下といった悪影響をなくすこ
とを可能にしたものである。また、成膜室が大気あるい
はエツチングガスにさらされることがないため、マイク
ロ波透過性部材を交換あるいはエツチングして次回の堆
積膜の形成を開始するまでの時間を大巾に短縮すること
ができ、堆積膜の連続形成の生産速度を向上させること
ができた。 以下、本発明のマイクロ波プラズマCVD装置の構成及
び特徴点について更に詳細に順を追って記載する。 本発明の装置によれば、マイクロ波プラズマ領域が移
動しつつある帯状部材で閉じ込められていることによ
り、前記マイクロ波プラズマ領域内で生成した堆積膜形
成に寄与する前駆体を高い収率で基板上に捕獲し、更に
は堆積膜を連続して帯状部材上に形成できるため、堆積
膜形成用原料ガスの利用効率を飛躍的に高めることがで
きる。 更には、本発明のマイクロ波アプリケーター手段を用
いて、前記成膜空間内に均一なマイクロ波プラズマが生
起されるため、前記帯状部材の幅方向に形成される堆積
膜の均一が優れているのは勿論のこと、前記帯状部材を
前記マイクロ波アプリケーター手段の長手方向に対して
ほぼ垂直方向に連続的に搬送することにより、前記帯状
基体の長手方向に形成される堆積膜の均一性にも優れた
ものとなる。 また、本発明の装置によれば、連続して安定に均一性
良く放電が維持できるため、長尺の帯状部材上に連続し
て、安定した特性の機能性堆積膜を堆積形成でき、界面
特性の優れた積層デバイスを作製することができる。 本発明の装置において、前記帯状部材を構造材として
機能させるにあたり、前記成膜室の外部は大気であって
も良いが、前記成膜室内への大気の流入によって、形成
される機能性堆積膜の特性に影響を及ぼす場合には適宜
の大気流入防止手段を設ければ良い。具体的にはＯリン
グ、ガスケツト、ヘリコフレツクス、磁性流体等を用い
た機械的封止構造とするか、又は、形成される堆積膜の
特性に影響が少ないかあるいは効果的な希釈ガス雰囲
気、又は適宜の真空雰囲気を形成するための隔離容器を
周囲に配設することが望ましい。前記機械的封止構造と
する場合には、前記帯状部材が連続的に移動しながら封
止状態を維持できるように特別配慮される必要がある。
本発明の装置と他の複数の堆積膜形成手段を連結させ
て、前記帯状部材上に連続して堆積膜を積層させる場合
には、ガスゲート手段を用いて各装置を連結させるのが
望ましい。また、本発明の装置のみを複数連結させる場
合には、各装置において成膜室は独立した成膜雰囲気と
なっているため、前記隔離容器は単一でも良いし、各々
の装置に設けても良い。 本発明の装置において、前記成膜室の外部の圧力は減
圧状態でも加圧状態でも良いが、前記成膜室内との圧力
差によって前記帯状部材が大きく変形するような場合に
は適宜の補助構造材を前記成膜室内に配設すれば良い。
該補助構造材としては、前記成膜室の側壁とほぼ同一の
形状を、適宜の強度を有する金属、セラミツクス又は強
化樹脂等で構成される線材、薄板等で形成したものであ
ることが望ましい。また、該補助構造材の前記マイクロ
波プラズマに曝されない側の面に対向する前記帯状部材
上は、実質的に該補助構造材の影となる故堆積膜の形成
はほとんどなされないので前記補助構造材の前記帯状部
材上への投影面積は可能な限り小さくなるように設計さ
れるのが望ましい。 また、該補助構造材を前記帯状部材に密着させ、且つ
前記帯状部材の搬送速度に同期させて回転又は移動させ
ることにより、前記補助構造材上に施されたメツシユパ
ターン等を前記帯状部材上に形成させることもできる。 本発明の方法及び装置において好適に用いられる帯状
部材の材質としては、マイクロ波プラズマCVD法による
機能性堆積膜形成時に必要とされる温度において変形、
歪みが少なく、所望の強度を有し、また、導電性を有す
るものであることが好ましく、具体的にはステンレスス
チール、アルミニウム及びその合金、鉄及びその合金、
銅及びその合金等の金属の薄板の及びその複合体、及び
それらの表面に異種材質の金属薄膜及び／またはSiO2、
Si3N4、Al2O3、AlN等の絶縁性薄膜をスパツタ法、蒸着
法、鍍金法等により表面コーテイング処理を行ったも
の。又、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレンテレフ
タレート、エポキシ等の耐熱性樹脂性シート又はこれら
とガラスフアイバー、カーボンフアイバー、ホウ素フア
イバー、金属繊維等との複合体の表面に金属単体または
合金、及び透明導電性酸化物（TCO）等を鍍金、蒸着、
スパツタ、塗布等の方法で導電性処理を行ったものが挙
げられる。 また、前記帯状部材の厚さとしては、前記搬送手段に
よる搬送時に形成される湾曲形状が維持される強度を発
揮する範囲内であれば、コスト、収納スペース等を考慮
して可能な限り薄い方が望ましい。具体的には、好まし
くは0.01mm乃至5mm、より好ましくは0.02mm乃至2mm、最
適には0.05mm乃至1mmであることが望ましいが、比較的
金属等の薄板を用いた方が厚さを薄くしても所望の強度
が得られやすい。 また、前記帯状部材の幅寸法については、前記マイク
ロ波アプリケーター手段を用いた場合において、その長
手方向に対するマイクロ波プラズマの均一性が保たれ、
且つ、前記湾曲形状が維持される程度であることが好ま
しく、具体的には好ましくは5cm乃至100cm、より好まし
くは10cm乃至80cmであることが望ましい。 更に、前記帯状部材の長さについては、特に制限され
ることはなく、ロール状に巻き取られる程度の長さであ
っても良く、長尺のものを溶接等によって更に長尺化し
たものであっても良い。 本発明の装置において、前記帯状部材を連続的に湾曲
させながら支持・搬送する手段としては、搬送時に前記
帯状部材がたるみ、シワ、横ズレ等を生ずることなく、
その湾曲した形状を一定に保つことが必要である。例え
ば、所望の湾曲形状を有する支持・搬送用リングを少な
くとも一対設け、該支持・搬送用リングにて前記帯状部
材の好ましくは両端を支持し、またその形状に沿わせて
湾曲させ、更に前記帯状部材の長手方向に設けられた少
なくとも一対の湾曲開始端形成手段及び湾曲終了端形成
手段としての支持・搬送用ローラーにて絞り込み、ほぼ
柱状に湾曲させ、更に前記支持・搬送用リング及び支持
・搬送用ローラーの少なくとも一方に駆動力を与えて、
湾曲形状を維持しつつ前記帯状部材をその長手方向に搬
送せしめる。なお、前記支持・搬送用リングにて前記帯
状部材を支持・搬送する方法としては単なる滑り摩擦の
みによっても良いし、あるいは前記帯状部材にスプロケ
ツト穴等の加工を施し、又前記支持・搬送用リングにつ
いてもその周囲に鋸刃状の突起を設けたいわゆるギア状
のものも用いたりしても良い。 前記支持・搬送用リングの形状については、湾曲形状
を形成するにあたり、好ましくは円形状であることが望
ましいが、楕円状、方形状、多角形状であっても連続的
に一定してその形状を保つ機構を有するものであれば特
に支障はない。搬送速度を一定に保つことが、前記湾曲
形状にたるみ、シワ、横ズレ等を生ぜしめることなく搬
送する上で重要なポイントとなる。従って、前記支持・
搬送機構には前記帯状部材の搬送速度の検出機構及びそ
れによるフイールドバツクのかけられた搬送速度調整機
構が設けられることが望ましい。また、これらの機構は
半導体デバイスを作製する上での膜厚制御に対しても多
大な効果をもたらす。 また、前記支持・搬送用リングはその目的上プラズマ
に曝される程度の差はあれ、マイクロ波プラズマ領域内
に配設されることとなる。従って、マイクロ波プラズマ
に対して耐え得る材質、すなわち耐熱性、耐腐食性等に
優れたものであることが望ましく、又、その表面には堆
積膜が付着し、長時間の堆積操作時には該付着膜が剥
離、飛散し、形成しつつある堆積膜上に付着して、堆積
膜のピンホール等の欠陥発生の原因となり、結果的には
作製される半導体デバイスの特性悪化や歩留り低下の原
因となるので、前記堆積膜の付着係数が低い材質もしく
は付着しても相当の膜厚まで強い付着力を保持し得る材
質及び表面形状のもので構成されることが望ましい。具
体的材質としては、ステンレススチール、ニツケル、チ
タン、バナジウム、タングステン、モリブデン、ニオブ
及びその合金を用いて加工されたもの、またはその表面
にアルミナ、石英、マグネシア、ジルコニア、窒化ケイ
素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等のセラミツクス材
料を溶射法、蒸着法、スパツタ法、イオンプレーテイン
グ法、CVD法等によりコーテイング処理したもの、また
は前記セラミツクス材料の単体もしくは複合体で成形加
工したもの等を挙げることができる。また、表面形状と
しては鏡面加工、凹凸加工等堆積される膜の応力等を考
慮して適宜選択される。 前記支持・搬送用リングに付着した堆積膜は剥離、飛
散等が発生する以前に除去されることが好ましく、真空
中にてドライエツチング又は分解後ウエツトエツチン
グ、ビーズブラスト等の化学的、物理的手法によって除
去されることが望ましい。 前記支持・搬送用ローラーは、前記支持・搬送用リン
グに比較して前記帯状部材に接触する面積は大きく設計
されるので、前記帯状部材との熱交換率は大きい。従っ
て、該支持・搬送用ローラーで前記帯状部材の温度が極
端に上昇又は低下することのないように適宜温度調整が
なされる機構を有するものであることが望ましい。しか
るに、少なくとも一対以上設けられる支持・搬送用ロー
ラーの設定温度が異なるということもあり得る。更に、
前記支持・搬送用ローラーには前記帯状部材の搬送張力
検出機構が内蔵されることも搬送速度を一定に保持する
上で効果的である。 更に、前記支持・搬送用ローラーには前記帯状部材の
搬送時のたわみ、ねじれ、横ずれ等を防ぐためクラウン
機構が設けられることが好ましい。 本発明において形成される湾曲形状は、前記アプリケ
ーター手段の先端部分を一部包含するように柱状に形成
される。 前記帯状部材を側壁として形成される柱状の成膜室の
両端面の形状としては、ほぼ円形状、楕円状、方形状、
多角形状等であって、且つ前記マイクロ波アプリケータ
ー手段が配設される位置は、ほぼ前記形状の中心付近で
あることが、前記成膜室内に均一にマイクロ波プラズマ
を生起せしめ、形成される堆積膜の均一性を高める上で
望ましい。また、前記湾曲部分の端面の内径はマイクロ
波の伝送モード及びマイクロ波プラズマ領域の体積を決
定し、実質的には前記帯状部材が搬送中に前記マイクロ
波プラズマ領域に曝される時間と相関して形成される堆
積膜の膜厚が決定され、且つ、前記帯状部材の幅寸法と
相関して前記成膜室の内表面積に対する前記側壁の面積
比が決まり堆積膜形成用原料ガスの利用効率が決定され
る。そして、前記マイクロ波プラズマ領域において、安
定したマイクロ波プラズマを維持するためのマイクロ波
電力密度（W/cm3）は用いられる原料ガスの種類及び流
量、圧力、マイクロ波アプリケーターのマイクロ波の放
射、伝達能力、及びマイクロ波プラズマ領域の絶対体積
等の相関によって決まり、一概に定義することは困難で
ある。 前記帯状部材を太陽電池用の基板として用いる場合に
は、該帯状部材が金属等の電気導電性である場合には直
接電流取り出し用の電極としても良いし、合成樹脂等の
電気絶縁性である場合には堆積膜の形成される側の表面
にAl、Ag、Pt、Au、Ni、Ti、Mo、Ｗ、Fe、Ｖ、Cr、Cu、
ステンレス、真ちゅう、ニクロム、SnO2、In2O3、ZnO、
SnO2‐In2O3（ITO）等のいわゆる金属単体又は合金、及
び透明導電性酸化物（TCO）を鍍金、蒸着、スパツタ等
の方法であらかじめ表面処理を行って電流取り出し用の
電極を形成しておくことが望ましい。 勿論、前記帯状部材が金属等の電気導電性のものであ
っても、長波長光の基板表面上での反射率を向上させた
り、基板材質と堆積膜との間での構成元素の相互拡散を
防止したり短絡防止用の干渉層とする等の目的で異種の
金属層等を前記基板上の堆積膜が形成される側に設けて
も良い。又、前記帯状部材が比較的透明であって、該帯
状部材の側から光入射を行う層構成の太陽電池とする場
合には前記透明導電性酸化物や金属薄膜等の導電性薄膜
をあらかじめ堆積形成しておくことが望ましい。 また、前記帯状部材の表面性としてはいわゆる平滑面
であっても、微小の凹凸面であっても良い。 微小の凹凸面とする場合にはその凹凸形状は球状、円
錐状、角錐状等であって、且つその最大高さ（Rmax）は
好ましくは500Å乃至5000Åとすることにより、該表面
での光反射が乱反射となり、該表面での反射光の光路長
の増大をもたらす。 前記マイクロ波透過性部材は前記マイクロ波アプリケ
ーター手段の先端部分に設けられ、前記成膜室内の真空
雰囲気と前記マイクロ波アプリケーター手段の設置され
ている外気とを分離し、その内外間に存在している圧力
差に耐え得るような構造に設計される。具体的には、そ
のマイクロ波の進行方向に対する断面形状が好ましくは
円形、方形、楕円形の平板、ベルジヤー状、タブレツト
状、円錐状とされるのが望ましい。 また、前記マイクロ波透過性部材のマイクロ波の進行
方向に対する厚さは、ここでのマイクロ波の反射が最少
に抑えられるように、用いる材質の誘電率を考慮して、
設計されるのが望ましく、例えば平板状であるならばマ
イクロ波の波長の1/2波長にほぼ等しくされるのが好ま
しい。更に、その材質としては、マイクロ波アプリケー
ター手段から放射されるマイクロ波エネルギーを最小の
損失で前記成膜室内へ透過させることができ、また、前
記成膜室内への大気の流入が生じない気密性の優れたも
のが好ましく、具体的には石英、アルミナ、窒化ケイ
素、ベリリア、マグネシア、ジルコニア、窒化ホウ素、
炭化ケイ素等のガラス又はフアインセラミツクス等が挙
げられる。 また、前記マイクロ波透過性部材はマイクロ波エネル
ギー及び／又はプラズマエネルギーによる加熱によって
熱劣化（ヒビ割れ、破壊）等を起こすことを防止するた
め均一に冷却されることが好ましい。 具体的な冷却手段としては、前記マイクロ波透過性部
材の大気側の面に向けて吹きつけられる冷却空気流であ
ってもよいし、前記マイクロ波アプリケーター手段その
ものを冷却空気、水、オイル、フレオン等の冷却媒体に
て冷却し、前記マイクロ波アプリケーター手段に接する
部分を介して前記マイクロ波透過性部材を冷却しても良
い。前記マイクロ波透過性部材を十分に低い温度まで冷
却することで、比較的高いパワーのマイクロ波エネルギ
ーを前記成膜室内へ導入しても、発生する熱によって前
記マイクロ波透過性部材にひび割れ等の破壊を生じさせ
ることなく、高電子密度のプラズマを生起することがで
きる。 本発明の装置において、マイクロ波透過性部材を交換
あるいはエツチングする補助室は成膜室と隣接して連続
さえれており、成膜室と分離して気密できる構造になっ
ている。また前記補助室はマイクロ波透過性部材を交換
するために、開閉機構と排気装置を有している。また前
記補助室でドライエツチングを行なう場合はエツチング
ガスの導入管を備えている。 また、成膜室と前記補助室を気密分離する分離手段は
両室の間のガス流入、拡散を防ぐ構造であることが必要
であり、シール可能なゲートバルブ等が好適に用いられ
る。 また、成膜室と補助室の間をマイクロ波透過性部材を
移動させる機構はマイクロ波透過性部材が真空気密の役
割を兼ね備えていることから、マイクロ波透過性部材の
真空気密を保ったまま移動できる構造になっている。ま
た、マイクロ波透過性部材を含む、マイクロ波アプリケ
ーター手段全体を移動させる機構でもよい。 具体的には、ベローズ等の機構が好適に用いられる。
また前述の移動機構を駆動させる駆動装置が必要であ
る。具体的には油圧シリンダー等の駆動装置が好適に用
いられる。 また、マイクロ波アプリケーター手段全体を移動させ
る場合は、導波管を容易に取りはずし可能な構造とする
かあるいは導波管あるいはアプリケータ手段そのものに
伸縮可能な構造をもたせる。 導波管あるいはアプリケーター手段そのものが伸縮構
造を有する場合、マイクロ波の伝送を安定させるため、
伸縮機構は、電気的接触を保持することが望ましい。具
体的には、スリーブ等の機構が好適に用いられる。 さらに本発明の装置に於いてマイクロ波透過性部材
は、第２図に示したごとく、複数の部材を重ねて使用す
ることもできる。この場合、堆積膜が付着するのは、第
２図の202のように成膜室に面した側の第２のマイクロ
波透過性部材である。したがって、前述のマイクロ波透
過性部材の補助室での交換あるいは、エツチングを堆積
膜の付着した第２のマイクロ波透過性部材に関してのみ
行なうことができる。この場合は、真空を保持する機構
は第２図の201のように第１のマイクロ波透過性部材の
みが有することもできる。したがって第２のマイクロ波
透過性部材は真空を保持する機構を有していなくてもよ
いため、交換あるいはエツチングが容易にできる。 なおマイクロ波アプリケータの先端部分、例えば第11
図の1112は、前記成膜室と前記補助室の気密分離のため
のシール性を有していることが望ましい。 本発明の装置におけるマイクロ波アプリケーター手段
は、マイクロ波電源より供給されるマイクロ波エネルギ
ーを前記成膜室内に放射して、前記ガス導入手段から導
入される堆積膜形成用原料ガスをプラズマ化し維持させ
ることができる構造を有するものである。 具体的には、マイクロ波伝送用導波管の先端部分に前
記マイクロ波透過性部材を、気密保持が可能な状態に取
り付けたものが好ましく用いられる。そして前記マイク
ロ波アプリケーター手段は前記マイクロ波伝送用導波管
と同一規格のものであっても良いし、他の規格のもので
あっても良い。また、前記マイクロ波アプリケーター手
段中でのマイクロ波の伝送モードは、前記成膜室内での
マイクロ波エネルギーの伝送を効率良く行わせしめ、且
つ、マイクロ波プラズマを安定して生起・維持・制御せ
しめる上で、単一モードとなるように前記マイクロ波ア
プリケーターの寸法・形状等が設計されるのが望まし
い。但し、複数モードが伝送されるようなものであって
も、使用する原料ガス、圧力、マイクロ波電力等のマイ
クロ波プラズマ生起条件を適宜選択することによって使
用することもできる。単一モードとなるように設計され
る場合の伝送モードとしては、例えばTE10モード、TE11
モード、eH1モード、TM11モード、TM01モード等を挙げ
ることができるが、好ましくはTE10モード、TE11モー
ド、eH1モードが選択される。そして、前記マイクロ波
アプリケーター手段には、上述の伝送モードが伝送可能
な導波管が接続され、好ましくは該導波管中の伝送モー
ドと前記マイクロ波アプリケーター手段中の伝送モード
とは一致させるのが望ましい。前記導波管の種類として
は、使用されるマイクロ波の周波数帯（バンド）及びモ
ードによって適宜選択され、少なくともそのカツトオフ
周波数は使用される周波数よりも小さいものであること
が好ましく、具体的にはJIS、EIAJ、IEC、JAN等の規格
の方形導波管、円形導波管、又は楕円導波管等の他、2.
45GHzのマイクロ波用の自社規格として、方形の断面の
内径で幅96mm×高さ27mmのもの等を挙げることができ
る。 本発明の装置において、マイクロ波電源より供給され
るマイクロ波エネルギーは、前記マイクロ波アプリケー
ター手段を介して効率良く前記成膜室内へ放射されるた
め、いわゆるマイクロ波アプリケーターに起因する反射
波に関する問題は回避しやすく、マイクロ波回路におい
てスリースタブチユーナー又はＥ−Ｈチユーナー等のマ
イクロ波整合回路を用いなくとも比較的安定した放電を
維持することが可能であるが、放電開始前や放電開始後
でも異常放電等により強い反射波を生ずるような場合に
はマイクロ波電源の保護のために前記マイクロ波整合回
路を設けることが望ましい。 本発明の装置において、前記成膜室には前記湾曲開始
端形成手段と湾曲終了端形成手段との間に間隙が残され
ていて、該間隙から前記原料ガスを排気し、前記成膜室
内が所定の減圧状態に保持されるようにするが、前記間
隙の寸法は十分な排気コンダクタンスが得られると同時
に、前記成膜室内に放射されたマイクロ波エネルギーが
前記成膜室外へ漏洩しないように設計される必要があ
る。 具体的には、マイクロ波アプリケーター手段中を進行
するマイクロ波の電界方向と、前記湾曲開始端形成手段
としての支持・搬送用ローラーの中心軸と前記湾曲終了
端形成手段としての支持・搬送用ローラーの中心軸とを
含む面とが互いに平行とならないように前記マイクロ波
アプリケーター手段を配設する。すなわち、前記マイク
ロ波アプリケーター手段に接続される前記導波管の長辺
又長軸を含む面と前記一対の支持・搬送用ローラーの中
心軸を含む面とが平行とならないように、前記導波管を
配設させる。 そして、複数個の前記マイクロ波アプリケーター手段
を介して前記成膜室内にマイクロ波エネルギーを放射さ
せる場合には、各々のマイクロ波アプリケーター手段に
ついて前述のごとく配設されることが必要である。 更に、前記湾曲開始端形成手段と湾曲終了端形成手段
との間に残された間隙の、前記帯状部材の長手方向の開
口幅の最大寸法は該間隙からのマイクロ波エネルギーの
漏洩を防止する上で、マイクロ波の波長の好ましくは1/
2波長以下、より好ましくは1/4波長以下とするのが望ま
しい。 本発明の装置において、複数個の前記マイクロ波アプ
リケーター手段を互いに対向させて配設させる場合に
は、一方のマイクロ波アプリケーター手段より放射され
たマイクロ波エネルギーを、他方のマイクロ波アプリケ
ーター手段が受信し、受信されたマイクロ波エネルギー
が前記他方のマイクロ波アプリケーター手段に接続され
ているマイクロ波電源にまで達して、該マイクロ波電源
に損傷を与えたり、マイクロ波の発振に異常を生ぜしめ
る等の悪影響を及ぼすことのないように配置する必要が
ある。 具体的には、前記マイクロ波アプリケーター手段中を
進行するマイクロ波の電界方向同志が互いに平行となら
ないように前記マイクロ波アプリケーター手段を配設す
る。すなわち、前記マイクロ波アプリケーター手段に接
続される前記導波管の長辺又は長軸を含む面とが互いに
平行とならないよ似前記導波管を配設する。 本発明の方法において、前記成膜室の両端面のうち片
側のみからマイクロ波エネルギーを放射させる場合に
は、他方の端面からのマイクロ波エネルギーの漏洩がな
いようにすることが必要であり、前記端面を導電性部材
で密封したり、穴径が用いるマイクロ波の波長の好まし
くは1/2波長以下、より好ましくは1/4波長以下の金網、
パンチングボードなどで覆うことが望ましい。 本発明の装置においては前記成膜室及び／又は隔離容
器を他の成膜手段を有する真空容器と真空雰囲気を分離
独立させ、且つ、前記帯状部材をそれらの中を貫通させ
て連続的に搬送するにはガスゲート手段手段が好適に用
いられる。本発明の装置において前記成膜室及び／又は
隔離容器内は修正パツシエン曲線の最小値付近の動作に
必要な程度の低圧に保たれるのが望ましいため、前記成
膜室及び／又は隔離容器に接続される他の真空容器内の
圧力としては少なくともその圧力にほぼ等しいか又はそ
れよりも高い圧力となるケースが多い。従って、前記ガ
スゲート手段の能力としては前記各容器間に生じる圧力
差によって、相互に使用している堆積膜形成用原料ガス
を拡散させない能力を有することが必要である。従っ
て、その基本概念は米国特許第4,438,723号に開示され
ているガスゲート手段を採用することができるが、更に
その能力は改善される必要がある。具体的には、最大10
6倍程度の圧力差に耐え得ることが必要であり、排気ポ
ンプとしては排気能力の大きい油拡散ポンプ、ターボ分
子ポンプ、メカニカルブースターポンプ等が好適に用い
られる。また、ガスゲートの断面形状としてはスリツト
状又はこれに類似する形状であり、その全長及び用いる
排気ポンプの排気能力等と合わせて、一般のコンダクタ
ンス計算式を用いてそれらの寸法が計算、設計される。
更に、分離能力を高めるためにゲートガスを併用するこ
とが好ましく、例えばAr、He、Ne、Kr、Xe、Rn等の希ガ
ス又はH2等の堆積膜形成用希釈ガスが挙げられる。ゲー
トガス流量としてはガスゲート全体のコンダクタンス及
び用いる排気ポンプの能力等によって適宜決定される
が、概ね第10図（ａ）、（ｂ）に示したような圧力勾配
を形成するようにすれば良い。第10図（ａ）において、
ガスゲートのほぼ中央部に圧力の最大となるポイントが
あるため、ゲートガスはガスゲート中央部から両サイド
の真空容器側へ流れ、第10図（ｂ）においてはガスゲー
トのほぼ中央部に圧力の最小となるポイントがあるた
め、量サイドの容器から流れ込む堆積膜形成用原料ガス
と共にゲートガスもガスゲート中央部から排気される。
従って両者の場合において両サイドの容器間でも相互の
ガス拡散を最小限に抑えることができる。実際には、質
量分析計を用いて拡散してくるガス量を測定したり、堆
積膜の組成分析を行うことによって最適条件を決定す
る。 本発明の装置において、前記ガスゲート手段によっ
て、前記隔離容器と接続される他の真空容器中に配設さ
れる堆積膜形成手段としては、RFプラズマCVD法、スパ
ツタリング法及び反応性スパツタリング法、イオンプレ
ーテイング法、光CVD法、熱CVD法、MOCVD法、MBE法そし
てHR-CVD法等いわゆる機能性堆積膜形成用に用いられる
方法を実現するための手段を挙げることができる。そし
て、勿論本発明のマイクロ波プラズマCVD法及び類似の
マイクロ波プラズマCVD法の手段を接続することも可能
であり、所望の半導体デバイス作製のため適宜手段を選
択し、前記ガスゲート手段を用いて接続される。 本発明の装置において用いられるマイクロ波電源から
供給されるマイクロ波周波数は、好ましくは民生用に用
いられている2.45GHzが挙げられるが、他の周波数帯の
ものであっても比較的入手し易いものであれば用いるこ
とができる。また、安定した放電を得るには発振様式は
いわゆる連続発振であることが望ましく、そのリツプル
幅が、使用出力領域において、好ましくは30％以内、よ
り好ましくは10％以内であることが望ましい。 本発明の装置において、前記成膜室及び／又は隔離容
器を大気に曝すことなく連続して堆積膜形成を行うこと
は、形成される堆積膜の特性安定上、不純物の混入を防
止できるため有効である。ところが、用いられる帯状部
材の長さは有限であることから、これを溶接等の処理に
より接続する操作を行うことが必要である。具体的に
は、前記帯状部材の収納された容器（送り出し側及び巻
き取り側）に近接して、そのような処理室を設ければ良
い。 以下、図面を用いて具体的処理方法について説明す
る。 第９図（その１）（Ｉ）図乃至第９（その４）（Ｘ）
図は、前記帯状部材処理室の概略及び帯状部材等の成膜
時の作動を説明するための模式図を示した。 第９図において、901aは帯状部材の送り出し側に設け
られた帯状部材処理室（Ａ）、901bは帯状基体の巻き取
り側に設けられた帯状部材処理室（Ｂ）であり、その内
部にはバイトン製ローラー907a,907b,切断刃908a,908b,
溶接治具909a,909bが収納されている。 即ち、第９図（その１）（Ｉ）は、通常成膜時の状態
であり、帯状部材902が図中矢印方向に移動していて、
ローラー907a、切断刃908a、及び溶接治具909aは帯状部
材902に接触していない。910は帯状部材収納容器（不図
示）との接続手段（ガスゲート）、911は真空容器（不
図示）との接続手段（ガスゲート）である。 第９図（その１）（II）は、１巻の帯状部材への成膜
工程が終了した後、新しい帯状部材と交換するための第
１工程を示している。まず、帯状部材902を停止させ、
ローラー907aを図中点線で示した位置から矢印方向へ移
動させ帯状部材902及び帯状部材処理室901aの壁と密着
させる。この状態で帯状部材収納容器と成膜室とは気密
分離される。次に、切断刃908aを図中矢印方向に動作さ
せ帯状部材902を切断する。この切断刃908aは機械的、
電気的、熱的に帯状部材902を切断できるもののうちの
いずれかにより構成される。 第９図（その１）（III）では、切断分離された帯状
部材903が帯状部材収納容器側へ巻き取られる様子を示
している。 上述した切断及び巻き取り工程は帯状部材収納容器内
は真空状態又は大気圧リーク状態のいずれかで行われて
も良い。 第９図（その２）（IV）では、新しい帯状部材904が
送り込まれ、帯状部材902と接続される工程を示してい
る。帯状部材904と902とはその端部が接せられ溶接治具
909aにて溶接接続される。 第９図（その２）（Ｖ）では帯状部材収納容器（不図
示）内を真空排気し、十分成膜室との圧力差が少なくな
った後、ローラー907aを帯状部材902及び帯状部材処理
室（Ａ）901aの壁から離し、帯状部材902,904を巻き取
っている状態を示している。 次に、帯状部材の巻き取り側での動作を説明する。 第９図（その３）（VI）は、通常成膜時の状態である
が、各治具は第９図（その１）（Ｉ）で説明したのとは
ほぼ対称に配置されている。 第９図（その３）（VII）は、１巻の帯状部材への成
膜工程が終了した後、これを取り出し、次の成膜工程処
理された帯状部材を巻き取るための空ボビンと交換する
ための工程を示している。 まず、帯状部材902を停止させ、ローラー907bを図中
点線で示した位置から矢印方向へ移動させ、帯状部材90
2及び帯状部材処理室901bの壁と密着させる。この状態
で帯状部材収納容器と成膜室とは気密分離される。次
に、切断刃908bを図中矢印方向に移動させ、帯状部材90
2を切断する。この切断刃908bは機械的、電気的、熱的
に帯状基体902を切断できるもののうちいずれかにより
構成される。 第９図（その３）（VIII）では、切断分離された成膜
工程終了後の帯状部材905が帯状部材収納容器側へ巻き
取られる様子を示している。 上述した切断及び巻き取り工程は帯状部材収容容器内
は真空状態又は大気圧リーク状態のいずれかで行われて
も良い。 第９図（その４）（IX）では、新しい巻き取りボビン
に取り付けられている予備巻き取り用帯状部材906が送
り込まれ、帯状部材902と接続される工程を示してい
る。予備巻き取り用帯状部材906と帯状部材902と接続さ
れる工程を示している。溶接治具909bにて溶接接続され
る。 第９図（その４）（Ｘ）で、帯状部材収納容器（不図
示）内を真空排気し、十分成膜室との圧力差が少なくな
った後、ローラー907bを帯状部材902及び帯状部材処理
室（Ｂ）901bの壁から離し、帯状部材902,906を巻き取
っている状態を示している。 本発明の方法及び装置において連続形成される機能性
堆積膜としては非晶質、結晶質を問わず、Si,Ge,C等い
わゆるIV族半導体薄膜、SiGe,SiC,SiSn等いわゆるIV族
合金半導体薄膜、GaAs,GaP,GaSb,InP,InAs等いわゆるII
I-V族化合物半導体薄膜、及びZnSe,ZnS,ZnTe,CdS,CdSe,
CdTe等いわゆるII-VI族化合物半導体薄膜等が挙げられ
る。 本発明の方法及び装置において用いられる前記機能性
堆積膜形成用原料ガスとしては、上述した各種半導体薄
膜の構成元素の水素化物、ハロゲン化物、有機金属化合
物等で前記成膜室内へ好ましくは気体状態で導入できる
ものが選ばれ使用される。 勿論、これらの原料化合物は１種のみならず、２種以
上混合して使用することができる。又、これらの原料化
合物はHe,Ne,Ar,Kr,Xe,Rn等の希ガス、及びH2,HF,HCl等
の希釈ガスと混合して導入されても良い。 また、連続形成される前記半導体薄膜は価電子制御及
び禁制帯幅制御を行うことができる。具体的には価電子
制御剤又は禁制帯幅制御剤となる元素を含む原料化合物
を単独で、又は前記堆積膜形成用原料ガス又は前記希釈
ガスに混合して前記成膜室内へ導入してやれば良い。 前記堆積膜形成用原料ガス等は、前記帯状部材で形成
される柱状の成膜室内に配設されたその先端部の単一又
は複数のガス放出孔を有するガス導入管より、前記柱状
の成膜室内に均一に放出され、マイクロ波エネルギーに
よりプラズマ化され、マイクロ波プラズマ領域を形成す
る。前記ガス導入管を構成する材質としてはマイクロ波
プラズマ中で損傷を受けることのないものが好適に用い
られる。具体的にステンレススチール、ニツケル、チタ
ン、タングステン、バナジウム、ニクロム等耐熱性金属
及びこれらの金属上にアルミナ、窒化ケイ素等のセラミ
ツクスを溶射処理等したものが挙げられる。 本発明の装置において、前記ガス導入管より、前記柱
状の成膜室内に導入された堆積膜形成用原料ガスはその
一部又は全部が分解して堆積膜形成用の前駆体を発生
し、堆積膜形成が行われるが、未分解の原料ガス、又は
分解によって異種の組成のガスとなったものはすみやか
に前記柱状の成膜室外に排気される必要がある。ただ
し、該排気孔面積を必要以上に大きくすると、該排気孔
よりのマイクロ波エメルギーの漏れが生じ、プラズマの
不安定性の原因となったり、他の電子機器、人体等への
悪影響を及ぼすこととなる。従って、本発明の装置にお
いては、該排気孔は、前記帯状部材の湾曲開始端と湾曲
終了端との間隙とし、その間隔はマイクロ波の漏洩防止
上、使用されるマイクロ波波長の好ましくは1/2波長以
下、より好ましくは1/4波長以下であることが望ましい 〔装置例〕 以下、図面を用いて本発明の具体的装置例を挙げて本
発明の装置について説明するが、本発明はこれによって
何ら限定されるものではない。 装置例１ 第１図に本発明のマイクロ波プラズマCVD装置の模式
的透視概略図を示した。 101は帯状部材であり、支持・搬送用ローラー102、10
3及び支持・搬送用リング104、105によって円柱状に湾
曲した形状を保ちながら、図中矢印（→）方向に搬送さ
れ成膜室116を連続的に形成する。106a乃至106eは帯状
部材101を加熱又は冷却するための温度制御機構であ
り、各々独立に温度制御がなされる。 本装置例において、マイクロ波アプリケーター107、1
08は一対対向して設けられており、その先端部分にはマ
イクロ波透過性部材109、110が各々設けられていて、ま
た、方形導波管111,112が、各々支持・搬送用ローラー
の中心軸を含む面に対してその長辺を含む面が垂直とな
らぬよう、且つ、お互いに長辺を含む面が平行とならぬ
ように配設されている。なお、第１図において、説明の
ためにマイクロ波アプリケーター107は支持・搬送用リ
ング104から切り離した状態を示しあるが、堆積膜形成
時には、図中矢印方向に配設される。 113はガス導入管、114は排気管であり、不図示の排気
ポンプに接続されている。115a,115bは隔離通路であ
り、本発明の装置を他の成膜手段を含む容器等との接続
を行うときに設けられる。 支持・搬送用ローラー102、103には、搬送送度検出機
構、張力検出調整機構（いずれも不図示）が内蔵され、
帯状部材101の搬送送度を一定に保つとともに、その湾
曲形状が一定に保たれる。 導波管111、112には不図示のマイクロ波電源が接続さ
れている。 第２図にマイクロ波アプリケーター手段107,108を具
体的に説明するための断面模式図を示した。 200はマイクロ波アプリケーターであり、図中左側矢
印方向から不図示のマイクロ波電源より方形導波管208
を介してマイクロ波が伝送される。 201,202はマイクロ波透過性部材であり、メタルシー
ル212及び固定用リング206を用いて、内筒204、外筒205
に固定されており、真空シールがされている。また内筒
204と外筒205との間には冷却媒体209が流れるようにな
っており、一方の端はＯリング210でシールされてい
て、マイクロ波アプリケーター200全体を均一に冷却す
るようになっている。冷却媒体209としては、水、フレ
オン、オイル、冷却空気等が好ましく用いられる。マイ
クロ波透過性部材201にはマイクロ波整合用円板203a,20
3bが固定されている。外筒205には溝211の加工されたチ
ヨークフランジ207が接続されている。また、213,214は
冷却空気の導入孔、及び／又は排出孔であり、アプリケ
ーター内部を冷却するために用いられる。 本装置例において、内筒204の内側の形状は円筒状で
あり、その内直径及びマイクロ波の進行方向の長さは導
波管としての機能を果たすように設計される。すなわ
ち、その内直径は、カツトオフ周波数が用いるマイクロ
波の周波数よりも小さく、且つ、複数モードが立たない
範囲で可能な限り大きく、また、長さについては好まし
くはその内部において定在波がたたないような長さに設
計されるのが望ましい。勿論、前記内筒204の内側の形
状は角柱状であっても良い。 装置例２ 本装置例では、装置例１で示した装置を隔離容器中に
配設し、前記隔離容器に隣接して第11図に図示したごと
く、補助室1101を配置し、マイクロ波透過性部材1102,1
103を含むマイクロ波アプリケーター1104を成膜室116と
補助室1101の間で真空気密を保ちながら移動可能にし、
補助室1101で成膜室に面した第２のマイクロ波透過性部
材1103を交換できる構造になっている。 第11図は第１図のＡの方向から見た補助室付近の断面
図である。 隔離容器の形状としては、装置例１で示した各構成治
具を内蔵できるも体であれば、特に制限はないが、立方
体状、直方体状の他円筒状等のものが好適に用いられ
る。また、成膜室116と隔離容器との間に残された空間
には補助ガス導入管が設けられ、該空間での放電防止用
の圧力調整用の希ガス、H2ガス等が導入される。また、
前記空間は成膜室116の排気用ポンプで同時に排気され
ても良く、また、独立の排気ポンプが接続されていても
良い。 補助室1101は独自の排気装置（図示せず）を備え、第
２のマイクロ波透過性部材1103を交換するための開閉部
（図示せず）を備え、リークあるいは圧力調整用の希ガ
スの導入口を備えている。 マイクロ波アプリケーター1104はベローズ1106によっ
て真空気密を保ちながら成膜室にある状態Ｂから補助室
にある状態Ｂ′まで移動する。その後成膜室116と補助
室1101を分離する分離手段であるゲートバルブ1113が閉
じる。ゲートバルブ1113は成膜室を含む隔離容器の器壁
1105との間でシールされており、ゲートバルブ1113によ
って成膜室116と補助室1101は気密分離される。 したがって補助室1101を大気圧にしても成膜室116は
リークされない。 マイクロ波アプリケーター1104は第２図のアプリケー
ターと基本的に同じ構造をしており、支持棒1107で支え
られて、油圧シリンダー1108によって移動される。 また、導波管1109の接合部1110は容易に取りはずし可
能な構造になっており、マイクロ波アプリケーター1104
を移動させる場合は接合部1110を取りはずして移動させ
る。 装置例３ 本装置例では装置例１において、マイクロ波アプリケ
ーターの形状を角柱状にした以外は同様の構成のものを
挙げることができる。角柱状のマイクロ波アプリケータ
ーの断面寸法は、用いる導波管の寸法と同じでも良い
し、異なっていても良い。また、用いるマイクロ波の周
波数に対して、複数モードが立たない範囲で可能な限り
大きくするのが望ましい。 装置例４ 本装置例では、装置例２において、装置例３で用いた
角柱状のマイクロ波アプリケーター手段を用いた以外は
同様の構成としたものを挙げることができる。 装置例5,6 本装置例では、装置例１及び２において、円筒状マイ
クロ波アプリケーター手段のかわりに楕円柱状マイクロ
アプリケーター手段を用いた以外は同様の構成としたも
のを挙げることができる。 装置例７ 本装置例では、第３図に示したごとく、装置例２で示
した堆積膜形成用マイクロ波プラズマCVD装置に帯状部
材101の送り出し及び巻き取り用の真空容器301及び302
をガスゲート321及び322を用いて接続した装置を挙げる
ことができる。 300は隔離容器、303は帯状部材の送り出し用ボビン、
304は帯状部材の巻き取り用ボビンであり、図中矢印方
向に帯状部材が搬送される。もちろんこれは逆転させて
搬送することもできる。また、真空容器301,302中には
帯状部材の表面保護用に用いられる合紙の巻き取り、及
び送り込み手段を配設しても良い。前記合紙の材質とし
ては、耐熱性樹脂であるポリイミド系、テフロン系及び
グラスウール等が好ましく用いられる。306,307は張力
調整及び帯状部材の位置出しを兼ねた搬送用ローラーで
ある。312,313は帯状部材の予備加熱又は冷却用に用い
られる温度調整機構である。307,308,309は排気量調整
用のスロツトルバルブ、310,311,320は排気管であり、
それぞれ不図示の排気ポンプに接続されている。314,31
5圧力計、また、316,317はゲートガス導入管、318,319
はゲートガス排気管であり、不図示の排気ポンプにより
ゲートガス及び／又は堆積膜形成用原料ガスが排気され
る。 装置例８ 本装置例では第４図に示したごとく、装置例７で示し
た装置に、更に２台の本発明のマイクロ波プラズマCVD
による堆積膜形成用の内蔵された隔離容器300-a,300-b
を両側に接続して、積層型デバイスを作製できるように
構成したものを挙げることができる。 図中ａ及びｂの符号をつけたものは、基本的には隔離
容器300中で用いられたものと同様の効果を有する機構
である。 401,402,403,404は各々ガスゲート、405,406,407,408
は各々ゲートガス導入管、409,410,411,412は各々ゲー
トガス排気管である。 装置例9,10 装置例７及び８においてマイクロ波アプリケーター20
1を装置例３又は４で用いた角柱状のマイクロ波アプリ
ケーターに変えた以外は同様の構成としたものを挙げる
ことができる。 装置例11,12 装置例７及び８においてマイクロ波アプリケーターを
装置例５又は６で用いた楕円柱状のマイクロ波アプリケ
ーターに変えた以外は同様の構成のものを挙げることで
きる。 装置例13 本装置例では第５図に示したごとく、装置例７で示し
た装置に、更に２台の従来法であるRFプラズマCVD装置
を両側に接続して、積層型デバイスを作製できるように
構成したものを挙げることができる。 ここで、501,502は真空容器、503,504はRF印加用カソ
ード電極、505,506はガス導入管兼ヒーター、507,508は
基板加熱用ハロゲンランプ、509,510はアノード電極、5
11,512は排気管である。 装置例14,15 本装置例では、装置例１及び２で示した装置におい
て、比較的幅の狭い帯状部材を用いた場合として、マイ
クロ波アプリケーターを成膜室の片側一方の端面のみに
配設したものを挙げることができる。ただし、この場合
にはもう一方の端面にはマイクロ波漏洩防止用の金網、
パンチングボード、金属薄板等が設けられる。 装置例16 装置例２に於て、補助室1101にエツチングガスの導入
口を配して、マイクロ波アプリケーター1104を移動させ
た後、長さの異なる導波管（図示せず）を再び接続して
マイクロ波プラズマによるドライエツチングを可能とし
たものを挙げることができる。 装置例17 装置例２に於て、マイクロ波アプリケーターの形状が
異なり、マイクロ波アプリケーター1201がスリーブ1202
等の伸縮機構を備えているものを挙げることができる。 マイクロ波アプリケーター1201はマイクロ波透過性部
材1203を備えており、マイクロ波透過性部材1203は固定
リング1204によって固定されており、Ｏリング、メタル
シール等のシール材1205で真空を保持している。 マイクロ波は導波管1109からテーパ管1206で円形に交
換されて、マイクロ波透過性部材1203から成膜室内に放
射される。 また、マイクロ波透過性部材1203は、冷却ガス導入口
1207から導入された冷却ガスによって冷却される。 また、スリーブ1202は電気的接触を保ちながら伸縮で
きる構造になっており、伸びた状態Ｂでも縮んだ状態
Ｂ′でも安定してマイクロ波を伝送できる。 装置例18 装置例17において補助室1101にエツチングガスの導入
口を備えたものが挙げられる。 装置例19、20 装置例2,17に於て、補助室1101にエツチングガスの導
入口とRF高周波を印加する電極を備え、RF波プラズマに
よるドライエツチングを可能とする構成の装置が挙げら
れる。 その他の装置例 例えば装置例８において、堆積膜形成用の隔離容器30
0,300-a,300-bで上述した種々のマイクロ波アプリケー
ターを組み合わせて取り付けた装置。 また、装置例８で示した装置を２連又は３連接続した
装置、及び前述のRFプラズマCVD法による堆積膜形成手
段を混在させて接続した装置等を挙げることができる。 また、装置例１又は２で示した装置において、成膜室
の両端面に２対又それ以上のマイクロ波アプリケーター
を配設し、より大きなマイクロ波プラズマ領域を形成さ
せ、帯状部材の搬送送度は変えず、比較的厚膜の機能性
堆積膜を形成できるようにした装置等を挙げることがで
きる。 本発明の方法及び装置によって好適に製造される半導
体デバイスの一例として太陽電池が挙げられる。その層
構成として、典型的な例を模式的に示す図を第８図
（Ａ）乃至（Ｄ）に示す。 第８図（Ａ）に示す例は、支持体801上に下部電極80
2、ｎ型半導体層803、ｉ型半導体層804、ｐ型半導体層8
05、透明電極806及び集電電極807をこの順に堆積形成し
た光起電力素子800である。なお、本光起電力素子では
透明電極806の側より光の入射が行われることを前提と
している。 第８図（Ｂ）に示す例は、透光性の支持体801上に透
明電極806、ｐ型半導体層805、ｉ型半導体層804、ｎ型
半導体層803及び下部電極802をこの順に堆積形成した光
起電力素子800′である。本光起電力素子では透光性の
支持体801の側より光の入射が行われることを前提とし
ている。 第８図（Ｃ）に示す例は、バンドギヤツプ及び／又は
層厚の異なる２種の半導体層をｉ層として用いたpin接
合型光起電力素子811、812を２素子積層して構成され
た、いわゆるタンデム型光起電力素子813である。801は
支持体であり、下部電極802、ｎ型半導体層803、ｉ型半
導体層804、ｐ型半導体層805、ｎ型半導体層808、ｉ型
半導体層809、ｐ型半導体層810、透明電極806及び集電
電極807がこの順に積層形成され、本光起電力素子では
透明電極806の側より光の入射が行われることを前提と
している。 第８図（Ｄ）に示す例は、バンドギヤツプ及び／又は
層厚の異なる３種の半導体層をｉ層として用いたpin接
合型光起電力素子820、821、823を３素子積層して構成
された、いわゆるトリプル型光起電力素子824である。8
01は支持体であり、下部電極802、ｎ型半導体層803、ｉ
型半導体層804、ｐ型半導体層805、ｎ型半導体層814、
ｉ型半導体層815、ｐ型半導体層816、ｎ型半導体層81
7、ｉ型半導体層818、ｐ型半導体層819、透明電極806及
び集電電極807がこの順に積層形成され、本光起電力素
子では透明電極806の側より光の入射が行われることを
前提としている。 なお、いずれの光起電力素子においてもｎ型半導体層
とｐ型半導体層とは目的に応じて各層の積層順を入れ変
えて使用することもできる。 以下、これらの光起電力素子の構成について説明す
る。 支持体 本発明において用いられる支持体801は、フレキシブ
ルであって湾曲形状を形成し得る材質のものが好適に用
いられ、導電性のものであっても、また電気絶縁性のも
のであってもよい。さらには、それらの透光性のもので
あっても、また非透光性のものであってもよいが、支持
体801の側より光入射が行われる場合には、もちろん透
光性であることが必要である。 具体的には、本発明において用いられる前記帯状部材
を挙げることができ、該帯状部材を用いることにより、
作製される太陽電池の軽量化、強度向上、運搬スペース
の低減等が図れる。 電極 本光起電力素子においては、当該素子の構成形態によ
り適宜の電極が選択使用される。それらの電極として
は、下部電極、上部電極（透明電極）、集電電極を挙げ
ることができる。（ただし、ここでいう上部電極とは光
の入射側に設けられたものを示し、下部電極とは半導体
層を挟んで上部電極に対向して設けられたものを示すこ
ととする。） これらの電極について以下に詳しく説明する。 （Ｉ）下部電極 本発明において用いられる下部電極802としては、上
述した支持体801の材料が透光性であるか否かによっ
て、光起電力発生用の光を照射する面が異なる故（たと
えば支持体801が金属等の非透光性の材料である場合に
は、第８図（Ａ）で示したごとく透明電極806側から光
起電力発生用の光を照射する。）、その設置される場所
が異なる。 具体的には、第８図（Ａ），（Ｃ）及び（Ｄ）のよう
な層構成の場合には支持体801とｎ型半導体層803との間
に設けられる。しかし、支持体801が導電性である場合
には、該支持体が下部電極を兼ねることができる。ただ
し、支持体801が導電性であってもシート抵抗値が高い
場合には、電流取り出し用の低抵抗の電極として、ある
いは支持体面での反射率を高め入射光の有効利用を図る
目的で電極802を設置してもよい。 第８図（Ｂ）の場合には透光性の支持体801が用いら
れており、支持体801の側から光が入射されるので、電
流取り出し及び当該電極での光反射用の目的で、下部電
極802が支持体801と対向して半導体層を挟んで設けられ
ている。 また、支持体801として電気絶縁性のものを用いる場
合には電流取り出し用の電極として、支持体801とｎ型
半導体層803との間に下部電極802が設けられる。 電極材料としては、Ag,Au,Pt,Ni,Cr,Cu,Al,Ti,Zn,Mo,
W等の金属又はこれらの合金が挙げられ、これ等の金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング等
で形成する。また、形成された金属薄膜は光起電力素子
の出力に対して抵抗成分とならぬように配慮されねばな
らず、シート抵抗値として好ましは50Ω以下、より好ま
しくは10Ω以下であることが望ましい。 下部電極802とｎ型半導体層803との間に、図中には示
されていないが、導電性酸化亜鉛等の拡散防止層を設け
ても良い。該拡散防止層の効果としては電極802を構成
する金属元素がｎ型半導体層中へ拡散するのを防止する
のみならず、若干の抵抗値をもたせることで半導体層を
挟んで設けられた下部電極802と透明電極806との間にピ
ンホール等の欠陥で発生するシヨートを防止すること、
及び薄膜による多重干渉を発生させ入射させた光を光起
電力素子内に閉じ込める等の効果を挙げることができ
る。 （II）上部電極（透明電極） 本発明において用いられる透明電極806としては太陽
や白色蛍光灯等からの光を半導体層内に効率良く吸収さ
せるために光の透過率が85％以上であることが望まし
く、さらに、電気的には光起電力素子の出力に対して抵
抗成分とならぬようにシート抵抗値は100Ω以下である
ことが望ましい。このような特性を備えた材料としてSn
O2,In2O3,ZnO,CdO,Cd2SnO4,ITO(In2O3+SnO2)などの金属
酸化物や、Au,Al,Cu等の金属を極めて薄く半透明状に成
膜した金属薄膜等が挙げられる。透明電極は第８図
（Ａ），（Ｃ），（Ｄ）においてはｐ型半導体層805層
の上に積層され、第８図（Ｂ）においては基板801の上
に積層されるものであるため、互いの密着性の良いもの
を選ぶことが必要である。これらの作製方法としては、
抵抗加熱蒸着法、電子ビーム加熱蒸着法、スパツタリン
グ法、スプレー法等を用いることができ所望に応じて適
宜選択される。 （III）集電電極 本発明において用いられる集電電極807は、透明電極8
06の表面抵抗値を低減させる目的で透明電極806上に設
けられる。電極材料としてはAg,Cr,Ni,Al,Ag,Au,Ti,Pt,
Cu,Mo,W等の金属またはこれらの合金の薄膜が挙げられ
る。これらの薄膜は積層させて用いることができる。ま
た、半導体層への光入射光量が十分に確保されるよう、
その形状及び面積が適宜設計される。 たとえば、その形状は光起電力素子の受光面に対して
一様に広がり、且つ受光面積に対してその面積は好まし
くは15％以下、より好ましくは10％以下であることが望
ましい。 また、シート抵抗値としては、好ましくは50Ω以下、
より好ましくは10Ω以下であることが望ましい。 ｉ型半導体層 本発明によって作製される光起電力素子において好適
に用いられるｉ半導体層を構成する半導体材料として
は、A-Si:H,A-Si:F,A-Si:H:F,A-SiC:H,A-SiC:F,A-SiC:
H:F,A-SiGe:H,A-SiGe:F,A-SiGe:H:F,poly-Si:H,poly-S
i:F,poly-Si:H:F等いわゆるIV族及びIV族合金系半導体
材料の他、II-VI族及び、III-V族のいわゆる化合物半導
体材料等が挙げられる。 ｐ型半導体層及びｎ型半導体層 本発明によって作製される光起電力素子において好適
に用いられるｐ型又はｎ型半導体層を構成する半導体材
料としては、前述したｉ型半導体層を構成する半導体材
料に価電子制御剤をドーピングすることによって得られ
る。 〔製造例〕 以下、本発明のマイクロ波プラズマCVD装置を用いて
の具体的製造例を示すが、本発明はこれらの製造例によ
って何ら限定されるものではない。
【製造例１】 装置例７で示した連続式マイクロ波プラズマCVD装置
（第３図）を用い、アモルフアスシリコン膜の連続堆積
を行った。 まず、基板送り出し機構を有する真空容器301に、十
分に脱脂、洗浄を行ったSUS430BA製帯状基板（幅45cm×
長さ200m×厚さ0.25mm）の巻きつけられたボビン303を
セツトし、該基板101をガスゲート321及び隔離容器300
中の搬送機構を介して、更にガスゲート322を介し、基
板巻き取り機構を有する真空容器302まで通し、たるみ
のない程度に張力調整を行った。 そこで、各真空容器301、302及び隔離容器300を不図
示のロータリポンプで荒引きし、次いで不図示のメカニ
カルブースターポンプを起動させ10-3Torr付近まで真空
引きした後、更に温度制御機構106a、106bを用いて、帯
状部材の表面温度を250℃に保持しつつ、不図示の油拡
散ポンプ（バリアン製HS-32）にて５×10-6Torr以下ま
で真空引きした。 なお、マイクロ波アプリケーターの形状、及び湾曲形
状等の条件を第７表に示した。 十分に脱ガスが行われた時点で、ガス導入管（不図
示）より、SiH4 450sccm、SiF4 5sccm、H2 100sccmを導
入し、前記油拡散ポンプに取り付けられたスロツトルバ
ルブの開度を調整して隔離容器300内の圧力を5mTorrに
保持した。圧力が安定したところで、不図示の2.45GHz
仕様のマイクロ波電極より、実効パワーで）85kW×２の
マイクロ波を対向して一対設けられたアプリケーター10
7、108より成膜室内に放射させた。直ちに、導入された
原料ガスはプラズマ化し、プラズマ領域を形成し、該プ
ラズマ領域は支持・搬送用ローラー102、103の間隙より
隔離容器側に漏れ出ることはなかった。また、マイクロ
波の漏れも検出されなかった。 そこで、支持・搬送用ローラー102、103及び支持・搬
送要リング104、105（いずれも駆動機構は不図示）を起
動し、前記基板101の搬送スピードが）6m/minとなるよ
うに制御した。 なお、ガスゲート321、322にはゲートガス導入管31
6、317よりゲートガスとしてH2ガスを50sccm流し、排気
孔318、318より不図示の油拡散ポンプで排気し、ガスゲ
ート内圧は1mTorrとなるように制御した。 搬送を開始してから30分間、連続して堆積膜の形成を
行った。なお、長尺の基板を用いているため、本製造例
の終了後、引き続き他の堆積膜の形成を実施し、すべて
の堆積終了後、基板を冷却して取り出し、本製造例にお
いて形成された基板上の堆積膜膜厚分布を幅方向及び長
手方向について測定したところ５％以内に納まってお
り、堆積速度は平均125/secであった。また、その一部
を切り出し、FT-IR（パーキン・エルマー社製1720X）を
用い反射法により赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、2000cm-1及び630cm-1に吸収が認められA-Si:H:F膜
に特有の吸収パターンであった。更に、RHEED（JEM-100
SX、日本電子製）により膜の結晶性を評価したところ、
ハローで、非晶質であることが判った。また、金属中水
素分析計（EMGA-1100、堀場製作所製）を用いて膜中水
素量を定量したところ20±2atomic％であった。
【製造例２】 製造例１において実施した堆積膜形成工程にひき続
き、用いた原料ガスの導入を止め、隔離容器300の内圧
を５×10-6Torr以下まで真空引きした後、ガス導入管
（不図示）より、SiH4 100sccm、GeH4 80sccm、SiF4 3s
ccm、H2 100sccmを導入し、内圧を10mTorrに保持し、マ
イクロ波電力を0.5kW×２とし、搬送速度を30cm/minと
した以外は同様の堆積膜形成条件でアモルフアスシリコ
ンゲルマニウム膜の連続堆積を行った。 本製造例及び他の製造例終了後、基板を冷却して取り
出し、本製造例において形成された堆積膜の膜厚分布を
幅方向及び長手方向について測定したところ、５％以内
に納まっており、堆積速度は49Å/secであった。 また、その一部を切り出し、FT-IR（パーキン・エル
マー社製1720X）を用い反射法により赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、2000cm-1,1880cm-1及び630cm-1に
吸収が認められ、A-SiGe:H:F膜に特有の吸収パターンで
あった。更に、RHEED（JEM-100SX、日本電子製）により
膜の結晶性を評価したところ、ハローで、非晶質である
ことが判った。また、金属中水素分析計（EMGA-1100、
堀場製作所製）を用いて膜中水素量を定量したところ15
±2atomic％であった。
【製造例３】 製造例１において実施した堆積膜形成工程にひき続
き、用いた原料ガスの導入を止め、隔離容器300の内圧
を５×10-6Torr以下まで真空引きした後、ガス導入管
（不図示）より、SiH4 140sccm、CH4 20sccm、SiF4 5sc
cm、H2 300sccmを導入し、内圧を22mTorrに保持し、マ
イクロ波電力を1.1kW×２とした以外は同様の堆積膜形
成条件でアモルフアスシリコンカーバイド膜の連続堆積
を行った。 本製造例及び他の製造例終了後、基板を冷却して取り
出し、本製造例において形成された堆積膜の膜厚分布を
幅方向及び長手方向について測定したところ、５％以内
に納まっており、堆積速度は平均42Å/secであった。 また、その一部を切り出し、FT-IR（パーキン・エル
マー社製1720X）を用い、反射法により赤外吸収スペク
トルを測定したところ、2080cm-1、1250cm-1、960c
m-1、777cm-1及び660cm-1に吸収が認められ、A-SiC:H:F
膜に特有の吸収パターンであった。更に、RHEED（JEM-1
00SX、日本電子製）により膜の結晶性を評価したとこ
ろ、ハローで、非晶質であることが判った。また、金属
中水素分析計（EMGA-1100、堀場製作所製）を用いて膜
中水素量を定量したところ12±2atomic％であった。
【製造例４】 製造例１において実施した堆積膜形成工程にひき続
き、用いた原料ガスの導入を止め、隔離容器300の内圧
を５×10-6Torr以下まで真空引きした後、ガス導入管
（不図示）より、SiH4 220sccm、BF3（3000ppm、H2希
釈）40sccm、SiF4 25sccm、H2 600sccmを導入し、内圧
を7mTorrに保持し、マイクロ波電力を1.2kW×２とした
以外は同様の堆積膜形成条件でｐ型の微結晶シリコン膜
の連続堆積を行った。 本製造例及び他の製造例終了後、基板を冷却して取り
出し、本製造例において形成された堆積膜の膜厚分布を
幅方向及び長手方向について測定したところ、５％以内
に納まっており、堆積速度は平均60Å/secであった。 また、その一部を切り出し、FT-IR（パーキン・エル
マー社製1720X）を用い反射法により赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、2100cm-1及び630cm-1に吸収が認
められ、μC-Si:H:F膜に特有の吸収パターンであった。
更に、RHEED（JEM-100SX、日本電子製）により膜の結晶
性を評価したところ、リング状で、無配向の多結晶質で
あることが判った。また、金属中水素分析計（EMGA-110
0、堀場製作ところ製）を用いて膜中水素量を定量した
ところ４±1atm％であった。
【製造例５】 製造例１において実施した堆積膜形成工程にひき続
き、用いた原料ガスの導入を止め、隔離容器300の内圧
を５×10-6Torr以下まで真空引きした後、ガス導入管
（不図示）より、SiH4 320sccm、PH3（１％H2希釈）27s
ccm、SiF4 5sccm、H2 50sccmを導入し、内圧を8mTorrに
保持し、マイクロ波電力を0.8kW×２とした以外は同様
の堆積膜形成条件でｎ型のアモルフアスシリコン膜の連
続堆積を行った。 本製造例及び他の製造例終了後、基板を冷却して取り
出し、本製造例において形成された堆積膜の膜厚分布を
幅方向及び長手方向について測定したところ、５％以内
に納まっており、堆積速度は平均86Å/secであった。 また、その一部を切り出し、FT-IR（パーキン・エル
マー社製1720X）を用い反射法により赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、2000cm-1及び630cm-1に吸収が認
められ、A-Si:H:F膜に特有の吸収パターンであった。更
に、RHEED（JEM-100SX、日本電子製）により膜の結晶性
を評価したところ、ハローで、非晶質であることが判っ
た。また、金属中水素分析計（EMGA-1100、堀場製作と
ころ製）を用いて膜中水素量を定量したところ22±2atm
ic％であった。
【製造例６】 製造例１において、SUS430BA製帯状基板のかわりに、
PET（ポリエチレンテレフタレート）製帯状基板（幅45c
m×長さ100m×厚さ0.9mm）を用い、基板表面温度を210
℃とした以外は、全く同様の操作にてアモルフアシリコ
ン膜の連続堆積を行った。 基板を冷却後取り出し、まず、膜厚分布を幅方向及び
長手方向について測定したところ５％以内に納まってお
り、堆積速度は平均120Å/secであった。また、その一
部を切り出し、FT-IR（パーキン・エルマー社製1720X）
を用い、リフアレンス透過法により赤外吸収スペクトル
を測定したところ、2000cm-1及び630cm-1に吸収が認め
られ、A-Si:H:F膜に特有の吸収パターンであった。ま
た、2000cm-1付近のSi-Hに帰属される吸収から膜中水素
量を定量したところ、25±2atomic％であった。 更に、RHEED（JEM-100SX、日本電子製）により膜の結
晶性を評価したところ、ハローで、非晶質であることが
判った。 また、他の20箇所の部分をランダムに切り出し、それ
ぞれについてAl製くし型ギヤツプ電極（幅250μｍ、長
さ5mm）を抵抗加熱蒸着法にて蒸着し、AM-1光（100mw/c
m2）照射下での光電流値、及び暗中での暗電流値をHP41
40Bを用いて測定し、明導電率σｐ（S/cm）、及び暗導
電率σｄ（S/cm）を求めたところ、それぞれ（5.0±0.
5）×10-5S/cm及び（1.5±0.5）×10-11S/cmの範囲内に
納まっていた。
【製造例７】 本製造例においては、第７図の断面模式図に示す層構
成のシヨツトキー接合型ダイオードを第３図に示す装置
を用いて、作製した。 ここで、701は基板、702は下部電極、703はn+型半導
体層、704はノンドーブの半導体層、705は金属層、70
6、707は電流取り出し用端子である。 まず、製造例１で用いたのと同様のsus430BA製基板10
1を連続スパツタ装置にセツトし、Cr（99.98％）電極を
ターゲツトとして用いて、1300ÅのCr薄膜を堆積し、下
部電極702を形成した。 ひき続き、該帯状部材を装置例７で示した第３図の連
続堆積膜形成装置の真空容器301中の送り出し用ボビン3
03にセツトし、Cr薄膜の堆積された面を下側に向けた状
態で隔離容器300を介して、真空容器302中の巻き取り用
ボビン304にその端部を巻きつけ、たるみのないよう張
力調整を行った。 なお、本製造例における基板の湾曲形状等の条件は第
７表に示したのと同様とした。 その後、不図示の排気ポンプにて、各真空容器の排気
管309、310、311を介して、製造例１と同様の荒引き、
高真空引き操作を行った。この時、帯状部材の表面温度
は250℃となるよう、温度制御機構106a、106bにより制
御した。 十分に脱ガスが行われた時点で、ガス導入管（不図
示）より、SiH4 300sccm、SiF4 4sccm、PH3／H3（１％H
2希釈）55sccm、H2 40sccmを導入し、スロツトルバルブ
709の開度を調整して、隔離容器300の内力を8mTorrに保
持し、圧力が安定したところで、直ちに不図示のマイク
ロ波電源より0.8kW×２のマイクロ波を一対のマイクロ
波アプリケーター107、108より放射させた。プラズマが
生起したと同時に搬送を開始し、60cm/minの搬送スピー
ドで図中左側から右側方向へ搬送しつつ５分間の堆積操
作を行った。これにより、n+半導体層703としてのn+A-S
i:H:F膜が下部電極702上に形成される。 なお、この間ガスゲート321、322にはゲートガスとし
てH2を50sccm流し、排気孔318より不図示の排気ポンプ
で排気し、ガスゲート内圧は1.5mTorrとなるように制御
した。 マイクロ波の供給及び原料ガスの導入を止め、また、
また、帯状部材の搬送を止めてから隔離容器300の内圧
を５×10-6Torr以下まで真空引きした後、再びガス導入
管より、SiH4 320sccm、SiF4 6sccm、H2 60sccmを導入
し、スロツトルバルブ309の開度を調整して、隔離容器3
00の内圧を6mToorに保持し、圧力が安定したところで、
直ちに不図示のマイクロ波電源より0.7kW×２のマイク
ロ波をアプリケーター107、108より放射させた。プラズ
マが生起したのと同時に搬送を開始し、60cm/minの搬送
スピードで図中右側から左側方向へ逆転搬送しつつ、5.
5分間の堆積操作を行った。これにより、n+A-Si:H:F膜
上にノンドープの半導体層704としてのA-Si:H:F膜が積
層形成された。 すべての堆積操作終了後、マイクロ波の供給、原料ガ
スの供給を止め、基板の搬送を止め十分に隔離容器300
内の残留ガスの排気を行い、基板を冷却後取り出した。 該基板の10箇所をランダムにφ5mmのパーマロイ製マ
スクを密着させ、金属層705としてのAu薄膜を電子ビー
ム蒸着法にて80Å蒸着した。続いて、ワイヤボンダーに
て電流取り出し用端子706、707をボンデイングし、HP41
40Bを用いてダイオード特性を評価した。 その結果、ダイオード因子ｎ＝1.2±0.05、±1Vでの
整流比約６桁と良好なダイオード特性を示した。
【製造例８】 本製造例においては、第８図（Ａ）の断面模式図に示
す層構成のpin型光起電力素子を第４図に示す装置を用
いて作製した。 該光起電力素子は、基板801上に下部電極802、ｎ型半
導体層803、ｉ型半導体層804、ｐ型半導体層805、透明
電極806及び集電電極807をこの順に堆積形成した光起電
力素子800である。なお、本光起電力素子では透明電極8
06の側より光の入射が行われることを前提としている。 まず、製造例６で用いたのと同様のPET製帯状基板を
連続スパツタ装置にセツトし、Ag（99.99％）電極をタ
ーゲツトとして用いて1000ÅのAg薄膜を、また連続して
ZnO（99.999％）電極をターゲツトとして用いて1.2μｍ
のZnO薄膜をスパツタ蒸着し、下部電極802を形成した。 ひき続き、該下部電極802の形成された帯状基板を第
４図で示した連続堆積膜形成装置に、製造例７で行った
のと同様の容量でセツトした。この時の隔離容器300内
における基板の湾曲形状及び誘電体シート移送条件等の
条件を第８表に示す。 また、隔離容器300-a、300-bにおいては、第９表に示
す堆積膜形成条件でｎ型A-Si:H:F膜及びp+型μc-Si:H:F
膜の形成を行った。 まず、各々の成膜室内でマイクロ波プラズマを生起さ
せ、放電等が安定したところで帯状部材101を搬送スピ
ード55cm/minで図中左側から右側方向へ搬送させ、連続
して、ｎ、ｉ、ｐ型半導体層を積層形成した。 帯状部材101の全長に亘って半導体層を積層形成した
後、冷却後取り出し、更に、連続モジユール化装置にて
35cm×70cmの太陽電池モジユールを連続作製した。 作製した太陽電池モジユールについて、AM1.5（100mW
/cm2）光照射下に特性評価を行ったところ、光電変換効
率で8.3％以上が得られ、更にモジユール間の特性のバ
ラツキは５％以内に納まっていた。 またAM1.5（100mW/cm2）光の500時間連続照射後の光
電変換効率の初期値に対する変化率を測定したところ10
％以内に納まった。 これらのモジユールを接続して3kWの電力供給システ
ムを作製することができる。
【製造例９】 本製造例では、製造例８で作製したpin型光起電力素
子において、ｉ型半導体層としてのA-Si:H:F膜のかわり
にA-SiGe:H:F膜を用いた例を示す。 A-SiGe:H:F膜の形成は、搬送速度を52cm/min、帯状部
材の表面温度を200℃とした以外は製造例２で行ったの
と同様の操作及び方法で行い、他の半導体層及びモジユ
ール化工程は製造例８と同様の操作及び方法で行い、太
陽電池モジユールを作製した。 作製した太陽電池モジユールについて、AM1.5（70mW/
cm2）光照射下にて特性評価を行ったところ、光電変換
効率で7.3％以上が得られ、更にモジユール間の特性の
バラツキは５％以内に納まっていた。 また、AM1.5（100mW/cm2）光の500時間連続照射後の
光電変換効率の初期値に対する変化率を測定したところ
10％以内に納まった。これらのモジユールを接続して3k
Wの電力供給システムを作製することができた。
【製造例１０】 本製造例では、製造例８で作製したpin型光起電力素
子において、ｉ型半導体層としてのA-Si:H:F膜のかわり
にA-SiC:H:F膜を用いた例を示す。 A-SiC:H:F膜の形成は、搬送速度を50cm/min、帯状部
材の表面温度を200℃とした以外は製造例３で行ったの
と同様の操作方法で行い、他の半導体層及びモジユール
化工程は製造例８と同様の操作及び方法で行い、太陽電
池モジユールを作製した。 作製した太陽電池モジユールについて、AM1.5（100mW
/cm2）光照射下にて特性評価を行ったところ、光電変換
効率で6.6％以上が得られ、更にモジユール間の特性の
バラツキは５％以内に納まっていた。 また、AM1.5（100mW/cm2）光の500時間連続照射後の
光電変換効率の初期値に対する変化率を測定したところ
10％以内に納まった。 これらのモジユールを接続して3kWの電力供給システ
ムを作製することができた。
【製造例１１】 本製造例では、第11図（Ｃ）に示す層構成の光起電力
素子を作製した。作製にあたっては、第８図に示す装置
において隔離容器300-a、300、300-bと同様の構成の隔
離容器を300-a′、300′、300-b′をこの順でガスゲー
トを介して接続させた装置（不図示）を用いた。 なお、帯状部材として製造例１で用いたのと同様の材
質及び処理を行ったものを用い、下部セルは製造例９
で、上部セルは製造例８で作製したのと同様の層構成と
し、各半導体層の堆積膜作製条件は第10表に示した。モ
ジユール化工程は製造例８と同様の操作及び方法で行
い、太陽電池モジユールを作製した。 作製した太陽電池モジユールについて、AM1.5（100mW
/cm2）光照射下にて特性評価を行ったところ、光電変換
効率で10.3％以上が得られ、更にモジユール間の特性の
バラツキは５％以内に納まっていた。 また、AM1.5（100mW/cm2）光の500時間連続照射後の
光電変換効率の初期値に対する変化率を測定したところ
９％以内に納まった。 これらのモジユールを接続して3kWの電力供給システ
ムを作製することができた。
【製造例１２】 本製造例では、第11図（Ｃ）に示す層構成の光起電力
素子を作製した。作製にあたっては、第４図に示す装置
において隔離容器300-a、300、300-bと同様の構成の隔
離容器を300-a′、300′、300-b′をこの順でガスゲー
トを介して接続させた装置（不図示）を用いた。 なお、帯状部材として製造例１で用いたのと同様の材
質及び処理を行ったものを用い、下部セルは製造例８
で、上部セルは製造例10で作製したのと同様の層構成と
し、各半導体層の堆積膜作製条件は第11表に示した。モ
ジユール化工程は製造例８と同様の操作及び方法で行
い、太陽電池モジユールを作製した。 作製した太陽電池モジユールについて、AM1.5（100mW
/cm2）光照射下にて特性評価を行ったところ、光電変換
効率で10.2％以上が得られ、更にモジユール間の特性の
バラツキは５％以内に納まっていた。 また、AM1.5（100mW/cm2）光の500時間連続照射後の
光電変換効率の初期値に対する変化率を測定したところ
９％以内に納まった。 これらのモジユールを接続して3kWの電力供給システ
ムを作製することができた。
【製造例１３】 本製造例では、第11図（Ｄ）に示す層構成の光起電力
素子を作製した。作製にあたっては、第４図に示す装置
において隔離容器300-a、300、300-bと同様の構成の隔
離容器を300-a′、300′、300-b′をこの順でガスゲー
トを介して接続させた装置（不図示）を用いた。 なお、帯状部材として製造例１で用いたのと同様の材
質及び処理を行ったものを用い、下部セルは製造例９
で、中間セルは製造例８、上部セルは製造例10で作製し
たのと同様の層構成とし、各半導体層の堆積膜作製条件
は第12表に示した。モジユール化工程は製造例８と同様
の操作及び方法で行い、太陽電池モジユールを作製し
た。 作製した太陽電池モジユールについて、AM1.5（100mW
/cm2）光照射下にて特性評価を行ったところ、光電変換
効率で10.4％以上が得られ、更にモジユール間の特性の
バラツキは５％以内に納まっていた。 また、AM1.5（100mW/cm2）光の500時間連続照射後の
光電変換効率の初期値に対する変化率を測定したところ
8.5％以内に納まった。 これらのモジユールを接続して3kWの電力供給システ
ムを作製することができた。
【製造例１４〜１９】 本製造例においては、製造例８〜13の製造例に於て、
前述の帯状基板を新しいものと交換する工程と同時に、
以下の工程でマイクロ波透過性部材の交換を行った。 まず成膜室116に導入していたSiH4,H2,SiF4等の原料
ガスを止め、油拡散ポンプで５×10-6以下まで真空排気
した後、Arを成膜室116に導入して圧力1.0Torrで封止し
た。 これと同時に補助室1101を補助室用のメカニカルブー
スターポンプとロータリポンプをバツクアツプに用いた
ターボモレキユラーポンプ（不図示）によって５×10-6
Torr以下まで真空排気した後、Arを導入して圧力1.0Tor
rで封止した。 次にマイクロ波透過性部材1103を含むマイクロ波アプ
リケーター1104を補助室1101へ（Ｂの位置からＢ′の位
置へ）移動させ、ゲートバルブ1113を閉じて補助室1101
と成膜室116を気密分離した。 その後、成膜室116にArを導入しつつ排気し、補助室1
101にArを導入して大気圧にし、開閉部（不図示）を開
けて堆積膜の付膜したマイクロ波透過性部材1103を新品
あるいは付膜した堆積膜をウエツトエツチして水洗、乾
燥させたものと交換した。 次に補助室1101を10mTorr以下に真空排気した後、Ar
を導入して10Torrに封入し、再び10mTorr以下に真空排
気し、以下Arの導入、排気の工程（Arパージ）の工程を
４回以上繰り返した。 次に補助室1101を５×10-6Torr以下に前記ターボモレ
キユラーポンプで真空排気し、前述の工程と同様の工程
で補助室1101と成膜室116にArを封入し、ゲートバルブ1
113を開けてマイクロ波アプリケーター1104を補助室の
位置Ｂ′から成膜室の位置Ｂに移動した。 その後補助室、成膜室ともに５×10-6Torr以下に真空
排気し、成膜室にH2を1Torrまで導入した後、再び５×1
0-6Torr以下に真空排気した後、十分に脱ガスが行わ
れ、帯状基板の交換の工程が終了した時点で、堆積膜形
成用原料ガスを再導入し、堆積膜の形成を再開した。 なお、マイクロ波透過性部材の交換は、それぞれの半
導体層を堆積する成膜室すべてについて同時に行われ
た。 以上のマイクロ波透過性部材の交換に要した時間は約
１時間であり、堆積膜の形成再開後に製造された太陽電
池の特性の低下はほとんど認められなかった。
【製造例２０〜２５】 製造例14〜19に於て、補助室1101においてマイクロ波
透過性部材の交換ではなく、マイクロ波透過性部材に付
着した堆積膜のエツチングガスによるドライブエツチン
グを行う以外は同様の工程で堆積膜を連続的に形成し
た。 〔発明の効果の概要〕 本発明の方法によれば、成膜空間の側壁を構成する帯
状部材を連続的に移動せしめると共に、前記成膜空間の
側壁を構成する帯状部材の幅方向に、マイクロ波の進行
方向に対して平行に、もしくは垂直な一方向に指向性を
もたせるかあるいは垂直な全方向へ均一にマイクロ波エ
ネルギーを放射又は伝達せしめるマイクロ波アプリケー
ター手段を具備させ、前記成膜空間にマイクロ波プラズ
マを閉じ込めることによって、大面積の機能性堆積膜を
連続して、均一性良く形成することができる。 本発明の方法及び装置により、マイクロ波プラズマを
前記成膜空間内に閉じ込めることにより、マイクロ波プ
ラズマの安定性、再現性が向上すると共に堆積膜形成用
原料ガスの利用効率を飛躍的に高めることができる。更
に、前記帯状部材を連続して搬送させることによって、
湾曲の形状、長さ、及び搬送スピードを種々変化させる
ことによって任意の膜厚の堆積膜を大面積に亘り均一性
よく、連続して堆積形成できる。 本発明の方法及び装置によれば、比較的幅広で、且つ
長尺の帯状部材の表面上に連続して均一性良く機能性堆
積膜を形成できる。従って、特に大面積太陽電池の量産
機として好適に用いることができる。 また、放電を止めることなく、連続して堆積膜が形成
できるため、積層型デバイス等を作製するときには良好
な界面特性が得られる。 また、低圧下での堆積膜形成が可能となり、ボリシラ
シ粉の発生を抑えられ、また、活性種のポリマリゼーシ
ヨン等も抑えられるので欠陥の減少、及び膜特性の向
上、膜特性の安定性の向上等が図れる。 従って、稼働率、歩留りの向上が図れ、安価で高効率
の太陽電池を量産化することが可能となる。 更に、本発明の方法及び装置によって作製された太陽
電池は光電変換効率が高く、且つ、長期に亘って特性劣
化の少ないものとなる。 また、本発明の方法及び装置によれば、成膜室を大気
リークあるいは成膜室にエツチングガスを導入すること
なく、マイクロ波透過性部材の交換あるいはエツチング
を行うことができることによりマイクロ波透過性部材に
付着した堆積膜による基板への堆積速度の低下あるいは
マイクロ波透過性部材の破損といった問題を解決し、な
おかつマイクロ波透過性部材の交換あるいはエツチング
による堆積膜の形成の中断時間を大巾に短縮し、堆積膜
形成再開時の堆積膜の膜質の悪化をほとんどなくすこと
ができた。 以上により、堆積膜形成の稼働率と歩留りがさらに向
上した。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のマイクロ波プラズマCVD装置の模式的
概略図である。第２図は本発明のマイクロ波アプリケー
ター手段の概略図である。第３図乃至第５図は夫々本発
明の連続式マイクロ波プラズマCVD装置の一例の全体概
略図である。第６図は本発明における方形導波管の取付
け角度を説明するための断面模式図である。第７図は本
発明において作製されたシヨツトキー接合型ダイオード
の断面模式図である。第８図（Ａ）乃至第８図（Ｄ）
は、本発明において作製されたpin型光起電力素子（シ
ングル、タンデム、トリプル）の断面模式図である。第
９図は、帯状部材の処理方法を説明するための図であ
る。第10図は本発明におけるガスゲート手段の圧力勾配
を模式的に示した図である。第11図は本発明におけるマ
イクロ波透過性部材の交換あるいはエツチングを行うた
めの補助室の一例を示した断面図である。第12図は本発
明における前記補助室の他の一例を示した断面図であ
る。第13図はマイクロ波透過性部材に付着した堆積膜に
よる基板への堆積速度の低下を示すグラフである。 第１図乃至第13図について、 101……帯状部材、102,103……搬送用ローラー、104,10
5……搬送用リング、106a〜ｅ……温度制御機構、107,1
08,1104,1201……マイクロ波アプリケーター、109,110,
1102,1103,1203……マイクロ波透過性部材、111,112,11
09……方形導波管、113……ガス導入管、114……排気
管、115a,b……隔離通路、116……成膜室、200……マイ
クロ波アプリケーター、201,202……マイクロ波透過性
部材、203a,b……マイクロ波整合用円板、204……内
筒、205……外筒、206……固定用リング、207……チョ
ークフランジ、208……方形導波管、209……冷却媒堆、
210……Ｏリング、211……溝、212……メタルシール、2
13,214,1207……冷却空気導入・排出孔、301,302,501,5
02……真空容器、303……送り出し用ボビン、304……巻
き取り用ボビン、305,306……搬送用ローラー、307,30
8,309……スロツトルバルブ、310,311,318,319,320……
排気孔、312,313……温度調整機構、314,315……圧力
計、316,317,405,406,407,408……ゲートガス導入管、3
21,322,401,402,403,404……ガスゲート、409,410,411,
412……ゲートガス排気管、503,504……カソード電極、
505,506……ガス導入管、507,508……ハロゲンランプ、
509,510……アノード電極、511,512……排気管、701,80
1……支持体、702,802……下部電極、703,803,808,814,
817……ｎ型半導体層、704,804,809,815,818……ｉ型半
導体層、705……金属層、706,707……電流取り出し用端
子、800,800′,811,812,820,821,823……pin接合型光起
電力素子、805,810,816,819……ｐ型半導体層、806……
上部電極、807……集電電極、813……タンデム型光起電
力素子、824……トリプル型光起電力素子、901a……帯
状部材処理室（Ａ）、901b……帯状部材処理室（Ｂ）、
902,903,904,905,906……帯状部材、907a,907b……ロー
ラー、908a,908b……切断刃、909a,909b……溶接治具、
910,911,912,913……接続手段、1101……補助室、1105
……隔離容器の器壁、1106……ベローズ、1107……マイ
クロ波アプリケーター移動機構支持棒、1108……マイク
ロ波アプリケーター移動機構駆動装置、1110……導波管
接続具、1111……マイクロ波アプリケーター移動機構支
持台、1112……マイクロ波アプリケーター先端部、1113
……ゲートバルブ、1202……マイクロ波アプリケーター
伸縮スリーブ、1205……マイクロ波透過性部材シール
材、1206……テーパー管、1204……マイクロ波透過性部
材固定リング。

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】長手方向に帯状部材を移動せしめ、その中
    途で前記帯状部材上を側壁とする成膜空間を形成し、該
    形成された成膜空間内にガス供給手段を介して堆積膜形
    成用原料ガスを導入し、同時に、該成膜空間の両側から
    マイクロ波エネルギーをマイクロ波の進行方向に対して
    平行な方向に放射させるようにしたマイクロ波アプリケ
    ーター手段により、該マイクロ波エネルギーを放射させ
    てマイクロ波プラズマを該成膜空間内に生起せしめ、該
    マイクロ波プラズマに曝される前記側壁を構成する該帯
    状部材上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法
    による堆積膜形成方法であって、 前記マイクロ波アプリケーター手段は、前記帯状部材を
    側壁として形成される柱上の成膜空間の両端面のうち片
    側又は両側に配設され、前記マイクロ波アプリケーター
    手段の先端部分には、前記成膜空間と前記マイクロ波ア
    プリケーター手段との気密分離を行い、かつ、前記マイ
    クロ波アプリケーター手段により、前記マイクロ波透過
    性部材を介して前記成膜空間内にマイクロ波エネルギー
    を放射させると共に、 前記マイクロ波透過性部材は、前記成膜空間の気密を保
    持させつつ、前記成膜空間と隣接して連結され、前記成
    膜空間と気密分離可能な補助室に間欠的に移動し、前記
    補助室において、前記マイクロ波透過性部材を交換する
    かあるいはドライエッチングすることを特徴とする堆積
    膜形成方法。
  2. 【請求項２】前記帯状部材の中途において、湾曲開始端
    形成手段と湾曲終了端形成手段とを用いて、前記湾曲開
    始端形成手段と前記湾曲終了端形成手段との間に、前記
    帯状部材の長手方向に間隙を残して該帯状部材を湾曲さ
    せて前記成膜空間の側壁を形成する請求項１に記載の堆
    積膜形成方法。
  3. 【請求項３】前記マイクロ波アプリケーター手段を前記
    成膜空間の端面に垂直方向に配設し、前記マイクロ波エ
    ネルギーを前記側壁と平行は方向に放射させる請求項１
    に記載の堆積膜形成方法。
  4. 【請求項４】前記マイクロ波アプリケーター手段を、一
    方のマイクロ波アプリケーター手段により放射されるマ
    イクロ波エネルギーが他方のマイクロ波アプリケーター
    手段にて受信されないように配置されている請求項１に
    記載の堆積膜形成方法。
  5. 【請求項５】前記成膜空間に放射されたマイクロ波エネ
    ルギーが、前記成膜空間外へ漏洩しないようにされてい
    る請求項１に記載の堆積膜形成方法。
  6. 【請求項６】前記成膜空間に導入された堆積膜形成用原
    料ガスを、前記湾曲開始端形成手段と前記湾曲終了端形
    成手段との間で前記帯状部材の長手方向に残された間隙
    より排気するようにする請求項２に記載の堆積膜形成方
    法。
  7. 【請求項７】前記帯状部材の少なくとも一方の面には導
    電処理が施されている請求項１に記載の堆積膜形成方
    法。
  8. 【請求項８】長手方向に帯状部材を移動せしめ、その中
    途で前記帯状部材上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置
    であって、 該帯状部材を支持するため長手方向にそれ等の間に所定
    の空間を空けて互いに平行に配されているローラーの組
    によって送り出し機構から巻き取り機構に長手方向に移
    動する途中に設けられ、該帯状部材が壁として機能して
    形成される成膜空間を形成するため該帯状部材を支持す
    る成膜空間形成手段、 マイクロ波の進行方向に対して平行な方向にマイクロ波
    エネルギーを導入して前記成膜空間内にマイクロ波プラ
    ズマを発生するため、該成膜空間の対向する側面のそれ
    ぞれに接続されたマイクロ波アプリケーター手段、 前記成膜空間内部を排気するための排気手段、 前記成膜空間内に堆積膜形成用原料ガスを挿入するため
    のガス供給手段、 前記マイクロ波プラズマのプラズマ電位を制御するため
    のバイアス電圧を印加するためのバイアス印加手段、 前記帯状部材を加熱あるいは冷却するための温度制御手
    段、 とを有する堆積膜形成装置であって、 前記マイクロ波アプリケーター手段は、それぞれその先
    端部分に前記成膜空間と前記マイクロ波アプリケーター
    手段との気密分離を行い、かつ、前記マイクロ波アプリ
    ケーター手段から放射されるマイクロ波エネルギーを前
    記成膜空間内へ透過せしめるマイクロ波透過性部材が配
    設され、 前記成膜空間に隣接して、前記成膜空間と気密分離可能
    な補助室が配設され、前記マイクロ波透過性部材を前記
    成膜空間と前記補助室の間を、前記成膜空間の気密を保
    持させつつ移動させる機構を配設したことを特徴とする
    堆積膜形成装置。
  9. 【請求項９】前記ローラーは前記帯状部材を湾曲させる
    湾曲部形成手段を構成し、該湾曲部形成手段を、少なく
    とも一組以上の、湾曲開始端形成手段と湾曲終了端形成
    手段とで構成し、前記湾曲開始端形成手段と前記湾曲終
    了端形成手段との間に前記成膜空間が設けられる請求項
    ８に記載の堆積膜形成装置。
  10. 【請求項１０】前記ローラーの組は少なくとも一対の支
    持・搬送用ローラーを有し、該ローラーは湾曲部形成手
    段を構成するとともに、該湾曲部形成手段は支持・搬送
    用リングを有する請求項９に記載の堆積膜形成装置。
  11. 【請求項１１】前記成膜空間形成手段は前記ローラーの
    組と該ローラーの間に配された支持搬送リングからなる
    請求項８に記載の堆積膜形成装置。
  12. 【請求項１２】前記マイクロ波アプリケーター手段を前
    記成膜空間の側面にそれぞれ垂直方向に配設する請求項
    ８に記載の堆積膜形成装置。
  13. 【請求項１３】前記マイクロ波アプリケーター手段は方
    形又は楕円導波管を介してマイクロ波エネルギーが伝送
    される請求項12に記載の堆積膜形成装置。
  14. 【請求項１４】前記マイクロ波アプリケーター手段を前
    記成膜空間の両端面において互いに対向して配設去れる
    場合には、前記マイクロ波アプリケーター手段に接続さ
    れる前記方形又は楕円導波管の長辺を含む面同志、長軸
    を含む面同志、又は長辺を含む面と長軸を含む面同志が
    互いに平行にならないように配設されている請求項13に
    記載の堆積膜形成装置。
  15. 【請求項１５】前記方形又は楕円導波管の長辺を含む面
    又は長軸を含む面と、前記一対の支持搬送用ローラーの
    中心軸を含む面とのなす角度が垂直とならないように配
    設されている請求項13に記載の堆積膜形成装置。
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