TWI477646B - 化學氣相沉積設備 - Google Patents

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Description

化學氣相沉積設備
本發明涉及一種化學氣相沉積設備，尤其涉及一種用於光學膜片壓印滾輪表面鍍膜的化學氣相沉積設備。
光學膜片的加工過程中，壓印滾輪用於壓制成型光學膜片表面的微結構。壓印滾輪基本由較硬的材質，如不銹鋼或鐵製成。為了獲得光學膜片表面的滿足光學特性要求的微結構，一般根據所需的微結構對壓印滾輪外圓周面進行精密加工。而為了便於精密加工，又通常採用液相鍍膜諸如電鍍的方式，先於壓印滾輪的外圓周面鍍上一層較軟材質如銅的膜層，然後對銅質膜層進行精密加工獲得所需的微結構。
這種由較軟材質如銅加工獲得微結構的壓印滾輪在使用過程中，易受掉落於其表面的微粒的影響，而造成微結構表面受損形成如刮痕之類的缺陷，最終影響壓制成型的光學膜片表面微結構的光學特性。為此，需要在由較軟材質如銅加工獲得的微結構的表面再鍍一層耐磨損的膜層，以避免微結構的表面受掉落於其上的微粒的影響。惟，再次採用電鍍類的液相鍍膜方式進行鍍制耐磨損膜層時，壓印滾輪中已具有的微結構將不利於控制耐磨損膜層的厚度，由此，易造成耐磨損膜層均勻度不一致，影響最終所需的微結構。此外，對於較大型的壓印滾輪來說，由於其鍍膜表面較大，採用液相鍍膜方式較難於控制鍍膜膜層的整體均勻性。
有鑒於此，有必要提供一種易於實現的、可有效解決現有技術中存在的問題的化學氣相沉積設備。
一種化學氣相沉積設備包括一個腔體，一個氣體導入裝置，一個抽氣裝置，一個加熱裝置，及一個驅動裝置。所述腔體具有相對的第一側與第二側，及一個位於所述第一側與所述第二側之間用於放置待鍍膜滾輪的鍍膜區。所述氣體導入裝置設置於所述腔體內部且位於所述腔體的第一側的上方，所述氣體導入裝置具有一個噴頭，所述噴頭朝向所述鍍膜區以向所述鍍膜區噴反應氣體。所述抽氣裝置設置於所述腔體的第二側的下方，所述抽氣裝置用於抽取所述腔體內的氣體使所述腔體內形成從所述腔體的第一側流向第二側且經過所述鍍膜區的氣流。所述加熱裝置位於所述鍍膜區的下方且設置於所述腔體對應鍍膜區的腔壁上。所述驅動裝置連接放置於所述鍍膜區的待鍍膜滾輪以驅動所述待鍍膜滾輪繞其轉動軸轉動。
相對於先前技術，本發明提供的化學氣相沉積設備具有如下優點：其一，所述化學氣相沉積設備適用於對較大型的壓印滾輪進行鍍膜，通過控制反應氣體的噴出角度，所述化學氣相沉積設備可以有效地控制鍍膜範圍，滿足大型壓印滾輪較大表面的鍍膜需求。其二，採用所述化學氣相沉積設備對表面已有微結構的壓印滾輪進行鍍膜時，較不易受壓印滾輪表面的微結構的影響，配合控制壓印滾輪的轉動，可以使壓印滾輪的表面獲得整體均勻性較佳的膜層。其三，所述化學氣相沉積設備結構較簡單，易於操作實現壓印滾輪表面的膜層鍍制。
下面將結合附圖及實施例對本技術方案作進一步詳細說明。
請一併參閱圖1與圖2，本發明一實施例提供一種化學氣相沉積設備100，其包括一個腔體10，一個氣體導入裝置20，一個抽氣裝置30，一個加熱裝置40，一個驅動裝置50，及一個等離子產生裝置60。
所述氣體導入裝置20將反應沉積形成膜層的反應氣體噴向設置於所述腔體10內的待鍍膜滾輪70，以在所述待鍍膜滾輪70的表面沉積形成所需膜層。所述抽氣裝置30將抽取所述腔體10內的氣體，並使所述腔體10內形成平穩的氣流，便於所述待鍍膜滾輪70的表面形成較均勻的膜層。所述加熱裝置40用於加熱所述腔體10內的鍍膜區13，使放置於所述鍍膜區13內的待鍍膜滾輪70的表面具有一定的溫度，並提供反應氣體適當的反應溫度，以便於反應氣體經過化學反應後在所述待鍍膜滾輪70的表面沉積形成所需的膜層。所述驅動裝置50用於驅動所述待鍍膜滾輪70實現轉動，以便於在所述待鍍膜滾輪70的表面沉積形成均勻的膜層。所述等離子產生裝置60用於在所述腔體10內產生等離子體，以集中反應氣體中的反應離子於所述待鍍膜滾輪70的表面區域，加快反應氣體的化學反應速度，實現加快鍍膜的速率。
所述腔體10為密封腔體，通過與其相聯接的真空泵(圖未示)可以使所述腔體10的內部形成鍍膜所需的真空環境，以便於反應氣體化學反應形成沉積於所述待鍍膜滾輪70的表面的膜層。所述腔體10具有相對的第一側11與第二側12，及一個位於所述第一側11與所述第二側12之間用於放置待鍍膜滾輪70的鍍膜區13。本實施例中，所述腔體10對應鍍膜區13的底部為圓弧狀結構，其對應於所述待鍍膜滾輪70的圓弧狀結構，由此，便於放置所述待鍍膜滾輪70及設置後述的加熱裝置40。
進一步地，所述化學氣相沉積設備100包括兩個軸承15，所述兩個軸承15用於支撐所述待鍍膜滾輪70的轉動軸71。本實施例中，所述兩個軸承15相對且同軸地設置於所述腔體10內對應鍍膜區13的腔壁上，且所述兩個軸承15的軸線垂直於所述腔體10的第一側11的中心與第二側12的中心的連線。由此，通過所述待鍍膜滾輪70的轉動軸71與所述兩個軸承15的配合，即可以將所述待鍍膜滾輪70放置於所述腔體10的鍍膜區13內，且可以使所述待鍍膜滾輪70繞其轉動軸71轉動。
可以理解的係，所述兩個軸承15可以為滾動軸承或滑動軸承，具體可以根據使用過程中所述兩個軸承15的使用狀況，如受力狀態等進行確定。當然，對於具有軸孔的待鍍膜滾輪70來說，也可以在所述兩個軸承15的位置上設置與待鍍膜滾輪70的軸孔相配合的旋轉軸。只要能實現將所述待鍍膜滾輪70放置於所述鍍膜區13內且能使所述待鍍膜滾輪70實現轉動即可。
所述氣體導入裝置20設置於所述腔體10內部且位於所述腔體10的第一側11的上方，所述氣體導入裝置20具有一個噴頭21，所述噴頭21朝向所述鍍膜區13以向所述鍍膜區13噴反應氣體。所述氣體導入裝置20與氣體源(圖未示)相連接，氣體源將反應氣體輸送至所述氣體導入裝置20，並經由所述噴頭21噴至所述鍍膜區13。本實施例中，所述氣體導入裝置20設置於所述腔體10的第一側11的上方且靠近中央的位置。
所述反應氣體包括可形成氮化矽(Si3N4)的矽烷(SiH4)與氮氣(N2)，或可形成氮化鋁(AlN)的氯化鋁(AlCl3)與氨氣(NH3)，或可形成氮化鈦(TiN)的氯化鈦(TiCl4)與氮氣(N2)及氫氣(H2)，當然，為獲得不同材料的膜層，可以相應地配置不同的反應氣體。
可以理解的係，所述反應氣體中不同的氣體可以預先於所述氣體導入裝置20內均勻混合，然後經由所述噴頭21噴至所述鍍膜區13，也可以不預先混合，而分別經由所述噴頭21噴至所述鍍膜區13，具體操作可依據不同的反應及實際鍍膜的需要進行控制。
優選地，所述噴頭21具有多個噴氣口(圖未標示)，由此，既有利於預先混合均勻的反應氣體可以更均勻地被噴至所述鍍膜區13，又有利於將未經預先混合的反應氣體分別從不同的噴氣口被噴至所述鍍膜區13。
優選地，所述噴頭21可以沿所述待鍍膜滾輪70的軸向改變噴出角度，由此，可以將反應氣體充分地噴至所述待鍍膜滾輪70的表面的不同區域，便於在所述待鍍膜滾輪70的表面形成均勻的膜層。
所述抽氣裝置30設置於所述腔體10的第二側12的下方，所述抽氣裝置30用於抽取所述腔體10內的氣體，以使所述腔體10內形成從所述腔體10的第一側11流向第二側12且經過所述鍍膜區13的氣流。由此，既有助於使噴至所述鍍膜區13的反應氣體擴大覆蓋所述鍍膜區13的範圍，又有利於將沒有反應而多餘的氣體排出所述腔體10。本實施例中，所述抽氣裝置30設置於所述腔體10的第二側12的下方且靠近中央的位置。
進一步地，所述化學氣相沉積設備100包括一個設置於所述腔體10的第二側12的抽氣管17，所述抽氣裝置30包括一個抽氣閥31及一個抽氣泵33。所述抽氣管17連通所述腔體10的內部與外部，所述抽氣閥31設置於所述抽氣管17內，所述抽氣泵33設置於所述抽氣管17內且位於所述抽氣閥31朝向所述腔體10的外部的一側。由此，通過所述抽氣閥31與所述抽氣泵33，即可以控制所述抽氣裝置30抽取所述腔體10內的氣體或者關閉所述腔體10以保持所述腔體10的封閉性。
所述加熱裝置40位於所述鍍膜區13的下方且設置於所述腔體10對應鍍膜區13的腔壁上。由此，所述加熱裝置40可以對所述鍍膜區13進行加熱，使放置於所述鍍膜區13內的待鍍膜滾輪70的表面具有一定的溫度，並可提供反應氣體適當的反應溫度，以便於反應氣體經過化學反應後在所述待鍍膜滾輪70的表面沉積形成所需的膜層。本實施例中，所述加熱裝置40設置於所述腔體10的外部且位於所述鍍膜區13的下方。所述加熱裝置40包括多個電阻式加熱線圈41，所述多個電阻式加熱線圈41根據所述腔體10對應鍍膜區13的圓弧狀底部，圍繞所述腔體10對應鍍膜區13的底部均勻地設置，由此，所述電阻式加熱線圈41可以對所述鍍膜區13進行均勻地加熱，使待鍍膜滾輪70靠近所述加熱裝置40的表面具有較為均衡的溫度。
所述驅動裝置50連接放置於所述鍍膜區13內的待鍍膜滾輪70，以驅動所述待鍍膜滾輪70繞其轉動軸71從所述腔體10的第一側11向第二側12轉動。由此，可以自動控制所述待鍍膜滾輪70根據鍍膜的需要進行轉動，確保在所述待鍍膜滾輪70的表面形成均勻的膜層。本實施例中，所述驅動裝置50設置於所述腔體10的內部且靠近所述抽氣裝置30，由此，可以減少所述驅動裝置50運轉時對所述腔體10內的氣流的影響。當然，所述驅動裝置50也可以根據使用需要設置在所述腔體10的外部。所述驅動裝置50包括一個電動馬達51及一個皮帶53，所述電動馬達51與所述待鍍膜滾輪70的轉動軸71通過所述皮帶53相連接。
可以理解的係，所述電動馬達51與所述待鍍膜滾輪70的轉動軸71也可以通過齒輪機構或鏈條實現連接。
所述等離子產生裝置60設置於所述腔體10內部且位於所述鍍膜區13的上方，所述等離子產生裝置60朝向所述鍍膜區13。所述等離子產生裝置60產生的等離子體分佈於所述鍍膜區13，由此，可以集中反應氣體中的反應離子於所述待鍍膜滾輪70的表面區域，加快反應氣體的化學反應速度，即，通過所述等離子產生裝置60產生可集中反應離子的等離子體，可以加快鍍膜的速率。進一步地，通過控制所述等離子產生裝置60產生的等離子體的濃度，即可實現對鍍膜速率的控制。
本實施例中，所述等離子產生裝置60為平板結構，其與放置於所述鍍膜區13的待鍍膜滾輪70的轉動軸71相平行，且所述等離子產生裝置60沿所述待鍍膜滾輪70的軸向的長度大於所述待鍍膜滾輪70的軸向長度。由此，所述等離子產生裝置60產生的等離子體可以充分地沿所述待鍍膜滾輪70的軸向覆蓋所述待鍍膜滾輪70的表面，便於實現對所述待鍍膜滾輪70的表面不同區域的鍍膜速率的控制。
可以理解的係，實際鍍膜過程中，所述等離子產生裝置60可以根據鍍膜的需要通入不同的氣體以產生不同的等離子體，通常使用惰性氣體，如使用氬氣產生氬離子。
可以理解的係，所述等離子產生裝置60可以電性連接於設置於所述腔體10外部的射頻電源(圖未示)，由此，可以保證所述等離子產生裝置60產生等離子體的電源。
使用所述化學氣相沉積設備100對放置於所述鍍膜區13的待鍍膜滾輪70進行表面鍍膜時，將所述待鍍膜滾輪70與所述驅動裝置50的電動馬達51相連接；啟動所述電動馬達51帶動所述待鍍膜滾輪70繞其轉動軸71從所述腔體10的第一側11向第二側12旋轉；開啟所述加熱裝置40，通過所述電阻式加熱線圈41對所述鍍膜區13進行加熱；啟動所述氣體導入裝置20，通過所述噴頭21向所述鍍膜區13內的待鍍膜滾輪70噴反應氣體；開啟所述抽氣裝置30，通過所述抽氣裝置30抽取所述腔體10內的氣體，使所述腔體10內形成從所述腔體10的第一側11流向第二側12且經過所述鍍膜區13的氣流；開啟所述等離子產生裝置60，並根據鍍膜需要控制所述等離子產生裝置60產生的等離子體的濃度。所述反應氣體在所述鍍膜區13發生化學反應，形成固體並沉積於所述待鍍膜滾輪70的表面，形成所需的膜層，如耐磨損膜層。
可以理解的係，整個鍍膜過程中，可以通過控制反應氣體的噴出角度、待鍍膜滾輪70的轉動速度、等離子產生裝置60產生的等離子體的濃度，對待鍍膜滾輪70的表面形成的膜層的均勻性進行控制，以獲得滿足要求的膜層。
相對於先前技術，本發明提供的化學氣相沉積設備具有如下優點：其一，所述化學氣相沉積設備適用於對較大型的壓印滾輪進行鍍膜，通過控制反應氣體的噴出角度，所述化學氣相沉積設備可以有效地控制鍍膜範圍，滿足大型壓印滾輪較大表面的鍍膜需求。其二，採用所述化學氣相沉積設備對表面已有微結構的壓印滾輪進行鍍膜時，較不易受壓印滾輪表面的微結構的影響，配合控制壓印滾輪的轉動，可以使壓印滾輪的表面獲得整體均勻性較佳的膜層。其三，所述化學氣相沉積設備結構較簡單，易於操作實現壓印滾輪表面的膜層鍍制。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10．．．腔體
11．．．第一側
12．．．第二側
13．．．鍍膜區
15．．．軸承
17．．．抽氣管
20．．．氣體導入裝置
21．．．噴頭
30．．．抽氣裝置
31．．．抽氣閥
33．．．抽氣泵
40．．．加熱裝置
41．．．加熱線圈
50．．．驅動裝置
51．．．電動馬達
53．．．皮帶
60．．．等離子產生裝置
70．．．待鍍膜滾輪
71．．．轉動軸
100．．．化學氣相沉積設備
圖1係本發明一實施例提供的化學氣相沉積設備的示意圖。
圖2係圖1所示的化學氣相沉積設備沿II-II方向的剖視圖。
10．．．腔體
11．．．第一側
12．．．第二側
13．．．鍍膜區
17．．．抽氣管
20．．．氣體導入裝置
21．．．噴頭
30．．．抽氣裝置
31．．．抽氣閥
33．．．抽氣泵
40．．．加熱裝置
41．．．加熱線圈
50．．．驅動裝置
51．．．電動馬達
53．．．皮帶
60．．．等離子產生裝置
70．．．待鍍膜滾輪
71．．．轉動軸
100．．．化學氣相沉積設備

Claims (10)

  1. 一種化學氣相沉積設備，其包括：
    一個腔體，所述腔體具有相對的第一側與第二側，及一個位於所述第一側與所述第二側之間用於放置待鍍膜滾輪的鍍膜區；
    一個氣體導入裝置，所述氣體導入裝置設置於所述腔體內部且位於所述腔體的第一側的上方，所述氣體導入裝置具有一個噴頭，所述噴頭朝向所述鍍膜區以向所述鍍膜區噴反應氣體；
    一個抽氣裝置，所述抽氣裝置設置於所述腔體的第二側的下方，所述抽氣裝置用於抽取所述腔體內的氣體使所述腔體內形成從所述腔體的第一側流向第二側且經過所述鍍膜區的氣流；
    一個加熱裝置，所述加熱裝置位元於所述鍍膜區的下方且設置於所述腔體對應鍍膜區的腔壁上；及
    一個驅動裝置，所述驅動裝置連接放置於所述鍍膜區的待鍍膜滾輪以驅動所述待鍍膜滾輪繞其轉動軸轉動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之化學氣相沉積設備，其中，所述腔體為密封腔體，所述腔體對應鍍膜區的底部為對應於待鍍膜滾輪結構的圓弧狀結構。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之化學氣相沉積設備，其中，所述加熱裝置設置於所述腔體外部且位於所述鍍膜區的下方，所述加熱裝置包括多個電阻式加熱線圈，所述多個電阻式加熱線圈圍繞所述腔體對應鍍膜區的底部均勻地設置。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之化學氣相沉積設備，其中，所述化學氣相沉積設備進一步包括一個等離子產生裝置，所述等離子產生裝置設置於所述腔體內部且位於所述鍍膜區的上方，所述等離子產生裝置朝向所述鍍膜區。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之化學氣相沉積設備，其中，所述等離子產生裝置為平板結構，其與放置於所述鍍膜區的待鍍膜滾輪的轉動軸相平行，且所述等離子產生裝置沿所述待鍍膜滾輪軸向的長度大於所述待鍍膜滾輪的軸向長度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之化學氣相沉積設備，其中，所述化學氣相沉積設備進一步包括一個設置於所述腔體的第二側的抽氣管，所述抽氣裝置包括一個抽氣閥及一個抽氣泵；所述抽氣管連通所述腔體的內部與外部，所述抽氣閥設置於所述抽氣管內，所述抽氣泵設置於所述抽氣管內且位於所述抽氣閥朝向所述腔體外部的一側。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之化學氣相沉積設備，其中，所述化學氣相沉積設備進一步包括兩個用於支撐待鍍膜滾輪的轉動軸的軸承，所述兩個軸承相對且同軸地設置於所述腔體內對應鍍膜區的腔壁上，所述兩個軸承的軸線垂直於所述腔體的第一側的中心與第二側的中心的連線。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之化學氣相沉積設備，其中，所述驅動裝置設置於所述腔體的內部且靠近所述抽氣裝置。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之化學氣相沉積設備，其中，所述驅動裝置包括一個電動馬達及一個皮帶，所述電動馬達與所述待鍍膜滾輪的轉動軸通過所述皮帶相連接。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之化學氣相沉積設備，其中，所述反應氣體包括矽烷與氮氣，或氯化鋁與氨氣，或氯化鈦與氮氣及氫氣。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9840778B2 (en) 2012-06-01 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plasma chamber having an upper electrode having controllable valves and a method of using the same
CN107012444B (zh) * 2017-05-05 2023-09-15 宁波工程学院 一种化学气相沉积镀制金刚石膜的设备的吹气装置
CN118086874B (zh) * 2024-04-26 2024-09-06 安徽越好电子装备有限公司 等离子体增强原子层沉积的镀膜工艺

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996034994A1 (en) * 1995-05-03 1996-11-07 Cvd Products, Inc. Chemical vapor deposition method and apparatus
WO2001061070A1 (en) * 2000-02-18 2001-08-23 G.T. Equipment Technologies Inc. Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
WO2003043069A1 (en) * 2001-11-16 2003-05-22 Eugene Technology Co., Ltd. Apparatus of chemical vapor deposition for forming a thin film
US20030116091A1 (en) * 2001-12-04 2003-06-26 Primaxx, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
US20050061245A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-24 Jeong-Yun Kim Chemical vapor deposition apparatus
TWI281949B (en) * 2001-08-16 2007-06-01 First Solar Us Mfg Llc Chemical vapor deposition system
TW200809000A (en) * 2006-08-09 2008-02-16 Kinik Co Chemical vapor thin film deposition apparatus having vertical plating surface and power controlled heat wire
TW200811310A (en) * 2006-08-23 2008-03-01 Kinik Co Apparatus for chemical gas phase thin film sedimentation
TW200848537A (en) * 2007-06-01 2008-12-16 Promos Technologies Inc Physical vapor deposition system
TW200930835A (en) * 2007-12-26 2009-07-16 Samsung Electro Mech Chemical vapor deposition apparatus

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3023491A (en) * 1958-01-02 1962-03-06 Union Carbide Corp Use of dioxane as a solvent for vapor plating molybdenum, tungsten and chromium from their hexacarbonyls
US2951139A (en) * 1958-05-22 1960-08-30 Beloit Iron Works Paper drier
NL293028A (zh) * 1962-06-05
DE2847620C2 (de) * 1978-11-02 1984-10-18 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur Herstellung von elektrischen Bauelementen, insbesondere Schichtkondensatoren
US4265932A (en) * 1979-08-02 1981-05-05 Hughes Aircraft Company Mobile transparent window apparatus and method for photochemical vapor deposition
US5097800A (en) * 1983-12-19 1992-03-24 Spectrum Control, Inc. High speed apparatus for forming capacitors
US5032461A (en) * 1983-12-19 1991-07-16 Spectrum Control, Inc. Method of making a multi-layered article
US4703718A (en) * 1985-11-29 1987-11-03 Rca Corporation Vapor deposition apparatus and method of using same
JPH0387372A (ja) * 1988-07-22 1991-04-12 Canon Inc 堆積膜形成方法
WO1991017561A1 (en) * 1990-05-10 1991-11-14 Eastman Kodak Company Apparatus for-plasma treatment of continuous material
US5650197A (en) * 1994-03-11 1997-07-22 Jet Process Corporation Jet vapor deposition of organic molecule guest-inorganic host thin films
JP3437376B2 (ja) * 1996-05-21 2003-08-18 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置及び処理方法
KR100296692B1 (ko) * 1996-09-10 2001-10-24 사토 도리 플라즈마cvd장치
EP0872579B2 (en) * 1996-10-23 2014-11-26 Fujikura, Ltd. Process for preparing polycrystalline thin film, process for preparing oxide superconductor, and apparatus therefor
KR19990047679A (ko) * 1997-12-05 1999-07-05 박호군 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치
US5976258A (en) * 1998-02-05 1999-11-02 Semiconductor Equipment Group, Llc High temperature substrate transfer module
JP3933346B2 (ja) * 1999-05-26 2007-06-20 正路 朝本 イオンプレーティングを用いる成膜体の製造方法及び製造装置
TW514557B (en) * 2000-09-15 2002-12-21 Shipley Co Llc Continuous feed coater
TW554553B (en) * 2002-08-09 2003-09-21 United Epitaxy Co Ltd Sub-mount for high power light emitting diode
DE60326429D1 (de) * 2003-03-20 2009-04-16 Agfa Healthcare Nv Herstellungsverfahren für Phosphor- oder Szintillatorfolien und Platten geeignet für eine Abtastvorrichtung
US7758699B2 (en) * 2003-06-26 2010-07-20 Superpower, Inc. Apparatus for and method of continuous HTS tape buffer layer deposition using large scale ion beam assisted deposition
US20040261707A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-30 Venkat Selvamanickam Apparatus for and method of cooling and positioning a translating substrate tape for use with a continuous vapor deposition process
JP2005029895A (ja) * 2003-07-04 2005-02-03 Agfa Gevaert Nv 蒸着装置
US6950606B2 (en) * 2004-01-05 2005-09-27 Advanced Distributor Products Llc Air conditioning apparatus with blower and electric heater in common housing
US7387811B2 (en) * 2004-09-21 2008-06-17 Superpower, Inc. Method for manufacturing high temperature superconducting conductors using chemical vapor deposition (CVD)
US20090011573A1 (en) * 2007-07-02 2009-01-08 Solyndra, Inc. Carrier used for deposition of materials on a non-planar surface

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996034994A1 (en) * 1995-05-03 1996-11-07 Cvd Products, Inc. Chemical vapor deposition method and apparatus
WO2001061070A1 (en) * 2000-02-18 2001-08-23 G.T. Equipment Technologies Inc. Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
TWI281949B (en) * 2001-08-16 2007-06-01 First Solar Us Mfg Llc Chemical vapor deposition system
WO2003043069A1 (en) * 2001-11-16 2003-05-22 Eugene Technology Co., Ltd. Apparatus of chemical vapor deposition for forming a thin film
US20030116091A1 (en) * 2001-12-04 2003-06-26 Primaxx, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
US20050061245A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-24 Jeong-Yun Kim Chemical vapor deposition apparatus
TW200809000A (en) * 2006-08-09 2008-02-16 Kinik Co Chemical vapor thin film deposition apparatus having vertical plating surface and power controlled heat wire
TW200811310A (en) * 2006-08-23 2008-03-01 Kinik Co Apparatus for chemical gas phase thin film sedimentation
TW200848537A (en) * 2007-06-01 2008-12-16 Promos Technologies Inc Physical vapor deposition system
TW200930835A (en) * 2007-12-26 2009-07-16 Samsung Electro Mech Chemical vapor deposition apparatus

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TW201207150A (en) 2012-02-16
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