JPH05235520A

JPH05235520A - 回路用基板のプラズマ処理方法

Info

Publication number: JPH05235520A
Application number: JP4032489A
Authority: JP
Inventors: Koji Sawada; 康志澤田; Sachiko Okazaki; 幸子岡崎; Masuhiro Kokoma; 益弘小駒
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1992-02-20
Filing date: 1992-02-20
Publication date: 1993-09-10

Abstract

(57)【要約】【目的】回路用基板を、生産性よく処理でき、しか
も、大量の廃液発生を伴わず実施容易な方法を提供す
る。【構成】大気圧付近の圧力下で生起したプラズマで回
路用基板４を処理するようにする回路用基板のプラズマ
処理方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、回路用基板のプラズ
マ処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の高性能化の進展とともに、回
路自体やＩＣ搭載において高集積化・高密度化の要求の
程度が益々高くなってきている。高集積化・高密度化を
高める上において、回路用基板の金属膜の密着性や搭載
するＩＣチップと回路用基板の接続パッドのボンディン
グ性が非常に重要である。回路用基板の表面や接続パッ
ドの表面には、金属膜の密着性やＩＣチップの接合性を
弱める有害物が存在している。特に、高密度化・高集積
化の場合、金属膜をパターン化して作る回路幅や接合パ
ッドの面積が小さいため、僅かな有害物の存在が密着不
良や接合不良を誘発し、不良発生や信頼性低下につなが
る。例えば、回路用基板に残存するソルダレジストなど
の有機系残留物で導通不良が起こるのである。

【０００３】そのため、従来、回路用基板の表面の有害
物を、湿式（ウエット）法で洗浄処理し除去することが
行われている。例えば、ソルダレジストなどの有機系残
留物に対しては、酸・アルカリ・溶剤・純水などの液体
を使った洗浄処理が行われている。また、回路用基板に
おける金属膜形成を行う面に対しては、例えば、テフロ
ン基板などの場合は金属ナトリウム含有浴を用いたテト
ラエッチ処理が行われている。

【０００４】しかしながら、液中に被処理物を浸漬する
という湿式法の場合、汚れを液中に溶出させて除去する
方法であるため、洗浄度に限界がある。また、処理し難
い廃液が多量に発生するため、環境保全の認識の高まり
とともに非常に問題視されるようになってきている。上
の湿式法に対し、溶液を使わない乾式法は、高い表面処
理効果が期待できるし、廃液が多量に発生するというこ
とが無いため、最近、非常に注目されている。具体的に
は、下記の紫外線照射法とプラズマ処理法がある。

【０００５】前者の紫外線照射法は、紫外線エネルギー
により酸素を活性度の高いオゾンにし、これにより表面
を洗浄ないしエッチングするという方法である。この方
法は常圧下で処理が可能であるため連続処理に向くなど
処理能力が高いのであるが、回路用基板の形態や材料に
よっては損傷が起こるため、適用可能な範囲が狭く実用
性が薄い。具体的に言うと、ガラスエポキシ基板の処理
や金属膜のある回路用基板には適用することが難しく、
回路用基板の処理方法としては有用性が低いのである。

【０００６】後者のプラズマ処理法は、高真空雰囲気
（１ｍｍＨｇ程度）で反応ガスをプラズマ化させ、その
高いエネルギーを利用して表面を洗浄するという方法で
あり、実用化もされている。しかしながら、処理空間を
高真空雰囲気とする必要があることから、連続処理や大
面積処理が困難で生産性が低くて処理コストが高く、や
はり今ひとつ実用性が薄い。

【０００７】また、上記の高集積化・高密度化に対して
はスルホール配線板が有用である。コンピュータは言う
に及ばず、ビデオカメラ等の民生用機器においても、４
層以上の多層のスルーホール配線板が使われるようにな
ってきている。当然、配線板１枚当たりのスルーホール
（スルーホール導電路）の個数も非常に多い。スルーホ
ールを形成する場合、内層回路基板に外層回路基板やプ
リプレグ・銅箔を積層接着した後、積層体に貫通孔をド
リル加工する等して形成してからスルーホールメッキ
〔普通は無電解メッキ（化学メッキ）とその後の電気メ
ッキ〕により貫通孔の内面に金属膜を形成する（この発
明の場合、スルーホールなる語句は貫通孔に金属膜が形
成されたものを指す）。しかし、貫通孔形成の際、ドリ
ル先端が回転で高熱状態となり、基板材料（樹脂など）
が溶融し貫通孔内に残留物（スミア）として残る。この
スミアが貫通孔にあると導通不良が発生し易いため、ス
ルーホールメッキ前に除去する必要がある。

【０００８】従来、スミア除去は前述の湿式法が用いら
れている。エポキシ基板の場合は硫酸溶液が使われ、ポ
リイミド基板の場合はクロム酸溶液や過マンガン酸化合
物を含む溶液が使われ、テフロン基板の場合は前述と同
様の金属ナトリウム含有溶液が使われる。これらの湿式
法の場合には、前述と同様の問題点がある。そのため、
プラズマ処理法の適用が考えられるわけであるが、スミ
ア処理の場合、特に処理空間を高真空雰囲気としなけれ
ばならず、連続処理や大面積処理が困難で生産性が低く
て処理コストは高くなり、大ががりなチャンバーや高価
な高性能真空ポンプが必要となり、実施は簡単に行え
ず、実用性は極めて薄い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記事情
に鑑み、回路用基板を、生産性よく処理することができ
るだけでなく大量の廃液発生を伴わず実施容易な方法を
提供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、この発明の回路用基板のプラズマ処理方法では、大
気圧付近の圧力下で生起したプラズマで回路用基板を処
理するようにしている。また、洗浄の場合、回路用基板
の洗浄部位としては、回路用基板の金属膜形成を行う面
や回路用基板のスルーホール用貫通孔が挙げられる。１
枚の回路基板の金属膜形成を行う面とスルーホール用貫
通孔の両方を同時に処理する場合もあることは言うまで
もない。しかしながら、この発明の場合、回路用基板の
接続パッド表面やスルーホールの内面（金属膜面）など
も処理対象に挙げられる。つまり、この発明の回路用基
板は、パターン化された金属膜が形成されたものや金属
膜が全く形成されていないものなど様々な形態のものが
挙げられる。処理対象が回路用基板の上の金属表面であ
ったり、回路用基板自体の表面であったりするのであ
る。

【００１１】回路用基板に対して行う処理としては、洗
浄処理やエッチング処理などが挙げられる。プラズマの
種類としては、大気圧付近の圧力下、プラズマ生起用ガ
ス中でのグロー放電の発生に伴って生起するグロー放電
プラズマが挙げられる。このような大気圧下でのグロー
放電プラズマに関しては、例えば、特公平２−４８６２
６号公報に、プラズマ内に反応性モノマーを導入し、各
種基材の表面に重合膜や改質膜を形成するという例が記
載されている。大気圧付近の圧力としては、普通は、２
００〜１５００mmＨｇの範囲の圧力であり、好ましくは
５００〜１０００mmＨｇ、より好ましくは７００〜８５
０mmＨｇの範囲の圧力である。２００mmＨｇを下回った
り、１５００mmＨｇを越えると、大気との圧力差が増す
ため、大気圧付近の圧力であることに起因する利点が薄
れてくる。具体的には、２００mmＨｇを下回わると反応
槽を気密なものにしないと空気が流入し処理できないと
いう不都合が生じるし、１５００mmＨｇを越えるとプラ
ズマが不安定になり易いという不都合が生じる。

【００１２】プラズマ生起用ガスは処理物たる回路用基
板に吹きつけるようにするのがよい。スルーホール用の
貫通孔を処理する場合には、貫通孔の開口のある面に対
し略直角となるように吹き付けるのがよい。この場合、
貫通孔内におけるガスの流れのレイノルズ数（Ｒｅ）が
１０以上となるようにするのがよい。１〜５程度のレイ
ノルズ数ではスルーホール用の貫通孔内のスミアを十分
に除去できない傾向がみられる。このレイノルズ数は下
記式であらわされる無次元数である。

【００１３】Ｒｅ＝ρｕｄ／η 〔ρ：ガスの密度、ｕ：ガスの貫通孔内の平均流速、
ｄ：貫通孔の直径、η：ガスの粘度〕ρとηはガスの種
類と温度、圧力で決まる定数であり、結局、レイノルズ
数のコントロールは、貫通孔内を流れるガスの流速を制
御することである。

【００１４】この発明におけるプラズマ生起用ガス（反
応ガス）としては、酸素ガス、４フッ化炭素（ＣＦ₄）
ガス、水素ガス、アルゴンガス（Ａｒ）、窒素ガス（Ｎ
₂）などエッチング性のあるものが適しており、必要に
応じてヘリウムガスに混合するようにする。ヘリウムガ
スに混合する場合は、ヘリウムガスのペニング効果で混
合するガスのプラズマ化が促され、ヘリウムガスの準安
定状態のエネルギーが他のガスに比べて非常に高く（約
２０ｅｖ）てライフタイムが非常に長いため、大気圧下
でもプラズマが安定し、処理を円滑に進められる。

【００１５】ヘリウムガスと他のガスを混合する場合、
混合ガスにおけるヘリウムと他のガスの混合割合は、普
通、体積比で９９．８：０．２〜７５：２５程度の範囲
とするが、これに限らない。ワイヤボンディング性改善
には、酸素ガスまたは酸素ガスと４フッ化炭素の混合ガ
スが有効である。金属膜の密着性改善には、アルゴンガ
スや窒素ガスが単独でも高分子材料のクロスリンキング
作用があって有効である。

【００１６】続いて、この発明の実施に用いられる装置
（反応装置）を図面を参照しながら説明する。図１に示
す装置は、反応槽１を備え、この槽壁にはガス導入口１
１およびガス排出口１２が設けられており、槽内には上
部電極２と下部電極３の二つの平板状電極が所定距離を
隔てて対面するようにして平行に設置されている。下部
電極３の表面には固体誘電体６が置かれている。上部電
極２は交流電源５の出力に接続され、下部電極３は接地
されている。また、反応槽１の内部にファン８を設け強
制対流が起こせるようにしておいてもよい。なお、９は
絶縁物である。

【００１７】固体誘電体６は、上部電極２の表面に設け
られていてもよいし、上部電極２と下部電極３の両電極
の表面に設けられていてもよい。この固体誘電体６はア
ーク放電の発生を阻止しグロー放電を継続して発生させ
る働きをする。もちろん、回路用基板４は上部電極２と
下部電極３の間に配置（例えば、固体誘電体６の上に載
置する）される。処理の際には、プラズマ生起用をガス
導入口１１から導入するとともに交流電源５を稼働して
交流電力の供給を開始する。そうすると、電極２，３の
間にグロー放電が発生してプラズマが生起し回路用基板
４が処理されることになる。

【００１８】また、図２にみるように、上部電極２の内
部に流路１５を設けるとともに下部電極３との対向面に
多数の開口１６を設けておき、プラズマ生起用ガスを固
体誘電体５の上に載置された回路用基板４の表面に吹き
付けるように導入することができる装置も有用である。
さらに、図３に示すような装置を用いてもよい。パイレ
ックス製のガラス管（フロー管）２０の略中心に交流電
源５の出力に接続されている電極２１を配置し、ガラス
管２０の外周に接地されている電極２２を配置し、ガラ
ス管２０の上端開口２０ａをガス導入口１１に接続す
る。そして、ガラス管２０の下端開口２０ｂは試料台２
７に載置した回路用基板４の表面に向けられている。

【００１９】特に、ガラス管２０の内部の上端開口２０
ａに近い位置に、図４および図５にみるように、多数の
孔２９を開けた平板状整流板２８を設けておけば、図４
に矢印で示すように、プラズマ生起用ガスの流れがガラ
ス管２０のガラス管軸方向に揃い、ガラス管２０内でプ
ラズマ化されたガスが回路用基板４の表面にまともに吹
き付けられる（プラズマジェットが吹きつけられる）よ
うになるのである。スルーホール用の貫通孔の開口のあ
る面を上に向けておけば、貫通孔に十分なガスが流れる
ようになる。

【００２０】また、連続処理の場合には、例えば、図６
に示す装置が使われる。図６において、他の図と同じ番
号を付けたものは他の図の装置と同じものである。連続
処理用の装置は、反応槽１内を通るベルトコンベア５０
を備えており、回路用基板４はコンベア５０に乗せられ
て上部電極２と下部電極３の間に搬入され、処理の後、
やはり、コンベア５０に乗せられて搬出されると同時に
次の回路用基板４が上部電極２と下部電極３の間に搬入
されるようになっている。ボンベ５１やボンベ５２のガ
スが必要に応じて混合器５３で混合され配管５４で送り
込まれる。この場合、図２のように、上部電極２に表面
に多数の噴出口のあるガス流路が設けられ、配管５４の
ガスが上部電極２内に導入され表面に噴出口から出る構
成をとるようにすることも有用である。

【００２１】なお、使用される交流電源の周波数は、特
に限定されるものではないが、通常、１００Hz〜２０Ｍ
Hz程度である。周波数が高いほど処理時間が短くてすむ
けれども、回路用基板４の加熱作用が強まるため、冷却
の必要性が出てきたりもする。

【００２２】

【作用】この発明の回路用基板のプラズマ処理方法の場
合、プラズマ生起用ガスが交流電力の供給を受けてプラ
ズマ化し、化学的に活性なプラズマの作用で回路用基板
が処理されることになる。この発明の場合、プラズマが
存在する処理空間の圧力は、高真空ではなく大気圧付近
の圧力である。この結果、処理空間を広くし易くなり、
一度に広い面積を処理するのに適するだけでなく、回路
用基板の処理空間への搬入および処理空間からの搬出が
簡単かつ迅速に行えるようになり、連続処理に適した処
理方法となる。

【００２３】高真空の場合、処理空間が広くなると簡単
に高真空にすることは難しいし、回路用基板の搬入・搬
出が高真空と大気雰囲気の間で回路用基板を出し入れす
ることになるために簡単ではなく時間もかかるため、大
面積処理や連続処理は困難である。この発明の還元処理
方法の場合、加えて、乾式法であって大量の廃液が発生
することはないし、複雑で大がかりな設備を必要ともし
ないため、容易に実施できる。

【００２４】スルーホール用の貫通孔の場合のように回
路用基板の表面から凹んだ部分を処理する場合、プラズ
マが貫通孔内に入り難い傾向があるため、プラズマ生起
用ガスを、例えばシャワー状に回路用基板に吹きつけて
貫通孔内にガスが入り易いようにするのが望ましい。特
に、貫通孔内におけるガスの流れのレイノルズ数が１０
以上であるように制御することが十分な処理効果を得る
上で望ましい。

【００２５】

【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。この発
明は、下記の実施例に限らない。 −実施例１− 回路用基板として、金属膜を全く形成していないテフロ
ン（ポリテトラフルオロエチレン系樹脂）基板を用い、
表面（金属形成を行う面）を洗浄処理した。処理に用い
た装置は図１に示す構成のものである（ファン８な
し）。

【００２６】なお、使用ガスの種類と流量は表１の通り
である。交流電源の周波数は６０ｋHzであり、供給電力
は５０Ｗである。処理時間は２分とした。処理の後、厚
み３５μｍで銅メッキを施して銅膜を形成した。 −実施例２− 使用ガスの種類と流量が表１の通りである他は、実施例
１と同じである。

【００２７】−比較例１− プラズマ処理の代わりに、金属ナトリウム含有浴を用い
て湿式法で洗浄するようにした他は、実施例１と同様で
ある。 −比較例２− 洗浄処理を全く行わずに厚み３５μｍで銅メッキを施し
て銅膜を形成した他は、実施例１と同様である。

【００２８】実施例１、２および比較例１、２の銅膜の
密着性を評価した。銅膜に１０ｍｍ幅に切れ目を入れて
引き剥がし強さを測定した。結果は以下の通りである。実施例１・・・１．５ｋｇｆ／ｃｍ（平均値）実施例２・・・１．７ｋｇｆ／ｃｍ（平均値）比較例１・・・０．８ｋｇｆ／ｃｍ（平均値）比較例２・・・０．４ｋｇｆ／ｃｍ（平均値） −実施例３− 回路用基板として、接続パッド用金メッキ膜を表面に設
けたエポキシ基板を用い、前記金属メッキ膜の表面を洗
浄処理した。処理に用いた装置は図１に示す構成のもの
である（ファン８なし）。

【００２９】なお、使用ガスの種類と流量は表１の通り
である。交流電源の周波数は６０ｋHzであり、供給電力
は５０Ｗである。処理時間は２分とした。 −実施例４− 使用ガスの種類と流量が表１の通りである他は、実施例
１と同じである。 −比較例３− プラズマ処理を全く行わなかった他は、実施例１と同様
である。

【００３０】実施例３、４および比較例３の金メッキ膜
のワイヤボンディング性を調べた。ワイヤをボンディン
グして引っ張り試験し、引張強度（平均）を測定すると
ともにボンディング不良率を求めた。実施例３・・・引張強度４９ｋｇ不良率５ｐ
ｐｍ実施例４・・・引張強度５１ｋｇ不良率３ｐ
ｐｍ比較例３・・・引張強度３８ｋｇ不良率４０ｐ
ｐｍ

【００３１】

【表１】

【００３２】−実施例５− 回路用基板として、スルーホール用の貫通孔（径０．５
ｍｍ）を開けたガラスエボキシ基板（厚み１ｍｍ）を用
い、貫通孔内のスミア除去処理（洗浄処理）を行った。
処理に用いた装置は図２に示す構成のものである。な
お、使用ガスの種類と流量は表２の通りである。交流電
源の周波数は６０ｋHzであり、供給電力は５０Ｗであ
る。処理時間は２分とした。貫通孔内のレイノルズ数は
１０であった。

【００３３】処理の後、厚み３５μｍで銅メッキを施し
てスルーホールを完成させた。 −実施例６− 使用ガスの種類と流量が表２の通りであり、貫通孔内の
レイノルズ数が１００である他は、実施例５と同じであ
る。 −実施例７− 使用ガスの種類と流量が表２の通りであり、貫通孔内の
レイノルズ数が１０００である他は、実施例５と同じで
ある。

【００３４】−実施例８− 使用ガスの種類と流量が表２の通りであり、貫通孔内の
レイノルズ数が１００である他は、実施例５と同じであ
る。 −実施例９− 使用ガスの種類と流量が表２の通りであり、貫通孔内の
レイノルズ数が１００である他は、実施例５と同じであ
る。

【００３５】−実施例１０− 使用ガスの種類と流量が表２の通りであり、貫通孔内の
レイノルズ数が１００であって図３に示す装置を用いる
ようにした他は、実施例５と同じである。 −実施例１１− 使用ガスの種類と流量が表２の通りであり、貫通孔内の
レイノルズ数が１００であって図１に示す装置（ファン
８有り）を用いるようにした他は、実施例５と同じであ
る。

【００３６】

【表２】

【００３７】−実施例１２− 使用ガスの種類と流量およびレイノルズ数が表３の通り
であり、ガラスエポキシ基板に代え、テフロン基板を用
いた他は実施例５と同じである。 −実施例１３− 使用ガスの種類と流量およびレイノルズ数が表３の通り
であり、ガラスエポキシ基板に代え、テフロン基板を用
いた他は実施例６と同じである。

【００３８】−実施例１４− 使用ガスの種類と流量およびレイノルズ数が表３の通り
であり、ガラスエポキシ基板に代え、テフロン基板を用
いた他は実施例７と同じである。 −実施例１５− 使用ガスの種類と流量およびレイノルズ数が表３の通り
であり、ガラスエポキシ基板に代え、ポリイミド基板を
用いた他は実施例５と同じである。

【００３９】−実施例１６− 使用ガスの種類と流量およびレイノルズ数が表３の通り
であり、ガラスエポキシ基板に代え、ポリイミド基板を
用いた他は実施例６と同じである。 −実施例１７− 使用ガスの種類と流量およびレイノルズ数が表３の通り
であり、ガラスエポキシ基板に代え、ポリイミド基板を
用いた他は実施例７と同じである。

【００４０】−比較例４− スミア除去処理が、プラズマ処理でなく、９０％濃硫酸
浴（温度５０℃）を用いた湿式処理（処理時間５分）で
ある他は実施例５と同じである。 −比較例５− スミア除去処理を全く行わなかった他は実施例５と同じ
である。

【００４１】−比較例６− スミア除去処理が、プラズマ処理でなく、金属ナトリウ
ム含有浴を用いた湿式処理である他は実施例１２と同じ
である。 −比較例７− スミア除去処理を全く行わなかった他は実施例１２と同
じである。

【００４２】−比較例８− スミア除去処理が、プラズマ処理でなく、酸化クロム含
有浴（温度５０℃）を用いた湿式処理（処理時間５分）
である他は実施例１５と同じである。 −比較例９− スミア除去処理を全く行わなかった他は実施例１５と同
じである。

【００４３】実施例と比較例における導通性を測定し、
導通不良発生率を調べた。測定結果は、表１に示す通り
である。なお、各実施例および比較例における基板数は
１００枚であり、各基板におけるスルーホール数は２０
００である。

【００４４】

【表３】

【００４５】以上にみたように、この発明の実施例の場
合、比較例の場合よりも洗浄効果が高く、銅膜の密着
性、ワイヤボンディング強度、導通不良発生率を低く抑
えることができる。

【００４６】

【発明の効果】この発明にかかる回路用基板のプラズマ
処理方法は、前述した通り、酸化銅の還元処理を大気圧
付近の圧力で生起したプラズマで行っており、その結
果、処理空間の拡大および処理空間に対する回路用基板
の出し入れが容易であるため、大面積処理適性および連
続処理適性があって生産性に富み、しかも、大量の廃液
発生を伴なったりせず、複雑かつ大がかりな設備も不要
であるため、実施が容易であり、したがって、この発明
は非常に有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施に用いる装置の第１構成例をあ
らわす説明図である。

【図２】この発明の実施に用いる装置の第２構成例をあ
らわす説明図である。

【図３】この発明の実施に用いる装置の第３構成例をあ
らわす説明図である。

【図４】図３の装置のプラズマ発生部まわりの構成をあ
らわす断面図である。

【図５】図３の装置のプラズマ発生部まわりの構成をあ
らわす平面図である。

【図６】この発明の実施に用いる装置の第４構成例をあ
らわす平面図である。

【符号の説明】

１反応槽２上部電極３下部電極４回路用基板５交流電源

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【手続補正書】

【提出日】平成４年６月３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２３】高真空の場合、処理空間が広くなると簡単
に高真空にすることは難しいし、回路用基板の搬入・搬
出が高真空と大気雰囲気の間で回路用基板を出し入れす
ることになるために簡単ではなく時間もかかり、大面積
処理や連続処理は困難である。この発明の表面処理方法
の場合、加えて、乾式法であって大量の廃液が発生する
ことはないし、複雑で大がかりな設備を必要ともしない
ため、容易に実施できる。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４６】

【発明の効果】この発明にかかる回路用基板のプラズマ
処理方法は、前述した通り、回路用基板の表面処理を大
気圧付近の圧力で生起したプラズマで行っており、その
結果、処理空間の拡大および処理空間に対する回路用基
板の出し入れが容易であるため、大面積処理適正および
連続処理適正があって生産性に富み、しかも、大量の廃
液発生を伴なったりせず、複雑かつ大がかりな設備も不
要であるため、実施が容易であり、したがって、この発
明は非常に有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岡崎幸子東京都杉並区高井戸東２−20−11 (72)発明者小駒益弘埼玉県和光市下新倉843−15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】大気圧付近の圧力下で生起したプラズマ
で回路用基板を処理するようにする回路用基板のプラズ
マ処理方法。
【請求項２】プラズマで回路用基板の金属膜形成を行
う面を処理する請求項１記載の回路用基板のプラズマ処
理方法。
【請求項３】プラズマで回路用基板のスルーホール用
貫通孔を処理する請求項１記載の回路用基板のプラズマ
処理方法。
【請求項４】大気圧付近の圧力が、２００〜１５００
mmＨｇの範囲の圧力である請求項１から３までのいずれ
かに記載の回路用基板のプラズマ処理方法。
【請求項５】プラズマが、プラズマ生起用ガス中での
グロー放電プラズマである請求項１から４までのいずれ
かに記載の回路用基板のプラズマ処理方法。
【請求項６】プラズマ生起用ガスを回路用基板に吹き
つけるようにする請求項５記載の回路用基板のプラズマ
処理方法。
【請求項７】貫通孔内におけるガスの流れのレイノル
ズ数が１０以上である請求項６または７記載の回路用基
板のプラズマ処理方法。