KR19990047679A - 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치 - Google Patents

이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치에 관한 것으로, 표면 처리되는 시편에 전압을 인가하고 조절하여 시편에 조사되는 이온 빔 에너지를 조절할 수 있고, 이온 도움 반응 장치에 이용되는 반응성 가스의 진공도를 이온 빔이 조사되는 부분과 이온 빔이 발생되는 부분에서 차별화시킬 수 있고, 양면 조사 방식 내지 연속 프로세스에 적용될 수 있는 표면 처리 장치를 제공한다.

Description

이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치
본 발명은 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반응성 가스를 이용한 재료의 표면 처리 장치를 개량하여 반응성 가스의 양 및 이온 빔의 에너지를 조절할 수 있고, 분말 재료의 표면 처리가 가능하고, 재료의 연속 표면 처리가 가능하도록 한 표면 처리 장치에 관한 것이다.
종래의 이온 빔 처리 방법으로는 박막 제조에 의한 방법과 표면 세척에 의한 방법이 있었다.
박막 제조에 의한 방법으로는, 높은 에너지(수십KeV - 수MeV)를 이용한 이온주입(Ion Implantation)이나 이온 빔 조사(Ion Irradiation), 낮은 에너지(0-수KeV)의 입자를 생성하는 이온원(Ion Source)이 타겟을 조사하여 증착하고자 하는 물질을 생성하는 이온 빔 스퍼터링 (Ion Beam Sputtering Deposition)이나 다중 이온원 증착(Multi Ion Beam Deposition) 및 박막 제조에 도움을 주는 방법과 이온 도움 증착(Ion Assisted Deposition) 등이 제안되어져 왔다.
또한, 표면 세척에 의한 방법으로는, 에너지를 가진 입자를 표면에 조사하면서 일어나는 표면 세척(Surface cleaning)과 반응성 가스를 진공조 내에 주입하여 시행하는 반응성 이온 빔 식각(Reactive Ion beam Etching) 등이 제안되어져 왔다.
상기 이온 빔 처리를 이용한 박막 제조와 표면 세척에서는, 박막 제조의 경우 증착되는 입자와 도움을 주는 입자 이온 빔의 입자 상대비를 조절하여 박막을 제조하였고, 표면 세척의 경우 주로 플라즈마 발생과 반응성 가스의 양을 조절하여 반응성 가스가 이온화되어 빠른 표면 세척을 이루거나 세척이 기존의 습식 반응으로 오랜 시간이 소요되었던 것을 빠른 시간 내에 세척이 가능하게 하였다.
이에 대해 본 발명은 상술한 박막 제조나 표면 세척이 아닌 낮은 에너지의 이온 빔을 이용한 재료의 표면 개질 및 표면 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 발명자들이 개발하여 선출원된 대한민국 특허출원 2456/1996호, 11994/1996호, 11995/1996호 및 11996/1996호의 표면 처리 장치를 개량한 것이다.
도 1은 선출원된 상기 발명들에 사용되는 표면 처리 장치의 개략을 나타낸 것이다. 장치의 구성은 이온 빔을 생성하는 이온 건 및 도움 이온 건을 포함하는 이온원 (Ion source), 조사되는 에너지를 가진 이온의 양을 측정하고 조절하기 위한 이온 빔 전류 측정기 및 조절기, 이온에 의해 표면 처리하고 싶은 물질을 놓는 시료 집게, 처리하고자 하는 물질 주위에 반응성 가스를 주입하는 반응성 가스 유입구를 포함하는 반응성 가스 조절 장치 및 이온 빔의 발생을 용이하게 하는 진공조를 구성하는 진공 펌프 장치와 진공도를 측정하는 계기들로 이루어져 있다.
상기 장치가 적용되는 실제 예로는, 고분자 재료 주위에 반응성 가스로 산소를 불어 넣어 주고 아르곤 이온을 표면에 조사하여 고분자 표면에 산소가 탄소 고리에 화학적으로 결합한 친수성 작용기를 생성시키는 것과, 산화물 AIN 위에 산소를 불어 넣어주며 아르곤 이온을 조사하여 AION의 결합이 생성되어 물질 자체에 영향을 주지 않고 표면에 새로운 물질을 형성시키는 것이 있으며, 상기와 같은 표면 자체의 고유 성질 변화로 인해 여러 가지 문제점들이 해결될 수 있다. 예를들어 다른 물질과의 접착 또는 흡착, 물과의 친화력, 표면 강도의 변화들을 가져올 수 있다. 상기 이온 도움 반응에선 주로 사용되는 에너지가 기존의 증착 방식보다는 낮은 에너지대의 입자 에너지를 이용하고 이온 조사량도 10-13- 10-18ions/cm2이며 표면 개질되는 반응성 가스도 물질 주위의 분압이 진공조의 전체 진공도 보다도 높은 것이 특색이다.
그러나, 상기 이온 빔 조사 장치의 경우에는 단지 반응성 가스에 의한 처리에 중점을 둔 까닭에 상기 반응성 가스량 조절을 통한 물성 내지 표면 처리 특성의 개선을 가져오지 못했고, 시편에 인가되는 이온 빔의 에너지를 단지 이온 빔 만에 의해 조절할 수 있었다.
이에 본 발명에서는, 표면에 불어주는 반응성 가스의 양을 제어하여 특정 양의 이온 빔을 시편 표면에 조사하고, 표면에 인가되는 이온 빔의 이온 에너지를 조절하므로서 표면에 새로운 화학적 구조를 가지는 물질을 형성시키는 것을 목적으로 한다. 즉, 표면 개질의 정도를 이온 조사량, 반응성 가스의 주입량, 에너지를 가지는 입자 에너지 조절을 통해 제어 가능하게 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 실제 생산 공정에 적용될 수 있는 양면 조사 방식 내지 연속 배치(batch) 프로세스에의 적용을 가능케 하는 표면 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 선 출원된 반응성 가스를 이용한 이온 도움 반응 장치의 개략도이다.
도 2a는 표면 처리하려는 재료에 전압을 인가할 수 있도록 개량된 본 발명에 따른 이온 도움 반응 장치의 개략도이고, 도 2b는 이에 대한 전압 계통도이다.
도 3은 반응성 가스의 분압 조절이 가능한 본 발명에 따른 이온 도움 반응 장치의 개략도이다.
도 4는 분말의 표면 처리를 가능하게 한 본 발명에 따른 이온 도움 반응 장치의 개략도이다.
도 5는 재료의 양면을 표면 처리할 수 있는 본 발명에 따른 이온 도움 반응 장치의 개략도이다.
도 6은 배치(batch) 타입 연속 공정이 가능한 본 발명에 따른 이온 도움 반응 장치의 개략도이다.
도 7은 대기중에 있는 재료를 진공 반응 챔버내로 도입하여 연속 표면 처리하는 본 발명에 따른 이온 도움 반응 장치의 개략도이다.
도 8은 웨이퍼 등 묶음으로 된 재료를 연속 표면 처리하는 본 발명에 따른 이온 도움 반응 장치의 개략도이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 반응 챔버내의 진공 유지를 위한 진공 수단과; 이온 빔 생성을 위한 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 조사되는 시편과; 상기 시편이 놓여지는 기판과; 상기 시편으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지고, 상기 기판을 상기 반응 챔버와 절연시킴과 동시에 상기 기판과 상기 시편에 전압을 인가하고 조절하여 시편에 조사되는 이온 빔 에너지를 제어하는 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은, 반응 챔버내의 진공 유지를 위한 두 개 이상의 진공 수단과; 이온 빔 생성을 위한 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 조사되는 시편과; 상기 시편이 놓여지는 기판과; 상기 시편으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단과; 상기 반응 챔버내의 시편에 반응성 가스가 주입되어 표면 처리되는 시편 반응부에서의 진공도가 이온 원이 속하는 부분에서의 진공도 보다 클 수 있도록 상기 두 개 이상의 진공 수단이 상기 부분에 각각 설치되고, 진공도가 서로 다른 상기 부분을 분리하기 위해 설치되는 분리막;으로 이루어지는 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은, 반응 챔버내의 진공 유지를 위한 두 개 이상의 진공 수단과; 상기 반응 챔버의 상부에 설치되는 이온 빔 생성을 위한 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 조사되는 분말 시편과; 상기 분말 시편을 수용하면서 교반할 수 있는 교반기와; 상기 분말 시편으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단과; 상기 반응 챔버내의 시편에 반응성 가스가 주입되어 표면 처리되는 시편 반응부에서의 진공도가 이온 원이 속하는 부분에서의 진공도 보다 클 수 있도록 상기 두 개 이상의 진공 수단이 상기 부분에 각각 설치되고, 진공도가 서로 다른 상기 부분을 분리하기 위해 설치되는 분리막;으로 이루어지는 이온 빔을 이용한 분말 재료의 표면 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은, 반응 챔버내의 진공 유지를 위한 두 개 이상의 진공 수단과; 상기 반응 챔버의 상하 또는 좌우에 배치되어 이온 빔을 생성하는 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 그 양면에 조사될 수 있는 시편과; 상기 시편의 전면 내지 후면으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단과; 상기 반응 챔버내의 시편에 반응성 가스가 주입되어 표면 처리되는 시편 반응부에서의 진공도가 이온 원이 속하는 부분에서의 진공도 보다 클 수 있도록 상기 두 개 이상의 진공 수단이 상기 부분에 각각 설치되고, 진공도가 서로 다른 상기 부분을 분리하기 위해 설치되는 분리막;으로 이루어지고, 상기 시편이 상기 이온 빔이 조사되는 영역으로 연속적으로 공급되고 배출될 수 있는 이온 빔을 이용한 분말 재료의 연속 표면 처리 장치를 제공한다.
여기서, 상기 시편은 롤(roll) 형상으로 감겨있어서 상기 반응 용기내에서는 한쪽 부분에서 풀려지며 시편 반응부로 공급되고, 시편 반응부에서 이온 빔이 조사되어 표면 처리가 행해진 후 다른 쪽 부분에서 다시금 롤 형상으로 감겨질 수도 있고, 웨이퍼 형상으로 공급되고 배출될 수 있다.
또한, 상기 공급 및 배출에 있어서, 상기 반응 챔버내에 복수 개 이상의 진공 수단이 설치되고, 상기 복수 개의 진공 수단이, 상기 반응 챔버밖으로부터 상기 시편 반응부로 상기 시편이 도입되는 과정에서 뿐만 아니라 상기 시편 반응부로부터 상기 반응 챔버 밖으로 표면 처리된 시편이 배출되는 과정에서, 진공도를 시편 반응부에서의 진공도가 가장 높을 수 있도록 순차적으로 설치될 수도 있다.
사용될 수 있는 이온원으로는 카우프만 타입 이온원(Kaufman Type Ion Source), 콜드 홀로우 캐소드 이온원(Cold Hollow Cathod Ion source) 및 고주파 이온원(High frequency Ion Source) 등이 있으며, 상기 이온원으로부터 생성되는 에너지를 가지는 입자를 이온 빔이라 한다. 이온 조사량의 범위는 1013-1018ions/cm2이 바람직하고, 표면 처리되는 시편부에 불어 넣어지는 반응성 가스의 양은 0-30㎖/min 정도가 바람직하고, 전체 반응 챔버내에서 반응성 가스의 분압이 표면 처리되는 재료 주위에서의 분압보다 커야 할 것이다. 진공조내의 반응성 가스의 분압은 10-1-10-7torr 정도이다.
바람직한 실시예의 설명
이하에서, 첨부한 본 발명에 따른 도면에 근거하여 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
이온원으로부터 발생된 기체들이 고분자의 표면에 조사되고 동시에 반응성 가스 즉, 산소나 질소 가스를 주입시켜 소수성이었던 표면이 친수성으로 변한다든가 증착시킨 금속박막 위에 비활성 기체를 조사시킴으로써 표면의 조도(거칠기)를 변형시키면서 그 위에 반응성 가슬 주입시켜 다른 박막 (질화물이나 산화물) 의 증착을 수행할 때 두 박막 간에 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 2는 시료에 전압을 인가할 수 있게 고안된 본 발명에 따른 이온 도움 반응 장치의 개략도이다. 일반적으로 박막 형태의 금속이나 산화물 박막 또는 유기물 표면에 이온빔을 조사할 경우 표면에 굴곡이 진 재료에 대하여 처리하고자 하는 물질에 이온빔을 조사하였을 때 이온건에서 방출되는 Ar+양이온들이 가속됨과 동시에 표면 처리를 하고자 하는 시료에 전압을 가함으로써 이온건으로부터 발생되는 이온들과 시료 표면간에 인력(attraction force) 또는 척력(repulsive force)이 형성되어 전하 변형이 이루어짐으로 시료 표면의 조성과 모양을 개질시킬 수 있다. 도 2에서 보듯이 기존에는 물질을 잡고 있는 시료 집게에 인가 전압을 가하는 것을 생각하지 않았는데 본 발명은 시료 집게를 기존의 진공조에서 절연을 시켜 －전압 또는 ＋전압을 인가할 수 있도록 설계하였다.
도 3은 반응성 가스 분압의 조절을 가능하게 한 이온 빔 장치의 개략도로서 선출원된 이온 도움 반응 장치에선 기판 주위에 반응성 가스를 주입할 때 재료의 표면에 흘러주는 반응성 가스가 진공조로 쉽게 확산되어 반응성 가스의 조절이 용이하지 않았으나 도 3에서와 같이 표면 처리하고자 하는 물질과 이온 빔을 생성하는 이온원 사이에 서로를 분리시키는 분리막을 설정하여 시료 주위에 반응성 가스의 분압 조절이 용이하게 한 것이다. 도면에서 보듯이 한 챔버내에 분리막을 설치하는 이유는 시료 표면 부근에 노출되는 반응성 가스들이 이온건으로 유입되면서 이온건 내부에 존재하는 필라멘트 열선과 반응하여 산화 반응 혹은 질화 반응에 의해 이를 손상시키거나 이온원에서 발생하는 플라즈마 형성을 방해하는 작용을 방지할 수 있기 때문이다. 그 이유는 시료 부근의 진공도가 이온원 쪽의 진공도보다 10 - 3 정도 낮기 때문에 반응성 기체들은 안쪽으로 유입되지 않고 바로 밖으로 배출되기 때문이다. 또한 이렇게 분리막을 만들고 처리하고자 하는 부분만 노출시킬 경우 원하는 부위만 표면 처리할 수 있어 선택적 표면 개질의 장점을 살릴 수가 있으며 선 처리시 문제가 되는 이물질의 이온원 투입을 방지할 수가 있다. 또한 서로 다른 진공 펌프의 연결을 통하여 더욱 효율적으로 시료 주위와 이온원 사이의 진공조 분압을 조절하는 것도 가능하다.
도 4는 분말 처리를 위한 이온 도움 반응 장치의 개략도인데 일반적으로 기존의 이온 도움 증착에서 이온원을 밑에 설치하고 증착하고자 하는 물질을 위에 놓아 박막을 제조하였으며, 이온 빔 스퍼터링에서 처럼 이온원 맞은 편에 증착하고자 하는 타겟(target)을 설치하여 장치를 설계하였으나 본 발명에서는 이온원의 위치를 진공조의 상하 좌우 원하는 부분에 입체적으로 설치하여 입체적인 물질의 표면 처리 가능하다. 또한 도 1-3의 표면 처리 장치는 시료 집게가 있어 필름(film)이나 쉬트 시료를 계속 처리하게 하였으나 시료 집게로 시료를 잡을 수 없는 미세한 입자나 불균일한 덩어리의 표면 처리시에 가능한 물질의 분말의 표면 처리에 대하여 생각을 하지 않았으나 이온원을 위에 설치하고 분말을 교반시킬 경우 분말도 표면 처리가 가능하다. 이러한 분말의 표면 처리를 위해서는 분말을 진공조 안에서 균일하게 처리하기 위한 교반기가 있으면 되며 반응성 가스의 삽입도 분말 주위 또는 교반기 자체에 가스 주입기를 설치하여 반응성 가스의 양을 조절하는 것이 가능하게 만들었다.
도 5는 재료의 양면을 처리할 수 있게 고안된 장치의 개략도로서 일반적으로 옷감의 양면 표면 개질 또는 필름의 양면 표면 개질에 대한 이온원의 위치에 대한 장치의 개략도인데 이렇게 위와 아래에 수직으로 이온빔을 위치하던가 45도, 60도, 90도 등 다양한 위치로 이온빔을 설치하는 것이 가능한데 이렇게 이온 빔을 다양하게 설치하는 것이 가능하므로 원형 시료, 굴곡이 있는 시료 등 다양한 재료에 균일하게 표면 처리할 수 있다.
도 5는 배치 타입(Batch Type) 연속 공정이 가능한 이온 빔 처리 장치이다. 일반적으로 대량 생산을 위해서는 필름이나 쉬트(sheet) 등의 형태에 대하여 연속적으로 표면 처리하는 것이 가능해야 하는데, 도면에 나타난 바와 같이 길이가 긴 필름이나 섬유를 롤로 만들은 후 이에 대한 연속 표면 처리를 행하는 방법이다. 이러한 연속 표면 처리 방법은 상술한 실시예의 이온 빔 장비를 포함하는 반응 챔버내에 시료를 롤로 감을 수 있는 장치를 설치하여 필름의 속도를 조절하며 처리 시료의 표면 개질 정도의 조절할 수 있는 장점을 포함하고 있다.
제 7 도는 대개에서 진공으로 들어가면서 연속 처리 공정이 가능한 이온 빔 처리 장치로서 일반적으로 이온 빔을 발생하는 이온 원의 장치는 대개 진공도가 좋을수록 양질의 이온 빔을 생성할 수 있으며 이럴 경우 대기중에 시료를 진공조 내에 보내주어야 하는데 이때 대기에서 초기 진공을 뽑는 1차 진공에서는 저 진공을 유지하게 하며 순차적으로 원하는 진공을 유지하게 만드는 방법이다. 이때 1차 진공을 만드는 진공조는 진공만 뽑는 것이므로 진공조의 피부는 클 필요가 없으며 초기 진공이 잘 뽑히지 않을 경우 2차, 3차 진공조를 설치하여 진공을 뽑으며 표면 처리 진공조까지 시료를 보내고 계속하여 처리된 시료를 대기로 빼내올 경우 진공을 뽑는 방법의 역순으로 대기까지 시료를 빼내고 이를 여러 편리한 방법으로 저장하면 된다.
제 8 도에서 처럼 웨이퍼 등 묶음으로된 물질들을 연속 처리하게 된 이온 빔 장치로서 산화물이나 금속 처리 기계적 강도를 유지하고 있는 시료의 경우에 이용하면 반도체의 웨이퍼 처리 방법처럼 이용하면 될 것이다.
본 발명에 따르면, 이온 도움 반응 장치 내에서의 반응성 가스량을 조절하고, 표면 처리되는 재료에 조사되는 이온 빔의 에너지를 조절하여 재료의 표면 처리 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 실제 생산 공정에 적용될 수 있는 양면 조사 방식 내지 연속 배치(batch) 프로세스가 얻어진다.

Claims (11)

  1. 반응 챔버내의 진공 유지를 위한 진공 수단과; 이온 빔 생성을 위한 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 조사되는 시편과; 상기 시편이 놓여지는 기판과; 상기 시편으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지고, 상기 기판을 상기 반응 챔버와 절연시킴과 동시에 상기 기판과 상기 시편에 전압을 인가하고 조절하여 시편에 조사되는 이온 빔 에너지를 제어하는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치.
  2. 반응 챔버내의 진공 유지를 위한 두 개 이상의 진공 수단과; 이온 빔 생성을 위한 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 조사되는 시편과; 상기 시편이 놓여지는 기판과; 상기 시편으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단과; 상기 반응 챔버내의 시편에 반응성 가스가 주입되어 표면 처리되는 시편 반응부에서의 진공도가 이온 원이 속하는 부분에서의 진공도 보다 클 수 있도록 상기 두 개 이상의 진공 수단이 상기 부분에 각각 설치되고, 진공도가 서로 다른 상기 부분을 분리하기 위해 설치되는 분리막;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치.
  3. 반응 챔버내의 진공 유지를 위한 진공 수단과; 상기 반응 챔버의 상부에 설치되는 이온 빔 생성을 위한 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 조사되는 분말 시편과; 상기 분말 시편을 수용하면서 교반할 수 있는 교반기와; 상기 분말 시편으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 분말 재료의 표면 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 진공 수단은 두 개 이상의 진공 수단을 포함하고; 상기 반응 챔버내의 시편에 반응성 가스가 주입되어 표면 처리되는 시편 반응부에서의 진공도가 이온 원이 속하는 부분에서의 진공도 보다 클 수 있도록 상기 두 개 이상의 진공 수단이 상기 부분에 각각 설치되고, 진공도가 서로 다른 상기 부분을 분리하기 위해 설치되는 분리막;을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 분말 재료의 표면 처리 장치.
  5. 반응 챔버내의 진공 유지를 위한 진공 수단과; 상기 반응 챔버의 상하 또는 좌우에 배치되어 이온 빔을 생성하는 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 그 양면에 조사될 수 있는 시편과; 상기 시편의 전면 내지 후면으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지고, 상기 시편이 상기 이온 빔이 조사되는 영역으로 연속적으로 공급되고 배출될 수 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 분말 재료의 연속 표면 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 진공 수단은 두 개 이상의 진공 수단을 포함하고; 상기 반응 챔버내의 시편에 반응성 가스가 주입되어 표면 처리되는 시편 반응부에서의 진공도가 이온 원이 속하는 부분에서의 진공도 보다 클 수 있도록 상기 두 개 이상의 진공 수단이 상기 부분에 각각 설치되고, 진공도가 서로 다른 상기 부분을 분리하기 위해 설치되는 분리막;으로 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 시편은 롤(roll) 형상으로 감겨있어서 상기 반응 용기내에서는 한쪽 부분에서 풀려지며 시편 반응부로 공급되고, 시편 반응부에서 이온 빔이 조사되어 표면 처리가 행해진 후 다른 쪽 부분에서 다시금 롤 형상으로 감겨지는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 시편은 웨이퍼 형상으로 공급되고 배출되는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 롤은 상기 반응 챔버내에 수용되는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 롤은 상기 반응 챔버 밖에 위치하여 상기 반응 챔버 밖으로부터 상기 시편 반응부를 포함하는 상기 반응 챔버내로 시편이 도입되고, 표면 처리된 시편은 다시금 상기 반응 챔버 밖에 위치하는 롤로 배출되어 감겨지는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치.
  11. 제 8 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 반응 챔버내에 복수 개 이상의 진공 수단이 설치되고, 상기 복수 개의 진공 수단이, 상기 반응 챔버밖으로부터 상기 시편 반응부로 상기 시편이 도입되는 과정에서 뿐만 아니라 상기 시편 반응부로부터 상기 반응 챔버 밖으로 표면 처리된 시편이 배출되는 과정에서, 진공도를 시편 반응부에서의 진공도가 가장 높을 수 있도록 순차적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치.
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