KR100661373B1 - 광촉매를 이용한 에싱 방법 및 에싱 장치 - Google Patents

광촉매를 이용한 에싱 방법 및 에싱 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 표면의 유기물(포토레지스트 또는 폴리머)을 제거하기 위한 에싱 방법 및 에싱 장치를 개시한다.
본 발명의 광촉매를 이용한 에싱 방법은 이산화티탄(TiO2)으로 이루어진 광촉매에 광을 조사하여 광촉매 반응에 의한 활성라디칼을 생성하는 제 1 공정; 및 상기 활성라디칼을 상기 웨이퍼 표면에 도달시켜 상기 활성라디칼이 웨이퍼 표면의 유기물과 산화 반응을 일으키도록 하는 제 2 공정을 포함하며, 플라즈마 형성없이 이산화티탄(TiO2)의 광촉매 반응을 이용하여 웨이퍼 표면의 유기물을 분해시킴으로써 하전입자에 의한 디바이스의 특성 열화에 대한 우려가 없으며, 챔버 형성시 플라즈마 형성을 위한 모듈을 필요로 하지 않아 장치의 구조를 단순하게 하면서 비용 절감의 효과를 가져오게 한다.

Description

광촉매를 이용한 에싱 방법 및 에싱 장치{Ashing method and appartus using Photocatalyst}
도 1은 본 발명에 따른 에싱 장치의 구조를 나타내는 구조도.
도 2는 도 1에서 실린더 형태로 형성된 이산화티탄과 광투과 및 가스분배판의 모습을 나타내는 도면.
도 3은 도 1의 에싱 장치를 이용한 본 발명의 에싱 방법을 설명하기 위한 순서도.
도 4는 광촉매 반응에 의한 활성산소의 발생과정을 설명하는 도면.
본 발명은 메탈의 선택적 식각을 위해 마스크로서 사용되는 포토레지스트를 제거하기 위한 에싱 방법 및 그 에싱 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 형성 없이 자외선 조사(UV radiation)에 의한 광촉매 반응을 이용하여 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트를 제거하는 에싱 방법 및 그 에칭 장치에 관한 것이다.
에칭이나 이온(Ion)/인플랜트(Implant) 공정의 마스크로서 사용된 포토레지 스트(photoresist)는 해당 공정이 끝난 후에는 이미 기능적으로 작용하지 않기 때문에 후속 공정에서 제거할 필요가 있다. 즉, 반도체 공정에서 메탈을 식각하고 나면, 웨이퍼 표면에는 Cl-가 잔류하게 되는데, 잔류하는 Cl-가 대기중에 노출되면 습기인 H2O와 반응하여 HCl이 되어 부식의 원인으로 작용한다. 따라서, 이러한 부식을 방지하기 위해서는 레지스트를 제거해야 한다.
이러한 포토레지스트는 대부분이 유기물로 구성되는데, 이러한 포토레지스트를 제거하는데는 일반적으로 "연소" 즉 산소와 반응시켜 제거하는 방법이 이용되고 있다.
디바이스의 집적도가 높고 배선 치수가 축소되면, 약간의 레지스트 잔류도 중요한 결함으로 작용하게 되어 단선이나 쇼트(short) 등의 불량 원인이 되어 수율 저하의 원인이 될 수 있다.
에싱(Ashing)은 건식 에칭(Dry Etching)과 달리 에칭의 이방성을 요구할 필요가 없기 때문에 주로 레디컬 반응이 이용되고 있다.
종래 사용되고 있는 산소 라디칼을 발생시키는 방법으로는 플라즈마를 이용하는 방법과 오존 분해를 이용하는 방법이 있으며, 플라즈마를 이용하는 방법으로는 배치(batch)식과 매엽식이 있다.
그러나, 일반적으로 많이 사용하는 플라즈마를 이용한 에싱 방법에서는 이온이나 전자 등의 하전 입자가 기판에 대해서 물리적인 충격을 가하거나 전하를 상승시키게 되어 이것에 의해 디바이스 특성이 열화되는 문제점을 가지고 있다. 최근 의 MOS 디바이스에서는 산화막의 두께가 얇아지는 경향이 있어 그러한 특성 열화에 의한 영향을 보다 많이 받게 될 수 있다.
따라서, 상술된 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은 플라즈마 형성없이 광촉매 반응을 이용하여 레지스트를 제거함으로써 하전입자에 의한 디바이스의 손상이 발생되지 않도록 하는 새로운 에싱 방법 및 그 에싱 방법을 이용한 에싱 장치를 제공하는데 있다.
위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이산화티탄(TiO2)으로 이루어진 광촉매를 이용한 에싱 방법은 광촉매에 광을 조사하여 광촉매 반응에 의한 활성라디칼을 생성하는 제 1 공정; 및 상기 활성라디칼을 상기 웨이퍼 표면에 도달시켜 상기 활성라디칼이 웨이퍼 표면의 유기물과 산화 반응을 일으키도록 하는 제 2 공정을 포함한다.
본 발명의 광촉매를 이용한 에싱 장치는 광을 조사하는 광 조사부; 산소를 공급하는 산소 공급부; 적어도 일부가 광촉매로 코팅되어, 상기 광이 상기 광촉매로 조사되고 상기 산소 공급부로부터 상기 산소가 내부로 주입되면 산화력을 갖는 활성라디칼을 생성시켜 상기 웨이퍼 표면으로 유도하여 상기 활성라디칼과 상기 웨이퍼 표면의 유기물의 산화반응을 일으키는 챔버부; 및 상기 웨이퍼 표면의 산화반응에 의한 부산물을 상기 챔버부 외부로 배기시키는 배기부를 구비한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 에싱 장치의 구조를 나타내는 구조도이다.
도 1의 에싱 장치는 자외선 조사부(10), 산소 공급부(20), 배기부(30), 및 챔버부(40)를 구비한다.
자외선 조사부(10)는 자외선을 조사하는 UV 램프로서, 챔버부(40)의 상부에 설치되어 챔버부(40)의 상부에 실린더 형태로 코팅된 이산화티탄(TiO2)으로 자외선을 조사한다. 이때, 자외선 조사부(10)는 광촉매로 사용되는 이산화티탄(TiO2)의 밴드갭(3.0eV) 이상의 에너지를 갖는 파장(약 400㎚)의 자외선을 챔버부(40)로 조사하며, 미도시된 제어기에 의해 광의 강도가 조절된다.
산소 공급부(20)는 챔버부(40)로 산소가스(O2)를 공급한다.
배기부(30)는 챔버부(40)의 하부에 설치되는 건식 펌프(dry pump)로서, 챔버부(40) 내에서 활성라디칼과 웨이퍼(45) 표면의 유기물의 산화반응에 의해 발생되는 부산물을 챔버부(40)의 하부로 배기시킨다. 이러한, 배기부(30)의 배기작용에 의해 챔버부(40)의 상부(후술되는 활성라디칼 형성부(40A))에서 생성된 활성라디칼들은 챔버부(40)의 하부 방향으로 다운플로우 되어 스테이지(43) 위에 놓여진 웨이퍼(45) 표면에 균일하게 도달될 수 있도록 해줌으로써, 활성라디칼들이 웨이퍼(45) 표면의 유기물(포토레지스트 또는 폴리머)과 반응할 수 있도록 해준다.
챔버부(40)는 그 상부의 적어도 일부가 이산화티탄(TiO2)으로 코팅되어, 자외선 조사부(10)로부터의 자외선이 이산화티탄(TiO2)에 조사되고 산소 공급부(20)로 부터의 산소가 유입되면 광촉매 반응에 의해 강한 산화력을 갖는 활성라디칼(OH, O2 -)을 생성시켜, 활성라디칼이 웨이퍼(45) 표면의 유기물(포토레지스트 또는 폴리머)과 산화반응을 일으키도록 하여 그 유기물을 분해시킨다. 즉, 자외선 조사부(10)로부터 자외선이 유입되면, 자외선이 챔버부(40)에 코팅된 이산화티탄(TiO2)에 조사되어 e-(전자)와 h+(정공)을 발생시키고 이들이 산소 공급부(20)로부터 공급된 O2 및 챔버부(40) 내의 H2O와 반응함으로써, 챔버부(40) 상부에는 강한 산화력을 갖는 OH 라디칼과 O2 - 라디칼이 생성된다.
이러한 챔버부(40)는 활성라디칼 형성부(40A) 및 활성라디칼 반응부(40B)로 이루어진다.
활성라디칼 형성부(40A)는 광촉매인 이산화티탄(TiO2)이 실린더 형태로 형성되는 이산화티탄 실린더(41), 및 이산화티탄 실린더(41)의 상부를 외부와 차단시키면서 자외선 조사부(10)에서 조사된 자외선을 이산화티탄 실린더(41) 내부로 투과시키고 산소 공급부(20)와 연결된 가스 주입구(42)를 통해 공급되는 산소가 이산화티탄 실린더(41) 내부에 고르게 퍼지도록 분배해주는 광투과 및 가스분배판(43)을 구비한다. 이때, 이산화티탄 실린더(41)는 높이가 약 20 ∼ 30 ㎝ 정도 되고, 내경이 웨이퍼(45)의 사이즈 보다 10 ∼ 20 ㎜ 정도 크게 되도록 제작된다. 그리고, 광투과 및 가스분배판(43)은 도 2에서와 같이 그 하부면에 균일하게 형성된 다수의 홀이 구비된 석영(Quartz) 재질의 GDP(Gas Distribution Plate)로 이루어진다.
활성라디칼 반응부(40B)는 웨이퍼(45)가 설치되는 스테이지(44)를 내부에 포함하며, 하부에 챔버부(40) 내부의 가스를 외부로 배기하는 가스 배기구(43)를 구비하여 활성라디칼 형성부(40A)에서 생성된 활성라디칼들이 웨이퍼(45) 표면으로 다운플로우(downflow) 되도록 함으로써 웨이퍼(45) 표면에서 산화 반응이 발생되도록 한다. 이때, 활성라디칼 반응부(40B)는 활성라디칼들이 원활히 다운플로우(downflow) 될 수 있도록 돔형의 커버링(cover ring)으로 이루어진다. 그리고, 웨이퍼(45)가 놓이는 스테이지(444)에는 웨이퍼(45) 표면에서 활성라디칼과 유기물(포토레지스트 또는 폴리머)의 반응을 촉진하기 위한 가열블럭(Heat Block)을 설치하여 웨이퍼(45)에 대한 온도변화가 가능하도록 한다.
활성라디칼 형성부(40A)에 실린더 형태로 이산화티탄(TiO2) 표면을 형성하는 방법으로는, 저압력 CVD(LPCVD) 장치를 이용하여 실린더 형의 챔버 외벽(Quartz)에 이산화티탄(TiO2) 박막을 증착시킨다. 이때, 캐리어 가스로는 아르곤(Ar)을 원료증발기와 반응기에 그리고, 산화제 가스로는 산소를 반응기에 공급하고, 원료인 티타늄 테트라이아소프로폭사이드(Titanium Tetraisopropoxide(Ti(OC3H7)4, TTIP)를 버블러(Bubbler) 증발기를 이용하여 반응기에 공급한다. 이때, 반응 압력을 낮추거나 원료 증발기의 온도를 높여 TTIP의 공급량을 증가시키면, 이산화티탄(TiO2) 막의 성장속도는 공급량에 비례하여 증가하지만, 이산화티탄(TiO2)의 결정구조와 배향성의 변화는 없다. 그리고, 너무 많은 TTIP를 반응기에 공급하면, 기상중의 반응활 성종 농도가 높아져 기상반응에 의하여 파티클이 생성되어 기상반응에 의하여 즉층속도가 감소되고 플라즈마 챔버에 장착시 발생된 파티클에 의해 챔버 오염을 유발할 수 있다. 따라서, 전유량은 1000 ∼ 2000 sccm, 압력은 0.1 ∼ 0.3 torr, 성막온도는 750 ∼ 789 K의 반응조건으로 챔버 외벽 부분인 SiO2에 이산화티탄(TiO2)을 500 ∼ 1000 ㎛ 두께로 증착한다.
도 3은 도 1의 에싱 장치를 이용한 본 발명의 에싱 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
메탈 식각 공정이 완료된 웨이퍼를 스테이지(44) 위에 설치한 후, UV 램프(10)에 전원을 공급하여 자외선이 챔버부(40)의 상부에 코팅된 이산화티탄(TiO2) 표면에 조사되도록 한다(단계 310). 이때, 광촉매로 사용되는 이산화티탄(TiO2)에 조사되는 자외선은 이산화티탄(TiO2)의 밴드갭(3 eV) 이상의 에너지를 갖는 파장을 갖는다.
이에 따라, 이산화티탄(TiO2)에 자외선이 조사됨으로써, e-(전자)와 h+(정공)이 발생되어 이산화티탄(TiO2)의 표면으로 확산된다. 이처럼, 이산화티탄(TiO2)은 광(주로 자외선)이 조사되면, 활성산소의 생성과 물분자의 배위가 동시에 일어나, 활성산소에 의한 분해력 및 물분자의 배위 영향에 의한 친수성을 가진다.
다음에, 가스 주입구(42)를 통해 챔버부(40) 내부로 산소가스(O2)를 주입한 다(단계 320). 이에 따라, 챔버부(40)의 상부 즉 이산화티탄(TiO2)으로 둘러싸인 부분에 강한 산화력을 갖는 O2 - 라디칼 및 OH 라디칼이 생성된다. 즉, 도 3에서와 같이, 밴드갭 에너지보다 큰 에너지를 갖는 광(자외선)이 광촉매인 이산화티탄(TiO2)에 조사되면, 반응식 1과 같이 가전자대(Valence Band)에 있던 전자(e-)는 전도대(Conduction Band)로 여기되고, 가전자대에는 플러스의 전하인 정공(p+)만 남게 된다.
TiO2 + 광(<400nm) → 전자(e-) + 정공(p+)
전자가 붙은 상태로서는, 반응식 2와 같이 전자(e-)가 산소(O2)와 결합하면 슈퍼옥사이드음이온(O2 -)이 생기고, 프로톤과 결합하면 수소원자(H)가 생긴다.
O2 + e- → O2 -
H+ + e- → H
이때, 전자는 결합되어 있는 것을 환원하지만, 정공은 결합되어 있는 것을 산화시킨다. 물(H2O)과 결합되는 경우에는 반응식 3과 같이 수산라디칼(OH)가 생긴 다.
H2O(H+ + OH-) + p+ → OH + H+
따라서, 반응식 4와 같이 정공(p+)이 이산화티탄(TiO2) 표면의 O2 - 와 반응하여, O- 와 O3 - 가 생성되거나, 또는 이산화티탄(TiO2) 표면에 존재하는 수산기(OH-)와 결합하여 OH가 생성된다.
O2 - + p+ → O-
O- + O2 → O3 -
OH- + p+ → OH
이러한 반응에 의해 광촉매인 이산화티탄(TiO2)에서 생생된 활성라디칼들(O-, O2 -, O3 -, OH)은 매우 강한 산화력을 가진다.
상술된 단계 210, 220에 의해 생성된 O-, O2 -, O3 -, OH는 배기부(30)에 의한 공기의 흐름(downflow)에 의해 스테이지(44)에 놓인 웨이퍼(45) 표면에 도달된다( 단계 230).
웨이퍼(45) 표면에 도달된 라디칼들(O-, O2 -, O3 -, OH)은 유기물(포토레지스트 또는 폴리머)과 각종 산화 반응을 일으켜 분해시킴으로써 유기물들이 제거된다(단계 240).
상술한 바와 같이, 본 발명의 광촉매를 이용한 에싱 방법 및 에싱 장치는 플라즈마 형성없이 이산화티탄(TiO2)의 광촉매 반응을 이용하여 웨이퍼 표면의 유기물을 분해시킴으로써 하전입자에 의한 디바이스의 특성 열화에 대한 우려가 없으며, 챔버 형성시 플라즈마 형성을 위한 모듈을 필요로 하지 않아 장치의 구조를 단순하게 하면서 비용 절감의 효과를 가져오게 한다.

Claims (20)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 이산화티탄(TiO2)으로 이루어진 광촉매에 광을 조사하여 광촉매 반응에 의한 활성라디칼을 생성하는 제 1 공정; 및
    상기 활성라디칼을 상기 웨이퍼 표면에 도달시켜 상기 활성라디칼이 웨이퍼 표면의 유기물과 산화 반응을 일으키도록 하는 제 2 공정을 포함하는 광촉매를 이용한 에싱 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 광촉매 코팅은
    저압력 CVD(LPCVD) 방법을 이용해 실린더 형의 챔버 외벽에 상기 이산화티탄(TiO2) 박막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 이산화티탄(TiO2) 박막은
    500 ∼ 1000 ㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 방법.
  6. 제 3항에 있어서, 상기 광은
    상기 이산화티탄(TiO2)의 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 파장의 자외선인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 활성라디칼은
    O-, O2 -, O3 -, OH 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 방법.
  8. 제 3항에 있어서, 상기 제 2 공정은
    상기 산소를 상기 챔버의 상부로 주입하고 상기 챔버 내부의 가스를 상기 챔버의 하부로 배기시킴으로써, 상기 활성라디칼들이 다운플로우 되어 상기 웨이퍼 표면에 도달되도록 하는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 방법.
  9. 삭제
  10. 웨이퍼 표면의 유기물을 제거하기 위한 장치에 있어서,
    광을 조사하는 광 조사부;
    산소를 공급하는 산소 공급부;
    적어도 일부가 광촉매로 코팅되어, 상기 광이 상기 광촉매로 조사되고 상기 산소 공급부로부터 상기 산소가 내부로 주입되면 산화력을 갖는 활성라디칼을 생성시켜 상기 웨이퍼 표면으로 유도하여 상기 활성라디칼과 상기 웨이퍼 표면의 유기물의 산화반응을 일으키는 챔버부; 및
    상기 웨이퍼 표면의 산화반응에 의한 부산물을 상기 챔버부 외부로 배기시키는 배기부를 구비하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 광 조사부는
    상기 챔버부 상부에 설치되는 자외선 램프인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 광 조사부는
    상기 광촉매의 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 파장의 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
  13. 제 10항에 있어서, 챔버부는
    상기 광촉매가 실린더 형태로 형성되며, 상기 광이 상기 광촉매로 조사되고 상기 산소 공급부와 연결된 산소 주입구를 통해 상기 산소를 공급받아 상기 활성라디칼을 생성하는 활성라디칼 형성부; 및
    상기 웨이퍼가 설치되는 스테이지를 내부에 포함하며 하부에 가스 배기구를 구비하여 상기 활성라디칼을 다운플로우 시켜 상기 웨이퍼 표면의 유기물과 반응하도록 하는 활성라디칼 반응부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 광촉매는
    이산화티탄(TiO2)인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 활성라디칼 형성부는
    상기 이산화티탄(TiO2)이 실린더 형태로 형성된 이산화티탄 실린더; 및
    상기 이산화티탄 실린더의 상부를 외부와 차단시키며, 상기 광 조사부에서 조사된 자외선을 상기 이산화티탄 실린더 내부로 투과시키고, 상기 가스 주입구를 통해 상소를 공급받아 상기 이산화티탄 실린더 내부에 고르게 퍼지도록 분배해주는 광투과 및 가스분배판을 구비하는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 이산화티탄 실린더는
    20 ∼ 30 ㎝ 정도의 높이로 형성되고, 그 내경이 상기 웨이퍼 사이즈 보다 10 ∼ 20 ㎜ 정도 크게 제작되는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
  17. 제 15항 또는 제 16항에 있어서, 상기 광투과 및 가스분배판은
    그 하부면에 균일하게 형성된 다수의 홀이 구비된 석영(Quartz) 재질의 GDP(Gas Distribution Plate)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
  18. 제 13항에 있어서, 상기 활성라디칼 반응부는
    상기 활성라디칼 형성부의 하부에 연결되는 돔형의 커버링으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 스테이지는
    상기 활성라디칼과 상기 웨이퍼 표면의 유기물의 반응을 촉진시키기 위해 상기 웨이퍼의 온도를 가변시키는 가열블럭을 구비하는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
  20. 제 10항에 있어서, 상기 배기부는
    상기 챔버부의 하부로 상기 부산물을 배기시켜 상기 활성라디칼이 다운플로우 되도록 해주는 건식 펌프(Dry pump)인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 에싱 장치.
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KR102074223B1 (ko) * 2018-09-10 2020-02-07 (주)신우에이엔티 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09192659A (ja) * 1996-01-24 1997-07-29 Nec Corp 紫外線酸化装置
JPH1197421A (ja) 1997-09-19 1999-04-09 Fujitsu Ltd アッシング方法
KR20000012108U (ko) * 1998-12-15 2000-07-05 임정욱 정수기의 라디칼 발생장치
KR20030004527A (ko) * 2001-07-05 2003-01-15 사단법인 고등기술연구원 연구조합 건식 세정/에싱 방법 및 장치
KR20040018778A (ko) * 2002-08-27 2004-03-04 주식회사 테라텍 반도체 소자 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09192659A (ja) * 1996-01-24 1997-07-29 Nec Corp 紫外線酸化装置
JPH1197421A (ja) 1997-09-19 1999-04-09 Fujitsu Ltd アッシング方法
KR20000012108U (ko) * 1998-12-15 2000-07-05 임정욱 정수기의 라디칼 발생장치
KR20030004527A (ko) * 2001-07-05 2003-01-15 사단법인 고등기술연구원 연구조합 건식 세정/에싱 방법 및 장치
KR20040018778A (ko) * 2002-08-27 2004-03-04 주식회사 테라텍 반도체 소자 제조방법

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