JP3640478B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置に関し、特に、半導体デバイスの製造工程においてプラズマを利用して絶縁膜等を基板上に作製するプラズマ処理装置に関する。さらに、このプラズマ処理装置の基本構成はエッチングや膜改質にも応用される。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイス製造工程ではプラズマアシストにより絶縁膜を作製するプラズマ成膜装置が用いられている。当該成膜装置としては平行平板型のプラズマ装置が多く用いられる。このような装置を用いて0.25μm以下の設計ルールを用いる超LSIの埋込み絶縁膜を形成するには高密度プラズマが必要となる。
【0003】
絶縁膜を作製する高密度プラズマ成膜装置の従来例では、例えば特開平8−92748号公報や特開平8−213196号公報に示されるものがある。いずれの文献でも、コイルを利用した誘導結合型プラズマ発生機構が示されている。誘導結合型プラズマ発生機構を利用した高密度プラズマ成膜装置では、反応容器の外部に配置されたコイルから内部のプラズマ生成空間に誘導電界を与えるため、反応容器の少なくとも側壁部は石英ガラスなどの誘電体材料を用いて形成されることが必要であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高密度プラズマ成膜装置は、前述の通り、反応容器の側壁部の材料として誘電体を使用しているので、次の2つの問題が提起される。第1の問題は、プラズマクリーニングを繰り返し行うため、反応容器の側壁部が劣化することである。第2の問題は、安全性の観点から反応容器の上部にシャワー型反応ガス導入部を設けることが難しいことである。前述の公開公報でもノズル型の反応ガス導入部が利用されていた。
【0005】
上記の問題は、処理される基板の径が大きくなるに伴って反応容器を大きくしなければならないとき、いっそう顕著になる。
【0006】
本発明の目的は、上記の問題を解決することにあり、誘導結合型プラズマ発生機構を備える高密度プラズマ処理装置で、反応容器の側壁部の劣化を防止し、反応容器の安全性を高め、反応容器の上部からシャワー状に反応ガスを導入できるようにしたプラズマ処理装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段および作用】
第1の本発明(請求項1に対応)に係るプラズマ処理装置は、上記の目的を達成するため、反応容器の内部に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応容器の内部を排気する排気機構と、プラズマ生成機構を備えて、プラズマ生成機構で生成されたプラズマで基板を処理する処理装置であり、反応容器は金属材料で形成され、プラズマ生成機構は誘導電界を発生する少なくとも一巻きのコイルを含み、このコイルは、プラズマ生成空間の周囲に配置され、誘電体で囲まれた状態で前記反応容器の内部に設けられ、コイルを囲む誘電体は、プラズマ生成空間を囲むように反応容器の側壁部に対して間隔をあけて配置される筒形誘電体壁と、反応容器の側壁部と筒形誘電体壁の間に配置され、かつコイルを支持する誘電体支持部とから構成されている。
【0008】
上記の構成では、プラズマを発生させるための空間に誘導電界を作るコイルを反応容器の内部に配置できる構成を実現したので、反応容器の材料に金属を使用することができ、反応容器の強度を高め、かつ劣化に対する耐久性を高めることが可能となった。それ故、反応容器の安全性が向上した。また反応容器内に配置されるコイルは誘電体で覆われて、プラズマから保護される。
【0010】
第2の本発明(請求項2に対応)に係るプラズマ処理装置は、上記第1の発明において、好ましくは、反応容器の上壁部は側壁部と回転支持部で開閉自在に結合されると共に、側壁部の端部にOリングが設けられ、上壁部を閉じたとき上壁部と側壁部の端部はOリングを介して気密に接触することを特徴とする。反応容器の側壁部に対してその上壁部を開閉自在にすることによって、例えば筒形誘電体壁の交換を行うときなどのメンテナンスを容易に行うことができる。
【0011】
第3の本発明(請求項3に対応)に係るプラズマ処理装置は、上記第2の発明において、好ましくは、上壁部がシャワー型反応ガス導入部を備え、反応ガス供給機構から供給された反応ガスは、シャワー型反応ガス導入部を通ってプラズマ生成空間に導入されることを特徴とする。
【0012】
第4の本発明(請求項4に対応)に係るプラズマ処理装置は、上記の各発明において、好ましくは、少なくともコイルと筒形誘電体壁と誘電体支持部の各々の間に形成される隙間部分に不活性ガスを流すガス導入部を設け、このガス導入部は、反応容器の上壁部でコイルを囲む誘電体の配置領域に不活性ガスを導入するガス導入部に形成され、不活性ガスを隙間部分に流してOリングを腐食から保護しかつ当該隙間部分での成膜を阻止したことを特徴とする。
【0013】
第5の本発明(請求項5に対応)に係るプラズマ処理装置は、上記第1の発明において、好ましくは、コイルに高周波電力を供給する第1機構を有することを特徴とする。
さらに第6の本発明(請求項6に対応)に係るプラズマ処理装置は、上記第1の発明において、好ましくは、不活性ガスを導入するガス導入部は反応容器の上壁部でコイルを囲む誘電体の配置領域に形成されることを特徴とする。
【0014】
前述した第1から第6の本発明に係るプラズマ処理装置の特徴的構成は、絶縁膜の成膜に適用され、さらにエッチングや膜改質などのプラズマ処理を行う装置に適用することが可能である。この場合にも、誘導結合型プラズマ発生機構を備える高密度プラズマ処理装置において、反応容器を金属材料で作ることができ、それ故に反応容器の側壁部の劣化を防止し、反応容器の安全性を増加できる。また反応容器の上部にシャワー型反応ガス導入部を設けることができる。エッチングや膜改質などのプラズマ処理装置では、絶縁膜のみに限らず、金属膜にも用いることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【0016】
図1は、本発明の特徴的な構造を含む絶縁膜用プラズマ成膜装置の概略構成を示す縦断面図である。本実施形態では絶縁膜用プラズマ成膜装置に関して説明するが、基本的構成は、エッチング用あるいは膜改質用のプラズマ処理装置であっても同じである。
【0017】
図1において、プラズマ成膜装置は反応容器11を備える。反応容器11は円筒形の側壁部11aと底壁部11bを有する。底壁部11bの中央部が基板サセプタ12となり、その上に基板13が載置される。反応容器11は金属材料で作られている。反応容器11の上壁部11cは開閉自在な構造を有する。上壁部11cのほぼ中心部にはシャワー型の反応ガス導入部14が設けられる。また反応容器11の内部には円筒形をした絶縁体(好ましくは誘電体)の筒部15が配置される。反応容器11の側壁部11aと絶縁体筒部15は、反応容器11の内部にて二重構造を形成し、絶縁体筒部15を境に内側領域と外側領域が形成される。当該内側領域では反応ガスが導入され、かつプラズマを生成するための誘導電界が生成される。内側領域は、プラズマが生成される空間である。また上記外側領域、すなわち絶縁体筒部15の周囲には、上記誘導電界を作るための少なくとも一巻きのコイル16が配置される。上記絶縁体筒部15はコイル16による誘導電界を上記内側領域に与える働きを有する。コイル16は、上記外側領域に配置されたコイル支持部17によって支持される。コイル支持部17は絶縁体(好ましくは誘電体)によって形成され、全体として環状であって、内側面にコイル16を配置するための環状溝を有している。かかる構成によってコイル16は、コイル支持部17と絶縁体筒部15によって囲まれた状態で配置される。コイル16は反応容器11の内部に配置される。
【0018】
誘導電界を生成するための上記コイル16は高周波電力供給機構18に接続されている。高周波電力供給機構18はプラズマ生成用の電力を供給する電力供給源である。この高周波電力供給機構18には、印加電圧を設定するための可変の直流電源19,21が接続される。直流電源19,21によって出力電圧を調整できる。反応容器11の上壁部11cは金属材料で形成され、かつ当該上壁部11cは接地されている。この結果、反応容器11は接地電位に保持される。また基板サセプタ12には、基板13にバイアス電圧を印加するための高周波電力供給機構22が接続される。反応ガスはシャワー型反応ガス導入部14から反応容器11の上記内側領域に導入される。また内側領域に導入された反応ガスは排気口23から排気機構24によって排気される。排気機構24はドライポンプとターボポンプの組合せによって構成される。
【0019】
反応容器11の上壁部11cは開閉自在な構造を有する。上壁部11cの一箇所は回転自在な構造を有する支持部25で、反応容器11の側壁部11aに結合される。上壁部11cは支持部25を中心に開閉自在である。上壁部11cの他端には取手11dが設けられ、ここを把持することによって人力で開閉される。また反応容器11の側壁部11aの上端にはOリング26が配置される。Oリング26によって、上壁部11cを閉じたとき、上壁部11cと側壁部11aの間は気密に保持される。
【0020】
また上記シャワー型反応ガス導入部14は、反応ガス供給機構(図示せず)のパイプ14aによって供給された反応ガスを多数の細孔14bからプラズマ生成空間に吹き出す構造を有する。
【0021】
図1に示した構成では、コイル16を絶縁体筒部15とコイル支持部17からなる誘電性を有する部材で囲みながら反応容器11の内部に配置するようにしたため、反応容器11そのものを誘電体でなく金属材料で作ることができ、その強度を高め、劣化を防ぎ、安全性を向上した。また反応容器11のメンテナンスを容易にする目的で上壁部11cを開閉自在な構造とした。これにより、絶縁体筒部15やコイル支持部17等の交換を容易に行える。またOリング26を配置することによりシール構造を設け、反応容器11のシール性を高めることができる。またOリング26が、プラズマ生成空間で作られたプラズマから飛来する活性分子種によって腐食するのを防止するため、上壁部11cに不活性ガス導入口27を形成し、この不活性ガス導入口27からアルゴン等の不活性ガスを導入している。不活性ガスは、活性分子種がOリング26に付着するのを阻止する流れを形成する。また不活性ガスの流れは、上壁部11c、誘導電界発生用コイル16、コイル支持部17、絶縁体筒部15の各々の間に形成されるわずかな隙間に生じる。不活性ガスの流れは、さらに、これらの隙間に薄膜が堆積するのを阻止し、その結果ダストパーティクルの発生を抑制できるという利点を有する。
【0022】
誘導電界を発生させるためのコイル16の形状としては、目的に応じたプラズマを生成するため、円筒型の一巻き(または単巻き)コイル、円盤型の一巻きコイル、複数巻きの各種コイルを用いることができる。
【0023】
次に、上記絶縁膜用プラズマ成膜装置をシリコン酸化膜の形成に利用した具体的な実施例を説明する。この実施例では、基板13として直径200mmのSi基板を使用し、この基板にシリコン酸化膜を堆積する。基板サセプタ12として直径200mmの静電界型チャックサセプタを使用し、誘導電界発生用コイル16として直径280mmの円筒型一巻きコイルを用いた。円筒型一巻きコイルには、プラズマ生成用高周波電力供給機構18から13.56MHz、2.5kWの電力が供給される。また基板サセプタ12には、基板バイアス印加高周波電力供給機構22から13.56MHz、2.0kWの電力が供給される。シャワー型反応ガス導入部14からは、SiH4 ガスを100sccm、Arガスを500sccmの流量で導入した。
【0024】
上記の条件下で、配線間幅0.2μmのメタル配線が形成された径200mmのSi基板にシリコン酸化膜の成長を行った。その結果、±2%の高い膜厚均一性で埋め込み成長を実現できることを確認した。また10万枚の連続成長を行った。その結果、本実施形態によるプラズマ成膜装置では、反応容器11が金属材料で作られているため劣化することがないこと、およびメンテナンスとしては5000枚毎に絶縁体筒部15を交換するのみで、再現性の良い埋込み成膜が高い生産性をもって実現されることも確認した。
【0025】
前記の説明では、シリコン酸化膜などの絶縁膜の埋込み成膜例を述べたが、本発明の特徴的構成は、他の絶縁膜CVDや、エッチングや膜改質などのプラズマ処理の装置にも適用できるのは勿論である。この場合には、絶縁膜に限らず、金属膜にも利用できる。
【0026】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、次の効果を奏する。
【0027】
本発明に係るプラズマ処理装置によれば、プラズマ生成空間に誘導電界を生成するためのコイルを誘電体部材(絶縁体)で覆って保護しながら反応容器の内部に配置するようにしたため、反応容器そのものを金属材料で作ることができ、反応容器の劣化を防止し、反応容器の強度を高め、かつ反応容器の安全性を高めることができる。これにより再現性の良い絶縁膜の埋込み成膜を実現できる。また反応容器の大型化を可能にする。さらに、反応容器の安全性が高められたため、反応容器の反応ガス導入部としてシャワー型反応ガス導入部を採用できる。また反応容器の上壁部を開閉構造としたため、反応容器のメンテナンスが簡単である。
【0028】
なおエッチングや膜改質などのプラズマ処理装置に適用すれば、絶縁膜に限らず金属膜にも応用でき、成膜に関する効果を除き、前述した同じ効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る絶縁膜用プラズマ成膜装置の要部の縦断面図である。
【符号の説明】
11 反応容器
11a 側壁部
11c 上壁部
12 基板サセプタ
13 基板
14 シャワー型反応ガス導入部
15 絶縁体筒部
16 コイル
17 コイル支持部
18,22 高周波電力供給機構
25 支持部
26 Oリング
27 不活性ガス導入口
Claims (6)
- 反応容器の内部に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、前記反応容器の内部を排気する排気機構と、プラズマ生成機構を備え、前記プラズマ生成機構で生成されたプラズマで基板を処理するプラズマ処理装置において、
前記反応容器は金属材料で形成され、
前記プラズマ生成機構は誘導電界を発生する少なくとも一巻きのコイルを含み、このコイルは、プラズマ生成空間の周囲に配置され、誘電体で囲まれた状態で前記反応容器の内部に設けられ、
前記コイルを囲む前記誘電体は、前記プラズマ生成空間を囲むように前記反応容器の側壁部に対して間隔をあけて配置される筒形誘電体壁と、前記反応容器の前記側壁部と前記筒形誘電体壁の間に配置され、かつ前記コイルを支持する誘電体支持部とからなる、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記反応容器の上壁部は前記側壁部と回転支持部で開閉自在に結合されると共に、前記側壁部の端部にOリングが設けられ、前記上壁部を閉じたとき前記上壁部と前記側壁部の前記端部は前記Oリングを介して気密に接触することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記上壁部はシャワー型反応ガス導入部を備え、前記反応ガス供給機構から供給された前記反応ガスは、前記シャワー型反応ガス導入部を通って前記プラズマ生成空間に導入されることを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。
- 少なくとも前記コイルと前記筒形誘電体壁と前記誘電体支持部の各々の間に形成される隙間部分に不活性ガスを流すガス導入部を設け、このガス導入部は、前記反応容器の前記上壁部で前記コイルを囲む前記誘電体の配置領域に形成され、前記不活性ガスを前記隙間部分に流し当該隙間部分での成膜を阻止したことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルに高周波電力を供給する第1機構を有することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記不活性ガスを導入する前記ガス導入部は前記反応容器の前記上壁部で前記コイルを囲む前記誘電体の配置領域に形成されることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
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Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3141827B2 (ja) * | 1997-11-20 | 2001-03-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3379506B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2003-02-24 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
JP4871442B2 (ja) * | 2000-09-12 | 2012-02-08 | 株式会社アルバック | 緻密な硬質薄膜の形成装置及び硬質薄膜の形成方法 |
WO2002097937A1 (en) | 2001-03-23 | 2002-12-05 | Tokyo Electron Limited | Inductively coupled high-density plasma source |
JP4677123B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2011-04-27 | 株式会社アルバック | 高密度へリコンプラズマを利用した緻密な硬質薄膜の形成装置及び形成方法 |
US6719848B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-04-13 | First Solar, Llc | Chemical vapor deposition system |
DE10147998A1 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Unaxis Balzers Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas |
US7780791B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-08-24 | Lam Research Corporation | Apparatus for an optimized plasma chamber top piece |
US8540843B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma chamber top piece assembly |
KR100721572B1 (ko) | 2005-01-20 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유도결합형 플라즈마 처리장치 |
KR101089877B1 (ko) * | 2008-04-15 | 2011-12-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 용기 및 플라즈마 처리 장치 |
JP2010272551A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US10115565B2 (en) * | 2012-03-02 | 2018-10-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2550037B2 (ja) * | 1986-12-01 | 1996-10-30 | 株式会社日立製作所 | ドライエッチング方法 |
US5268200A (en) * | 1990-05-21 | 1993-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method of forming plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion |
US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
JPH07263188A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
US5514246A (en) * | 1994-06-02 | 1996-05-07 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor |
TW283250B (en) * | 1995-07-10 | 1996-08-11 | Watkins Johnson Co | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
KR100290813B1 (ko) * | 1995-08-17 | 2001-06-01 | 히가시 데쓰로 | 플라스마 처리장치 |
US5763851A (en) * | 1995-11-27 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Slotted RF coil shield for plasma deposition system |
US5683548A (en) * | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Inductively coupled plasma reactor and process |
US5800621A (en) * | 1997-02-10 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Plasma source for HDP-CVD chamber |
-
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