JPH0249035B2 - Insatsukairobanchunokaikonoyogoreojokyosuruhoho - Google Patents
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Description
Ａ 発明上の利用分野
本発明はCF4−O2混合気体を使用するプラズ
マ・エツチングによる印刷回路板（PCB）の開
孔の汚れ除去方法に関する。 Ｂ 開示の概要 本発明はプラズマ・クリーニングによるPCB
中の高いアスペクト比（縦横比）を有するせん孔
した開孔の汚れ落し方法に関する。CF4の含有量
を夫々の場合に選択する事によつて、プラズマ反
応器中の各個々のパネル及びパネルの組全体にわ
たるエツチング速度及び均一性が最適化出来る。
最適化はCF4の含有量を60容量％に、残りを酸素
にした場合に得られる事が見出された。 Ｃ 従来技術 多層印刷回路板（PCB）は通常互に絶縁層で
分離した多くの導電性の銅パターンの平面より成
る。今日のPCB技術の例えば700mm×600mmの面
積及び最大4.6mm迄の厚さを有するボートは、グ
ラス・フアイバ強化エポキシ樹脂によつて分離し
た22の電流供給面及び信号面を有する。その製造
方法は数層のプリプレグより成る所謂基本素子の
両面に銅箔を積層し、その中にホトエツチ方法で
回路を形成するものである。その後、両面上に数
層のプリプレグ、その上に夫々一枚の銅箔を重ね
る。信号線はホトエツチ法及び半アデイテイブ銅
めつきによつて与えられる。次の段階はさらに絶
縁層及び銅箔を両面に付着して、開孔をせん孔す
るためのマスクを形成する事である。２つの信号
面を接続するために、開孔をレーザ・ビームでせ
ん孔し、その後信号線をホトエツチ法及び半アデ
テイブ銅めつきによつて両面に与え、せん孔した
開孔も銅めつきする。最後にこの様ないくつかの
素子及び２つの外部表面上の銅箔を積層方法で結
合する。個々の面の相互接続のためにPCBを通
る開孔を与える。上述の寸法を有するPCBでは、
略0.4mmの直径を有する略40000個の開孔をせん孔
している。この様なせん孔にはドリル板によつて
切削した材料がせん孔壁に対して押付けられ、こ
こに蓄積して固体の薄膜になるという欠点があ
る。この様な不純物の除去は極めて困難で、個々
の内部面間の接触不良の原因となつている。 従来、切削した材料を急速に除去するために、
圧搾空気の噴流を使用して、せん孔中もしくはせ
ん孔後に材料をコンタクト開孔から吹出す方法が
提案された（西独公開特許第1704296号）。しかし
ながらこの方法は成功していない。西独特許第
2606984号はせん孔壁のエポキシ樹脂の汚れを溶
解するクリーニング溶媒として腐食性の酸によつ
て多層PCB中のコンタクト開孔を化学的に清浄
にする方法、及びこの方法を実施する装置を開示
している。これによれば、PCBは、コンタクト
開孔を形成した後、閉じたチエンバ中で、処理経
路上を一定速度で水平方向に移動される。この処
理経路には、輸送路の下方にその輸送方向とは垂
直に配置された長孔を有する管が形成され、その
管から圧搾された濃硫酸が噴出してPCBのコン
タクト開孔を強力にリンスする。その後、PCB
は強力な空気の噴流にさらされ、洗浄される。こ
の方法の欠点はせん孔した開孔の汚れを除くため
に、腐食性の化学薬品を使用しなければならず、
これが環境に害を与える点にある。これと類似の
方法であるが、米国特許第4155775号は開孔のア
スペクト比が高い、多層PCB中の開孔を清浄化
する方法を開示している。この方法によれば、先
ず開孔の表面を蒸気の吹付けによる清浄化を行
い、次にクロム硫酸で開孔表面を清浄にし、次に
取れやすくなつた繊維を適切な溶媒で除去してい
る。 米国特許第4012307号は気体として低圧、低温
の酸素もしくは酸素と４フツ化酸素の混合物を使
用するPCB中の開孔をクリーニングするプラズ
マ処理方法を開示している。この方法はすべての
ウエツト（湿式）・クリーニング方法に勝ると云
われているが、プラズマが開孔中に完全に貫入し
ないので、せん孔した開孔を部分的にしか清浄出
来ない事がわかつている。ところが、環状電極を
有する反応器から平行板電極を有する反応器に移
行することによつて或る改良が得られた。他の改
良（PCT出願WO第80／02353号）ではせん孔し
たPCBの銅の表面自体を電極として使用してプ
ラズマを発生し、清浄にすべき開孔の付近の形状
を決定している。さらに、PCBの表面全体にわ
たるエポキシ樹脂のエツチングの均一性を改良す
るために、重合体材料の誘電場サプレツサを
PCBの４隅に置いている。この方法の欠点は
PCBの表面に短絡回路が存在すると、プラズマ
が発生しない点にある。従つてこの種の反応器は
PCBの製造には使用されていない。 近年、多くのウエツト化学エツチング方法がド
ライ方法、例えば気体プラズマ・エツチングによ
つて置換えられている。これ等の方法ではプラズ
マ中の分子がイオン化し、多くの他の分子は分離
して遊離基を形成している。即ち結合に関与しな
い不対電子（unpaired electron）を有する分子
の断片が形成される。このときイオン、特に遊離
基のイオンが存在するために、プラズマは極めて
反応を生じ易くなる。その代表的な用途は低温、
低圧で実施出来る有機材料の表面のエツチングを
含む。プラズマを発生して利用する装置は比較的
複雑でなく、ウエツト化学処理方法に見られる様
な多くの欠点がない。例えば、プラズマ反応の生
成物は気体であるから、プラズマ・エツチングの
後に、固体の残渣が残らない。プラズマ・エツチ
ングに使用する代表的な気体は、酸素（O2）も
しくは酸素及び４フツ化炭素（CF4）の混合物で
ある。ここで４フツ化炭素は原子のフツ素源とし
て使用される。エレクトロニクス工業において、
プラズマ・エツチング過程は有機材料の表面の一
様なエツチングに使用されている。例えば米国特
許第3806365号は酸素と有機ハロゲン化合物のプ
ラズマによつて半導体表面からホトレジスト材料
を除去する方法を開示している。米国特許第
3816196号及び第3816198号は、半導体の製造方法
でホトレジスト・マスクを通して合成溝膜中にパ
ターンをエツチングする方法を開示している。米
国特許第3615956号は半導体ウエハを研摩して清
浄にするのに、酸素と４フツ化炭素を使用する方
法を開示している。 上述の米国特許第4012307号はPCB中にせん孔
した開孔中の汚れを取るためのプラズマ・エツチ
ング方法を含んでいる。この目的のために、酸素
及び４フツ化炭素の混合物を使用している。この
特許は略15乃至30容量％のCF4の含有百分率及び
略0.267ミリ・バールの圧力を使用した時にPCB
中にせん孔した開孔のエポキシ樹脂の汚れを除去
する最速のエツチングが得られる事を示してい
る。従つて従来は30容量％の４フツ化炭素及び残
比の酸素を含む混合物がアスペクト比が略１：１
から１：３迄のPCB中の開孔をクリーニングす
るのに成功していた。しかしながら清浄すべき回
路板が極めて大きく、例えば600×700mmで開孔の
アスペクト比が高く略１：11乃至１：13である時
はエツチングの均一性に関して問題がある。 平行パネル反応器中に上述の寸法及び上述のア
スペクト比の、数枚のパネルを装填した時には
個々のパネルに関するエツチングの均一性、パネ
ルとパネルを比較した場合の均一性が満足すべき
ものではない事がわかつている。仮に30容量％の
CF4を含むエツチング気体を使用すると、エツチ
ング速度は開孔の入口では最高になるが、中央に
向つて減少する。同じ事は個々のパネルについて
も云え、エツチング速度はパネルの縁では中央よ
りも高くなる。 Ｄ 発明が解決しようとする問題点 本発明の目的はCF4−O2混合気体を使用するプ
ラズマ・エツチングによつて開孔の汚れを除去す
る方法を与える事にある。 本発明の方法に従えば高いアスペクト比を有す
る個々の開孔のエポキシ樹脂の汚れが除去され、
個々のセル中のパネル及びプラズマ反応器中のす
べてのセルの組内のパネル内のセル内の開孔が同
時に一様にエツチされる。 Ｅ 問題点を解決するための手段 以下説明する様に、プラズマ・クリーニング方
法の効果を測定を基にして研究し、エポキシ樹脂
の汚れを（高いエツチング速度で）除去する事に
関する情報、即ち開孔の内部に関するエツチの均
一性、個々のパネルに関するエツチの均一性、及
びパネル間を比較した場合のエツチの均一性につ
いての情報を得た。各場合にエツチング気体の
CF4の含有率は２乃至80容量％間にし、残比を酸
素にした。すべての他のパラメータは一定にし
た。開孔のエツチ・バツクはパネル中に挿入した
サンプルについて測定した。最も有利なエツチ・
バツク及び均一性を考えるCF4の含有率で、再現
性に関する多くのテストを行つた。パネルの温度
に対するCF4の含有率の影響も検べた。本発明に
従う有効なプラズマ・エツチング気体のCF4の含
有率は略50乃至80容量％、O2の含有率は50乃至
20容量％である。 Ｆ 実施例 すべてのテストはカリホルニア州ヘイワード市
（Hayward、CA）のブランソン／アイ・ピー・
シー社（Branson／IPC Inc.）によつて販売され
ている13.5MC／Ｓ発生器を備えたタイプ7415の
多重セル平行板プラズマ反応器中で実施した。す
べてのプラズマ・テスト・シリーズのための処理
パラメータ及び処理順序は同じにしてCF4の含有
率だけを変えた。パラメータは次の通りである。 全気体の流率 1.2／分 圧 力 0.3333ミリ・バール 電 力 3500ワツト 負 荷 600×700mmの８枚のボート 高周波でプラズマ処理中のボードの温度をエポ
キシ樹脂のTg点である略128℃以下に保持するた
めに、次の手順を使用した。 25分間プラズマ処理を行う。 10分間反応器のとびらを開けてボード及び装置
を冷却する。 25分間プラズマ処理を行う。 気体の導入口のCF4の含有率を２乃至80容量％
の範囲で変えた。負荷の変動、装置の非信頼性も
しくはプロセスの不安定によるシステムの故障を
避けるために高い含有率及び低い含有率のCF4を
交互に使用した。 第 １ 表 CF4の含有比 CF4の流率 試行番号 （容量％） （／分） ２ 0.024 11 10 0.120 ６ 20 0.240 ９ 30 0.360 ７ 40 0.480 ５ 50 0.600 ３ 60 0.720 １ 70 0.840 ２ 80 0.960 ４ 通常10枚のボードを充填出来る平行板反応器の
外側の２枚のセルのエポキシ樹脂のエツチ・バツ
ク率は低いので、８枚の内側のセルだけにエツチ
ングのためのボードを装填した。反応器中のボー
ドを装填した８枚のセルすべてのエツチの均一性
を確かめるために、最高のエツチ・バツクを示す
セル、即ちセル６（第１図）中のボード、及び最
低のエツチ・バツクを示すセル、即ちセル８中の
ボードについてエポキシ樹脂にエツチ・バツクを
決定した。汚れのエツチ・バツクがセル６中で最
高であるのは、おそらく電極対に対する電力の供
給が非対称である事と、反応器中の対応する温度
分布による。気体の流れの方向も或る程度重要な
関係があるものと考えられる。すべてのテスト試
行で、PCBは平行ボート反応器中のボート間に
浮遊した状態で配置した。第１図はセル２乃至９
を装填したプラズマ反応器を示す。電極は示して
いない。 セル２乃至９のエツチの均一性はセル６及び８
の外側の最高のエツチ位置（Ａとして示されてい
る）及びボードの中央の最低のエツチ位置（Ｅで
示してある）にある開孔のエポキシ樹脂のエツ
チ・バツクを特に検べる事によつて確かめられ
た。これ等のセル６，８には前処理したPCB１
が装填され、そのPCBの点（Ａ及びＥ）にサン
プル２′が挿入されている（第２図）。残りのセル
には前処理しないボードを挿入した。 挿入サンプルによるボード全体のエツチの均一
性の検査について第３Ａ図乃至第３Ｅ図を参照し
て説明する（又、1982年６月刊アイ・ビイ・エム
−・テクニカル・デイスクロジヤ・ブルテイン第
25巻、第１号、第284−285頁のプラズマ・エツ
チ・プロセスのためのテスト標本と題するダブリ
ユウ・デイ・ルーの論文（IBM−Technical
Disclosure Bulletin Vol.25、No.１、June 1982.
pp284−285、W.D.Ruh、Test Specimen for
Plasma Etch Processを参照されたい）。テスト
を行うために、寸法が25mm×25mmのサンプル３１
及び10mm×25mmのマスク３３をせん孔したボード
から切取つた。従つてサンプル３１はせん孔した
開孔３２を含んでいる。サンプル及びマスクの
夫々の一つの表面を研摩して、両者を重ねた時に
密着する様にした。マスク３３の研摩表面は溝３
４を有し、サンプル３１及びマスク３３の研摩表
面を一致させた時にせん孔した開孔をシミユレー
トする（第３Ｂ図開孔３４ａ）。マスクを介して
エツチングすると、通常の様にせん孔した開孔の
直径と略幅が等しいくぼみ３４ｂが形成される
（第３Ｄ図）。第３Ｃ図に示した様にマスク−サン
プル対をエツチングのためにボート３７の窓中に
挿入した。第３Ｂ図に拡大して示した様に、ボー
ドはくさび３５によつて挿入され、互に押付けら
れる。各サンプル−マスク対の両側は銅のコーテ
イング３６で被覆した。サンプル３１中の開孔３
２の半分をエツチング中にアルミニウム箔３８で
覆つた。プラズマ・エツチング中、サンプル３１
のシミユレート開孔領域の研摩表面は反応種によ
つてエツチされた。グラス・フアイバのないサン
プル中にはくぼみ３４ｂが出来、これと同時に銅
板も著しくエツチされた。エツチしたサンプルの
エポキシ樹脂のエツチ・バツクは表面検査器によ
つて確かめた。表面検査器のスタイラスの追跡ト
ラツクの方向は第３Ｄ図の矢印３９で示してあ
る。エポキシ樹脂のエツチ・バツクの追跡トラツ
クからエツチしたくぼみ３４ｂに沿うエツチング
速度及びエツチングの均一性を計算する事が出来
る。 上述の動作と同時に、開孔３２を有するサンプ
ルを使用して、開孔を銅めつきした後の平坦部及
び断面部を基にしてプラズマで清浄した開孔及び
清浄にしない開孔を比較する事が出来る。この目
的のために、上述の如く、サンプル３１中にせん
孔した開孔３２の半分の両側（上下）を自己接着
性のアルミニウム箔３８で覆い、処理中のプラズ
マの影響をなくした（第３Ｂ図、及び第３Ｅ図）。
断面テスト方法の長所は、処理したボード自体に
実施出来て製品の品質を評価出来る点にある。一
方その欠点は顕微鏡の拡大率が250倍と低く、せ
ん孔した開孔の壁が粗いためにグラス・フアイバ
のあるところのエポキシ樹脂のエツチ・バツクの
検査可能な最低値がわずか略3μｍであるため、
分解能が低い点にある。しかしながら上述の挿入
サンプルによるエポキシ樹脂のエツチ・バツクの
決定方法はサンプルの表面が研摩されている事
と、機械的な表面検査器の分解能が高いために
（略5000倍）、略0.2μｍの分解能を有する。この高
い分解能によつて、くぼみ３４ｂに沿うエツチ・
バツクのプロフイールが、内部の銅の平面及びグ
ラス・フアイバの表面を測定の基準線として極め
て正確に確定出来る。この方法を使用してセル６
及び８中のPCBの位置Ａ及びＥにおけるくぼみ
３４ａ中のエポキシ樹脂のエツチ・バツクのプロ
フイールを決定した。エツチの均一性はセル６及
び８の全面、他セルの組即ちセル２乃至９全面に
ついて決定した。 プラズマ・エツチ中のパネル温度は４つの挿入
サンプルの近くのパネルについて両方のセルで測
定した。略74乃至121℃の温度が測定された。温
度は５乃至６℃の段階で記録した。温度を測定す
るのに使用する条片を覆う自己接着性のアルミニ
ウム箔が条片をプラズマから防止した。 以下第４図乃至第６図を参照して、実験結果に
ついて説明する。上述の様に、最大のエポキシ樹
脂のエツチ・バツクはPCBの外側の帯域、例え
ば位置Ａの開孔の入口で生じ、最小のエツチ・バ
ツクはボードの中央の位置Ｅの開孔の真中で生ず
る。例えば、20容量％のCF4及び残りを酸素とす
る混合物を使用した場合のセル６中のPCBの位
置Ａにおける開孔の入口のエポキシ樹脂のエツ
チ・バツク6AHE（6AHEにおいて、６は、サンプル
ボードの番号（第１図参照）、Ａはサンプルにお
けるセル位置（第２図参照）、HEは、開孔の入
口部分を示す）は18.9μｍ及び17.1μｍであり、即
ち平均18.0μｍである。エツチ・バツクの最小値
は同じ気体を使用した場合、位置Ｅのパネルの真
中で6AHM（HMは、開孔の、上下の入口に対して
中央部分であることを示す）＝1.1μｍである。 第４図及び第５図は夫々プラズマ反応器のセル
８及び６に関して、エツチ気体のCF4の含有百分
率（２乃至80容量％）に対する位置Ａの２つの開
孔の入口で測つた２つのラツチ・バツク値の平均
値6AHE及び8AHE、位置Ｅの開孔の真中のエツ
チ・バツク値6EHM及び8EHM並びにパネル全面に
ついての対応するエツチの均一性 6EHM／6AHE もしくは 8EHM／8AHE を示す。 CF4の含有率以外に、第４図は種々のCF4濃度
で測定した場合の順序を示す。 セル全体のエツチの均一性、即ちCF4の含有率
の関数としてのパネル全体のエツチの均一性は開
孔の入口のエポキシ樹脂のエツチ・バツク（位置
Ａ）に強く依存する。最大のエツチ速度を有する
セル６（第４図）の場合には、開孔の入口のエツ
チ・バツク6AHEは次の様にエツチ気体のCF4の含
有率を略30容量％に上昇する迄急激に増大し、そ
の後減少する。 CF4％ ２ 10 20 30 40 50 6AHE （μｍ） 3.6 9.0 18.0 28.3 26.5 22.8 CF4％ 60 70 80 6AHE （μｍ） 10.7 3.0 1.4 開孔の真中のエポキシ樹脂のエツチ・バツク
（位置Ｅ）も又次の様にCF4の含有率の上昇と共
に増大するが、急激ではない。 CF4％ ２ 10 20 30 40 50 6EHE 1.6 0.4 1.1 1.4 2.6 4.7 CF4％ 60 70 80 6EHM 6.1 2.5 1.3 上の数値列から6EHEのエツチ気体のCF4の含有
率が略60容量％の時に得られる事がわかる。 パネル全体のエツチの均一性は開孔の真中のエ
ツチ・バツクに対する値を開孔の入口のエツチ・
バツクのための平均値で除算する事によつて計算
される。 CF4％ ２ 10 20 30 40 6EHM／6AHE 0.44 0.044 0.061 0.049 0.098 CF4％ 50 60 70 80 6EHM／6AHM 0.206 0.57 0.83 0.92 これ等の数値はCF4の濃度が略10容量％以下の
場合にセルのエツチの均一性が極めて高い事を示
している。この場合エツチ気体のフツ素の含有率
は極めて低く、酸素がエツチング種を補うので開
孔の入口ではほとんどエツチングの加速はない。
開孔の真中の最高のエツチ・バツクは60容量％の
CF4で得られるが開孔の入口のエツチ・バツクは
このCF4の含有率の時は安定化（パシベーシヨ
ン）のために既に減少している。従つてこのCF4
の濃度では0.57という高いエツチの均一性を与え
る。より高い方にCF4の含有率が移行すると、エ
ツチの均一性は増大するが同時にエツチ・バツク
自体の値が減少する。 セル８、即ちプラズマ反応器中で最低のエツチ
率を有するセル中でもCF4のエツチ気体の含有率
を上昇すると、エポキシ樹脂のエツチ・パツクが
増大するが、全体的にはセル６の場合よりもはる
かに低い。開孔の入口におけるエツチ・バツクの
最大値8AHE＝24μｍ（第５図）はCF4の含有率が
40容量％の時だけに達成される（セル６中では30
容量％の時）。開孔の真中では、エツチ・バツク
の最大値8EHM＝2.5μｍは、セル６の場合と同様に
CF4が60容量％の時に得られる。セル８中の40も
しくは60容量％のCF4の時のエツチの均一性を示
す値は夫々0.0735及び0.231である。セル８中の
エポキシ樹脂のエツチ・バツクが全体としてセル
６中の場合よりも低いのはプラズマ・エツチング
のパネル温度の差による。それはセル８中のパネ
ル温度はセル６中よりも常に低いからである。各
セル中のパネル温度はCF4の含有率を上げると上
昇し、セル６では50乃至60容量％のCF4で最大約
121℃になり、セル８では60容量のCF4で最大約
108℃になる。 エポキシのエツチ・バツクのための曲線は、プ
ラズマ系O2／CF4による重合体材料のエツチ・バ
ツクに対する機構で説明出来る。この機構に従え
ばエポキシ樹脂の表面のフツ素原子の相対濃度は
最初CF4の濃度を増大すると増大する。フツ素の
原子はエポキシ樹脂と反応して、存在する結合を
破壊してエツチング媒質の侵食のための活性中心
となる。一方CF4の濃度が高いと、多くのCFxの
結合がエポキシ樹脂の表面上に出来、これによつ
て表面が安定化して、エポキシ樹脂のエツチ・バ
ツクが減少する。この知見は、高いアスペクト比
の開孔を清浄にするために利用できる。即ちCF4
の含有率の高いエツチ気体はすべての利用可能な
フツ素を使用し尽すことにより、開孔の入口のエ
ポキシ樹脂を強力にエツチ・バツク出来る。これ
と同時に活性フツ素がなくなるので、開孔の真中
ではエツチ・バツクは低くなる。尚、CF4の成分
が多い場合に生じる表面のパシベーシヨン現象
は、孔の入口でのエツチングの減少と孔の中央で
のエツチングの増大を説明し得る。というのは、
CF4の成分が多いと、孔の中央で再び活性フツ素
が利用可能となるからである。さらにCF4の含有
率を増大すると、開孔の真中の表面の安定化が生
じ、従つて開孔の真中と開口の入口のエツチ・バ
ツクが略バランスし、セル全体にわたつては時間
と共にエツチの均一性が増大する。例えばセル６
では、CF4の含有率を60容量％にした場合のセル
の均一性は0.75である。CF4の含有率を70容量％
にした場合には、開孔の真中でも表面の安定化が
生ずるのでセル全体の均一性は0.83となる。 第６図はセル６からセル８迄のプラズマ反応器
全体のエツチの均一性及び両セルでエツチ・バツ
クが最低になる点、即ちセル８のパネルの中心の
開孔（位置Ｅ）の真中のエツチ・バツクをCF4の
関数として示している。全体的なエツチの均一性
はセル８の開孔の真中のエツチ・バツクの値
8EHMをセル６の開孔の入口のエツチ・バツクの
値6AHEで割る事によつて計算出来る。70容量％
のCF4の場合には0.48のエツチの均一性が達成さ
れるが、エツチ・バツク率は低い。 次の第２表は60容量％のCF4及び残比のO2より
成る混合気体を使用した場合のすべての場合のエ
ツチの均一性を示す。
マ・エツチングによる印刷回路板（PCB）の開
孔の汚れ除去方法に関する。 Ｂ 開示の概要 本発明はプラズマ・クリーニングによるPCB
中の高いアスペクト比（縦横比）を有するせん孔
した開孔の汚れ落し方法に関する。CF4の含有量
を夫々の場合に選択する事によつて、プラズマ反
応器中の各個々のパネル及びパネルの組全体にわ
たるエツチング速度及び均一性が最適化出来る。
最適化はCF4の含有量を60容量％に、残りを酸素
にした場合に得られる事が見出された。 Ｃ 従来技術 多層印刷回路板（PCB）は通常互に絶縁層で
分離した多くの導電性の銅パターンの平面より成
る。今日のPCB技術の例えば700mm×600mmの面
積及び最大4.6mm迄の厚さを有するボートは、グ
ラス・フアイバ強化エポキシ樹脂によつて分離し
た22の電流供給面及び信号面を有する。その製造
方法は数層のプリプレグより成る所謂基本素子の
両面に銅箔を積層し、その中にホトエツチ方法で
回路を形成するものである。その後、両面上に数
層のプリプレグ、その上に夫々一枚の銅箔を重ね
る。信号線はホトエツチ法及び半アデイテイブ銅
めつきによつて与えられる。次の段階はさらに絶
縁層及び銅箔を両面に付着して、開孔をせん孔す
るためのマスクを形成する事である。２つの信号
面を接続するために、開孔をレーザ・ビームでせ
ん孔し、その後信号線をホトエツチ法及び半アデ
テイブ銅めつきによつて両面に与え、せん孔した
開孔も銅めつきする。最後にこの様ないくつかの
素子及び２つの外部表面上の銅箔を積層方法で結
合する。個々の面の相互接続のためにPCBを通
る開孔を与える。上述の寸法を有するPCBでは、
略0.4mmの直径を有する略40000個の開孔をせん孔
している。この様なせん孔にはドリル板によつて
切削した材料がせん孔壁に対して押付けられ、こ
こに蓄積して固体の薄膜になるという欠点があ
る。この様な不純物の除去は極めて困難で、個々
の内部面間の接触不良の原因となつている。 従来、切削した材料を急速に除去するために、
圧搾空気の噴流を使用して、せん孔中もしくはせ
ん孔後に材料をコンタクト開孔から吹出す方法が
提案された（西独公開特許第1704296号）。しかし
ながらこの方法は成功していない。西独特許第
2606984号はせん孔壁のエポキシ樹脂の汚れを溶
解するクリーニング溶媒として腐食性の酸によつ
て多層PCB中のコンタクト開孔を化学的に清浄
にする方法、及びこの方法を実施する装置を開示
している。これによれば、PCBは、コンタクト
開孔を形成した後、閉じたチエンバ中で、処理経
路上を一定速度で水平方向に移動される。この処
理経路には、輸送路の下方にその輸送方向とは垂
直に配置された長孔を有する管が形成され、その
管から圧搾された濃硫酸が噴出してPCBのコン
タクト開孔を強力にリンスする。その後、PCB
は強力な空気の噴流にさらされ、洗浄される。こ
の方法の欠点はせん孔した開孔の汚れを除くため
に、腐食性の化学薬品を使用しなければならず、
これが環境に害を与える点にある。これと類似の
方法であるが、米国特許第4155775号は開孔のア
スペクト比が高い、多層PCB中の開孔を清浄化
する方法を開示している。この方法によれば、先
ず開孔の表面を蒸気の吹付けによる清浄化を行
い、次にクロム硫酸で開孔表面を清浄にし、次に
取れやすくなつた繊維を適切な溶媒で除去してい
る。 米国特許第4012307号は気体として低圧、低温
の酸素もしくは酸素と４フツ化酸素の混合物を使
用するPCB中の開孔をクリーニングするプラズ
マ処理方法を開示している。この方法はすべての
ウエツト（湿式）・クリーニング方法に勝ると云
われているが、プラズマが開孔中に完全に貫入し
ないので、せん孔した開孔を部分的にしか清浄出
来ない事がわかつている。ところが、環状電極を
有する反応器から平行板電極を有する反応器に移
行することによつて或る改良が得られた。他の改
良（PCT出願WO第80／02353号）ではせん孔し
たPCBの銅の表面自体を電極として使用してプ
ラズマを発生し、清浄にすべき開孔の付近の形状
を決定している。さらに、PCBの表面全体にわ
たるエポキシ樹脂のエツチングの均一性を改良す
るために、重合体材料の誘電場サプレツサを
PCBの４隅に置いている。この方法の欠点は
PCBの表面に短絡回路が存在すると、プラズマ
が発生しない点にある。従つてこの種の反応器は
PCBの製造には使用されていない。 近年、多くのウエツト化学エツチング方法がド
ライ方法、例えば気体プラズマ・エツチングによ
つて置換えられている。これ等の方法ではプラズ
マ中の分子がイオン化し、多くの他の分子は分離
して遊離基を形成している。即ち結合に関与しな
い不対電子（unpaired electron）を有する分子
の断片が形成される。このときイオン、特に遊離
基のイオンが存在するために、プラズマは極めて
反応を生じ易くなる。その代表的な用途は低温、
低圧で実施出来る有機材料の表面のエツチングを
含む。プラズマを発生して利用する装置は比較的
複雑でなく、ウエツト化学処理方法に見られる様
な多くの欠点がない。例えば、プラズマ反応の生
成物は気体であるから、プラズマ・エツチングの
後に、固体の残渣が残らない。プラズマ・エツチ
ングに使用する代表的な気体は、酸素（O2）も
しくは酸素及び４フツ化炭素（CF4）の混合物で
ある。ここで４フツ化炭素は原子のフツ素源とし
て使用される。エレクトロニクス工業において、
プラズマ・エツチング過程は有機材料の表面の一
様なエツチングに使用されている。例えば米国特
許第3806365号は酸素と有機ハロゲン化合物のプ
ラズマによつて半導体表面からホトレジスト材料
を除去する方法を開示している。米国特許第
3816196号及び第3816198号は、半導体の製造方法
でホトレジスト・マスクを通して合成溝膜中にパ
ターンをエツチングする方法を開示している。米
国特許第3615956号は半導体ウエハを研摩して清
浄にするのに、酸素と４フツ化炭素を使用する方
法を開示している。 上述の米国特許第4012307号はPCB中にせん孔
した開孔中の汚れを取るためのプラズマ・エツチ
ング方法を含んでいる。この目的のために、酸素
及び４フツ化炭素の混合物を使用している。この
特許は略15乃至30容量％のCF4の含有百分率及び
略0.267ミリ・バールの圧力を使用した時にPCB
中にせん孔した開孔のエポキシ樹脂の汚れを除去
する最速のエツチングが得られる事を示してい
る。従つて従来は30容量％の４フツ化炭素及び残
比の酸素を含む混合物がアスペクト比が略１：１
から１：３迄のPCB中の開孔をクリーニングす
るのに成功していた。しかしながら清浄すべき回
路板が極めて大きく、例えば600×700mmで開孔の
アスペクト比が高く略１：11乃至１：13である時
はエツチングの均一性に関して問題がある。 平行パネル反応器中に上述の寸法及び上述のア
スペクト比の、数枚のパネルを装填した時には
個々のパネルに関するエツチングの均一性、パネ
ルとパネルを比較した場合の均一性が満足すべき
ものではない事がわかつている。仮に30容量％の
CF4を含むエツチング気体を使用すると、エツチ
ング速度は開孔の入口では最高になるが、中央に
向つて減少する。同じ事は個々のパネルについて
も云え、エツチング速度はパネルの縁では中央よ
りも高くなる。 Ｄ 発明が解決しようとする問題点 本発明の目的はCF4−O2混合気体を使用するプ
ラズマ・エツチングによつて開孔の汚れを除去す
る方法を与える事にある。 本発明の方法に従えば高いアスペクト比を有す
る個々の開孔のエポキシ樹脂の汚れが除去され、
個々のセル中のパネル及びプラズマ反応器中のす
べてのセルの組内のパネル内のセル内の開孔が同
時に一様にエツチされる。 Ｅ 問題点を解決するための手段 以下説明する様に、プラズマ・クリーニング方
法の効果を測定を基にして研究し、エポキシ樹脂
の汚れを（高いエツチング速度で）除去する事に
関する情報、即ち開孔の内部に関するエツチの均
一性、個々のパネルに関するエツチの均一性、及
びパネル間を比較した場合のエツチの均一性につ
いての情報を得た。各場合にエツチング気体の
CF4の含有率は２乃至80容量％間にし、残比を酸
素にした。すべての他のパラメータは一定にし
た。開孔のエツチ・バツクはパネル中に挿入した
サンプルについて測定した。最も有利なエツチ・
バツク及び均一性を考えるCF4の含有率で、再現
性に関する多くのテストを行つた。パネルの温度
に対するCF4の含有率の影響も検べた。本発明に
従う有効なプラズマ・エツチング気体のCF4の含
有率は略50乃至80容量％、O2の含有率は50乃至
20容量％である。 Ｆ 実施例 すべてのテストはカリホルニア州ヘイワード市
（Hayward、CA）のブランソン／アイ・ピー・
シー社（Branson／IPC Inc.）によつて販売され
ている13.5MC／Ｓ発生器を備えたタイプ7415の
多重セル平行板プラズマ反応器中で実施した。す
べてのプラズマ・テスト・シリーズのための処理
パラメータ及び処理順序は同じにしてCF4の含有
率だけを変えた。パラメータは次の通りである。 全気体の流率 1.2／分 圧 力 0.3333ミリ・バール 電 力 3500ワツト 負 荷 600×700mmの８枚のボート 高周波でプラズマ処理中のボードの温度をエポ
キシ樹脂のTg点である略128℃以下に保持するた
めに、次の手順を使用した。 25分間プラズマ処理を行う。 10分間反応器のとびらを開けてボード及び装置
を冷却する。 25分間プラズマ処理を行う。 気体の導入口のCF4の含有率を２乃至80容量％
の範囲で変えた。負荷の変動、装置の非信頼性も
しくはプロセスの不安定によるシステムの故障を
避けるために高い含有率及び低い含有率のCF4を
交互に使用した。 第 １ 表 CF4の含有比 CF4の流率 試行番号 （容量％） （／分） ２ 0.024 11 10 0.120 ６ 20 0.240 ９ 30 0.360 ７ 40 0.480 ５ 50 0.600 ３ 60 0.720 １ 70 0.840 ２ 80 0.960 ４ 通常10枚のボードを充填出来る平行板反応器の
外側の２枚のセルのエポキシ樹脂のエツチ・バツ
ク率は低いので、８枚の内側のセルだけにエツチ
ングのためのボードを装填した。反応器中のボー
ドを装填した８枚のセルすべてのエツチの均一性
を確かめるために、最高のエツチ・バツクを示す
セル、即ちセル６（第１図）中のボード、及び最
低のエツチ・バツクを示すセル、即ちセル８中の
ボードについてエポキシ樹脂にエツチ・バツクを
決定した。汚れのエツチ・バツクがセル６中で最
高であるのは、おそらく電極対に対する電力の供
給が非対称である事と、反応器中の対応する温度
分布による。気体の流れの方向も或る程度重要な
関係があるものと考えられる。すべてのテスト試
行で、PCBは平行ボート反応器中のボート間に
浮遊した状態で配置した。第１図はセル２乃至９
を装填したプラズマ反応器を示す。電極は示して
いない。 セル２乃至９のエツチの均一性はセル６及び８
の外側の最高のエツチ位置（Ａとして示されてい
る）及びボードの中央の最低のエツチ位置（Ｅで
示してある）にある開孔のエポキシ樹脂のエツ
チ・バツクを特に検べる事によつて確かめられ
た。これ等のセル６，８には前処理したPCB１
が装填され、そのPCBの点（Ａ及びＥ）にサン
プル２′が挿入されている（第２図）。残りのセル
には前処理しないボードを挿入した。 挿入サンプルによるボード全体のエツチの均一
性の検査について第３Ａ図乃至第３Ｅ図を参照し
て説明する（又、1982年６月刊アイ・ビイ・エム
−・テクニカル・デイスクロジヤ・ブルテイン第
25巻、第１号、第284−285頁のプラズマ・エツ
チ・プロセスのためのテスト標本と題するダブリ
ユウ・デイ・ルーの論文（IBM−Technical
Disclosure Bulletin Vol.25、No.１、June 1982.
pp284−285、W.D.Ruh、Test Specimen for
Plasma Etch Processを参照されたい）。テスト
を行うために、寸法が25mm×25mmのサンプル３１
及び10mm×25mmのマスク３３をせん孔したボード
から切取つた。従つてサンプル３１はせん孔した
開孔３２を含んでいる。サンプル及びマスクの
夫々の一つの表面を研摩して、両者を重ねた時に
密着する様にした。マスク３３の研摩表面は溝３
４を有し、サンプル３１及びマスク３３の研摩表
面を一致させた時にせん孔した開孔をシミユレー
トする（第３Ｂ図開孔３４ａ）。マスクを介して
エツチングすると、通常の様にせん孔した開孔の
直径と略幅が等しいくぼみ３４ｂが形成される
（第３Ｄ図）。第３Ｃ図に示した様にマスク−サン
プル対をエツチングのためにボート３７の窓中に
挿入した。第３Ｂ図に拡大して示した様に、ボー
ドはくさび３５によつて挿入され、互に押付けら
れる。各サンプル−マスク対の両側は銅のコーテ
イング３６で被覆した。サンプル３１中の開孔３
２の半分をエツチング中にアルミニウム箔３８で
覆つた。プラズマ・エツチング中、サンプル３１
のシミユレート開孔領域の研摩表面は反応種によ
つてエツチされた。グラス・フアイバのないサン
プル中にはくぼみ３４ｂが出来、これと同時に銅
板も著しくエツチされた。エツチしたサンプルの
エポキシ樹脂のエツチ・バツクは表面検査器によ
つて確かめた。表面検査器のスタイラスの追跡ト
ラツクの方向は第３Ｄ図の矢印３９で示してあ
る。エポキシ樹脂のエツチ・バツクの追跡トラツ
クからエツチしたくぼみ３４ｂに沿うエツチング
速度及びエツチングの均一性を計算する事が出来
る。 上述の動作と同時に、開孔３２を有するサンプ
ルを使用して、開孔を銅めつきした後の平坦部及
び断面部を基にしてプラズマで清浄した開孔及び
清浄にしない開孔を比較する事が出来る。この目
的のために、上述の如く、サンプル３１中にせん
孔した開孔３２の半分の両側（上下）を自己接着
性のアルミニウム箔３８で覆い、処理中のプラズ
マの影響をなくした（第３Ｂ図、及び第３Ｅ図）。
断面テスト方法の長所は、処理したボード自体に
実施出来て製品の品質を評価出来る点にある。一
方その欠点は顕微鏡の拡大率が250倍と低く、せ
ん孔した開孔の壁が粗いためにグラス・フアイバ
のあるところのエポキシ樹脂のエツチ・バツクの
検査可能な最低値がわずか略3μｍであるため、
分解能が低い点にある。しかしながら上述の挿入
サンプルによるエポキシ樹脂のエツチ・バツクの
決定方法はサンプルの表面が研摩されている事
と、機械的な表面検査器の分解能が高いために
（略5000倍）、略0.2μｍの分解能を有する。この高
い分解能によつて、くぼみ３４ｂに沿うエツチ・
バツクのプロフイールが、内部の銅の平面及びグ
ラス・フアイバの表面を測定の基準線として極め
て正確に確定出来る。この方法を使用してセル６
及び８中のPCBの位置Ａ及びＥにおけるくぼみ
３４ａ中のエポキシ樹脂のエツチ・バツクのプロ
フイールを決定した。エツチの均一性はセル６及
び８の全面、他セルの組即ちセル２乃至９全面に
ついて決定した。 プラズマ・エツチ中のパネル温度は４つの挿入
サンプルの近くのパネルについて両方のセルで測
定した。略74乃至121℃の温度が測定された。温
度は５乃至６℃の段階で記録した。温度を測定す
るのに使用する条片を覆う自己接着性のアルミニ
ウム箔が条片をプラズマから防止した。 以下第４図乃至第６図を参照して、実験結果に
ついて説明する。上述の様に、最大のエポキシ樹
脂のエツチ・バツクはPCBの外側の帯域、例え
ば位置Ａの開孔の入口で生じ、最小のエツチ・バ
ツクはボードの中央の位置Ｅの開孔の真中で生ず
る。例えば、20容量％のCF4及び残りを酸素とす
る混合物を使用した場合のセル６中のPCBの位
置Ａにおける開孔の入口のエポキシ樹脂のエツ
チ・バツク6AHE（6AHEにおいて、６は、サンプル
ボードの番号（第１図参照）、Ａはサンプルにお
けるセル位置（第２図参照）、HEは、開孔の入
口部分を示す）は18.9μｍ及び17.1μｍであり、即
ち平均18.0μｍである。エツチ・バツクの最小値
は同じ気体を使用した場合、位置Ｅのパネルの真
中で6AHM（HMは、開孔の、上下の入口に対して
中央部分であることを示す）＝1.1μｍである。 第４図及び第５図は夫々プラズマ反応器のセル
８及び６に関して、エツチ気体のCF4の含有百分
率（２乃至80容量％）に対する位置Ａの２つの開
孔の入口で測つた２つのラツチ・バツク値の平均
値6AHE及び8AHE、位置Ｅの開孔の真中のエツ
チ・バツク値6EHM及び8EHM並びにパネル全面に
ついての対応するエツチの均一性 6EHM／6AHE もしくは 8EHM／8AHE を示す。 CF4の含有率以外に、第４図は種々のCF4濃度
で測定した場合の順序を示す。 セル全体のエツチの均一性、即ちCF4の含有率
の関数としてのパネル全体のエツチの均一性は開
孔の入口のエポキシ樹脂のエツチ・バツク（位置
Ａ）に強く依存する。最大のエツチ速度を有する
セル６（第４図）の場合には、開孔の入口のエツ
チ・バツク6AHEは次の様にエツチ気体のCF4の含
有率を略30容量％に上昇する迄急激に増大し、そ
の後減少する。 CF4％ ２ 10 20 30 40 50 6AHE （μｍ） 3.6 9.0 18.0 28.3 26.5 22.8 CF4％ 60 70 80 6AHE （μｍ） 10.7 3.0 1.4 開孔の真中のエポキシ樹脂のエツチ・バツク
（位置Ｅ）も又次の様にCF4の含有率の上昇と共
に増大するが、急激ではない。 CF4％ ２ 10 20 30 40 50 6EHE 1.6 0.4 1.1 1.4 2.6 4.7 CF4％ 60 70 80 6EHM 6.1 2.5 1.3 上の数値列から6EHEのエツチ気体のCF4の含有
率が略60容量％の時に得られる事がわかる。 パネル全体のエツチの均一性は開孔の真中のエ
ツチ・バツクに対する値を開孔の入口のエツチ・
バツクのための平均値で除算する事によつて計算
される。 CF4％ ２ 10 20 30 40 6EHM／6AHE 0.44 0.044 0.061 0.049 0.098 CF4％ 50 60 70 80 6EHM／6AHM 0.206 0.57 0.83 0.92 これ等の数値はCF4の濃度が略10容量％以下の
場合にセルのエツチの均一性が極めて高い事を示
している。この場合エツチ気体のフツ素の含有率
は極めて低く、酸素がエツチング種を補うので開
孔の入口ではほとんどエツチングの加速はない。
開孔の真中の最高のエツチ・バツクは60容量％の
CF4で得られるが開孔の入口のエツチ・バツクは
このCF4の含有率の時は安定化（パシベーシヨ
ン）のために既に減少している。従つてこのCF4
の濃度では0.57という高いエツチの均一性を与え
る。より高い方にCF4の含有率が移行すると、エ
ツチの均一性は増大するが同時にエツチ・バツク
自体の値が減少する。 セル８、即ちプラズマ反応器中で最低のエツチ
率を有するセル中でもCF4のエツチ気体の含有率
を上昇すると、エポキシ樹脂のエツチ・パツクが
増大するが、全体的にはセル６の場合よりもはる
かに低い。開孔の入口におけるエツチ・バツクの
最大値8AHE＝24μｍ（第５図）はCF4の含有率が
40容量％の時だけに達成される（セル６中では30
容量％の時）。開孔の真中では、エツチ・バツク
の最大値8EHM＝2.5μｍは、セル６の場合と同様に
CF4が60容量％の時に得られる。セル８中の40も
しくは60容量％のCF4の時のエツチの均一性を示
す値は夫々0.0735及び0.231である。セル８中の
エポキシ樹脂のエツチ・バツクが全体としてセル
６中の場合よりも低いのはプラズマ・エツチング
のパネル温度の差による。それはセル８中のパネ
ル温度はセル６中よりも常に低いからである。各
セル中のパネル温度はCF4の含有率を上げると上
昇し、セル６では50乃至60容量％のCF4で最大約
121℃になり、セル８では60容量のCF4で最大約
108℃になる。 エポキシのエツチ・バツクのための曲線は、プ
ラズマ系O2／CF4による重合体材料のエツチ・バ
ツクに対する機構で説明出来る。この機構に従え
ばエポキシ樹脂の表面のフツ素原子の相対濃度は
最初CF4の濃度を増大すると増大する。フツ素の
原子はエポキシ樹脂と反応して、存在する結合を
破壊してエツチング媒質の侵食のための活性中心
となる。一方CF4の濃度が高いと、多くのCFxの
結合がエポキシ樹脂の表面上に出来、これによつ
て表面が安定化して、エポキシ樹脂のエツチ・バ
ツクが減少する。この知見は、高いアスペクト比
の開孔を清浄にするために利用できる。即ちCF4
の含有率の高いエツチ気体はすべての利用可能な
フツ素を使用し尽すことにより、開孔の入口のエ
ポキシ樹脂を強力にエツチ・バツク出来る。これ
と同時に活性フツ素がなくなるので、開孔の真中
ではエツチ・バツクは低くなる。尚、CF4の成分
が多い場合に生じる表面のパシベーシヨン現象
は、孔の入口でのエツチングの減少と孔の中央で
のエツチングの増大を説明し得る。というのは、
CF4の成分が多いと、孔の中央で再び活性フツ素
が利用可能となるからである。さらにCF4の含有
率を増大すると、開孔の真中の表面の安定化が生
じ、従つて開孔の真中と開口の入口のエツチ・バ
ツクが略バランスし、セル全体にわたつては時間
と共にエツチの均一性が増大する。例えばセル６
では、CF4の含有率を60容量％にした場合のセル
の均一性は0.75である。CF4の含有率を70容量％
にした場合には、開孔の真中でも表面の安定化が
生ずるのでセル全体の均一性は0.83となる。 第６図はセル６からセル８迄のプラズマ反応器
全体のエツチの均一性及び両セルでエツチ・バツ
クが最低になる点、即ちセル８のパネルの中心の
開孔（位置Ｅ）の真中のエツチ・バツクをCF4の
関数として示している。全体的なエツチの均一性
はセル８の開孔の真中のエツチ・バツクの値
8EHMをセル６の開孔の入口のエツチ・バツクの
値6AHEで割る事によつて計算出来る。70容量％
のCF4の場合には0.48のエツチの均一性が達成さ
れるが、エツチ・バツク率は低い。 次の第２表は60容量％のCF4及び残比のO2より
成る混合気体を使用した場合のすべての場合のエ
ツチの均一性を示す。
【表】
以上の事から、ブランソン（Branson）7415の
多重セル平行板反応器中で、開孔の直径対パネル
の厚さのアスペクト比が略１：11乃至１：13と高
い、PCB中のせん孔した開孔のエポキシ樹脂の
エツチ・バツク及びエツチの均一性に対するCF4
の含有率の影響力を、挿入したサンプルによつて
テスト出来たと結論出来る。エポキシ樹脂のエツ
チ・バツクの平均値、せん孔した開孔内の均一性
個々のパネルにまたがる均一性、及び全プラズマ
反応器内の均一性について、60容量％のCF4及び
残りのO2によるプラズマ・クリーニング処理は
最適な結果を示した。略10容量％及びそれ以下の
CF4の含有率の場合でもエツチの均一性は改良さ
れるが、この濃度のCF4によるエポキシ樹脂のエ
ツチ・バツクは60容量％のCF4の場合と比較して
著しく減少する。 挿入したサンプルの場合、エツチ気体のCF4の
含有率がせん孔した開孔のエツチの前縁を決定
し、従つてCF4の含有率に依存してせん孔した開
孔の壁の断面は凹面、直線もしくは凸面をなす事
がわかつた。 Ｇ 発明の効果 本発明に従うCF4−O2混合気体を使用するプラ
ズマ・エツチングにより、高いアスペクト比を有
する個々の開孔中のエポキシ樹脂の汚れが除去さ
れ、個々の各開孔全体、個々のセル中のパネル、
プラズマ反応器中のすべてのセル内の開孔が同時
に一様にエツチされる。
多重セル平行板反応器中で、開孔の直径対パネル
の厚さのアスペクト比が略１：11乃至１：13と高
い、PCB中のせん孔した開孔のエポキシ樹脂の
エツチ・バツク及びエツチの均一性に対するCF4
の含有率の影響力を、挿入したサンプルによつて
テスト出来たと結論出来る。エポキシ樹脂のエツ
チ・バツクの平均値、せん孔した開孔内の均一性
個々のパネルにまたがる均一性、及び全プラズマ
反応器内の均一性について、60容量％のCF4及び
残りのO2によるプラズマ・クリーニング処理は
最適な結果を示した。略10容量％及びそれ以下の
CF4の含有率の場合でもエツチの均一性は改良さ
れるが、この濃度のCF4によるエポキシ樹脂のエ
ツチ・バツクは60容量％のCF4の場合と比較して
著しく減少する。 挿入したサンプルの場合、エツチ気体のCF4の
含有率がせん孔した開孔のエツチの前縁を決定
し、従つてCF4の含有率に依存してせん孔した開
孔の壁の断面は凹面、直線もしくは凸面をなす事
がわかつた。 Ｇ 発明の効果 本発明に従うCF4−O2混合気体を使用するプラ
ズマ・エツチングにより、高いアスペクト比を有
する個々の開孔中のエポキシ樹脂の汚れが除去さ
れ、個々の各開孔全体、個々のセル中のパネル、
プラズマ反応器中のすべてのセル内の開孔が同時
に一様にエツチされる。
第１図は複数のセルを塔載した平行板反応器を
示した概略図である。第２図は隅及び中央の位置
にサンプルを挿入した印刷回路板を示した概略図
である。第３Ａ図、第３Ｂ図、第３Ｃ図、第３Ｄ
図及び第３Ｅ図は挿入サンプルによる検査方法を
示す図である。第４図はセル６のエポキシ樹脂の
エツチ・バツクとエツチの均一性をCF4の濃度の
関数として示した図である。第５図はセル８のエ
ポキシ樹脂のエツチ・バツク及びエツチの均一性
をCF4の濃度の関数として示した図である。第６
図はセル６とセル８を比較した時のエツチの均一
性及びセル８のパネルの中央の開孔の真中のエツ
チ・バツクをCF4の濃度の関数として示した図で
ある。 １……印刷回路板、２，３，４，５，６，７，
９，９……セル、２′……サンプル、３１……サ
ンプル、３２……開孔、３３……マスク、３４…
…シミユレート溝、３４ａ……シミユレート開
孔、３５……くさび、３６……銅コーテイング、
３７……ボード。
示した概略図である。第２図は隅及び中央の位置
にサンプルを挿入した印刷回路板を示した概略図
である。第３Ａ図、第３Ｂ図、第３Ｃ図、第３Ｄ
図及び第３Ｅ図は挿入サンプルによる検査方法を
示す図である。第４図はセル６のエポキシ樹脂の
エツチ・バツクとエツチの均一性をCF4の濃度の
関数として示した図である。第５図はセル８のエ
ポキシ樹脂のエツチ・バツク及びエツチの均一性
をCF4の濃度の関数として示した図である。第６
図はセル６とセル８を比較した時のエツチの均一
性及びセル８のパネルの中央の開孔の真中のエツ
チ・バツクをCF4の濃度の関数として示した図で
ある。 １……印刷回路板、２，３，４，５，６，７，
９，９……セル、２′……サンプル、３１……サ
ンプル、３２……開孔、３３……マスク、３４…
…シミユレート溝、３４ａ……シミユレート開
孔、３５……くさび、３６……銅コーテイング、
３７……ボード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ CF4及びO2の混合物によるプラズマ・エツチ
ングによつて印刷回路板中の開孔の汚れを除去す
る方法であつて、 (a) 清浄にすべき印刷回路板をプラズマ反応器中
に装填し、該プラズマ反応器を第１の予め定ま
つた圧力になるまで排気し、 (b) 第２の予め定まつた圧力になるまで上記プラ
ズマ反応器中に、ほぼ50乃至80容量％のCF4及
びほぼ50乃至20容量％のO2よりなる混合気体
を供給し、 (c) 上記プラズマ反応器に接続された高周波発生
器を動作させることによりプラズマを発生さ
せ、 (d) 上記開孔の汚れを除去するに十分な時間プラ
ズマを保持し、 (e) 上記高周波発生器の動作を中止し空気を供給
して上記プラズマ反応器を解放する段階を有す
る、 印刷回路板中の開孔の汚れを除去する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP19850108695 EP0208012B1 (de) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Verfahren zum Herstellen von verschmierungsfreien Bohrungen |
| EP85108695.9 | 1985-07-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215889A JPS6215889A (ja) | 1987-01-24 |
| JPH0249035B2 true JPH0249035B2 (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=8193617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11098786A Expired - Lifetime JPH0249035B2 (ja) | 1985-07-12 | 1986-05-16 | Insatsukairobanchunokaikonoyogoreojokyosuruhoho |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0208012B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0249035B2 (ja) |
| CA (1) | CA1251519A (ja) |
| DE (1) | DE3584247D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018123261A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社電子技研 | 樹脂および樹脂の製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4797178A (en) * | 1987-05-13 | 1989-01-10 | International Business Machines Corporation | Plasma etch enhancement with large mass inert gas |
| US4853081A (en) * | 1987-10-30 | 1989-08-01 | Ibm Corporation | Process for removing contaminant |
| US8293127B1 (en) * | 2006-11-16 | 2012-10-23 | Lockheed Martin Corporation | Plasma etching method |
| CN111148367A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-05-12 | 上海稷以科技有限公司 | 一种去除高厚宽比印刷电路板孔内胶渣的等离子体工艺 |
| CN116321740B (zh) * | 2023-03-16 | 2024-05-31 | 福莱盈电子股份有限公司 | 一种双面铜产品通孔的加工方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4012307A (en) * | 1975-12-05 | 1977-03-15 | General Dynamics Corporation | Method for conditioning drilled holes in multilayer wiring boards |
| US4277321A (en) * | 1979-04-23 | 1981-07-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Treating multilayer printed wiring boards |
-
1985
- 1985-07-12 EP EP19850108695 patent/EP0208012B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-12 DE DE8585108695T patent/DE3584247D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-03-04 CA CA000503288A patent/CA1251519A/en not_active Expired
- 1986-05-16 JP JP11098786A patent/JPH0249035B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018123261A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社電子技研 | 樹脂および樹脂の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3584247D1 (de) | 1991-10-31 |
| EP0208012A1 (de) | 1987-01-14 |
| CA1251519A (en) | 1989-03-21 |
| EP0208012B1 (de) | 1991-09-25 |
| JPS6215889A (ja) | 1987-01-24 |
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