JP3279919B2 - 同時放電化装置 - Google Patents

同時放電化装置

Info

Publication number
JP3279919B2
JP3279919B2 JP11868196A JP11868196A JP3279919B2 JP 3279919 B2 JP3279919 B2 JP 3279919B2 JP 11868196 A JP11868196 A JP 11868196A JP 11868196 A JP11868196 A JP 11868196A JP 3279919 B2 JP3279919 B2 JP 3279919B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chambers
power supply
electrode
side conductor
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP11868196A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09306694A (ja
Inventor
一人 大淵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP11868196A priority Critical patent/JP3279919B2/ja
Priority to KR1019970017684A priority patent/KR100294028B1/ko
Priority to TW086106305A priority patent/TW464969B/zh
Priority to US08/856,254 priority patent/US5922134A/en
Publication of JPH09306694A publication Critical patent/JPH09306694A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3279919B2 publication Critical patent/JP3279919B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Telephone Set Structure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、1個の高周波電源
で2個のチャンバー内を同時に放電させて半導体ウェー
ハ等の被処理物表面に形成された被膜をエッチングした
りアッシングする同時放電化装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、1個の高周波電源で2個のチャン
バーを同時に放電させる同時放電化装置としては、図5
に示すように、高周波電源100の出力端子に2本のR
fケーブル101の各一端を接続し、この2本のRfケ
ーブル101の他端を2個のチャンバー102,103
の第1のシート状電極104,105に夫々接続したも
のが知られている。なお、106,107はアースに接
続される第2のシート状電極である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術において
は、単独放電の場合にはレートに大きな差が生じない
が、各チャンバー102,103でインピーダンスが多
少異なるため、1個の高周波電源100で同時に2個の
チャンバー102,103を放電させると、インピーダ
ンスの低い方へ電流が流れ易いため、レートの偏りが大
きくなるという問題があった。このような各チャンバー
102,103間でインピーダンスの相違が生じるの
は、第1のシート状電極104,105、第2のシート
状電極106,107やRfケーブル101などの配設
状態が各チャンバー102,103間で多少異なるから
である。
【0004】本発明は、従来の技術が有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、1個の高周波電源で2個のチャンバー内を同時
に放電させて半導体ウェーハ等の被処理物表面に形成さ
れた被膜を各チャンバーで同一レートでエッチングした
りアッシングすることができる同時放電化装置を提供し
ようとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決すべく
本発明は、1個の高周波電源で2個のチャンバー内を同
時に放電させる同時放電化装置において、前記2個のチ
ャンバーに電力分割手段を介して前記高周波電源を接続
するとともに、前記電力分割手段は前記2個のチャンバ
ーの対応する電極同士を接続する電極側導体板と、前記
高周波電源の出力ケーブルの端部に接続する電源側導体
板と、前記電極側導体板と電源側導体板を任意の位置で
接続する導体バーにて構成した。
【0006】
【0007】更に、前記電極側導体板と電源側導体板
に、前記導体バーを嵌合して接続する接続孔を形成した
ものである。
【0008】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。なお、本発明装置で使用する
電極側導体板21と電源側導体板23と導体バー24に
おける導体としては、銅やアルミニウムなどの導電体材
料を用いることができるが、以下の実施の形態では銅を
例として説明する。ここで、図1は本発明に係る同時放
電化装置の断面図、図2は同じく説明図、図3は銅板の
正面図、図4は別実施銅板の正面図である。
【0009】図1に示すように、同時放電化装置は、同
一に構成された2個のプラズマ処理装置1,11を備え
ている。プラズマ処理装置1,11は、ベース2,12
に開口3,13を形成し、この開口3,13を覆うよう
に石英からなるチャンバー4,14を取り付けている。
【0010】チャンバー4,14は、ドーム状の下半部
4a,14aと筒状の上半部4b,14bとからなり、
上半部4b,14bには反応ガス導入部5,15を設け
ると共に、上半部4b,14b外周には高周波電源Pに
接続される第1のシート状電極6,16とアースに接続
される第2のシート状電極7,17をチャンバー4,1
4の軸を基準にして左右に離間して対向配置している。
【0011】第1のシート状電極6,16及び第2のシ
ート状電極7,17は、チャンバー上半部4b,14b
の周方向に伸びる凸部6a,16a,7a,17aと凹
部6b,16b,7b,17bを上下方向に連続して形
成した櫛歯状をなし、且つ一方のシート状電極の凸部6
a,16a,7a,17aが他方のシート状電極の凹部
6b,16b,7b,17bに略一定の間隔Gを開けて
噛み合っている。
【0012】このように、一対のシート状電極6,1
6,7,17の間隔Gを周方向及び軸方向において略一
定とすることで、プラズマがチャンバー上半部4b,1
4bの内周に沿って均一に発生する。
【0013】また、第2のシート状電極7,17の下端
部7c,17cは、第1のシート状電極6,16よりも
下方位置においてチャンバー4,14を囲んでいる。こ
のように、プラズマ発生空間の最下端をアースに接続さ
れる第2のシート状電極7,17で囲むことで、荷電粒
子がウェーハWに向って流れるのを阻止することができ
る。
【0014】一方、ベース2,12の開口3,13に
は、下方からウェーハWをセットする載置テーブル8,
18が臨み、またベース2,12には真空ポンプにつな
がる排気通路(不図示)を形成している。
【0015】また、第1のシート状電極6,16の上端
部6c,16cと高周波電源Pは、電力分割手段20を
介して接続されている。電力分割手段20は、チャンバ
ー4,14に配置された第1のシート状電極6,16や
第2のシート状電極7,17などの配設状態の相違によ
って生じるインピーダンスの相違を補正して、各チャン
バー4,14に1個の高周波電源Pから同一の電力が供
給されるようにするための部材である。
【0016】電力分割手段20は、図2に示すように、
第1のシート状電極6,16の上端部6c,16c同士
を接続する電極側銅板21と、高周波電源PのRfケー
ブル22の端部に接続する電源側銅板23と、電極側銅
板21と電源側銅板23を任意の位置で電気的に接続す
る銅バー24からなっている。銅バー24の両端には、
同一方向に突出した凸部(不図示)が形成されている。
【0017】また、各銅板21,23には、図3に示す
ように、銅バー24の凸部が嵌合する接続孔25が、中
心に一箇所、左右に4箇所ずつ(L1〜L4,R1〜R
4)合計9箇所、間隔Dで形成されている。なお、接続
孔25の数は限定されず、任意の数にすることができ
る。また、この接続孔25は、図4に示すような長手方
向の長孔を1つ設ける形でもよい。電極側銅板21と電
源側銅板23は、図2に示すように、銅バー24の凸部
を対応する接続孔25(例えば、電極側銅板21のL2
と電源側銅板23のL2)に嵌合させて電極側銅板21
と電源側銅板23を電気的に接続できるように配設され
ている。
【0018】そして、電極側銅板21と電源側銅板23
を銅バー24で接続する際に、チャンバー4,14間で
相違するインピーダンスに応じて、銅バー24の凸部が
嵌合する接続孔25を9箇所の中から選択することによ
り、また図4に示すような長手方向の長孔を接続孔25
とした場合にあっては銅バー24の凸部を接続孔25中
を摺動させて選択嵌合せしめることにより、電力分割手
段20を含めた各チャンバー4,14のインピーダンス
が等しくなるよう調整することができる。
【0019】従って、銅バー24の凸部が嵌合する接続
孔25を適宜選択してチャンバー4,14間で相違する
インピーダンスを補正することにより、1個の高周波電
源Pから2個のチャンバー4,14に同一の電力が供給
され、同一の条件で同時に2個のチャンバー4,14内
を放電させることができる。
【0020】而して、チャンバー4,14内を減圧し、
反応ガス導入部5,15からチャンバー4,14内に反
応ガスを導入し、更に第1のシート状電極6,16に高
周波を印加すると、第1と第2のシート状電極6,1
6,7,17の凸部6a,16a,7a,17aと凹部
6b,16b,7b,17bとの間の間隔Gの部分に沿
ってプラズマがチャンバー上半部4b,14bの内周面
に均一に発生する。
【0021】従って、各チャンバー4、14内では、同
じレートでウェーハWを処理することができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
力分割手段によってチャンバー間で相違するインピーダ
ンスを補正して各チャンバーに供給される電力を同一に
することにより、1個の高周波電源で2個のチャンバー
を同時に放電させて半導体ウェーハ等の被処理物表面に
形成された被膜を同じレートでエッチングしたりアッシ
ングすることができる。
【0023】また、導体バーを任意の接続孔に嵌合させ
て電極側導体板と電源側導体板を接続するので、チャン
バー間で相違するインピーダンスの補正が容易且つ迅速
にできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る同時放電化装置の断面図
【図2】本発明に係る同時放電化装置の説明図
【図3】銅板の正面図
【図4】別実施による銅板の正面図
【図5】従来の同時放電化装置の断面図
【符号の説明】
1,11…プラズマ処理装置、4,14…チャンバー、
6,16…第1のシート状電極、7,17…第2のシー
ト状電極、20…電力分割手段、21…電極側銅板、2
2…Rfケーブル、23…電源側銅板、24…銅バー、
25…接続孔、P…高周波電源。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1個の高周波電源で2個のチャンバー内
    を同時に放電させる同時放電化装置において、前記2個
    のチャンバーの対応する電極同士を接続する電極側導体
    板と、前記高周波電源の出力ケーブルの端部に接続する
    電源側導体板と、前記電極側導体板と電源側導体板を任
    意の位置で接続する導体バーからなる電力分割手段を介
    して前記高周波電源を接続したことを特徴とする同時放
    電化装置。
  2. 【請求項2】 請求項1の同時放電化装置において、前
    記電極側導体板と電源側導体板に、前記導体バーを嵌合
    して接続する接続孔を形成したことを特徴とする同時放
    電化装置。
JP11868196A 1996-05-14 1996-05-14 同時放電化装置 Expired - Fee Related JP3279919B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11868196A JP3279919B2 (ja) 1996-05-14 1996-05-14 同時放電化装置
KR1019970017684A KR100294028B1 (ko) 1996-05-14 1997-05-08 동시방전화장치
TW086106305A TW464969B (en) 1996-05-14 1997-05-12 Simultaneous discharge device
US08/856,254 US5922134A (en) 1996-05-14 1997-05-14 Simultaneous discharge device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11868196A JP3279919B2 (ja) 1996-05-14 1996-05-14 同時放電化装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09306694A JPH09306694A (ja) 1997-11-28
JP3279919B2 true JP3279919B2 (ja) 2002-04-30

Family

ID=14742574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11868196A Expired - Fee Related JP3279919B2 (ja) 1996-05-14 1996-05-14 同時放電化装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5922134A (ja)
JP (1) JP3279919B2 (ja)
KR (1) KR100294028B1 (ja)
TW (1) TW464969B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002030447A (ja) * 2000-07-11 2002-01-31 Canon Inc プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP3868217B2 (ja) * 2001-02-09 2007-01-17 東京応化工業株式会社 プラズマ処理装置
JP2004014904A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 同時放電化装置
JPWO2006118161A1 (ja) * 2005-04-28 2008-12-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置および電極部材
JP2007220594A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Nissin Electric Co Ltd プラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置
JP5257917B2 (ja) * 2006-04-24 2013-08-07 株式会社ニューパワープラズマ 多重マグネチックコアが結合された誘導結合プラズマ反応器
JP5191159B2 (ja) * 2007-04-04 2013-04-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US7699935B2 (en) 2008-06-19 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2635021B2 (ja) * 1985-09-26 1997-07-30 宣夫 御子柴 堆積膜形成法及びこれに用いる装置
JPH0638405B2 (ja) * 1986-11-19 1994-05-18 東京応化工業株式会社 プラズマ反応処理装置
WO2004083486A1 (ja) * 1993-03-23 2004-09-30 Atsushi Yamagami 超短波を用いたプラズマcvd法及び該プラズマcvd装置
JP3236111B2 (ja) * 1993-03-31 2001-12-10 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置及び処理方法
DE4413655A1 (de) * 1994-04-20 1995-10-26 Leybold Ag Beschichtungsanlage
DE4441206C2 (de) * 1994-11-19 1996-09-26 Leybold Ag Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen
EP0715334B1 (en) * 1994-11-30 1999-04-14 Applied Materials, Inc. Plasma reactors for processing semiconductor wafers

Also Published As

Publication number Publication date
KR970077285A (ko) 1997-12-12
TW464969B (en) 2001-11-21
KR100294028B1 (ko) 2001-10-24
US5922134A (en) 1999-07-13
JPH09306694A (ja) 1997-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3016821B2 (ja) プラズマ処理方法
KR100447583B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 그 장치를 이용한 기판 처리 방법
JP3266163B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5183213B2 (ja) 真空プラズマプロセッサ
JP3279919B2 (ja) 同時放電化装置
JP2002246370A (ja) フォーカスリング及びプラズマ処理装置
TW200833181A (en) Apparatus and method for plasma processing
JPS60167330A (ja) リアクテイブイオンエツチ装置のガス供給装置
JP2001087643A (ja) プラズマ処理装置
TW201740455A (zh) 反應腔室及半導體加工裝置
US11282679B2 (en) Plasma control apparatus and plasma processing system including the same
JPH0476494B2 (ja)
KR20200067104A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR100807287B1 (ko) 플라즈마 처리장치
JPH08120469A (ja) ドライエッチング装置
JPH11185995A (ja) プラズマ処理装置
JPH06283472A (ja) プラズマ装置及びプラズマ処理方法
JP3077008B2 (ja) プラズマ処理装置
CN213546262U (zh) 一种接地环及等离子体处理装置
JPS63234532A (ja) プラズマエツチング装置
KR102197611B1 (ko) 기판 처리 시스템
JP3660427B2 (ja) 複数チャンバーの放電時間制御方法
JPH0220020A (ja) エッチング装置
KR20000006505A (ko) 고주파결합기및플라즈마를처리하는장치및방법
CN114678247A (zh) 一种接地环及其调节方法及等离子体处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees