KR100431889B1 - 건식 세정/에싱 방법 및 장치 - Google Patents

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KR100431889B1 KR10-2001-0040031A KR20010040031A KR100431889B1 KR 100431889 B1 KR100431889 B1 KR 100431889B1 KR 20010040031 A KR20010040031 A KR 20010040031A KR 100431889 B1 KR100431889 B1 KR 100431889B1
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Abstract

본 발명은 PDP나 LCD 등과 같은 대형 반도체 기판을 상압 플라즈마 방전기술을 이용하여 세정하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 장치는, 세정을 위한 기판을 실장할 수 있고, 유전체를 사이에 둔 양 전극에 소정 주파수의 교류전압이 인가되면 방전에 의해 플라즈마를 생성하는 상압 플라즈마 방전관; 상기 플라즈마 방전관에 반응가스를 주입하기 위한 반응가스 주입수단; 상기 플라즈마 방전관 내로 가스들을 운반하기 위한 캐리어 가스를 주입하는 캐리어가스 주입수단; 상기 플라즈마 방전관에 첨가가스를 주입하기 위한 첨가가스 주입수단으로 구성된다. 여기서, 첨가가스 주입수단은 DI워터나 아세톤, 알콜, 과산화수소 중 어느 하나를 상기 캐리어가스를 이용하여 버블링시켜 주입하도록 구성되거나, 보일러에 의해 끓는 물의 수증기를 상기 방전관에 직접 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 따라서, 본 발명에 따르면 수증기나 알콜, 아세톤, 과산화수소의 가스를 반응가스에 첨가하여 방전관에 주입함으로써 방전에 의해 OH 라디칼이 생성되고, 이 OH 라디칼의 강력한 산화작용에 의해 효과적으로 반도체 기판을 건식으로 세정할 수 있음과 아울러 유해한 오존의 발생을 억제할 수 있다.

Description

건식 세정/에싱 방법 및 장치 { Dry cleaning/ashing method and apparatus }
본 발명은 PDP나 LCD 등과 같은 대형 반도체 기판(substrate or pannel)의 세정/에싱 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상압 플라즈마 방전기술을 이용한 반도체 혹은 글래스 패널의 건식 세정/에싱 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 많은 공정을 거쳐 제조되는 데, 이러한 공정을 거치면서 반도체 기판 예컨대, 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)나 글래스 기판(glass panel), PDP나 LCD등과 같은 대형 평판 디스플레이 소자 표면이 불순물로 오염되기 때문에 이 불순물을 제거하기 위한 세정(cleaning)공정이 필수적이다.
반도체 기판의 세정 방법은 크게 습식화학 방법, 건식방법, 증기(vapor phase)방법 등으로 구분된다. 전통적인 웨이퍼 세정방법은 대부분 과산화수소용액을 사용한 화학적 습식방법이었으나 많은 화학물질의 소모와 사용된 이들 물질의 폐기, 발전되는 제조공정과 비호환성 등으로 인하여 점차 건식이나 기상 방법으로 변화되는 추세이다.
기판 표면에 존재하는 불순물들은 필름, 개별입자 혹은 입자덩어리, 흡착된 가스 등으로 이루어져 있으며, 이들은 원자, 이온, 분자 등과 같은 물질 특성을 갖고 있다. 분자형태의 불순물들은 주로 윤활유, 감광제, 용제 찌꺼기 등으로부터 발생된 응결된 유기물질 가스들과 DI 워터(Deionized water)나 플라스틱 용기로부터 생겨난 유기화합물, 금속산화물이나 수산화물등으로 이루어진다. 이온 불순물들은 대부분 Na, F, Cl 이온등과 같은 것을 물리적으로 흡착하던지 화학적으로 결합한 무기화합물로부터 생겨나고, 원자 불순물은 금이나 구리를 포함하고 있는 HF용액으로부터 반도체 표면에 화학적으로나 전기적으로 이들 금속이 부착되어 생겨난다.
이와 같은 불순물들을 세정하기 위한 기술로서 RCA법은 암모니아과산화수소 용액, 불산 수용액 및 염산과산화수소 용액을 조합시킨 습식 세정법이고, 종래 건식 세정법은 자외선(UV) 조사에 의해 생성된 염소 라디칼에 의해 기판 표면의 오염금속을 금속염화물로 증발 제거하는 방식이다. 즉, 종래의 세정기술은 주로 습식세정을 이용하는 방법으로 다량의 수용액과 유해성 용액을 사용하여 피처리물의 표면을 처리하는 방식이나 UV-O3세정 같은 자외선(Ultra-Violet)으로 오존을 활성화시키는 방법이나 진공에서 산소 플라즈마를 이용하는 방법 등이 있다.
그런데 이러한 종래의 세정 방법중 습식방법은 환경오염 물질의 배출 및 장치의 거대화, 유지비의 상승 등으로 인한 문제점이 있고, UV/O3를 이용하는 방법은 처리에 소요되는 시간이 오래 걸리고, 자외선(UV) 램프의 수명이 짧고 가격 또한 비싸므로 장비 유지비가 많이 소요되는 문제가 있다. 또한 플라즈마를 이용하는 진공 플라즈마 처리기술과 상압 유전장벽 방전처리기술 등의 건식기술은 습식기술 또는 UV/O3기술에 비해 상대적으로 우위를 갖고 있으나 진공 플라즈마를 이용하는 기술은 처리 가능한 크기에 제약이 있으며 고가의 장비가 요구되고, 대기압 플라즈마 기술은 높은 전압을 사용하여 반응기체를 방전 분해하는 특성상 균일한 플라즈마가 생기지 않고 국부적으로 방전전류가 집중되는 스트리머(streamer)나 아크(arc) 등의 이상 방전 형상이 발생하여 인체에 유해한 오존이 다량 발생하게 되고, 반응성도 떨어지는 문제점이 있다. 특히, PDP나 LCD 등의 각종 글래스 패널이나 건축 자재용 투명 폴리머 등의 대형 평판을 세정하는 경우에는 이러한 국부적인 이상 방전 현상이나 오존(O3)의 발생은 효과적인 건식세정을 저해하는 큰 문제점이라 할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 기판 표면의 유기물을 효율적으로 제거하기 위하여 화학적 활성종인 산소 라디컬의 생성을 촉진시키고 유해한 오존의 발생을 억제할 수 있는 건식 세정/에싱 방법 및 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 건식 세정/에싱 장치를 도시한 개략 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 건식 세정/에싱 장치의 다른 예,
도 3은 본 발명에 따른 건식 세정/에싱 방법의 순서를 도시한 흐름도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
110: 상온 플라즈마 방전관 111a,111b: 전극
112: 유전체 113: 가열판
114: 노즐 115: 압력게이지
117: 기판 118: 배출관
119: 배출밸브 120: 전원부
131: 반응가스통 132: 캐리어가스통
132,142,144,147,154,119: 밸브 146: 혼합밸브
151,156: 가열장치 150: 배럴
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 방법은, 상압 플라즈마 방전을 이용한 기판 세정/에싱 방법에 있어서, 수증기나 알콜, 아세톤, 과산화수소로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 반응가스와 함께 방전관에 주입하여 방전시 OH 라디칼이 생성되게 하여 반도체 기판이나 글래스 패널, 투명 폴리머를 세정/에싱하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따라 수증기를 생성하는 방식은 보일러를이용하여 생성된 증기를 방전관에 직접 분사하는 방식이나 캐리어 가스를 이용하여 버블링(bubbling)에 의해 제공하는 방식이 있다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 장치는, 세정을 위한 기판을 실장할 수 있고, 유전체를 사이에 둔 양 전극에 소정 주파수의 교류전압이 인가되면 방전에 의해 플라즈마를 생성하는 상압 플라즈마 방전관; 상기 플라즈마 방전관에 반응가스를 주입하기 위한 반응가스 주입수단; 상기 플라즈마 방전관 내로 가스들을 운반하기 위한 캐리어 가스를 주입하는 캐리어가스 주입수단; 상기 플라즈마 방전관에 첨가가스를 주입하기 위한 첨가가스 주입수단으로 구성된 것을 특징으로 한다. 여기서, 첨가가스 주입수단은 DI워터나 아세톤, 알콜, 과산화수소 중 어느 하나를 상기 캐리어가스를 이용하여 버블링시켜 주입하도록 구성되거나, 보일러에 의해 끓는 물의 수증기를 상기 방전관에 직접 분사할 수 있도록 구성되어 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하기로 한다.
먼저, 본 발명의 개념을 간략히 설명하면, 세정공정에서 기판 표면의 유기물을 제거한다는 것은 유기물을 형성하고 있는 "C"와 "H"의 결합을 외부인가 에너지에 의해 끊어 주어서 CO2, 또는 H2O의 형태로 외부로 배출해 주는 것을 의미한다. 이 것은 곧 기판 표면의 유기물을 산화시킨다는 것과 동일하다. 유기물을 산화시키는 화학적 활성종(radical)에는 불소화합물, -OH, -O, O3, H2O2등의 여러가지가 있다. 이 중에서도 불소화합물, -OH 등이 산화력(oxidizing potential)이 특히 높은 것으로 알려져 있다. 그러므로 플라즈마를 이용하여 높은 압력에서 세정 또는 에싱(ashing) 공정시 기판 표면에 이와 같은 산화 작용기를 도입하면, 산소가스나 오존을 이용하는 것에 비하여 처리시간 및 효율을 수십 배 이상 증가시킬 수 있으며, 불안정한 플라즈마 내 반응에 기인하여 발생하는 O3등의 유해기체를 반응성이 강하고 유해하지 않은 산소(O) 라디칼로 변화시켜주는 효과를 얻을 수 있다.
즉, 플라즈마를 이용하는 종래의 세정공정에서는 산소 플라즈마를 이용하였으며, 이런 경우는 다음 수학식 1에서와 같이 활성화된 산소원자 또는 방전에 의하여 형성된 상대적으로 산화력이 떨어지는 오존에 의한 기판 표면에서의 산화만이 가능하기 때문에 세정 또는 ashing 정도에 한계가 있으며, 오픈 시스템의 경우 유해한 오존가스가 배출되는 문제점도 있다.
그런데 본 발명에서는 보다 강력한 산화제를 도입하여 처리시간을 단축하고 오존발생 문제도 해결한 것이다. 즉, 일반적으로 산화제로서는 -OH, -O, O3, H2O2등이 사용되는데, 그 중에서도 OH 라디칼이 가장 강한 산화력을 갖고 있으므로 기판 표면에 이 작용기를 최대한 많이 도입하는 것이 세정 효율을 높이는 가장 좋은 방법이다. 또한 OH 작용기는 산소가 분해될 때 오존 생성반응을 억제하고, 산소원자로 생성시키게 되므로 세정효율에 미치는 영향이 매우 크다.
본 발명에 따라 세정하는 절차는 도 3에 도시된 바와 같이, 방전관내에 기판을 설치한 후 기판을 가열하여 반응성을 향상시키고, 버블링에 의해 첨가가스를 생성한다(S1~S3). 생성된 첨가가스는 반응가스와 혼합되어 방전관 내로 주입되고, 방전에 의해 OH 라디칼이 생성되며, 이에 따라 오존발생을 억제하면서 기판에 대한 강력한 세정이 이루어진다(S4~S6).
이와 같이 OH 작용기를 생성하기 위한 위한 방법으로서는 첫째, DI 워터(Deionized water)를 캐리어 가스로 버블링하는 방법, 둘째 100℃ 이상의 H2O를 방전영역에 직접 기상으로 분사하는 방법, 셋째 알콜 또는 아세톤을 사용하는 방법, 넷째 과산화 수소를 사용하는 방법 등이 있다.
제 1 실시예
상압 유전막 장벽 방전을 이용한 건식세정에서 DI워터를 캐리어 가스로 버블링하는 시스템은 도 1에 도시된 바와 같이, 방전관(110)과 반응가스 공급부, 캐리어가스 공급부, 첨가가스 공급부로 이루어진다.
방전관(110)은 유전체(112)가 부착된 접지전극(111a)과 가열판(113)이 부착된 워킹전극(111b), 가스를 분사하기 위한 노즐(114), 압력 게이지(115), 가스 배출관(118), 가스배출 밸브(119)로 이루어지고, 가열판(113) 위에는 기판(117)이 놓여 있으며 접지전극(111a)과 워킹전극(111b) 사이에 전원부(120)에 의해 소정 주파수의 전원이 접속되어 있다.
반응가스 공급부는 반응가스통(131), 반응가스 밸브(132), 유량 조절계(133), 혼합밸브(146), 밸브(147)와 이들을 연결하는 연결관으로 이루어져 반응가스통(131)에 저장된 반응가스가 반응가스 밸브(132)가 열리면 연결관을 통해 유량조절계(133)로 입력되고, 유량조절계(133)에서 가스의 흐름이 제어된 후 혼합밸브(146)와 밸브(147)를 거쳐 방전관 내의 노즐(114)에서 분사된다.
캐리어가스 공급부는 캐리어 가스통(141), 캐리어 가스 밸브(142), 유량 조절계(143), 혼합밸브(146), 밸브(147)와 이들을 연결하는 연결관으로 이루어져 캐리어 가스통(141)에 저장된 캐리어 가스가 캐리어 가스 밸브(142)가 열리면 연결관을 통해 유량 조절계(143)로 입력되고, 유량 조절계(143)에서 가스의 흐름이 제어된 후 혼합밸브(146)와 밸브(147)를 거쳐 방전관 내의 노즐(114)에서 분사된다.
첨가가스 공급부는 첨가가스를 생성하기 위한 소스(DI워터: 152)가 저장된 배럴(150)과 배럴(150)에 캐리어 가스를 공급하기 위해 캐리어 가스통(141), 밸브(144), 유량계(145)를 연결하는 연결관으로 구성되고, 배럴(150)에는 온도를 감지하기 위한 열감지기(153)가 설치되며, 캐리어가스가 유입되는 관은 소스(152) 내에 삽입되어 소스를 버블링시키고, 버블링된 소스의 첨가가스는 배출관과 밸브(154), 유량계(155)를 거쳐 혼합밸브(146)에서 다른 가스와 혼합되어 방전관(110)으로 분사된다. 이 때, 배럴(150)에는 소스를 가열하기 위한 가열장치(151)가 설치되어 있고, 첨가가스가 흐르는 연결관들에는 연결관의 온도를 상승시키기 위한 가열장치(156)가 구비되어 있다.
제 1 실시예에서, 소스(152)로는 DI워터를 사용하고, 소스(152)의 온도는 60℃ ~ 110℃로 유지하며, 가스 라인도 가열장치(156)에 의해 100℃를 유지한다.
이와 같은 구성에서 첨가가스는 캐리어 가스에 의해 버블링된 DI워터로부터 발생되어 혼합밸브(146)에서 반응가스 및 캐리어가스와 함께 가스라인을 타고 흘러 노즐(114)에서 방전관(110) 내로 분사된다. 이 때, 각 가스의 흐름은 유량조절계(133,143,145,155)에 의해 흐름이 제어된다.
방전관(110)은 전원부(120)에 의해 양 전극(111a,111b)에 전압이 인가되면 반응가스에 의해 방전이 일어나고, 이때 반응가스와 함께 유입된 DI워터의 첨가가스에 의해 OH라디칼이 생성된다. 따라서 강력한 산화력을 갖는 OH 라디칼에 의해 세정이 보다 효율적으로 이루어지고, 오존발생이 억제된다.
제 2 실시예
100℃ 이상의 H2O를 방전영역에 직접 기상으로 분사하는 장치는 도 2에 도시된 바와 같이, 방전관(110)과 반응가스 공급부, 캐리어가스 공급부, 수증기 공급부로 이루어진다. 도 2의 구성에서 방전관(110)과 반응가스 공급부, 캐리어가스 공급부는 도 1의 구성과 동일하므로 반복을 피하기 위하여 더 이상의 설명은 생략한다. 다만, 도 1에서는 캐리어가스를 이용하여 버블링하기 위해 소스로 가는 배관이 필요하였으나 제 2 실시예에서는 보일러를 이용하여 별도의 라인으로 첨가가스를 공급하므로 배관이 제거되었고, 이에 따라 가열장치(도1의 156)도 필요없다.
도 2를 참조하면, 첨가가스로서 수증기를 생성하기 위해 보일러(170)가 사용되고, 보일러(170)는 가열장치(171)에 의해 물(172)을 끓이고, 생성된 수증기는 연결관과 밸브(174)를 거쳐 노즐(175)에서 직접 분사된다. 이 때 관에는 고온을 유지하기 위한 가열장치(173)가 설치되어 있다.
즉, 보일러의 가열장치(171)에 의해 물이 가열되면서 수증기가 발생되고, 이 수증기를 반응가스를 주입하기 위한 관과 별도의 가스관을 통해 방전관(110) 내로 직접 분사한다. 방전관(110)은 양 전극(111a,111b)에 전압이 인가되면 반응가스에 의해 방전이 일어나고, 이때 별도의 관에서 분사된 수증기에 의해 OH 라디칼이 생성된다. 따라서 강력한 산화력을 갖는 OH 라디칼에 의해 세정이 보다 효율적으로 이루어지고, 오존발생이 억제된다.
제 3 실시예
OH 라디칼 생성을 위한 첨가가스 발생을 위해 알콜 또는 아세톤을 사용하는 방법은 도 1에 도시된 바와 같은 구성에서 소스로서 알콜이나 아세톤을 사용한다. 다만, 알콜이나 아세톤은 낮은 온도에서도 증기압(vapor pressure)이 높기 때문에 도 1에서 요구되는 가열장치(도 1의 151,156)가 필요없다. 즉, 배럴(150)에 별도의 가열장치(151)가 필요없고, 관에도 가열장치(156)를 설치할 필요가 없어 보다 간단하게 구현할 수 있다.
제 3 실시예의 동작도 가열하는 동작을 제외하면, 제 1 실시예의 동작과 동일하므로 반복을 피하기 위하여 더 이상의 설명은 생략한다.
제 4 실시예
OH 라디칼 생성을 위해 과산화 수소(H2O2)를 사용하는 방법은 도 1에 도시된 바와 같은 구성에서 소스로서 과산화수소(H2O2)를 사용한다. 다만, 과산화수는 낮은 온도에서도 증기압(vapor pressure)이 높기 때문에 도 1에서 가열장치(도1의 151,156)가 필요없다. 즉, 과산화수소는 그 자체로서 산화력이 있지만 플라즈마 에너지에 의해 과산화수소를 분해시키면 더 강한 산화제인 다량의 OH 라디칼을 생성할 수 있다.
제 4 실시예의 동작도 가열하는 동작을 제외하면, 제 1 실시예의 동작과 동일하므로 반복을 피하기 위하여 더 이상의 설명은 생략한다.
한편, 이와 같이 다양한 소스(DI워터, 알콜, 아세톤, 과산화수소 등)를 첨가가스로서 방전관(110) 내에 주입하면 방전시에 OH기(radical)가 발생하여 강력한 산화작용에 의해 보다 효과적인 세정 혹은 ashing이 이루어질 수 있으나 이에 부가하여 자외선을 이용하면 보다 많은 OH 라디칼을 얻을 수 있다. 즉, 방전중 생성된 오존의 경우, 자외선 조사에 의해 다음 수학식 2에서와 같이 OH 라디칼이 생성된다. 따라서 반응가스에 자외선 방출량(UV emission)이 큰 Xe, Ne, KrF와 같은 가스를 첨가하면 OH 라디칼의 생성을 더욱 촉진시킬 수 있다.
또한, 기판의 온도를 조절함으로써 기판표면에서 일어나는 유기물의 산화반응을 더욱 촉진시킬 수 있다. 예컨대, 기판의 온도를 150℃ ~ 250℃정도로 하면 더욱 효과적이다. 그리고 생성된 라디칼의 수명을 길게하기 위하여 피처리물과 방전전극 주위에 자기장을 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같은 자기장은 영구자석을 설치하거나 방전관에 코일을 감아 형성할 수 있다.
그리고 도면에는 구체적으로 도시하지 않았으나 처리될 실리콘 웨이퍼나, 글래스 패널 등의 피처리물이 직진 왕복운동 혹은 회전운동을 하게 되면 처리속도나 표면처리의 균일성(uniformity)을 더욱 향상시킬 수 있고, 가스의 전체 흐름 속도(total flow control)를 조절함으로써 유기 불순물의 화학적 제거 뿐만 아니라 파티클의 물리적 제거도 가능하다.
이러한 본 발명의 기술은 평판 디스플레이 제조공정 및 반도체 웨이퍼 세정공정, 유기물 제거공정인 감광막 제거(PR: Photo Resist stripping(ashing)) 공정 등에 효과적으로 적용할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 수증기나 알콜, 아세톤, 과산화수소의 가스를 반응가스에 첨가하여 방전관에 주입함으로써 방전에 의해 OH 라디칼이 생성되고, 이 OH 라디칼의 강력한 산화작용에 의해 효과적으로 반도체 기판을 건식으로 세정할 수 있음과 아울러 유해한 오존의 발생을 억제할 수 있다. 더욱이, 자외선 발생이 쉬운 Xe, Ne, KrF 등을 반응가스에 첨가하여 OH 라디칼 발생을증가시키고, 기판의 온도를 제어하여 세정 능력을 향상시킬 수 있다.

Claims (10)

  1. 상압 플라즈마 방전을 이용한 기판 세정/에싱 방법에 있어서,
    수증기나 알콜, 아세톤, 과산화수소로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 반응가스와 함께 방전관에 주입하여 방전시 OH 라디칼이 생성되게 하여
    반도체 기판이나 글래스 패널, 투명 폴리머를 세정/에싱하는 것을 특징으로 하는 건식 세정/에싱 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응가스에 Xe, Ne, KrF로 이루어진 그룹 중 하나를 첨가하여 자외선 방출에 의해 OH 라디칼 생성을 촉진시키는 것을 특징으로 하는 건식 세정/에싱 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수증기를 이용할 경우에 상기 수증기는 보일러에 의해 생성하거나 캐리어 가스의 버블링에 의해 생성하는 것을 특징으로 하는 건식 세정/에싱 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판 또는 글래스 패널을 150℃ ~ 250℃ 정도로 가열하여 반응을 활성화시키는 것을 특징으로 하는 건식 세정/에싱 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판 또는 글래스 패널을 직진 혹은 왕복 운동시켜 반응을 균일화시키는 것을 특징으로 하는 건식 세정/에싱 방법.
  6. (정정) 세정/에싱을 위한 기판을 실장할 수 있고, 유전체를 사이에 둔 양 전극에 소정 전압이 인가되면 방전에 의해 플라즈마를 생성하는 상압 플라즈마 방전관;
    상기 상압 플라즈마 방전관에 반응가스를 주입하기 위한 반응가스 주입수단;
    상기 상압 플라즈마 방전관 내로 가스들을 운반하기 위한 캐리어 가스를 주입하는 캐리어가스 주입수단; 및
    내부에 DI워터나 아세톤, 알콜, 과산화수소 중 어느 하나를 저장하고, 관로를 통해 상기 캐리어가스 주입수단과 연결되어, 상기 캐리어가스 주입수단으로부터 유입되는 캐리어가스를 이용해 상기 DI워터나 아세톤, 알콜, 과산화수소 중 어느 하나를 버블링시켜 상기 상압 플라즈마 방전관 내로 주입하는 첨가가스 주입수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 건식 세정/에싱 장치.
  7. (삭제)
  8. (정정) 세정/에싱을 위한 기판을 실장할 수 있고, 유전체를 사이에 둔 양 전극에 소정 전압이 인가되면 방전에 의해 플라즈마를 생성하는 상압 플라즈마 방전관;
    상기 상압 플라즈마 방전관에 반응가스를 주입하기 위한 반응가스 주입수단;
    상기 상압 플라즈마 방전관 내로 가스들을 운반하기 위한 캐리어 가스를 주입하는 캐리어가스 주입수단; 및
    보일러에 의해끓는 물의 수증기를 상기 상압 플라즈마 방전관에 직접 분사할 수 있도록 구성되는 첨가가스 주입수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 건식 세정/에싱 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 상압 플라즈마 방전관은 기판이나 글래스 패널을 가열하기 위한 가열장치를 더 구비한 것을 특징으로 하는 건식 세정/에싱 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 상압 플라즈마 방전관은 자기장을 생성하기 위한 자석이나 코일이 형성된 것을 특징으로 하는 건식 세정/에싱 장치.
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