JP3517666B2 - ガス密閉機構およびこのガス密閉機構を使用した表面処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シート状、フィル
ム状，箔状、帯状あるいは板状等の平らな被処理物を大
気圧プラズマ放電、電子線照射、紫外線照射等により表
面処理する表面処理装置及び当該表面処理装置に使用す
るガス密閉機構に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、シート状、フィルム状、箔状、帯
状、板状等の平らな被処理物の表面を改質する方法とし
ては、塗工処理や酸アルカリ等への浸漬処理等の湿式処
理方法、コロナ放電処理やフレーム処理や紫外線等によ
る光改質処理方法、あるいは低温プラズマ処理等の乾式
処理方法等が提案されている。このような処理方法の中
でも低温プラズマ処理方法を例にとると、熱による材料
への影響が無く、非接触で、しかも高速かつ均一に処理
ができるほか、処理後の洗浄や乾燥などの処置が必要で
ないため、広く使用されている。なお、ここでいう低温
プラズマ処理とは、低温プラズマ状態の処理雰囲気に被
処理物の表面を接触させることにより表面改質を行う方
法のことをいう。

【０００３】また、低温プラズマ状態とは、「自由に動
きうる多数の正イオンと負イオン（電子を含む）が巨視
的に電気的中性を保って存在している状態と定義される
プラズマ状態のなかで、プラズマを構成している種のう
ち電子の平均エネルギーがイオンや中性種の平均エネル
ギーよりも大きな状態にあるプラズマ状態を指す」と定
義されており、非平衡プラズマ状態とも呼ばれている。

【０００４】ところが、低温プラズマは真空中でしか発
生しないため装置が大型化し工程が煩雑になる問題があ
った。また、真空装置中で処理を行うためシート状物等
を連続して処理することが難しいという問題もあった。

【０００５】このような問題を解消するため、大気圧プ
ラズマ放電処理方法と呼ばれる処理方法が提案されてい
る。この大気圧プラズマ放電処理方法は、低温プラズマ
処理方法の中でも誘電体を備えた対向した電極間をヘリ
ウムガスあるいはヘリウムガスを主成分とした混合ガス
で満たし、該電極間に高電圧をかけることで発生する大
気圧低温プラズマ放電領域を利用して被処理物の表面を
処理するものである。

【０００６】この大気圧低温プラズマ処理は、特開平３
−１４３９３０号公報に記載されているように、シート
状の被処理物を連続的に放電処理する方法として提案さ
れている。

【０００７】図６は、従来の大気圧プラズマ放電による
表面処理装置の概略図である。この図において、処理室
１０１は中空状の立体で構成されており、この処理室１
０１には被処理物通過路１０２が設けられている。この
処理室１０１の内部には、被処理物通過路１０２に対向
させて誘電体を備えた電極１０３，１０３が設けられて
いる。これら電極１０３，１０３の間には、高圧電源１
０４から高電圧を印加できるようにしてある。前記処理
室１０１には、ガス供給口１０５と、ガス排気口１０６
が設けられている。このガス供給口１０５には、ヘリウ
ムガスあるいはヘリウムガスを主成分とする混合ガスが
供給できるようにしてある。処理室１０１の内部のヘリ
ウムガス又は混合ガスはガス排気口１０６から排気でき
るようにしてある。

【０００８】また、前記処理室１０１の被処理物１０７
の導入口および同排出口には、密閉機構１０８ａ，１０
８ｂが設けられている。この密閉機構１０８ａ，１０８
ｂは同一構造をしており、導入口に設けられた密閉機構
を密閉機構１０８ａとし、排出口に設けられた密閉機構
を密閉機構１０８ｂとしている。以下では、密閉機構１
０８ａの構造を代表させて説明する。

【０００９】前記処理室１０１の導入口を壁面１０９で
覆い密封室１１０を構成させる。この密封室１１０に
は、前記導入口に合わせて開口部１１１が穿設されてい
る。この密封室１１０の内部には、被処理物１０７をガ
イドする圧着ローラ１１２，１１３が図示上下に設けら
れている。これら圧着ローラ１１２，１１３のロール表
面と処理室１０１との間には、これらの間を密閉するフ
ィルム弁１１４，１１５が設けられている。また、これ
ら圧着ローラ１１２，１１３のロール側面には、図示し
ないがロールサイドシール材が設けられている。

【００１０】そして、被処理物１０７は、入口側密閉機
構１０８ａの開口部１１１、圧着ローラ１１２，１１３
の間、処理室１０１の導入口、被処理物通過路１０２を
通って電極１０３，１０３の間を通過するようになって
いる。これら電極１０３，１０３の間を通過するとき
に、被処理物１０７は大気圧プラズマにより表面が改質
される。そして、処理室１０１の排出口、出口側密閉機
構１０８ｂの圧着ローラ１１２，１１３の間、開口部１
１１を通って排出される。

【００１１】また、この表面処理装置において、ヘリウ
ムガスあるいはヘリウムガスを主成分とする混合ガスは
ガス供給口１０５を介して処理室１０１に供給され、か
つ処理室１０１の内部のヘリウムガス又は混合ガスはガ
ス排気口１０６から排気される。

【００１２】このような従来の表面処理装置の密閉機構
によれば、圧着ローラ１１２，１１３の表面とフィルム
弁１１４，１１５との接触が悪くて密閉性が低く、しか
も、フィルム弁１１４，１１５やロールサイドシール材
が磨耗が激しく、頻繁に交換する必要があるという不都
合があった。

【００１３】そこで、発明者らは、上記不都合を解消し
た密閉機構１１８を開発した。図７は、本発明者らが開
発した密閉機構１１８ａ，１１８ｂを示す図である。こ
の図において、図６と同一要素には同一の符号を付して
説明する。この密閉機構１１８ａ，１１８ｂも同一構成
要素からなるので、入口側密閉機構１１８ａを説明し、
出口側密閉機構１１８ｂの説明を省略する。

【００１４】この密閉機構１１８ａは、次のように構成
されている。すなわち、前記処理室１０１の導入口を壁
面１０９で覆い密封室１１０を構成させる。この密封室
１１０には、前記導入口に合わせて開口部１１１が穿設
されている。この密封室１１０の内部には、被処理物１
０７をガイドする圧着ローラ１１２，１１３が図示上下
に設けられている。密封室１１０の内壁との間にはフィ
ルム円筒体１１９，１２０が設けられており、これらフ
ィルム円筒体１１９，１２０は内壁に固定されている。
フィルム円筒体１１９，１２０の表面は圧着ローラ１１
２，１１３のロール表面と接触するようになっている。
また、これら圧着ローラ１１２，１１３のロール側面と
密封室１１０との間には、図示しないがロールサイドシ
ール材が設けられている。このようなフィルム円筒体１
１９，１２０は、適度な圧接力により圧着ローラ１１
２，１１３の表面に接触しているため、密閉性がよい。
また、フィルム円筒体１１９，１２０の表面および圧着
ローラ１１２，１１３の表面を処理することにより、両
者の動摩擦係数 を小さくしてあるので、フィルム円筒
体１１９，１２０の寿命が長くなる利点がある。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
らが開発した表面処理装置に使用する密閉機構１１８
ａ，１１８ｂによっても、圧着ローラ１１２，１１３の
回転速度が高速になると、フィルム円筒体１１９，１２
０が圧着ローラ１１２，１１３に接触したり離れたりし
てフィルム円筒体１１９，１２０が振動をしてしまい、
密閉性を悪化させる欠点があった。

【００１６】そこで、本発明の目的は、密閉性が良好で
かつ長寿命化したガス密閉機構と、これを備えた表面処
理装置を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明に係るガス密閉機構は、平らな
被処理物を処理室内に導き、当該処理室内で大気圧下の
雰囲気ガスの雰囲気にさらしつつ前記被処理物の表面を
処理する表面処理装置に使用するガス密閉機構におい
て、前記処理室の被処理物導入口、同排出口の少なくと
も一方あるいは双方に密封室を形成し、前記密封室に前
記導入口あるいは排出口に合わせて開口部を設け、前記
密封室の内部に一対のローラを配置し、前記密封室の内
壁面にシート体を固定し、前記シート体が前記各ローラ
に接触した状態で配置したことを特徴とするものであ
る。

【００１８】請求項２記載の発明では、請求項１の記載
において、前記ローラの表面と、シート体の表面との動
摩擦係数が０．３以下のものであることを特徴とするも
のである。

【００１９】請求項３記載の発明では、請求項１の記載
において、前記シート体と密封室内壁との間であって密
封室内壁に固定され、かつ前記シート体を前記ロールの
表面に圧接させ弾性体を配置したことを特徴とするもの
である。

【００２０】請求項４記載の発明では、請求項１、２ま
たは３の記載において、前記シート体は、プラスチック
シートであることを特徴とするものである。

【００２１】請求項５記載の発明では、請求項３の記載
において、前記弾性体は、プラスチックシートで構成し
た円筒体であることを特徴とするものである。

【００２２】請求項６記載の発明では前記被処理物の表
面をプラズマ放電にて処理することを特徴とするもので
ある。

【００２３】請求項７記載の発明では前記被処理物の表
面を電子放射線にて処理することを特徴とするものであ
る。

【００２４】請求項８記載の発明では前記被処理物の表
面を紫外線照射にて処理することを特徴とするものであ
る。

【００２５】上記目的を達成するために、請求項９記載
の発明に係る表面処理装置は、平らな被処理物を処理室
内に導き、当該処理室内で大気圧下の雰囲気ガスの雰囲
気にさらしつつ前記被処理物の表面を処理する表面処理
装置において、前記処理室の被処理物導入口、同排出口
の少なくとも一方あるいは双方に密封室を形成し、前記
密封室に前記導入口あるいは排出口に合わせて開口部を
設け、前記密封室の内部に一対のローラを配置し、前記
密封室の内壁面にシート体を固定し、前記シート体が前
記各ローラに接触した状態で配置したなるガス密閉機構
を備えたことを特徴とする。

【００２６】請求項１０記載の発明では、請求項９の記
載において、前記ガス密閉機構は、前記ローラの表面と
前記シート体の表面とが０．３以下の動摩擦係数のもの
であることを特徴とするものである。

【００２７】請求項１１記載の発明では、請求項９の記
載において、前記ガス密閉機構は、前記弾性体を前記シ
ート体と前記密封室内壁との間であって密封室内壁に固
定し、かつ前記弾性体により前記シート体を前記ロール
の表面に圧接させようにしたことを特徴とするものであ
る。

【００２８】請求項１２記載の発明では、請求項９，１
０または１１の記載において、前記ガス密閉機構は、シ
ート体をプラスチックシートで構成したことを特徴とす
るものである。

【００２９】請求項１３記載の発明では、請求項１１の
記載において、前記ガス密閉機構は、弾性体をプラスチ
ックシートで円筒体に構成したものであることを特徴と
するものである。

【００３０】請求項１４記載の発明では、請求項９の記
載において、前記被処理物の表面をプラズマ放電にて処
理することを特徴とするものである。

【００３１】請求項１５記載の発明では、請求項９の記
載において、前記被処理物の表面を電子放射線にて処理
することを特徴とするものである。

【００３２】請求項１６記載の発明では、請求項９の記
載において、前記被処理物の表面を紫外線照射にて処理
することを特徴とするものである。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
を参照して詳細に説明する。図１乃至図４は本発明に係
るガス密閉機構の第１の実施の形態およびこのガス密閉
機構を用いた表面処理装置の実施の形態を示すものであ
る。ここで、図１は同ガス密閉機構を備えた表面処理装
置の斜視図、図２は同ガス密閉機構を備えた表面処理装
置の横断面概略図、図３はガス密閉機構の一部を拡大し
て示す斜視図、図４はガス密閉機構を示す横断面概略図
である。

【００３４】〔表面処理装置の実施の形態〕以下、大気
圧プラズマ処理の場合を例にとって説明する。これらの
図において、表面処理装置は、基本的には、被処理物通
過路２を設けた処理室１と、この処理室１の内部であっ
て被処理物通過路２に対向させて配置した電極３，３
と、これら電極３，３に高電圧を印加する高圧電源４
と、ヘリウムガスあるいはヘリウムガスを主成分とする
混合ガスを処理室１に供給できるガス供給源５と、被処
理物７を被処理物通過路２を通過させて連続的に表面処
理する場合には繰出フィーダ部８，巻取フィーダ部９と
から構成されている。

【００３５】さらに、詳説すると、処理室１は所定材料
の壁面１０で構成した中空状の立体からなり、この処理
室１には被処理物７の導入口１１ａと、同被処理物７の
排出口１１ｂが設けられている。この処理室１の内部に
設けられた電極３，３は、少なくともそれらが対向する
表面に誘電体を設けた構成となっている。これは放電が
集中することを防ぎ、グロー放電を実現させるためであ
る。

【００３６】高圧電源４は、電極３，３に高電圧をかけ
て放電を起こすための電源であって、交流、直流のいず
れを使用することもできる。交流の中では、低周波、高
周波のいずれの周波数帯も使用可能である。

【００３７】このガス供給口１２には、ガス供給源５か
らヘリウムガスあるいはヘリウムガスを主成分とする混
合ガスが供給できるようにしてある。処理室１の内部を
充満したヘリウムガスあるいはヘリウムガスを主成分と
した混合ガスは、ガス排気口１３から排気できるように
してある。なお、ガス排気口１３から排出されたガス
は、図示しないガス処理装置により処理されるようにな
っている。

【００３８】前記処理室１に供給されるガスは、ヘリウ
ムガスあるいはヘリウムガスを主成分とする混合ガスで
あることが必要であり、かつ望ましくは、ヘリウムガス
５０〜１００体積％とアルゴン０〜５０体積％の組成の
不活性ガスが混合ガス全体の９５体積％以上であること
が好ましい。

【００３９】これらの放電ガスに添加するガスは表面処
理目的によって種々のガスから選択することができる。
例えば、親水性を高めるためには酸素、炭酸ガス、窒
素、水素、一酸化ガス等の無機ガスを添加するとヘリウ
ムガスからなる単成分ガス又はヘリウムガスを主成分と
する混合ガスの場合より親水性が増す効果がある。

【００４０】被処理物の処理表面の撥水性を高めるため
には、メタン．エチレン等の炭化水素、あるいはＣＦ4
等の極性の低いガスを添加するとよい。

【００４１】これらのガスのうち所望のものを処理室１
に充満させて被処理物７の放電処理を行うことにより、
撥水性あるいは親水性を示すシート状被処理物７を得る
ことができる。

【００４２】上記フィーダー部８、９は、図示しない駆
動機構により回転駆動されるようになっており、被処理
物７が一定の速度で電極３，３を通過できるようになっ
ている。

【００４３】〔ガス密閉機構の第１の実施の形態〕この
ような表面処理装置において、前記処理室１の被処理物
７の導入口１１ａおよび同被処理物７の排出口１１ｂに
は、ガス密閉機構１８ａ，１８ｂが設けられている。こ
れらガス密閉機構１８ａ，１８ｂは同一構造をしてお
り、処理室１の導入口１１ａに設けられているものをガ
ス密閉機構１８ａとし、処理室１の排出口１１ｂに設け
られたものをガス密閉機構１８ｂとしている。したがっ
て、次に、ガス密閉機構１８ａの構造を代表させて説明
し、ガス密閉機構１８ｂの構造の説明を省略する。

【００４４】前記処理室１の導入口１１ａには、被処理
物７の移動方向に平行な取付片１５ａ、１６ａが所定の
間隔で立設されている。この取付片１５ａ、１６ａに
は、断面略Ｌ字状の所定の長さの金具１７ｕ，１７ｄが
ねじで螺着されている。これら金具１７ｕ，１７ｄが取
付片１５ａ、１６ａに取り付けられることにより、開口
部２１が形成される。また、前記金具１７ｕ，１７ｄ
と、これら金具１７ｕ，１７ｄの断面側に配置された台
形状の側板１９とにより密封室２０が構成されることに
なる。この密封室２０の内部には、被処理物７をガイド
する一対のシリコンゴム製のニップローラ２２，２３が
図示上下に設けられている。

【００４５】前記密封室２０の内部下側略Ｌ字状の金具
１７ｄには、図２、図３および図４に示すように、被処
理物７の移動方向に平行な当該金具１７ｄの平行面２４
ｄにシート体２５ｄの一端を固定治具２６ｄで固定し、
かつ、被処理物７の移動方向に垂直な金具１７ｄの垂直
面２７ｄにシート体２５ｄの他端を固定治具２８ｄで固
定し、しかも、前記シート体２５ｄがニップローラ２３
の表面に接触した状態で配置されている。前記ニップロ
ーラ２３の表面はテフロン加工されており、かつ、シー
ト体２５ｄの表面もテフロン加工されていて、前記ニッ
プローラ２３の表面とシート体２５ｄの表面との動摩擦
係数が０．３以下の所定の範囲に入るように設定されて
いる。なお、前記シート体２５ｄは、例えばプラスチッ
クシートで構成すればよい。また、上記シート体２５ｄ
と金具１７ｄの内壁との間には、前記シート体２５ｄを
前記ロール２３の表面に圧接させ弾性体２９ｄが配置さ
れている。この弾性体２９ｄは、例えばプラスチックシ
ートで形成した押付チューブ状の円筒体からなり、密封
室２０の内壁に固定されている。また、ニップローラ２
３の側面と密封室２０の側板１９との間には、図示しな
いがロールサイドシール材が設けられている。

【００４６】同様に、前記密封室２０の内部上側略Ｌ字
状の金具１７ｕには、図２および図４に示すように、被
処理物７の移動方向に平行な当該金具１７ｕの平行面２
４ｕにシート体２５ｕの一端を固定治具２６ｕで固定
し、かつ、被処理物７の移動方向に垂直な金具１７ｕの
垂直面２７ｕにシート体２５ｕの他端を固定治具２８ｕ
で固定し、しかも、前記シート体２５ｕがニップローラ
２２の表面に接触した状態で配置されている。前記ニッ
プローラ２２の表面はテフロン加工されており、かつ、
シート体２５ｕの表面もテフロン加工されていて、前記
ニップローラ２２の表面とシート体２５ｕの表面との動
摩擦係数が０．３以下の範囲に入るように設定されてい
る。なお、前記シート体２５ｕは、例えばプラスチック
シートで構成すればよい。また、上記シート体２５ｕと
金具１７ｕの内壁との間には、前記シート体２５ｕを前
記ロール２３の表面に圧接させ弾性体２９ｕが配置され
ている。この弾性体２９ｕは、例えばプラスチックシー
トで形成した押付チューブ状の円筒体からなり、密封室
２０の内壁に固定されている。また、ニップローラ２２
の側面と密封室２０の側板１９との間には、図示しない
がロールサイドシール材が設けられている。

【００４７】ガス密閉機構１８ｂも、処理室１の排出口
１１ｂに設けられており、ガス密閉機構１８ａとまった
く同一構成であって、各部品はガス密閉機構１８ａと線
対称に配置されている。

【００４８】〔表面処理装置等の動作〕繰出フィーダ部
８から繰り出された被処理物７は、入口側ガス密閉機構
１８ａの開口部２１、ニップローラ２２，２３の間、処
理室１の導入口１１ａ、被処理物通過路２を通って電極
３，３の間を通過する。これら電極３，３の間を通過す
るときに、被処理物７は大気圧プラズマにより表面が改
質される。そして、処理室１の排出口１１ｂ、出口側ガ
ス密閉機構１８ｂのニップローラ２２，２３の間、排出
口１１ｂを通って排出され、巻取フィーダ部９に巻き取
られる。

【００４９】上記実施の形態では、次のような利点があ
る。 （１）上記表面処理装置によれば、処理室１内の被処理
物通過路２に、平らな被処理物７を通して電極３，３の
間を通過させ、処理室１にヘリウムガスあるいはヘリウ
ムガスを主成分とする混合ガスを満たし，電極３，３の
間に高電圧をかけることにより大気圧プラズマ放電領域
を被処理物７の表面に発生させることができ、被処理物
７の表面を大気圧プラズマ放電処理をすることができ
る。 （２）また、上記ガス密閉機構を備えた表面処理装置に
よれば、処理室１内のガスの漏れがなく、大気圧プラズ
マ放電領域を確実に発生できるとともに、ガスが無駄に
消費されなくなる。 （３）上記ガス密閉機構によれば、簡単な構成により、
高い機密性を持たすことができるとともに、被処理物７
を例えば１００〔ｍ／ｍｉｎ〕〜１５０〔ｍ／ｍｉｎ〕
の速度で処理室１内を移動させてもガス漏れを確実に防
ぐことができる。

【００５０】〔ガス密閉機構の第２の実施の形態〕図５
は本発明に係るガス密閉機構の第２の実施の形態を説明
するための横断面図である。この図において、ガス密閉
機構の第２の実施の形態について概略説明すると、ガス
密閉機構の第２の実施の形態は上記第１の実施の形態を
２段設けたものと考えてよい。この第２の実施の形態で
は、第１の実施の形態と同様に処理室１の導入口１１ａ
側に設けたガス密閉機構３８ａとし、処理室１の排出口
１１ｂ側に設けたガス密閉機構３８ｂとする。また、ガ
ス密閉機構３８ａ，３８ｂは、まったく同一構成となっ
ているので、第２の実施の形態では、ガス密閉機構３８
ｂを代表して説明することにする。

【００５１】ガス密閉機構３８ｂは次のように構成され
ている。前記処理室１の排出口１１ｂには、被処理物７
の移動方向に平行な取付片３５ｂ、３６ｂが所定の間隔
で立設されている。これら取付片３５ｂ、３６ｂの中央
には、被処理物７の移動方向に垂直な壁面３５ｂｕ、３
６ｂｕが設けられている。

【００５２】この取付片３５ｂ、３６ｂの被処理物７の
移動方向の上流側には、断面略Ｌ字状の所定の長さの金
具１７ｕ，１７ｄがねじｎで螺着されている。これら金
具１７ｕ，１７ｄが取付片３５ｂ，３６ｂに取り付けら
れることにより、開口部２１が形成される。

【００５３】また、この取付片３５ｂ，３６ｂの被処理
物７の移動方向の下流側で、前記壁面３５bu、３６buに
は、断面略Ｌ字状の所定の長さの金具１７ｕ′，１７
ｄ′がねじｎで螺着されている。これら壁面３５bu、３
６buにより開口部２１′が、また、これら金具１７ｕ，
１７ｄが取付片３５ｂ，３６ｂに取り付けられることに
より開口部２１″が形成される。

【００５４】前記金具１７ｕ，１７ｄ、１７ｕ′，１７
ｄ′と、これら金具１７ｕ，１７ｄ、１７ｕ′，１７
ｄ′の断面側に配置された台形状の側板１９とにより密
封室２０が構成されることになる。この密封室２０の内
部には、上流側から、被処理物７をガイドする一対のニ
ップローラ２２，２３と、その下流側にニップローラ２
２′，２３′が図示上下にそれぞれ設けられている。

【００５５】前記密封室２０の内部下側であって上流側
の略Ｌ字状の金具１７ｄには、被処理物７の移動方向に
平行な当該金具１７ｄの平行面２４ｄにシート体２５ｄ
の一端を固定治具２６ｄで固定し、かつ、被処理物７の
移動方向に垂直な金具１７ｄの垂直面２７ｄにシート体
２５ｄの他端を固定治具２８ｄで固定し、しかも、前記
シート体２５ｄがニップローラ２３の表面に接触した状
態で配置されている。前記ニップローラ２３の表面はテ
フロン加工されており、かつ、シート体２５ｄの表面も
テフロン加工されていて、前記ニップローラ２３の表面
とシート体２５ｄの表面との動摩擦係数が０．３以下の
範囲に入るように設定されている。また、上記シート体
２５ｄと金具１７ｄの内壁との間には、前記シート体２
５ｄを前記ロール２３の表面に圧接させ弾性体２９ｄが
配置されている。この弾性体２９ｄは、例えばプラスチ
ックシートで形成した押付チューブ状の円筒体からな
り、密封室２０の内壁に固定されている。また、ニップ
ローラ２３の側面と密封室２０の側板１９との間には、
図示しないがロールサイドシール材が設けられている。

【００５６】前記密封室２０の内部下側であって下流側
の略Ｌ字状の金具１７ｄ′には、被処理物７の移動方向
に平行な当該金具１７ｄ′の平行面２４ｄ′にシート体
２５ｄ′の一端を固定治具２６ｄ′で固定し、かつ、被
処理物７の移動方向に垂直な金具１７ｄ′の垂直面２７
ｄ′にシート体２５ｄ′の他端を固定治具２８ｄ′で固
定し、しかも、前記シート体２５ｄ′がニップローラ２
３′の表面に接触した状態で配置されている。なお、他
の材料、配置、条件等は上述したものと同一である。

【００５７】同様に、前記密封室２０の内部上側であっ
て上流側の略Ｌ字状の金具１７ｕには、被処理物７の移
動方向に平行な当該金具１７ｕの平行面２４ｕにシート
体２５ｕの一端を固定治具２６ｕで固定し、かつ、被処
理物７の移動方向に垂直な金具１７ｕの垂直面２７ｕに
シート体２５ｕの他端を固定治具２８ｕで固定し、しか
も、前記シート体２５ｕがニップローラ２２の表面に接
触した状態で配置されている。また、上記シート体２５
ｕと金具１７ｕの内壁との間には、前記シート体２５ｕ
を前記ロール２２の表面に圧接させ弾性体２９ｕが配置
されている。なお、他の材料、配置、条件等は上述した
ものと同一である。

【００５８】また、前記密封室２０の内部上側であって
下流側の略Ｌ字状の金具１７ｕ′には、被処理物７の移
動方向に平行な当該金具１７ｕ′の平行面２４ｕ′にシ
ート体２５ｕ′の一端を固定治具２６ｕ′で固定し、か
つ、被処理物７の移動方向に垂直な金具１７ｕ′の垂直
面２７ｕ′にシート体２５ｕ′の他端を固定治具２８
ｕ′で固定し、しかも、前記シート体２５ｕ′がニップ
ローラ２２′の表面に接触した状態で配置されている。
また、上記シート体２５ｕ′と金具１７ｕ′の内壁との
間には、前記シート体２５ｕ′を前記ロール２２′の表
面に圧接させ弾性体２９ｕ′が配置されている。なお、
他の材料、配置、条件等は上述したものと同一である。

【００５９】ガス密閉機構３８ａも、処理室１の導入口
１１ａに設けられており、ガス密閉機構３８ｂとまった
く同一構成であって、各部品はガス密閉機構３８ｂと線
対称に配置されている。

【００６０】このような第２の実施の形態によれば、概
ね第１の実施の形態が２段設けられているものと同等で
あるから、密閉性が著しく高くなる。

【００６１】以上、大気圧プラズマ処理の場合について
説明したが、ＥＢ照射、ＵＶ照射処理の場合にも本発明
のガス密閉機構、表面処理装置を適用できることは勿論
である。

【００６２】

【実施例】以下．本発明の具体的実施例を説明する。上
記ニップローラ２２，２３、２２′，２３′と、シート
２５，２５′の表面をテフロン加工し、動摩擦係数が
０．３以下の範囲で使用した。これにより、被処理物７
の移動速度を１００〔ｍ／ｍｉｎ〕〜１５０〔ｍ／ｍｉ
ｎ〕でも確実に密閉状態を保ち、ガス漏れを防止するこ
とができる。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように本発明のガス密閉機
構によれば、前記処理室の被処理物導入口、同排出口の
少なくとも一方を壁面で覆って密封室を形成させ、前記
密封室に前記導入口あるいは排出口に合わせて開口部を
設け、前記壁面で覆われた密封室の内部に一対のローラ
を配置し、前記密封室の内壁面にシート体を固定し、前
記シート体が前記各ローラに接触した状態で配置したの
で、簡単な構成により、高い機密性を持たすことがで
き、しかも、処理室内において被処理物を高速で移動さ
せてもガス漏れを確実に防ぐことができる。

【００６４】また、同ガス密閉機構によれば、前記ロー
ラの表面と、シート体の表面との動摩擦係数が０．３以
下の範囲のものを選択したので、高速で被処理物が移動
しても密閉状態を保つとともに、適度に滑るためローラ
およびシート体の磨耗が少なくなる。

【００６５】さらに、同ガス密閉機構によれば、前記シ
ート体と密封室内壁との間であって密封室内壁に固定さ
れ、かつ前記シート体を前記ローラの表面に圧接させ弾
性体を配置したので、適度な圧接力でシート体がローラ
に接し、密閉性を高めることができる。

【００６６】また、同ガス密閉機構によれば、前記シー
ト体はプラスチックシートで構成されているので、安価
である。

【００６７】加えて、同ガス密閉機構によれば、前記弾
性体は、プラスチックシートで構成した円筒体であるの
で、シートの押圧力が均一に加わることになる。

【００６８】また、同ガス密閉機構を備えた表面処理装
置によれば、処理室内の被処理物通過路に、平らな被処
理物を通して電極の間を通過させ、処理室にガスを満た
し，電極の間に高電圧をかけることにより大気圧プラズ
マ放電領域を被処理物の表面に発生させることができ、
被処理物の表面を大気圧プラズマ放電処理をすることが
できる。

【００６９】また、上記ガス密閉機構を備えた表面処理
装置によれば、処理室内のガスの漏れがなく、大気圧プ
ラズマ放電領域を確実に発生できるとともに、ガスが無
駄に消費されなくなる。

【００７０】また、同表面処理装置によれば、前記ロー
ラの表面と、シート体の表面との動摩擦係数が０．３以
下の所定の範囲のものを選択したので、高速で被処理物
が移動しても密閉状態を保つとともに、適度に滑るため
ローラおよびシート体の磨耗が少なくなる。

【００７１】さらに、同表面処理装置によれば、前記シ
ート体と密封室内壁との間であって密封室内壁に固定さ
れ、かつ前記シート体を前記ローラの表面に圧接させ弾
性体を配置したので、適度な圧接力でシート体がローラ
に接し、密閉性を高めることができる。

【００７２】また、同表面処理装置によれば、前記シー
ト体はプラスチックシートで構成されているので、安価
である。

【００７３】加えて、同表面処理装置によれば、前記弾
性体は、プラスチックシートで構成した円筒体であるの
で、シートの押圧力が均一に加わることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態であるガス密閉機構
を備えた表面処理装置を示す斜視図である。

【図２】同ガス密閉機構を備えた表面処理装置を示す横
断面図である。

【図３】同ガス密閉機構の第１の実施の形態を示す斜視
図である。

【図４】同ガス密閉機構の第１の実施の形態の要部を示
す横断面図である。

【図５】同ガス密閉機構の第２の実施の形態を示す横断
面図である。

【図６】従来装置を示す断面図である。

【図７】従来装置の改良装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 処理室 ２ 被処理物通過路 ３，３ 電極 ４ 高圧電源 ５ ガス供給源 ７ 被処理物 ８ 繰出フィーダ部 ９ 巻取フィーダ部 １１ａ 導入口 １１ｂ 排出口 １２ ガス供給口 １３ ガス排気口 １５ａ，１６ａ、１５ｂ，１６ｂ、３５ａ，３６ａ、３
５ｂ，３６ｂ、取付片 １７ｕ，１７ｄ、１７ｕ′，１７ｄ′ 金具 １８ａ，１８ｂ ガス密閉機構 １９ 側板 ２０ 密封室 ２１、２１′、２１″ 開口部 ２２，２３、２２′，２３′ ニップローラ ２４ｕ，２４ｄ、２４ｕ′，２４ｄ′ 平行面 ２５ｕ，２５ｄ、２５ｕ′，２５ｄ′ シート体 ２６ｕ，２６ｄ、２６ｕ′，２６ｄ′ 固定治具 ２７ｕ，２７ｄ、２７ｕ′，２７ｄ′ 垂直面 ２８ｕ，２８ｄ、２８ｕ′，２８ｄ′ 固定治具 ２９ｕ，２９ｄ、２９ｕ′，２９ｄ′ 弾性体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関口 守 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版 印刷株式会社内 (72)発明者 高原 健 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版 印刷株式会社内 (72)発明者 福本 一雄 大阪府枚方市春日西町２丁目28番３号 イーシー化学株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−143930（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08J 7/00

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平らな被処理物を処理室内に導き、当該
   処理室内で大気圧下の雰囲気ガスの雰囲気にさらしつつ
   前記被処理物の表面を処理する表面処理装置に使用する
   ガス密閉機構において、 前記処理室の被処理物導入口、同排出口の少なくとも一
   方あるいは双方に密封室を形成し、前記密封室に前記導
   入口あるいは排出口に合わせて開口部を設け、前記密封
   室の内部に一対のローラを配置し、前記密封室の内壁面
   にシート体を固定し、前記シート体が前記各ローラに接
   触した状態で配置したことを特徴とするガス密閉機構。
2. 【請求項２】 前記ローラの表面と、シート体の表面と
   の動摩擦係数が０．３以下の範囲のものであることを特
   徴とする請求項１に記載のガス密閉機構。
3. 【請求項３】 前記シート体と密封室内壁との間であっ
   て密封室内壁に固定され、かつ前記シート体を前記ロー
   ルの表面に圧接させ弾性体を配置したことを特徴とする
   請求項１に記載のガス密閉機構。
4. 【請求項４】 前記シート体は、プラスチックシートで
   あることを特徴とする請求項１，２または３に記載のガ
   ス密閉機構。
5. 【請求項５】 前記弾性体は、プラスチックシートで構
   成した円筒体であることを特徴とする請求項３に記載の
   ガス密閉機構。
6. 【請求項６】 前記被処理物の表面をプラズマ放電にて
   処理することを特徴する請求項１に記載のガス密閉機
   構。
7. 【請求項７】 前記被処理物の表面を電子放射線にて処
   理することを特徴する請求項１に記載のガス密閉機構。
8. 【請求項８】 前記被処理物の表面を紫外線照射にて処
   理することを特徴する請求項１に記載のガス密閉機構。
9. 【請求項９】 平らな被処理物を処理室内に導き、当該
   処理室内で大気圧下の雰囲気ガスの雰囲気にさらしつつ
   前記被処理物の表面を処理する表面処理装置において、 前記処理室の被処理物導入口、同排出口の少なくとも一
   方あるいは双方に密封室を形成し、前記密封室に前記導
   入口あるいは排出口に合わせて開口部を設け、前記密封
   室の内部に一対のローラを配置し、前記密封室の内壁面
   にシート体を固定し、前記シート体が前記各ローラに接
   触した状態で配置してなるガス密閉機構を備えたことを
   特徴とする表面処理装置。
10. 【請求項１０】 前記ガス密閉機構は、前記ローラの表
    面と前記シート体の表面とが０．３以下の動摩擦係数の
    範囲のものであることを特徴とする請求項９に記載の表
    面処理装置。
11. 【請求項１１】 前記ガス密閉機構は、前記弾性体を前
    記シート体と前記密封室内壁との間であって密封室内壁
    に固定し、かつ前記弾性体により前記シート体を前記ロ
    ールの表面に圧接させるようにしたことを特徴とする請
    求項９に記載の表面処理装置。
12. 【請求項１２】 前記ガス密閉機構は、シート体をプラ
    スチックシートで構成したことを特徴とする請求項９，
    １０または１１に記載の表面処理装置。
13. 【請求項１３】 前記ガス密閉機構は、弾性体をプラス
    チックシートで円筒体に構成したものであることを特徴
    とする請求項１１に記載の表面処理装置。
14. 【請求項１４】 前記被処理物の表面をプラズマ放電に
    て処理することを特徴する請求項９に記載の表面処理装
    置。
15. 【請求項１５】 前記被処理物の表面を電子放射線にて
    処理することを特徴する請求項９に記載の表面処理装
    置。
16. 【請求項１６】 前記被処理物の表面を紫外線照射にて
    処理することを特徴する請求項９に記載の表面処理装
    置。