JPS62157136U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62157136U JPS62157136U JP4310986U JP4310986U JPS62157136U JP S62157136 U JPS62157136 U JP S62157136U JP 4310986 U JP4310986 U JP 4310986U JP 4310986 U JP4310986 U JP 4310986U JP S62157136 U JPS62157136 U JP S62157136U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cvd apparatus
- under reduced
- vacuum chamber
- reaction tube
- film formation
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
Description
第１図はこの考案の減圧ＣＶＤ装置の概要を示
す構成図、第２図は従来の減圧ＣＶＤ装置の概要
構成図である。 図中、１は反応管、２はヒーター、３はフラン
ジ、４は反応ガス導入口、５は真空排気口、６は
ウエハ、７はウエハ支持具、８はウエハ支持具搬
送機、９はバルブ、１０は真空ポンプ、１１はフ
ランジふた、１２は予備減圧室、１３はガス導入
口、１４はシヤツター、１５は第２バルブである
。なお、各図中同一符号は同一または相当部分を
示す。
す構成図、第２図は従来の減圧ＣＶＤ装置の概要
構成図である。 図中、１は反応管、２はヒーター、３はフラン
ジ、４は反応ガス導入口、５は真空排気口、６は
ウエハ、７はウエハ支持具、８はウエハ支持具搬
送機、９はバルブ、１０は真空ポンプ、１１はフ
ランジふた、１２は予備減圧室、１３はガス導入
口、１４はシヤツター、１５は第２バルブである
。なお、各図中同一符号は同一または相当部分を
示す。
Claims (1)
- 加熱されている反応管内に反応ガスを導入して
減圧下で成膜を行う減圧ＣＶＤ装置において、予
備減圧室を具えこの予備減圧室にあるウエハを減
圧下にある前記反応管に移送して成膜するように
したことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4310986U JPS62157136U (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4310986U JPS62157136U (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62157136U true JPS62157136U (ja) | 1987-10-06 |
Family
ID=30859657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4310986U Pending JPS62157136U (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62157136U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952833A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応装置 |
| JPS59167012A (ja) * | 1983-03-12 | 1984-09-20 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS6120318A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-29 | Toshiba Corp | 縦型拡散炉 |
-
1986
- 1986-03-26 JP JP4310986U patent/JPS62157136U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952833A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応装置 |
| JPS59167012A (ja) * | 1983-03-12 | 1984-09-20 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS6120318A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-29 | Toshiba Corp | 縦型拡散炉 |