JP2002030447A

JP2002030447A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Info

Publication number: JP2002030447A
Application number: JP2000209817A
Authority: JP
Inventors: Toshiyasu Shirasago; 寿康白砂; Tatsuyuki Aoike; 達行青池; Daisuke Tazawa; 大介田澤; Kazuyoshi Akiyama; 和敬秋山; Yukihiro Abe; 幸裕阿部; Kazuto Hosoi; 一人細井; Hitoshi Murayama; 仁村山; Takashi Otsuka; 崇志大塚
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-07-11
Filing date: 2000-07-11
Publication date: 2002-01-31
Also published as: US20080271676A1; US7550180B2; US6761128B2; US20040112864A1; US20020038632A1

Abstract

(57)【要約】【課題】インピーダンスの異なる複数の反応容器に対
して効率よく低コストでプラズマ処理を行う。【解決手段】可動反応容器部１０１，１５１，１６１
は、それぞれ内部に被処理基体が設置されインピーダン
スの異なる反応容器１０４，１５４，１６４を有する。
各反応容器１０４，１５４，１６４は、高周波電源１１
１と高周波整合器１１２’とを有する高周波導入手段と
接続され、高周波電力が導入されることによって被処理
基体に対してプラズマ処理が行われる。稼働反応容器部
１０１，１５１，１６１には、反応容器１０４，１５
４，１６４側と高周波導入手段側とのインピーダンスを
調整するための整合回路ユニット１０１Ｕ，１５１Ｕ，
１６１Ｕがそれぞれ設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放電現象を利用し
て原料ガスを分解することによって、基板上に膜堆積を
形成し、あるいは、基板上の堆積膜をエッチングし、も
しくは表面改質するときに使用するプラズマ処理方法及
びプラズマ処理装置に関する。本発明は特に、基体上に
堆積膜、とりわけ機能性堆積膜、特に半導体デバイス、
電子写真用光受容部材、画像入力用ラインセンサー、撮
像デバイス、光起電カデバイス等に用いる、アモルフア
ス半導体を形成するプラズマ処理方法及びプラズマ処理
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体デバイス、電子写真用感光
体、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電
カデバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素
子等に用いる素子部材として、アモルファスシリコン、
例えば水素または／及びハロゲン（例えばフッ素、塩素
等）で補償されたアモルファスシリコンのような非単結
晶質の堆積膜、またはダイヤモンド薄膜のような結晶質
の堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に共され
ている。そして、こうした堆積膜は、プラズマＣＶＤ
法、すなわち、原料ガスを直流または高周波、あるいは
マイクロ波によるグロー放電によって分解し、ガラス、
石英、耐熱性合成樹脂フイルム、ステンレス、アルミニ
ウムなどの支持体上に堆積膜を形成する方法により形成
され、そのための処理方法および処理装置も各種提案さ
れている。

【０００３】例えば、図１２に、高周波プラズマＣＶＤ
法（以降、「ＰＣＶＤ」という）による、従来の電子写
真用光受容部材の製造装置の一例の模式的な構成図を示
し、同図（Ａ）は、その縦断面図、同図（Ｂ）は、
（Ａ）のＸ−Ｘ線横断面図である。

【０００４】この装置は大別すると、円筒状の誘電体部
材からなる反応容器１００４を有する堆積装置１００１
と、反応容器１００４内へ原料ガスを供給するための供
給装置１００２と、反応容器１００４内を減圧にするた
めの排気装置１０３０とから構成されている。

【０００５】堆積装置９０１は、反応容器９０４の内側
で形成される第１の空間１００５と、反応容器１００４
とシールド壁９１７との間で形成される第２の空間１０
０６とからなる。堆積膜が形成される部材である円筒状
基体１０１０は、基体ホルダー１０１２に装着されて第
１の空間１００５内に設置される。また、第１の空間１
００５内には、基体加熱用ヒーター１０１６、及び原料
ガス導入管１０１５が設置されている。一方、第２の空
間１００６内には、棒状のカソード電極１０１１が反応
容器９０４と略平行に設置され、更に、高周波整合器１
０４１を介して高周波電源１０４０が接続されている。

【０００６】原料ガスの供給装置１００２は、Ｓｉ
Ｈ₄、ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガ
スのボンべ（図示せず）、バルブ（図示せず）およびマ
スフローコントローラー（図示せず）を有し、各原料ガ
スのボンベはバルブ１０２６を介して反応容器１００４
内のガス導入管１０１５に接続されている。

【０００７】この堆積膜形成装置を用いた、円筒状基体
１０１０への堆積膜の形成は、例えば以下のように行な
われる。

【０００８】まず、クリーンルーム等のダスト管理され
た環境で、基体ホルダー１０１２に装着され、精密に洗
浄された円筒状基体１０１０を反応容器１００４内に設
置する。次に、排気装置１０３０により反応容器１００
４内を排気する。

【０００９】続いて、反応容器１００４内に、円筒状基
体１０１０を加熱するための基体加熱用ガスをガス導入
管１０１５介して反応容器１００４内に導入する。次
に、マスフローコントローラー（図示せず）によって、
基体加熱用ガスが所定の流量になるように調整する。そ
の際、反応容器１００４内の圧力が例えば１３３Ｐａ以
下の所定の圧力になるように真空計（図示せず）を見な
がら排気バルブ１０３１の開き具合を調整する。反応容
器１００４の内圧が安定したところで、基体加熱用ヒー
ター１０１６により円筒状基体９１０の温度を５０℃〜
４５０℃の所定の温度に制御する。

【００１０】円筒状基体９１０が所定の温度になったと
ころで、マスフローコントローラー（図示せず）によっ
て各原料ガスが所定の流量になるように調整しつつ、反
応容器１００４内に原料ガスを供給する。その際、反応
容器１００４内の圧力が例えば１３３Ｐａ以下の所定の
圧力になるように真空計（図示せず）を見ながら排気バ
ルプ１０３１の開き具合を調整する。

【００１１】反応容器１００４の内圧が安定したところ
で、例えば周波数１０５ＭＨｚの高周波電源１０４０を
所望の電力に設定して、高周波整合器１０４１を通じて
反応容器１００４内に高周波電力を導入し、グロー放電
を生起させる。この放電エネルギーによって、反応容器
１００４内に導入された原料ガスが分解され、所定のシ
リコンを主成分とする所定の堆積膜が円筒状基体１０１
０上に形成される。

【００１２】堆積膜の膜厚が所望の膜厚となった後、反
応容器１００４内への高周波電力の導入、及び原料ガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【００１３】以下、同様の操作を複数回繰り返すことに
よって、所望の多層構造の光受容層を形成することがで
きる。

【００１４】ここで、それぞれの層を形成する際には必
要なガス以外のバルブはすべて閉じられていることは言
うまでもなく、また、それぞれのガスが反応容器１００
４内、及び反応容器１００４に至る配管内に残留するこ
とを避けるために、排気バルブ１０３１を全開にして系
内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。ま
た、堆積膜形成中は、モーター１０２０を駆動させ、円
筒状基体１０１０を回転させる。

【００１５】このようにして、プラズマ処理を行う場
合、負荷側（反応容器側）に効率よく高周波電力を導入
するために、さらには、高周波電源側を保護するため
に、負荷側のインピーダンスと高周波電源側のインピー
ダンスの整合を、高周波整合器１０４１により行ってい
る。負荷側のインピーダンスは、プラズマによる容量成
分、抵抗成分、更には負荷側の形状に由来する、浮遊容
量成分、誘導成分、抵抗成分を含んでいるため、プラズ
マの処理条件、プラズマ処理を行う装置の形状により大
きく変化する。そのためインピーダンスの調整は、装置
ごと、あるいはプラズマ処理条件ごとに固有の値を必要
とする。

【００１６】整合の方法としては、例えば、整合器内に
設けられた、π型あるいはＴ型回路内の可変コンデンサ
ーの容量を変化させ行うことが一般的に行われている。
また、整合器内の調整だけでは不充分の場合には、例え
ば、特開平９−３１０１８１号公報に開示されるよう
に、複数のカソード電極各々にコンデンサーを取付ける
ことで、整合器と各カソード電極間の拒離が長くなるこ
とによる、誘導成分の変化をキャンセルさせ、整合をと
っている。更に、特開平８−２５３８６２号公報には、
プラズマ発生用電極に連結された電極導入軸および同軸
円筒形アースシールドの長さを可変にすることで、多様
な電源周波数に対応可能としている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法及び装
置により、良好な整合状態が得られている。しかしなが
ら、実際の生産における効率的な堆積膜の形成を考えた
場合、更なる工夫の余地が存在する。

【００１８】前述の整合方法によれば、確かにある一定
のプラズマ処理に対しては良好な整合が得られるが、例
えば、前述の電子写真用光受容部材の生産を行う場合、
多種多様な電子写真装置に対応して、形状、膜組成の異
なる電子写真用光受容部材を生産する必要がある。それ
に応じて、堆積膜を形成する反応容器のインピーダンス
が変化してくる。さらに、電子写真用光受容部材のよう
に多層構成の場合、各層毎で処理ガス種、内圧、高周波
電力等が変化するため、プラズマに由来するインピーダ
ンスも大きく変化する場合がある。

【００１９】その結果、従来のプラズマ処理システムに
おいては、各々の製品形態に応じて良好な整合を取るこ
とは、各条件に対して固有の整合器を必要とする場合が
発生し、これにより、装置全体のコストが高くなり、ひ
いては生産される製品のコスト低下の妨げとなってい
る。また、プラズマ処理の条件が変わる毎に、整合器の
入れ替えを行う必要があるため、稼働率の低下を招き、
また稼働率の低下を防止するために、同一条件の処理を
継続して行う場合には、生産の柔軟性が抑制され、多様
な生産要求、あるいは思わぬトラブルによる生産調整等
が円滑に実行出来難くなる。

【００２０】従って、この様に高周波を用いたプラズマ
処理システムにおいて、多品種生産に対し、生産システ
ムの簡素化、低コスト化を実現するプラズマ処理装置の
構成、プラズマ処理方法の早期実現が望まれていた。

【００２１】そこで本発明は、プラズマ処理が効率よく
低コストで実施可能であり、また、複数の種類のプラズ
マ処理を生産効率の低下を生じさせることなく実施する
ことが可能な、優れた生産性を有するプラズマ処理方法
及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来のプ
ラズマ処理方法およびプラズマ処理装置における前述の
問題を克服して上記の本発明の目的を達成すべく鋭意検
討を行った結果、インピーダンスの異なる複数の反応容
器に対し、反応容器側と高周波導入手段側とのインピー
ダンスを調整するためのインピーダンス調整手段を用い
て随時プラズマ処理を行うことで、多品種生産に対し、
生産システムの簡素化、低コスト化を実現でき、高稼働
率および高柔軟性を同時に達成可能であることを見出
し、本研究を完成させるに至った。

【００２３】すなわち本発明のプラズマ処理方法は、減
圧された反応容器内へ高周波導入手段により高周波電力
を導入することによって生じるグロー放電を利用して被
処理基体の表面に処理を行うプラズマ処理方法におい
て、前記反応容器側と前記高周波導入手段側とのインピ
ーダンスを調整するための複数のインピーダンス調整手
段を前記反応容器のインピーダンスに対応して用意し、
前記反応容器に対応した前記インピーダンス調整手段を
介して前記反応容器内へ高周波電力を導入することを特
徴とする。

【００２４】また、本発明のプラズマ処理装置は、減圧
可能な内部に被処理基体が設置され、それぞれインピー
ダンスの異なる複数の反応容器と、減圧された前記反応
容器内へ高周波電力を導入し前記反応容器内にグロー放
電を生じさせる高周波導入手段と、前記反応容器側と前
記高周波導入手段側とのインピーダンスを調整するため
に前記反応容器のインピーダンスに対応して設けられた
複数のインピーダンス調整手段とを有することを特徴と
する。

【００２５】本発明によれば、多様なプラズマ処理条
件、あるいはプラズマ処理用の反応容器の多様な形状に
対し、一つの高周波導入手段を用い対応可能であるた
め、装置全体のコストが抑えられ、生産される製品のコ
ストを下げることが可能となる。また、プラズマ処理内
容が変わる毎に、高周波導入手段の整合器の入れ替えを
行う必要が無いため、高稼働率を達成でき、また高稼働
率を維持しつつ、多様な生産要求、あるいは思わぬトラ
ブルによる生産調整等に円滑に対応可能となり、生産の
柔軟性が向上する。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して詳細に説明する。

【００２７】図１は、本発明のプラズマ処理方法を用い
た電子写真用光受容部材の堆積膜形成装置の一例を模式
的に示した側面図である。

【００２８】図１に示すように、本実施形態の堆積膜形
成装置は、可動式の反応容器１０４を含む可動反応容器
部１０１と、反応容器１０４内を排気するための排気部
１０２と、反応容器１０４内に高周波電力を導入するた
めの高周波導入手段１１０と、反応容器１０４内に原料
ガスを供給するための原料ガス供給手段（不図示）とを
有する。

【００２９】可動反応容器部１０１は、外側がシールド
（図１では不図示）で包囲された反応容器１０４と、反
応容器１０４が載置され、かつ移動可能手段であるキャ
スター１０５が取り付けられた支持台１０６と、反応容
器１０４を排気部１０２と気密接続するための接続用フ
ランジ１０８とを有する。

【００３０】反応容器１０４の内部には、図示していな
いが、従来と同様に、堆積膜が形成される円筒状基体を
保持する基体ホルダー（不図示）、原料ガス導入管、基
体加熱用ヒータ等を有している。

【００３１】移動可能手段は、反応容器１０４を移動さ
せることができるものであれば特に限定されず、キャス
ターによるもの、ベルトによるもの、磁気浮動によるも
の、空気浮動によるもの等が利用できるが、取り扱い易
さ、コストの点から、本実施形態のようにキャスター１
０５によるものが望ましい。

【００３２】また、反応容器１０４の形状も特に限定さ
れるものではないが、堆積膜の形成をより均一に行うた
めに、堆積膜を形成する部材の形状の形状に合わせるの
が好ましい。本実施形態のように、堆積膜を形成する部
材が電子写真光受容部材の基体である場合には、基体の
形状は円筒状であり、また生産性の観点から複数の基体
が同一円周上に配置されることから、反応容器１０４の
形状は、基体と同様に円筒の形状が一般的に用いられ
る。また、反応容器１０４の材質は、Ａｌ、ステンレ
ス、またはアルミナセラミックスが、機械的強度、およ
び真空保持能力の点で望ましい。

【００３３】排気部１０２は、可能反応容器部１０１の
接続用フランジ１０８と接続される接続用フランジ１０
９と、この接続用フランジ１０９を介して稼働反応容器
部１０１と接続される、真空ポンプ等の排気手段１０７
とを有する。

【００３４】高周波導入手段１１０は、可動反応容器部
１０１と分離可能であり、反応容器１０４内にプラズマ
を発生させるための高周波電源１１１と、反応容器１０
４側に効率よく高周波電力を導入し、また、反応容器１
０４側のインピーダンスと高周波電源１１１側のインピ
ーダンスの整合をとるための高周波整合器１１２とを有
する。

【００３５】次に、このプラズマ処理装置を用いたプラ
ズマ処理方法の概略の手順について説明する。

【００３６】まず、稼働反応容器部１０１を、排気部１
０２及び高周波導入手段１１０と分離した状態で、反応
容器１０４内に円筒状基体を設置する。なお、以下の説
明では、反応容器内に円筒状基体を設置する作業を行う
エリアを基体投入エリアといい、排気部及び高周波導入
手段が設置され可動反応容器部に対してプラズマ処理を
行うエリアをプラズマ処理エリアという（後述の図２参
照）。

【００３７】その後、反応容器１０４内を所望の圧力ま
で排気する。この際、必要に応じて、基体加熱用ヒータ
により円筒状基体を所定の温度に加熱したり、反応容器
１０４に不活性ガス供給系（不図示）を接続して反応容
器１０４内に、Ｎ₂ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス等の不活
性ガスを供給してもよい。

【００３８】次に、可動反応容器部１０１を排気部１０
２の設置場所まで移動し、両者の接続用フランジ１０
８，１０９を、真空シール材を介して当接させ、可動反
応容器部１０１と排気部１０２とを接続する。

【００３９】可動反応容器部１０１と排気部１０２との
接続後、必要に応じて接続部をネジ、クランプ等の固定
手段で固定する。可動反応容器部１０１が排気部１０２
に接続されたのを確認した後、排気部１０２の排気手段
１０７によって反応容器１０４内を排気する。

【００４０】ここまでの反応容器１０４内への基体設
置、可動反応容器部１０１の移動、可動反応容器部１０
１の排気部１０２への接続の順番は、上記の手順に限ら
ない。例えば、基体設置後、反応容器１０４内を排気せ
ずに可動反応容器部１０１を移動して排気部１０２に接
続したり、反応容器１０４内に所望のガスを所定の圧力
で導入した後可動反応容器部１０１を移動してもよい。
また、可動反応容器部１０１を排気部１０２に接続した
後、反応容器１０４内に基体を設置してもよい。その
他、可動反応容器部１０１が排気部１０２に接続され、
堆積膜形成工程が開始されるまでに反応容器１０４内が
堆積膜形成可能な状態になっていればよく、具体的な手
順は各生産工程における作業効率、生産性等を考慮して
決定される。

【００４１】可動反応容器部１０１が排気部１０２に接
続された後、プラズマ処理エリアにある高周波導入手段
１１０を反応容器１０４に接続する。

【００４２】このように、反応容器１０４内に基体が設
置され、反応容器１０４内が排気手段１０６によって排
気された後、必要に応じて、基体加熱用ヒータにより円
筒状基体を所定の温度に加熱しその温度を制御する。円
筒状基体が所定の温度となったところで、原料ガス供給
手段から原料ガス導入管を介して、原料ガスを反応容器
１０４内に導入する。原料ガスの流量が設定流量とな
り、また、反応容器１０４内の圧力が安定したのを確認
した後、高周波電源１１１より高周波整合器１１２を介
してカソード電極へ所定の高周波電力を供給する。供給
された高周波電力によって、反応容器１０４内にグロー
放電が生起し、原料ガスは励起解離して円筒状基体上に
堆積膜が形成される。

【００４３】所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合
には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、次の層
の形成は、前述したように１つの層の形成が終了した時
点で一旦放電を完全に停止し、次層のガス流量、圧力に
設定が変更された後、再度放電を生起して次層の形成を
行なっても良いし、あるいは、１つの層の形成終了後一
定時間でガス流量、圧力、高周波電力を次層の設定値に
徐々に変化させることにより連続的に複数層を形成して
も良い。

【００４４】なお、反応容器１０４内に設置されている
基体ホルダーを、モータにより、基体ホルダーに装着さ
れる円筒状基体の軸線を中心に回転可能に設け、堆積膜
形成中、必要に応じて、円筒状基体を所定の速度で回転
させてもよい。

【００４５】以上が、堆積膜の形成手順の概略である
が、本実施形態においては、図２に示すように、上述の
移動反応容器部１０１の他に、円筒状基体の品種、すな
わち円筒状基体の形状や形成する堆積膜の組成等に応じ
て、それぞれ反応容器１５４，１６４のインピーダンス
が異なる複数の移動反応容器部１５１，１６１を用意し
ている。そして、これらのうち所定の移動反応容器部１
０１，１５１，１６１が必要に応じて排気部１０２に接
続され、上述したプラズマ処理が行われる。このとき、
何れの可動反応容器部１０１．１５１，１６１でプラズ
マ処理を行うにしても、高周波導入手段１１０は共通に
用いられる。

【００４６】このように、インピーダンスの異なる反応
容器１０４，１５４，１６４に対して一つの高周波導入
手段でプラズマ処理を行う方法としては、高周波整合器
１１２内の可変コンデンサーの可変範囲を広くし、これ
により種々のインピーダンスと整合可能とする方法があ
る。しかし、可変範囲を広げることで、微調整が困難に
なったり、容量が大きくなることでコンデンサーの耐圧
が低下する場合がある。また、反応容器の構成によって
は、可変範囲を広げるだけでは十分対応できない場合が
生じてくる場合がある。

【００４７】そこで、上記の不具合が発生しないような
インピーダンスの整合方法の幾つかの例について、図３
〜図５を参照して説明する。

【００４８】図３に示す例では、各可動反応容器部１０
１，１５１，１６１に対応して、高周波導入手段１１０
と各可動反応容器部１０１，１５１，１６１との整合が
取れるような整合回路ユニット１０１Ｕ，１５１Ｕ，１
６１Ｕを用意しておく。高周波整合器１１２は、これら
整合回路ユニット１０１Ｕ，１５１Ｕ，１６１Ｕのいず
れか１つが着脱自在に装着されるユニット取付部１１５
を有する。そして、各可動反応容器部１０１，１５１，
１６１でのプラズマ処理に応じて、このユニット取付部
１１５に所定の整合回路ユニット１０１Ｕ，１５１Ｕ，
１６１Ｕを装着し、これによって、インピーダンスの異
なる可動反応容器部１０１，１５１，１６１との整合を
取れるようにしている。

【００４９】図４に示す例では、上記の整合回路ユニッ
ト１０１Ｕ，１５１Ｕ，１６１Ｕが高周波整合器１１
２’に組み込まれ、これら各整合回路ユニット１０１
Ｕ，１５１Ｕ，１６１Ｕのいずれか一つを切り替えスイ
ッチ１１６で選択可能な構成となっている。そして、各
可動反応容器部１０１，１５１，１６１でのプラズマ処
理に応じて切り替えスイッチ１１６を切り替え、これに
よって、インピーダンスの異なる可動反応容器部１０
１，１５１，１６１との整合を取れるようにしている。
本例は、図３に示した例と比べ、取り扱いが容易である
という点で好ましい。

【００５０】さらに、図５に示す例では、上記の整合回
路ユニット１０１Ｕ，１５１Ｕ，１６１Ｕを、高周波整
合器１１２”にではなく可動反応容器部１０１，１５
１，１６１に設け、可動反応容器部１０１，１５１，１
６１を高周波導入手段と接続するだけで、インピーダン
スの異なる可動反応容器部１０１，１５１，１６１との
整合を取れるようにしている。

【００５１】この方法は、前述した２つの方法に比べ、
整合回路ユニットを選択する必要がないため、取り扱い
がより簡素化され、さらに、可動反応容器部の数や種類
が増えた場合でも整合回路ユニットの選択ミスは発生し
ない。従って、可動反応容器部の種類に制限がなくな
り、さらに他種類の反応容器を一つの高周波導入手段で
プラズマ処理可能となる。また、整合回路ユニットが可
動反応容器部側に設けられるため、整合回路ユニット内
の可変コンデンサの可変範囲を広くとる必要もなくな
り、インピーダンスの微調整も容易に行えるようにな
る。

【００５２】図３〜５に示した例において、インピーダ
ンスの具体的な調整方法は特に制限されるものではな
く、静電容量を調整してもよいし、誘導係数を調整して
もよいし、また、これらを同時に調整してもよい。静電
容量を調整する場合、その方法に特に制限はないが、真
空コンデンサあるいはソリッドコンデンサを用い、容量
を変化させる方法が、プラズマの安定性、再現性の点で
好ましい。また、誘導係数の調整もその方法に特に制限
はないが、例えば５０ＭＨｚ以上の高周波を使用する場
合は、伝送路の長さを調整する方法が、微調整が可能で
かつ簡易であるため好ましい。

【００５３】以上のようにして、堆積膜形成工程が終了
した後、反応容器１０４内の原料ガスを十分にパージ、
好ましくは不活性ガスに置換する。続いて、可動反応容
器部１０１を接続部１０２から切り離し、可動反応容器
部１０１を基体取出しエリア（図示せず）へ移動する。

【００５４】必要に応じて、基体を所望の温度まで冷却
した後、反応容器１０４に設けられたリーク弁（不図
示）より反応容器１０４内に不活性ガス等を導入し、反
応容器１０４内を大気圧とする。反応容器１０４内が大
気圧となったところで、堆積膜が形成された基体を反応
容器１０４から取出す。

【００５５】その後、反応容器１０４内の構成部品の交
換、クリーニング等により、反応容器１０４が再度堆積
膜形成可能な状態となったところで、反応容器１０４は
再び上述した基体投入エリアに移動される。

【００５６】このように、可動反応容器部１０１と排気
装置１０２が分離可能なプラズマ処理装置の構成は、生
産における柔軟性を非常に高め、生産効率の向上、生産
コストの低減が可能となる。更に、このような装置構成
においては、反応容器が移動可能であることから、基体
の反応容器中への設置は、反応容器を基体設置用のステ
ージに移動して行うことができる。このため、反応容器
固定時における各反応容器への基体を搬送および設置す
るための専用の基体搬送装置が不要となり、生産システ
ムの簡素化が可能となる。そのため、このようなプラズ
マ処理装置において、特に本発明を用いることで、前述
のような高柔軟性、高生産効率及び生産コストの低減と
うい利点を十分に引き出すことが可能となり特に効果的
である。

【００５７】また、複数の可動反応容器部を用いること
で、上述した一連の真空処理工程において、一つの可動
反応容器部で堆積膜を形成している間に、他の可動反応
容器部で次の堆積膜の形成の準備（反応容器内への基体
の設置、反応容器の排気等）を行うことができる。その
ため、処理が終了し可動反応容器部が排気部から切り離
された段階で、堆積膜形成の準備が完了した可動反応容
器部を排気部に接続し、次の処理を直ちに行え、より効
率的な生産を行うことができるようになる。

【００５８】以上、電子写真用光受容部材への堆積膜の
形成を例にとって本発明の実施形態を説明したが、本発
明は堆積膜の形成に限ったものではなく、例えばスパッ
タリング法、熱ＣＶＤ法等の他のプラズマ処理方法にも
用いることができる。

【００５９】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例により、比較
例と比較しつつ、本発明について更に詳細に説明する
が、本発明はこれらにより何ら限定されるものではな
い。

【００６０】（実施例１）図１に示したプラズマ処理装
置の排気部１０２及び高周波導入手段１１０に接続され
る可動反応容器部として、図６に示す可動反応容器部２
０１及び図７に示す可動反応容器部３０１を用い、高周
波プラズマＣＶＤ法（以下、「ＰＣＶＤ」という）電子
写真用光受容部材を作製した。

【００６１】まず、図６及び図７にぞれぞれ示す可動反
応容器部２０１，３０１の構成について説明する。

【００６２】図６及び図７に示すように、可動反応容器
部３０１，４０１はそれぞれ、キャスター２０５，３０
５によって移動可能な支持台２０６，３０６と、支持台
２０６，３０６上に設置された円筒状の反応容器２０
４，３０４と、反応容器２０４，３０４の外側を包囲す
る円筒状のシールド２１７，３１７と、可動反応容器部
２０１，３０１を排気部１０２（図１参照）と接続する
ための接続用フランジ２０８，３０８とを有する。反応
容器２０４，３０４は、アルミナセラミックスからな
り、シールド２１７，３１７はＳＵＳ製のものを用い
た。

【００６３】また特に図６において、反応容器２０４内
には、長さが３５８ｍｍ、外径が８０ｍｍの鏡面加工を
施したＡｌ製シリンダ（円筒状基体２１０）をそれぞれ
保持する６個の基体ホルダ２１２が、同心円上に等間隔
で配置されている。各基体ホルダ２１２は、モータ２２
０によって、反応容器２０４の軸線と平行な軸回りに回
転可能となっている。また、各基体ホルダ２１２に対応
して、円筒状基体２１０をその内側から加熱するための
ヒータ２１６が反応容器２０４内に設けられている。反
応容器２０４の中心部には、反応容器２０４内に原料ガ
スを導入するための原料ガス導入管２１５が設置されて
いる。

【００６４】シールド２１７と反応容器２０４との間に
は、反応容器２０４の軸線と平行に設置されたＳＵＳ製
の棒状の高周波電極２１１が、同心円上に等間隔で３本
設けられている。各高周波電極２１１は、反応容器２０
４の上部に設けられたインピーダンス調整部２４０で一
個所に集まり、接続部２１４を介して、高周波導入手段
１１０（図１参照）と接続される。インピーダンス調整
部２４０は、一個所に集まった高周波電極２１１と接続
部２１４との間に、静電容量が３０ｐＦのソリッドコン
デンサ２３０を有している。このソリッドコンデンサ２
３０の静電容量は、高周波導入手段１１０で整合が取れ
るように予め実験によって与えられた値である。

【００６５】一方、図７において、反応容器３０４内に
は、長さが３５８ｍｍ、外径が３０ｍｍの鏡面加工を施
したＡｌ製シリンダ（円筒状基体３１０）をそれぞれ保
持する１２個の基体ホルダ３１２が、同心円上に等間隔
で配置されている。各基体ホルダ３１２は、モータ３２
０によって、反応容器３０４の軸線と平行な軸回りに回
転可能となっている。また、各基体ホルダ３１２に対応
して、円筒状基体３１０をその内側から加熱するための
ヒータ３１６が反応容器３０４内に設けられている。反
応容器３０４の中心部には、反応容器３０４内に原料ガ
スを導入するための原料ガス導入管３１５が設置されて
いる。

【００６６】シールド３１７と反応容器３０４との間に
は、反応容器３０４の軸線と平行に設置されたＳＵＳ製
の棒状の高周波電極３１１が、同心円上に等間隔で１２
本設けられている。各高周波電極３１１は、反応容器３
０４の上部に設けられたインピーダンス調整部３４０で
一個所に集まり、接続部３１４を介して、高周波導入手
段１１０（図１参照）と接続される。インピーダンス調
整部３４０は、一個所に集まった高周波電極３１１と接
続部３１４との間に、静電容量が５ｐＦのソリッドコン
デンサ３３０を有している。このソリッドコンデンサ３
３０の静電容量は、高周波導入手段１１０で整合が取れ
るように予め実験によって与えられた値である。

【００６７】上述の可動反応容器部２０１，３０１を用
いた堆積膜の形成について以下に説明する。

【００６８】まず、可動反応容器部２０１，３０１の構
成部品の交換、クリーニングを行い、堆積膜の形成が可
能な状態となったら、可動反応容器部２０１，３０１を
手動で基体投入エリアへ搬送する。

【００６９】基体投入エリアでは、まず、一方の可動反
応容器部２０１に対して、６本の円筒状基体２１０をそ
れぞれ基体ホルダ２１２に装着し、これらを反応容器２
０４内の所定の位置に設置する。基体ホルダ２１２の設
置後、反応容器２０４内を排気手段（不図示）によって
排気し、その後、ヒータ２１６によって円筒状基体２１
０を２３０℃に加熱・制御する。円筒状基体２１０が所
定の温度となったところで、可動反応容器部２０１を作
業員による手動でプラズマ処理エリアへ搬送する。プラ
ズマ処理エリアへの搬送後、可動反応容器部２０１と排
気部１０２（図１参照）とを、可動反応容器部２０１の
接続用フランジ２０８と排気部１０２の接続用フランジ
１０９との間にＯリングを介して接続した。

【００７０】可動反応容器部２０１と排気部１０２との
接続が終了した後、可動反応容器部２０１の接続部２１
４に高周波導入手段１１０を接続し、反応容器２０４内
を排気部１０２の排気手段１０７によって排気した後、
原料ガス導入管２１５を介して、原料ガスを反応容器２
０４内に導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、
また、反応容器２０４内の圧力が安定したのを確認した
後、高周波導入手段１１０よりカソード電極２１１へ所
定の高周波電力を供給し、円筒状基体２１０上に堆積膜
を形成した。本実施例では、基体温度、原料ガスのガス
流量、圧力、高周波電力を変更して同様の手順を繰り返
し、電化注入阻止層、光導電層及び表面層の３層の堆積
膜を形成した。堆積膜形成中は、モータ２２０を駆動し
て円筒状基体２１０を回転させた。また、高周波電力の
周波数は１０５ＭＨｚとした。

【００７１】可動反応容器部２０１で堆積膜の形成中
に、基体投入エリアで、もう一方の可動反応容器部３０
１について、可動反応容器部２０１と同様に、反応容器
３０４内に円筒状基体３１０を設置し、ヒータ３１６に
より円筒状基体３１０を２３０℃に加熱・制御した。

【００７２】可動反応容器部２０１での堆積膜の形成が
終了したら、可動反応容器部２０１を排気部１０２から
切り離し、基体取り出しエリア（不図示）へ移動させ
る。その後、もう一方の可動反応容器部３０１をプラズ
マ処理エリアへ移動させ、可動反応容器部３０１と排気
部１０２とを接続させた。接続終了後、可動反応容器部
３０１の接続部３１４に高周波導入手段１１０を接続
し、可動反応容器部２０１と同様に、円筒状基体３１０
上に３層構造の堆積膜を形成した。

【００７３】（比較例１）インピーダンスの異なる可動
反応容器部として、インピーダンス調整部２４０，３４
０がない以外は図６及び図７と同じ構成の可動反応容器
部を用い、実施例１と同様に、長さが３５８ｍｍ、外径
が８０ｍｍの円筒状基体２１０（図６参照）、及び長さ
が３５８ｍｍ、外径が３０ｍｍの円筒状基体３１０（図
７参照）に、それぞれ３層構造の堆積膜を形成し、電子
写真用光受容部材を作製した。

【００７４】また、それに伴い、高周波導入手段におい
ては、各可動反応容器部に対応して高周波整合器を交換
し、インピーダンスの整合を取った。つまり、図６に示
す可動反応容器部２０１に相当する可動反応容器部を用
いて堆積膜を形成するときには、この可動反応容器部に
対応する高周波整合器を高周波導入手段に取り付けて堆
積膜を形成し、図７に示す可動反応容器部３０１に相当
する可動反応容器部を用いて堆積膜を形成するときに
は、高周波整合器を、この可動反応容器部に対応するも
のと交換して堆積膜を形成した。

【００７５】表１に、実施例１及び比較例１による円筒
状基体２１０への堆積膜の形成条件を示し、表２に、実
施例１及び比較例１による円筒状基体３１０への堆積膜
の形成条件を示す。

【００７６】

【表１】

【００７７】

【表２】

【００７８】実施例１及び比較例１とも、安定したプラ
ズマ処理が行われ、作製された電子写真用光受容部材は
良好な評価結果が得られた。

【００７９】しかし、比較例１においては、可動反応容
器部の交換に伴って高周波整合器の交換作業があったた
め、次の可動反応容器部での堆積膜形成の開始時間が実
施例１と比べて約１０分遅れた。また、実施例１は、高
周波整合器の交換作業がない分、作業者の負担が少なく
てすむ。その結果、一人の作業者で扱うプラズマ処理の
数を増やしたり、あるいはプラズマ処理条件によっては
作業者を減員することが可能となる。更に、実施例１で
は整合器は１セットでよいが、比較例１では２セットの
整合器が必要となるため、実施例１は比較例１に比べて
装置コストを低くすることができる。

【００８０】以上より明らかなように、本発明によれ
ば、生産システムの簡素化、低コスト化を実現でき、高
稼働率および高柔軟性を同時に達成可能である。

【００８１】（実施例２）本実施例では、図８に示す堆
積膜形成装置を用いて、電子写真用光受容部材を作製し
た。

【００８２】本実施例で用いた堆積膜形成装置は、２カ
所のプラズマ処理エリアを有し、各プラズマ処理エリア
にそれぞれ排気部５０２が設置されている。各排気部５
０２は、それぞれ２つの接続用フランジ５０９が備えら
れた排気手段５０７を有する。また、各プラズマ処理エ
リアには、それぞれ高周波導入手段５１０が２セットず
つ備えられている。これにより各プラズマ処理エリアで
は、同時に同種類の２つの可動反応容器部を処理可能と
なっている。本実施例では、可動反応容器部として、図
６に示したのと同じ構成の可動反応容器部２０１、及び
図７に示したのと同じ構成の可動反応容器部３０１をそ
れぞれ４個ずつ用意した。

【００８３】そして、４個の可動反応容器部２０１をそ
れぞれ排気部５０２及び高周波導入手段５１０に接続
し、実施例１と同様に、表１に示す条件と同じ条件で、
同時に堆積膜を形成した。なお、表１に示した条件は、
１個の可動反応容器部２０１についての条件である。

【００８４】可動反応容器部２０１での堆積膜の形成の
間、もう１種類の可動反応容器部３０１について、円筒
状基体を設置し、基体の温度を所定の温度に制御してお
く。

【００８５】可動反応容器部２０１での堆積膜形成の終
了後、全ての可動反応容器部２０１を排気部５０２から
切り離し、既に円筒状基体が所定の温度に制御されてい
る４個の可動反応容器部３０１を、各排気部５０２及び
高周波導入手段５１０に接続し、実施例１と同様に、表
２に示す条件と同じ条件で、同時に堆積膜を形成した。
なお、表２に示した条件は、１個の可動反応容器部３０
１についての条件である。

【００８６】本実施例においても、実施例１と同様、全
ての可動反応容器部２０１，３０１に対して安定したプ
ラズマ処理が行われ、作製された電子写真用光受容部材
は良好な評価結果が得られた。また、可動反応容器部２
０１から可動反応容器部３０１への入れ替えの際の、比
較例１のような準備待ちの時間は存在せず、プラズマ処
理の移行を円滑に行うことができた。

【００８７】（実施例３）本実施例では、図９に示す堆
積膜形成装置を用いて、ＰＣＶＤ法により電子写真用光
受容部材を作製した。

【００８８】図９に示す堆積膜形成装置では、２種類の
可動反応容器部７０１，８０１を用いた。一方の可動反
応容器部７０１の模式的な縦断面図及び横断面図を図１
０に示し、他方の可動反応容器部８０１の模式的な縦断
面図及び横断面図を図１１に示す。

【００８９】図１０及び図１１に示すように、可動反応
容器部７０１，８０１はそれぞれ、キャスター７０５，
８０５によって移動可能な支持台７０６，８０６と、支
持台７０６，８０６上に設置され内部を４つの部屋に仕
切るＳＵＳ製のシールド７１７，８１７と、シールド７
１７，８１７で仕切られた各部屋にそれぞれ設置された
円筒状の反応容器７０４，８０４と、可動反応容器部７
０１，８０１を図９に示す排気部６０２の接続用フラン
ジ６０９と接続するための接続用フランジ７０８，８０
８とを有する。反応容器７０４，８０４は、Ａｌからな
り、その上下端部を絶縁リング７２１，８２１で挟ま
れ、上端が蓋７２２，８２２で閉じられて各部屋内に設
置されている。反応容器７０４，８０４の大きさは、図
１０に示すもので内径が１６０ｍｍ、高さが５００ｍ
ｍ、図１１に示すもので内径が２３０ｍｍ、高さが８５
０ｍｍとした。

【００９０】図１０において、各反応容器７０４内に
は、長さが３５８ｍｍ、外径が３０ｍｍの鏡面加工を施
したＡｌ製シリンダ（円筒状基体７１０）を保持する基
体ホルダ７１２がそれぞれ配置されている。各基体ホル
ダ７１２は、モータ７２０によって、反応容器７０４の
軸線と平行な軸回りに回転可能となっている。また、各
基体ホルダ７１２に対応して、円筒状基体７１０をその
内側から加熱するためのヒータ７１６が反応容器７０４
内に設けられている。さらに、反応容器７０４内には、
反応容器７０４内に原料ガスを導入するための原料ガス
導入管７１５が設置されている。

【００９１】シールド７１７の外壁には４つのインピー
ダンス調整部７４０が取り付けられており、これらイン
ピーダンス調整部７４０はそれぞれ各反応容器７０４
と、Ａｌ製の直径１６ｍｍの棒で電気的に接続されてい
る。一方、図９に示すように、この堆積膜形成装置はプ
ラズマ処理エリアに４つの高周波導入手段６１０を有
し、各インピーダンス調整部７４０は、接続部７１４を
介して、各高周波導入手段６１０と接続される。インピ
ーダンス調整部７４０では、接続部７１４と前述の直径
１６ｍｍの棒とは、Ｃｕ製の厚さ１ｍｍ幅２０ｍｍの板
で電気的に接続されている。この板の材質及びサイズ
は、高周波導入手段６１０で整合が取れるように予め実
験によって決められたものである。

【００９２】一方、図１１において、各反応容器８０４
内には、長さが３５８ｍｍ、外径が８０ｍｍの鏡面加工
を施したＡｌ製シリンダ（円筒状基体８１０）を上下に
２本積み重ねた状態で保持する基体ホルダ８１２がそれ
ぞれ配置されている。各基体ホルダ８１２は、モータ８
２０によって、反応容器８０４の軸線と平行な軸回りに
回転可能となっている。また、各基体ホルダ８１２に対
応して、円筒状基体８１０をその内側から加熱するため
のヒータ８１６が反応容器８０４内に設けられている。
さらに、反応容器８０４内には、反応容器８０４内に原
料ガスを導入するための原料ガス導入管８１５が設置さ
れている。

【００９３】シールド８１７の外壁には４つのインピー
ダンス調整部８４０が取り付けられており、これらイン
ピーダンス調整部８４０はそれぞれ各反応容器８０４
と、Ａｌ製の直径１６ｍｍの棒で電気的に接続されてい
る。各インピーダンス調整部８４０は、接続部８１４を
介して、各高周波導入手段６１０と接続される。インピ
ーダンス調整部８４０では、接続部８１４と前述の直径
１６ｍｍの棒とは、Ｃｕ製の厚さ１ｍｍ、幅２０ｍｍ、
長さが図１０の装置で用いた板の１／２のサイズの板で
電気的に接続されている。この板の材質及びサイズは、
高周波導入手段６１０で整合が取れるように予め実験に
よって決められたものである。

【００９４】本実施例による堆積膜の形成について、図
９〜１１を参照して以下に説明する。

【００９５】まず、可動反応容器部７０１，８０１の構
成部品の交換、クリーニングを行い、堆積膜の形成が可
能な状態となったら、可動反応容器部７０１，８０１を
手動で基体投入エリアへ搬送する。

【００９６】基体投入エリアでは、まず、一方の可動反
応容器部７０１に対して、４本の円筒状基体７１０をそ
れぞれ基体ホルダ７１２に装着し、これらを各反応容器
７０４内の所定の位置に設置する。基体ホルダ７１２の
設置後、各反応容器７０４内を排気手段（不図示）によ
って排気し、その後、ヒータ７１６によって円筒状基体
７１０を２５０℃に加熱・制御する。円筒状基体７１０
が所定の温度となったところで、可動反応容器部７０１
を作業員による手動でプラズマ処理エリアへ搬送する。
プラズマ処理エリアへの搬送後、可動反応容器部７０１
と排気部６０２とを、可動反応容器部７０１の接続用フ
ランジ７０８と排気部６０２の接続用フランジ６０９と
の間にＯリングを介して接続した。

【００９７】可動反応容器部７０１と排気部６０２との
接続が終了した後、可動反応容器部７０１の各接続部７
１４にそれぞれ高周波導入手段６１０を接続し、反応容
器７０４内を排気部６０２の排気手段６０７によって排
気した後、原料ガス導入管７１５を介して、原料ガスを
各反応容器７０４内に導入した。原料ガスの流量が設定
流量となり、また、各反応容器７０４内の圧力が安定し
たのを確認した後、高周波導入手段６１０より所定の高
周波電力を供給し、円筒状基体７１０上に堆積膜を形成
した。本実施例では、基体温度、原料ガスのガス流量、
圧力、高周波電力を変更して同様の手順を繰り返し、電
化注入阻止層、光導電層及び表面層の３層の堆積膜を形
成した。堆積膜形成中は、モータ７２０を駆動して円筒
状基体７１０を回転させた。また、高周波電力の周波数
は１３．５６ＭＨｚとした。

【００９８】表３に、本実施例による円筒状基体７１０
への堆積膜の形成条件を示す。なお、表３に示した条件
は、一つの反応容器７０４についての条件である。

【００９９】

【表３】

【０１００】可動反応容器部７０１で堆積膜の形成中
に、基体投入エリアで、もう一方の可動反応容器部８０
１について、可動反応容器部７０１と同様に、反応容器
８０４内に円筒状基体８１０を設置し、ヒータ８１６に
より円筒状基体８１０を２７０℃に加熱・制御した。

【０１０１】可動反応容器部７０１での堆積膜の形成が
終了したら、可動反応容器部７０１を排気部６０２から
切り離し、基体取り出しエリア（不図示）へ移動させ
る。その後、もう一方の可動反応容器部８０１をプラズ
マ処理エリアへ移動させ、可動反応容器部８０１と排気
部６０２とを接続させた。接続終了後、可動反応容器部
８０１の接続部８１４に高周波導入手段６１０を接続
し、可動反応容器部７０１と同様に、円筒状基体８１０
上に３層構造の堆積膜を形成した。

【０１０２】表４に、本実施例による円筒状基体８１０
への堆積膜の形成条件を示す。なお、表４に示した条件
は、一つの反応容器８０４についての条件である。

【０１０３】

【表４】

【０１０４】本実施例においても、実施例１と同様、全
ての円筒状基体７１０，８１０について安定したプラズ
マ処理を行うことができ、作製された電子写真用光受容
部材は良好な評価結果が得られた。また、可動反応容器
部７０１から可動反応容器部８０１への入れ替えの際
の、比較例１のような準備待ちの時間は存在せず、プラ
ズマ処理の移行を円滑に行うことができた。

【０１０５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数のインピーダンス調整手段を反応容器のインピーダン
スに対応して用意しておき、プラズマ処理を行う反応容
器に対応して所定のインピーダンス調整手段が使用され
るようにすることで、プラズマ処理を効率よくかつ低コ
ストで行うことができ、また、複数の種類のプラズマ処
理を生産効率の低下を生じさせることなく生産すること
が可能となった。

【０１０６】また、反応容器と高周波導入手段とを分離
可能とすることで、ある反応容器に対してプラズマ処理
を行っている間に、その反応容器とインピーダンスの異
なる別の反応容器に次のプラズマ処理の準備を行うこと
ができるので、生産効率をより向上させることができ
る。この場合更に、各反応容器がそれぞれインピーダン
ス調整手段を有する構成とすることで、反応容器を交換
した際のインピーダンス調整手段の選択ミスを防止する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理方法を用いた電子写真用
光受容部材の堆積膜形成装置の一例を模式的に示した側
面図である。

【図２】図１に示す堆積膜形成装置の可動反応容器部の
配置を示す上面図である。

【図３】図１に示す堆積膜形成装置に用いられるインピ
ーダンス整合手段の一例を模式的に表す図である。

【図４】図１に示す堆積膜形成装置に用いられるインピ
ーダンス整合手段の他の例を模式的に表す図である。

【図５】図１に示す堆積膜形成装置に用いられるインピ
ーダンス整合手段の更に他の例を模式的に表す図であ
る。

【図６】本発明の実施例１で用いた一方の可動反応容器
部の模式的な構成図であり、同図（Ａ）はその縦断面
図、同図（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。

【図７】本発明の実施例１で用いた他方の可動反応容器
部の模式的な構成図であり、同図（Ａ）はその縦断面
図、同図（Ｂ）は（Ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。

【図８】本発明の実施例２で用いた堆積膜形成装置の模
式的構成図である。

【図９】本発明の実施例３で用いた堆積膜形成装置の模
式的構成図である。

【図１０】図９に示した一方の可動反応容器部の模式的
な構成図であり、同図（Ａ）はその縦断面図、同図
（Ｂ）は（Ａ）のＧ−Ｇ線断面図である。

【図１１】図９に示した他方の可動反応容器部の模式的
な構成図であり、同図（Ａ）はその縦断面図、同図
（Ｂ）は（Ａ）のＨ−Ｈ線断面図である。

【図１２】電子写真用光受容部材の製造に用いられる従
来の堆積膜形成装置の一例の模式的な構成図であり、同
図（Ａ）はその縦断面図、同図（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ
線断面図である。

【符号の説明】

１０１，１５１，１６１，２０１，３０１，７０１，８
０１可動反応容器部１０１Ｕ，１５１Ｕ，１６１Ｕ整合回路ユニット１０２，５０２，６０２排気部１０４，１５４，１６４，２０４，３０４，７０４，８
０４反応容器１０５，２０５，３０５，７０５，８０５キャスタ
ー１０６，２０６，３０６，７０６，８０６支持台１０７，５０７，６０７排気手段１０８，１０９，２０８，３０８，５０９，７０８，８
０８，６０９接続用フランジ１１０，５１０，６１０高周波導入手段１１１高周波電源１１２，１１２’，１１２” 高周波整合器１１５ユニット取付部１１６切り替えスイッチ２１０，３１０，７１０，８１０円筒状基体２１１，３１１高周波電極２１２，３１２，７１２，８１２基体ホルダ２１４，３１４，７１４，８１４接続部２１５，３１５，７１５，８１５原料ガス導入管２１６，３１６，７１６，８１６ヒータ２１７，３１７，７１７，８１７シールド２２０，３２０，７２０，８２０モータ２４０，３４０，７４０，８４０インピーダンス調
整部７２１，８２１絶縁リング７２２，８２２蓋

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田澤大介東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者秋山和敬東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者阿部幸裕東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者細井一人東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者村山仁東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者大塚崇志東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H068 CA03 DA23 EA24 EA30 4K030 FA03 JA20 KA30 KA49 5F049 MB05 NA08 PA03 PA11 PA20 5F051 AA05 BA14 CA15 CA21 CA32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】減圧された反応容器内へ高周波導入手段
により高周波電力を導入することによって生じるグロー
放電を利用して被処理基体の表面に処理を行うプラズマ
処理方法において、前記反応容器側と前記高周波導入手段側とのインピーダ
ンスを調整するための複数のインピーダンス調整手段を
前記反応容器のインピーダンスに対応して用意し、前記
反応容器に対応した前記インピーダンス調整手段を介し
て前記反応容器内へ高周波電力を導入することを特徴と
するプラズマ処理方法。
【請求項２】静電容量により前記インピーダンスを調
整する、請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】誘導係数により前記インピーダンスを調
整する、請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】前記高周波導入手段と前記反応容器とを
分離可能に設け、前記反応容器について前記高周波導入
手段を接続してプラズマ処理を行っている間、前記反応
容器とはインピーダンスの異なる別の反応容器について
次のプラズマ処理の準備を行う、請求項１ないし３のい
ずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】減圧可能な内部に被処理基体が設置さ
れ、それぞれインピーダンスの異なる複数の反応容器
と、減圧された前記反応容器内へ高周波電力を導入し前記反
応容器内にグロー放電を生じさせる高周波導入手段と、前記反応容器側と前記高周波導入手段側とのインピーダ
ンスを調整するために前記反応容器のインピーダンスに
対応して設けられた複数のインピーダンス調整手段とを
有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】前記高周波導入手段は、一つの前記イン
ピーダンス調整手段が着脱可能に取り付けられる取付部
を有し、前記反応容器のインピーダンスに応じて、前記
複数のインピーダンス調整手段のうち一つが前記取付部
に取り付けられる、請求項５に記載のプラズマ処理装
置。
【請求項７】前記複数のインピーダンス調整手段は、
前記反応容器のインピーダンスに応じて選択可能に前記
高周波導入手段に設けられている、請求項５に記載のプ
ラズマ処理装置。
【請求項８】前記高周波導入手段は、前記インピーダ
ンス調整手段の選択用のスイッチを有する、請求項７に
記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】前記反応容器と前記高周波導入手段とが
分離可能に設けられている、請求項５ないし８のいずれ
か１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】前記反応容器と前記高周波導入手段と
が分離可能に設けられ、前記各反応容器がそれぞれ前記
インピーダンス調整手段を有している、請求項５に記載
のプラズマ処理装置。
【請求項１１】前記反応容器を移動させる移動手段を
有する、請求項９または１０に記載のプラズマ処理装
置。