JPS58196063A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
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- JPS58196063A JPS58196063A JP57078921A JP7892182A JPS58196063A JP S58196063 A JPS58196063 A JP S58196063A JP 57078921 A JP57078921 A JP 57078921A JP 7892182 A JP7892182 A JP 7892182A JP S58196063 A JPS58196063 A JP S58196063A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 42
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非晶質シリコンを用いた光起電力素子の製造
方法に関する。
方法に関する。
第１図は、非晶質シリコンを用いた光起電力素子の典型
的な構造を示す。１はガラス等の透明絶縁基板、２，３
．４はそれぞれ基板１上に順次形成された酸化物透明導
電膜、非晶質シリコン膜、アルミニウム等の裏面電極で
ある。
的な構造を示す。１はガラス等の透明絶縁基板、２，３
．４はそれぞれ基板１上に順次形成された酸化物透明導
電膜、非晶質シリコン膜、アルミニウム等の裏面電極で
ある。
非晶質シリコン膜３は、透明導電膜２に接するｐ型層６
．裏部電極膜４に接するｎ型層７、及びこれら両層間の
ｉ型（真性）層からなり、５．６゜７の各層は適当な不
純物となりつる元素からなる化合物を含むシランガスの
プラズマ反応分解により堆積形成される。
．裏部電極膜４に接するｎ型層７、及びこれら両層間の
ｉ型（真性）層からなり、５．６゜７の各層は適当な不
純物となりつる元素からなる化合物を含むシランガスの
プラズマ反応分解により堆積形成される。
第２図はこの種の非晶質シリコン膜を形成するだめの従
来のプラズマ反応装置を示す。８ｔｒｉプラズマ反応室
、９．１０は各々反応室内において、上下に対向配置さ
れた第１．第２の電極板、１１は両電極に高周波電界を
加えてプラズマを発生させるための高周波電源、１２〜
１４は各々反応室８内に各種反応ガスを導入するガスボ
ンベであり、それぞれ５ｉｎ４．Ｂ２Ｈ６，ＰＨ３ガス
を含んでいる。
来のプラズマ反応装置を示す。８ｔｒｉプラズマ反応室
、９．１０は各々反応室内において、上下に対向配置さ
れた第１．第２の電極板、１１は両電極に高周波電界を
加えてプラズマを発生させるための高周波電源、１２〜
１４は各々反応室８内に各種反応ガスを導入するガスボ
ンベであり、それぞれ５ｉｎ４．Ｂ２Ｈ６，ＰＨ３ガス
を含んでいる。
１６は反応室内を排気するための真空排気ポンプへ接続
される排気口である。
される排気口である。
この装置により第１図の非晶質シリコン膜３を形成する
には、まず表面に透明導電膜２を被着した基板１を加熱
可能な第２電極板１ｏ上に置き、次イで、排気口１５よ
りの排気と、ボンベ１２〜１４よりのガス導入とを操作
して、高周波電源１１により電極９，１０間にプラズマ
を発生させ、シリコン膜を堆積させる。
には、まず表面に透明導電膜２を被着した基板１を加熱
可能な第２電極板１ｏ上に置き、次イで、排気口１５よ
りの排気と、ボンベ１２〜１４よりのガス導入とを操作
して、高周波電源１１により電極９，１０間にプラズマ
を発生させ、シリコン膜を堆積させる。
第３図は上記非晶質シリコン堆積装置の発展型装置とし
てｐ型、ｉ型、ｎ型シリコン膜を異なる反応室で形成す
る装置である。
てｐ型、ｉ型、ｎ型シリコン膜を異なる反応室で形成す
る装置である。
２ｏＩＬ〜２ｏｃは互いに隔離された第１〜第３反応室
、２１亀〜２１０はそれぞれ各反応室に所定の反応ガス
を導入するための第１〜第３のガス導入栓であり、第１
のガス導入栓を通してＢ２Ｈ６とＳ ｘ Ｈ、ｉガス、
第２栓を通してＳ ｘ Ｈ４ガス、第３栓を通してＰＲ
とＳ ｚ Ｈ４ガスをそれぞれ供給する。
、２１亀〜２１０はそれぞれ各反応室に所定の反応ガス
を導入するための第１〜第３のガス導入栓であり、第１
のガス導入栓を通してＢ２Ｈ６とＳ ｘ Ｈ、ｉガス、
第２栓を通してＳ ｘ Ｈ４ガス、第３栓を通してＰＲ
とＳ ｚ Ｈ４ガスをそれぞれ供給する。
２２１Ｌ〜２２０は各反応室を排気するための排気口で
ある。各々の反応室の中は第２図に示す装置と同様であ
るが、ローラコンベア２３によって第１反応室２０ａか
ら第２反応室２０ｂを経て、第３反応室３００へ上基板
を送ることができる構造となっている。又、各反応室間
を隔てている壁には、外部から開閉可能なシャッタ２４
１Ｌ〜２４ｄが装着されている。
ある。各々の反応室の中は第２図に示す装置と同様であ
るが、ローラコンベア２３によって第１反応室２０ａか
ら第２反応室２０ｂを経て、第３反応室３００へ上基板
を送ることができる構造となっている。又、各反応室間
を隔てている壁には、外部から開閉可能なシャッタ２４
１Ｌ〜２４ｄが装着されている。
次に上記製造装置により、第１図の素子を製造する方法
を説明する。まず、透明導電膜２を被着した基板１をシ
ャッタ２４２Ｌを介して第１反応室２０＆のローラコン
ベア２３上に載置する。この時シャッタ２４ｂ〜２４ｄ
は全て閉状態にあり。
を説明する。まず、透明導電膜２を被着した基板１をシ
ャッタ２４２Ｌを介して第１反応室２０＆のローラコン
ベア２３上に載置する。この時シャッタ２４ｂ〜２４ｄ
は全て閉状態にあり。
又全でのローラコンベアは停止している。シャッタ２４
＆を閉状態にした後、排気口２２１Ｌより排気し、第１
栓２１ 、＆よりＳｉＨ４とＢ２Ｈ６（７）混合ガスを
導入しｐ型非晶質シリコンをプラズマ堆積する。
＆を閉状態にした後、排気口２２１Ｌより排気し、第１
栓２１ 、＆よりＳｉＨ４とＢ２Ｈ６（７）混合ガスを
導入しｐ型非晶質シリコンをプラズマ堆積する。
こうして必要なｐ型シリコン膜厚を得た後、プラズマ反
応を停止させ、さらに第１栓２１１Ｌを閉じ、第１反応
室２０＆および第２反応室２ｏｂを排気口２２１．２２
ｂより排気した後、シャッタ２４ｂを開口し、ローラコ
ンベア２３により基板１を第１反応室２０１Ｌ’′より
第２反応室２０ｂへ送る。この後、シャッタ２４ｂを閉
じ、第２栓２１ｂよりＳ ｉＨ４ガスを導入し、真性型
非晶質シリコンを必要な厚さ堆積する。
応を停止させ、さらに第１栓２１１Ｌを閉じ、第１反応
室２０＆および第２反応室２ｏｂを排気口２２１．２２
ｂより排気した後、シャッタ２４ｂを開口し、ローラコ
ンベア２３により基板１を第１反応室２０１Ｌ’′より
第２反応室２０ｂへ送る。この後、シャッタ２４ｂを閉
じ、第２栓２１ｂよりＳ ｉＨ４ガスを導入し、真性型
非晶質シリコンを必要な厚さ堆積する。
この後第１反応室から第２反応室へ移動させる時と同様
な手順をもって基板１を第２反応室２０ｂから第３反応
室２０Ｃへ送り、シャッタ２４０を閉じた後、第３反応
室へ、第３栓２１ＣよりＰＨ３およびＳｉＨ４ガスを導
入し、ｎ型非晶質シリコンを所定の厚さ堆積させ、第３
反応室のプラズマ反応の停止、および第３栓を閉じた後
、シャッタ２４ｄより基板１を取り出す。この一連の工
程により基板１上にｐ、ｉ、ｎ型非晶質シリコン層を形
成した光起電力素子が形成される。
な手順をもって基板１を第２反応室２０ｂから第３反応
室２０Ｃへ送り、シャッタ２４０を閉じた後、第３反応
室へ、第３栓２１ＣよりＰＨ３およびＳｉＨ４ガスを導
入し、ｎ型非晶質シリコンを所定の厚さ堆積させ、第３
反応室のプラズマ反応の停止、および第３栓を閉じた後
、シャッタ２４ｄより基板１を取り出す。この一連の工
程により基板１上にｐ、ｉ、ｎ型非晶質シリコン層を形
成した光起電力素子が形成される。
上記の従来方法では、基板１がシャッタ２４ａより送入
され、第１反応室から第２反応室、第３反応室を経てシ
ャッタ２４ｄより取り出されるまで、プラズマの放電お
よびガスを断続しなければならない。また、連続して次
々と素子を形成し大量生産する場合、ｐ型層、ｉ型層、
ｎ型層の堆積時間が全く同様であれば、ガスおよびプラ
ズマ放電の断続とシャッタ２４１Ｌ〜２４＋１を同期し
て開閉させる事が可能であり、無駄無く連続して基板を
送っていく事ができる。しかし、実際にはｉ型層の形成
時間は３０〜４０分程度で程度、ｐまたはｎ型層の形成
時間の５〜８倍程程度あり、第１反応室２０ａでｐ型層
を形成し終えた基板は、先行する基板がｉ型層を形成し
終えて第３反応室へ移動するまで、第２反応室へ移動で
きない。第１番目の基板が素子形成を完了し、取り出さ
れるのに通常４０分程度要するが、上記製造方法では、
第１番目の素子が取り出され、第２番目の基板が素子形
成を完了し、取り出されるまで４０分程度要してしまう
。
され、第１反応室から第２反応室、第３反応室を経てシ
ャッタ２４ｄより取り出されるまで、プラズマの放電お
よびガスを断続しなければならない。また、連続して次
々と素子を形成し大量生産する場合、ｐ型層、ｉ型層、
ｎ型層の堆積時間が全く同様であれば、ガスおよびプラ
ズマ放電の断続とシャッタ２４１Ｌ〜２４＋１を同期し
て開閉させる事が可能であり、無駄無く連続して基板を
送っていく事ができる。しかし、実際にはｉ型層の形成
時間は３０〜４０分程度で程度、ｐまたはｎ型層の形成
時間の５〜８倍程程度あり、第１反応室２０ａでｐ型層
を形成し終えた基板は、先行する基板がｉ型層を形成し
終えて第３反応室へ移動するまで、第２反応室へ移動で
きない。第１番目の基板が素子形成を完了し、取り出さ
れるのに通常４０分程度要するが、上記製造方法では、
第１番目の素子が取り出され、第２番目の基板が素子形
成を完了し、取り出されるまで４０分程度要してしまう
。
そこで本発明では、上記における生産性の悪さを改善す
るものであり、各反応室はいずれもプラズマ放電および
原料ガスを断続する事なく、かつ基板を連続して処理可
能な方法を提供するものである。
るものであり、各反応室はいずれもプラズマ放電および
原料ガスを断続する事なく、かつ基板を連続して処理可
能な方法を提供するものである。
すなわち１本発明は、前記のようにグロー放電法により
順次形成される複数の異種伝導型非晶質シリコン層を備
える光起電力素子の製造法において、伝導型決定不純物
を含むシリコン層を形成するプラズマ反応室と、前記伝
導型決定不純物を含まないシリコン層を形成するプラズ
マ反応室との間に予備室を設け、この予備室においで伝
導型決定不純物を含む原料気体を前記不純物を含まない
原料気体に置換することを特徴とする。
順次形成される複数の異種伝導型非晶質シリコン層を備
える光起電力素子の製造法において、伝導型決定不純物
を含むシリコン層を形成するプラズマ反応室と、前記伝
導型決定不純物を含まないシリコン層を形成するプラズ
マ反応室との間に予備室を設け、この予備室においで伝
導型決定不純物を含む原料気体を前記不純物を含まない
原料気体に置換することを特徴とする。
以下、本発明を実施例によって詳しく説明する。
第４図は本発明に用いる装置の構成例を示す。
３０！Ｌ〜３０ｇは互いに隔離された真空室であり、３
０＆ 、３Ｃ１，３０６，３０ｇは各々予備室、３０ｂ
、３０ｄ 、３０ｆは各々第１〜第３反応室、３１ａ
〜３１ｇは各々各反応室および各予備室へ反応ガスを導
入する第１〜第７栓である。
０＆ 、３Ｃ１，３０６，３０ｇは各々予備室、３０ｂ
、３０ｄ 、３０ｆは各々第１〜第３反応室、３１ａ
〜３１ｇは各々各反応室および各予備室へ反応ガスを導
入する第１〜第７栓である。
・さらに３２１Ｌ〜３２ｇは各室を排気する排気口であ
る。各々の反応室は第２図および第３図の反応室と同様
であり、平行平板電極３３．３４を備えている。また第
３図と同様に外部から開閉可能なシャッタ３５１〜３５
ｈを偏見、ローラコンヘア３６によりシャッタ３５１Ｌ
から基板１を挿入し、予備室３０１Ｌから室３ｏｂ〜３
０ｇを経てｓｓｈへと送ることができる構造となってい
る。３７は電極３３．３４間に高周波電界を加える電源
である。
る。各々の反応室は第２図および第３図の反応室と同様
であり、平行平板電極３３．３４を備えている。また第
３図と同様に外部から開閉可能なシャッタ３５１〜３５
ｈを偏見、ローラコンヘア３６によりシャッタ３５１Ｌ
から基板１を挿入し、予備室３０１Ｌから室３ｏｂ〜３
０ｇを経てｓｓｈへと送ることができる構造となってい
る。３７は電極３３．３４間に高周波電界を加える電源
である。
次に上記製造装置により第１図の素子を製造する方法を
説明する。
説明する。
まず、透明導電膜２のみを被着した基板をシャッタ３５
１Ｌを介して第１予備室３０１Ｌのローラコンベア３６
上に載置する。この時シャッタ３５ｂ〜３ｓｈは全て閉
じられており、第１反応室３０ｂは直ちに排気口３２ｂ
から排気され、栓３１ｂよりＢ２ Ｈ６およびＳｉＨ４
ガスが導入されており、ｐ型非晶質シリコン層をプラズ
マ分解により、堆積し続ける状態に保たれている。第２
反応室３０ｄも第１反応室と同様に排気口３２ｄより排
気され、栓３１ｄよりＳ ｉ Ｈ４ガスが導入されてお
り、ｉ型非晶質シリコン層をプラズマ分解により堆積し
続けている状態に保たれている。さらに第１反応室３０
ｂも同様に排気口ａ２ｆより排気され、栓３１ｆよりＰ
Ｈ３およびＳｉＨ４ガスが導入され、プラズマ分解によ
りｎ型非晶質シリコン層を堆積し続けている。
１Ｌを介して第１予備室３０１Ｌのローラコンベア３６
上に載置する。この時シャッタ３５ｂ〜３ｓｈは全て閉
じられており、第１反応室３０ｂは直ちに排気口３２ｂ
から排気され、栓３１ｂよりＢ２ Ｈ６およびＳｉＨ４
ガスが導入されており、ｐ型非晶質シリコン層をプラズ
マ分解により、堆積し続ける状態に保たれている。第２
反応室３０ｄも第１反応室と同様に排気口３２ｄより排
気され、栓３１ｄよりＳ ｉ Ｈ４ガスが導入されてお
り、ｉ型非晶質シリコン層をプラズマ分解により堆積し
続けている状態に保たれている。さらに第１反応室３０
ｂも同様に排気口ａ２ｆより排気され、栓３１ｆよりＰ
Ｈ３およびＳｉＨ４ガスが導入され、プラズマ分解によ
りｎ型非晶質シリコン層を堆積し続けている。
ここにおいて、基板１の載置された第１予備室３０１Ｌ
を排気口３２１Ｌより排気した後、栓３１ａよりＢ２Ｈ
６とＳｉＨ４ガスを導入し、第１反応室と同様の雰囲気
条件にした後、シャッタｓｓｂを開け、ローラコンベア
３６により基板１を第１反応室に搬送し、ｐ型層を基板
１上に堆積させる。この時、基板１が第１反応室３０ｂ
に完全に収納された直後、シャッタ３５ｂおよび栓３１
１Ｌを閉じ、排気口３２ｂより反応ガスを排気した後、
排気口３２１Ｌを閉じ、栓３１１ＬよりＮ２ガス等の不
活性ガスで大気圧にもどし、シャッタ３６＆を開け、次
の基板をコンベア３６に載置する。以後、これを繰り返
す。
を排気口３２１Ｌより排気した後、栓３１ａよりＢ２Ｈ
６とＳｉＨ４ガスを導入し、第１反応室と同様の雰囲気
条件にした後、シャッタｓｓｂを開け、ローラコンベア
３６により基板１を第１反応室に搬送し、ｐ型層を基板
１上に堆積させる。この時、基板１が第１反応室３０ｂ
に完全に収納された直後、シャッタ３５ｂおよび栓３１
１Ｌを閉じ、排気口３２ｂより反応ガスを排気した後、
排気口３２１Ｌを閉じ、栓３１１ＬよりＮ２ガス等の不
活性ガスで大気圧にもどし、シャッタ３６＆を開け、次
の基板をコンベア３６に載置する。以後、これを繰り返
す。
第１反応室３０ｂにおいて、ｐ型層を必要厚さ堆積中、
第２予備室３Ｃ１は排気口３２Ｃより排気され、栓３１
０よりＢ２Ｈ６およびＳｉ Ｈ４ガスが導入され、第１
反応室３０ｂと同じ雰囲気に調整してあり、シャッタ３
６０を開けても室３ｏｂのり゛ロー放電状態に影響の無
い様にしである。ｐ型層が必要な厚さ堆積された基板１
は、上記状態におい・てシャッタ３５０を開け、ローラ
ベルト３６により第２予備室３００に搬送される。基板
１が第２予備室３００へ収納されると同時に、第１予備
室３０１Ｌより次の基板がシャッタ３ｓｂを開けて第１
反応室３０ｂへ搬送されて来る。以後第１反応室〜第２
予備室ではこれが繰り返される。
第２予備室３Ｃ１は排気口３２Ｃより排気され、栓３１
０よりＢ２Ｈ６およびＳｉ Ｈ４ガスが導入され、第１
反応室３０ｂと同じ雰囲気に調整してあり、シャッタ３
６０を開けても室３ｏｂのり゛ロー放電状態に影響の無
い様にしである。ｐ型層が必要な厚さ堆積された基板１
は、上記状態におい・てシャッタ３５０を開け、ローラ
ベルト３６により第２予備室３００に搬送される。基板
１が第２予備室３００へ収納されると同時に、第１予備
室３０１Ｌより次の基板がシャッタ３ｓｂを開けて第１
反応室３０ｂへ搬送されて来る。以後第１反応室〜第２
予備室ではこれが繰り返される。
第１反応室３０ｂより搬送される基板が第２予備室３０
０に収納された直後、シャッタ３５０は閉じ、排気口３
２０から排気しながら栓３１０より、第２反応室３０ｄ
に使用されていると同じ原料ガスを導入し、第２反応室
と第２予備室とを同じ雰囲気にする。その後シャッタ３
５（ｌを開け、ローラコンベア３６によって基板１は第
２反応室３０（ｉに搬送され、ここで真性層を堆積する
。当然の事ながら、第２反応室の長さは、堆積時間に応
じて第１反応室より長くしである。即ち、基板１が真性
層を堆積している間にシャッタ３５（１は数回開閉され
、次々とｐ型層を堆積、終了した基板が第２予備室から
搬入して来る。真性層を必要な厚さ堆積終了した基板は
シャッタ３５５Ｓより第β予備室３０６に搬入されるの
であるが、この時も第３予備室３０６は、第２反応室と
同じ雰囲気に制御されており、第２反応室３０ｄには何
ら影響は無く、次の基板上に連続的に真性層を形成し続
けている。基板１が第３予備室３０６に収納されると同
時にシャッタ３５６は閉じられ、排気口３２６から排気
しながら栓３１６より８ ｉ Ｈ４とＰＨ３ガスを導入
し、第３予備室の雰囲気を第３反応室と同様にし、前回
と同様に、シャッタ３５ｆを開け、基板１をローラコン
ベア３６によって第３反応室３０ｆに搬送し、ｎ型層の
形成を開始する。
０に収納された直後、シャッタ３５０は閉じ、排気口３
２０から排気しながら栓３１０より、第２反応室３０ｄ
に使用されていると同じ原料ガスを導入し、第２反応室
と第２予備室とを同じ雰囲気にする。その後シャッタ３
５（ｌを開け、ローラコンベア３６によって基板１は第
２反応室３０（ｉに搬送され、ここで真性層を堆積する
。当然の事ながら、第２反応室の長さは、堆積時間に応
じて第１反応室より長くしである。即ち、基板１が真性
層を堆積している間にシャッタ３５（１は数回開閉され
、次々とｐ型層を堆積、終了した基板が第２予備室から
搬入して来る。真性層を必要な厚さ堆積終了した基板は
シャッタ３５５Ｓより第β予備室３０６に搬入されるの
であるが、この時も第３予備室３０６は、第２反応室と
同じ雰囲気に制御されており、第２反応室３０ｄには何
ら影響は無く、次の基板上に連続的に真性層を形成し続
けている。基板１が第３予備室３０６に収納されると同
時にシャッタ３５６は閉じられ、排気口３２６から排気
しながら栓３１６より８ ｉ Ｈ４とＰＨ３ガスを導入
し、第３予備室の雰囲気を第３反応室と同様にし、前回
と同様に、シャッタ３５ｆを開け、基板１をローラコン
ベア３６によって第３反応室３０ｆに搬送し、ｎ型層の
形成を開始する。
基板１が第２反応室３０ｄに収納されると同時に、シャ
ッタ３５ｆが閉じられ、第３予備室３０６は、排気口３
２１ｅとガス導入枠３１６により第２反応室と同じ雰囲
気に調整され、次の基板がシャッタ３５６を開は第２反
応室３０１１より第３予備室３０６へ搬送される。以後
、第２反応室３ｏｄ〜第３反応室３ｏｆではこれがくり
返される。第３反応室３０ｆにおいて必要厚さｎ型層を
形成された基板１は、次にシャッタ３５ｇを開け、第４
予備室３０ｇに搬送されるが、第４予備室３０ｇよりＰ
Ｈ３，ＳｉＨ４ガスが導入され、第３反応室３ｏｆと同
じ雰囲気に調整してあり、シャッタ３５ｇを開けても何
ら第３反応室のグロー放電に影響は与えない。この後第
３反応室へ第３予備室に待機していた次の基板が同じ手
順で搬入される。
ッタ３５ｆが閉じられ、第３予備室３０６は、排気口３
２１ｅとガス導入枠３１６により第２反応室と同じ雰囲
気に調整され、次の基板がシャッタ３５６を開は第２反
応室３０１１より第３予備室３０６へ搬送される。以後
、第２反応室３ｏｄ〜第３反応室３ｏｆではこれがくり
返される。第３反応室３０ｆにおいて必要厚さｎ型層を
形成された基板１は、次にシャッタ３５ｇを開け、第４
予備室３０ｇに搬送されるが、第４予備室３０ｇよりＰ
Ｈ３，ＳｉＨ４ガスが導入され、第３反応室３ｏｆと同
じ雰囲気に調整してあり、シャッタ３５ｇを開けても何
ら第３反応室のグロー放電に影響は与えない。この後第
３反応室へ第３予備室に待機していた次の基板が同じ手
順で搬入される。
第４予備室に収納された基板は、第４予備室を排気口３
２ｇより排気したのち、排気口３２ｇを閉じ、ガス導入
枠３１ｇより、ムｒ 、Ｎ２等の不活性ガスで大気圧に
置換し、シャッタ３ｓｈを開け、取り出される。
２ｇより排気したのち、排気口３２ｇを閉じ、ガス導入
枠３１ｇより、ムｒ 、Ｎ２等の不活性ガスで大気圧に
置換し、シャッタ３ｓｈを開け、取り出される。
以上の繰り返しによって、どの反応室でも効率よく各層
の堆積がくり返され、連続的にｐ、ｉ。
の堆積がくり返され、連続的にｐ、ｉ。
ｎ型シリコン層を有する光電変換素子が順次形成される
。
。
以上のように１本発明によれば、プラズマ反応により順
次異種伝導型非晶シリコン層を形成して光起電力素子を
製造する際に、各反応室のプラズマ放電を断続する事な
く、かつ各反応室は常に効率良く基板上に各層を堆積す
る事が可能となる。
次異種伝導型非晶シリコン層を形成して光起電力素子を
製造する際に、各反応室のプラズマ放電を断続する事な
く、かつ各反応室は常に効率良く基板上に各層を堆積す
る事が可能となる。
又、各反応室を連続して設ける場合に比して、その間に
予備室を設けることによって異種伝導型不純物による影
響をさらに少なくする事が可能となり、光起電力素子の
特性向上を図ることができる。
予備室を設けることによって異種伝導型不純物による影
響をさらに少なくする事が可能となり、光起電力素子の
特性向上を図ることができる。
第１図は典型的な光起電力素子の構成を示す断面図、第
２図は従来方法を説明するための製造装置の構成を示す
図、第３図は従来方法の発展型製造装置の構成を示す図
、第４図は本発明を説明するための製造装置の構成を示
す図である。 ３０１Ｌ 、３００．３０６．３０ｇ−−−−・−予備
室、ｓｏｂ 、３０（１，３Ｏｆ・・−・・−反応室、
３１１Ｌ〜３１ｇ・・・・・・ガス導入枠、３２ａ〜３
２ｇ・・・・・・排気口、３３．３４・・・・・・電極
％３５ａ〜ｓｓｈ・・・・・・シャッタ、３６・・・・
・・コンベア、３７・・・・・・高周波電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敗 男 ほか１名１１
図 ４ 第２図 第３図
２図は従来方法を説明するための製造装置の構成を示す
図、第３図は従来方法の発展型製造装置の構成を示す図
、第４図は本発明を説明するための製造装置の構成を示
す図である。 ３０１Ｌ 、３００．３０６．３０ｇ−−−−・−予備
室、ｓｏｂ 、３０（１，３Ｏｆ・・−・・−反応室、
３１１Ｌ〜３１ｇ・・・・・・ガス導入枠、３２ａ〜３
２ｇ・・・・・・排気口、３３．３４・・・・・・電極
％３５ａ〜ｓｓｈ・・・・・・シャッタ、３６・・・・
・・コンベア、３７・・・・・・高周波電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敗 男 ほか１名１１
図 ４ 第２図 第３図
Claims (1)
- グロー放電法により順次形成される複数の異種伝導形弁
晶質シリコン層を備える光起電力素子の製造方法であっ
て、伝導型決定不純物を含むシリコン層を形成するプラ
ズマ反応室と、前記伝導型決定不純物を含まないシリコ
ン層を形成するプラズマ反応室との間に予備室を設け、
この予備室において伝導型決定不純物を含む原料気体を
前記不純物を含まない原料気体に置換することを特徴と
する光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078921A JPS58196063A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078921A JPS58196063A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196063A true JPS58196063A (ja) | 1983-11-15 |
| JPH0366819B2 JPH0366819B2 (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=13675315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57078921A Granted JPS58196063A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58196063A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111418A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-06-17 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 被着法および被着装置 |
| US4693777A (en) * | 1984-11-30 | 1987-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for producing semiconductor devices |
| JPS6324614A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPH02224221A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置製造方法、基板処理装置および半導体装置製造装置 |
| US5016562A (en) * | 1988-04-27 | 1991-05-21 | Glasstech Solar, Inc. | Modular continuous vapor deposition system |
| US5780313A (en) * | 1985-02-14 | 1998-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
| US6177302B1 (en) | 1990-11-09 | 2001-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film transistor using multiple sputtering chambers |
| JP2010114458A (ja) * | 2001-08-16 | 2010-05-20 | First Solar Inc | 化学蒸着システム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743413A (en) * | 1980-05-19 | 1982-03-11 | Energy Conversion Devices Inc | Semiconductor element and method of producing same |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP57078921A patent/JPS58196063A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743413A (en) * | 1980-05-19 | 1982-03-11 | Energy Conversion Devices Inc | Semiconductor element and method of producing same |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111418A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-06-17 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 被着法および被着装置 |
| US4693777A (en) * | 1984-11-30 | 1987-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for producing semiconductor devices |
| US5780313A (en) * | 1985-02-14 | 1998-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
| US6113701A (en) * | 1985-02-14 | 2000-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method, and system |
| JPS6324614A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| US5016562A (en) * | 1988-04-27 | 1991-05-21 | Glasstech Solar, Inc. | Modular continuous vapor deposition system |
| JPH02224221A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置製造方法、基板処理装置および半導体装置製造装置 |
| US6261877B1 (en) | 1990-09-11 | 2001-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing gate insulated field effect transistors |
| US6177302B1 (en) | 1990-11-09 | 2001-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film transistor using multiple sputtering chambers |
| US6566175B2 (en) | 1990-11-09 | 2003-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing gate insulated field effect transistors |
| US7507615B2 (en) | 1990-11-09 | 2009-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing gate insulated field effect transistors |
| JP2010114458A (ja) * | 2001-08-16 | 2010-05-20 | First Solar Inc | 化学蒸着システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0366819B2 (ja) | 1991-10-18 |
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