JPH08253862A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH08253862A JPH08253862A JP7057065A JP5706595A JPH08253862A JP H08253862 A JPH08253862 A JP H08253862A JP 7057065 A JP7057065 A JP 7057065A JP 5706595 A JP5706595 A JP 5706595A JP H08253862 A JPH08253862 A JP H08253862A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＣＶＤ成膜の際にプラズマ負荷とプラズマ発生
用電極負荷を含めた装置負荷に消費される高周波電力を
電源周波数に係わらず一定かつ最大ならしめるＣＶＤ装
置を提供する。 【構成】プラズマ発生用電極を兼ね備えたＣＶＤ成膜装
置において、プラズマ発生用電極に連結された電極導入
軸および同軸円筒型アースシールドの長さを可変できる
構造とし、電極導入軸及び同軸円筒型アースシールドの
長さを可変することは、電気的にはそれぞれ高周波イン
ダクタンス及びキャパシタンスを変化させることにな
る。前記高周波インダクタンス及びキャパシタンスはプ
ラズマ負荷とともに直列共振回路を形成しているため、
装置負荷にかかる高周波電圧と電流との位相差を調整で
き、装置負荷における正味の消費電力を電源周波数に係
わらず一定かつ最大にすることができる。
用電極負荷を含めた装置負荷に消費される高周波電力を
電源周波数に係わらず一定かつ最大ならしめるＣＶＤ装
置を提供する。 【構成】プラズマ発生用電極を兼ね備えたＣＶＤ成膜装
置において、プラズマ発生用電極に連結された電極導入
軸および同軸円筒型アースシールドの長さを可変できる
構造とし、電極導入軸及び同軸円筒型アースシールドの
長さを可変することは、電気的にはそれぞれ高周波イン
ダクタンス及びキャパシタンスを変化させることにな
る。前記高周波インダクタンス及びキャパシタンスはプ
ラズマ負荷とともに直列共振回路を形成しているため、
装置負荷にかかる高周波電圧と電流との位相差を調整で
き、装置負荷における正味の消費電力を電源周波数に係
わらず一定かつ最大にすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波プラズマを利用
する薄膜形成用のＣＶＤ装置に関わり、広い周波数範囲
で装置負荷における正味の消費電力を周波数に係わらず
一定ならしめることで、工業的に常用される１３．５６
ＭＨｚよりも高い周波数領域で発生する高密度プラズマ
を利用して成膜する場合の電力利用効率を上げるＣＶＤ
装置に関する。
する薄膜形成用のＣＶＤ装置に関わり、広い周波数範囲
で装置負荷における正味の消費電力を周波数に係わらず
一定ならしめることで、工業的に常用される１３．５６
ＭＨｚよりも高い周波数領域で発生する高密度プラズマ
を利用して成膜する場合の電力利用効率を上げるＣＶＤ
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面処理や成膜プロセスにおいてプラズ
マを利用するものは多い。プラズマの発生方法としては
直流、高周波、マイクロ波等があるが、特に高周波プラ
ズマを利用するＣＶＤ装置では整合器が設置され、整合
器を含めた負荷回路全体での電力消費を最大にし、また
電源や発振回路を保護している。整合器は高周波電源側
と整合器を含めた負荷側をマッチングさせるため周波数
の同調とインピーダンスの調整を行うものである。さら
に整合器はプラズマ負荷の容量成分、誘導成分、抵抗成
分と電極負荷の浮遊容量成分等を合わせた装置負荷と結
合し、整合器を含めた負荷側全体のインピーダンスを、
高周波電源側の出力インピーダンス（通常は純抵抗で５
０［Ω］）に合わせるためのものである。
マを利用するものは多い。プラズマの発生方法としては
直流、高周波、マイクロ波等があるが、特に高周波プラ
ズマを利用するＣＶＤ装置では整合器が設置され、整合
器を含めた負荷回路全体での電力消費を最大にし、また
電源や発振回路を保護している。整合器は高周波電源側
と整合器を含めた負荷側をマッチングさせるため周波数
の同調とインピーダンスの調整を行うものである。さら
に整合器はプラズマ負荷の容量成分、誘導成分、抵抗成
分と電極負荷の浮遊容量成分等を合わせた装置負荷と結
合し、整合器を含めた負荷側全体のインピーダンスを、
高周波電源側の出力インピーダンス（通常は純抵抗で５
０［Ω］）に合わせるためのものである。
【０００３】従来のＣＶＤ装置では、プラズマ発生電源
周波数として工業的には１３．５６ＭＨｚの高周波が広
く使用され周波数は一定であった。しかし、近年ではプ
ラズマプロセスに与えるプラズマ励起周波数の効果が注
目され、前記の１３．５６ＭＨｚや２７ＭＨｚ、４０Ｍ
Ｈｚ、６０ＭＨｚ等の固定周波数型のものだけでなく、
数ｋＨｚから数百ＭＨｚの広範囲の周波数可変型のＣＶ
Ｄ装置が採用されている。周波数を可変にすることで、
発生するプラズマの密度、電子温度、セルフバイアス等
のプラズマパラメーターが変化するので、成膜プロセス
によって適宜使い分ける必要があるからである。
周波数として工業的には１３．５６ＭＨｚの高周波が広
く使用され周波数は一定であった。しかし、近年ではプ
ラズマプロセスに与えるプラズマ励起周波数の効果が注
目され、前記の１３．５６ＭＨｚや２７ＭＨｚ、４０Ｍ
Ｈｚ、６０ＭＨｚ等の固定周波数型のものだけでなく、
数ｋＨｚから数百ＭＨｚの広範囲の周波数可変型のＣＶ
Ｄ装置が採用されている。周波数を可変にすることで、
発生するプラズマの密度、電子温度、セルフバイアス等
のプラズマパラメーターが変化するので、成膜プロセス
によって適宜使い分ける必要があるからである。
【０００４】図２は従来のＣＶＤ装置の具体例を示すも
のである。高周波電源１、整合器２、電極５等の装置負
荷４を含む真空槽３から構成される。電極５は通常、容
量結合型の平行平板型電極等や誘導結合型のコイル電極
が用いられる。装置負荷のインピーダンスはプラズマ負
荷の容量成分、誘導成分、抵抗成分の他に、電極５等の
装置形状に由来する浮遊容量成分等を含むので、実際の
成膜にあたりプラズマを効率的に発生させるためには、
整合器２が必要となる。整合器２は電源周波数同調用の
可変容量素子とマッチング調整用の可変誘導素子からな
るが、先に述べたように、高周波電源側と整合器を含め
た負荷側をマッチングさせるため周波数の同調とインピ
ーダンスの調整を行うものであって、あくまでも整合器
２自身を含めた負荷回路全体での電力消費を最大にする
ことを目的としている。
のである。高周波電源１、整合器２、電極５等の装置負
荷４を含む真空槽３から構成される。電極５は通常、容
量結合型の平行平板型電極等や誘導結合型のコイル電極
が用いられる。装置負荷のインピーダンスはプラズマ負
荷の容量成分、誘導成分、抵抗成分の他に、電極５等の
装置形状に由来する浮遊容量成分等を含むので、実際の
成膜にあたりプラズマを効率的に発生させるためには、
整合器２が必要となる。整合器２は電源周波数同調用の
可変容量素子とマッチング調整用の可変誘導素子からな
るが、先に述べたように、高周波電源側と整合器を含め
た負荷側をマッチングさせるため周波数の同調とインピ
ーダンスの調整を行うものであって、あくまでも整合器
２自身を含めた負荷回路全体での電力消費を最大にする
ことを目的としている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２のＣＶＤ装置を用
いて、高周波電源１からの出力周波数が１０ＭＨｚから
１００ＭＨｚの間で、進行波出力を一定の１００［Ｗ］
とし反射波出力が１［Ｗ］以下におさまるまで整合調整
した後、装置負荷にかかる電圧、電流および位相差を測
定したところ、装置負荷における正味の電力消費の電源
周波数依存性は図５に示す通りである。高周波電源１か
らの投入電力１００［Ｗ］に対し、装置負荷４での正味
の消費電力ＰNET は大きく変動し、決して一定ではなか
った。ここでは正味の電力消費ＰNET は実効値電圧を
Ｖ、実効値電流をＩ、位相差をφとしたとき、以下の式
から求められる。尚、ＣＯＳφを力率と呼び、電力の投
入のし易さを表す。 ＰNET ＝ＶＩＣＯＳφ
いて、高周波電源１からの出力周波数が１０ＭＨｚから
１００ＭＨｚの間で、進行波出力を一定の１００［Ｗ］
とし反射波出力が１［Ｗ］以下におさまるまで整合調整
した後、装置負荷にかかる電圧、電流および位相差を測
定したところ、装置負荷における正味の電力消費の電源
周波数依存性は図５に示す通りである。高周波電源１か
らの投入電力１００［Ｗ］に対し、装置負荷４での正味
の消費電力ＰNET は大きく変動し、決して一定ではなか
った。ここでは正味の電力消費ＰNET は実効値電圧を
Ｖ、実効値電流をＩ、位相差をφとしたとき、以下の式
から求められる。尚、ＣＯＳφを力率と呼び、電力の投
入のし易さを表す。 ＰNET ＝ＶＩＣＯＳφ
【０００６】以上のように、従来のＣＶＤ装置の場合、
電源周波数に対応してそれに見合う整合器を用いて、整
合調整できたとしても、装置負荷における電圧と電流の
位相差が異なるため、正味の電力消費が電源からの出力
と異なり、また一定でもなかった。
電源周波数に対応してそれに見合う整合器を用いて、整
合調整できたとしても、装置負荷における電圧と電流の
位相差が異なるため、正味の電力消費が電源からの出力
と異なり、また一定でもなかった。
【０００７】本発明は、前記事情に鑑みて創案されたも
ので、電極自体に静電容量及び誘導係数可変の構造を持
たせることで、装置負荷にかかる電圧と電流との位相差
を調整して装置負荷における正味の消費電力を電源周波
数に係わらず一定かつ最大ならしめ、工業的に常用され
る１３．５６ＭＨｚよりも高い周波数領域で発生する高
密度プラズマを利用して成膜する場合の電力利用効率を
上げるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
ので、電極自体に静電容量及び誘導係数可変の構造を持
たせることで、装置負荷にかかる電圧と電流との位相差
を調整して装置負荷における正味の消費電力を電源周波
数に係わらず一定かつ最大ならしめ、工業的に常用され
る１３．５６ＭＨｚよりも高い周波数領域で発生する高
密度プラズマを利用して成膜する場合の電力利用効率を
上げるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の目的を
達成するために、プラズマ負荷と電極負荷を含む装置負
荷に対して所定の周波数範囲内で連続的に選択可能な高
周波を供給して成膜を行うＣＶＤ装置において、特に前
記電極の静電容量と誘導係数が可変の構造を有すること
を特徴とするＣＶＤ装置であって、具体的には前記電極
の誘導係数の可変構造が電極導入軸長さを可変すことに
よって得られ、さらに前記電極の静電容量の可変構造が
同軸円筒型アースシールドの長さを可変することによっ
て得られることを特徴とする。
達成するために、プラズマ負荷と電極負荷を含む装置負
荷に対して所定の周波数範囲内で連続的に選択可能な高
周波を供給して成膜を行うＣＶＤ装置において、特に前
記電極の静電容量と誘導係数が可変の構造を有すること
を特徴とするＣＶＤ装置であって、具体的には前記電極
の誘導係数の可変構造が電極導入軸長さを可変すことに
よって得られ、さらに前記電極の静電容量の可変構造が
同軸円筒型アースシールドの長さを可変することによっ
て得られることを特徴とする。
【０００９】
【作用】適切な静電容量レンジ及び誘導係数レンジを有
する可変容量素子及び可変誘導素子を用いた高周波に対
する同調及びインピーダンス調整いわゆる整合調整と、
電極導入軸及び同軸円筒型アースシールドの長さを可変
して装置負荷にかかる電圧と電流の位相調整を、交互に
行うことにより、装置負荷における正味の消費電力を一
定にした上で最終的に装置負荷のインピーダンスを整合
点に合わせることができる。
する可変容量素子及び可変誘導素子を用いた高周波に対
する同調及びインピーダンス調整いわゆる整合調整と、
電極導入軸及び同軸円筒型アースシールドの長さを可変
して装置負荷にかかる電圧と電流の位相調整を、交互に
行うことにより、装置負荷における正味の消費電力を一
定にした上で最終的に装置負荷のインピーダンスを整合
点に合わせることができる。
【００１０】同軸円筒型アースシールドは静電容量を持
ち、電極導入軸は特に数十ＭＨｚ以上の高周波領域では
誘導係数を持つから、図３の等価回路で示すように、電
極負荷を含む装置負荷は直列共振回路を構成する。位相
調整後の共振点ではインピーダンスが純抵抗成分になる
ため、電圧と電流の位相差が生じないから、装置負荷で
の正味の消費電力が最大になる。よって、工業的に常用
される１３．５６ＭＨｚよりも高い周波数領域で発生す
るプラズマを利用して成膜する場合の電力利用効率を上
げることができる。
ち、電極導入軸は特に数十ＭＨｚ以上の高周波領域では
誘導係数を持つから、図３の等価回路で示すように、電
極負荷を含む装置負荷は直列共振回路を構成する。位相
調整後の共振点ではインピーダンスが純抵抗成分になる
ため、電圧と電流の位相差が生じないから、装置負荷で
の正味の消費電力が最大になる。よって、工業的に常用
される１３．５６ＭＨｚよりも高い周波数領域で発生す
るプラズマを利用して成膜する場合の電力利用効率を上
げることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。図１は同実施例の全体構成図である。図１に示すよ
うに、このＣＶＤ装置は高周波電源１、整合器２、平行
平板電極６と電極導入軸７及び同軸円筒型アースシール
ド８から形成される装置負荷４を含む真空槽３から構成
される。尚、以下に述べる本実施例の高周波電源１の最
大出力は５００［Ｗ］を前提としている。
る。図１は同実施例の全体構成図である。図１に示すよ
うに、このＣＶＤ装置は高周波電源１、整合器２、平行
平板電極６と電極導入軸７及び同軸円筒型アースシール
ド８から形成される装置負荷４を含む真空槽３から構成
される。尚、以下に述べる本実施例の高周波電源１の最
大出力は５００［Ｗ］を前提としている。
【００１２】平行平板電極６の直径は１２０［ｍｍ］で
あり、電極導入軸７及び同軸円筒型アースシールド８は
昇降機９により個々に上下に昇降できるようになってお
り、可動部の真空絶縁、高電圧絶縁対策が施されてい
る。さらに整合器２と電極導入軸７は高電圧電極に接す
る接触器１０を介し、電気的に接続されている。以上の
構成により、電極導入軸７の長さを可変にすることによ
り、高周波誘導係数を調整でき、同様に同軸円筒型アー
スシールド８の長さを可変することにより静電容量を調
整できる。
あり、電極導入軸７及び同軸円筒型アースシールド８は
昇降機９により個々に上下に昇降できるようになってお
り、可動部の真空絶縁、高電圧絶縁対策が施されてい
る。さらに整合器２と電極導入軸７は高電圧電極に接す
る接触器１０を介し、電気的に接続されている。以上の
構成により、電極導入軸７の長さを可変にすることによ
り、高周波誘導係数を調整でき、同様に同軸円筒型アー
スシールド８の長さを可変することにより静電容量を調
整できる。
【００１３】更に、装置負荷４にかかる電圧と電流との
位相差を測定するために、整合器２と真空槽３の連結部
に高周波高電圧プローブ１１と高周波電流計１２を設置
した。高周波高電圧プローブ１１は１００ＭＨｚ対応で
出力比１０００：１、高周波電流計１２は１００ＭＨｚ
対応で出力比１：１の電圧出力型であった。高周波高電
圧プローブ１１と高周波電流計１２からの出力ケーブル
は、２００ＭＨｚ対応のデジタルストレージオシロスコ
ープ１３に接続した。
位相差を測定するために、整合器２と真空槽３の連結部
に高周波高電圧プローブ１１と高周波電流計１２を設置
した。高周波高電圧プローブ１１は１００ＭＨｚ対応で
出力比１０００：１、高周波電流計１２は１００ＭＨｚ
対応で出力比１：１の電圧出力型であった。高周波高電
圧プローブ１１と高周波電流計１２からの出力ケーブル
は、２００ＭＨｚ対応のデジタルストレージオシロスコ
ープ１３に接続した。
【００１４】次に、本実施例によるプラズマ調整作用を
説明する。装置負荷４として、平行平板電極６の電極間
距離を３０［ｍｍ］に、Ａｒ圧力を３００［ｍＴｏｒ
ｒ］に保った。また、プラズマ励起用の高周波電源１と
しては、最大出力５００［Ｗ］で１０〜１００ＭＨｚの
周波数可変タイプのものを用いた。まず、整合器を用い
て、進行波出力を１００［Ｗ］一定にして反射波出力が
１［Ｗ］以下に収まるまで整合調整する。
説明する。装置負荷４として、平行平板電極６の電極間
距離を３０［ｍｍ］に、Ａｒ圧力を３００［ｍＴｏｒ
ｒ］に保った。また、プラズマ励起用の高周波電源１と
しては、最大出力５００［Ｗ］で１０〜１００ＭＨｚの
周波数可変タイプのものを用いた。まず、整合器を用い
て、進行波出力を１００［Ｗ］一定にして反射波出力が
１［Ｗ］以下に収まるまで整合調整する。
【００１５】その後、電極導入軸７及び同軸円筒型アー
スシールド８の長さを変えることで、装置負荷にかかる
電圧と電流との位相差を±５度以下に位相調整する。こ
の時、高周波高電圧プローブ１１により電圧を、高周波
電流計１２により電流を検出し、デジタルストレージオ
シロスコープ１３により電圧と電流との位相差を測定し
た。
スシールド８の長さを変えることで、装置負荷にかかる
電圧と電流との位相差を±５度以下に位相調整する。こ
の時、高周波高電圧プローブ１１により電圧を、高周波
電流計１２により電流を検出し、デジタルストレージオ
シロスコープ１３により電圧と電流との位相差を測定し
た。
【００１６】この調整により装置負荷のインピーダンス
は整合点からわずかにずれるので、再度整合調整を行
う。この様に整合調整と位相調整を交互に繰り返すこと
により、装置負荷における正味の消費電力を一定にした
うえで最終的に装置負荷のインピーダンスを整合点に合
わせることができる。この時の装置負荷における正味の
消費電力の電源周波数依存性は図４に示す通り、周波数
によらずほぼ一定かつ最大であった。
は整合点からわずかにずれるので、再度整合調整を行
う。この様に整合調整と位相調整を交互に繰り返すこと
により、装置負荷における正味の消費電力を一定にした
うえで最終的に装置負荷のインピーダンスを整合点に合
わせることができる。この時の装置負荷における正味の
消費電力の電源周波数依存性は図４に示す通り、周波数
によらずほぼ一定かつ最大であった。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、次のような顕著な効果
を奏する。 １）電極導入軸及び同軸円筒型アースシールドの長さ可
変即ち高周波誘導係数及び静電容量の調整機構を有し、
プラズマ負荷とともに直列共振回路を形成させることに
より、装置負荷にかかる電圧と電流との位相差を調整で
きるため、装置負荷における正味の消費電力を電源周波
数によらず一定にすることができる。 ２）前記可変構造の電極負荷を含む装置負荷がつくる直
列共振回路においては、共振時のインピーダンスが純抵
抗となり、位相差をなくすことができるため、装置負荷
における正味の消費電力を電源周波数によらず常に最大
にすることができる。 ３）装置負荷における正味の消費電力を電源周波数によ
らず一定かつ最大にすることができるので、工業的に常
用される１３．５６ＭＨｚよりも高い周波数領域で発生
するプラズマの、周波数に依存して変化するパラメータ
ーを成膜プロセスによって適宜使い分ける場合に有効で
ある。
を奏する。 １）電極導入軸及び同軸円筒型アースシールドの長さ可
変即ち高周波誘導係数及び静電容量の調整機構を有し、
プラズマ負荷とともに直列共振回路を形成させることに
より、装置負荷にかかる電圧と電流との位相差を調整で
きるため、装置負荷における正味の消費電力を電源周波
数によらず一定にすることができる。 ２）前記可変構造の電極負荷を含む装置負荷がつくる直
列共振回路においては、共振時のインピーダンスが純抵
抗となり、位相差をなくすことができるため、装置負荷
における正味の消費電力を電源周波数によらず常に最大
にすることができる。 ３）装置負荷における正味の消費電力を電源周波数によ
らず一定かつ最大にすることができるので、工業的に常
用される１３．５６ＭＨｚよりも高い周波数領域で発生
するプラズマの、周波数に依存して変化するパラメータ
ーを成膜プロセスによって適宜使い分ける場合に有効で
ある。
【００１８】
【図１】本発明の一実施例の構成図。
【図２】従来のＣＶＤ装置の構成図。
【図３】本発明の一部を表す等価回路。
【図４】本発明のＣＶＤ装置による負荷における正味の
消費電力の電源周波数依存性を示す。
消費電力の電源周波数依存性を示す。
【図５】従来のＣＶＤ装置による負荷における正味の消
費電力の電源周波数依存性を示す。
費電力の電源周波数依存性を示す。
１…高周波電源 ２…整合器 ３…真空槽 ４…装置負荷 ５…電極 ６…平行平板電極 ７…電極導入軸 ８…アースシールド ９…昇降機 １０…接触器 １１…高周波高電圧プローブ １２…高周波電流計 １３…デジタルストレージオシロスコープ
Claims (3)
- 【請求項１】プラズマ負荷とプラズマ発生用電極（以下
電極と呼ぶ）負荷を含む装置負荷に対して所定の周波数
内で連続的に選択可能な高周波を供給して成膜を行うプ
ラズマＣＶＤ装置（以下単にＣＶＤ装置と呼ぶ）であっ
て、該電極の静電容量と誘導係数が可変の構造を有する
ことを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】前記電極の誘導係数の可変構造が電極導入
軸長さを可変することによって得られることを特徴とす
る請求項１記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】前記電極の静電容量の可変構造が同軸円筒
型アースシールドの長さを可変することによって得られ
ることを特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7057065A JPH08253862A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7057065A JPH08253862A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08253862A true JPH08253862A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13045052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7057065A Pending JPH08253862A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08253862A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6761128B2 (en) | 2000-07-11 | 2004-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma treatment apparatus |
| JP2008181846A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-08-07 | Daihen Corp | 高周波装置 |
| US8203859B2 (en) | 2006-12-29 | 2012-06-19 | Daihen Corporation | High frequency device with variable frequency and variable load impedance matching |
| JP2013251071A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Advantest Corp | 信号測定装置、信号測定方法、プログラム、記録媒体 |
Citations (5)
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| JPS54134089A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | Ozon generator |
| JPH01233730A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Shimadzu Corp | 高周波グロー放電装置 |
| JPH05140752A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-08 | Hitachi Ltd | デイスク基板用プラズマ処理装置およびその処理方法 |
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| JPH06295866A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Canon Inc | プラズマ反応装置 |
-
1995
- 1995-03-16 JP JP7057065A patent/JPH08253862A/ja active Pending
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