JPS59167012A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS59167012A JPS59167012A JP58040043A JP4004383A JPS59167012A JP S59167012 A JPS59167012 A JP S59167012A JP 58040043 A JP58040043 A JP 58040043A JP 4004383 A JP4004383 A JP 4004383A JP S59167012 A JPS59167012 A JP S59167012A
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- Japan
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- substrate electrode
- electrode
- substrate
- vacuum
- thin film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はアモルファスシリコン太陽電池などを製造す
るにあたり使用するプラズマＣＶＤ装置に関するもので
ある。
るにあたり使用するプラズマＣＶＤ装置に関するもので
ある。
この種のプラズマＣＶＤ装置は、一般に良質の薄膜を短
時間に効率よく得ることが望まれる。
時間に効率よく得ることが望まれる。
この種の装置として、第１図、第２図、第３図に示すよ
うな装置が公知である。
うな装置が公知である。
第１図においては真空容器であり、その内部に高圧電極
２と基板電極３を相対向させて、水平に配置しである。
２と基板電極３を相対向させて、水平に配置しである。
基板電極３は真空容器ｌの外部よりヒータ４により加熱
される。基板電極３の高圧電極２に対向する側には、薄
膜生成のための基板４事が取付けられる。
される。基板電極３の高圧電極２に対向する側には、薄
膜生成のための基板４事が取付けられる。
真空容器ｌに接続された生成反応ガス導入部６ｒｌ前記
真空谷器１内に生成反応ガスを導入しつつ１翼空容器ｌ
に接続された真空源７により真空容と基板電極３さの間
にグロー放電を発生しプラズマ状態となる。プラズマに
より分解された反応生成物は、基板電極３に取付けられ
た基板５上に堆積し薄膜を形成する。また基板５だけで
なく相対向して配置した高圧電極２や真空容器ｌの内壁
面にも堆積する。
真空谷器１内に生成反応ガスを導入しつつ１翼空容器ｌ
に接続された真空源７により真空容と基板電極３さの間
にグロー放電を発生しプラズマ状態となる。プラズマに
より分解された反応生成物は、基板電極３に取付けられ
た基板５上に堆積し薄膜を形成する。また基板５だけで
なく相対向して配置した高圧電極２や真空容器ｌの内壁
面にも堆積する。
この装置の欠点は、高圧電極２または真空容器ｌの内壁
面に付着した薄膜が、真空引きの作業時または真空容器
１の内壁面のクリーニングが充分でないと薄膜生成中に
剥離して飛散し、前記基板５の表面に付着してピンホー
ルなどの薄膜特性悪化の要因となることである。
面に付着した薄膜が、真空引きの作業時または真空容器
１の内壁面のクリーニングが充分でないと薄膜生成中に
剥離して飛散し、前記基板５の表面に付着してピンホー
ルなどの薄膜特性悪化の要因となることである。
第１図と同一符号を付し、かつ容器１に関して第１図を
反転した構造をもつ第２図の装置は、高圧電極２または
真空容器１の内壁面に付着した薄膜が剥離し飛散しても
基板５の表面には付着しないという利点をもつ。しかし
基板５を基板電極３に取り付ける際の作業能率が悪いと
いう欠点を持つ。
反転した構造をもつ第２図の装置は、高圧電極２または
真空容器１の内壁面に付着した薄膜が剥離し飛散しても
基板５の表面には付着しないという利点をもつ。しかし
基板５を基板電極３に取り付ける際の作業能率が悪いと
いう欠点を持つ。
第２図の装置の改善のために考案された装置を第３図に
示す。第３図の装置は直列につながる３・）７）真空容
器１１〜１３と、各真空容器に配設した真空源１４〜１
６とを持つ。各真空容器１１〜１３問および両端の容器
１１．１３の外面には、バルブ機構１７〜２０を配置し
である。さらに真空容器１１〜１３の内部には、基板電
極２１を搬送する搬送機構２２が設けられている。基板
電極２１を加熱するためのヒータを符号２３で、真空容
器１２の内部に設けられた高圧電極を符号２４で、生成
反応ガス導入管を符号２５でそれぞれ示す。
示す。第３図の装置は直列につながる３・）７）真空容
器１１〜１３と、各真空容器に配設した真空源１４〜１
６とを持つ。各真空容器１１〜１３問および両端の容器
１１．１３の外面には、バルブ機構１７〜２０を配置し
である。さらに真空容器１１〜１３の内部には、基板電
極２１を搬送する搬送機構２２が設けられている。基板
電極２１を加熱するためのヒータを符号２３で、真空容
器１２の内部に設けられた高圧電極を符号２４で、生成
反応ガス導入管を符号２５でそれぞれ示す。
先ず、基板電極２１の片面に基板２６を装置の外で取付
け、バルブ機構１７を開放して前記基板電極２１を予備
加熱するための真空容器１１に装填する。バルブ機構１
７を閉じ、真空容器１１内を真空源１４で排気しながら
、前記真空容器１１内に配置したヒータ２３により加熱
する。所定の時間が経過し、真空容器１１内にある基板
電極２１が所定の温度に達すると、真空容器１１内の圧
力と真空容器１２内の圧力を同一にした上でノ＜ルブ麺
構１８を開放し、真空容器１１内の前記搬送機□剰２２
により電極２１を真空容器１２内に搬送す半。つづいて
バルブ機構１８を閉じ、真空容器１２の基板電極２１が
装填される。
け、バルブ機構１７を開放して前記基板電極２１を予備
加熱するための真空容器１１に装填する。バルブ機構１
７を閉じ、真空容器１１内を真空源１４で排気しながら
、前記真空容器１１内に配置したヒータ２３により加熱
する。所定の時間が経過し、真空容器１１内にある基板
電極２１が所定の温度に達すると、真空容器１１内の圧
力と真空容器１２内の圧力を同一にした上でノ＜ルブ麺
構１８を開放し、真空容器１１内の前記搬送機□剰２２
により電極２１を真空容器１２内に搬送す半。つづいて
バルブ機構１８を閉じ、真空容器１２の基板電極２１が
装填される。
真空容器１２内にある基板電極２１は、真空容器１２内
に配置されたヒータ２３により加熱されて所定の温度を
保持する。真空容器１２に付属された生成反応ガス導入
管２５により生成反応カスを導入しながら、真空源１５
により所定の圧力ｌこ保持し、前記高圧電極２４に電圧
を印加するこさにより、前記基板電極２１と高圧電極２
４との間にグロー放電を発生させ、プラズマ状態を保つ
。
に配置されたヒータ２３により加熱されて所定の温度を
保持する。真空容器１２に付属された生成反応ガス導入
管２５により生成反応カスを導入しながら、真空源１５
により所定の圧力ｌこ保持し、前記高圧電極２４に電圧
を印加するこさにより、前記基板電極２１と高圧電極２
４との間にグロー放電を発生させ、プラズマ状態を保つ
。
プラズマにより分解された反応生成物は、基板電極２１
に取付けた基板２６上に堆積し、薄膜を生成する。薄膜
生成処理の終了後、ガスと電圧の供給をとめ、容器１３
内の圧力を１２内のそれと同一にした上でバルブ１９を
開き、搬送機構２２により電極２１を容器１３内に移す
。バルブ１９を閉じ、所定の冷却時間を経た上で、バル
ブ２０を開いて電極２１を外部に取り出す。
に取付けた基板２６上に堆積し、薄膜を生成する。薄膜
生成処理の終了後、ガスと電圧の供給をとめ、容器１３
内の圧力を１２内のそれと同一にした上でバルブ１９を
開き、搬送機構２２により電極２１を容器１３内に移す
。バルブ１９を閉じ、所定の冷却時間を経た上で、バル
ブ２０を開いて電極２１を外部に取り出す。
以上説明した三種類のプラズマＣＶＤ装置は、それぞれ
に共通した欠点を有しており、薄膜の生産性向上を図ろ
うとするとき、基板電極面積および高圧電極面積が平面
的に大きくなり、装置全体が大型化し、かつ装置の価格
が高くなる。
に共通した欠点を有しており、薄膜の生産性向上を図ろ
うとするとき、基板電極面積および高圧電極面積が平面
的に大きくなり、装置全体が大型化し、かつ装置の価格
が高くなる。
この発明は、上述の欠点を除去し、より高品質な薄膜が
得られると同時に、生産性に富んだ低価格のプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することを目的とする。
得られると同時に、生産性に富んだ低価格のプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することを目的とする。
第４図および第４図のＡ−Ａ線に沿う断面を示す第５図
は、この発明の一実施例を示している。
は、この発明の一実施例を示している。
（第４図は第５図のＢ−Ｂ断面を表わす）真空源４１〜
４５を接続した真空容器４６〜５０を直列に配置し、各
真空容器４６〜５０間には各々バルブ機構５１〜５４を
配置し、かつ真空容器４６と真空容器５０には大気と密
閉するためのバルブ機構５６．５７を配置しである。さ
らに真空容器４７〜４９には、生成反応ガス導入管５８
〜６０が接続され、かつ真空容器４７〜４９の内部には
、鉛直に配置された高圧電極６１がある。また真空容器
４６〜５０の内部には、基板６２を取付け、かつ基板電
極加熱ヒータ６３と基板電極温度制御器６４を内蔵した
基板電極６５を搬送する搬送機構６６を配置しである。
４５を接続した真空容器４６〜５０を直列に配置し、各
真空容器４６〜５０間には各々バルブ機構５１〜５４を
配置し、かつ真空容器４６と真空容器５０には大気と密
閉するためのバルブ機構５６．５７を配置しである。さ
らに真空容器４７〜４９には、生成反応ガス導入管５８
〜６０が接続され、かつ真空容器４７〜４９の内部には
、鉛直に配置された高圧電極６１がある。また真空容器
４６〜５０の内部には、基板６２を取付け、かつ基板電
極加熱ヒータ６３と基板電極温度制御器６４を内蔵した
基板電極６５を搬送する搬送機構６６を配置しである。
前記基板電極６５が真空容器４７〜４９の内部を搬送機
構６６によ卿搬送されるときは、前記真空容器４７〜４
９の６部に鉛直に配置した高圧電極６１に対して鉛直′
相対向して搬送される。
構６６によ卿搬送されるときは、前記真空容器４７〜４
９の６部に鉛直に配置した高圧電極６１に対して鉛直′
相対向して搬送される。
）川た、真空容器４６〜４９の内部には、前記基′夜鴬
極６５に内蔵した基板電極加熱用ヒータ６３の電力供給
機構６７が配置されており、基板電極６５は真空容器４
６〜４９内を搬送機構６６により搬送されている間加熱
され、かつ基板電極６５に内蔵した基板電極温度制御器
６４により所定の温度に制御される。
極６５に内蔵した基板電極加熱用ヒータ６３の電力供給
機構６７が配置されており、基板電極６５は真空容器４
６〜４９内を搬送機構６６により搬送されている間加熱
され、かつ基板電極６５に内蔵した基板電極温度制御器
６４により所定の温度に制御される。
このような構成されたプラズマＣＶＤ装置において、基
板６２を、基板電極加熱用ヒータ６３と基板電極温度制
御器６４を内蔵した基板電極６５の両面に取付け、バル
ブ機構５６を開いて基板電極予備加熱のための真空容器
４６内に装填し、所定の温度になる才で前記基板電極６
２を加熱する。
板６２を、基板電極加熱用ヒータ６３と基板電極温度制
御器６４を内蔵した基板電極６５の両面に取付け、バル
ブ機構５６を開いて基板電極予備加熱のための真空容器
４６内に装填し、所定の温度になる才で前記基板電極６
２を加熱する。
真空容器４６内を真空源４１により真空に保持しつつ、
真空容器４６内と第１膜生成用真空容器４７内との圧力
を、真空容器４７に接続した真空源４２により一定にし
、真空容器４６．４７間に配置されたバルブ機構５１を
開放し、前記基板電極６５を前記搬送機構６６により前
記第１膜生成用真空容器４７へ搬送する。つづいてバル
ブ機構５１を閉じ１、前記真空容器４７内を真空源４２
により真横に保持しつつ生成反応ガス導入管５８より第
１鯛生成用反応ガスを導入する。ここで前記高圧電−極
６１に電圧を印加すると、高圧電極６１と基板１１！’
！櫃６５との間にグロー放電が発生してプラズマ状、態
となり、第１膜生成用生成反応ガスが分解さ〜’、ａ、
前記基板電極６５に取付けた基板６２上に堆積し、第１
膜が生成する。また、これと同時に予備加熱のための真
空容器４６には新しい基板電極６５が装填され予備加熱
状態となる。
真空容器４６内と第１膜生成用真空容器４７内との圧力
を、真空容器４７に接続した真空源４２により一定にし
、真空容器４６．４７間に配置されたバルブ機構５１を
開放し、前記基板電極６５を前記搬送機構６６により前
記第１膜生成用真空容器４７へ搬送する。つづいてバル
ブ機構５１を閉じ１、前記真空容器４７内を真空源４２
により真横に保持しつつ生成反応ガス導入管５８より第
１鯛生成用反応ガスを導入する。ここで前記高圧電−極
６１に電圧を印加すると、高圧電極６１と基板１１！’
！櫃６５との間にグロー放電が発生してプラズマ状、態
となり、第１膜生成用生成反応ガスが分解さ〜’、ａ、
前記基板電極６５に取付けた基板６２上に堆積し、第１
膜が生成する。また、これと同時に予備加熱のための真
空容器４６には新しい基板電極６５が装填され予備加熱
状態となる。
上述と同様の手順を経て、基板６２上に第２膜生成用真
空容器４８、第３膜生成用真空容器４９においてそれぞ
れ第２膜、第３膜を生成する。最終段の冷却用真空容器
５０において、基板電極６５を所定の温度になるまで冷
却した後、真空容器５０内を大気圧力にし、バルブ機構
５７を開放して外部に取出す。
空容器４８、第３膜生成用真空容器４９においてそれぞ
れ第２膜、第３膜を生成する。最終段の冷却用真空容器
５０において、基板電極６５を所定の温度になるまで冷
却した後、真空容器５０内を大気圧力にし、バルブ機構
５７を開放して外部に取出す。
第６図は上記実施例の変形例を示すもので、第４図、第
５図と異なるのは真空容器４７（４８゜４９についても
同じ）の内部に高圧電極６１を３枚配置するとともに、
基板電極６５の搬送のための搬送機構６６ならびに基板
電極加熱用ヒータ６３の電力供給機構６７も複数列に配
置した点であり、−の結実装置全体の大きさを小さく保
ちながら薄部生成能力を倍増できる利点が得られる。
５図と異なるのは真空容器４７（４８゜４９についても
同じ）の内部に高圧電極６１を３枚配置するとともに、
基板電極６５の搬送のための搬送機構６６ならびに基板
電極加熱用ヒータ６３の電力供給機構６７も複数列に配
置した点であり、−の結実装置全体の大きさを小さく保
ちながら薄部生成能力を倍増できる利点が得られる。
、この発明によれば、基板電極に基板電極加熱用、パヒ
ータと基板電極温度制御器を内蔵したことと、廠１弾電
極と高圧電極を鉛直に配置する構成としたこ１￥：とに
より、従来片面しか利用できなかった基偶戸極が両面利
用可能となり、薄膜生成能力が倍増する効果が得られる
と同時に、高圧電極あるいは真空容器の内壁面に付着し
た薄膜が真空引きなどで剥離して飛散しても基板に付着
せず高品質な薄膜が得られるという効果が生ずる。
ータと基板電極温度制御器を内蔵したことと、廠１弾電
極と高圧電極を鉛直に配置する構成としたこ１￥：とに
より、従来片面しか利用できなかった基偶戸極が両面利
用可能となり、薄膜生成能力が倍増する効果が得られる
と同時に、高圧電極あるいは真空容器の内壁面に付着し
た薄膜が真空引きなどで剥離して飛散しても基板に付着
せず高品質な薄膜が得られるという効果が生ずる。
この発明は、いままで説明したアモルファスシリコン膜
生成のほかに、半導体プロセスで使用されているプラズ
マを利用した酸化膜、窒化膜生成などに使用でき、また
プラズマエツチング装置。
生成のほかに、半導体プロセスで使用されているプラズ
マを利用した酸化膜、窒化膜生成などに使用でき、また
プラズマエツチング装置。
プラズマアッシング装置としても応用可能である。
第１図、第２図および第３図はそれぞれ従来装置を示す
縦断面図、第４図は本発明一実施例の横断面図、第５図
は第、４図のＡ−Ａ線に沿う縦断面図、第６図は本発明
の他の実施例を示す縦断面図である。 ４６〜５０・・・真空容器、５１〜５７・・・バルブ機
構、５８〜６０・・・生成反応ガス導入管、６１・・・
高］電極、６２・・・基板、６３・・・ヒータ、６４・
・・温度７ ４２ ”；ｒ’ｓ （３） ？６図
縦断面図、第４図は本発明一実施例の横断面図、第５図
は第、４図のＡ−Ａ線に沿う縦断面図、第６図は本発明
の他の実施例を示す縦断面図である。 ４６〜５０・・・真空容器、５１〜５７・・・バルブ機
構、５８〜６０・・・生成反応ガス導入管、６１・・・
高］電極、６２・・・基板、６３・・・ヒータ、６４・
・・温度７ ４２ ”；ｒ’ｓ （３） ？６図
Claims (1)
- プラズマを利用した薄膜生成装置において、生ＩＦ反応
ガス導入管と真空源とを配設した真空容器ン媚複数個直
列に配置し、該真空容器間には各真空容器間を密閉する
ためのバルブ機構を両端の真空容器には大気と密閉する
ためのバルブ機構をそれぞれ具備し、前記真空容器内に
は、基板電極加熱ビ１．エタと基板電極温度制御器を内
蔵した基板電極１ＢＩｊ該基板電極を搬送する搬送機構
と、搬送しながら前記基板電極に内蔵された基板電極加
熱用ヒータに電力を供給する電力供給機構と、鉛直に配
置された高圧電極とを設け、該高圧電極に対して前記基
板電極を平行に相対向させて搬送することを特徴とする
プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040043A JPS59167012A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040043A JPS59167012A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167012A true JPS59167012A (ja) | 1984-09-20 |
| JPH0436452B2 JPH0436452B2 (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=12569879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58040043A Granted JPS59167012A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59167012A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144733A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 赤外線透過用ハライドガラス |
| JPS61271822A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Fujitsu Ltd | 連続式気相成長装置 |
| JPS62157136U (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-06 | ||
| JPH01230227A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-09-13 | Daido Sanso Kk | 半導体の製造方法 |
| JP2010532086A (ja) * | 2007-04-12 | 2010-09-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 太陽電池の窒化シリコンパッシベーション |
Citations (3)
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| JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
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| JPS5742118A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma cvd device |
-
1983
- 1983-03-12 JP JP58040043A patent/JPS59167012A/ja active Granted
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| JPH0691017B2 (ja) * | 1985-05-27 | 1994-11-14 | 富士通株式会社 | 連続式気相成長装置 |
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0436452B2 (ja) | 1992-06-16 |
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