DE3147986C2 - Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren - Google Patents
Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von MonomerenInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren zur Beschichtung der Substrate. Die Vorrichtung besteht aus einer Reaktionskammer für den Transport der Substrate und für die Aufrechterhaltung einer Atmosphäre aus ionisierbaren Gasen und Monomeren. Weiterhin besitzt die Vorrichtung eine erste und mindestens eine zweite Wellenleiter-Struktur, die beide unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und einseitig über einen Hohlleiter mit einem Mikrowellensender verbunden sind. Die zweite Wellenleiter-Struktur verläuft jedoch in entgegengesetzter Richtung unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche, wie die erste Mikrowellenstruktur. Hierdurch findet eine Überlagerung der Behandlungsintensitäten bzw. der Niederschlagsraten statt, die zu einer größeren Homogenität der Produkteigenschaften in Querrichtung der Substratbewegung führt.
Description
Ordnung dem Behandlungsvcrgang ausgesetzt wird, gilt
hinsichtlich der Verteilung der Behandlungsintensität
bzw. der Niederschlagsrate für alle Substrate grundsätzlich die gleiche Forderung.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt bei der eingangs beschriebenen Vorrichtung erfindungsgemäß dadurch,
daß neben der ersten Wellenleiter-Struktur auf der gleichen Seile der Substrate mindestens eine zweite langgestreckte
Wellenleiter-Struktur angeordnet ist, die gleichfalls qut.- zur Transportrichtung der Substrat verläuft,
jedoch in entgegengesetzter Richtung unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und
über einen zweiten Hohleiter mit einem Mikrowellensender verbunden ist
Das Wesen der Erfindung besteht darin, daß zwei Wellenleiter-Strukturen in antiparalleler Anordnung
auf der gleichen Seite des Substrats vorgesehen sind. Dadurch findet eine Überlagerung des Energieeintrags
beider Strukturen statt, die bei der Anordnung zweier Strukturen auf gegenüberliegenden Seiten des Substrats
nicht möglich wäre.
Bei Anwendung der erfindungsgemäßen Lehre ändert
sich diejenige Größe, weiche die Stärk« der Ankopplung
der Energie an das Plasma defir.isrt, nicht mehr exponentiell in Richtung der Querabmessungen
des Substrats, sondern nur in einem Maße, das der Überlagerung der beiden Leistungseinträge entspricht.
Ändert sich der Leistungseintrag einer jeden Struktur in deren Längsrichtung bzw. in Querrichtung des Substrats
gemäß einer e-Funktion, so läßt sich die Überlagerung dieser beiden in entgegengesetzter Richtung
verlaufenden Kurven durch eine Kettenlinie darstellen, die in etwa einem cosinus hyperbolicus entspricht
Beträgt beispielsweise bei Verwenduni? nur einer Wellenleiter-Struktur infolge Fehlanpassung das Verhältnis
des Energieeintrags an der einen Längskante des Substrats zu demjenigen an der anderen Längskante
»n« (z. B. D=Pm3x : />„,,„=2, 4 oder 6) so ergibt sich bei
Verwendung der beschriebenen antiparallelen Anordnung zweier Wellenleiter-Strukturen, bei gleicher Fehlanpassung
in der Mitte des Substrats (ungünstigste Stelle) eine prozentuale Abweichung »b«, die in folgender
Tabelle gezeigt ist:
2
4
6
5,2 20 45
Dies bedeutet, eine Anwendung der beschriebenen
Bezugsgroßen, die für die Anordnung mit einer Wellenleiter-Struktur
eine Inhomogenität der Leistungseintragung von 1 : 2 bewirkt, äußert sich im Fall der antiparallelen
Anordnung in einer Inhomogenität von nur ca. 5%. Hierbei ist zu beachten, daß bereits ein Wert von π = 2 in
aller Regel unvertretbar hoch ist.
Da bei der Plasmapolymerisation die Abscheidungsratc mit deni Leistungseintrag eng korreliert ist, läßt
sich auf di«.e Weise nicht nur eine höhere Niederschlagsrate
des Schichtmaterials erzeugen, sondern vor
allem eine Wesentlich größere Schichtgleichförmigkeit über die Bre'te des Substrats.
Die Verhältnisse lassen sich hinsichtlich der Überlagerung
der beiden Energieeinträge noch weiter verbessern, wenn <S'e Mittenebenen beider Wellenleiter-Strukturen,
die senkrecht zu Ceren Sprossen verlaufen, unter
einem solchen Winke! zueinander angestellt sind, daß sie sich in einer Geraden schneiden, die parallel zur
Substratoberfläche und senkrecht zur Transportrichtung ausgerichtet ist. Hierbei werden keine getrennten
plasmaerfüllten Räume mehr gebildet, sondern der gleiche
plasmaerfüllte Raum ist dem Einfluß beider Wellenleiter-Strukturen gleichzeitig ausgesetzt.
Bei derartigen Wellenleiter-Strukturen gibt es aber noch eine weiteres Problem, das seine Ursache in dem
ίο endlichen Abstand der Sprossen hat. Dadurch entsteht eine MikroStruktur der elektrischen Feldstärke, die die
Periode des Sprossenabstandes besitzt Auf der Länge, die einem Sprossenabstand entspricht ändert sich der
Energieeintrag um etwa den Faktor 2. Der Einfluß auf eine niedergeschlagene Schicht läßt sich etwa so darstellen,
daß die Schichtdickenverteilung einer Wellenlinie entspricht deren Maxima dem Sprossenabstand entsprechen.
Zur Lösung dieses Problems sind gemäß einer vorteilhaften
Weiterbildung der Erfindung die beiden Wellenleiter-Strukturen quer zur Transpc, richtung des Substrats
um einen halben Sprossenabstaiid gegeneinander verschoben. Auf diese Weise erfolgt eine weitgehende
Auslöschung der MikroStruktur durch Überlagerung der unterschiedlichen Schichtdicken auf einem quer zu
den Strukturen bewegten Substrat Dies wäre auch dann der Fall, wenn die Strukturen in Transportrichtung
des Substrats einen merklichen Abstand voneinander aufweisen. Wie bereits gesagt, können die Verhältnisse
jedoch dadurch verbessert werden, da3 die Strukturen in der Weise aufeinander zu geschwenkt werden, daß sie
auf einem gemeinsamen, plasmaerfüllten Raum einwirken.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Erfindungsgegenstandes
ergeben sich aus den übrigen Ansprüchen. Ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes
wird nachfolgend anhand der F i g. 1 bis 4 näher erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer vollständigen Vorrichtung mit zwei antiparallelen Wellenlener-Strukturen,
F i g. 2 einen Querschnitt durch den Gegenstand nach Fi g. I, in Transportrichtung der Substrate gesehen, jedoch
mit der Variante, daß die beiden antiparallelen Wellenleiter-Strukturen auf einen gemeinsamen plasmaerfüllten
Raum einwirken,
Fig.3 eine Kurvendarstellung der Energieeinträge
einer jeden Wellenleiter-Strukturen einschließlich der überlagerten Kurve und
Fig.4 eine Aufeinanderprojektion zweier Längsschnitte
durch die Mikrowellenstrukturen mit um einen halben Sprossenabstand verschobenen Sprossen.
In 7 i g. 1 ist eine Reaktionskammer 1 dargestellt, in der eine Vielzahl von Substraten 2 in flächiger Ausbreitung
auf einem ebenen Substratträger 3 STigeordnet
sind. Die Substrate 2 sind dabei mittels des Substratträgers 3 in Richtung des Pfeils 4 durch die Reaktionskammer
i transportierbar.
Der Substratträger 3 kann dabei zwischen einem nicht gezeigten Vorratsmagazin und einem gleichfalls
nicht gezeigten Aufnahmemagazin transportiert werden, die an beiden Enden der Reaktionskammer 1 angeordnet
sind. Es können aber auch an beiden Enden der Reaktionskammer 1 Chargierschlcuscn vorgesehen
werden.
An die Stelle der einzelnen Substrate 2 kann jedoch beispielsweise auch ein großflächiges Substrat in Form
einer Folie treten, die von einer nicht gezeigten Vorratsrolle auf eine gleichfalls nicht gezeigte Aufnahmerolle
umgewickelt wird. Die Folienrollen können dabei in besonderen Rollenkammern untergebracht werden; es ist
aber auch möglich, die Rollen außerhalb der Reaktionskammer 1 anzuordnen und die Folie durch spaltförmige
Dichtungen in Form von Druckstufenstrecken in die Reaktionskammer ein und aus dieser wieder herauszuführen.
Derartige Konstruktionsprinzipien von Reaktionskammern und Schleusen bzw. Druckstufenstrecken sind
jedoch Stand der Technik, so daß sich ein weiteres Eingehen hierauf erübrigt.
Die aus Metall bestehende Reaktionskammer 1 ist dabei mit einem Fenster 5 aus einem mikrowellendurchlässigen Werkstoff wie Quarzglas oder Aluminiumoxidkeramik, Polytetrafluoräthylen versehen. Das Fenster
ist in der Draufsicht rechteckig, wobei die Länge mindestens den Breiienabmessungcn der Substrate 2 bzv,·. des
Substratträgers 3 quer zur Transportrichtung (Pfeil 4) entspricht.
Oberhalb des Fensters 5 sind eine erste Wellenleiter-Struktur 6 und eine zweite Wellenleiter-Struktur 7 angeordnet. Beide Wellenleiter-Strukturen bestehen gemäß F i g. 2 aus zwei geraden Holmen 8 bzw. 9, die
paarweise parallel zueinander verlaufen, und zwischen denen sich gleich lange Sprossen 10 bzw. 11 erstrecken,
die mit den Holmen in metallischer Verbindung stehen.
Die Sprossen 10 bzw. 11 sind abwechselnd mit einem
von zwei Mittelieiu rn 12/13 bzw. 14/15 elektrisch leitend verbunden, wie dies nur in F i g. 2 dargestellt ist.
Diese Mixtelleiter sind in Fig. 1 der Übersichtlichkeit halber fortgelassen. Ausbildung und Anordnung solcher
Wellenleiter-Strukturen sind in der L1S-PS 38 14 983, insbesondere in den Fig. 4 bis 8 ausführlich dargestellt.
Gemäß Fig. 1 steht die erste Wellenleiter-Struktur 6
über einen Hohlleiter !6 mit einem Mikrnwellensender
17 in Verbindung, wobei die Verbindung durch eine gestrichelte Linie nur symbolisch angedeutet ist. Wesentlicher Teil des Mikrowellensenders 17 ist ein Magnetron.
Die Ankopplung der Wellenleiter-Struktur 6 an den Hohlleiter 16 ist gleichfalls Stand der Technik und beispielhaft in der US-PS 38 14 983, Fig. 4 und 5, dargestellt. Das jenseitige Ende der ersten Wellenleiter-Struktur 6 ist über einen weiteren Hohlleiter 18 mit
einer sogenannten Blindlast 19 verbunden, die einen Mikrowellen-Kurzschluß erzeugt. Die Wellenleiter-Struktur 6 verläuft unter einem spitzen Winkel zum Fenster 5
und zum Substratträger 3, wobei der größte Abstand an demjenigen Ende vorhanden ist, an dem sich der Hohlleiter 16 befindet. Der Anstellwinkel kann durch Verschiebung des Hohlleiters 16 in Richtung des links daneben dargestellten Doppelpfeils verändert werden. Der
Anstellwinkel wird dabei so gewählt, daß über die Länge der Wellenleiter-Struktur ein gleichmäßiger Energieeintrag in das Plasma erfolgt, konstante Entladungsparameter vorausgesetzt.
Das Plasma wird innerhalb der Reaktionskammer 1 gebildet, in der sich außer einem ionisationsfähigen Gas
wie beispielsweise Argon, auch eine monomere Komponente befindet, die sich unter dem Einfluß des Plasmas
polymerisieren läßt. Die Einstellung geeigneter Betriebsparameter ist gleichfalls Stand der Technik und
beispielhaft in der US-PS 38 !4 983 beschrieben.
Die zweite Wellenleiter-Struktur 7 ist — gleichfalls quer zur Transportrichtung der Substrate ausgerichtet
— neben der ersten Wellenleiter-Struktur 6 angeordnet; sie verläuft jedoch in entgegengesetzter Richtung
und hat den gleichen spitzen Winkel zur Substratoberfläche. Das am weitesten von der Substratoberfläche
entfernte Ende der zweiten Wellenleiter-Struktur 7 ist gleichfalls über einen Hohlleiter 20 in völlig analoger
Weise mit dem gleichen Mikrowellensender !7 verbunden. Das jenseitige Ende der Wellenleiter-Struktur 7 ist.
gleichfalls in analoger Weise, über einen weiteren Hohlleiter 21 mit einer weiteren Blindlast 22 verbunden.
Sämtliche Hohlleiter 16,18,20 und 21 sind zum Zwecke
ίο einer exakten Ausrichtung der Wellenleiter-Strukturen
6 und 7 relativ /ur Substratoberflächc in Richtung der Doppelpfeile längsverschiebbar angeordnet. Eine I cmeinstellung der Schichldickenvertcilung kann zusätzlich
durch Abstimmung der Leistungsverieilung auf die bei
den Strukturen erzielt werden.
Bei der Anordnung gemäß F i g. 1 sind die Mittenebenen der beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7. die
senkrecht zu den Sprossen verlaufen, parallel zueinander üP.d senkrecht zur Substretokerfläche auseerichtet.
Auf diese Weise werden unterhalb des Fensters 5 zwei langgestreckte plasmaerfüllte Räume ausgebildet, die
von den Substraten nacheinander durchlaufen werden. Es versteht sich, daß die Wellenleiterstrukturen 6 und 7
zusammen mit den am Ende angeordneten Hohlleitern
in ihrer Projektion auf das Fenster 5 in dessen lichtem
Querschnitt liegen. Diejenigen Hohlleiter 16 bzw. 20, über die der Leistungseintrag in das Plasma erfolgt, liegen an er'gegengesetzten Enden des Substratträgers 3,
quer zur Transportrichtung gesehen (Pfeil 4).
Die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 sind von einer gemeinsamen, mikrowelleni'odurchlässigen Abschirmung 23 umgeben, von der nur ein Teil dargestellt
ist.
F i g. 2 zeigt eine Variante des Gegenstandes nach
F i g. 1. Die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 sind
zwar identisch ausgebildet, jedoch sind die beiden Mittenebenen M\ und M2, die senkrecht zu den Sprossen 10
bzw. 11 verlaufen, unter einem solchen Winkel δ zueinander angestellt, daß sie sich in einer Geraden schnei-
den, die parallel zur Substratoberflächc und senkrecht zur Transportrichtung (Pfeil 4) ausgerichtet ist. Die
Grenzen der beiden plasmaerfüllten Räume sind angenähert durch gestrichelte Linien dargestellt. Die beiden
plasmaerfüllten Räume überschneiden sich in einem
schraffierten Bereich, wobei jedoch keine vollständige
Überdeckung vorliegt. Dies liegt daran, daß die Schnittlinie der Mittenebenen M\ und M2 unmittelbar in der
Oberfläche des Substrats 2 liegt. Die Überschneidung bzw. Überdeckung der plasmaerfüllten Räume läßt sich
jedoch noch weiter verbessern, wenn die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 — bei gleichem Anste!" vinkel der Mittenebenen — einander angenähert werden.
Hierbei entfernt sich die Schnittlinie der beiden Mittenebenen von der Substratoberfläche, bis schließlich ein
gemeinsamer, plasmaerfüllter Raum entsteht, der als Idealfal! anzusehen ist. Analoge Verhältnisse lassen sich
erreichen, wenn die Mittenebenen M\ und Mj unter
Vergrößerung des Winkels Jaufeinander zugeschwenkt werden.
Anhand vcn F i g. 3 sind die Energieeinträge E beider
Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 für den Fall dargestellt, daß die Anstellwinkel nicht genau den Entladungsparametern entsprechen. Auf der Abszizze sind die Substratabmessungen quer zur Transportrichtung dargestellt.
Die Punkte mit einem Leistungseintrag von 100% sind besonders hervorgehoben; die Lage dieser Punkte entspricht den seitlichen Begrenzungskanten des Substrats,
in Transportrichtung gesehen. Die einer e-Funktion ent-
sprechende Linie 'A4 repräsentiert dabei den Energieeintrag
der Wellenleiter-Struktur 6, während die Linie 25 den entgegengesetzten Energieeintrag der Wellcnleiler-Struktur
7 repräsentiert. Es ist erkennbar, daß die i'lncrgiccinträgc in Richtung auf die jeweils gegenüberliegende
Kante des Substrats bis auf einen Bruchteil des maximal möglichen Energieeintrags von 100% abniin.-...
Die Überlagerung der beiden Kurven führt jedoch /vir Kurve 2<
>, die eine Art Kettenlinie darstellt. Es ist zu erkennen, daß die Abnahme des Leistungseintrags
in der Mitte des Substrats wesentlich verringert wird, so
daß eine wesentlich gleichförmigere Behandlungsintensitäl bzw. Niederschlagsrate erzielt wird. Hierbei ist zu
berücksichtigen, daß die Verhältnisse in F i g. 3 übertriebcn dargestellt sind, um die Anschaulichkeit zu verbesscm.
|e besser die Anstellwinkel der Wellenleiter-Struktüren
auf die Entladungsparameter abgestimmt sind, um so günstiger gestaltet sich der Kurvenverlauf. In jedem
P;ill/> !»hör li^ifAn im Rprpi/^h At*r hniHi»n Δ nftpnlfiintpn
' -"- ---ο-
des Substrats keinerlei Abweichungen vor, und die Abweichungen in Substratmitte betragen nur einen Bruchteil
derjenigen Abweichungen, die sich ohne eine Überlagerung einstellen würden.
In F i g. 4 sind die Sprossen 10 der Wellenleiter-Struktu.'
6 ausgezogen dargestellt, während die Sprossen 11 der Wcllenleiter-Sitruktur 7 gestrichelt gezeigt sind. Es
handelt sich jewei Is um Schnitte entlang der Mittenebenen M| bzw. M2, wobei die Schnitte jedoch aufeinander
projiziert sind. Es ist erkennbar, daß die Sprossen der beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 um einen halben
Spr sscnabstand gegeneinander verschoben sind, wobei der Sprossenabstand mit Zb bezeichnet ist. Der Intensitätsverlauf
der Wellenleiter-Struktur 6 mit den Sprossen 10 besitzt aufgrund des endlichen Sprossenab-Standes
eine Mikrostruktur, die durch den ausgezogencn Kurvenzug 27 dargestellt ist. Der Energieverlauf
der Wellenleiter-Sitruktur 7 mit den Sprossen 11 ist analog
durch den gestrichelten Kurvenzug 28 angedeutet. Die durch die Überlagerung erzielte effektive Energieverteilung
entspricht dabei der gemeinsamen Hüllkurve der beiden Kurvsnzüge 27 und 28. Daraus ergibt sich,
daß die Mikrostruktur der Entladungsintensität durch den Versatz der Sprossen weitgehend ausgelöscht wird.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
50
60
65
Claims (6)
1. Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas
für die Behandlung von Substraten, insbe- s sondere'zur Plasmapolymerisation von Monomeren
zur Beschichtung der Substrate mit den gebildeten Polymerisaten, bestehend aus einer Reaktionskammer
für den Transport der Substrate und für die Aufrechterhaltung einer Atmosphäre aus ionisierbaren
Gasen und Monomeren, sowie aus einer quer zur Transportrichtung der Substrate verlaufenden
langgestreckten ersten Wellenleiter-Struktur, die unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche
ausgerichtet und einseitig über einen ersten Hohlleiter mit einem Mikrowellensender verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, daß neben der ersten Wellenleiter-Struktur (6) auf der gleichen Seite
der Substrate mindestens eine zweite langgestreckte WeJJ -:nleiter-Stinktur (7) angeordnet ist, die
gleichfalls qnsr zur Transportrichtung der Substrate
(2) verläuft jedoch in entgegengesetzter Richtung unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche
ausgerichtet und über einen zweiten Hohlleiter (20) mit einem Mikrowellensender (17) verbunden ist
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiter-Strukturen aus je
zwei geraden Holmen (8,9) bestehen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen (10,11) erstreckt,
die abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern (12/13; 14/15} leitend verbunden sind, und daß diejenigen
Mittenebenen beider Wellenleiter-Strukturen (6,7), die senkrecht zu den Spröden verlaufen, parallel
zueinander und senkrecht zur Substratoberfläche ausgerichtet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiter-Strukturen (6, 7) aus
je zwei geraden Holmen (8, 9) bestehen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen (10, 11) erstreckt,
die abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern (12/13 bzw. 14/15) leitend, verbunden sind,
und daß diejenigen Mittenebenen (Mi bzw. M2) beider
Wellenleiter-Strukturen (6, 7), die senkrecht zu den Sprossen (10,11) verlaufen, unter einem solchen
Winkel (J) zueinander angestellt sind, daß sie sich in einer Geraden schneiden, die parallel zur Substratoberfläche
und senkrecht zur Transportrichtung ausgerichtet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet,
daß die Reaktionskammer (1) mit einem mikrowellendurchlässigen Fenster (5) versehen ist,
das parallel zur Substratoberfläche verläuft, und daß die beiden Wellenleiter-Strukturen (6, 7) außerhalb
der Reaktionskammer und vor dem Fenster (5) angeordnet sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens zwei Wellenleiter-Strukturen
(6, 7) von einer gemeinsamen Abschirmung (23) umgeben sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Wellenleiter-Strukturen
(6,7) quer zur Transportrichtung des Substrats (2) um einen halben Sprossenabstand ('Λ Zo) gegeneinander
verschoben sind.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Erzeugung sines Mikrowellenplasmas für die Behandlung
von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren zur Beschichtung der Substrate
mit den gebildeten Polymerisaten, bestehend aus einer Reaktionskammer für den Transport der Substrate und
für die Aufrechterhaltung einer Atmosphäre aus ionisierbaren Gasen und Monomeren, sowie aus ,einer quer
zur Transportrichtung der Substrate verlaufende!, langgestreckten ersten Wellenleiter-Struktur, die unter einem
spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und einseitig über einen ersten Hohlleiter mit einem
Mikrowellensendcr verbunden ist.
Eine derartige Vorrichtung ist durch die US-PS 3f 14 983 bekannt. Die Wellenleiter-Strukturen bestehen
dabei aus je zwei geraden Holmen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen erstreckt Die Sprossen
sind abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitrm leitend verbunden, die zur Einleitung der Energie vom
Mikrowellensender in die Wellenleiter-Struktur dienen. Durch die gleiche Druckschrift ist es bereits bckijnnl.
zwischen der Wellenleiter-Struktur und dem Mikrowellenplasma eine mikrowellendurchlässige Wand (Glasrohr)
anzuordnen. Sofern sich in dem Glasrohr ein ionisierbares Gas und ein polymerisationsfähiges Monomeres
befinden, lassen sich Polymerisate erzeugen.
Schließlich ist es du-ch die gleiche Druckschrift auch
bereits bekannt, mit einer derartigen Vorrichtung flächige Substrate in Form von Bändern, Folien oder Platten
zu beschichten, wobei auf den beiden entgegengesetzten Seiten des Substrats je eine Wellenleiter-Struktur
angeordnet ist
Bei der Behandlung bzw. Beschichtung großflächiger Substrate ist jedoch eine möglichst gleichförmige Behandlungsintensität
bzw. Niederschlagsrate des Schichtmaterials über die gesamte Substratbreite uncrläßllich.
Dies setzt einen entsprechend homogenen l.eistungseintrag in das Plasma über die Substratbreile voraus.
Bei der bekannten Vorrichtung wird zur Erreichung eines gleichmäßigen Leistungseintragi in das Plasma die
Wellenleiter-Struktur um einen experimentell zu ermittelnden spitzen Winkel geneigt zur Substratoberfläche
ausgerichtet. Der Anstellwinkel läßt sich für vorgegebene Entladungsparameter bestimmen, so daß für diese
Entladungsparameter ein konstanter Leistungseintrag über die gesamte Länge der Wellenleiter-Struktur ermöglicht
wird. Sobald sich jedoch die Entladungsparameter ändern, wie beispielsweise, bei einer Änderung
der Monomeren, des Drucks, der eingespeisten Leistung, ändern sich diejenigen Bezugsgrößen, die den
Anstellwinkel der Wellenleiter-Struktur bestimmen. Daraus ergibt sich im Hinblick auf einen unveränderten
Anstellwinkel ein Leistungseintrag mit exponentiellem Verlauf, der erhebliche negative Folgen im Hinblick auf
die Schichtdickengleichmäßigkeit in Richtung der Längsausdehnung der Wellenleiter-Struktur hat. Die
Leistungseingänge in das Plasma können sich dadurch an beiden Enden der Struktur durchaus im Verhältnis
1 :10 voneinander unterscheiden. Derartige Abweichungen sind im Hinblick auf die Substratbeschichtung
im großtechnischen Maßstab untragbar.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung
der eingangs beschriebenen Gattung dahingehend zu verbessern, daß die Behandlungsintcnsii.it b/.w.
Niederschlagsrate von Polymerisaten über die gesamte Substratbreite möglichst gleichförmig ist. Für den Fall,
daß eine Vielzahl kleinerer Substrate in flächiger An-
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