JP2811820B2 - シート状物の連続表面処理方法及び装置 - Google Patents
シート状物の連続表面処理方法及び装置Info
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- JP2811820B2 JP2811820B2 JP1282753A JP28275389A JP2811820B2 JP 2811820 B2 JP2811820 B2 JP 2811820B2 JP 1282753 A JP1282753 A JP 1282753A JP 28275389 A JP28275389 A JP 28275389A JP 2811820 B2 JP2811820 B2 JP 2811820B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C37/0089—Sealing devices placed between articles and treatment installations during moulding or shaping, e.g. sealing off the entrance or exit of ovens or irradiation rooms, connections between rooms at different pressures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シート状物の表面改質やコーティングを大
気圧下において連続的に行なう表面処理方法及びその装
置に関する。
気圧下において連続的に行なう表面処理方法及びその装
置に関する。
従来、シート状物の表面を改質，コーティングする方
法として、減圧下でのグロー放電によるプラズマ処理
法，プラズマ重合法，プラズマCVD法等が知られてい
る。また、これらの方法において、連続的にシート状物
の表面処理を行なう方法としては、長尺の被処理物シー
トをロール状に巻き上げたものを真空チャンバー内に入
れ、該チャンバー内でロールから被処理物シートを連続
的に引き出して該シート表面に連続的に処理を施すバッ
チ方式や、特公昭63−65093号公報に開示されている如
く、大気圧下から減圧下へ徐々に排気を行なう差動排気
方式により処理する方法などが知られている。しかし、
これらの連続処理方法は、いずれも処理装置が大掛かり
なものとなり、また処理室内を排気するために大容量を
有する非常に大きなポンプが必要となるという問題もあ
る。
法として、減圧下でのグロー放電によるプラズマ処理
法，プラズマ重合法，プラズマCVD法等が知られてい
る。また、これらの方法において、連続的にシート状物
の表面処理を行なう方法としては、長尺の被処理物シー
トをロール状に巻き上げたものを真空チャンバー内に入
れ、該チャンバー内でロールから被処理物シートを連続
的に引き出して該シート表面に連続的に処理を施すバッ
チ方式や、特公昭63−65093号公報に開示されている如
く、大気圧下から減圧下へ徐々に排気を行なう差動排気
方式により処理する方法などが知られている。しかし、
これらの連続処理方法は、いずれも処理装置が大掛かり
なものとなり、また処理室内を排気するために大容量を
有する非常に大きなポンプが必要となるという問題もあ
る。
一方、大気圧下で混合ガスを用いて被処理物シート表
面に放電処理を施す方法（特開昭62−235339号公報，特
願昭63−138630号，同63−166599号，同63−202977号
等）も種々提案されているが、これらはいずれもバッチ
方式であり、しかも大気圧下での処理とはいえ外部雰囲
気とはチャンバー等で遮蔽するもので、やはり連続的に
処理を行なう場合は、ロール状に巻き上げた長尺の被処
理物シートをチャンバー等の大型密閉槽に入れ、該密閉
槽内で処理を行なう必要がある。このため、前述の減圧
下での処理と基本的には同様の装置が必要であり、装置
が大掛かりなものになるといった欠点を有する。
面に放電処理を施す方法（特開昭62−235339号公報，特
願昭63−138630号，同63−166599号，同63−202977号
等）も種々提案されているが、これらはいずれもバッチ
方式であり、しかも大気圧下での処理とはいえ外部雰囲
気とはチャンバー等で遮蔽するもので、やはり連続的に
処理を行なう場合は、ロール状に巻き上げた長尺の被処
理物シートをチャンバー等の大型密閉槽に入れ、該密閉
槽内で処理を行なう必要がある。このため、前述の減圧
下での処理と基本的には同様の装置が必要であり、装置
が大掛かりなものになるといった欠点を有する。
従って、大型密閉槽や大型のポンプを必要とせず、し
かもシート状物の表面に均一かつ良好な改質，コーティ
ング処理を連続的に施すことが可能な方法及び装置の開
発が望まれる。
かもシート状物の表面に均一かつ良好な改質，コーティ
ング処理を連続的に施すことが可能な方法及び装置の開
発が望まれる。
本発明者は、上記要望に応えるべく、鋭意検討を行な
った結果、ヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とす
る混合ガスによりプラズマ領域を形成し、被処理物シー
トにプラズマ放電処理を施す場合、大気圧下であっても
均一で安定なプラズマ放電が得られること、更にこのプ
ラズマ領域が形成されたチャンバー外より長尺の被処理
物シートを連続的に導入して該被処理物シート表面にプ
ラズマ放電処理を連続的に施すと共に、この被処理物シ
ートの処理終了部分を連続的にチャンバー外へ排出する
場合、チャンバーの被処理物導入口及び排出口を完全に
気密にシール，封鎖する必要はなく、チャンバー内のヘ
リウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスの
漏れを許容し得る程度の非気密状態のシールでもチャン
バー内のヘリウムガス又は混合ガスの純度が保持されて
良好なプラズマ放電処理が可能であり、従って被処理物
シートのロールをチャンバー内に仕込む必要がなく、チ
ャンバーの大きさは被処理物シートが連続的に通過し得
るものであればよいので、従来のものに比べて大巾に小
型化することができ、更にチャンバー内の空気をヘリウ
ムガスに置換する際に排気ポンプを用いるだけでよく、
常にチャンバー内を減圧に保持する必要がないので、排
気ポンプも大巾に小型化することができ、装置全体を小
型化し得ることを見い出し、本発明を完成するに至った
ものである。
った結果、ヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とす
る混合ガスによりプラズマ領域を形成し、被処理物シー
トにプラズマ放電処理を施す場合、大気圧下であっても
均一で安定なプラズマ放電が得られること、更にこのプ
ラズマ領域が形成されたチャンバー外より長尺の被処理
物シートを連続的に導入して該被処理物シート表面にプ
ラズマ放電処理を連続的に施すと共に、この被処理物シ
ートの処理終了部分を連続的にチャンバー外へ排出する
場合、チャンバーの被処理物導入口及び排出口を完全に
気密にシール，封鎖する必要はなく、チャンバー内のヘ
リウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスの
漏れを許容し得る程度の非気密状態のシールでもチャン
バー内のヘリウムガス又は混合ガスの純度が保持されて
良好なプラズマ放電処理が可能であり、従って被処理物
シートのロールをチャンバー内に仕込む必要がなく、チ
ャンバーの大きさは被処理物シートが連続的に通過し得
るものであればよいので、従来のものに比べて大巾に小
型化することができ、更にチャンバー内の空気をヘリウ
ムガスに置換する際に排気ポンプを用いるだけでよく、
常にチャンバー内を減圧に保持する必要がないので、排
気ポンプも大巾に小型化することができ、装置全体を小
型化し得ることを見い出し、本発明を完成するに至った
ものである。
従って、本発明は、処理チャンバー内に形成されたヘ
リウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスの
プラズマ領域中で被処理物シート表面にプラズマ放電処
理を施す表面改質又はコーティング方法において、処理
チャンバー内の空気をヘリウムガス又はヘリウムガスを
主成分とする混合ガスに置換した後、このチャンバー内
にヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガ
スを連続的に導入しつつ、大気圧下に該ヘリウムガス又
は混合ガスのプラズマ領域を形成し、該プラズマ領域中
に長尺の被処理物シートをチャンバー外より該チャンバ
ーの上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る
非気密状態にシールされた被処理物導入口を通して連続
的に導入し、該被処理物シート表面にプラズマ放電処理
を連続的に施すと共に、該被処理物シートの処理終了部
分を上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る
非気密状態にシールされた被処理物排出口を通して連続
的に上記チャンバー外に排出することを特徴とするシー
ト状物の連続表面処理方法、及び、ヘリウムガス又はヘ
リウムガスを主成分とする混合ガスのプラズマ領域を形
成する電極を内部に備えると共に、上記ヘリウムガス又
は混合ガスの漏れを許容し得る非気密状態にシールされ
た被処理物の導入口と排出口とがそれぞれ形成された処
理チャンバーと、該チャンバー内の空気を外部へ排気す
る空気排出機構と、このチャンバー内にヘリウムガス又
はヘリウムガスを主成分とする混合ガスを供給する反応
ガス供給機構と、上記被処理物の導入口及び排出口を上
記非気密状態にシールするシール機構とを具備してな
り、上記導入口から長尺被処理物シートを上記処理チャ
ンバー内に連続的に導入し、上記電極間に形成されたプ
ラズマ領域を通過させて、被処理物シート表面にプラズ
マ放電処理を連続的に施すと共に、この被処理物シート
の処理終了部分を上記排出口よりチャンバー外へ連続的
に排出するよう構成したことを特徴とするシート状物の
連続表面処理装置を提供する。
リウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスの
プラズマ領域中で被処理物シート表面にプラズマ放電処
理を施す表面改質又はコーティング方法において、処理
チャンバー内の空気をヘリウムガス又はヘリウムガスを
主成分とする混合ガスに置換した後、このチャンバー内
にヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガ
スを連続的に導入しつつ、大気圧下に該ヘリウムガス又
は混合ガスのプラズマ領域を形成し、該プラズマ領域中
に長尺の被処理物シートをチャンバー外より該チャンバ
ーの上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る
非気密状態にシールされた被処理物導入口を通して連続
的に導入し、該被処理物シート表面にプラズマ放電処理
を連続的に施すと共に、該被処理物シートの処理終了部
分を上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る
非気密状態にシールされた被処理物排出口を通して連続
的に上記チャンバー外に排出することを特徴とするシー
ト状物の連続表面処理方法、及び、ヘリウムガス又はヘ
リウムガスを主成分とする混合ガスのプラズマ領域を形
成する電極を内部に備えると共に、上記ヘリウムガス又
は混合ガスの漏れを許容し得る非気密状態にシールされ
た被処理物の導入口と排出口とがそれぞれ形成された処
理チャンバーと、該チャンバー内の空気を外部へ排気す
る空気排出機構と、このチャンバー内にヘリウムガス又
はヘリウムガスを主成分とする混合ガスを供給する反応
ガス供給機構と、上記被処理物の導入口及び排出口を上
記非気密状態にシールするシール機構とを具備してな
り、上記導入口から長尺被処理物シートを上記処理チャ
ンバー内に連続的に導入し、上記電極間に形成されたプ
ラズマ領域を通過させて、被処理物シート表面にプラズ
マ放電処理を連続的に施すと共に、この被処理物シート
の処理終了部分を上記排出口よりチャンバー外へ連続的
に排出するよう構成したことを特徴とするシート状物の
連続表面処理装置を提供する。
第１図は、本発明のシート状物の連続表面改質又はコ
ーティング装置の一実施例を示すものである。
ーティング装置の一実施例を示すものである。
図中１は処理チャンバーで、その両側壁にはそれぞれ
被処理物シート２が導入される導入口３と該被処理物の
処理終了部分が排出される排出口４とが形成され、また
底壁にはチャンバー内の空気を外部へ排気する空気排出
口５が形成され、この空気排出口５は、通常はバルブ６
により閉塞されている。この処理チャンバー１内には２
個の板状金属電極7,7が所定間隔離間して互いに平行に
配置され、それらの互いに対向する内側表面には薄膜絶
縁体シート8,8がはりつけてある。また、９はヘリウム
ガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスをチャン
バー１内に供給する反応ガス供給管で、この供給管９は
配管10、バルブ11を介してガス供給ポンプ等に接続され
ている。上記導入口３と排出口４とには、第２図に示し
たように、その内側に可撓性プラスチックなどからなる
２枚の逆流防止弁12,12を導入口３、排出口４の上下内
壁面に互いに対向させてその一端部を貼着し、他端部を
被処理物シート２を挾んで重ね合わせるように構成した
シール機構13,13が設けられている。なお、第１図中14
はバルブ15を備えたガス排出口、16は電極7,7間に電圧
を印加する安定電源である。また、17は被処理物シート
の保持ロール、18は巻き取りロールであり、保持ロール
17から送り出された被処理物シート２は、上記導入口３
からチャンバー１内に導入され、電極7,7間を通って排
出口４に導かれて巻き取りロール18に巻き取られるよう
になっている。
被処理物シート２が導入される導入口３と該被処理物の
処理終了部分が排出される排出口４とが形成され、また
底壁にはチャンバー内の空気を外部へ排気する空気排出
口５が形成され、この空気排出口５は、通常はバルブ６
により閉塞されている。この処理チャンバー１内には２
個の板状金属電極7,7が所定間隔離間して互いに平行に
配置され、それらの互いに対向する内側表面には薄膜絶
縁体シート8,8がはりつけてある。また、９はヘリウム
ガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスをチャン
バー１内に供給する反応ガス供給管で、この供給管９は
配管10、バルブ11を介してガス供給ポンプ等に接続され
ている。上記導入口３と排出口４とには、第２図に示し
たように、その内側に可撓性プラスチックなどからなる
２枚の逆流防止弁12,12を導入口３、排出口４の上下内
壁面に互いに対向させてその一端部を貼着し、他端部を
被処理物シート２を挾んで重ね合わせるように構成した
シール機構13,13が設けられている。なお、第１図中14
はバルブ15を備えたガス排出口、16は電極7,7間に電圧
を印加する安定電源である。また、17は被処理物シート
の保持ロール、18は巻き取りロールであり、保持ロール
17から送り出された被処理物シート２は、上記導入口３
からチャンバー１内に導入され、電極7,7間を通って排
出口４に導かれて巻き取りロール18に巻き取られるよう
になっている。
ここで、上記薄膜縁体シート8,8の材質等に制限はな
いが、その厚さは0.001〜3mm、特に上側の電極（電源接
続側）にはりつけるものは1mm以下とすることが好まし
い。
いが、その厚さは0.001〜3mm、特に上側の電極（電源接
続側）にはりつけるものは1mm以下とすることが好まし
い。
上記連続表面改質又はコーティング装置を用いてシー
ト状物の表面に改質又はコーティング処理を施す場合、
まず第３図に示したようにチャンバー１の両側壁に形成
された導入口３及び排出口４を板状閉塞蓋19,19で塞ぎ
（第３図中20,20はＯリングである）、バルブ６を開い
て排気ポンプにより、空気排出口５よりチャンバー１内
の空気を排出し（この際、バルブ15,11は閉じてお
く）、次にバルブ11を開いて高純度ヘリウムガスをチャ
ンバー１内に導入し、チャンバー１内の空気をヘリウム
ガスに置換する。次いで、バルブ11,配管10を介して反
応ガス供給管９よりヘリウムガス又はヘリウムガスを主
成分とする混合ガスをチャンバー内に連続的に供給する
と共に、安定電源16より電極8,8間に電圧を印加して電
極8,8間にヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とす
る混合ガスのプラズマ領域を形成し、被処理物シートを
保持ロール17から送り出すと共に、巻き取りロール18に
巻き取る。これにより、保持ロール17から送り出された
被処理物シートの表面は、電極7,7間に形成されたプラ
ズマ領域で連続的にプラズマ放電処理が施され、処理終
了部分が巻き取りロール18に連続的に回収される。
ト状物の表面に改質又はコーティング処理を施す場合、
まず第３図に示したようにチャンバー１の両側壁に形成
された導入口３及び排出口４を板状閉塞蓋19,19で塞ぎ
（第３図中20,20はＯリングである）、バルブ６を開い
て排気ポンプにより、空気排出口５よりチャンバー１内
の空気を排出し（この際、バルブ15,11は閉じてお
く）、次にバルブ11を開いて高純度ヘリウムガスをチャ
ンバー１内に導入し、チャンバー１内の空気をヘリウム
ガスに置換する。次いで、バルブ11,配管10を介して反
応ガス供給管９よりヘリウムガス又はヘリウムガスを主
成分とする混合ガスをチャンバー内に連続的に供給する
と共に、安定電源16より電極8,8間に電圧を印加して電
極8,8間にヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とす
る混合ガスのプラズマ領域を形成し、被処理物シートを
保持ロール17から送り出すと共に、巻き取りロール18に
巻き取る。これにより、保持ロール17から送り出された
被処理物シートの表面は、電極7,7間に形成されたプラ
ズマ領域で連続的にプラズマ放電処理が施され、処理終
了部分が巻き取りロール18に連続的に回収される。
ここで、上記ヘリウムガスを主成分とする混合ガスと
しては、ヘリウムとO2,N2,CF4,C2F6,CH4,C2H4等との混
合ガスを用いることができ、その混合比率はヘリウム対
比で０〜30体積％程度とすることができる。また、電極
7,7間に印加する電圧は、50Hz以上、特に500Hz以上の周
波数として、0.5〜10KVの範囲で印加することが安定的
な放電を得る点から好ましい。更に、処理速度は、被処
理物シートの１点における処理時間にして0.1〜1000
秒、特に0.5〜300秒とすることが好ましい。
しては、ヘリウムとO2,N2,CF4,C2F6,CH4,C2H4等との混
合ガスを用いることができ、その混合比率はヘリウム対
比で０〜30体積％程度とすることができる。また、電極
7,7間に印加する電圧は、50Hz以上、特に500Hz以上の周
波数として、0.5〜10KVの範囲で印加することが安定的
な放電を得る点から好ましい。更に、処理速度は、被処
理物シートの１点における処理時間にして0.1〜1000
秒、特に0.5〜300秒とすることが好ましい。
上記処理方法において、シール機構13はチャンバー１
内のヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合
ガスの漏れを許容し得る非気密状態にシールする機構と
され，チャンバー１内を完全にシールし、外部からチャ
ンバー内を封鎖するものではなく、上記ヘリウムガス又
は混合ガスが漏れ得る非気密状態のシール機構である
が、上述したようにチャンバー１内にヘリウムガス又は
混合ガスを連続的に導入していることとあいまって、プ
ラズマ領域が破壊されることがなく、プラズマ領域が安
定しているものである。従って、良好な表面改質又はコ
ーティング処理ができるものである。
内のヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合
ガスの漏れを許容し得る非気密状態にシールする機構と
され，チャンバー１内を完全にシールし、外部からチャ
ンバー内を封鎖するものではなく、上記ヘリウムガス又
は混合ガスが漏れ得る非気密状態のシール機構である
が、上述したようにチャンバー１内にヘリウムガス又は
混合ガスを連続的に導入していることとあいまって、プ
ラズマ領域が破壊されることがなく、プラズマ領域が安
定しているものである。従って、良好な表面改質又はコ
ーティング処理ができるものである。
また、上記処理方法によれば、被処理物シートに連続
的に表面改質又はコーティング処理を施すことができ、
この場合に被処理物シートの保持ロールをチャンバー内
に収容するものではなく、保持ロールから繰り出された
被処理物シートをチャンバー内のプラズマ領域を通過さ
せるだけなので、チャンバーの大きさを従来のものに比
べ非常に小型化することができる。このため、かなりの
長尺で大型の被処理物シートを扱う場合にも容易に対応
し得、処理の規模を容易に拡張することができる。ま
た、最初にチャンバー内をヘリウムガスに置換する際に
排気ポンプを用いるだけであり、常にチャンバー内を減
圧に保持する必要がないので、排気ポンプも小型化する
ことができ、従ってチャンバーだけでなく、装置全体を
小型することができる上、排気ポンプの作動コストも大
巾に削減することができる。更にまた、被処理物シート
を処理チャンバーの外部より連続的に導入する構成とし
たので、シート状物の製造工程より被処理物シートを直
接チャンバー内に導入することが可能であり、製造ライ
ンを容易にインライン化し得るものである。
的に表面改質又はコーティング処理を施すことができ、
この場合に被処理物シートの保持ロールをチャンバー内
に収容するものではなく、保持ロールから繰り出された
被処理物シートをチャンバー内のプラズマ領域を通過さ
せるだけなので、チャンバーの大きさを従来のものに比
べ非常に小型化することができる。このため、かなりの
長尺で大型の被処理物シートを扱う場合にも容易に対応
し得、処理の規模を容易に拡張することができる。ま
た、最初にチャンバー内をヘリウムガスに置換する際に
排気ポンプを用いるだけであり、常にチャンバー内を減
圧に保持する必要がないので、排気ポンプも小型化する
ことができ、従ってチャンバーだけでなく、装置全体を
小型することができる上、排気ポンプの作動コストも大
巾に削減することができる。更にまた、被処理物シート
を処理チャンバーの外部より連続的に導入する構成とし
たので、シート状物の製造工程より被処理物シートを直
接チャンバー内に導入することが可能であり、製造ライ
ンを容易にインライン化し得るものである。
第4,5図は、本発明のシート状物の連続表面改質又は
コーティング装置の他の実施例を示すものである。な
お、第4,5図において第１〜３図の装置と同一構成部分
には同一参照付号を付してその説明を省略する。
コーティング装置の他の実施例を示すものである。な
お、第4,5図において第１〜３図の装置と同一構成部分
には同一参照付号を付してその説明を省略する。
この第4,5図に示した装置は、被処理物の導入口３及
び排出口４をチャンバー１の両側壁の下部（両電極8,8
よりも低い位置）に設けると共に、この導入口３及び排
出口４の外部にこれらと連通する予備真空室21,21を付
設したものである。この予備真空室21,21内にはそれぞ
れ上，下２個のガイドローラ22a,22b,22a,22bが備えら
れており、これらにガイドされて被処理物シート２がチ
ャンバー１内に導入され、あるいはチャンバー１外に排
出されるようになっており、更に、該予備真空室21,21
の底壁にはそれぞれ予備空気排出口23,23が形成されて
おり、これらはバルブ24,24により開閉し得るようにな
っている。なお、これら真空室21,21のチャンバー内と
連通する間隙25,25及び外部に至る間隙26,26はシート状
被処理物２が接触しない範囲で極力狭く形成してある。
この場合、これら間隙25,26は被処理物シートが通過す
る場合において被処理物シートとのギャップが0.01〜0.
5mmの間隙とするのがよい。また、上記導入口３よりチ
ャンバー内に導入された被処理物２は第１及び第２ガイ
ドローラ27,28により電極7,7間に導かれ、電極7,7間を
通過したシート状被処理物２は第３及び第４ガイドロー
ラ29,30にガイドされて排出口４に導かれるようになっ
ており、これら機構によりシール機構13が構成されてい
る。
び排出口４をチャンバー１の両側壁の下部（両電極8,8
よりも低い位置）に設けると共に、この導入口３及び排
出口４の外部にこれらと連通する予備真空室21,21を付
設したものである。この予備真空室21,21内にはそれぞ
れ上，下２個のガイドローラ22a,22b,22a,22bが備えら
れており、これらにガイドされて被処理物シート２がチ
ャンバー１内に導入され、あるいはチャンバー１外に排
出されるようになっており、更に、該予備真空室21,21
の底壁にはそれぞれ予備空気排出口23,23が形成されて
おり、これらはバルブ24,24により開閉し得るようにな
っている。なお、これら真空室21,21のチャンバー内と
連通する間隙25,25及び外部に至る間隙26,26はシート状
被処理物２が接触しない範囲で極力狭く形成してある。
この場合、これら間隙25,26は被処理物シートが通過す
る場合において被処理物シートとのギャップが0.01〜0.
5mmの間隙とするのがよい。また、上記導入口３よりチ
ャンバー内に導入された被処理物２は第１及び第２ガイ
ドローラ27,28により電極7,7間に導かれ、電極7,7間を
通過したシート状被処理物２は第３及び第４ガイドロー
ラ29,30にガイドされて排出口４に導かれるようになっ
ており、これら機構によりシール機構13が構成されてい
る。
この第4,5図に示した装置を用いてシート状物の表面
に改質，コーティング処理を施す場合は、まずチャンバ
ー１に設けられた空気排出口５及び予備真空室21,21に
設けられた予備空気排出口23,23からチャンバー内の空
気を排出し、次にバルブ11を開いて高純度ヘリウムガス
をチャンバー１内に導入し、チャンバー内の空気をヘリ
ウムガスに置換する。以下、上記第１図に示した装置と
同様の操作により被処理物２に表面改質，コーティング
処理を施すものである。
に改質，コーティング処理を施す場合は、まずチャンバ
ー１に設けられた空気排出口５及び予備真空室21,21に
設けられた予備空気排出口23,23からチャンバー内の空
気を排出し、次にバルブ11を開いて高純度ヘリウムガス
をチャンバー１内に導入し、チャンバー内の空気をヘリ
ウムガスに置換する。以下、上記第１図に示した装置と
同様の操作により被処理物２に表面改質，コーティング
処理を施すものである。
上記第５図に示したシール機構13も非気密状態のシー
ルであり、第２図のシール機構と同様に安定したプラズ
マ領域が形成されるので、この第4,5図の装置を用いて
シート状物に表面改質又はコーティング処理を施すこと
により、上記第１図の装置を用いる場合と同様の効果が
生じるが、この装置においては、特に被処理物の導入口
３及び排出口４をチャンバー１の下部に設けたことによ
り、比重の小さいヘリウムガスがこれら導入口３や排出
口４から外部へ流出し難く、このため少ない反応ガス流
量で良好な処理を施すことができる。
ルであり、第２図のシール機構と同様に安定したプラズ
マ領域が形成されるので、この第4,5図の装置を用いて
シート状物に表面改質又はコーティング処理を施すこと
により、上記第１図の装置を用いる場合と同様の効果が
生じるが、この装置においては、特に被処理物の導入口
３及び排出口４をチャンバー１の下部に設けたことによ
り、比重の小さいヘリウムガスがこれら導入口３や排出
口４から外部へ流出し難く、このため少ない反応ガス流
量で良好な処理を施すことができる。
本発明のシート状物の連続表面処理方法及びその装置
は上記実施例に示した方法及び装置に限定されるもので
はなく、本発明の要旨の範囲内で種々変更することがで
きる。例えば第１図及び第４図に示した装置において、
そのシート状被処理物２の導入口３及び排出口４に備え
られた第２図及び第５図に示したシール機構の代りに第
６図A,Bに示したシール機構、即ちシート状被処理物２
の導入口３及び排出口４を外側から覆うようにローラ室
31,31を設け、このローラ室31,31内にそれぞれ被処理物
２をガイドする上，下２個の圧着ローラ32,32を配設す
ると共に、これら圧着ローラ32,32とチャンバー１との
間及びローラ室壁33との間をシールするフィルム弁34,3
4を設けたシール機構（なお（Ａ）図において35はＯリ
ング、（Ｂ）図において36はロールサイドシール材、37
は回転軸シール材である）、或いは第７図に示したシー
ル機構、即ち導入口３及び排出口４を上下動可能な間隙
調節ピストン38,38と台座部39,39とにより形成し、導入
口３及び排出口４を被処理物シート２が接触せずに通過
し得る最小の間隙（被処理物シートの両側に若干の隙間
が形成される程度の間隙）に調節し得るようにしたシー
ル機構（なお、第７図において40はＯリングである。ま
た、この機構はチャンバー１内の空気をヘリウムガスに
置換する際にはピストン38,38を台座部39,39に被処理物
シート２を介して圧着させることにより、導入口３及び
排出口４を完全に閉塞することができる。）を設けるこ
とができる。
は上記実施例に示した方法及び装置に限定されるもので
はなく、本発明の要旨の範囲内で種々変更することがで
きる。例えば第１図及び第４図に示した装置において、
そのシート状被処理物２の導入口３及び排出口４に備え
られた第２図及び第５図に示したシール機構の代りに第
６図A,Bに示したシール機構、即ちシート状被処理物２
の導入口３及び排出口４を外側から覆うようにローラ室
31,31を設け、このローラ室31,31内にそれぞれ被処理物
２をガイドする上，下２個の圧着ローラ32,32を配設す
ると共に、これら圧着ローラ32,32とチャンバー１との
間及びローラ室壁33との間をシールするフィルム弁34,3
4を設けたシール機構（なお（Ａ）図において35はＯリ
ング、（Ｂ）図において36はロールサイドシール材、37
は回転軸シール材である）、或いは第７図に示したシー
ル機構、即ち導入口３及び排出口４を上下動可能な間隙
調節ピストン38,38と台座部39,39とにより形成し、導入
口３及び排出口４を被処理物シート２が接触せずに通過
し得る最小の間隙（被処理物シートの両側に若干の隙間
が形成される程度の間隙）に調節し得るようにしたシー
ル機構（なお、第７図において40はＯリングである。ま
た、この機構はチャンバー１内の空気をヘリウムガスに
置換する際にはピストン38,38を台座部39,39に被処理物
シート２を介して圧着させることにより、導入口３及び
排出口４を完全に閉塞することができる。）を設けるこ
とができる。
以上説明したように、本発明のシート状物の連続表面
処理方法及び装置によれば、処理チャンバーや排気ポン
プを大巾に小型化することができ、しかもシート状物の
表面に均一かつ良好な改質又はコーティング処理を連続
的に施すことができる。従って、大型の被処理物を扱う
場合にも容易に対応し得、処理の規模を容易に拡張する
ことができる。また、シート状物の製造ラインを容易に
インライン化し得るものである。
処理方法及び装置によれば、処理チャンバーや排気ポン
プを大巾に小型化することができ、しかもシート状物の
表面に均一かつ良好な改質又はコーティング処理を連続
的に施すことができる。従って、大型の被処理物を扱う
場合にも容易に対応し得、処理の規模を容易に拡張する
ことができる。また、シート状物の製造ラインを容易に
インライン化し得るものである。
以下、実験例を示す。
〔実施例１〕 第１図に示した装置及び第2,3図のシール機構を用
い、以下に示した操作により、厚さ100μのポリエステ
ルシートの表面に第１表に示した如く処理速度を変えな
がら親水化処理を施し、処理後のポリエステルシート表
面の接触角を測定した。結果を第１表に示す。
い、以下に示した操作により、厚さ100μのポリエステ
ルシートの表面に第１表に示した如く処理速度を変えな
がら親水化処理を施し、処理後のポリエステルシート表
面の接触角を測定した。結果を第１表に示す。
操 作 まず、第３図に示した如く、被処理物であるポリエス
テルシート２を挾んだまま、被処理物の導入口３及び排
出口４をＯリング17を介して閉塞蓋19,19でそれぞれ塞
ぎ、空気排出口５から真空ポンプを用いてチャンバー１
内の空気を１×10-2Torr以上の真空度に達するまで排気
した後、バルブ６を閉じ、バルブ11を開けて高純度ヘリ
ウムガスをチャンバー１内に導入し、チャンバー１内を
ヘリウムガスで置換した。続いて、ヘリウムガスと酸素
の混合ガス（He:O2＝99:1）をバルブ11及び配管10を介
して反応ガス供給管９より一定流量でチャンバー１内に
供給し、上記閉塞蓋19,19を取り去ると共に、巻き取り
ロール18を回転させてポリエステルシート２を導入口３
から排出口４へ向けて連続的に動かし、安定電源16より
電源7,7間に8KHz,2KVの低周波を印加して電極7,7間にプ
ラズマ領域を形成し、該プラズマ領域中でポリエステル
シート２の表面を連続的に放電処理した。
テルシート２を挾んだまま、被処理物の導入口３及び排
出口４をＯリング17を介して閉塞蓋19,19でそれぞれ塞
ぎ、空気排出口５から真空ポンプを用いてチャンバー１
内の空気を１×10-2Torr以上の真空度に達するまで排気
した後、バルブ６を閉じ、バルブ11を開けて高純度ヘリ
ウムガスをチャンバー１内に導入し、チャンバー１内を
ヘリウムガスで置換した。続いて、ヘリウムガスと酸素
の混合ガス（He:O2＝99:1）をバルブ11及び配管10を介
して反応ガス供給管９より一定流量でチャンバー１内に
供給し、上記閉塞蓋19,19を取り去ると共に、巻き取り
ロール18を回転させてポリエステルシート２を導入口３
から排出口４へ向けて連続的に動かし、安定電源16より
電源7,7間に8KHz,2KVの低周波を印加して電極7,7間にプ
ラズマ領域を形成し、該プラズマ領域中でポリエステル
シート２の表面を連続的に放電処理した。
第１表の結果から明らかなように、処理スピード（処
理時間）を変えても、いずれも処理無しのものに比べて
接触角が小さくなっており、ポリエステルシート表面が
連続的にしかも均一に親水化された。
理時間）を変えても、いずれも処理無しのものに比べて
接触角が小さくなっており、ポリエステルシート表面が
連続的にしかも均一に親水化された。
なお、比較のため導入口３及び排出口４から逆流防止
弁12,12を取りはずして同様の処理を行なったところ、
導入口３及び排出口４から大気が流れ込み、このため電
極7,7間に電圧を印加しても放電が開始せず、処理を行
なうことができなかった。
弁12,12を取りはずして同様の処理を行なったところ、
導入口３及び排出口４から大気が流れ込み、このため電
極7,7間に電圧を印加しても放電が開始せず、処理を行
なうことができなかった。
〔実験例２〕 第2,3図に示したシール機構の代りに第６図（Ａ），
（Ｂ）に示したシール機構を用いた以外は第１図の装置
と同様の構成の装置を用い、反応ガスとしてヘリウムガ
スとCF4との混合ガス（He:O2＝99:1）を使用すると共
に、8KHz,3KVのオーディオ波を電極7,7間に印加した以
外は実験例１と同様の操作により綿布表面に撥水化処理
を施し、接触角を測定した。結果を第２表に示す。
（Ｂ）に示したシール機構を用いた以外は第１図の装置
と同様の構成の装置を用い、反応ガスとしてヘリウムガ
スとCF4との混合ガス（He:O2＝99:1）を使用すると共
に、8KHz,3KVのオーディオ波を電極7,7間に印加した以
外は実験例１と同様の操作により綿布表面に撥水化処理
を施し、接触角を測定した。結果を第２表に示す。
第２表の結果に示した如く、処理スピード（処理時
間）を変えても、いずれも処理無しのものに比べて接触
角が大きくなっており、綿布表面が連続的にしかも均一
に撥水化されたことが認められる。
間）を変えても、いずれも処理無しのものに比べて接触
角が大きくなっており、綿布表面が連続的にしかも均一
に撥水化されたことが認められる。
〔実験例３〕 第2,3図に示したシール機構の代りに第７図に示した
シール機構を用いた以外は第１図の装置と同様の構成の
装置を用い、下記操作により第３表に示したゴム組成物
を加硫成形したゴムシート表面に撥水化処理を施した。
処理終了後、ゴムシート表面の接触角及び平均摩擦係数
を測定した。結果を第４表に示す。
シール機構を用いた以外は第１図の装置と同様の構成の
装置を用い、下記操作により第３表に示したゴム組成物
を加硫成形したゴムシート表面に撥水化処理を施した。
処理終了後、ゴムシート表面の接触角及び平均摩擦係数
を測定した。結果を第４表に示す。
操 作 ゴムシート２を処理装置にセットした後、間隙調節ピ
ストン38,38を下げ、ゴムシート２をシール材として導
入口３及び排出口４を閉塞した後、実施例１と同様にし
てチャンバー１内を真空排気し、ヘリウムガスで置換し
た。次いで、反応ガスとしてヘリウムガスで１％濃度に
希釈したCF4ガスを一定流量流し、上記ピストン38,38を
上げて微小な間隙（導入口3,排出口４）を形成し（ゴム
シート２がこすらずに通過できる程度の間隙）、シート
２を動かし、8KHz,3KVのオーディオ波を電極7,7間に印
加し、処理を行なった。
ストン38,38を下げ、ゴムシート２をシール材として導
入口３及び排出口４を閉塞した後、実施例１と同様にし
てチャンバー１内を真空排気し、ヘリウムガスで置換し
た。次いで、反応ガスとしてヘリウムガスで１％濃度に
希釈したCF4ガスを一定流量流し、上記ピストン38,38を
上げて微小な間隙（導入口3,排出口４）を形成し（ゴム
シート２がこすらずに通過できる程度の間隙）、シート
２を動かし、8KHz,3KVのオーディオ波を電極7,7間に印
加し、処理を行なった。
第４表に示した如く、処理スピード（処理時間）を変
えても、いずれも処理無しのものに比べて接触角が大き
くなっており、ゴムシート表面が連続処理で均一に撥水
化した。また、ゴムシート表面の平均摩擦係数は処理無
しのものに比べて1/3に減少しており、フッ素化により
表面のすべり性が向上したことが確認された。
えても、いずれも処理無しのものに比べて接触角が大き
くなっており、ゴムシート表面が連続処理で均一に撥水
化した。また、ゴムシート表面の平均摩擦係数は処理無
しのものに比べて1/3に減少しており、フッ素化により
表面のすべり性が向上したことが確認された。
〔実験例４〕 第2,3図に示したシール機構の代りに第５図に示した
シール機構を用いた以外は第１図の装置と同様の構成の
装置を用い、以下に示した操作により、厚さ100μのポ
リエステルシート表面に撥水化処理を施した。
シール機構を用いた以外は第１図の装置と同様の構成の
装置を用い、以下に示した操作により、厚さ100μのポ
リエステルシート表面に撥水化処理を施した。
操 作 ポリエステルシート２をセットした後、チャンバー１
内の排気と共に予備真空室21,21内も排気ポンプにより
真空にした後、チャンバー１内に高純度ヘリウムガスを
導入し、チャンバー１内をヘリウムガスに置換した。次
いで、ヘリウムガスで希釈した１％CF4混合ガスを一定
流量でチャンバー１内に導入し、電極7,7間に8KHz,3KV
の電圧を印加して放電を開始させ、ポリエステルシート
２を移動させることで連続処理を行なった。
内の排気と共に予備真空室21,21内も排気ポンプにより
真空にした後、チャンバー１内に高純度ヘリウムガスを
導入し、チャンバー１内をヘリウムガスに置換した。次
いで、ヘリウムガスで希釈した１％CF4混合ガスを一定
流量でチャンバー１内に導入し、電極7,7間に8KHz,3KV
の電圧を印加して放電を開始させ、ポリエステルシート
２を移動させることで連続処理を行なった。
第５表の結果から明らかなように、処理スピード（処
理時間）を変えても、いずれも処理無しのものに比べて
接触角が大きくなっており、ポリエステルシート表面が
連続的にしかも均一に撥水化された。
理時間）を変えても、いずれも処理無しのものに比べて
接触角が大きくなっており、ポリエステルシート表面が
連続的にしかも均一に撥水化された。
また、第５図に示したシール機構をチャンバー１の下
部に配設した第４図に示した装置を用い、同様の操作に
よりポリエステルシート表面に撥水化処理を施したとこ
ろ、処理時にチャンバー内に導入する混合ガス（反応ガ
ス）の流量を約半分にしても安定な放電が得られ、しか
も良好な撥水化処理を行なうことができた。
部に配設した第４図に示した装置を用い、同様の操作に
よりポリエステルシート表面に撥水化処理を施したとこ
ろ、処理時にチャンバー内に導入する混合ガス（反応ガ
ス）の流量を約半分にしても安定な放電が得られ、しか
も良好な撥水化処理を行なうことができた。
第１図は、本発明の装置の一実施例を示す概略図、第２
図は同装置の導入口３及び排出口４部分を示す拡大断面
図、第３図は同装置のヘリウムガス置換時の操作を説明
する部分拡大断面図、第４図は本発明装置の他の実施例
を示す概略図、第５図は同装置の導入口３及び排出口４
部分を示す拡大断面図、第６図及び第７図は本発明装置
を構成するシール機構の例を示すもので、第６図（Ａ）
は断面図、第６図（Ｂ）は（Ａ）図Ｂ−Ｂ線に沿った断
面図、第７図は断面図である。 １……処理チャンバー、２……シート状被処理物 ３……被処理物導入口、４……被処理物排出口 ５……空気排出口、7,7……電極 ９……反応ガス供給管、13……シール機構
図は同装置の導入口３及び排出口４部分を示す拡大断面
図、第３図は同装置のヘリウムガス置換時の操作を説明
する部分拡大断面図、第４図は本発明装置の他の実施例
を示す概略図、第５図は同装置の導入口３及び排出口４
部分を示す拡大断面図、第６図及び第７図は本発明装置
を構成するシール機構の例を示すもので、第６図（Ａ）
は断面図、第６図（Ｂ）は（Ａ）図Ｂ−Ｂ線に沿った断
面図、第７図は断面図である。 １……処理チャンバー、２……シート状被処理物 ３……被処理物導入口、４……被処理物排出口 ５……空気排出口、7,7……電極 ９……反応ガス供給管、13……シール機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹羽 英之 埼玉県狭山市北入曽755―１―714 (72)発明者 福浦 幸男 埼玉県狭山市北入曽199―８ (72)発明者 内藤 壽夫 神奈川県川崎市宮前区馬絹969―１ (72)発明者 岡崎 幸子 東京都杉並区高井戸東２―20―11 (72)発明者 小駒 益弘 埼玉県和光市下新倉843―15 (56)参考文献 特開 昭61−207445（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−257455（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−256541（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08J 7/00,7/18 D06B 19/00 C23C 14/56
Claims (2)
- 【請求項１】処理チャンバー内に形成されたヘリウムガ
ス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスのプラズマ
領域中で被処理物シート表面にプラズマ放電処理を施す
表面改質又はコーティング方法において、処理チャンバ
ー内の空気をヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分と
する混合ガスに置換した後、このチャンバー内にヘリウ
ムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスを連続
的に導入しつつ、大気圧下に該ヘリウムガス又は混合ガ
スのプラズマ領域を形成し、該プラズマ領域中に長尺の
被処理物シートをチャンバー外より該チャンバーの上記
ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る非気密状
態にシールされた被処理物導入口を通して連続的に導入
し、該被処理物シート表面にプラズマ放電処理を連続的
に施すと共に、該被処理物シートの処理終了部分を上記
ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る非気密状
態にシールされた被処理物排出口を通して連続的に上記
チャンバー外に排出することを特徴とするシート状物の
連続表面処理方法。 - 【請求項２】ヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分と
する混合ガスのプラズマ領域を形成する電極を内部に備
えると共に、上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許
容し得る非気密状態にシールされた被処理物の導入口と
排出口とがそれぞれ形成された処理チャンバーと、該チ
ャンバー内の空気を外部へ排気する空気排出機構と、こ
のチャンバー内にヘリウムガス又はヘリウムガスを主成
分とする混合ガスを供給する反応ガス供給機構と、上記
被処理物の導入口及び排出口を上記非気密状態にシール
するシール機構とを具備してなり、上記導入口から長尺
被処理物シートを上記処理チャンバー内に連続的に導入
し、上記電極間に形成されたプラズマ領域を通過させ
て、被処理物シート表面にプラズマ放電処理を連続的に
施すと共に、この被処理物シートの処理終了部分を上部
排出口よりチャンバー外へ連続的に排出するよう構成し
たことを特徴とするシート状物の連続表面処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1282753A JP2811820B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | シート状物の連続表面処理方法及び装置 |
| US08/513,007 US5529631A (en) | 1989-10-30 | 1995-08-09 | Apparatus for the continuous surface treatment of sheet material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1282753A JP2811820B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | シート状物の連続表面処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03143930A JPH03143930A (ja) | 1991-06-19 |
| JP2811820B2 true JP2811820B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=17656613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1282753A Expired - Fee Related JP2811820B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | シート状物の連続表面処理方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5529631A (ja) |
| JP (1) | JP2811820B2 (ja) |
Families Citing this family (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05235520A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路用基板のプラズマ処理方法 |
| FR2692598B1 (fr) * | 1992-06-17 | 1995-02-10 | Air Liquide | Procédé de dépôt d'un film contenant du silicium à la surface d'un substrat métallique et procédé de traitement anti-corrosion. |
| FR2713670B1 (fr) * | 1993-12-15 | 1996-01-12 | Air Liquide | Procédé et dispositif de traitement de surfaces métalliques par voie sèche. |
| US5728224A (en) * | 1995-09-13 | 1998-03-17 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Apparatus and method for manufacturing a packaging material using gaseous phase atmospheric photo chemical vapor deposition to apply a barrier layer to a moving web substrate |
| US5743966A (en) * | 1996-05-31 | 1998-04-28 | The Boc Group, Inc. | Unwinding of plastic film in the presence of a plasma |
| JP3844151B2 (ja) * | 1997-05-14 | 2006-11-08 | 凸版印刷株式会社 | 表面処理装置 |
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| US6106659A (en) * | 1997-07-14 | 2000-08-22 | The University Of Tennessee Research Corporation | Treater systems and methods for generating moderate-to-high-pressure plasma discharges for treating materials and related treated materials |
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| JP2002526219A (ja) * | 1998-09-21 | 2002-08-20 | ザ、プロクター、エンド、ギャンブル、カンパニー | 耐久的に湿潤性である液体透過性ウェブ |
| US6974629B1 (en) | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
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| EP1029702B1 (en) | 1999-02-15 | 2004-04-14 | Konica Corporation | Surface treatment method, production method for ink jet recording medium, and ink jet recording medium |
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| MXPA03002988A (es) * | 2000-10-04 | 2004-12-06 | Dow Corning Ireland Ltd | Metodo y aparato para formar un recubrimiento. |
| US20060118242A1 (en) * | 2001-02-12 | 2006-06-08 | Anthony Herbert | Atmospheric pressure plasma system |
| DE10109786A1 (de) * | 2001-02-28 | 2002-12-12 | Fractal Ag | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
| SK6292001A3 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-06 | Mirko Cernak | Method and device for the treatment of textile materials |
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