JPH0950992A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPH0950992A JPH0950992A JP7200058A JP20005895A JPH0950992A JP H0950992 A JPH0950992 A JP H0950992A JP 7200058 A JP7200058 A JP 7200058A JP 20005895 A JP20005895 A JP 20005895A JP H0950992 A JPH0950992 A JP H0950992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- chamber
- plasma
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被成膜体にプラズマによるダメージを発生し
難くする。 【解決手段】 本発明の成膜装置にあっては、同一膜を
少なくとも２回に分けて形成することができる。最初
に、複数の電場発生手段のうち、被成膜体である基板１
５へプラズマ１６による照射損傷を与えない電場発生手
段を備えた真空室２を用いて、基板１５上へ薄膜を形成
する。次に、上記以外の電場発生手段を備えた真空室３
を用いて、基板１５上へ薄膜を形成する。よって、最初
に用いられる電場発生手段は、基板１５にプラズマ１６
による照射損傷を与えないので、基板−膜界面のダメー
ジが抑制される。
難くする。 【解決手段】 本発明の成膜装置にあっては、同一膜を
少なくとも２回に分けて形成することができる。最初
に、複数の電場発生手段のうち、被成膜体である基板１
５へプラズマ１６による照射損傷を与えない電場発生手
段を備えた真空室２を用いて、基板１５上へ薄膜を形成
する。次に、上記以外の電場発生手段を備えた真空室３
を用いて、基板１５上へ薄膜を形成する。よって、最初
に用いられる電場発生手段は、基板１５にプラズマ１６
による照射損傷を与えないので、基板−膜界面のダメー
ジが抑制される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に使
用されるガラス基板、または半導体装置に使用されるシ
リコン等からなる半導体基板などの被成膜体の上へ薄膜
を形成する成膜装置に関する。
用されるガラス基板、または半導体装置に使用されるシ
リコン等からなる半導体基板などの被成膜体の上へ薄膜
を形成する成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記成膜装置の一つとして、プラズマ装
置が知られている。従来のプラズマ装置は、チャンバー
にガスを導入し、真空ポンプで排気して、圧力を一定に
保った状態でプラズマを発生させ、チャンバー内に配し
てある基板等の上にプラズマにより所望の薄膜を成膜す
る構成となっている。
置が知られている。従来のプラズマ装置は、チャンバー
にガスを導入し、真空ポンプで排気して、圧力を一定に
保った状態でプラズマを発生させ、チャンバー内に配し
てある基板等の上にプラズマにより所望の薄膜を成膜す
る構成となっている。
【０００３】ところで、プラズマにより成膜を行う場合
には、プラズマによるダメージが被成膜体である基板な
どに生じるため、そのダメージを抑制すべく、プラズマ
印加開始時もしくは終了時に低ダメージ化の条件である
高周波数の状態でプラズマを発生させる技術が提案され
ている（特関平６−１２２９８３）。
には、プラズマによるダメージが被成膜体である基板な
どに生じるため、そのダメージを抑制すべく、プラズマ
印加開始時もしくは終了時に低ダメージ化の条件である
高周波数の状態でプラズマを発生させる技術が提案され
ている（特関平６−１２２９８３）。
【０００４】その提案のプラズマ装置は、例えば図１０
に示すように、ガスがガス導入口４４から導入され、か
つ、真空ポンプ４６にて排気されるチャンバー４１を備
える。このチャンバー４１は、ガス導入口４４から導入
されたガスにより内部雰囲気を置換し、真空ポンプ４６
にて排気して圧力を一定に保つように構成されている。
チャンバー４１内には、カソード４２とアノード４３と
が対向配設され、カソード４２には２つの異なる周波数
を有する高周波電源３８、３９が切り替えスイッチ４０
を介して接続されている。周波数の切り替えは、装置の
コントローラからの指示によって行う。上記チャンバー
４１とカソード４２との間は絶縁体４８で電気的に絶縁
されている。
に示すように、ガスがガス導入口４４から導入され、か
つ、真空ポンプ４６にて排気されるチャンバー４１を備
える。このチャンバー４１は、ガス導入口４４から導入
されたガスにより内部雰囲気を置換し、真空ポンプ４６
にて排気して圧力を一定に保つように構成されている。
チャンバー４１内には、カソード４２とアノード４３と
が対向配設され、カソード４２には２つの異なる周波数
を有する高周波電源３８、３９が切り替えスイッチ４０
を介して接続されている。周波数の切り替えは、装置の
コントローラからの指示によって行う。上記チャンバー
４１とカソード４２との間は絶縁体４８で電気的に絶縁
されている。
【０００５】よって、このプラズマ装置による場合は、
プラズマ印加開始時もしくは終了時に、切り替えスイッ
チ４０にて２つの高周波電源３８、３９の一方を使用す
ることができ、低ダメージ化が可能となる。
プラズマ印加開始時もしくは終了時に、切り替えスイッ
チ４０にて２つの高周波電源３８、３９の一方を使用す
ることができ、低ダメージ化が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この提
案のプラズマ装置では、薄膜を形成したり加工したりす
る場合に、上述の電源周波数を変更しても、被成膜部で
ある基板４７表面がプラズマ４５に晒されるため、照射
損傷により界面準位が形成されるという不都合がある。
たとえば、ＭＯＳ型デバイス、例えばＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）において、上記界面準位がゲート電極絶縁膜
とチャネル層界面に形成された場合には、ＴＦＴのフラ
ットバンド電圧（ＶFB）が変化する。このため、（１）
式に示すようにしきい値電圧（Ｖth）が変化し、不良品
となり易く、製品の歩留りが悪くなる。
案のプラズマ装置では、薄膜を形成したり加工したりす
る場合に、上述の電源周波数を変更しても、被成膜部で
ある基板４７表面がプラズマ４５に晒されるため、照射
損傷により界面準位が形成されるという不都合がある。
たとえば、ＭＯＳ型デバイス、例えばＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）において、上記界面準位がゲート電極絶縁膜
とチャネル層界面に形成された場合には、ＴＦＴのフラ
ットバンド電圧（ＶFB）が変化する。このため、（１）
式に示すようにしきい値電圧（Ｖth）が変化し、不良品
となり易く、製品の歩留りが悪くなる。
【０００７】 Ｖth＝２φｆ＋ＶFB＋√｛２ＫεｑＮａ（２φｆ）｝／Ｃｏ …（１） ここで、φｆ：フェルミポテンシャル差 Ｋ：半導体の比誘電率 ε：真空の誘電率 ｑ：電子の電荷量 Ｎａ：アクセプタ密度 Ｃｏ：絶縁膜の容量 本発明は、このような従来技術の課題を解決すべくなさ
れたものであり、被成膜体にプラズマによるダメージを
発生し難くできる成膜装置を提供することを目的とす
る。
れたものであり、被成膜体にプラズマによるダメージを
発生し難くできる成膜装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の成膜装置は、真
空室内に反応性ガスを導入し、電場発生手段によりプラ
ズマを発生させることにより、該真空室内にセットされ
た被成膜体の上に薄膜を形成する成膜装置であって、該
反応性ガスを導する手段および該電場発生手段を各々備
える真空室を複数有し、少なくとも１つの真空室に設け
られた該電場発生手段が、該電場発生手段にて発生した
プラズマを該被成膜体が照射損傷しない構成としてあ
り、そのことにより上記目的が達成される。
空室内に反応性ガスを導入し、電場発生手段によりプラ
ズマを発生させることにより、該真空室内にセットされ
た被成膜体の上に薄膜を形成する成膜装置であって、該
反応性ガスを導する手段および該電場発生手段を各々備
える真空室を複数有し、少なくとも１つの真空室に設け
られた該電場発生手段が、該電場発生手段にて発生した
プラズマを該被成膜体が照射損傷しない構成としてあ
り、そのことにより上記目的が達成される。
【０００９】本発明の成膜装置において、前記複数の真
空室の少なくとも１つの後段に、前記被成膜体の上に形
成した薄膜表面の反応生成物残渣を除去する超音波洗浄
室が設けられた構成とすることができる。
空室の少なくとも１つの後段に、前記被成膜体の上に形
成した薄膜表面の反応生成物残渣を除去する超音波洗浄
室が設けられた構成とすることができる。
【００１０】以下に本発明の作用につき説明する。
【００１１】本発明の成膜装置にあっては、同一膜を少
なくとも２回に分けて形成することができる。最初に、
複数の電場発生手段のうち、被成膜体へプラズマによる
照射損傷を与えない電場発生手段を用いて、上記被成膜
体の上へ薄膜を形成する。次に、上記以外の電場発生手
段を用いて、つまり成膜レートの大きい電場発生手段を
用いて、上記基板上へ薄膜を形成する。よって、最初に
用いられる電場発生手段は被成膜体にプラズマによる照
射損傷を与えないので、基板−膜界面のダメージが抑制
される。従って、上記成膜装置により作製された半導体
装置のしきい値電圧は安定する。
なくとも２回に分けて形成することができる。最初に、
複数の電場発生手段のうち、被成膜体へプラズマによる
照射損傷を与えない電場発生手段を用いて、上記被成膜
体の上へ薄膜を形成する。次に、上記以外の電場発生手
段を用いて、つまり成膜レートの大きい電場発生手段を
用いて、上記基板上へ薄膜を形成する。よって、最初に
用いられる電場発生手段は被成膜体にプラズマによる照
射損傷を与えないので、基板−膜界面のダメージが抑制
される。従って、上記成膜装置により作製された半導体
装置のしきい値電圧は安定する。
【００１２】また、電場発生手段を用いて被成膜体上へ
薄膜を形成した後に、被成膜体表面の反応生成物残渣を
超音波洗浄室で除去する構成とした場合は、成膜の際に
生じた反応生成物残渣を除去できる。この場合におい
て、最初の成膜を行う真空室の後に超音波洗浄室を配し
た構成とすると以下のようになる。最初に用いられる電
場発生手段は基板にプラズマによる照射損傷を与えない
位置に設けられているので、基板−膜界面のダメージが
抑制される。その成膜終了後、被成膜体の表面を超音波
洗浄室でクリーニングすることにより、反応生成物残渣
の除去が可能である。次の成膜に、成膜レートの大きい
電場発生手段を用いる。
薄膜を形成した後に、被成膜体表面の反応生成物残渣を
超音波洗浄室で除去する構成とした場合は、成膜の際に
生じた反応生成物残渣を除去できる。この場合におい
て、最初の成膜を行う真空室の後に超音波洗浄室を配し
た構成とすると以下のようになる。最初に用いられる電
場発生手段は基板にプラズマによる照射損傷を与えない
位置に設けられているので、基板−膜界面のダメージが
抑制される。その成膜終了後、被成膜体の表面を超音波
洗浄室でクリーニングすることにより、反応生成物残渣
の除去が可能である。次の成膜に、成膜レートの大きい
電場発生手段を用いる。
【００１３】なお、超音波洗浄室は、最初の成膜を行う
真空室の後に設ける必要は必ずしもなく、任意の真空室
の後に、または総ての真空室の後に設ける構成とするこ
とが可能である。
真空室の後に設ける必要は必ずしもなく、任意の真空室
の後に、または総ての真空室の後に設ける構成とするこ
とが可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１５】（実施形態１）図１は本実施形態に係る成
膜装置の概略構成を示す図である。この成膜装置は、プ
ラズマＣＶＤ装置であり、真空ポンプ（図示せず）につ
ながる真空排気口６を各々備えた仕込み室１と、２つの
成膜用の真空室２、３とを有する。仕込み室１および真
空室２、３は仕切りバルブ５を介して直列に接続されて
おり、また、仕込み室１の真空室２とは反対側と、真空
室３の真空室２とは反対側とには、同様の仕切りバルブ
５が設けられている。仕切りバルブ５は、例えばステン
レス製またはアルミニウム製のものであり、開閉可能に
形成され、開の状態では通路などとしての機能を有し、
閉の状態では各室１、２および３を密閉にできる機能を
有する。
膜装置の概略構成を示す図である。この成膜装置は、プ
ラズマＣＶＤ装置であり、真空ポンプ（図示せず）につ
ながる真空排気口６を各々備えた仕込み室１と、２つの
成膜用の真空室２、３とを有する。仕込み室１および真
空室２、３は仕切りバルブ５を介して直列に接続されて
おり、また、仕込み室１の真空室２とは反対側と、真空
室３の真空室２とは反対側とには、同様の仕切りバルブ
５が設けられている。仕切りバルブ５は、例えばステン
レス製またはアルミニウム製のものであり、開閉可能に
形成され、開の状態では通路などとしての機能を有し、
閉の状態では各室１、２および３を密閉にできる機能を
有する。
【００１６】図２は真空室２の構成を示す縦断面図であ
り、図３は図２のＡ−Ａ線による断面図である。図４は
真空室３の構成を示す縦断面図である。
り、図３は図２のＡ−Ａ線による断面図である。図４は
真空室３の構成を示す縦断面図である。
【００１７】上記仕込み室１および真空室２、３には、
搬送装置１９にて基板１５が搬入・搬出される構成とな
っている。その搬入・搬出に際しては、前記仕切りバル
ブ５の開閉を伴う。上記搬送装置１９は、図２および図
４に示すように、天井側に設けられた案内支持部１９ａ
と、また、底部側に設けられた案内部１９ｂと、案内支
持部１９ａに頭部が移動可能に支持されると共に案内さ
れ、下部が案内部１９ｂにて案内される加熱装置１４と
からなる。上記案内支持部１９ａと案内部１９ｂとは、
仕込み室１から真空室３まではもちろんその両外側に達
する範囲にわたり形成されている。一方、この案内支持
部１９ａと案内部１９ｂにて案内される加熱装置１４
は、基板１５よりも少し大きい板状のものからなり、そ
の両側に基板１５がセットされるように構成されてい
る。また、加熱装置１４は、セットされた基板１５を加
熱する図示しない手段を備え、各基板１５を所定の温度
に加熱する。
搬送装置１９にて基板１５が搬入・搬出される構成とな
っている。その搬入・搬出に際しては、前記仕切りバル
ブ５の開閉を伴う。上記搬送装置１９は、図２および図
４に示すように、天井側に設けられた案内支持部１９ａ
と、また、底部側に設けられた案内部１９ｂと、案内支
持部１９ａに頭部が移動可能に支持されると共に案内さ
れ、下部が案内部１９ｂにて案内される加熱装置１４と
からなる。上記案内支持部１９ａと案内部１９ｂとは、
仕込み室１から真空室３まではもちろんその両外側に達
する範囲にわたり形成されている。一方、この案内支持
部１９ａと案内部１９ｂにて案内される加熱装置１４
は、基板１５よりも少し大きい板状のものからなり、そ
の両側に基板１５がセットされるように構成されてい
る。また、加熱装置１４は、セットされた基板１５を加
熱する図示しない手段を備え、各基板１５を所定の温度
に加熱する。
【００１８】搬送装置１９にて搬送される基板１５は、
真空度１０-5Ｐａの仕込み室１内に取り込まれ、加熱装
置１４により３５０℃に加熱される。
真空度１０-5Ｐａの仕込み室１内に取り込まれ、加熱装
置１４により３５０℃に加熱される。
【００１９】次に、基板１５は、搬送装置１９により真
空室２に取り込まれる。真空室２の真空度は１０-5Ｐａ
とする。真空室２は、外部に設けた高周波電源７にマッ
チングボックス９を介して接続した電極１１、１２が内
部に設けられ、反応ガス導入管１７からＯ2を導入する
ことにより電極１１、１２間にプラズマ１６が発生する
構成となっている。上記電極１１および１２は、図２お
よび図３に示すように、基板１５の搬送域を挟んで２対
設けられている。１対は、基板搬送域の片側に設けら
れ、残り１対はもう片側に設けられている。
空室２に取り込まれる。真空室２の真空度は１０-5Ｐａ
とする。真空室２は、外部に設けた高周波電源７にマッ
チングボックス９を介して接続した電極１１、１２が内
部に設けられ、反応ガス導入管１７からＯ2を導入する
ことにより電極１１、１２間にプラズマ１６が発生する
構成となっている。上記電極１１および１２は、図２お
よび図３に示すように、基板１５の搬送域を挟んで２対
設けられている。１対は、基板搬送域の片側に設けら
れ、残り１対はもう片側に設けられている。
【００２０】また、真空室２の内部には、反応ガス導入
管１８からＳｉＨ4が導入される。このＳｉＨ4の導入
は、Ｏ2の導入に伴うプラズマ発生の後に行われ、この
ＳｉＨ4の導入により基板１５上にＳｉＯ2膜が形成され
る。上記１対の電極１１、１２にて形成される膜の幅で
ある成膜幅２１は８０ｍｍとなっている。実際の成膜
は、かかる成膜幅２１の電極１１、１２に対して、搬送
装置１９により基板１５を１００ｍｍ／ｍｉｎで移動さ
せることにより行う。成膜時の真空室２の内圧は１３〜
１３３Ｐａで、形成する膜厚は１０００オングストロー
ム、処理時間５ｍｉｎとする。
管１８からＳｉＨ4が導入される。このＳｉＨ4の導入
は、Ｏ2の導入に伴うプラズマ発生の後に行われ、この
ＳｉＨ4の導入により基板１５上にＳｉＯ2膜が形成され
る。上記１対の電極１１、１２にて形成される膜の幅で
ある成膜幅２１は８０ｍｍとなっている。実際の成膜
は、かかる成膜幅２１の電極１１、１２に対して、搬送
装置１９により基板１５を１００ｍｍ／ｍｉｎで移動さ
せることにより行う。成膜時の真空室２の内圧は１３〜
１３３Ｐａで、形成する膜厚は１０００オングストロー
ム、処理時間５ｍｉｎとする。
【００２１】したがって、この真空室２においては、Ｏ
2の導入に伴って発生するプラズマが上記電極１１と１
２とで挟まれた領域であるので、プラズマ１６は基板１
５に至ることがなく、照射損傷を与えない。よって、Ｓ
ｉＨ4の導入に伴って基板１５の上に成膜された膜と基
板１５との界面に生じるダメージが抑制される。
2の導入に伴って発生するプラズマが上記電極１１と１
２とで挟まれた領域であるので、プラズマ１６は基板１
５に至ることがなく、照射損傷を与えない。よって、Ｓ
ｉＨ4の導入に伴って基板１５の上に成膜された膜と基
板１５との界面に生じるダメージが抑制される。
【００２２】次に、基板１５は、真空室２内で膜厚１０
００オングストローム成膜された後、搬送装置１９によ
り真空室３に取り込まれる。真空室３の真空度は、１０
-5Ｐａとする。真空室３は、外部に設けた高周波電源８
にマッチングボックス１０を介して接焼した電極１３が
内部に設けられ、反応ガス導入管２２からＯ2およびＳ
ｉＨ4が導入される構成となっている。この真空室３で
の成膜は、上記Ｏ2およびＳｉＨ4を導入し、電極１３と
基板１５との間にプラズマ２０を発生させ、基板１５を
静止して全面にＳｉＯ2を形成する。この場合、高密度
プラズマにより高速成膜を行う。真空室３内圧は１３〜
１３３Ｐａで、形成する膜厚は２０００オングストロー
ム、処理時間１ｍｉｎとする。
００オングストローム成膜された後、搬送装置１９によ
り真空室３に取り込まれる。真空室３の真空度は、１０
-5Ｐａとする。真空室３は、外部に設けた高周波電源８
にマッチングボックス１０を介して接焼した電極１３が
内部に設けられ、反応ガス導入管２２からＯ2およびＳ
ｉＨ4が導入される構成となっている。この真空室３で
の成膜は、上記Ｏ2およびＳｉＨ4を導入し、電極１３と
基板１５との間にプラズマ２０を発生させ、基板１５を
静止して全面にＳｉＯ2を形成する。この場合、高密度
プラズマにより高速成膜を行う。真空室３内圧は１３〜
１３３Ｐａで、形成する膜厚は２０００オングストロー
ム、処理時間１ｍｉｎとする。
【００２３】かかる構成の本実施形態の成膜装置は、仕
込み室１、真空室２、３が各々仕切バルブ５により密閉
されているので、各室の真空度確保、ガス遮断、プラズ
マ遮断は十分可能である。したがって、３枚の基板１５
を同時に処理することは可能である。
込み室１、真空室２、３が各々仕切バルブ５により密閉
されているので、各室の真空度確保、ガス遮断、プラズ
マ遮断は十分可能である。したがって、３枚の基板１５
を同時に処理することは可能である。
【００２４】（実施形態２）図５は、本実施形態の成膜
装置の概略構成を示す模式図である。この成膜装置はプ
ラズマＣＶＤ装置であり、以下のように構成されてい
る。
装置の概略構成を示す模式図である。この成膜装置はプ
ラズマＣＶＤ装置であり、以下のように構成されてい
る。
【００２５】上述した実施形態１における成膜装置の真
空室２、３の間に、真空度１０-5Ｐａの超音波洗浄室４
が設けられている。仕込み室１、真空室２、３および超
音波洗浄室４の各々は仕切りバルブ５により密閉されて
おり、少なくとも仕込み室１から真空室３までの範囲に
わたり搬送装置１９が設けられている。上記超音波洗浄
室４は、その内部に、搬送装置１９にて搬送される基板
１５と対向する状態で設けられた超音波洗浄装置２３を
有する。この超音波洗浄装置２３は、真空室２で成膜後
の基板１５表面の反応生成物残渣を除去する。
空室２、３の間に、真空度１０-5Ｐａの超音波洗浄室４
が設けられている。仕込み室１、真空室２、３および超
音波洗浄室４の各々は仕切りバルブ５により密閉されて
おり、少なくとも仕込み室１から真空室３までの範囲に
わたり搬送装置１９が設けられている。上記超音波洗浄
室４は、その内部に、搬送装置１９にて搬送される基板
１５と対向する状態で設けられた超音波洗浄装置２３を
有する。この超音波洗浄装置２３は、真空室２で成膜後
の基板１５表面の反応生成物残渣を除去する。
【００２６】この場合も、仕込み室１、真空室２、３お
よび超音波洗浄室４の各々は仕切りバルブ５により密閉
されているので、各室の真空度確保、ガス遮断、プラズ
マ連断は十分可能である。したがって、４枚の基板１５
を同時に処理することは可能である。
よび超音波洗浄室４の各々は仕切りバルブ５により密閉
されているので、各室の真空度確保、ガス遮断、プラズ
マ連断は十分可能である。したがって、４枚の基板１５
を同時に処理することは可能である。
【００２７】なお、上述した図１〜５で示した高周波電
源７、８としては、周波数１３．５６ＭＨｚの電源を用
いているが、これに限らない。たとえば、周波数２．４
５ＧＨｚの電源を用い、プラズマ１６をＥＣＲプラズマ
としても良い。
源７、８としては、周波数１３．５６ＭＨｚの電源を用
いているが、これに限らない。たとえば、周波数２．４
５ＧＨｚの電源を用い、プラズマ１６をＥＣＲプラズマ
としても良い。
【００２８】この実施形態２においては、超音波洗浄室
４を真空室２と３との間に設けた構成としているが、本
発明はこれに限らず、更に加えて真空室３の後にも設け
た構成としてもよい。このことは、真空室が３以上から
なる成膜装置において、隣合う真空室の間であれば、そ
の間の全てであっても、または任意の１以上の間に超音
波洗浄室４を設ける構成としてもよい。
４を真空室２と３との間に設けた構成としているが、本
発明はこれに限らず、更に加えて真空室３の後にも設け
た構成としてもよい。このことは、真空室が３以上から
なる成膜装置において、隣合う真空室の間であれば、そ
の間の全てであっても、または任意の１以上の間に超音
波洗浄室４を設ける構成としてもよい。
【００２９】（実施形態３）本実施形態は、成膜装置を
スパッタ装置に利用した場合である。
スパッタ装置に利用した場合である。
【００３０】このスパッタ装置は、図１に示した仕込み
室１および真空室２、３のうち、真空室２を図６および
図７に示す構成のものに変更し、また、真空室３を図８
に示す構成のものに変更した構成となっている。なお、
図７は、図６のＡ−Ａ線による断面図である。
室１および真空室２、３のうち、真空室２を図６および
図７に示す構成のものに変更し、また、真空室３を図８
に示す構成のものに変更した構成となっている。なお、
図７は、図６のＡ−Ａ線による断面図である。
【００３１】このスパッタ装置の具体的な構成は、以下
の通りである。スパッタ装置は、真空ポンプ（図示せ
ず）につながる真空排気口６を各々備えた仕込み室１
と、２つの成膜用の真空室２、３とを有する。仕込み室
１および真空室２、３は仕切りバルブ５を介して直列に
接続されており、また、仕込み室１の真空室２とは反対
側と、真空室３の真空室２とは反対側とには、同様の仕
切りバルブ５が設けられている。仕切りバルブ５は、例
えばステンレス製またはアルミニウム製のものであり、
開閉可能に形成され、開の状態では通路などとしての機
能を有し、閉の状態では各室１、２および３を密閉にで
きる機能を有する。
の通りである。スパッタ装置は、真空ポンプ（図示せ
ず）につながる真空排気口６を各々備えた仕込み室１
と、２つの成膜用の真空室２、３とを有する。仕込み室
１および真空室２、３は仕切りバルブ５を介して直列に
接続されており、また、仕込み室１の真空室２とは反対
側と、真空室３の真空室２とは反対側とには、同様の仕
切りバルブ５が設けられている。仕切りバルブ５は、例
えばステンレス製またはアルミニウム製のものであり、
開閉可能に形成され、開の状態では通路などとしての機
能を有し、閉の状態では各室１、２および３を密閉にで
きる機能を有する。
【００３２】上記仕込み室１および真空室２、３には、
搬送装置１９にて基板１５が搬入・搬出される構成とな
っている。その搬入・搬出に際しては、前記仕切りバル
ブ５の開閉を伴う。上記搬送装置１９は、図６および図
８に示すように、天井側に設けられた案内支持部１９ａ
と、また、底部側に設けられた案内部１９ｂと、案内支
持部１９ａに頭部が移動可能に支持されると共に案内さ
れ、下部が案内部１９ｂにて案内される加熱装置１４と
からなる。上記案内支持部１９ａと案内部１９ｂとは、
仕込み室１から真空室３まではもちろんその両外側に達
する範囲にわたり形成されている。案内部１９ｂの下側
には上方へ押圧付勢するバネ１９ｃが設けられている。
一方、この案内支持部１９ａと案内部１９ｂにて案内さ
れる加熱装置１４は、基板１５よりも少し大きい板状の
ものからなり、その両側に基板１５がセットされるよう
に構成されている。また、加熱装置１４は、セットされ
た基板１５を加熱する図示しない手段を備え、各基板１
５を所定の温度に加熱する。
搬送装置１９にて基板１５が搬入・搬出される構成とな
っている。その搬入・搬出に際しては、前記仕切りバル
ブ５の開閉を伴う。上記搬送装置１９は、図６および図
８に示すように、天井側に設けられた案内支持部１９ａ
と、また、底部側に設けられた案内部１９ｂと、案内支
持部１９ａに頭部が移動可能に支持されると共に案内さ
れ、下部が案内部１９ｂにて案内される加熱装置１４と
からなる。上記案内支持部１９ａと案内部１９ｂとは、
仕込み室１から真空室３まではもちろんその両外側に達
する範囲にわたり形成されている。案内部１９ｂの下側
には上方へ押圧付勢するバネ１９ｃが設けられている。
一方、この案内支持部１９ａと案内部１９ｂにて案内さ
れる加熱装置１４は、基板１５よりも少し大きい板状の
ものからなり、その両側に基板１５がセットされるよう
に構成されている。また、加熱装置１４は、セットされ
た基板１５を加熱する図示しない手段を備え、各基板１
５を所定の温度に加熱する。
【００３３】搬送装置１９にて搬送される基板１５は、
真空度１０-5Ｐａの仕込み室１内に取り込まれ、加熱装
置１４により１５０℃に加熱される。
真空度１０-5Ｐａの仕込み室１内に取り込まれ、加熱装
置１４により１５０℃に加熱される。
【００３４】次に、基板１５は、搬送装置１９により真
空室２に取り込まれる。真空室２の真空度は１０-5Ｐａ
とする。真空室２は、外部に設けた高周波電源７にマッ
チングボックス９を介して接続した２対のＡｌターゲッ
ト２５が内部に設けられ、反応ガス導入管２４からＡｒ
を導入することにより各対のＡｌターゲット２５間にプ
ラズマ２６が発生する構成となっている。上記Ａｌター
ゲット２５は、図６および図７に示すように、基板１５
の搬送域を挟んで２対設けられている。１対は、基板搬
送域の片側に設けられ、残り１対はもう片側に設けられ
ている。
空室２に取り込まれる。真空室２の真空度は１０-5Ｐａ
とする。真空室２は、外部に設けた高周波電源７にマッ
チングボックス９を介して接続した２対のＡｌターゲッ
ト２５が内部に設けられ、反応ガス導入管２４からＡｒ
を導入することにより各対のＡｌターゲット２５間にプ
ラズマ２６が発生する構成となっている。上記Ａｌター
ゲット２５は、図６および図７に示すように、基板１５
の搬送域を挟んで２対設けられている。１対は、基板搬
送域の片側に設けられ、残り１対はもう片側に設けられ
ている。
【００３５】上記１対のＡｌターゲット２５にて形成さ
れる膜の幅である成膜幅２１は８０ｍｍとなっている。
実際の成膜は、かかる成膜幅２１のＡｌターゲット２５
に対して、搬送装置１９により基板１５を１００ｍｍ／
ｍｉｎで移動させることにより行う。成膜時の真空室２
の内圧は１〜１０Ｐａで、形成する膜厚は１０００オン
グストローム、処理時間５ｍｉｎとする。
れる膜の幅である成膜幅２１は８０ｍｍとなっている。
実際の成膜は、かかる成膜幅２１のＡｌターゲット２５
に対して、搬送装置１９により基板１５を１００ｍｍ／
ｍｉｎで移動させることにより行う。成膜時の真空室２
の内圧は１〜１０Ｐａで、形成する膜厚は１０００オン
グストローム、処理時間５ｍｉｎとする。
【００３６】したがって、この真空室２においては、上
記１対のＡｌターゲット２５で挟まれた領域にプラズマ
２６が発生するので、プラズマ２６は基板１５に至るこ
とがなく、照射損傷を与えない。よって、基板１５の上
に成膜された膜と基板１５との界面に生じるダメージが
抑制される。
記１対のＡｌターゲット２５で挟まれた領域にプラズマ
２６が発生するので、プラズマ２６は基板１５に至るこ
とがなく、照射損傷を与えない。よって、基板１５の上
に成膜された膜と基板１５との界面に生じるダメージが
抑制される。
【００３７】次に、基板１５は、真空室２内で膜厚１０
００オングストローム成膜された後、搬送装置１９によ
り真空室３に取り込まれる。真空室３の真空度は、１０
-5Ｐａとする。真空室３は、外部に設けた高周波電源８
にマッチングボックス１０を介して接焼したＡｌターゲ
ット２７が内部に設けられ、反応ガス導入管２９からＡ
ｒが導入される構成となっている。この真空室３での成
膜は、上記Ａｒを導入し、Ａｌターゲット２７と基板１
５との間にプラズマ２８を発生させ、基板１５を静止し
て全面にＡｌを形成する。この場合、高密度プラズマに
より高速成膜を行う。真空室３内圧は１〜１０Ｐａで、
形成する膜厚は２０００オングストローム、処理時間１
ｍｉｎとする。
００オングストローム成膜された後、搬送装置１９によ
り真空室３に取り込まれる。真空室３の真空度は、１０
-5Ｐａとする。真空室３は、外部に設けた高周波電源８
にマッチングボックス１０を介して接焼したＡｌターゲ
ット２７が内部に設けられ、反応ガス導入管２９からＡ
ｒが導入される構成となっている。この真空室３での成
膜は、上記Ａｒを導入し、Ａｌターゲット２７と基板１
５との間にプラズマ２８を発生させ、基板１５を静止し
て全面にＡｌを形成する。この場合、高密度プラズマに
より高速成膜を行う。真空室３内圧は１〜１０Ｐａで、
形成する膜厚は２０００オングストローム、処理時間１
ｍｉｎとする。
【００３８】かかる構成の本実施形態の成膜装置は、仕
込み室１、真空室２、３が各々仕切バルブ５により密閉
されているので、各室の真空度確保、ガス遮断、プラズ
マ遮断は十分可能である。したがって、３枚の基板１５
を同時に処理することは可能である。
込み室１、真空室２、３が各々仕切バルブ５により密閉
されているので、各室の真空度確保、ガス遮断、プラズ
マ遮断は十分可能である。したがって、３枚の基板１５
を同時に処理することは可能である。
【００３９】（実施形態４）本実施形態は、成膜装置を
スパッタ装置に利用した場合である。
スパッタ装置に利用した場合である。
【００４０】このスパッタ装置は、実施形態３のスパッ
タ装置における真空室２と３との間に、真空度１０-5Ｐ
ａの超音波洗浄室４が設けられている。仕込み室１、真
空室２、３および超音波洗浄室４の各々は仕切りバルブ
５により密閉されており、少なくとも仕込み室１から真
空室３までの範囲にわたり搬送装置１９が設けられてい
る。上記超音波洗浄室４は、その内部に、搬送装置１９
にて搬送される基板１５と対向する状態で設けられた超
音波洗浄装置２３を有する。この超音波洗浄装置２３
は、真空室２で成膜後の基板１５表面の反応生成物残渣
を除去する。
タ装置における真空室２と３との間に、真空度１０-5Ｐ
ａの超音波洗浄室４が設けられている。仕込み室１、真
空室２、３および超音波洗浄室４の各々は仕切りバルブ
５により密閉されており、少なくとも仕込み室１から真
空室３までの範囲にわたり搬送装置１９が設けられてい
る。上記超音波洗浄室４は、その内部に、搬送装置１９
にて搬送される基板１５と対向する状態で設けられた超
音波洗浄装置２３を有する。この超音波洗浄装置２３
は、真空室２で成膜後の基板１５表面の反応生成物残渣
を除去する。
【００４１】この場合も、仕込み室１、真空室２、３、
超音波洗浄室４は仕切りバルブ５により密閉されている
ので各室の真空度確保、ガス遮断、プラズマ遮断は十分
可能である。したがって、４枚の基板１５を同時に処理
することは可能である。
超音波洗浄室４は仕切りバルブ５により密閉されている
ので各室の真空度確保、ガス遮断、プラズマ遮断は十分
可能である。したがって、４枚の基板１５を同時に処理
することは可能である。
【００４２】この実施形態４においては、超音波洗浄室
４を真空室２と３との間に設けた構成としているが、本
発明はこれに限らず、更に加えて真空室３の後にも設け
た構成としてもよい。このことは、真空室が３以上から
なる成膜装置において、隣合う真空室の間であれば、そ
の間の全てであっても、または任意の１以上の間に超音
波洗浄室４を設ける構成としてもよい。
４を真空室２と３との間に設けた構成としているが、本
発明はこれに限らず、更に加えて真空室３の後にも設け
た構成としてもよい。このことは、真空室が３以上から
なる成膜装置において、隣合う真空室の間であれば、そ
の間の全てであっても、または任意の１以上の間に超音
波洗浄室４を設ける構成としてもよい。
【００４３】本実施形態１における成膜装置によって、
図９に示すＴＦＴを作製した場合のそのＴＦＴの特性を
下記に示す。
図９に示すＴＦＴを作製した場合のそのＴＦＴの特性を
下記に示す。
【００４４】 固定電荷密度：２．１×１０11／ｃｍ2 ＶFBシフト：ｌＶ以下 図９に示すＴＦＴの構成は、以下のようになっている。
ガラス基板３７の上にベースコート３６が形成され、そ
の上に、両側にコンタクト層３５を有する半導体膜、ゲ
ート絶縁膜３４、ゲート電極３３、および絶縁膜３２が
形成され、上記コンタクト層３５に達するコンタクトホ
ールに一部を充填してソース電極３０およびドレイン電
極３１が形成されている。この構成におけるベースコー
ト３６の形成を含み、その後の形成工程に、本実施形態
の成膜装置を用いている。なお、実施形態２や４のよう
に、超音波洗浄室を設けた成膜装置によりＴＦＴを作製
する場合は、パーティクル削減による製品歩留まりの向
上を図れる。
ガラス基板３７の上にベースコート３６が形成され、そ
の上に、両側にコンタクト層３５を有する半導体膜、ゲ
ート絶縁膜３４、ゲート電極３３、および絶縁膜３２が
形成され、上記コンタクト層３５に達するコンタクトホ
ールに一部を充填してソース電極３０およびドレイン電
極３１が形成されている。この構成におけるベースコー
ト３６の形成を含み、その後の形成工程に、本実施形態
の成膜装置を用いている。なお、実施形態２や４のよう
に、超音波洗浄室を設けた成膜装置によりＴＦＴを作製
する場合は、パーティクル削減による製品歩留まりの向
上を図れる。
【００４５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の成膜装置に
よる場合は、基板へ照射損傷を与えない位置にプラズマ
を発生させる電場発生手段が設けられ、この電場発生手
段を用いて形成したプラズマ中に反応性ガスを導入し、
基板上へ薄膜を形成する。それ故、界面準位の発生を抑
制することができ、しきい値電圧の安定した半導体装置
の作製が可能であり、良品率の向上が図れる。また、基
板へ照射損傷を与えない位置にプラズマを発生させる電
場発生手段により界面を成膜後は、それ以外の電場発生
手段を用いるので、プラズマ密度が上がり、高速成膜が
可能となってスループットの向上が図れる。
よる場合は、基板へ照射損傷を与えない位置にプラズマ
を発生させる電場発生手段が設けられ、この電場発生手
段を用いて形成したプラズマ中に反応性ガスを導入し、
基板上へ薄膜を形成する。それ故、界面準位の発生を抑
制することができ、しきい値電圧の安定した半導体装置
の作製が可能であり、良品率の向上が図れる。また、基
板へ照射損傷を与えない位置にプラズマを発生させる電
場発生手段により界面を成膜後は、それ以外の電場発生
手段を用いるので、プラズマ密度が上がり、高速成膜が
可能となってスループットの向上が図れる。
【００４６】更に、反応生成物残渣を除去する手段を備
えた構成とすると、上記効果に加え、基板上への薄膜の
形成ごとに、その形成の際に発生した反応生成物残渣を
除去することが可能となり、さらに品質の良い膜が得ら
れる。
えた構成とすると、上記効果に加え、基板上への薄膜の
形成ごとに、その形成の際に発生した反応生成物残渣を
除去することが可能となり、さらに品質の良い膜が得ら
れる。
【図１】実施形態１に係る成膜装置（ＣＶＤ装置）の概
路図である。
路図である。
【図２】実施形態１に係る成膜装置の真空室２の構造図
である。
である。
【図３】図２のＡ−Ａ線による断面図である。
【図４】実施形態１に係る成膜装置の真空室３の構造図
である。
である。
【図５】実施形態２に係る成膜装置（ＣＶＤ装置）の概
略図である。
略図である。
【図６】実施形態３に係る成膜装置（スパッタ装置）の
真空室２の構造図である。
真空室２の構造図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線による断面図である。
【図８】実施形態３に係る成膜装置の真空室３の構造図
である。
である。
【図９】本発明の成膜装置を用いて作製されたＴＦＴを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１０】従来のプラズマ装置を示す概略図である。
１ 仕込み室 ２ 真空室 ３ 真空室 ４ 超音波洗浄室 ５ 仕切りバルブ ６ 真空排気口 ７ 高周波電源 ８ 高周波電源 ９ マッチングボックス １０ マッチングボックス ｌｌ 電極 １２ 電極 １３ 反応ガス導入管 １４ 加熱装置 １５ 基板 １６ プラズマ １７ 反応ガス導入管 １８ 反応ガス導入管 １９ 搬送装置 ２０ プラズマ ２１ 成膜幅 ２２ 反応ガス導入管 ２３ 超音波洗浄装置 ２４ 反応ガス導入管 ２５ Ａｌターゲット ２６ プラズマ ２７ Ａｌターゲット ２８ プラズマ ２９ 反応ガス導入管 ３０ ソース電極 ３１ ドレイン電極 ３２ 絶縁膜 ３３ ゲート電極 ３４ ゲート絶縁膜 ３５ コンタクト層 ３６ べ一スコート ３７ ガラス基板 ３８ 高周波電源 ３９ 高周波電源 ４０ スイッチ ４１ チャンバー ４２ カソード ４３ アノード ４４ ガス導入口 ４５ プラズマ ４６ 排気ポンプ ４７ 被処理物 ４８ 絶縁体
Claims (2)
- 【請求項１】 真空室内に反応性ガスを導入し、電場発
生手段によりプラズマを発生させることにより、該真空
室内にセットされた被成膜体の上に薄膜を形成する成膜
装置であって、 該反応性ガスを導する手段および該電場発生手段を各々
備える真空室を複数有し、少なくとも１つの真空室に設
けられた該電場発生手段が、該電場発生手段にて発生し
たプラズマを該被成膜体が照射損傷しない構成としてあ
る成膜装置。 - 【請求項２】 前記複数の真空室の少なくとも１つの後
段に、前記被成膜体の上に形成した薄膜表面の反応生成
物残渣を除去する超音波洗浄室が設けられている請求項
１に記載の成膜装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200058A JPH0950992A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 成膜装置 |
| US08/691,512 US6017396A (en) | 1995-08-04 | 1996-08-02 | Plasma film forming apparatus that prevents substantial irradiation damage to the substrate |
| KR1019960032594A KR100264405B1 (ko) | 1995-08-04 | 1996-08-05 | 성막 장치 및 성막 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200058A JPH0950992A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950992A true JPH0950992A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16418144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7200058A Pending JPH0950992A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 成膜装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6017396A (ja) |
| JP (1) | JPH0950992A (ja) |
| KR (1) | KR100264405B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007284766A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shimadzu Corp | 縦型プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2007284765A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shimadzu Corp | 基板トレイ、および成膜装置 |
| JP2010532565A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 単一の平面アンテナを備えた誘導結合二重ゾーン処理チャンバ |
| JP2012523019A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-27 | ソラダイム， インコーポレイテッド | エレクトロクロミック素子 |
| US9454053B2 (en) | 2011-12-12 | 2016-09-27 | View, Inc. | Thin-film devices and fabrication |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6152070A (en) * | 1996-11-18 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Tandem process chamber |
| JP4304547B2 (ja) * | 1998-03-20 | 2009-07-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | 枚葉式ｃｖｄ装置および枚葉式ｃｖｄ方法 |
| JP4806146B2 (ja) * | 1999-07-13 | 2011-11-02 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | 真空処理ないしは粉末製造のための装置および方法 |
| JP2002030447A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-31 | Canon Inc | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| TW529085B (en) * | 2000-09-22 | 2003-04-21 | Alps Electric Co Ltd | Method for evaluating performance of plasma treatment apparatus or performance confirming system of plasma treatment system |
| US6610350B2 (en) * | 2000-10-05 | 2003-08-26 | Menicon Co., Ltd. | Method of modifying ophthalmic lens surface by plasma generated at atmospheric pressure |
| US6808741B1 (en) * | 2001-10-26 | 2004-10-26 | Seagate Technology Llc | In-line, pass-by method for vapor lubrication |
| KR100486692B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2005-05-03 | 주식회사 엘지이아이 | 연속처리가 가능한 열교환기 표면처리장치 |
| KR100972292B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2010-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화학 기상 증착방법 |
| WO2004070809A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の作製方法 |
| JP2004288984A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Sharp Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
| DE10319379A1 (de) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zum Transportieren eines flachen Substrats in einer Vakuumkammer |
| DE102004021734B4 (de) * | 2004-04-30 | 2010-09-02 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Beschichtung flacher Substrate mit optisch aktiven Schichtsystemen |
| JP4185483B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2008-11-26 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2006196681A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Sharp Corp | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| JP4584722B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2010-11-24 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| KR101225312B1 (ko) * | 2005-12-16 | 2013-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프로세스 장치 |
| RU2009131761A (ru) * | 2007-02-01 | 2011-03-10 | Уиллард энд Келси Солар Груп, ЭлЭлСи (US) | Система и способ нанесения полупроводникового покрытия на лист стекла и получаемый продукт |
| US20100055920A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-04 | Gang Grant Peng | Apparatus and method for enhancing plasma etch |
| JP5490585B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-05-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
| US9111729B2 (en) * | 2009-12-03 | 2015-08-18 | Lam Research Corporation | Small plasma chamber systems and methods |
| TWI520177B (zh) | 2010-10-26 | 2016-02-01 | Hitachi Int Electric Inc | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及電腦可讀取的記錄媒體 |
| KR101199210B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2012-11-07 | 한국에너지기술연구원 | 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템 |
| KR20130095063A (ko) * | 2012-02-17 | 2013-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치와, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| DE102014104011A1 (de) * | 2014-03-24 | 2015-09-24 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden von Nanotubes |
| US10851457B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-12-01 | Lam Research Corporation | PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate |
| WO2021034508A1 (en) | 2019-08-16 | 2021-02-25 | Lam Research Corporation | Spatially tunable deposition to compensate within wafer differential bow |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4274936A (en) * | 1979-04-30 | 1981-06-23 | Advanced Coating Technology, Inc. | Vacuum deposition system and method |
| JPS6029295B2 (ja) * | 1979-08-16 | 1985-07-10 | 舜平 山崎 | 非単結晶被膜形成法 |
| US6113701A (en) * | 1985-02-14 | 2000-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method, and system |
| US4828369A (en) * | 1986-05-28 | 1989-05-09 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Electrochromic device |
| US4738761A (en) * | 1986-10-06 | 1988-04-19 | Microelectronics Center Of North Carolina | Shared current loop, multiple field apparatus and process for plasma processing |
| US5292393A (en) * | 1986-12-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Multichamber integrated process system |
| US5180435A (en) * | 1987-09-24 | 1993-01-19 | Research Triangle Institute, Inc. | Remote plasma enhanced CVD method and apparatus for growing an epitaxial semiconductor layer |
| US5174881A (en) * | 1988-05-12 | 1992-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a thin film on surface of semiconductor substrate |
| JPH0254225A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Canon Inc | 光路折曲手段を有した光学系 |
| US5556501A (en) * | 1989-10-03 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor |
| JPH03162571A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-12 | Osaka Shinku Kiki Seisakusho:Kk | 対向ターゲット式スパッタ法に於ける反応性スパッタによる薄膜形成方法 |
| JP2948842B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1999-09-13 | 日本真空技術株式会社 | インライン型ｃｖｄ装置 |
| JPH03232224A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH0775226B2 (ja) * | 1990-04-10 | 1995-08-09 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | プラズマ処理方法及び装置 |
| US5707486A (en) * | 1990-07-31 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using UHF/VHF and RF triode source, and process |
| US5707692A (en) * | 1990-10-23 | 1998-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for processing a base substance using plasma and a magnetic field |
| US5147520A (en) * | 1991-02-15 | 1992-09-15 | Mcnc | Apparatus and method for controlling processing uniformity in a magnetron |
| JPH0677144A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Ulvac Japan Ltd | プラズマｃｖｄ成膜方法と装置 |
| JP3350973B2 (ja) * | 1992-10-12 | 2002-11-25 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| US5650197A (en) * | 1994-03-11 | 1997-07-22 | Jet Process Corporation | Jet vapor deposition of organic molecule guest-inorganic host thin films |
| US5620523A (en) * | 1994-04-11 | 1997-04-15 | Canon Sales Co., Inc. | Apparatus for forming film |
| US5795399A (en) * | 1994-06-30 | 1998-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product |
| US5679167A (en) * | 1994-08-18 | 1997-10-21 | Sulzer Metco Ag | Plasma gun apparatus for forming dense, uniform coatings on large substrates |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP7200058A patent/JPH0950992A/ja active Pending
-
1996
- 1996-08-02 US US08/691,512 patent/US6017396A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-05 KR KR1019960032594A patent/KR100264405B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007284766A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shimadzu Corp | 縦型プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2007284765A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shimadzu Corp | 基板トレイ、および成膜装置 |
| JP2010532565A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 単一の平面アンテナを備えた誘導結合二重ゾーン処理チャンバ |
| JP2012523019A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-27 | ソラダイム， インコーポレイテッド | エレクトロクロミック素子 |
| JP2015187749A (ja) * | 2009-03-31 | 2015-10-29 | ビュー， インコーポレイテッド | 成膜システム、エレクトロクロミック層の製造方法、及び、無機エレクトロクロミック素子の製造方法 |
| US9429809B2 (en) | 2009-03-31 | 2016-08-30 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US9477129B2 (en) | 2009-03-31 | 2016-10-25 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US9664974B2 (en) | 2009-03-31 | 2017-05-30 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US9904138B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-02-27 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US11947232B2 (en) | 2009-03-31 | 2024-04-02 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US9454053B2 (en) | 2011-12-12 | 2016-09-27 | View, Inc. | Thin-film devices and fabrication |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6017396A (en) | 2000-01-25 |
| KR970012897A (ko) | 1997-03-29 |
| KR100264405B1 (ko) | 2000-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0950992A (ja) | 成膜装置 | |
| US6338874B1 (en) | Method for multilayer CVD processing in a single chamber | |
| JPH08115886A (ja) | 処理装置及びドライクリーニング方法 | |
| JPH03166373A (ja) | インライン型ｃｖｄ装置 | |
| WO2009104379A1 (ja) | 原子層成長装置および原子層成長方法 | |
| KR101486937B1 (ko) | 원자층 증착 장치 및 방법 | |
| JP3204836B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
| JP2001102311A (ja) | Ｃｖｄ装置およびその基板洗浄方法 | |
| JP7433154B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH11121445A (ja) | 気相成長装置及びその洗浄方法 | |
| US20030010624A1 (en) | System and method for forming base coat and thin film layers by sequential sputter depositing | |
| JP4311223B2 (ja) | 薄膜製造装置、薄膜製造方法および薄膜製造装置のクリーニング方法 | |
| JP2004260120A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2737540B2 (ja) | 薄膜トランジスタ構成膜の成膜方法及び成膜装置 | |
| JP3581813B2 (ja) | 薄膜製造方法並びに薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP4311222B2 (ja) | 薄膜製造装置、薄膜製造方法および薄膜製造装置のクリーニング方法 | |
| JPH0425017A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPS59167012A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS62214177A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPH08260149A (ja) | 減圧表面処理装置及び太陽電池製作装置 | |
| Westendorp et al. | High Deposition Rate Pecvd Processes For Next Generation Tft-Lcds | |
| JPH09306899A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPH0590180A (ja) | プラズマｃｖｄ処理装置のドライクリーニング方法 | |
| JPH11310887A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
| JPH06291062A (ja) | 薄膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010404 |