JP5191159B2 - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図2は、本発明の第1の実施形態に係る半導体製造装置1を示している。半導体製造装置1は、例えば、ウエハのドライエッチングに用いられる。半導体製造装置1は、チャンバ2と、ガス供給部3と、真空処理室4と、真空ポンプ5と、第1電極6と、第2電極11と、絶縁体16と、図2に示されない絶縁体17と、高周波電力供給部18と、導体板19と、導体板20と、導電部材21と、シール部材25と、支持体26とを備えている。
絶縁体17と、接続部材9の他の端部と、帯状曲板8の一の端部とは、この順番に第1方
向に平行な直線に沿って配置されている。貫通穴19b、貫通穴7a、貫通穴9a、貫通
穴17a及び貫通穴8aの位置は、重なっている。他方の導体板19の他の端部と、帯
状曲板7の他の端部と、接続部材10の一の端部と、絶縁体16と、接続部材10の他の
端部と、帯状曲板8の他の端部とは、この順番に第1方向に平行な直線に沿って配置され
ている。貫通穴19b、貫通穴7b、貫通穴10a、貫通穴16a及び貫通穴8bの位置
は、重なっている。
動した場合、チャンバ2の移動を吸収するように編導線22が変形する。そのため、チャ
ンバ2及び第1電極6が破損することが防がれ、チャンバ2及び第1電極6の寿命が延び
る。さらに、高周波電力供給部18と第1電極6とを接続するための時間と、インピーダ
ンスを調整するための時間とが、短縮される。
Sに対して鏡面対象に配置することが好ましい。平面Sに対して対称な電界がチャンバ2
内に形成され、その結果、被処理体27から製造される半導体装置の品質のばらつきが
小さくなる。例えば、図5に示すように、複数のユニットの内の第1のユニットを平面S
の一方側に配置し、複数のユニットの内の第2のユニットを平面Sの他方側に配置する。
そして、第1のユニットの編導線22と、第2のユニットの編導線22とを、平面Sに対
して鏡面対象な円周に沿うように撓ませる。
2…チャンバ
3…ガス供給部
4…真空処理室
4a…穴
5…真空ポンプ
6…第1電極
7、8…帯状曲板
9、10…接続部材
11…第2電極
12、13…帯状曲板
14、15…接続部材
16、17…絶縁体
18…高周波電力供給部
19、20…導体板
21…導電部材
22…編導線
23、24…圧着端子
25…シール部材
26…支持体
27…被処理体
7a、7b、8a、8b、9a、10a、12a、12b、13a、13b、14a、15a、16a、16b、17a、17b、19a、19b、20a、23a、24a…貫通穴
101…半導体製造装置
102…ベルジャ
103…ガス供給部
104…真空処理室
106…第1電極
111…第2電極
112…シールド電極
113…穴
114…ヒータ
118…高周波電力供給部
120…導電部材
121…酸素ガス
122…プラズマ
123…活性種
127…ウエハ
Claims (4)
- チャンバと、
内部が互いに通じるようにシール部材を介して前記チャンバに接合された真空処理室と、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバ内及び前記真空処理室内から排気する真空ポンプと、
前記チャンバの外側に配置され、前記チャンバに対して固定された電極と、
編導線と、
前記編導線を介して前記電極に高周波電力を供給する高周波電力供給部と
を具備し、
前記編導線は、クロムめっき膜を備えた編銅線である
半導体製造装置。 - 前記チャンバはベルジャであり、
前記シール部材はOリングである
請求項1の半導体製造装置。 - 前記編導線は、撓んだ状態で前記高周波電力供給部と前記電極とを接続する
請求項1又は2に記載の半導体製造装置。 - 半導体製造装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体製造装置は、
チャンバと、
内部が互いに通じるようにシール部材を介して前記チャンバに接合された真空処理室と、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバ内及び前記真空処理室内から排気する真空ポンプと、
前記チャンバの外側に配置され、前記チャンバに対して固定された電極と、
編導線と、
前記編導線を介して前記電極に高周波電力を供給する高周波電力供給部と
を具備し、
前記編導線は、クロムめっき膜を備えた編銅線であり、
前記半導体装置の製造方法は、
前記チャンバ内にガスを供給しながら、前記高周波電力供給部が前記編導線を介して前記電極に高周波電力を供給して前記チャンバ内にプラズマを発生させるステップと、
前記プラズマを用いて被処理体を処理するステップと
を具備する
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007098102A JP5191159B2 (ja) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
CN2008100905770A CN101281860B (zh) | 2007-04-04 | 2008-04-03 | 半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 |
US12/062,731 US8007632B2 (en) | 2007-04-04 | 2008-04-04 | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
US13/191,046 US8105953B2 (en) | 2007-04-04 | 2011-07-26 | Method of manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007098102A JP5191159B2 (ja) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008258352A JP2008258352A (ja) | 2008-10-23 |
JP5191159B2 true JP5191159B2 (ja) | 2013-04-24 |
Family
ID=39827327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007098102A Expired - Fee Related JP5191159B2 (ja) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8007632B2 (ja) |
JP (1) | JP5191159B2 (ja) |
CN (1) | CN101281860B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8635207B2 (en) * | 2010-01-27 | 2014-01-21 | 26-F, Llc | Computerized system and method for assisting in resolution of litigation discovery in conjunction with the federal rules of practice and procedure and other jurisdictions |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6029295B2 (ja) * | 1979-08-16 | 1985-07-10 | 舜平 山崎 | 非単結晶被膜形成法 |
US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
JPH0737870A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Nissin Electric Co Ltd | レジスト剥離装置 |
JP3009939U (ja) * | 1994-06-13 | 1995-04-18 | 株式会社笹沼製作所 | 可撓給電端子 |
JP2913008B2 (ja) * | 1995-02-10 | 1999-06-28 | 株式会社井上製作所 | 可撓給電端子 |
JP3569090B2 (ja) * | 1996-11-13 | 2004-09-22 | 東京応化工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR100275597B1 (ko) * | 1996-02-23 | 2000-12-15 | 나카네 히사시 | 플리즈마처리장치 |
JP3279919B2 (ja) * | 1996-05-14 | 2002-04-30 | 東京応化工業株式会社 | 同時放電化装置 |
JP2000018449A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-18 | Sakura Gomme Kk | フレキシブル通電ホース |
JP2002134297A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ装置 |
JP3816359B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2006-08-30 | アルプス電気株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理システム |
JP3769238B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2006-04-19 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2004235380A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 表面処理装置および表面処理方法 |
JP4381963B2 (ja) * | 2003-11-19 | 2009-12-09 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4588653B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2010-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱機能を有する基板載置機構および基板処理装置 |
-
2007
- 2007-04-04 JP JP2007098102A patent/JP5191159B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-03 CN CN2008100905770A patent/CN101281860B/zh active Active
- 2008-04-04 US US12/062,731 patent/US8007632B2/en not_active Expired - Fee Related
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2011
- 2011-07-26 US US13/191,046 patent/US8105953B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101281860B (zh) | 2011-04-06 |
US8105953B2 (en) | 2012-01-31 |
CN101281860A (zh) | 2008-10-08 |
US20080248652A1 (en) | 2008-10-09 |
JP2008258352A (ja) | 2008-10-23 |
US8007632B2 (en) | 2011-08-30 |
US20110281437A1 (en) | 2011-11-17 |
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