JP2010114458A - 化学蒸着システム - Google Patents

化学蒸着システム Download PDF

Info

Publication number
JP2010114458A
JP2010114458A JP2010001397A JP2010001397A JP2010114458A JP 2010114458 A JP2010114458 A JP 2010114458A JP 2010001397 A JP2010001397 A JP 2010001397A JP 2010001397 A JP2010001397 A JP 2010001397A JP 2010114458 A JP2010114458 A JP 2010114458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
seal
deposition chamber
chemical vapor
glass sheet
conveyor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010001397A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5438521B2 (ja
Inventor
Gary T Faykosh
ゲアリー ティ フェイコシュ
James B Foote
ジェイムス ビー フート
James E Hinkle
ジェイムス イー ヒンクル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
First Solar Inc
Original Assignee
First Solar Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by First Solar Inc filed Critical First Solar Inc
Publication of JP2010114458A publication Critical patent/JP2010114458A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5438521B2 publication Critical patent/JP5438521B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】ガラスシート基板上にコーティングを提供する改良された化学蒸着システムを提供する。
【解決手段】化学蒸着システム10は、入口30及び出口32を備えたハウジング12を備え、下側及び上側ハウジング部分16,18によって構成される堆積チャンバ14を有し、下側及び上側ハウジング部分16,18の水平結合部にシールアセンブリ22を備え、水平結合部は前記入口30及び出口32の双方よりも高い位置にあり、前記入口30は、コーティングされるガラスシート基板Gをチャンバ14に導入し、前記出口32は該コーティングガラスシート基板をチャンバ14から出す。
【選択図】図1

Description

本発明は、ガラスシート基板上にコーティングを堆積させるための化学蒸着システムに関する。
コーティングは、以前から光起電性パネルのような半導体デバイスを作るためにガラスシート基板に適用されてきた。かかるコーティングを行う一つの方法として、化学蒸着法(CVD)がある。密封されたチャンバ内のバッチベースに基板を挿入することによりガラスシート基板に硫化カドミウム及びテルル化カドミウムのようなコーティングを適用するのに、以前から密閉された空間での昇華が利用されており、次いで加熱されていた。密閉空間での昇華におけるガラスシート基板は、その周囲と非常に近い関係で支持されており、即ち通常、テルル化カドミウムの材料のソースと2乃至3ミリメートルの距離である。かかるプロセスによる加熱は、約450乃至500℃で進行し、テルル化カドミウムが非常にゆっくりと元素コンポーネントに昇華し始め、約650乃至725℃の温度に達したとき、昇華がより高速になり、元素コンポーネントが基板の下向き表面に著しいレートで再結合する。
ガラスシート基板上での薄膜の連続処理は、Foote等による米国特許第5,248,349号、Foote等による米国特許第5,372,646号、Foote等による米国特許第5,470,397号、及びFoote等による米国特許第5,536,333号に開示されている。連続コーティングを提供するのに利用されるCVDは、エンクロージャ内に配置された加熱チャンバを構成するオーブン内で実施される。コーティングが実施されるガラスシート基板を支持するためにオーブンに渡って延びるロールコンベヤは転がり、エンクロージャの内部であるがオーブンの外部に配置された駆動機構は、オーブンから外側に突き出たコンベヤロールの端を駆動させる。また、Powell等による米国特許第5,945,163号及びPowell等による米国特許第6,037,241号は、堆積される気体材料が、基板上に堆積させるための供給材料から加熱された透過膜を通過する、CVDを実施ための装置を開示する。
本発明の目的は、ガラスシート基板上にコーティングを提供する改良された化学蒸着システムを提供することである。
上記目的を達成するために、本発明の化学蒸着システムは、互いに水平結合部を備えた下側及び上側部分を備え、内包された堆積チャンバを構成するハウジングを有する。堆積チャンバを密封するために、シールアセンブリが、下側及び上側ハウジング部分の水平結合部でそれらの間に延びる。堆積チャンバ内に配置されたロールコンベヤが、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下で、コンベヤ移送の平面でコンベヤ移送の方向に沿ってガラスシート基板をコンベヤ移送する。コンベヤ移送されるガラスシート基板上にコーティングの化学蒸着を提供するために、ロールコンベヤの上で堆積チャンバ内に、化学蒸着分配器が位置決めされる。ハウジングは、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下の位置で、コーティングされるガラスシート基板を堆積チャンバ内に導入する入口を備え、ハウジングはまた、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下の位置で、コーティングされたガラスシート基板を堆積チャンバから出す出口を備える。
堆積システムは、堆積チャンバ内を真空に引くための真空ソースを有する。下側及び上側ハウジング部分の間のシールアセンブリは、中間シールスペースを構成するために、互いに間隔が隔てられた内側及び外側シール部材を含み、該中間シールスペースは、堆積チャンバとその周囲の環境との間に位置決めされ、堆積チャンバよりも低い真空に引かれる。内側シール部材又は外側シール部材の何れの漏れをも検知するために、センサはシールスペース内の圧力を検知する。シールアセンブリは、下側及び上側ハウジング部分に下側及び上側シールフランジを含み、内側及び外側シール部材は、下側及び上側ハウジング部分の間を密封するために、下側及び上側シールフランジの間に延びる。上側ハウジング部分を下側ハウジング部分に固定するために、下側及び上側シールフランジの間にクランプが延びる。各クランプは、下側及び上側シールフランジの間を安全に固定することができるように油圧稼働可能なシリンダを含む。
堆積システムはハウジング内に配置されたオーブンを含み、該オーブンは、コンベヤ移送されるガラスシート基板を加熱するために、側方に間隔が隔てられたバンクでコンベヤ移送の方向に沿って延び、コンベヤ移送の方向に対して側方に基板の温度差を制御する細長いヒータを備える。各細長いヒータは、加熱をするために電気が流れる電気抵抗エレメントを含み、各ヒータは該電気抵抗エレメントがその中を通って延びる細長い石英管を含む。ロールコンベヤは、オーブンを通って延び、ハウジング内でそこから外側に突き出た端を備えたロールを備え、駆動機構は、ハウジング内でオーブンの外側でロール端と係合し、回転駆動させる。
堆積システムはまた、破損したガラスシート基板を捕捉するためにロールコンベヤの下に配置されたスクリーンを備える。該スクリーンは、ステンレス鋼で出来ており、補強材を含む。
本発明の1又はそれ以上の実施形態の詳細を、図を参照して以下に説明する。本発明の他の特徴、目的及び利点は、発明の詳細な説明、図面、及び特許請求の範囲から明らかである。
本発明によって構成されたCVDシステムの概略側面図である。 図1の線2−2の方向に沿った堆積システムの平面図である。 図1の線3−3の方向に沿った堆積システムの断面図である。 図1の左側入口端での線4−4の方向に沿ったシステムの側面図であり、右側出口端をも例示する。 堆積システムハウジングのシールアセンブリの構造を図示するための、図2の線5−5の方向に沿った断面図である。 システムハウジングの下側及び上側ハウジング部分のシールフランジを安全に固定するクランプの構造を図示する、図4の一部を拡大した図である。 堆積システムのオーブンの細長いヒータの構造を示す図である。 下側ハウジング部分で、オーブンにおいてヒータを保護するためにガラスシート基板のいかなる破損も捕捉するスクリーンの構造を図示する。
図1及び2を参照すると、本件発明によって構成された化学蒸着(CVD)システムが10によって全体的に示され、内包された堆積チャンバ14を構成するハウジング12を示し、ここで以下により詳細に示す化学蒸着が行われる。図1に示したようなハウジング12は、水平平面接合部20を互いに備えた下側部分16と上側部分18とを含む。シールアセンブリ22は、ハウジング12を密封するためのそれらの水平接合部20で、下側及び上側ハウジング部分16及び18の間に延びる。このシールアセンブリは、システムハウジングの細長い長さの各々側方に沿って延び、且つ、ハウジングの周りに完全に延びるようにその各々反対側にも延びる。
図1と3を一緒に参照すると、ロールコンベヤ24は、図1にピースによって示した移送の平面で移送Cの方向に沿ってガラスシート基板Gをコンベヤ送りするように、堆積チャンバ14内に配置される。このコンベヤ送りピースの平面は、シールアセンブリ22が配置される、下側及び上側ハウジング部分16及び18の水平接合部20より下に配置される。
図1及び3を更に参照すると、26によって全体的に示された化学気相分配器は、コンベヤ移送されるガラスシート基板上にCVDコーティングを提供するために、堆積チャンバ14内でロールコンベヤ24の上に配置されたディストリビュータプレナム28を含む。ディストリビュータプレナム28は、Powell等による米国特許第5,945,163号及びPowell等による米国特許第6,037,241号に開示されたタイプが好ましく、その全体に開示されたものはリファレンスとしてここに組み入れられ、堆積される化学気相は、堆積のための近接してコンベヤ移送されるガラスシート基板上で、ロールコンベヤに向かって下向きのフローで放電される前に、加熱された透過膜を透過する。
図1及び4に図示されるように、ハウジングは、シールアセンブリ22が配置される下側及び上側ハウジング部分16及び18の水平結合部20より下の位置を中心に、堆積チャンバ14内に導入される被覆されたガラスシート基板を通す入口30を含む。更に、図1に示すハウジングは、シールアセンブリ22が配置される下側及び上側ハウジング部分16及び18の水平結合部20より下の位置を中心に、堆積チャンバ14から出る被覆されたガラスシート基板を出す出口32を含む。図4にエントリとして図示したような入口30及び出口32は、他の処理システムとの間の通り道を開けるように機能する。例えば、入口30は、デポジション用の加熱炉から加熱されたガラスシートを受入れ、出口32は、更なる処理のためにコーティングされたガラスシートを転送させることができる。その場合、他のシステムの部分が、堆積システム10と同様にそこに包含された環境を維持する適当なシールを有する。かかるシールは、堆積チャンバ14内にいかなる周囲の雰囲気をも導入することなく、従来の仕方でガラスシート導入を提供するために、在来の排気ポンプ装置及びスペースゲートを備えたロードロックセルであってよい。更に、入口30及び出口32は、ロードロックセル、又は、如何なるタイプの適当な係合シール、又は、McMaster等による米国特許第5,772,715号によって開示されるようなガラスシートの連続的な導入を可能にするスリットシールであってよく、かかる開示は全体的にリファレンスとしてここに組み入れる。
図3に図示したように、化学気相分配器26は、ガラスシート基板がロールコンベヤ24に沿ってコンベヤ移送されるときに、当該ガラスシート基板上での均一な堆積を保証するために、ディストリビュータプレナム28の対向する側方端へのフローのための、システムの対向する側方側に一対のインレット36によって供給される材料ソース34を有する。
図5に図示したように、CVDシステム10は、バルブ42の制御下でコンジット40を介して堆積チャンバ14内を真空に引くための真空ソース38を含む。下側及び上側ハウジング部分16及び18の間のシールアセンブリ22は、図2に示した細長い側方サイド48と同様に対向するその端50で、ハウジング12の全体的な周囲にわたってのびる内側及び外側シール部材44及び46を含む。内側及び外側シール部材44及び46は、図5に示すように中間のシールスペース54を設けるために、互いに間隔が隔てられている。かくしてこの密封空間は、堆積チャンバ14とその周囲54との間に配置される。堆積チャンバ14の真空よりも低い真空になるように、バルブ58の制御下でコンジット56を介して中間シールスペース54において真空引きされる。センサは、内側シール部材44又は外側シール部材46の漏れを感知するように、中間シールスペース54の真空のレベルを関知するように機能する。特に、センサ60が、中間シールスペース54の真空の上昇を検知したとき、内側シール部材44に漏れが発生していることを警告する。逆に、センサ60が中間シールスペース54の真空の低下を検知したとき、外側シール部材46に漏れが生じていることを警告する。従って、システムは、その効果的な密封機能を保証するために、シールアセンブリ22の内側及び外側シール部材44及び46の両方を監視することができる。
図4及び5に示したように、シールアセンブリ22は、下側及び上側ハウジング部分16及び18に下側及び上側シールフランジ62及び64を含む。内側及び外側シール部材44及び46は、下側及び上側ハウジング部分の間を密封するために、図5に示したように下側及び上側シールフランジ62及び64の間にのびる。下側ハウジング部分16上への上側ハウジング部分18の下向きの移動の際に、ガイド66は、上側ハウジング部分の適当な位置決めを行う。図4及び6に示したクランプ68は、互いにシールフランジを安全に固定するためにハウジングの周囲にわたって間隔が隔てられて設けられる。特に図6に示したように、各クランプは、下側シールフランジ62に取り付けられた油圧シリンダ70を有し、また、油圧シリンダのピストン連結ロッドに対して、少なくとも一つのネジコネクタ76によって固定され、上側シールフランジ64と係合する可動式クランプ部材74を有する。
図3に示したように、CVDシステム10は、ハウジング12内に配置され、ハウジング12の長さに対応した細長い長さを有するオーブン78を含み、ロールコンベヤ24及び化学気相分配器26が加熱オーブンから飛び出す、側方に対向するスロット80を有する。オーブン78は、絶縁構造を有し、ハウジングとオーブンを全体的に円形とみなしたときの半径方向にのびる支持体82によってハウジングに取り付けられる。その内部では、オーブン78は、ハウジングの長さに沿って延びる細長いヒータを含む。電気的コネクタ86は、コンベヤの方向に対して側方にガラスシート基板の温度差を制御し、並びに、ロールコンベヤ24によって提供される下側基板表面のいかなる放射及び伝導をも相殺するためにそれらの上側及び下側表面の加熱を制御するために、バンクa,b,c,d及びeにヒータ84を接続する。図7に示したような各電気ヒータ84は、電圧90が印加される電気抵抗エレメント88を有し、各ヒータ84は、関連する電気抵抗エレメント88を保護するように延びる細長い石英管92を含む。
図1に示したように、ロールコンベヤ24は、コンベヤ移送の方向の長手方向に沿って、コンベヤ移送方向Cに沿って間隔が隔てられた複数のロール94を含む。図4に示したようなコンベヤロール94は、ハウジング12の側方のサイドに近接した、オーブン78のサイドスロット80を通ってオーブン78から外側に突き出た端96を各々有する。図示されたシステムハウジング12は、その内側がオーブン78の外側の堆積チャンバ14と密封接続された駆動部分98を有する。100によって集合的に示された駆動機構は、システムハウジングの駆動部分98内に配置され、オーブン78の外側であるがハウジング12の内側でロールエンド98と係合し、且つ回転駆動する上側駆動ギアユニット108を駆動させるクロスシャフト106及びギアボックス104によって駆動される垂直に延びる駆動チェーン102を有する。このように、駆動機構100は、オーブン78の内部に包含された加熱に晒されることはなく、低い温度で機能するようにより経済的に製造することができる。
引き続き図4を参照すると、コンベヤロール96は、焼結結合された石英ガラスパーティクルから作られるのが好ましく、化学気相分配器プレナムが配置されない位置で、オーブンサイドスロット80を介して放射熱損失を制限する環状放射シールド110を有する。
図3,4及び8を参照すると、システムは、破損したガラスシート基板を捕捉するためにロールコンベヤ24の下に配置されたスクリーン112を有する。特にスクリーン112は、ステンレス鋼でできており、適当な補強材114を含み、下のヒータからの放射熱フローを妨げることなく、該ステンレス鋼スクリーンが約1乃至2センチメートルの開口を備える。
本件発明を実施するための最良の実施形態を詳細に記載したが、当業者は本発明を実施するための種々の変形実施形態を認識することができる。

Claims (12)

  1. 化学蒸着システムであって、
    内包された堆積チャンバを構成し、互いに水平結合部を備えた下側及び上側部分を含むハウジングと、
    前記水平結合部で前記下側及び上側ハウジング部分の間に延びるシールアセンブリと、 前記堆積チャンバ内に配置され、前記シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下のコンベヤ平面でコンベヤ送りの方向に沿ってガラスシート基板をコンベヤ移送するためのロールコンベヤと、
    前記堆積チャンバ内に配置され、前記コンベヤ移送されるガラスシート基板上に化学蒸着のコーティングを行うために、ロールコンベヤの上に配置された化学気相分配器と、を有し、
    前記ハウジングが、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下の位置で、コーティングされるガラスシート基板を堆積チャンバ内に導入する入口を含み、
    前記ハウジングが、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下の位置で、コーティングされたガラスシート基板を堆積チャンバから出す出口を含む、
    ことを特徴とするシステム。
  2. 請求項1に記載の化学蒸着システムが更に、堆積チャンバ内を真空に引くための真空ソースを有し、
    前記下側及び上側ハウジング部分の間のシールアセンブリが、堆積チャンバとその周りの環境との間に配置され、真空が堆積チャンバよりも低くなるように引かれる中間シールスペースを構成するために、互いに間隔が隔てられた内側及び外側シール部材と、内側シール部材又は外側シール部材のいずれの漏れを検知するため、シールスペース内の圧力を検知するためのセンサとを含む、
    ことを特徴とするシステム。
  3. シールアセンブリが、下側及び上側ハウジング部分に下側及び上側シールフランジを有し、内側及び外側シール部材が、下側及び上側ハウジングの間を密封するために下側及び上側シールフランジの間に延び、上側ハウジング部分を下側ハウジング部分に固定するために下側及び上側シールフランジの間に延びるクランプとを有する、
    ことを特徴とする請求項2に記載の化学蒸着システム。
  4. 各クランプが、下側及び上側シールフランジの間を安全に固定するために油圧シリンダを含むことを特徴とする請求項3に記載の化学蒸着システム。
  5. 請求項1に記載の化学蒸着システムが、
    ハウジング内に配置されたオーブンを含み、
    コンベヤ移送されるガラスシート基板を加熱し、コンベヤ移送の方向に対して側方の基板の温度変化を制御するために、側方に間隔が隔てられたバンクに、コンベヤ移送の方向に沿って延びた細長いヒータを有する、
    ことを特徴とするシステム。
  6. 各細長いヒータが、加熱を提供するために電気が通る電気抵抗エレメントを含み、各ヒータが前記電気抵抗エレメントが中を通って延びる細長い石英管を含む、ことを特徴とする請求項5に記載の化学蒸着システム。
  7. ロールコンベヤが、
    オーブンの中にのび、ハウジング内にそこから外側に突き出た端を備えたロールと、
    ハウジング内でオーブンの外側でロール端を回転駆動する駆動機構と、
    を有することを特徴とする、請求項5に記載の化学蒸着システム。
  8. ガラスシート基板の破損を捕捉するために、ロールコンベヤの下に配置されたスクリーンを更に有することを特徴とする、請求項5に記載の化学蒸着システム。
  9. スクリーンが、ステンレス鋼で出来ており、補強材を包含することを特徴とする、請求項6に記載の化学蒸着システム。
  10. 化学蒸着システムであって、
    内包された堆積チャンバを構成し、互いに水平な接合部を備えた下側及び上側部分を含むハウジングを有し、下側及び上側ハウジング部分が、下側及び上側ハウジング部分の水平接合部で下側及び上側シールフランジをそれぞれ備え、
    前記堆積チャンバ内を真空に引くための真空ソースと、
    下側及び上側ハウジング部分の水平結合部でその間を密封するために、下側及び上側ハウジング部分の下側及び上側シールフランジの間にのびる内側及び外側シール部材を備えたシールアセンブリとを有し、内側及び外側シール部材が、中間シールスペースを構成するために互いに間隔が隔てられ、該中間シールスペースが堆積チャンバとその周りの環境との間で真空に引かれ、
    内側シール部材又は外側シール部材のいずれの漏れも検知するために、シールスペース内の圧力を検知するためのセンサと、
    シールアセンブリが配置された、下側及び上側ハウジング部分の水平接合部の下で、コンベヤ移送の平面でコンベヤ移送の方向に沿ってガラスシート基板をコンベヤ移送するために、堆積チャンバ内に配置されたロールコンベヤとを有し、
    コンベヤ移送されるガラスシート基板上のコーティングの化学蒸着を行うために、ロールコンベヤの上で、堆積チャンバ内に配置された化学蒸着分配器と、
    を有し
    前記ハウジングが、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下の位置で、コーティングされるガラスシート基板が堆積チャンバ内に導入される入口を備え、
    前記ハウジングが、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下の位置で、コーティングされたガラスシート基板を堆積チャンバから出す出口を備えたことを特徴とする化学蒸着システム。
  11. 化学蒸着システムであって、
    互いに水平結合部を備えた下側及び上側部分を含み、内包された堆積チャンバを構成するハウジングを有し、下側及び上側ハウジング部分が、下側及び上側ハウジング部分の水平結合部で下側及び上側シールフランジをそれぞれ備え、
    堆積チャンバ内を真空に引く真空ソースと、
    下側及び上側ハウジング部分の水平結合部でその間を密封するために、下側及び上側ハウジング部分の下側及び上側シールフランジの間にのびる内側及び外側シール部材を備えたシールアセンブリとを有し、内側及び外側シール部材が、中間シールスペースを構成するために互いに間隔が隔てられ、該中間シールスペースが堆積チャンバとその周りの環境との間で真空に引かれ、
    内側シール部材又は外側シール部材のいずれの漏れも検知するために、シールスペース内の圧力を検知するためのセンサと、
    シールアセンブリが配置された、下側及び上側ハウジング部分の水平接合部の下で、コンベヤ移送の平面でコンベヤ移送の方向に沿ってガラスシート基板をコンベヤ移送するためのロールを供え、堆積チャンバ内に配置されたロールコンベヤとを有し、
    ガラスシート基板をコンベヤ移送するロールコンベヤを備えたハウジング内に配置されたオーブンとを有し、該オーブンが、コンベヤ移送されるガラスシート基板を加熱するために側方に間隔が隔てられたバンクでコンベヤ移送の方向に沿って延び、コンベヤ移送の方向に対して側方に基板の温度差を制御する細長いヒータを備え、各細長いヒータが、加熱させるために電気が通る電気抵抗エレメントを含み、各ヒータが、前記電気抵抗エレメントを通す細長い石英管を含み、
    コンベヤ移送されるガラスシート基板上にコーティングの化学蒸着を行うために、ロールコンベヤの上で堆積チャンバ内に配置された化学蒸着分配器と、を有し、
    前記ハウジングが、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下の位置で、コーティングされるガラスシート基板が堆積チャンバ内に導入される入口を備え、
    前記ハウジングが、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下の位置で、コーティングされたガラスシート基板を堆積チャンバから出す出口を備えたことを特徴とする化学蒸着システム。
  12. 化学蒸着システムであって、
    互いに水平結合部を備えた下側及び上側部分を含み、内包された堆積チャンバを構成するハウジングを有し、下側及び上側ハウジング部分が、下側及び上側ハウジング部分の水平結合部で下側及び上側シールフランジをそれぞれ備え、
    堆積チャンバ内を真空に引く真空ソースと、
    下側及び上側ハウジング部分の水平結合部でその間を密封するために、下側及び上側ハウジング部分の下側及び上側シールフランジの間にのびる内側及び外側シール部材を備えたシールアセンブリとを有し、内側及び外側シール部材が、中間シールスペースを構成するために互いに間隔が隔てられ、該中間シールスペースが堆積チャンバとその周りの環境との間で真空に引かれ、
    前記した側及び上側シールフランジを互いに安全に固定するために油圧シリンダを互いに含むクランプと、
    内側シール部材又は外側シール部材のいずれの漏れも検知するために、シールスペース内の圧力を検知するためのセンサと、
    シールアセンブリが配置された、下側及び上側ハウジング部分の水平接合部の下で、コンベヤ移送の平面でコンベヤ移送の方向に沿ってガラスシート基板をコンベヤ移送するためのロールを供え、堆積チャンバ内に配置されたロールコンベヤとを有し、
    破損したガラスシート基板を捕捉するためにロールコンベヤの下に配置されたスクリーンと、
    ガラスシート基板をコンベヤ移送するロールコンベヤを備えたハウジング内に配置されたオーブンとを有し、該オーブンが、コンベヤ移送されるガラスシート基板を加熱するために側方に間隔が隔てられたバンクでコンベヤ移送の方向に沿って延び、コンベヤ移送の方向に対して側方に基板の温度差を制御する細長いヒータを備え、各細長いヒータが、加熱させるために電気が通る電気抵抗エレメントを含み、各ヒータが、前記電気抵抗エレメントを通す細長い石英管を含み、
    コンベヤ移送されるガラスシート基板上にコーティングの化学蒸着を行うために、ロールコンベヤの上で堆積チャンバ内に配置された化学蒸着分配器と、を有し、
    前記ハウジングが、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下の位置で、コーティングされるガラスシート基板が堆積チャンバ内に導入される入口を備え、
    前記ハウジングが、シールアセンブリが配置された下側及び上側ハウジング部分の水平結合部の下の位置で、コーティングされたガラスシート基板を堆積チャンバから出す出口を備えたことを特徴とする化学蒸着システム。
JP2010001397A 2001-08-16 2010-01-06 化学蒸着システム Expired - Fee Related JP5438521B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/931,470 US6719848B2 (en) 2001-08-16 2001-08-16 Chemical vapor deposition system
US09/931,470 2001-08-16

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003520872A Division JP2004538373A (ja) 2001-08-16 2002-08-07 化学蒸着システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010114458A true JP2010114458A (ja) 2010-05-20
JP5438521B2 JP5438521B2 (ja) 2014-03-12

Family

ID=25460820

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003520872A Pending JP2004538373A (ja) 2001-08-16 2002-08-07 化学蒸着システム
JP2010001397A Expired - Fee Related JP5438521B2 (ja) 2001-08-16 2010-01-06 化学蒸着システム

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003520872A Pending JP2004538373A (ja) 2001-08-16 2002-08-07 化学蒸着システム

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6719848B2 (ja)
EP (2) EP2316986B1 (ja)
JP (2) JP2004538373A (ja)
TW (1) TWI281949B (ja)
WO (1) WO2003016586A1 (ja)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030044539A1 (en) * 2001-02-06 2003-03-06 Oswald Robert S. Process for producing photovoltaic devices
US20060071384A1 (en) * 2004-10-06 2006-04-06 Advanced Display Process Engineering Co. Ltd. Apparatus for manufacturing flat-panel display
US7794667B2 (en) * 2005-10-19 2010-09-14 Moore Epitaxial, Inc. Gas ring and method of processing substrates
EP1997126A2 (en) * 2006-03-13 2008-12-03 Nanogram Corporation Thin silicon or germanium sheets and photovoltaics formed from thin sheets
US9017480B2 (en) 2006-04-06 2015-04-28 First Solar, Inc. System and method for transport
US8603250B2 (en) * 2006-06-27 2013-12-10 First Solar, Inc. System and method for deposition of a material on a substrate
KR20100029126A (ko) * 2007-06-15 2010-03-15 나노그램 코포레이션 무기물 포일의 반응성 유동 증착 및 합성
US20090321397A1 (en) * 2008-04-10 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Laser-scribing platform
TW201006600A (en) * 2008-04-10 2010-02-16 Applied Materials Inc Laser-scribing platform and hybrid writing strategy
TW201000243A (en) * 2008-04-11 2010-01-01 Applied Materials Inc Dynamic scribe alignment for laser scribing, welding or any patterning system
WO2009126910A2 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Applied Materials, Inc. Laser scribe inspection methods and systems
US20090314752A1 (en) * 2008-05-14 2009-12-24 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring for laser ablation
DE102008045369B4 (de) * 2008-09-02 2013-11-21 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Aufnehmen von Glasplatten
CN102217056A (zh) * 2008-11-19 2011-10-12 应用材料股份有限公司 激光-划线工具架构
US20100126580A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Farrell James F CdTe deposition process for solar cells
US20100212358A1 (en) * 2009-02-26 2010-08-26 Applied Materials, Inc. Glass substrate orientation inspection methods and systems for photo voltaics production
US8333843B2 (en) * 2009-04-16 2012-12-18 Applied Materials, Inc. Process to remove metal contamination on a glass substrate
US20100269853A1 (en) * 2009-04-27 2010-10-28 Applied Materials, Inc. Debris-extraction exhaust system
US8418418B2 (en) 2009-04-29 2013-04-16 3Form, Inc. Architectural panels with organic photovoltaic interlayers and methods of forming the same
TW201103681A (en) * 2009-06-12 2011-02-01 Applied Materials Inc Methods and systems for laser-scribed line alignment
US20110132884A1 (en) * 2009-08-06 2011-06-09 Applied Materials, Inc. Laser modules and processes for thin film solar panel laser scribing
US8129658B2 (en) * 2009-08-06 2012-03-06 Applied Materials, Inc. Systems for thin film laser scribing devices
WO2011017570A2 (en) * 2009-08-06 2011-02-10 Applied Materials, Inc. In-line metrology methods and systems for solar cell fabrication
KR20120043072A (ko) * 2009-08-06 2012-05-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 횡방향 등치선 스크라이브, 스티칭, 및 간략화된 레이저 및 스캐너 제어들
WO2011056900A2 (en) * 2009-11-03 2011-05-12 Applied Materials, Inc. Multi-wavelength laser-scribing tool
US8481355B2 (en) * 2009-12-15 2013-07-09 Primestar Solar, Inc. Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8247255B2 (en) 2009-12-15 2012-08-21 PrimeStar, Inc. Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8187555B2 (en) * 2009-12-15 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. System for cadmium telluride (CdTe) reclamation in a vapor deposition conveyor assembly
US20110139073A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Primestar Solar, Inc. Conveyor assembly for a vapor deposition apparatus
US8163089B2 (en) 2009-12-16 2012-04-24 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8430966B2 (en) * 2009-12-16 2013-04-30 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US20110139247A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Primestar Solar, Inc. Graded alloy telluride layer in cadmium telluride thin film photovoltaic devices and methods of manufacturing the same
KR101415552B1 (ko) * 2009-12-21 2014-07-07 주식회사 미코 접지구조물, 이를 구비하는 히터 및 화학기상 증착장치
US8252117B2 (en) * 2010-01-07 2012-08-28 Primestar Solar, Inc. Automatic feed system and related process for introducing source material to a thin film vapor deposition system
US8430963B2 (en) * 2010-01-07 2013-04-30 Primestar Solar, Inc. Cool-down system and method for a vapor deposition system
US8409407B2 (en) 2010-04-22 2013-04-02 Primestar Solar, Inc. Methods for high-rate sputtering of a compound semiconductor on large area substrates
US8361229B2 (en) 2010-04-22 2013-01-29 Primestar Solar, Inc. Seal configuration for a system for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8252619B2 (en) 2010-04-23 2012-08-28 Primestar Solar, Inc. Treatment of thin film layers photovoltaic module manufacture
US8361232B2 (en) 2010-04-29 2013-01-29 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous indirect deposition of a thin film layer on a substrate
TWI477646B (zh) * 2010-08-09 2015-03-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 化學氣相沉積設備
US8187386B2 (en) 2010-12-22 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. Temporally variable deposition rate of CdTe in apparatus and process for continuous deposition
US8771421B2 (en) 2010-12-23 2014-07-08 First Solar, Inc. Entrance and exit roll seal configuration for a vapor deposition system
US8247741B2 (en) 2011-03-24 2012-08-21 Primestar Solar, Inc. Dynamic system for variable heating or cooling of linearly conveyed substrates
US8986785B2 (en) * 2011-06-23 2015-03-24 Surface Activation Technologies Method and apparatus for continuous sulfonization of discrete article
DE102011080202A1 (de) * 2011-08-01 2013-02-07 Gebr. Schmid Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten
US8677932B2 (en) 2011-08-03 2014-03-25 First Solar, Inc. Apparatus for metering granular source material in a thin film vapor deposition apparatus
US8673777B2 (en) 2011-09-30 2014-03-18 First Solar, Inc. In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer
JP5779804B2 (ja) * 2011-10-12 2015-09-16 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8722136B2 (en) 2011-10-21 2014-05-13 First Solar, Inc. Heat strengthening of a glass superstrate for thin film photovoltaic devices
US9692039B2 (en) 2012-07-24 2017-06-27 Quantumscape Corporation Nanostructured materials for electrochemical conversion reactions
DE202012103945U1 (de) 2012-10-16 2012-10-25 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Dichtung für Substratbehandlungskammer
US20140110225A1 (en) * 2012-10-24 2014-04-24 Primestar Solar, Inc. Conveyor assembly with geared, removable rollers for a vapor deposition system
US10158115B2 (en) 2013-06-06 2018-12-18 Quantumscape Corporation Flash evaporation of solid state battery component
US9093599B2 (en) 2013-07-26 2015-07-28 First Solar, Inc. Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate
TWI495748B (zh) * 2013-11-28 2015-08-11 Metal Ind Res & Dev Ct 鍍膜設備
KR102384822B1 (ko) 2014-02-25 2022-04-08 퀀텀스케이프 배터리, 인코포레이티드 삽입 및 변환 물질 양자 모두를 갖는 하이브리드 전극
WO2016025866A1 (en) 2014-08-15 2016-02-18 Quantumscape Corporation Doped conversion materials for secondary battery cathodes

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58196063A (ja) * 1982-05-10 1983-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光起電力素子の製造方法
JPH0291340U (ja) * 1988-12-29 1990-07-19
JPH0344470A (ja) * 1989-07-12 1991-02-26 Toshiba Corp 半導体基板の薄膜形成装置
JPH04269822A (ja) * 1991-02-26 1992-09-25 Tokyo Electron Sagami Ltd 熱処理装置の封止構造
JPH09263939A (ja) * 1996-03-26 1997-10-07 Sharp Corp 加熱装置
WO2000040771A1 (en) * 1998-12-30 2000-07-13 Tokyo Electron Limited Large area plasma source
JP2001205527A (ja) * 2000-01-28 2001-07-31 Toshiba Mach Co Ltd 工作機械および工作機械のテーブルをクランプする方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2391970A (en) * 1943-12-07 1946-01-01 Nat Lock Washer Co Continuous furnace
US3223498A (en) * 1962-02-27 1965-12-14 Pittsburgh Plate Glass Co Heat treatment of conveyed glass and apparatus therefor
US3541293A (en) * 1968-10-29 1970-11-17 Ronald Macdonald Muffle furnace
DE1913676A1 (de) * 1969-03-18 1970-09-24 Siemens Ag Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas
BE792701A (ja) * 1971-12-14 1973-03-30 Arbed
US4040372A (en) * 1975-09-19 1977-08-09 Flanders Robert D Method for detachably sealing together the sections of a barrel container assembly
JPS58158914A (ja) * 1982-03-16 1983-09-21 Semiconductor Res Found 半導体製造装置
JPS60200468A (ja) * 1984-03-23 1985-10-09 Hitachi Ltd 燃料電池
FI71117C (fi) * 1984-05-24 1986-11-24 Kyro Oy Anordning foer utjaemning av temperaturen av transportvalsarnai en glashaerdningsugn
JPS62170481A (ja) * 1986-01-24 1987-07-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 管状電気炉
US4920917A (en) * 1987-03-18 1990-05-01 Teijin Limited Reactor for depositing a layer on a moving substrate
US4983202A (en) * 1990-02-27 1991-01-08 Libbey-Owens-Ford Co. Glass sheet heating furnace and method of using
JP2994797B2 (ja) * 1991-06-27 1999-12-27 三洋電機株式会社 透明電極層の形成方法とその製造装置
US5223001A (en) * 1991-11-21 1993-06-29 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Vacuum processing apparatus
US5248349A (en) 1992-05-12 1993-09-28 Solar Cells, Inc. Process for making photovoltaic devices and resultant product
JPH06244269A (ja) * 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
JPH06151365A (ja) * 1992-11-13 1994-05-31 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
EP0609104B1 (en) * 1993-01-29 1998-05-20 Canon Kabushiki Kaisha Process for the formation of functional deposited films
US5413671A (en) * 1993-08-09 1995-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for removing deposits from an APCVD system
DE4408947C2 (de) * 1994-03-16 1997-03-13 Balzers Hochvakuum Vakuumbehandlungsanlage
US6025013A (en) * 1994-03-29 2000-02-15 Schott Glaswerke PICVD process and device for the coating of curved substrates
US5614249A (en) * 1995-08-28 1997-03-25 Lsi Logic Corporation Leak detection system for a gas manifold of a chemical vapor deposition apparatus
JPH09324272A (ja) 1996-03-31 1997-12-16 Furontetsuku:Kk シール装置
JP3640478B2 (ja) * 1996-09-20 2005-04-20 アネルバ株式会社 プラズマ処理装置
US5772715A (en) 1997-01-17 1998-06-30 Solar Cells, Inc. System and method for processing sheet glass
AU5178898A (en) 1997-01-17 1998-08-07 Solar Cells, Inc. Processing system and method for processing discrete sheets
US5938851A (en) * 1997-04-14 1999-08-17 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Exhaust vent assembly for chemical vapor deposition systems
US6207591B1 (en) * 1997-11-14 2001-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and equipment for manufacturing semiconductor device
US6037241A (en) 1998-02-19 2000-03-14 First Solar, Llc Apparatus and method for depositing a semiconductor material
US5945163A (en) 1998-02-19 1999-08-31 First Solar, Llc Apparatus and method for depositing a material on a substrate
WO2000001628A1 (en) * 1998-07-01 2000-01-13 Intevac, Inc. Heating assembly for rapid thermal processing system

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58196063A (ja) * 1982-05-10 1983-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光起電力素子の製造方法
JPH0291340U (ja) * 1988-12-29 1990-07-19
JPH0344470A (ja) * 1989-07-12 1991-02-26 Toshiba Corp 半導体基板の薄膜形成装置
JPH04269822A (ja) * 1991-02-26 1992-09-25 Tokyo Electron Sagami Ltd 熱処理装置の封止構造
JPH09263939A (ja) * 1996-03-26 1997-10-07 Sharp Corp 加熱装置
WO2000040771A1 (en) * 1998-12-30 2000-07-13 Tokyo Electron Limited Large area plasma source
JP2001205527A (ja) * 2000-01-28 2001-07-31 Toshiba Mach Co Ltd 工作機械および工作機械のテーブルをクランプする方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004538373A (ja) 2004-12-24
JP5438521B2 (ja) 2014-03-12
US20030033982A1 (en) 2003-02-20
US6719848B2 (en) 2004-04-13
EP2316986A1 (en) 2011-05-04
EP1440179A4 (en) 2008-07-23
TWI281949B (en) 2007-06-01
WO2003016586A1 (en) 2003-02-27
EP1440179A1 (en) 2004-07-28
EP2316986B1 (en) 2012-10-03
EP1440179B1 (en) 2012-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5438521B2 (ja) 化学蒸着システム
US10570516B2 (en) System and method for transport
KR100255429B1 (ko) 박막 성장 장치
EP0675524B1 (en) Deposition process
JP6360882B2 (ja) フレキシブル基板のための堆積プラットフォーム及びその操作方法
KR101579501B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 온도 검출 방법
KR102228608B1 (ko) 조정가능한 분리 벽에 의한 가스 분리
US7429717B2 (en) Multizone heater for furnace
KR102219696B1 (ko) 공통 증착 플랫폼, 프로세싱 스테이션, 및 그 동작 방법
KR20180078271A (ko) 기판을 진공 프로세싱 모듈 내로 로딩하기 위한 장치 및 방법, 진공 프로세싱 모듈 내에서의 진공 증착 프로세스를 위한 기판의 처리를 위한 장치 및 방법, 및 기판의 진공 프로세싱을 위한 시스템
KR20110068919A (ko) 증착 시스템에 있어서의 기판 검출을 위한 액티브 뷰포트 검출 조립체
WO2014046810A1 (en) Systems and methods for press curing photovoltaic cell module preassemblies
CN100593228C (zh) 真空处理装置以及真空处理方法
JPH0261067A (ja) 熱処理装置
KR102053471B1 (ko) 기판 가열 장치
KR102534165B1 (ko) 열 처리하기 위한 장치, 기판 프로세싱 시스템, 및 기판을 프로세싱하기 위한 방법
JP3430653B2 (ja) ローラハース形熱処理炉
JP2010135505A (ja) 真空装置
CN221051986U (zh) 一种反应源输送保温结构及镀膜设备
JPH0397222A (ja) 枚葉式cvd装置
JPH05299366A (ja) 熱処理装置
JPH0778778A (ja) 熱処理装置
JPH02272724A (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121113

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130212

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130509

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131029

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131119

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5438521

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees